以下、本発明をその好適な実施形態に即� ��て詳細に説明する。

 [高分子発光素子]
 本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極� ��の間に発光層を有し且つ該発光層と該陽極� ��の間に正孔輸送層を有する高分子発光素子� ��あって、
 該正孔輸送層が、下記一般式(I)で示される� ��返し単位、下記一般式(II)で示される繰返し 単位及び下記一般式(III)で示される繰返し単� ��を含む高分子化合物を含有する層であるこ� ��を特徴とするものである。

(式(I)中、R ₁ 、R ₂ 、R ₃ 及びR ₄ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ水素原子又はアルキル基を表し、R ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ 基、アリール基、アリールオキシ基、アリー ルチオ基、アリールアルキル基、アリールア ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シ リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基 、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� �ボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し� �a、b、c及びdは同一でも又は異なっていても� ��く、それぞれ0~3の整数を表し、R ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同 一でも又は異なっていてもよい。)
  -Ar ₁ -    (II)
(式(II)中、Ar ₁ は2価の芳香族アミンを表す。)
  -Ar ₂ -    (III)
(式(III)中、Ar ₂ はアリーレン基又は2価の複素環基を表す。)� ��

 先ず、本発明にかかる高分子化合物につい� ��説明する。本発明にかかる高分子化合物は� ��前述のように上記一般式(I)で示される繰返� ��単位を含む。このような一般式(I)中のR ₁ 、R ₂ 、R ₃ 、R ₄ 、R ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアルキル基としては、直 鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれのものであ ってもよく、更に、置換基を有していてもよ い。また、このようなアルキル基としては、 炭素数が1~20(より好ましくは1~10)のものが好� �しく、例えば、メチル基、エチル基、プロ� �ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ� �ル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基� ��ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル� ��、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニ� �基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ラ� ��リル基、トリフルオロメチル基、ペンタフ� ��オロエチル基、パーフルオロブチル基、パ� ��フルオロヘキシル基、パーフルオロオクチ� ��基等が挙げられる。

 上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアルコキシ基としては、 直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれのもので あってもよく、置換基を有していてもよい。 また、このようなアルコキシ基としては、炭 素数が1~20(より好ましくは1~10)のものが好ま� �く、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プ� �ピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブ� �キシ基、イソブトキシ基、s-ブトキシ基、t-� ��トキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオ� ��シ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチル� ��キシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキ� �ルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ� �基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリ� ��オキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペン� ��フルオロエトキシ基、パーフルオロブトキ� ��基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パー� ��ルオロオクチルオキシ基、メトキシメチル� ��キシ基、2-メトキシエチルオキシ基等が挙� �られる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアルキルチオ基としては 、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれのもの であってもよく、置換基を有していてもよい 。更に、このようなアルキルチオ基としては 、炭素数が1~20(より好ましくは1~10)のものが� �ましく、例えば、メチルチオ基、エチルチ� �基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基� �ブチルチオ基、イソブチルチオ基、s-ブチル チオ基、t-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、� ��キシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘ� ��チルチオ基、オクチルチオ基、2-エチルヘ� �シルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基� �3,7-ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ� ��、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ� ��。

 さらに、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリール基としては、芳 香族炭化水素から水素原子1個を除いた原子� �であればよく特に制限されず、縮合環を持� �ものや、独立したベンゼン環又は縮合環2個� ��上が直接或いはビニレン等の基を介して結� ��したものも含まれる。このようなアリール� ��としては、炭素数が6~60(より好ましくは7~48) のものが好ましく、例えば、フェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基(C ₁ ~C ₁₂ は、炭素数1~12であることを示す。以下も同� �である。)、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ� �ル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニ� ��基、9-アントラセニル基、ペンタフルオロ� �ェニル基等が挙げられる。このようなアリ� �ル基の中でも、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基及びC ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基がより好ましい。

 このようなアリール基中のC ₁ ~C ₁₂ アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エ トキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキ シ、ブトキシ、イソブトキシ、s-ブトキシ、t -ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキ� �、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ� �オクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、 ノニルオキシ、デシルオキシ、3,7-ジメチル� �クチルオキシ、ラウリルオキシ等が挙げら� �る。

 また、前記アリール基中のC ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基としては、例えば、メチ ルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチル フェニル基、プロピルフェニル基、メシチル 基、メチルエチルフェニル基、イソプロピル フェニル基、ブチルフェニル基、イソブチル フェニル基、t-ブチルフェニル基、ペンチル� ��ェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシ� ��フェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチ� ��フェニル基、ノニルフェニル基、デシルフ� ��ニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられ� ��。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールオキシ基として は、炭素数が6~60(より好ましくは7~48)のもの� �好ましく、例えば、フェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基� ��2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェ� �ルオキシ基等が挙げられる。また、このよ� �なアリールオキシ基の中でも、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基及びC ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基がより好ましい。

 前記アリールオキシ基中のC ₁ ~C ₁₂ アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エ トキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキ シ、ブトキシ、イソブトキシ、s-ブトキシ、t -ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキ� �、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ� �オクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、 ノニルオキシ、デシルオキシ、3,7-ジメチル� �クチルオキシ、ラウリルオキシ等が挙げら� �る。

 また、前記アリールオキシ基中のC ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基としては、例えば、メ チルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジ メチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基 、1,3,5-トリメチルフェノキシ基、メチルエチ ルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基 、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキ シ基、s-ブチルフェノキシ基、t-ブチルフェ� �キシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミ� �フェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘ� �チルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基� �ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基� �ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールチオ基としては 、前述のアリール基に硫黄元素が結合したも のであればよく特に制限されず、前記アリー ル基の芳香環上に置換基を有するものであっ てもよい。このようなアリールチオ基として は、炭素数が3~60(より好ましくは5~30)のもの� �好ましく、例えば、フェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基� ��2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニ� �チオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチ� �基、ピリミジルチオ基、ピラジニルチオ基� �トリアジニルチオ基等が挙げられる。

 さらに、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールアルキル基とし ては、前述のアリール基に前述のアルキル基 が結合したものであればよく特に制限されず 、置換基を有するものであってもよい。この ようなアリールアルキル基としては、炭素数 が7~60(より好ましくは7~30)のものが好ましく� �例えば、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールアルコキシ基と しては、前述のアリール基に前述のアルコキ シ基が結合したものであればよく特に制限さ れず、置換基を有するものであってもよい。 このようなアリールアルコキシ基としては、 炭素数が7~60(より好ましくは7~30)のものが好� �しく、例えば、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールアルキルチオ基 としては、前述のアリール基に前述のアルキ ルチオ基が結合したものであればよく特に制 限されず、置換基を有するものであってもよ い。このようなアリールアルキルチオ基とし ては、炭素数が7~60(より好ましくは7~30)のも� �が好ましく、例えば、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールアルケニル基と しては、前述のアリール基にアルケニル基が 結合したものであればよい。このようなアリ ールアルケニル基としては特に制限されない が、炭素数は8~60(より好ましくは8~30)のもの� �好ましく、フェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、1-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、2-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基などが例示され、中でも、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基及びC ₂ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基がより好ましい。

 さらに、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアリールアルキニル基と しては、前述のアリール基にアルキニル基が 結合したものであればよい。このようなアリ ールアルキニル基としては特に制限されない が、炭素数が8~60(より好ましくは8~30)のもの� �好ましく、フェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、1-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、2-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基などが例示され、中でも、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基及びC ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基がより好ましい。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得る置換アミノ基としては特 に制限されないが、アルキル基、アリール基 、アリールアルキル基及び1価の複素環基か� �なる群から選択される1又は2個の基によって 置換されたアミノ基が好ましい。また、この ような置換アミノ基中のアルキル基、アリー ル基、アリールアルキル基又は1価の複素環� �は他の置換基を有していてもよい。さらに� �このような置換アミノ基の炭素数としては� �前記置換基の炭素数を含まない場合におい� �1~60(より好ましくは2~48)であることが好まし� ��。

 このような置換アミノ基としては、例えば� ��メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチ� ��アミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルア� ��ノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピル� ��ミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチル� ��ミノ基、イソブチルアミノ基、セカンダリ� ��チル基、s-ブチルアミノ基、t-ブチルアミノ 基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、 シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基 、オクチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミ� ��基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7- ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ 基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペン チルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジ シクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピ ペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基 フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル)アミノ基、1-ナフチルアミ ノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロ� ��ェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリ� ��ジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピ� ��ジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニ� ��-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得る置換シリル基としては、 アルキル基、アリール基、アリールアルキル 基及び1価の複素環基からなる群から選択さ� �る1~3個の基によって置換されたシリル基が� �げられる。このような置換シリル基として� �特に制限されないが、炭素数が1~60(より好ま しくは3~48)のものが好ましい。なお、このよ� ��な置換シリル基中のアルキル基、アリール� ��、アリールアルキル基又は1価の複素環基は 置換基を有していてもよい。

 このような置換シリル基としては、例えば� ��トリメチルシリル基、トリエチルシリル基� ��トリプロピルシリル基、トリ-イソプロピル シリル基、ジメチル-イソプロピリシリル基� �ジエチル-イソプロピルシリル基、t-ブチル� �リルジメチルシリル基、ペンチルジメチル� �リル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプ� �ルジメチルシリル基、オクチルジメチルシ� �ル基、2-エチルヘキシル-ジメチルシリル基� �ノニルジメチルシリル基、デシルジメチル� �リル基、3,7-ジメチルオクチル-ジメチルシリ ル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル -C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシ リル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベン ジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、 t-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェ� ��ルシリル基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るハロゲン原子としては、 フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ 素原子が挙げられる。

 さらに、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアシル基としては特に制 限されないが、炭素数が2~20(より好ましくは2 ~18)のものが好ましく、例えば、アセチル基� �プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリ� �基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフ� �オロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイ� �基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアシルオキシ基としては 特に制限されないが、炭素数が2~20(より好ま� ��くは2~18)のものが好ましく、例えば、アセ� �キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリル� �キシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイ� �オキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフル� �ロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベン� �イルオキシ基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るイミン残基としては、イ ミン化合物(分子内に式:-N=C-で示される基を� �つ有機化合物のことをいい、例えば、アル� �ミン、ケチミン及びこれらのN上の水素原子� ��アルキル基等で置換された化合物が挙げら� ��る。)から水素原子1個を除いた残基であれ� �よく特に制限されないが、炭素数が2~20(より 好ましくは2~18)のものが好ましい。このよう� ��イミン残基としては、例えば、下記構造式:

で示される基が挙げられる。

 さらに、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得るアミド基としては特に制 限されないが、炭素数が2~20(より好ましくは2 ~18)のものが好ましく、例えば、ホルムアミ� �基、アセトアミド基、プロピオアミド基、� �チロアミド基、ベンズアミド基、トリフル� �ロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズ� �ミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミ� �基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド� �、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセ� �アミド基、ジペンタフルオロベンズアミド� �等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得る酸イミド基としては、酸 イミドから窒素原子に結合した水素原子を除 いて得られる残基であればよく特に制限され ないが、炭素数が4~20(より好ましくは4~18)の� �のが好ましく、例えば、下記構造式:

