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Title:
POLYMER AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING THE SAME
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/110360
Kind Code:
A1
Abstract:
A polymer comprising repeating units represented by the following formula (1), wherein at least one of Ar1, Ar2, and Ar3 in formula (1) is a group represented by formula (2). (The two bonds for external linkage shown in formula (1) each is present on any of Ar1, Ar2, Ar3, and L1, or the bonds may be present on one of Ar1, Ar2, Ar3, or L1.)

Inventors:
MIZUKI, Yumiko (1280, Kamiizumi Sodegaura-sh, Chiba 93, 29902, JP)
水木 由美子 (〒93 千葉県袖ヶ浦市上泉1280番地 Chiba, 29902, JP)
YABUNOUCHI, Nobuhiro (1280, Kamiizumi Sodegaura-sh, Chiba 93, 29902, JP)
Application Number:
JP2009/053356
Publication Date:
September 11, 2009
Filing Date:
February 25, 2009
Export Citation:
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Assignee:
IDEMITSU KOSAN CO., LTD. (1-1 Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo, 21, 10083, JP)
出光興産株式会社 (〒21 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo, 10083, JP)
MIZUKI, Yumiko (1280, Kamiizumi Sodegaura-sh, Chiba 93, 29902, JP)
水木 由美子 (〒93 千葉県袖ヶ浦市上泉1280番地 Chiba, 29902, JP)
International Classes:
C08G61/12; C09K11/06; H01L51/50
Domestic Patent References:
2006-09-14
2008-10-09
Foreign References:
US20020103332A12002-08-01
JP2008174661A2008-07-31
JP2008266425A2008-11-06
JP2007162009A2007-06-28
JP2004087395A2004-03-18
JP2002128891A2002-05-09
JP2007177225A2007-07-12
Attorney, Agent or Firm:
WATANABE, Kihei et al. (Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26 Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-k, Tokyo 41, 10100, JP)
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Claims:
 下記式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物であって、式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 の少なくともひとつが、式(2)で示される基である高分子化合物。
(式(1)中、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよく、式(2)で示される基、置換もしくは無置換の核炭素数6~60の芳香族炭化水素基、又は、置換もしくは無置換の核原子数5~60の芳香族複素環基である。
 式(2)中、L 1 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換のフルオレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数5~60の芳香族複素環基であり、
 Xは、置換もしくは無置換のヘテロ原子であり、
 R 1 及びR 2 は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6~60のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6~50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5~50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数6~50のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
 式(1)が2以上の式(2)で示される基を有する場合、式(2)で示される基は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよい。
 aは0~3の整数、bは0~4の整数である。
 ここで、式(1)で示される2つの結合手はそれぞれ、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 上のいずれかに存在する。また、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 のうちのひとつに存在してもよい。)
 式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 の1つ以上2つ以下が、式(2)で示される基である請求項1記載の高分子化合物。
 前記2つの結合手のうち、少なくとも1つが、式(2)で示される基以外に存在する請求項1又は2に記載の高分子化合物。
 前記Xが、下記式(3)で示される基、O及びSから選択される基である請求項1~3のいずれかに記載の高分子化合物。
  =NR 3    (3)
(R 3 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60のアリール基、又は、置換もしくは無置換の炭素数1~50のアルキル基である。)
 前記式(2)の基が、下記式(4)~(8)から選択される基である請求項1~4のいずれかに記載の高分子化合物。
(式中、L 1 、R 1 、R 2 、R 3 、a及びbは、それぞれ前記式(1)~(3)と同様である。)
 下記式(9)~(13)から選択される繰り返し単位を、少なくとも1つ含む請求項1~5のいずれかに記載の高分子化合物。
(式中、Ar 1 、Ar 2 、L 1 、R 1 ~R 3 、a及びbは、それぞれ式(1)~(3)と同様である。)
 前記式(1)が、下記式(1’)で示される繰り返し単位である請求項1記載の高分子化合物。
(式中、L 1 、Ar 1 、Ar 2 、R 2 は及びR 3 は、それぞれ前記式(1)~(3)と同様である。)
 前記Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 が、それぞれ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びフェナントレン環からなる群から選択される環である、請求項1~7のいずれかに記載の高分子化合物。
 前記Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 の少なくとも1つが置換基を有し、前記置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選択される基である、請求項1~8のいずれかに記載の高分子化合物。
 L 1 が、それぞれ、置換又は無置換の、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基及びフルオレニレン基からなる群から選択される基である、請求項1~9のいずれかに記載の高分子化合物。
 前記R 3 が、置換又は無置換の核炭素数6~60のアリール基である請求項1~10のいずれかに記載の高分子化合物。
 前記R 1 及びR 2 が、置換又は無置換の核炭素数6~60のアリール基であり、R 1 及びR 2 が結合しているカルバゾール環における結合位置が3位又は6位である請求項1~11のいずれかに記載の高分子化合物。
 下記式(14)又は(15)で示される構造を含む請求項1~12のいずれかに記載の高分子化合物。
(式中、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ式(1)と同様である。)
 下記式(16)~(19)で示される繰り返し単位を、少なくとも1つ含む請求項1~13のいずれかに記載の高分子化合物。
(式中、Ar 4 、Ar 5 、Ar 6 及びAr 7 は、それぞれアリーレン基、2価の複素環基又は金属錯体を有する2価の基であり、X 1 、X 2 及びX 3 は、それぞれ-CR 4 =CR 5 -、-C≡C-、-N(R 6 )-、-(SiR 7 R 8 ) m -、又は-C(R 9 R 10 )-であり、R 4 及びR 5 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基であり、R 6 ~R 10 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、アリールアルキル基又は置換アミノ基を含む基である。lは1又は2の整数であり、mは1~12の整数である。R 4 ~R 10 がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。)
 請求項1~14のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
 正孔輸送層又正孔注入層用である請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
 陽極と陰極と、
 前記陽極と陰極の間に、発光層を含む一層以上の有機薄膜層を有し、
 前記有機薄膜層の少なくとも一層が請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
 前記陽極と発光層の間に、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1つを有し、
 前記正孔輸送層及び正孔注入層が、請求項16に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Description:
高分子化合物及びそれを用いた 機エレクトロルミネッセンス素子