で示される基が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得る1価の複素環基とは、複� �環化合物から水素原子1個を除いた残りの原� ��団をいう。このような1価の複素環基として は特に制限されないが、炭素数が4~60(より好� ��しくは4~20)のものが好ましい。なお、この� �うな1価の複素環基の炭素数には、置換基の� ��素数は含まないものとする。また、前記複� ��環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物� ��うち、環を構成する元素が炭素原子だけで� ��く、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素等の� ��テロ原子を環内に含むものをいう。このよ� ��な1価の複素環基としては、例えば、チエニ ル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基 、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリ ル基、イソキノリル基等が挙げられ、中でも 、チエニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピリジル基及びC ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基がより好ましい。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ として選択され得る置換カルボキシル基とは 、アルキル基、アリール基、アリールアルキ ル基又は1価の複素環基で置換されたカルボ� �シル基をいう。このような置換カルボキシ� �基としては、炭素数が2~60(より好ましくは炭 素数2~48)のものが好ましい。また、前記置換� ��ルボキシル基中の前記アルキル基、アリー� ��基、アリールアルキル基又は1価の複素環基 は、他の置換基を有していてもよい。なお、 上記炭素数には、前記置換基の炭素数は含ま ないものとする。このような置換カルボキシ ル基としては特に制限されないが、例えば、 メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル 基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキ シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イ ソブトキシカルボニル基、s-ブトキシカルボ� ��ル基、t-ブトキシカルボニル基、ペンチル� �キシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニ� �基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘ� �チルオキシカルボニル基、オクチルオキシ� �ルボニル基、2-エチルヘキシロキシカルボニ ル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキ シカルボニル基、3,7-ジメチルオクチルオキ� �カルボニル基、ドデシルオキシカルボニル� �、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペ� �タフルオロエトキシカルボニル基、パーフ� �オロブトキシカルボニル基、パーフルオロ� �キシルオキシカルボニル基、パーフルオロ� �クチルオキシカルボニル基、フェノキシカ� �ボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリ� �ルオキシカルボニル基等が挙げられる。

 また、上記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 又はR ₈ としては、原料モノマーの合成の容易さの観 点から、アルキル基、アルコキシ基、アリー ル基、アリールオキシ基、カルボキシル基又 は置換カルボキシル基であることが好ましい 。

 また、上記一般式(I)中のa、b、c及びdは、 それぞれ独立に0又は1であることがより好ま� ��く、原料モノマーの合成の容易さの観点か� ��0であることが最も好ましい。

 さらに、上記一般式(I)中のR ₁ 、R ₂ 、R ₃ およびR ₄ としては、原料モノマーの合成の容易さの観 点から、アルキル基であることが好ましい。

 上記一般式(I)で示される繰返し単位の具� ��例としては、下記式(I-1)~(I-9)で示される繰� �し単位が挙げられる。

 また、本発明にかかる高分子化合物は、前� ��のように、上記一般式(I)で示される繰り返� ��単位とともに、下記一般式(II):
  -Ar ₁ - (II)
(式(II)中、Ar ₁ は2価の芳香族アミンを表す。)
で示される繰返し単位を含む。

 上記一般式(II)中において、2価の芳香族� �アミンとは、芳香族アミンから水素原子2個� ��除いた残りの原子団をいい、置換基を有し� ��いてもよい。このような2価の芳香族基アミ ンとしては、炭素数が5~100(より好ましくは15~ 60)のものが好ましい。なお、前記芳香族アミ ンの炭素数には、前記置換基の炭素数は含ま ないものとする。

 また、このような2価の芳香族基アミンと しては、具体的には、下記一般式401~410で示� �れる2価の芳香族基アミンが例示される。

(式401~410中、Rは水素原子、アルキル基、アル コキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ア リールオキシ基、アリールチオ基、アリール アルキル基、アリールアルコキシ基、アリー ルアルキルチオ基、アリールアルケニル基、 アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミ ノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原 子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基 、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、� �ルボキシル基、置換カルボキシル基、シア� �基又はニトロ基を表す。)
 前記一般式401~410中においてRとして選択さ� �得るアルキル基、アルコキシ基、アルキル� �オ基、アリール基、アリールオキシ基、ア� �ールチオ基、アリールアルキル基、アリー� �アルコキシ基、アリールアルキルチオ基、� �リールアルケニル基、アリールアルキニル� �、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン� �子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残� �、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基お� ��び置換カルボキシル基の定義及び具体例等� ��、前記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ において説明したそれらの定義、具体例等と 同じである。

 また、上記一般式(II)で示される繰返し単 位としては、輝度半減寿命が長い高分子素子 が得られるという観点から、下記一般式(IV)� �示される繰返し単位がより好ましい。

(式(IV)中、R ₉ ~R ₃₄ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア ルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ 基、アリールチオ基、アリールアルキル基、 アリールアルコキシ基、アリールアルキルチ オ基、アリールアルケニル基、アリールアル キニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル 基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基 、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、 酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル� �、置換カルボキシル基、シアノ基又はニト� �基を表し、o及びpは同一でも又は異なってい てもよく、それぞれ0又は1の整数を表し、
 R ₁₀ が結合している炭素及びR ₁₈ が結合している炭素、R ₁₂ が結合している炭素及びR ₁₃ が結合している炭素、R ₂₄ が結合している炭素及びR ₃₄ が結合している炭素、又は、R ₃₀ が結合している炭素及びR ₃₁ が結合している炭素がそれぞれ直接結合して 或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合し て環を形成していてもよく、このような環が 形成される場合、R ₁₀ 及びR ₁₈ 、R ₁₂ 及びR ₁₃ 、R ₂₄ 及びR ₃₄ 、又は、R ₃₀ 及びR ₃₁ はそれぞれ一緒になって、前記直接結合、前 記酸素原子又は前記硫黄原子を表す。)。

 前記一般式(IV)中においてR ₉ ~R ₃₄ として選択され得るアルキル基、アルコキシ 基、アルキルチオ基、アリール基、アリール オキシ基、アリールチオ基、アリールアルキ ル基、アリールアルコキシ基、アリールアル キルチオ基、アリールアルケニル基、アリー ルアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル 基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ 基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1� �の複素環基および置換カルボキシル基の定� �及び具体例等は、前記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ において説明したそれらの定義、具体例等と 同じである。

 また、前記一般式(IV)中のR ₉ ~R ₃₄ としては、原料モノマーの合成の容易さの観 点から、水素原子、アルキル基、アルコキシ 基、アリール基、アリールオキシ基、カルボ キシル基又は置換カルボキシル基であること がより好ましく、水素原子、アルキル基、ア ルコキシ基又は置換カルボキシル基であるこ とが更に好ましい。

 また、前記一般式(IV)中のR ₁₀ が結合している炭素及びR ₁₈ が結合している炭素、又は、R ₂₄ が結合している炭素及びR ₃₄ が結合している炭素が、それぞれ直接結合し て或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合 して環を形成する場合(例えば、前記一般式(I V)が下記一般式(IV-5)や(IV-9)等で表される繰返� ��単位を示す場合)においては、原料モノマー の合成の容易さの観点から、前記各炭素が酸 素原子又は硫黄原子を介して結合して環を形 成していることが好ましい。

 また、前記一般式(IV)中のR ₁₂ が結合している炭素及びR ₁₃ が結合している炭素、又は、R ₃₀ が結合している炭素及びR ₃₁ が結合している炭素が、それぞれ直接結合し て或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合 して環を形成する場合(例えば、前記一般式(I V)が下記一般式(IV-17)や(IV-18)等で表される繰� �し単位を示す場合)においては、原料モノマ� ��の合成の容易さの観点から、前記各炭素が� ��接結合して環を形成することが好ましい。

 このような一般式(IV)で示される繰返し単 位の具体例としては、下記一般式(IV-1)~(IV-18)� ��示される繰返し単位等が挙げられる。

 また本発明にかかる高分子化合物は、前述� ��ように、前記一般式(I)で示される繰り返し� ��位と前記一般式(II)で示される繰返し単位と ともに、下記一般式(III):
  -Ar ₂ -   (III)
(式(III)中、Ar ₂ はアリーレン基又は2価の複素環基を表す。)
で示される繰返し単位を含む。

 前記一般式(III)中においてAr ₂ として選択され得るアリーレン基とは、芳香 族炭化水素から水素原子2個を除いた原子団� �あり、縮合環を持つもの、独立したベンゼ� �環或いは縮合環2個以上が直接又はビニレン� ��の基を介して結合したものも含まれる。ま� ��、このようなアリーレン基は置換基を有し� ��いてもよい。このような置換基の種類は特� ��制限されないが、溶解性、蛍光特性、合成� ��行い易さ、素子にした場合の特性等の観点� ��ら、アルキル基、アルコキシ基、アルキル� ��オ基、アリール基、アリールオキシ基、ア� ��ールチオ基、アリールアルキル基、アリー� ��アルコキシ基、アリールアルキルチオ基、� ��リールアルケニル基、アリールアルキニル� ��、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置� ��シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシ� ��オキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミ� ��基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換 カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が好 ましい。

 このようなアリーレン基としては、原料� ��ノマーの合成の容易さの観点から、置換基� ��除いた部分の炭素数が6~60(より好ましくは6~ 20)であるものが好ましい。また、このような アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、 6~100であることが好ましい。

 また、このようなアリーレン基としては� ��例えば、フェニレン基(例えば、下記一般式 1~3で示される基)、ナフタレンジイル基(下記� ��般式4~13で示される基)、アントラセン-ジイ� ��基(下記一般式14~19で示される基)、ビフェニ ル-ジイル基(下記一般式20~25で示される基)、� ��ーフェニル-ジイル基(下記一般式26~28で示さ れる基)、縮合環化合物基(下記一般式29~35で� �される基)、フルオレン-ジイル基(下記一般� �36~38で示される基)、ベンゾフルオレン-ジイ� ��(下記一般式39~46で示される基)等が挙げられ る。

(式1~46中、Rは水素原子、アルキル基、アル コキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ア リールオキシ基、アリールチオ基、アリール アルキル基、アリールアルコキシ基、アリー ルアルキルチオ基、アリールアルケニル基、 アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミ ノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原 子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基 、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、� �ルボキシル基、置換カルボキシル基、シア� �基またはニトロ基を表す。)。

 また、前記一般式(III)中においてAr ₂ として選択され得る2価の複素環基とは、複� �環化合物から水素原子2個を除いた残りの原� ��団をいう。また、このような2価の複素環基 は置換基を有していてもよい。また、前記複 素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物 のうち、環を構成する元素が炭素原子だけで なく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ 素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう 。このような2価の複素環基の中では、芳香� �複素環基が好ましい。また、このような2価� ��複素環基が有していてもよい置換基の種類� ��特には限定されないが、溶解性、蛍光特性� ��合成の行いやすさ、素子にした場合の特性� ��の観点から、アルキル基、アルコキシ基、� ��ルキルチオ基、アリール基、アリールオキ� ��基、アリールチオ基、アリールアルキル基� ��アリールアルコキシ基、アリールアルキル� ��オ基、アリールアルケニル基、アリールア� ��キニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリ� ��基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル� ��、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基� ��酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル 基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニト ロ基が好ましい。

 また、このような2価の複素環基としては 、置換基を除いた部分の炭素数が3~60(より好� ��しくは3~20)であるものが好ましい。また、� �のような2価の複素環基としては、置換基を� ��めた全炭素数が3~100(より好ましくは3~50)で� �るものが好ましい。

 さらに、このような2価の複素環基としては 、例えば、以下の(a)~(h)のようなものが挙げ� �れる。
(a)ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素� �基:ピリジン-ジイル基(下記一般式101~106で示� ��れる基)、ジアザフェニレン基(下記一般式10 7~110で示される基)、キノリンジイル基(下記� �般式111~125で示される基)、キノキサリンジイ ル基(下記一般式126~130で示される基)、アクリ ジンジイル基(下記一般式131~134で示される基) 、ビピリジルジイル基(下記一般式135~137で示� ��れる基)、フェナントロリンジイル基(下記� �般式138~140で示される基)。
(b)ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫 黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有す る基(下記一般式141~155で示される基)。
(c)ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫 黄、セレン、ホウ素、リンなどを含む5員環� �素環基(下記一般式156~175で示される基)。
(d)ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、セ レンなどを含む5員環縮合複素基(下記一般式1 76~187で示される基)。
(e)ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫 黄、セレンなどを含む5員環複素環基で、そ� �ヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマ� �になっている基(下記一般式188~189で示される 基)。
(f)ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫 黄、セレンなどを含む5員環複素環基で、そ� �ヘテロ原子のα位でフェニル基に結合してい る基(下記一般式190~196で示される基)。
(g)ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、セレ ンなどを含む5員環縮合複素環基にフェニル� �やフリル基、チエニル基が置換した基(下記� ��般式197~202で示される基)。
(h)ヘテロ原子として酸素、窒素などを含む6� �環複素環基(下記一般式203~206で示される基)� �

(式101~206中、Rは水素原子、アルキル基、ア ルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、 アリールオキシ基、アリールチオ基、アリー ルアルキル基、アリールアルコキシ基、アリ ールアルキルチオ基、アリールアルケニル基 、アリールアルキニル基、アミノ基、置換ア ミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン 原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残 基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基� �カルボキシル基、置換カルボキシル基、シ� �ノ基及びニトロ基を表す。)。

 前記一般式1~46及び前記一般式101~206中にお� �てRとして選択され得るアルキル基、アルコ� ��シ基、アルキルチオ基、アリール基、アリ� ��ルオキシ基、アリールチオ基、アリールア� ��キル基、アリールアルコキシ基、アリール� ��ルキルチオ基、アリールアルケニル基、ア� ��ールアルキニル基、置換アミノ基、置換シ� ��ル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ� ��シ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基� ��1価の複素環基および置換カルボキシル基の 定義及び具体例等は、前記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ において説明したそれらの定義及び具体例等 と同じである。

 また、上記一般式(III)中のAr ₂ がアリーレン基である場合においては、発光 素子の材料として用いた場合に半減寿命がよ り長い発光素子が得られるという観点から、 下記一般式(V)で示される繰返し単位が好まし い。

(式(V)中、R ₃₅ 及びR ₃₆ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア ルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ 基、アリールチオ基、アリールアルキル基、 アリールアルコキシ基、アリールアルキルチ オ基、アリールアルケニル基、アリールアル キニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル 基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基 、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、 酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル� �、置換カルボキシル基、シアノ基又はニト� �基を表し、R ₃₇ 及びR ₃₈ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ 基、アリール基、アリールオキシ基、アリー ルチオ基、アリールアルキル基、アリールア ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シ リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基 、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� �ボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し� �e及びfは同一でも又は異なっていてもよく、 それぞれ0~3の整数を表し、R ₃₇ 及びR ₃₈ がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同 一でも又は異なっていてもよい。)。

 前記一般式(V)中においてR ₃₅ 、R ₃₆ 、R ₃₇ 又はR ₃₈ として選択され得るアルキル基、アルコキシ 基、アルキルチオ基、アリール基、アリール オキシ基、アリールチオ基、アリールアルキ ル基、アリールアルコキシ基、アリールアル キルチオ基、アリールアルケニル基、アリー ルアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル 基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ 基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1� �の複素環基および置換カルボキシル基の定� �及び具体例等は、前記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ において説明したそれらの定義及び具体例等 と同じである。

 前記一般式(V)中のR ₃₅ 及びR ₃₆ としては、前記高分子化合物の有機溶媒への 溶解度向上の観点から、それぞれ独立に、ア ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリ ールオキシ基、アリールアルキル基、アリー ルアルコキシ基、アリールアルケニル基又は 1価の複素環基であることが好ましく、アル� �ル基、アルコキシ基、アリール基又はアリ� �ルオキシ基であることがより好ましく、ア� �キル基又はアリール基であることが特に好� �しい。

 前記一般式(V)中のR ₃₇ 及びR ₃₈ としては、原料モノマーの合成の容易さの観 点から、それぞれ独立に、アルキル基、アル コキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ア リールオキシ基、アリールチオ基、アリール アルキル基、アリールアルコキシ基、アリー ルアルキルチオ基、アリールアルケニル基、 アリールアルキニル基又は1価の複素環基で� �ることが好ましく、アルキル基、アルコキ� �基、アルキルチオ基、アリール基、アリー� �オキシ基、アリールチオ基、アリールアル� �ル基、アリールアルコキシ基又はアリール� �ルキルチオ基であることがより好ましく、� �ルキル基、アルコキシ基、アリール基又は� �リールオキシ基であることが更に好ましく� �アルキル基又はアリール基であることが特� �好ましい。

 前記一般式(V)中のe及びfとしては、原料� �ノマーの合成の容易さの観点から、それぞ� �独立に、0又は1の整数であることが好ましく 、0であることが特に好ましい。

 また、このような一般式(V)で示される繰� ��し単位としては、例えば、下記式(V-1)~(V-8)� �示される繰返し単位が挙げられる。

 また、前記一般式(III)中のAr ₂ がアリーレン基である場合においては、発光 素子の材料として用いた場合に輝度半減寿命 がより長い発光素子が得られるという観点か ら、下記一般式(VI)で示される繰返し単位が� �ましい。

(式(VI)中、R ₃₉ 及びR ₄₀ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア ルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ 基、アリールチオ基、アリールアルキル基、 アリールアルコキシ基、アリールアルキルチ オ基、アリールアルケニル基、アリールアル キニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル 基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基 、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、 酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル� �、置換カルボキシル基、シアノ基又はニト� �基を表し、R ₄₁ 及びR ₄₂ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ 基、アリール基、アリールオキシ基、アリー ルチオ基、アリールアルキル基、アリールア ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シ リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基 、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� �ボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し� �gは0~3の整数を表し、hは0~5の整数を表し、R ₄₁ 及びR ₄₂ はそれぞれ複数個存在する場合、それらは同 一でも又は異なっていてもよい。)。

 前記一般式(VI)中においてR ₃₉ 、R ₄₀ 、R ₄₁ 又はR ₄₂ として選択され得るアルキル基、アルコキシ 基、アルキルチオ基、アリール基、アリール オキシ基、アリールチオ基、アリールアルキ ル基、アリールアルコキシ基、アリールアル キルチオ基、アリールアルケニル基、アリー ルアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル 基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ 基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1� �の複素環基および置換カルボキシル基の定� �及び具体例等は、前記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ において説明したそれらの定義及び具体例等 と同じである。

 前記一般式(VI)中のR ₃₉ 及びR ₄₀ としては、前記高分子化合物の有機溶媒への 溶解度向上の観点から、それぞれ独立に、ア ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリ ールオキシ基、アリールアルキル基、アリー ルアルコキシ基、アリールアルケニル基又は 1価の複素環基であることが好ましく、アル� �ル基、アルコキシ基、アリール基又はアリ� �ルオキシ基であることがより好ましく、ア� �キル基又はアリール基であることが特に好� �しい。

 また、前記一般式(VI)中のR ₄₁ 及びR ₄₂ としては、原料モノマーの合成の容易さの観 点から、それぞれ独立に、アルキル基、アル コキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ア リールオキシ基、アリールチオ基、アリール アルキル基、アリールアルコキシ基、アリー ルアルキルチオ基、アリールアルケニル基、 アリールアルキニル基又は1価の複素環基で� �ることが好ましく、アルキル基、アルコキ� �基、アルキルチオ基、アリール基、アリー� �オキシ基、アリールチオ基、アリールアル� �ル基、アリールアルコキシ基又はアリール� �ルキルチオ基であることがより好ましく、� �ルキル基、アルコキシ基、アリール基又は� �リールオキシ基であることが更に好ましく� �アルキル基又はアリール基であることが特� �好ましい。

 前記一般式(VI)中のgとしては、原料モノ� �ーの合成の容易さの観点から、0又は1の整数 であることが好ましく、0であることが特に� �ましい。

 前記一般式(VI)中のhとしては、原料モノ� �ーの合成の容易さの観点から、0又は1の整数 であることが好ましく、0であることが特に� �ましい。

 また、このような一般式(VI)で示される繰 返し単位としては、例えば、下記式(VI-1)~(VI-8 )で示される繰返し単位が挙げられる。

 さらに、前記一般式(III)中のAr ₂ が2価の複素環基である場合においては、発� �素子の材料として用いた場合に半減寿命が� �り長い発光素子が得られるという観点から� �下記一般式(VII)で示される繰返し単位が好ま しい。

(式(VII)中、Xは酸素原子又は硫黄原子を表し� �R ₄₃ 及びR ₄₄ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア ルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ 基、アリールチオ基、アリールアルキル基、 アリールアルコキシ基、アリールアルキルチ オ基、アリールアルケニル基、アリールアル キニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル 基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基 、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、 酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル� �、置換カルボキシル基、シアノ基又はニト� �基を表し、i及びjは同一でも又は異なってい てもよく、それぞれ0~3の整数を表し、R ₄₃ 及びR ₄₄ はそれぞれ複数個存在する場合、それらは同 一でも又は異なっていてもよい。)。

 前記一般式(VII)中においてR ₄₃ 又はR ₄₄ として選択され得るアルキル基、アルコキシ 基、アルキルチオ基、アリール基、アリール オキシ基、アリールチオ基、アリールアルキ ル基、アリールアルコキシ基、アリールアル キルチオ基、アリールアルケニル基、アリー ルアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル 基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ 基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1� �の複素環基および置換カルボキシル基の定� �及び具体例等は、前記一般式(I)中のR ₅ 、R ₆ 、R ₇ 及びR ₈ において説
明したそれらの定義及び具体例等と同じであ る。

 前記一般式(VII)中のR ₄₃ 及びR ₄₄ としては、原料モノマーの合成の容易さの観 点から、それぞれ独立に、アルキル基、アル コキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ア リールオキシ基、アリールチオ基、アリール アルキル基、アリールアルコキシ基、アリー ルアルキルチオ基、アリールアルケニル基、 アリールアルキニル基又は1価の複素環基で� �ることが好ましく、アルキル基、アルコキ� �基、アルキルチオ基、アリール基、アリー� �オキシ基、アリールチオ基、アリールアル� �ル基、アリールアルコキシ基又はアリール� �ルキルチオ基であることがより好ましく、� �ルキル基、アルコキシ基、アリール基又は� �リールオキシ基であることが更に好ましく� �アルキル基又はアルコキシ基であることが� �に好ましい。

 前記一般式(VII)中のi及びjとしては、原料 モノマーの合成の容易さの観点から、それぞ れ独立に、0又は1の整数であることが好まし� ��、前記高分子化合物の有機溶媒への溶解度� ��上の観点から、1であることが特に好ましい 。

 前記一般式(VII)で示される繰返し単位と� �ては、例えば、下記式(VII-1)~(VII-8)で示され� �繰返し単位が挙げられる。

 また、前記一般式(V)、(VI)、(VII)で示され� ��繰返し単位の中では、高分子発光素子の輝� ��半減寿命が長いという観点から、前記一般� ��(V)で示される繰返し単位がより好ましい。

 また、本発明にかかる高分子化合物は、� ��記一般式(I)で示される繰返し単位、前記一� ��式(II)で示される繰返し単位及び前記一般式 (III)で示される繰返し単位をそれぞれ2種以上 含んでいてもよい。

 更に、本発明にかかる高分子化合物は、電� ��の輸送性を変化させる観点や耐熱性を向上� ��せる観点等から、前記一般式(I)~(III)で示さ� ��る繰り返し単位に加え、それ以外の他の繰� ��返し単位を少なくとも1種類以上含んでいて もよい。このような他の繰り返し単位として は、下記一般式(A):
  -Ar _a -   (A)
(式中、Ar _a はそれぞれ独立にアリーレン基又は2価の複� �環基を示す。)
で示される繰り返し単位が好ましい。

 また、このような一般式(A)で示される繰� ��返し単位としては、下記一般式(B)、下記一� ��式(C)、下記一般式(D)又は下記一般式(E)で示� ��れる繰り返し単位が好ましい。

(式(B)中、R _a は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ オ基、アリール基、アリールオキシ基、アリ ールチオ基、アリールアルキル基、アリール アルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア リールアルケニル基、アリールアルキニル基 、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換 シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル オキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド 基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換� �ルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表� �、αは0~4の整数を表し、R _a が複数個存在する場合、それらは同一でも又 は異なっていてもよい。)。

(式(C)中、R _b 及びR _c は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ 基、アリール基、アリールオキシ基、アリー ルチオ基、アリールアルキル基、アリールア ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シ リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基 、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� �ボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し� �β及びχは同一でも又は異なっていてもよく� ��それぞれ0~3の整数を表し、R _b 及びR _c がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同 一でも又は異なっていてもよい。)。

(式(D)中、R _d は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ オ基、アリール基、アリールオキシ基、アリ ールチオ基、アリールアルキル基、アリール アルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア リールアルケニル基、アリールアルキニル基 、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換 シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル オキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド 基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換� �ルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表� �、δは0~2の整数を表し、Ar _b 及びAr _c は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れアリーレン基、2価の複素環基又は金属錯� �構造を有する2価の基を表し、ε及びφは同一 でも又は異なっていてもよく、それぞれ0又� �1の整数を表し、Z ₁ は、O、S、SO、SO ₂ 、Se、又はTeを表し、R _d が複数個存在する場合、それらは同一でも又 は異なっていてもよい。)。