 本発明は有機エレクトロルミネッセンス 子用材料として好適な高分子化合物及びそ を用いた有機エレクトロルミネッセンス素 に関する。

 有機エレクトロルミネッセンス素子(以下 エレクトロルミネッセンスをELと略記するこ がある)は、電界を印加することにより、陽 極より注入された正孔と陰極より注入された 電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が 発光する原理を利用した自発光素子である。

 有機EL素子を構成する有機化合物層として 物理的又は熱的な耐久性の向上が期待でき ことから、高分子化合物の使用が検討され いる。
 例えば、特許文献1には高分子として正孔注 入能を持つポリビニルカルバゾール(PVCz)を用 いた有機EL素子が報告されている。PVCzのガラ ス転移点(Tg)は非常に高いため、薄膜にした の膜の安定性に優れ、耐久性に富む有機EL素 子が作製できる。しかしながら、この素子は 駆動電圧が非常に高かった。また、発光効率 、寿命が不十分という問題があった。

 また、特許文献2には、ビニルアントラセン 誘導体とビニルカルバゾール誘導体を共重合 してなる高分子を用いた有機EL素子が記載さ ている。
 しかしながら、発光効率、寿命が不十分と う問題があった。

 高分子エレクトロルミネッセンス材料はそ 溶液を塗布、印刷する方法によって成膜す ことができる利点があり、種々検討されて る(特許文献3~7)。しかしながら、上記の高 子化合物を用いた有機EL素子は、寿命(半減 命)、発光効率等の素子特性が必ずしも十分 ないという問題があった。