(式(E)中、R _e 及びR _f は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ 基、アリール基、アリールオキシ基、アリー ルチオ基、アリールアルキル基、アリールア ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シ リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基 、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� �ボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し� �γ及びηは同一でも又は異なっていてもよく� ��それぞれ0~4の整数を表し、Z ₂ は、O、S、SO ₂ 、Se、Te、N-R _g 、又はSiR _h R _i を表し、Z ₃ 及びZ ₄ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れN又はC-R _j を表し、R _g 、R _h、 R _i 及びR _j は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ水素原子、アルキル基、アリール基、アリ ールアルキル基又は1価の複素環基を表し、R _e 及びR _f が複数個存在する場合、それらは同一でも又 は異なっていてもよい。)
 また、前記一般式(E)で示される繰り返し単� ��の中央の5員環としては、例えば、チアジア ゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、 チオフェン、フラン、シロール等が挙げられ る。

 また、本発明にかかる高分子化合物中に� ��ける前記一般式(I)~(III)で示される繰り返し� ��位の含有割合としては、原料モノマーの添� ��量を基準として、一般式(I)で示される繰り� ��し単位が0.02モル%~30モル%(より好ましくは0.1 モル%~20モル%)の範囲であることが好ましく、 一般式(II)で示される繰り返し単位が10モル%~9 0モル%(より好ましくは10モル%~80モル%)の範囲� ��あることが好ましく、一般式(III)で示され� �繰り返し単位が5モル%~95モル%(より好ましく� ��10モル%~80モル%)の範囲であることが好まし� �。

 このような高分子化合物中における一般� ��(I)で示される繰り返し単位の含有割合が前� ��下限未満では、高分子発光素子の輝度半減� ��命が短寿命となる傾向にあり、他方、前記� ��限を超えると、得られる高分子化合物の有� ��溶媒に対する溶解度が低下する傾向にある� ��

 また、前記高分子化合物中における一般� ��(II)で示される繰り返し単位の含有割合が前 記下限未満では、高分子発光素子の正孔輸送 性が低くなり、発光効率が低下する傾向にあ り、他方、前記上限を超えると、得られる高 分子化合物の有機溶媒に対する溶解度が低下 する傾向にある。

 さらに、前記高分子化合物中における一� ��式(III)で示される繰り返し単位の含有割合� �前記下限未満では、得られる高分子化合物� �有機溶媒に対する溶解度が低下する傾向に� �り、他方、前記上限を超えると、高分子発� �素子の正孔輸送性が低くなり、発光効率が� �下する傾向にある。

 また、本発明にかかる高分子化合物は、高� ��子発光素子の寿命特性の観点から、ポリス� ��レン換算の数平均分子量が10 ³ ~10 ⁸ であることが好ましく、10 ³ ~10 ⁷ であることがより好ましく、10 ⁴ ~10 ⁷ であることがさらに好ましく、また、ポリス チレン換算の重量平均分子量が10 ³ ~10 ⁷ であることが好ましく、10 ³ ~10 ⁶ であることがより好ましく、10 ⁴ ~10 ⁶ であることがさらに好ましい。

 なお、本発明において「数平均分子量」� ��び「重量平均分子量」は、サイズエクスク� ��ージョンクロマトグラフィー(SEC)(島津製作� ��製:LC-10Avp)を用いて、ポリスチレン換算の数 平均分子量及び重量平均分子量として求める 。また、測定する試料は、約0.5wt%の濃度にな るようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPC に50μL注入する。更に、GPCの移動相としては� ��トラヒドロフランを用い、0.6mL/minの流速で� ��している。また、カラムとしては、TSKgel Su perHM-H(東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(東ソー製) 1本を直列に繋げたものを用いる。また、検� �器には示差屈折率検出器(島津製作所製:RID-10 A)を用いる。

 また、本発明にかかる高分子化合物は、� ��ンダム、ブロック又はグラフト共重合体で� ��ってもよいし、それらの中間的な構造を有� ��る高分子、例えばブロック性を帯びたラン� ��ム共重合体であってもよい。また、このよ� ��な高分子化合物としては、蛍光又はりん光� ��量子収率の高い高分子発光体を得るという� ��点からは、完全なランダム共重合体よりも� ��ブロック性を帯びたランダム共重合体やブ� ��ック又はグラフト共重合体が好ましい。な� ��、このような共重合体には、主鎖に枝分か� ��があり、末端部が3つ以上ある場合やデンド リマーも含まれる。

 また、本発明にかかる高分子化合物にお� ��ては、末端基に重合活性基がそのまま残っ� ��いると本発明の高分子発光素子の発光特性� ��寿命特性が低下する可能性があるため、末� ��基が安定な基で保護されていてもよい。こ� ��ように安定な基で末端基が保護されている� ��合には、主鎖の共役構造と連続した共役結� ��を有していることが好ましく、その構造と� ��ては、例えば、炭素―炭素結合を介してア� ��ール基又は複素環基と結合している構造が� ��げられる。このような末端基を保護する安� ��な基としては、例えば、特開平9-45478号公報 において化10の構造式で示される1価の芳香族 化合物基等の置換基が挙げられる。

 次に、本発明にかかる高分子化合物を製造� ��る方法について説明する。本発明にかかる� ��分子化合物を製造するための好適な方法と� ��ては、例えば、下記一般式(X):
  Y ₁ -A-Y ₂    (X)
(式中、-A-は、前記一般式(I)~(III)で示される� �返し単位又は前記一般式(A)中のAr _a で示される繰返し単位を表し、Y ₁ 及びY ₂ は同一でも又は異なっていてもよく、それぞ れ縮合重合可能な置換基を表す。)
で示される化合物を原料の一つとして適宜選 択して用い、中でも、前記一般式(X)中の-A-が 前記一般式(I)、(II)及び(III)で示される繰返し 単位である化合物をそれぞれ必須成分として 含有させて、これを縮合重合させる方法を挙 げることができる。

 また、本発明にかかる高分子化合物中に� ��記式(X)中の-A-で示される繰り返し単位とと� ��に、前記-A-以外の他の繰り返し単位を含有� ��せる場合には、前記-A-以外の他の繰り返し� ��位となる、2個の縮合重合に関与する置換基 を有する化合物を用い、これを前記式(X)で示 される化合物とともに共存させて縮合重合さ せればよい。

 このような他の繰り返し単位を含有させる� ��めに用いられる2個の縮合重合可能な置換基 を有する化合物としては、下記式(XI):
  Y ₃ -Ar _a -Y ₄     (XI)
(式中、Ar _a は前述のものと同義であり、Y ₃ 及びY ₄ はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基 を示す。)
で示される化合物が例示される。このように して、前記Y ₁ -A-Y ₂ で示される化合物に加えて、前記Y ₃ -Ar _a -Y ₄ で示される化合物を縮合重合させることで、 -Ar _a -で示される繰り返し単位を更に有する本発� �にかかる高分子化合物を製造することがで� �る。

 また、上記一般式(I)、(II)、(III)で示され� ��繰返し単位以外の他の繰り返し単位となる� ��記式(E)に対応する2個の重合縮合に関与する 置換基を有する化合物としては、下記一般式 (H)で示される化合物が挙げられる。

(式(H)中、R _b 、R _c 、β及びχは、前記式(E)で説明したR _b 、R _c 、β及びχと同義であり、Y ₅ およびY ₆ はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基 を示す。)
 このような縮合重合に関与する置換基(Y ₁ 、Y ₂ 、Y ₃ 、Y ₄ 、Y ₅ 及びY ₆ )としては、ハロゲン原子、アルキルスルホ� �ート基、アリールスルホネート基、アリー� �アルキルスルホネート基、ホウ酸エステル� �、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメ� �ル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲ� �化メチル基、-B(OH) ₂ 、ホルミル基、シアノ基又はビニル基等が挙 げられる。

 このような縮合重合に関与する置換基と� ��て選択され得るハロゲン原子としては、フ� ��素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原� ��が挙げられる。

 また、前記縮合重合に関与する置換基と� ��て選択され得るアルキルスルホネート基と� ��ては、メタンスルホネート基、エタンスル� ��ネート基、トリフルオロメタンスルホネー� ��基などが例示され、アリールスルホネート� ��としては、ベンゼンスルホネート基、p-ト� �エンスルホネート基などが例示され、アリ� �ルスルホネート基としては、ベンジルスル� �ネート基等が例示される。

 また、前記縮合重合に関与する置換基とし� ��選択され得るホウ酸エステル基としては、
下記式:

(式中、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を� ��す。)
で示される基が例示される。

 さらに、前記縮合重合に関与する置換基と� ��て選択され得るスルホニウムメチル基とし� ��は、下記式:
  -CH ₂ S ⁺ Me ₂ X ^- 、又は、-CH ₂ S ⁺ Ph ₂ X ^-
(Xはハロゲン原子を示し、Phはフェニル基を� �す。)
で示される基が例示される。

 また、前記縮合重合に関与する置換基とし� ��選択され得るホスホニウムメチル基として� ��、下記式:
  -CH ₂ P ⁺ Ph ₃ X ^-
(Xはハロゲン原子を示す。)
で示される基が例示される。

 また、前記縮合重合に関与する置換基とし� ��選択され得るホスホネートメチル基として� ��、下記式:
  -CH ₂ PO(OR’) ₂
 (Xはハロゲン原子を示し、R’はアルキル基� ��アリール基、アリールアルキル基を示す。)
で示される基が例示される。

 さらに、前記縮合重合に関与する置換基� ��して選択され得るモノハロゲン化メチル基� ��しては、フッ化メチル基、塩化メチル基、� ��化メチル基またはヨウ化メチル基が例示さ� ��る。

 さらに、縮合重合に関与する置換基として� ��適な置換基としては、重合反応の種類によ� ��て異なるものであり一概には言えないが、� ��えば、Yamamotoカップリング反応など0価ニッ� ��ル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、� ��ルキルスルホネート基、アリールスルホネ� ��ト基またはアリールアルキルスルホネート� ��が挙げられる。また、Suzukiカップリング反� ��などニッケル触媒又はパラジウム触媒を用� ��る場合には、アルキルスルホネート基、ハ� ��ゲン原子、ホウ酸エステル基、-B(OH) ₂ 等が挙げられる。

 本発明にかかる高分子化合物を製造する� ��には、例えば、縮合重合に関与する置換基� ��複数有する前記一般式(X)や(XI)で示される化 合物(モノマー)を、必要に応じて有機溶媒に� ��解し、アルカリや適当な触媒を適宜用いて� ��有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応� ��せる重合方法を採用してもよい。このよう� ��重合方法としては、例えば、“オルガニッ� �� リアクションズ(Organic Reactions)”,第14巻,27 0-490頁,ジョンワイリー アンド サンズ(John W iley&Sons,Inc.),1965年、“オルガニック シン� ��シス(Organic Syntheses)”,コレクティブ第6巻(Co llective Volume VI),407-411頁,ジョンワイリー ア� ��ド サンズ(John Wiley&Sons,Inc.),1988年、ケミ カル レビュー(Chem.Rev.),第95巻,2457頁(1995年)、 ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミ ストリー(J.Organomet.Chem.),第576巻,147頁(1999年)、 マクロモレキュラー ケミストリー マクロ� �レキュラー シンポジウム(Macromol.Chem.,Macromol .Symp.),第12巻,229頁(1987年)等に記載の公知の方� ��を適宜採用することができる。

 また、本発明にかかる高分子化合物をブ� ��ック共重合体とする場合においては、WO2005/ 36666号パンフレットに記載された方法等の公� ��の方法を適宜採用することができる。

 また、本発明にかかる高分子化合物を製造� ��る際には、縮合重合に関与する置換基に応� ��て、既知の縮合重合反応を適宜採用しても� ��い。このような重合方法としては、例えば� ��当するモノマーを、Suzukiカップリング反応� ��より重合する方法、Grignard反応により重合� �る方法、Ni(0)錯体により重合する方法、FeCl ₃ 等の酸化剤により重合する方法、電気化学的 に酸化重合する方法、または適当な脱離基を 有する中間体高分子の分解による方法等が挙 げられる。このような重合反応の中でも、Suz ukiカップリング反応により重合する方法、Gri gnard反応により重合する方法、及びニッケル� ��ロ価錯体により重合する方法が、得られる� ��分子化合物の構造制御がし易いので好まし� ��。

 さらに、本発明にかかる高分子化合物を製� ��する際には、縮合重合に関与する置換基(Y ₁ 及びY ₂ )がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル� �ルホネート基、アリールスルホネート基又� �アリールアルキルスルホネート基から選択� �れ、且つニッケルゼロ価錯体存在下で縮合� �合して高分子化合物を製造する方法を採用� �ることが好ましい。このような方法に使用� �る前記一般式(X)で示される原料化合物とし� �は、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス(ア� ��キルスルホネート)化合物、ビス(アリール� �ルホネート)化合物、ビス(アリールアルキル スルホネート)化合物、ハロゲン-アルキルス� ��ホネート化合物、ハロゲン-アリールスルホ ネート化合物、ハロゲン-アリールアルキル� �ルホネート化合物、アルキルスルホネート-� ��リールスルホネート化合物、アルキルスル� ��ネート-アリールアルキルスルホネート化合 物、およびアリールスルホネート-アリール� �ルキルスルホネート化合物が挙げられる。

 このような原料化合物を用いて前記高分� ��化合物を製造する方法の一例としては、ハ� ��ゲン-アルキルスルホネート化合物、ハロゲ ン-アリールスルホネート化合物、ハロゲン-� ��リールアルキルスルホネート化合物、アル� ��ルスルホネート-アリールスルホネート化合 物、アルキルスルホネート-アリールアルキ� �スルホネート化合物、又はアリールスルホ� �ート-アリールアルキルスルホネート化合物� ��用いることにより、シーケンスを制御した� ��分子化合物を製造する方法が挙げられる。

 また、本発明にかかる高分子化合物を製造� ��る際には、縮合重合に関与する置換基(Y ₁ 及びY ₂ )がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキ� �スルホネート基、アリールスルホネート基� �アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸� �、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原� �化合物が有する、ハロゲン原子、アルキル� �ルホネート基、アリールスルホネート基及� �アリールアルキルスルホネート基のモル数� �合計(J)と、ホウ酸基(-B(OH) ₂ )及びホウ酸エステル基のモル数の合計(K)の� �が実質的に1(通常 K/J は0.7~1.2の範囲)であり 、且つニッケル触媒又はパラジウム触媒を用 いて縮合重合して高分子化合物を製造する方 法を採用することが好ましい。

 このような高分子化合物の製造方法を採� ��する場合における具体的な原料化合物の組� ��合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビ� ��(アルキルスルホネート)化合物、ビス(アリ� ��ルスルホネート)化合物又はビス(アリール� �ルキルスルホネート)化合物とジホウ酸化合� ��又はジホウ酸エステル化合物との組み合わ� ��が挙げられる。また、他の原料化合物の組� ��合わせとしては、ハロゲン-ホウ酸化合物、 ハロゲン-ホウ酸エステル化合物、アルキル� �ルホネート-ホウ酸化合物、アルキルスルホ� ��ート-ホウ酸エステル化合物、アリールスル ホネート-ホウ酸化合物、アリールスルホネ� �ト-ホウ酸エステル化合物、アリールアルキ� ��スルホネート-ホウ酸化合物、アリールアル キルスルホネート-ホウ酸エステル化合物が� �げられる。

 また、このような原料化合物を用いて前� ��高分子化合物を製造する方法の一例として� ��、ハロゲン-ホウ酸化合物、ハロゲン-ホウ� �エステル化合物、アルキルスルホネート-ホ� ��酸化合物、アルキルスルホネート-ホウ酸エ ステル化合物、アリールスルホネート-ホウ� �化合物、アリールスルホネート-ホウ酸エス� ��ル化合物、アリールアルキルスルホネート- ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネー ト-ホウ酸エステル化合物を用いることによ� �、シーケンスを制御した高分子化合物を製� �する方法が挙げられる。

 また、前記有機溶媒としては、用いる化� ��物や反応によっても異なるが、一般に副反� ��を抑制するために十分に脱酸素処理を施し� ��ものを用いることが好ましく、高分子化合� ��を製造する際には、このような有機溶媒を� ��いて不活性雰囲気下で反応を進行させるこ� ��が好ましい。また、前記有機溶媒において� ��、前記脱酸素処理と同様に脱水処理を行う� ��とが好ましい。但し、Suzukiカップリング反� ��のような水との2相系での反応の場合にはそ の限りではない。

 また、このような有機溶媒としては、ペ� ��タン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シ� ��ロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン� ��トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど� ��不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホル� ��、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモ� ��タン、クロロペンタン、ブロモペンタン、� ��ロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシ� ��ロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどの� ��ロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、� ��クロロベンゼン、トリクロロベンゼンなど� ��ハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、� ��タノール、プロパノール、イソプロパノー� ��、ブタノール、t-ブチルアルコールなどの� �ルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸な� �のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエ� �ルエーテル、メチル-t-ブチルエーテル、テ� �ラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジ� �キサンなどのエーテル類、トリメチルアミ� �、トリエチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチ ルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン 類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチル� ��セトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N-� ��チルモルホリンオキシドなどのアミド類等� ��例示される。これらの有機溶媒は1種を単独 で、又は2種以上を混合して用いてもよい。� �た、このような有機溶媒の中でも、エーテ� �類がより好ましく、テトラヒドロフラン、� �エチルエーテルが更に好ましい。

 また、本発明にかかる高分子化合物を製� ��する際においては、原料化合物を反応させ� ��ために適宜アルカリや適当な触媒を添加す� ��ことが好ましい。このようなアルカリ又は� ��媒は、採用する重合方法等に応じて選択す� ��ばよい。このようなアルカリ又は触媒とし� ��は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するも� ��が好ましい。また、前記アルカリ又は触媒� ��混合する方法としては、反応液をアルゴン� ��窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながら� ��っくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加す� ��か、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液� ��ゆっくりと添加する方法が例示される。

 次に、本発明にかかる正孔輸送層や陽極� ��について説明する。

 本発明の高分子発光素子は、上述のように� ��陽極及び陰極との間に発光層を有し且つ該� ��光層と該陽極との間に正孔輸送層を有する� ��分子発光素子である。このような高分子発� ��素子としては、例えば、下記a)の構造が例� �される。
a)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されている� ��とを示す。以下同じ。)。

 本発明にかかる前記正孔輸送層は、正孔� ��輸送する機能を有する層であり、上記本発� ��にかかる高分子化合物を含有する層である� ��

 このような正孔輸送層を形成する方法と� ��ては、前記高分子化合物を含有する層を形� ��できる方法であればよく特に制限はないが� ��例えば、前記高分子化合物を含有する溶液� ��用いて、陽極の表面上に前記高分子化合物� ��含有する膜(正孔輸送層)を成膜する方法が� �げられる。また、このような本発明にかか� �高分子化合物を含有する溶液を用いて成膜� �る方法においては、前記溶液を塗布した後� �燥することにより溶媒を除去するだけでよ� �、また、正孔輸送材料を混合した場合にお� �ても同様な手法が適用でき、製造上非常に� �利である。

 前記高分子化合物を含有する溶液に用い� ��れる溶媒としては、前記高分子化合物を溶� ��させることができるものであればよく特に� ��限はない。このような溶媒としては、クロ� ��ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等� ��塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエー� ��ル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族� ��化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケ� ��ン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブ� ��ル、エチルセルソルブアセテート等のエス� ��ル系溶媒が例示され、より具体的には、ク� ��ロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン� ��テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン� ��メシチレン、テトラリン、デカリン、n-ブ� �ルベンゼン等が挙げられる。なお、用いる� �分子化合物の構造や分子量にもよるが、通� �、これらの溶媒は、前記高分子化合物を0.1� �量%以上溶解させることができるものである� ��とが好ましい。

 また、このような膜(正孔輸送層)の成膜� �法としては、例えば、スピンコート法、キ� �スティング法、マイクログラビアコート法� �グラビアコート法、バーコート法、ロール� �ート法、ワイアーバーコート法、ディップ� �ート法、スリットコート法、キャップコー� �法、スプレーコート法、スクリーン印刷法� �フレキソ印刷法、オフセット印刷法、イン� �ジェットプリント法、ノズルコート法等の� �布法を採用することができる。

 また、このような正孔輸送層の膜厚とし� ��は、用いる高分子化合物によって最適値が� ��なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値� ��なるように適宜選択すればよく、少なくと� ��ピンホールが発生しないような厚さが必要� ��あることが好ましい。なお、正孔輸送層の� ��厚をあまり厚くしてしまうと、素子の駆動� ��圧が高くなってしまう傾向にある。そのた� ��、このような正孔輸送層の膜厚としては特� ��制限されないが、1nm~1μmであることが好ま� �く、2nm~500nmであることがより好ましく、2nm~2 00nmであることが更に好ましい。

 また、本発明の高分子発光素子において� ��、正孔輸送層に前記高分子化合物とともに� ��孔輸送材料を含有させてもよい。このよう� ��正孔輸送材料としては特に制限されず、公� ��のものを適宜使用することができるが、ポ� ��ビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリ� ��ラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香� ��アミン化合物基を有するポリシロキサン誘� ��体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチ� ��フェン及びその誘導体、ポリ(p-フェニレン� ��ニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5-チエニレ� ��ビニレン)及びその誘導体等の高分子量の正 孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾ ール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘 導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有する ポリシロキサン誘導体が更に好ましい。

 また、低分子量の正孔輸送材料を含有さ� ��る場合には、低分子量の正孔輸送材料を高� ��子バインダーに分散させて用いることが好� ��しい。このような高分子バインダーとして� ��、正孔輸送を極度に阻害しないものが好ま� ��く、また、可視光に対する吸収が強くない� ��のが好ましい。このような高分子バインダ� ��としては、ポリカーボネート、ポリアクリ� ��ート、ポリメチルアクリレート、ポリメチ� ��メタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化� ��ニル、ポリシロキサン等が例示される。

 また、前記ポリビニルカルバゾール及び� ��の誘導体としては、例えば、ビニルモノマ� ��からカチオン重合又はラジカル重合によっ� ��得られるものを好適に利用できる。

 また、前記ポリシラン及びその誘導体と� ��ては、例えば、ケミカル・レビュー(Chem.Rev. )第89巻、1359頁(1989年)、英国特許GB2300196号公� �明細書に記載の化合物等が例示される。こ� �ようなポリビニルカルバゾール及びその誘� �体の合成方法も、これらの文献に記載され� �方法を用いることができるが、特にキッピ� �グ法を採用することが好ましい。

 さらに、前記ポリシロキサン誘導体とし� ��は、シロキサン骨格構造に正孔輸送性がほ� ��んどないため、側鎖又は主鎖に上記低分子� ��孔輸送材料の構造を有するものが好適に用� ��られる。このようなポリシロキサン誘導体� ��しては、特に正孔輸送性の芳香族アミンを� ��鎖又は主鎖に有するものが例示される。

 また、本発明にかかる発光層は、電圧を� ��加することにより発光する機能を有する層� ��ある。このような発光層に用いられる発光� ��材料としては、公知の材料を適宜用いるこ� ��ができ、発光層に用いることが可能な低分� ��量の発光層材料や高分子量の発光層材料を� ��宜用いることが可能である。このような低� ��子量の発光層材料としては、例えば、ナフ� ��レン誘導体、アントラセン及びその誘導体� ��ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、� ��サンテン系、クマリン系、シアニン系等の� ��素類、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導� �の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニ� �シクロペンタジエン及びその誘導体、テト� �フェニルブタジエン及びその誘導体等が挙� �られる。また、このような低分子量の発光� �材料としては、特開昭57-51781号公報、特開昭 59-194393号公報に記載されているもの等の公知 の材料が使用可能である。また、前記高分子 量の発光層材料としては、例えば、ポリフル オレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導 体、ポリアミン誘導体等が挙げられる。