特開平2-223188号公報

特開平8-48726号公報

特開2005-272834号公報

特開2007-119763号公報

特開2007-162009号公報

特開2007-177225号公報

国際公開WO2005/049546

 本発明は、上述の課題を解決するために されたもので、発光効率が高く、長寿命な 機EL素子及びそれを実現する化合物を提供 ることを目的とする。

 本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、連 基を介してトリアリールアミノ基に結合し カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、 ベンゾチオフェン骨格等の特定の骨格を有 る芳香族アミン誘導体を高分子化したもの 、有機EL素子の高発光効率化及び長寿命化 有効であることを見出し、更に、カルバゾ ル骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチ フェン骨格等の特定の骨格により、隣接層 の膜密着性が上がり、発光効率、及び寿命 向上することを見出し、本発明を完成させ 。

 本発明によれば、以下の高分子化合物等が 供される。
1.下記式(1)で示される繰り返し単位を含む高 子化合物であって、式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 の少なくともひとつが、式(2)で示される基で ある高分子化合物。
(式(1)中、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよ く、式(2)で示される基、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60の芳香族炭化水素基、又は、 換もしくは無置換の核原子数5~60の芳香族複 環基である。
 式(2)中、L 1 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60の芳 族炭化水素基、置換もしくは無置換のフル レン基、又は置換もしくは無置換の核原子 5~60の芳香族複素環基であり、
 Xは、置換もしくは無置換のヘテロ原子であ り、
 R 1 及びR 2 は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよ く、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素 数6~60のアリール基、置換もしくは無置換の 素数1~50のアルキル基、置換もしくは無置換 炭素数1~50のアルコキシ基、置換もしくは無 置換の核炭素数6~50のアリールオキシ基、置 もしくは無置換の核原子数5~50のアリールチ 基、置換もしくは無置換の炭素数2~50のアル コキシカルボニル基、置換もしくは無置換の 核炭素数6~50のアリール基で置換されたアミ 基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 ドロキシル基又はカルボキシル基である。
 式(1)が2以上の式(2)で示される基を有する場 合、式(2)で示される基は、それぞれ、同一で も、異なっていてもよい。
 aは0~3の整数、bは0~4の整数である。
 ここで、式(1)で示される2つの結合手はそれ ぞれ、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 上のいずれかに存在する。また、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 のうちのひとつに存在してもよい。)
2.式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 の1つ以上2つ以下が、式(2)で示される基であ 1記載の高分子化合物。
3.前記2つの結合手のうち、少なくとも1つが 式(2)で示される基以外に存在する1又は2に記 載の高分子化合物。
4.前記Xが、下記式(3)で示される基、O及びSか 選択される基である1~3のいずれかに記載の 分子化合物。
  =NR 3    (3)
(R 3 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60のア ール基、又は、置換もしくは無置換の炭素 1~50のアルキル基である。)
5.前記式(2)の基が、下記式(4)~(8)から選択され る基である1~4のいずれかに記載の高分子化合 物。
(式中、L 1 、R 1 、R 2 、R 3 、a及びbは、それぞれ前記式(1)~(3)と同様であ る。)
6.下記式(9)~(13)から選択される繰り返し単位 、少なくとも1つ含む1~5のいずれかに記載の 分子化合物。
(式中、Ar 1 、Ar 2 、L 1 、R 1 ~R 3 、a及びbは、それぞれ式(1)~(3)と同様である。 )
7.前記式(1)が、下記式(1’)で示される繰り返 単位である1記載の高分子化合物。
(式中、L 1 、Ar 1 、Ar 2 、R 2 は及びR 3 は、それぞれ前記式(1)~(3)と同様である。)
8.前記Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 が、それぞれ、ベンゼン環、ナフタレン環、 アントラセン環、ピレン環及びフェナントレ ン環からなる群から選択される環である、1~7 のいずれかに記載の高分子化合物。