 このような発光層を形成するための方法� ��しては特に制限されず、例えば、前記発光� ��材料を含有する溶液を用いて成膜すること� ��より発光層を形成する方法が挙げられる。� ��のような発光層材料を含有する溶液を用い� ��成膜する方法を採用する場合には、前記溶� ��を塗布した後、乾燥して溶媒を除去するだ� ��で発光層を形成することができるため、製� ��効率が向上し、製造上非常に有利となる。

 前記発光層材料を含有する溶液を用いた� ��膜方法としては、スピンコート法、キャス� ��ィング法、マイクログラビアコート法、グ� ��ビアコート法、バーコート法、ロールコー� ��法、ワイアーバーコート法、ディップコー� ��法、スリットコート法、キャップコート法� ��スプレーコート法、スクリーン印刷法、フ� ��キソ印刷法、オフセット印刷法、インクジ� ��ットプリント法、ノズルコート法等の塗布� ��を採用することができる。

 また、このような発光層の膜厚としては� ��用いる材料によって最適値が異なるもので� ��るため駆動電圧と発光効率とが適度な値と� ��るように選択すればよく、特に制限されな� ��が、1nm~1μmであることが好ましく、2nm~500nm� �あることがより好ましく、5nm~200nmであるこ� �が特に好ましい。

 また、本発明にかかる陽極及び陰極から� ��る電極としては、少なくとも一方が透明又� ��半透明であることが好ましく、陽極側が透� ��又は半透明であることがより好ましい。

 このような陽極の材料としては、導電性� ��金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等を適宜� ��いることができる。このような陽極の材料� ��しては、例えば、酸化インジウム、酸化亜� ��、酸化スズ、及びそれらの複合体であるイ� ��ジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウ� �・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラ� �を用いて作成された膜(NESA等)や、金、白金� �銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜� �・オキサイド、酸化スズが好ましい。

 このような陽極を形成させるための方法� ��しては、真空蒸着法、スパッタリング法、� ��オンプレーティング法、メッキ法等が挙げ� ��れる。また、このような陽極として、ポリ� ��ニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及� ��その誘導体等の有機の透明導電膜を用いて� ��よい。

 さらに、前記陽極の膜厚は、光の透過性� ��電気伝導度とを考慮して適宜選択すること� ��できるものであることから、特に制限され� ��いが、10nm~10μmであることが好ましく、20nm~1 μmであることがより好ましく、50nm~500nmであ� �ことが更に好ましい。

 また、このような陽極上に、電荷注入を� ��易にするために、フタロシアニン誘導体、� ��電性高分子、カーボン等からなる層、又は� ��属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等� ��らなる層を更に設けてもよい。

 また、前記陰極の材料としては、仕事関� ��の小さい材料が好ましい。このような陰極� ��材料としては、例えば、リチウム、ナトリ� ��ム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベ� ��リウム、マグネシウム、カルシウム、スト� ��ンチウム、バリウム、アルミニウム、スカ� ��ジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム� ��インジウム、セリウム、サマリウム、ユー� ��ピウム、テルビウム、イッテルビウム等の� ��属、及びそれらの2種以上の合金、又はそれ らのうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、� �ンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タ� �グステン、錫のうちの1種以上との合金、グ� ��ファイト若しくはグラファイト層間化合物� ��が挙げられる。また、前記合金の例として� ��、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-イ� �ジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合� ��、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニ� �ム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチ� ��ム-インジウム合金、カルシウム-アルミニ� �ム合金等が挙げられる。また、このような� �極は、2層以上の積層構造としてもよい。

 このような陰極の膜厚は、電気伝導度や� ��久性を考慮して適宜選択することができる� ��のであり、特に制限されないが、例えば、1 0nm~10μmであることが好ましく、20nm~1μmである ことがより好ましく、50nm~500nmであることが� �に好ましい。

 また、このような陰極を形成するための� ��法としては、例えば、真空蒸着法、スパッ� ��リング法、金属薄膜を熱圧着するラミネー� ��法等を採用することができる。また、この� ��うな陰極と発光層との間に、導電性高分子� ��らなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物� ��有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい� ��

 また、本発明の高分子発光素子においては� ��陰極と発光層との間に電子輸送層を設けて� ��よい。ここで、電子輸送層とは、電子を輸� ��する機能を有する層である。このような高� ��子発光素子としては、例えば、下記b)の構� �が例示される。
b)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極。

 このような電子輸送層に使用される電子輸� ��材料としては、特に制限されず、公知のも� ��を適宜使用することができる。このような� ��子輸送材料としては、例えば、オキサジア� ��ール誘導体、アントラキノジメタン及びそ� ��誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナ� ��トキノン及びその誘導体、アントラキノン� ��びその誘導体、テトラシアノアンスラキノ� ��メタン及びその誘導体、フルオレノン誘導� ��、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘� ��体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシ� �ノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキ� �リン及びその誘導体、ポリキノキサリン及� �その誘導体、ポリフルオレン及びその誘導� �等が挙げられる。このような電子輸送材料� �しては、具体的には、特開昭63-70257号公報、 特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、� ��開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特 開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載 されているもの等が挙げられる
 このような電子輸送材料としては、オキサ� ��アゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘� ��体、アントラキノン及びその誘導体、8-ヒ� �ロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体� �ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキ� �リン及びその誘導体、ポリフルオレン及び� �の誘導体がより好ましく、2-(4-ビフェニリル )-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾー� ��、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス( 8-キノリノール)アルミニウム、ポリキノリン が更に好ましい。

 また、このような電子輸送層を形成させ� ��ための方法としては特に制限されないが、� ��分子量の電子輸送材料を用いる場合には、� ��末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態か� ��の成膜による方法が挙げられ、高分子量の� ��子輸送材料を用いる場合には、溶液又は溶� ��状態からの成膜による方法が挙げられる。� ��のような溶液又は溶融状態からの成膜時に� ��、高分子バインダーを併用してもよい。

 このような電子輸送層の成膜に用いる溶� ��中の溶媒としては、電子輸送材料及び/又は 高分子バインダーを溶解させることができる ものであればよく特に制限はない。このよう な溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩 化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒 、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、 トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶 媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケト ン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチル セルソルブアセテート等のエステル系溶媒が 挙げられる。

 また、このような電子輸送層の成膜方法� ��しては、例えば、スピンコート法、キャス� ��ィング法、マイクログラビアコート法、グ� ��ビアコート法、バーコート法、ロールコー� ��法、ワイアーバーコート法、ディップコー� ��法、スリットコート法、キャップコート法� ��スプレーコート法、スクリーン印刷法、フ� ��キソ印刷法、オフセット印刷法、インクジ� ��ットプリント法、ノズルコート法等の塗布� ��を採用することができる。

 また、このような電子輸送層の成膜に用� ��る溶液に混合することが可能な高分子バイ� ��ダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しな� ��ものが好ましく、また、可視光に対する吸� ��が強くないものが好ましい。このような高� ��子バインダーとしては、ポリ(N-ビニルカル� ��ゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポ リチオフェン及びその誘導体、ポリ(p-フェニ レンビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5-チエ ニレンビニレン)及びその誘導体、ポリカー� �ネート、ポリアクリレート、ポリメチルア� �リレート、ポリメチルメタクリレート、ポ� �スチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサ� �等が例示される。

 さらに、このような電子輸送層の膜厚は� ��用いる材料によって最適値が異なるもので� ��るため駆動電圧と発光効率が適度な値とな� ��ように選択すればよいが、少なくともピン� ��ールが発生しないような厚さが必要である� ��また、このような電子輸送層の膜厚は、あ� ��り厚いと素子の駆動電圧が高くなる傾向に� ��る。そのため、このような電子輸送層の膜� ��としては、特に制限されないが、1nm~1μmで� �ることが好ましく、2nm~500nmであることがよ� �好ましく、5nm~200nmであることが更に好まし� �。

 また、電極に隣接して設けた電荷輸送層� ��うち、電極からの電荷注入効率を改善する� ��能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を� ��するものは、特に電荷注入層(正孔注入層、 電子注入層)と一般に呼ばれることがある。

 また、本発明の高分子発光素子においては� ��電極との密着性向上や電極からの電荷注入� ��改善のために、電極に隣接して前記電荷注� ��層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面� ��密着性向上や混合の防止等のために電荷輸� ��層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿� ��してもよい。また、本発明の高分子発光素� ��における積層する層の順番や数、及び各層� ��厚さについては、発光効率や素子寿命を勘� ��して適宜選択すればよい。このような電荷� ��入層(電子注入層、正孔注入層)を設けた高� �子発光素子としては、例えば、陰極に隣接� �て電荷注入層を設けた構造のもの、陽極に� �接して電荷注入層を設けた構造のもの等が� �げられ、下記c)~h)の構造の高分子発光素子が 例示される。
c)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
e)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注 入層/陰極
f)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸 送層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注 入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸 送層/電荷注入層/陰極。

 このような電荷注入層としては、例えば� ��導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層� ��の間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に� ��まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン� ��ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極� ��電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と� ��子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間� ��値の電子親和力を有する材料を含む層等が� ��示される。

 また。このような電荷注入層が導電性高分� ��を含む層である場合においては、前記導電� ��高分子の電気伝導度は10 ^-5 S/cm以上10 ³ S/cm以下であることが好ましく、発光画素間� �リーク電流を小さくするためには、10 ^-5 S/cm以上10 ² S/cm以下であることがより好ましく、10 ^-5 S/cm以上10 ¹ S/cm以下であることが更に好ましい。このよ� �な導電性高分子の電気伝導度を10 ^-5 S/cm以上10 ³ S/cm以下とするためには、通常、前記導電性� �分子に適量のイオンをドープする。

 このようにしてドープするイオンの種類� ��しては、正孔注入層であればアニオン、電� ��注入層であればカチオンである。このよう� ��アニオンの例としては、ポリスチレンスル� ��ン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸� ��オン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ� ��前記カチオンの例としては、リチウムイオ� ��、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テ� ��ラブチルアンモニウムイオン等が挙げられ� ��。

 また、このような電荷注入層の膜厚は、1 nm~100nmであることが好ましく、2nm~50nmである� �とがより好ましい。

 また、このような電荷注入層に用いる材� ��は、電極や隣接する層の材料との関係で適� ��選択すればよく、特に制限されず、例えば� ��ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフ� ��ン及びその誘導体、ポリピロール及びその� ��導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘� ��体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導� ��、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノ� ��サリン及びその誘導体、芳香族アミン構造� ��主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分� ��、金属フタロシアニン(銅フタロシアニン等 )、カーボン等が挙げられる。なお、このよ� �な電荷注入層の製造方法は特に制限されず� �公知の製造方法を適宜採用することがきる� �

 また、本発明の高分子発光素子としては、� ��述のように絶縁層を更に有していてもよい� ��このような絶縁層を設けた高分子発光素子� ��しては、陰極に隣接して絶縁層を設けた構� ��の高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層� ��設けた構造の高分子発光素子等が挙げられ� ��例えば、下記i)~n)の構造の高分子発光素子� �挙げられる。
i)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
j)陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
k)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰� �
l)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層 /陰極
m)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層 /陰極
n)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層 /絶縁層/陰極。

 ここで、絶縁層とは、電荷注入を容易に� ��る機能を有するものである。このような絶� ��層の平均膜厚としては、0.1~20nmであること� �好ましく、0.5~10nmであることがより好ましく 、1~5nmであることがより好ましい。また、こ� ��ような絶縁層の材料としては、金属フッ化� ��、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられ� ��。なお、このような絶縁層の製造方法は特� ��制限されず、公知の製造方法を適宜採用す� ��ことがきる。

 また、本発明の高分子発光素子を形成す� ��際に用いる基板としては、電極を形成でき� ��つ有機物の層を形成する際に変化しないも� ��であればよく、特に制限されないが、例え� ��、ガラス、プラスチック、高分子フィルム� ��シリコン等の基板が挙げられる。不透明な� ��板の場合には、反対の電極が透明又は半透� ��であることが好ましい。

 また、本発明の高分子発光素子において� ��、これを製造した後に、保護層や保護カバ� ��を装着してもよく、高分子発光素子を長期� ��定的に用いるという観点からは、素子を外� ��から保護するために、保護層及び/又は保護 カバーを装着することが好ましい。

 このような保護層としては、樹脂、金属� ��化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用� ��ることができる。また、保護カバーとして� ��、ガラス板、表面に低透水率処理を施した� ��ラスチック板等を用いることができる。こ� ��ような保護カバーを装着する方法としては� ��前記保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂� ��素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好� ��に用いられる。また、このような保護カバ� ��を装着する際には、スペーサーを用いて空� ��を維持すれば、高分子発光素子が傷つくの� ��防止することが容易となる。また、このよ� ��な空間に窒素やアルゴンのような不活性な� ��スを封入すれば、陰極の酸化を防止するこ� ��ができ、更に、前記空間内に酸化バリウム� ��の乾燥剤を設置することにより製造工程で� ��着した水分が素子にタメージを与えるのを� ��制することが容易となる。このような保護� ��バーを装着する際には、これらのうち、い� ��れか1つ以上の方策を採ることが好ましい。

 また、本発明の高分子発光素子は、面状� ��源、セグメント表示装置、ドットマトリッ� ��ス表示装置、液晶表示装置(例えば、バック ライト等)等の表示装置等に用いることがで� �る。

 また、本発明の高分子発光素子を用いて� ��状の発光を得るためには、面状の陽極と陰� ��が重なり合うように配置すればよい。また� ��パターン状の発光を得るためには、前記面� ��の発光素子の表面にパターン状の窓を設け� ��マスクを設置する方法、非発光部の有機物� ��を極端に厚く形成し実質的に非発光とする� ��法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又� ��両方の電極をパターン状に形成する方法が� ��る。これらのうちのいずれかの方法でパタ� ��ンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFF� ��きるように配置することにより、数字や文� ��、簡単な記号等を表示できるセグメントタ� ��プの表示素子が得られる。更に、本発明の� ��分子発光素子をドットマトリックス素子と� ��るためには、陽極と陰極をともにストライ� ��状に形成して直交するように配置すればよ� ��。また、本発明の高分子発光素子において� ��、複数の種類の発光色の異なる高分子化合� ��を塗り分ける方法や、カラーフィルター又� ��蛍光変換フィルターを用いる方法により、� ��分カラー表示、マルチカラー表示が可能と� ��る。また、前記ドットマトリックス素子は� ��パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み� ��わせてアクティブ駆動としてもよい。この� ��うにして本発明の高分子発光素子により形� ��される表示素子は、コンピュータ、テレビ� ��携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション� ��ビデオカメラのビューファインダー等の表� ��装置として用いることができる。更に、本� ��明の高分子発光素子を面状の発光素子とし� ��場合には、その素子は自発光薄型となり、� ��晶表示装置のバックライト用の面状光源、� ��は面状の照明用光源として好適に用いるこ� ��ができる。また、本発明の高分子発光素子� ��フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の� ��源や表示装置としても使用できる。

 [第一及び第二の高分子化合物、組成物、液 状組成物、並びに導電性薄膜]
 本発明の第一の高分子化合物は、前記一般� ��(I)で示される繰返し単位、前記一般式(II)で 示される繰返し単位及び前記一般式(VI)で示� �れる繰返し単位を含むことを特徴とするも� �である。

 また、本発明の第二の高分子化合物は、� ��記一般式(I)で示される繰返し単位、前記一� ��式(II)で示される繰返し単位及び前記一般式 (VII)で示される繰返し単位を含むことを特徴� ��するものである。

 このような第一及び第二の高分子化合物� ��の一般式(I)、(II)、(VI)及び(VII)で示される繰 返し単位は、上記本発明の高分子発光素子に 用いられる高分子化合物において説明したも のと同様である。

 また、このような第一の高分子化合物は� ��上記本発明の高分子発光素子に用いられる� ��分子化合物中の前記一般式(III)で示される� �返し単位が前記一般式(VI)で示される繰返し� ��位であるものである。このような第一の高� ��子化合物を製造する方法としては、前記一� ��式(X)中の-A-が一般式(I)、(II)及び(VI)で示さ� �る繰り返し単位となる原料化合物を、それ� �れ必須成分として用いる以外は、上記本発� �の高分子発光素子に用いられる高分子化合� �を製造する方法と同様の方法を採用するこ� �ができる。

 さらに、前記第二の高分子化合物は、上� ��本発明の高分子発光素子に用いられる高分� ��化合物中の前記一般式(III)で示される繰返� �単位が、前記一般式(VII)で示される繰返し単 位であるものである。このような第一の高分 子化合物を製造する方法としては、前記一般 式(X)中の-A-が一般式(I)、(II)及び(VII)で示され る繰り返し単位となる原料化合物を、それぞ れ必須成分として用いる以外は、上記本発明 の高分子発光素子に用いられる高分子化合物 を製造する方法と同様の方法を採用すること ができる。

 また、このような本発明の第一及び第二の� ��分子化合物中の前記一般式(II)で示される繰 返し単位としては、前記一般式(II)中のAr ₁ が前記一般式(IV)で示される基であることが� �ましい。このような一般式(IV)で示される基� ��、上記本発明の高分子発光素子に用いられ� ��高分子化合物において説明したものと同様� ��ある。

 このような本発明の第一及び第二の高分� ��化合物は、インターレイヤー材料として好� ��に用いることができる。なお、インターレ� ��ヤー材料とは、一対の電極を有する発光素� ��において、発光層と陽極との間に存在し、� ��光層に隣接した正孔輸送層をインターレイ� ��ー層とよび、その正孔輸送層に含有される� ��料のことである。

 また、本発明の第一及び第二の高分子化� ��物を高分子LED等に用いる場合においては、� ��一及び第二の高分子化合物の純度が発光特� ��等の素子の性能に影響を与えるため、その� ��造の際には、重合前のモノマーを蒸留、昇� ��精製、再結晶等の方法で精製した後に重合� ��ることが好ましい。また、重合後、再沈精� ��、クロマトグラフィーによる分別等の純化� ��理をすることが好ましい。

 また、本発明の第一及び第二の高分子化� ��物は、発光素子における正孔輸送層として� ��いることができるだけでなく、薄膜、有機� ��導体材料、有機トランジスタ、光学材料、� ��陽電池又はドーピングにより導電性材料と� ��て用いることもできる。

 このような薄膜としては、前記高分子化� ��物を用いてなる導電性薄膜、有機半導体薄� ��等が例示される。なお、導電性薄膜につい� ��は後述する。

 このような有機半導体薄膜は、電子移動度� ��は正孔移動度のいずれか大きい方が好まし� ��、電子移動度又は正孔移動度が、10 ^-5 cm ² /V/秒以上であることがより好ましくは、10 ^-3 cm ² /V/秒以上であることが更に好ましく、10 ^-1 cm ² /V/秒以上であることが特に好ましい。また、 このような有機半導体薄膜を用いて、有機ト ランジスタを作製することができる。具体的 には、SiO ₂ 等の絶縁膜とゲート電極とを形成したSi基板� ��に有機半導体薄膜を形成し、Au等でソース� �極とドレイン電極を形成することにより、� �機トランジスタとすることができる。

 また、本発明の第一及び第二の高分子化� ��物は、高分子電界効果トランジスタの材料� ��して利用でき、中でも活性層として好適に� ��いることができる。高分子電界効果トラン� ��スタの構造としては、通常は、ソース電極� ��びドレイン電極が高分子からなる活性層に� ��して設けられており、さらに活性層に接し� ��絶縁層を挟んでゲート電極が設けられてい� ��ばよい。

 このような高分子電界効果トランジスタ� ��、通常は支持基板上に形成される。支持基� ��としては電界効果トランジスタとしての特� ��を阻害しなければ材質は特に制限されない� ��、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基� ��やプラスチック基板も用いることができる� ��また、このような高分子電界効果トランジ� ��タは、公知の方法により製造することがで� ��、例えば、特開平5-110069号公報に記載の方� �により製造することができる。

 また、前記活性層を形成する際に、製造� ��非常に有利であることから、有機溶媒可溶� ��の第一及び第二の高分子化合物を用いるこ� ��が好ましい。このような有機溶媒可溶性の� ��一及び第二の高分子化合物を溶媒に溶解さ� ��てなる溶液を用いて前記活性層を成膜する� ��法としては、スピンコート法、キャスティ� ��グ法、マイクログラビアコート法、グラビ� ��コート法、バーコート法、ロールコート法� ��ワイアーバーコート法、ディップコート法� ��スリットコート法、キャップコート法、ス� ��レーコート法、スクリーン印刷法、フレキ� ��印刷法、オフセット印刷法、インクジェッ� ��印刷法、ノズルコート法等の塗布法等を採� ��することができる。

 また、このような高分子電界効果トラン� ��スタとしては、高分子電界効果トランジス� ��を作製した後、封止してなる封止高分子電� ��効果トランジスタが好ましい。このように� ��て製造することで、高分子電界効果トラン� ��スタが、大気から遮断され、高分子電界効� ��トランジスタの特性の低下を抑えることが� ��きる。また、封止する方法としては、紫外� ��(UV)硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等� ��カバーする方法、ガラス板やフィルムをUV� �化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法� �が挙げられる。大気との遮断を効果的に行� �ため高分子電界効果トランジスタを作製し� �後、封止するまでの工程を大気に曝すこと� �く(例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中� ��で)行うことが好ましい。

 また、本発明の第一及び第二の高分子化� ��物を用いて製造することができる太陽電池� ��ついて、有機太陽電池の一態様である、有� ��光電変換素子であって光起電力効果を利用� ��る固体光電変換素子を例に説明する。

 本発明の第一及び第二の高分子化合物は� ��有機光電変換素子の材料として、中でも有� ��半導体と金属との界面を利用するショット� ��ー障壁型素子の有機半導体層として、また� ��有機半導体と無機半導体あるいは有機半導� ��どうしの界面を利用するpnへテロ接合型素� �の有機半導体層として、好適に用いること� �できる。

 さらに、ドナー・アクセプターの接触面� ��を増大させたバルクヘテロ接合型素子にお� ��る電子供与性高分子、電子受容性高分子と� ��て、また、高分子・低分子複合系を用いる� ��機光電変換素子、例えば、電子受容体とし� ��フラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ� ��合型有機光電変換素子の電子供与性共役系� ��分子(分散支持体)として、好適に用いるこ� �ができる。

 このような有機光電変換素子の構造とし� ��は、例えば、pnへテロ接合型素子では、オ� �ム性電極、例えば、ITO上に、p型半導体層を� ��成し、さらに、n型半導体層を積層し、その 上にオーム性電極が設けられていればよい。

 このような有機光電変換素子は、通常は� ��持基板上に形成される。支持基板としては� ��機光電変換素子としての特性を阻害しなけ� ��ば材質は特に制限されないが、ガラス基板� ��フレキシブルなフィルム基板やプラスチッ� ��基板も用いることができる。

 また、このような有機光電変換素子は、� ��知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記� ��の方法やScience,270,1789(1995)に記載の方法によ り製造することができる。

 次に、本発明の組成物について説明する� ��

 本発明の組成物は、上記本発明の第一及び� ��二の高分子化合物のうちの少なくとも1種
と、発光材料及び正孔輸送材料からなる群か ら選ばれる少なくとも1種の材料とを含有す
ることを特徴とするものである。

 このような発光材料としては特に制限さ� ��ず、公知のものを適宜使用することができ� ��。このような発光材料のうち低分子量のも� ��としては、例えば、ナフタレン誘導体、ア� ��トラセン及びその誘導体、ペリレン及びそ� ��誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、ク� ��リン系、シアニン系等の色素類、8-ヒドロ� �シキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳� �族アミン、テトラフェニルシクロペンタジ� �ン及びその誘導体、テトラフェニルブタジ� �ン及びその誘導体等が挙げられる。このよ� �な発光材料としては、例えば、特開昭57-51781 号公報、特開昭59-194393号公報に記載されてい るもの等が挙げられる。

 また、前記正孔輸送材料としては特に制� ��されず、公知のものを適宜使用することが� ��きる。このような正孔輸送材料としては、� ��えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘� ��体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は� ��鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン� ��導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン� ��導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジ� ��ミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体� ��ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロ� ��ル及びその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニ� ��ン)及びその誘導体、ポリ(2,5-チエニレンビ� ��レン)及びその誘導体等が挙げられる。

 また、本発明の組成物中における発光材� ��及び正孔輸送材料からなる群から選ばれる� ��なくとも1種の材料の含有割合は1質量%~80質� ��%であることが好ましく、5質量%~60質量%であ ることがより好ましい。このような材料の含 有量が前記下限未満では、十分な発光性や正 孔輸送性を付与できなくなる傾向にあり、他 方、前記上限を超えると、高分子化合物の電 荷輸送性を発揮できなくなる傾向にある。な お、このような組成物中においては、第一又 は第二の高分子化合物をそれぞれ単独で或い は組み合わせて用いてもよい。また、前記第 一及び第二の高分子化合物は2種以上含有さ� �てもよい。

 次に、本発明の液状組成物について説明� ��る。

 本発明の液状組成物は、上記本発明の第� ��及び第二の高分子化合物のうちの少なくと� ��1種と、溶媒とを含有することを特徴とする ものである。

 このような液状組成物は、高分子発光素� ��等の発光素子や有機トランジスタの作製に� ��用である。また、「液状組成物」とは、素� ��作製時において液状であるものを意味し、� ��型的には、常圧(即ち、1気圧)、25℃におい� �液状のものを意味する。また、液状組成物� �、一般的には、インク、インク組成物、溶� �等と呼ばれることがある。

 また、本発明の液状組成物中の溶媒の含� ��割合としては、液状組成物の全質量に対し� ��1質量%~99.9質量%であることが好ましく、よ� �好ましくは60質量%~99.9質量%であり、更に好� �しく90質量%~99.8質量%である。また、液状組� �物の好適な粘度は、これを用いて薄膜等を� �造する際に採用する印刷法によって異なる� �のではあるが、25℃において0.5~500mPa・sの範� ��であることが好ましく、インクジェットプ� ��ント法等、液状組成物が吐出装置を経由す� ��ものの場合には、吐出時の目づまりや飛行� ��がりを防止するために粘度が25℃において0. 5~20mPa・sの範囲であることが好ましい。

 また、このような溶媒としては、本発明� ��液状組成物中に含有される溶媒以外の成分� ��溶解又は分散できるものが好ましい。この� ��うな溶媒としては、クロロホルム、塩化メ� ��レン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロ エタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼ� ��等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジ� ��キサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キ� ��レン、トリメチルベンゼン、メシチレン等� ��芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、� ��チルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサ ン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デ� ��ン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、� ��チルエチルケトン、シクロヘキサノン等の� ��トン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メ� ��ルベンゾエート、エチルセルソルブアセテ� ��ト等のエステル系溶媒、エチレングリコー� ��、エチレングリコールモノブチルエーテル� ��エチレングリコールモノエチルエーテル、� ��チレングリコールモノメチルエーテル、ジ� ��トキシエタン、プロピレングリコール、ジ� ��トキシメタン、トリエチレングリコールモ� ��エチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサン ジオール等の多価アルコール及びその誘導体 、メタノール、エタノール、プロパノール、 イソプロパノール、シクロヘキサノール等の アルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等 のスルホキシド系溶媒、N-メチル-2-ピロリド� ��、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶 媒等が例示される。また、これらの溶媒は、 1種を単独で用いてもよく、あるいは複数組� �合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、� �ンゼン環を少なくとも1個以上含む構造を有� ��、且つ融点が0℃以下、沸点が100℃以上であ る有機溶媒を1種類以上含むことが、粘度、� �膜性等の観点から好ましい。

 また、このような溶媒の種類としては、� ��状組成物中に含有される溶媒以外の成分の� ��媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性� ��の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪� ��炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン� ��溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エ� ��ルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチ� ��ベンゼン、メシチレン、n-プロピルベンゼ� �、イソプロピルベンゼン、n-ブチルベンゼン 、イソブチルベンゼン、s-ブチルベンゼン、� ��ニソール、エトキシベンゼン、1-メチルナ� �タレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノ� �、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキ� �ル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、n- ヘプチルシクロヘキサン、n-ヘキシルシクロ� ��キサン、メチルベンゾエート、2-プロピル� �クロヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノ� ��、4-ヘプタノン、2-オクタノン、2-ノナノン� ��2-デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好� �しく、キシレン、アニソール、メシチレン� �シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシ� �メチルベンゾエートのうち少なくとも1種類� ��含むことがより好ましい。

 更に、本発明の液状組成物に含まれる溶� ��の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観� ��から、2種類以上であることがより好ましく 、2~3種類であることが更に好ましく、2種類� �あることが特に好ましい。

 本発明の液状組成物に2種類の溶媒が含ま れる場合、そのうちの1種類の溶媒は25℃にお いて固体状態でもよい。また、成膜性の観点 からは、1種類の溶媒は沸点が180℃以上のも� �であり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃未満� ��ものであることが好ましく、1種類の溶媒は 沸点が200℃以上のものであり、他の1種類の� �媒は沸点が180℃未満のものであることがよ� �好ましい。更に、粘度の観点からは、60℃に おいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0.2質量%以上が溶媒に溶解することが好まし� �、2種類の溶媒のうちの1種類の溶媒には、25� ��において、液状組成物から溶媒を除いた成� ��の0.2質量%以上が溶解することが好ましい。

 また、本発明の液状組成物に3種類の溶媒 が含まれる場合、そのうちの1~2種類の溶媒は 25℃において固体状態でもよい。成膜性の観� ��からは、3種類の溶媒のうちの少なくとも1� �類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、� �なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶� ��であることが好ましく、3種類の溶媒のうち の少なくとも1種類の溶媒は沸点が200℃以上30 0℃以下の溶媒であり、少なくとも1種類の溶� ��は沸点が180℃以下の溶媒であることがより� ��ましい。また、粘度の観点からは、3種類の 溶媒のうちの2種類の溶媒には、60℃において 、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2質量 %以上が溶媒に溶解することが好ましく、3種� ��の溶媒のうちの1種類の溶媒には、25℃にお� ��て、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2� ��量%以上が溶媒に溶解することが好ましい。

 さらに、本発明の液状組成物に2種類以上 の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観 点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物 に含まれる全溶媒の質量の40~90質量%であるこ とが好ましく、50~90質量%であることがより好 ましく、65~85質量%であることがさらに好まし い。このような最も沸点が高い溶媒の含有量 が前記下限未満では、粘度が低くなり、これ を用いて最適な膜厚の膜を製造することが困 難となる傾向にあり、他方、前記上限を超え ると、粘度が高くなり、これを用いて均質な 膜を製造することが困難となる傾向にある。

 また、本発明の液状組成物は、上記本発� ��の第一及び第二の高分子化合物及び溶媒以� ��に任意成分として、低分発光材料、正孔輸� ��材料、安定剤、粘度及び/又は表面張力を調 節するための添加剤、酸化防止剤等を含んで いてもよい。これらの任意成分は、各々、一 種を単独で用いてもよく又は二種以上を併用 して用いてもよい。

 本発明の液状組成物が含有してもよい低� ��子発光材料としては、例えば、ナフタレン� ��導体、アントラセン、アントラセン誘導体� ��ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系� ��素、キサンテン系色素、クマリン系色素、� ��アニン系色素、8-ヒドロキシキノリンの金� �錯体を配位子として有する金属錯体、8-ヒド ロキシキノリン誘導体を配位子として有する 金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族 アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン 、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体 、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラ フェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベ ン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、 フロキサン系、チアゾール系、テトラアリー ルメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール 系、メタシクロファン系、アセチレン系等の 低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。こ のような低分子発光材料としては、例えば、 特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等� ��記載されているもの等の公知のものが挙げ� ��れる。

 また、本発明の液状組成物が含有しても� ��い正孔輸送材料としては、上記本発明の組� ��物において説明した正孔輸送材料と同様の� ��のである。

 また、本発明の液状組成物が含有しても� ��い安定剤としては、例えば、フェノール系� ��化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられ� ��。

 さらに、本発明の液状組成物が含有して� ��よい粘度及び/又は表面張力を調節するため の添加剤としては、例えば、粘度を高めるた めの高分子量の化合物(増粘剤)や貧溶媒、粘� ��を下げるための低分子量の化合物、表面張� ��を下げるための界面活性剤等を適宜組み合� ��せて使用すればよい。

 このような粘度を高めるための高分子量� ��化合物(増粘剤)としては、発光や電荷輸送� �阻害しないものであればよく、特に制限さ� �ないが、本発明の液状組成物の溶媒に対し� �可溶性のものが好ましい。このような増粘� �としては、例えば、高分子量のポリスチレ� �、高分子量のポリメチルメタクリレート等� �用いることができる。前記増粘剤のポリス� �レン換算の重量平均分子量は50万以上が好ま しく、100万以上がより好ましい。また、貧溶 媒を増粘剤として用いることもできる。

 また、本発明の液状組成物が含有しても� ��い酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を� ��害しないものであればよく、特に制限され� ��いが、溶媒に可溶性のものが好ましい。こ� ��ような酸化防止剤としては、フェノール系� ��化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示され� ��。また、このような酸化防止剤を用いるこ� ��により、前記正孔輸送層や溶媒の保存安定� ��を改善される傾向にある。

 また、本発明の液状組成物が正孔輸送材� ��を含有する場合における液状組成物中の正� ��輸送材料の含有割合は、1質量%~80質量%であ� ��ことが好ましく、5質量%~60質量%であること� ��より好ましい。このような正孔輸送材料の� ��有量が前記下限未満では、得られた液状組� ��物を成膜した際に、得られる膜に十分な正� ��輸送能や電子輸送能等を付与できなくなる� ��向にあり、他方、前記上限を超えると、高� ��子化合物の電荷輸送性を発揮できなくなる� ��向にある。

 また、高分子発光素子を製造する際に、本� ��明の液状組成物を用いて正孔輸送層を成膜� ��る場合、前記液状組成物を塗布した後、乾� ��することにより溶媒を除去するだけで正孔� ��送層を成膜することができる。また、電荷� ��送材料や発光材料を混合した場合において� ��同様な手法を適用して電荷輸送層や発光層� ��成膜することができる。そのため、本発明� ��液状組成物は、高分子発光素子の製造効率� ��向上させることができ、製造上非常に有利� ��ものである。なお、前記乾燥の際には、50~1 50℃程度に加温した状態で乾燥させてもよく� ��更には、10 ^-3 Pa程度に減圧して乾燥させてもよい。

 また、本発明の液状組成物を用いた成膜� ��法としては、スピンコート法、キャスティ� ��グ法、マイクログラビアコート法、グラビ� ��コート法、バーコート法、ロールコート法� ��ワイアーバーコート法、ディップコート法� ��スリットコート法、キャップコート法、ス� ��レーコート法、スクリーン印刷法、フレキ� ��印刷法、オフセット印刷法、インクジェッ� ��プリント法、ノズルコート法等の塗布法を� ��用することができる。

 次に、本発明の導電性薄膜について説明� ��る。

 本発明の導電性薄膜は、上記本発明の第� ��及び第二の高分子化合物から選択される高� ��子化合物を1種類以上含有することを特徴と するものである。

 このような導電性薄膜は、表面抵抗が1Kω /□以下であることが好ましく、表面抵抗が10 0ω/□以下であることがより好ましく、10ω/□ 以下であることがさらに好ましい。また、こ のような導電性薄膜においては、ルイス酸、 イオン性化合物等をドープすることにより、 電気伝導度を高めることができる。

 また、本発明の導電性薄膜において、上� ��本発明の第一及び第二の高分子化合物から� ��択される高分子化合物の含有割合としては� ��特に制限されないが、20~100質量%であること が好ましく、40~100質量%であることがより好� �しい。このような高分子化合物の含有割合� �前記下限未満では、高分子化合物の電荷輸� �性を発揮できなくなる傾向にある。

 なお、このような導電性薄膜を製造する� ��法は特に制限されず、公知の方法を適宜採� ��することができる。また、このような導電� ��薄膜の膜厚としては、用いる用途や高分子� ��合物の種類等によって異なるものであり、� ��途等に応じて適宜その膜厚を変更して用い� ��ことができる。更に、このような導電性薄� ��においては、必要に応じて各種添加剤等を� ��有させてもよい。