9.前記Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 の少なくとも1つが置換基を有し、前記置換 が、アルキル基、アルコキシ基、アルキル オ基、アリール基、アリールオキシ基、ア ールチオ基、アリールアルキル基、アリー アルケニル基、アリールアルキニル基、ア ノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリ 基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキ 基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1 の複素環基、カルボキシル基、置換カルボ シル基及びシアノ基からなる群から選択さ る基である、1~8のいずれかに記載の高分子 合物。
10.L 1 が、それぞれ、置換又は無置換の、フェニレ ン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、 ナフチレン基、フェナントリレン基及びフル オレニレン基からなる群から選択される基で ある、1~9のいずれかに記載の高分子化合物。
11.前記R 3 が、置換又は無置換の核炭素数6~60のアリー 基である1~10のいずれかに記載の高分子化合 。
12.前記R 1 及びR 2 が、置換又は無置換の核炭素数6~60のアリー 基であり、R 1 及びR 2 が結合しているカルバゾール環における結合 位置が3位又は6位である1~11のいずれかに記載 の高分子化合物。
13.下記式(14)又は(15)で示される構造を含む1~12 のいずれかに記載の高分子化合物。
(式中、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ式(1)と同様である。)
14.下記式(16)~(19)で示される繰り返し単位を、 少なくとも1つ含む1~13のいずれかに記載の高 子化合物。
(式中、Ar 4 、Ar 5 、Ar 6 及びAr 7 は、それぞれアリーレン基、2価の複素環基 は金属錯体を有する2価の基であり、X 1 、X 2 及びX 3 は、それぞれ-CR 4 =CR 5 -、-C≡C-、-N(R 6 )-、-(SiR 7 R 8 ) m -、又は-C(R 9 R 10 )-であり、R 4 及びR 5 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリー ル基、1価の複素環基、カルボキシル基、置 カルボキシル基又はシアノ基であり、R 6 ~R 10 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリー ル基、1価の複素環基、アリールアルキル基 は置換アミノ基を含む基である。lは1又は2 整数であり、mは1~12の整数である。R 4 ~R 10 がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一 でも異なっていてもよい。)
15.上記1~14のいずれかに記載の高分子化合物 含有する有機エレクトロルミネッセンス素 用材料。
16.正孔輸送層又正孔注入層用である15に記載 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
17.陽極と陰極と、
 前記陽極と陰極の間に、発光層を含む一層 上の有機薄膜層を有し、
 前記有機薄膜層の少なくとも一層が15に記 の有機エレクトロルミネッセンス素子用材 を含有する有機エレクトロルミネッセンス 子。
18.前記陽極と発光層の間に、正孔輸送層及び 正孔注入層の少なくとも1つを有し、
 前記正孔輸送層及び正孔注入層が、16に記 の有機エレクトロルミネッセンス素子用材 を含有する17に記載の有機エレクトロルミネ ッセンス素子。

 本発明の高分子化合物を有機EL素子用材 として用いた有機EL素子は、発光効率が高く 、寿命が長い。

本発明の一実施形態である有機EL素子 概略断面図である。

発明を実施するための形態

 本発明の高分子化合物は、下記式(1)で示さ る繰り返し単位を含む高分子化合物であっ 、式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 の少なくともひとつが、式(2)で示される基で あることを特徴とする。

 式(1)で表される繰り返し単位において、重 時の2つの結合手はそれぞれ、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 上のいずれかに存在する。また、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 上のうちのひとつに存在してもよい。即ち、 隣接する式(1)で表される繰り返し単位におい ては、それぞれの結合は、Ar 1 、Ar 2 、Ar 3 及びL 1 のいずれの基によるものであってもよい。

 式(1)において、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ、式(2)で示される基、置換もし くは無置換の核炭素数6~60(好ましくは核炭素 6~18)の芳香族炭化水素基、又は、置換もし は無置換の核原子数5~60(好ましくは核原子数 5~20)の芳香族複素環基である。これらの基は 重合時の結合手の位置により、1~3価の基と る。以下、主に1価の例を示すが、2価及び3 も、価数が異なる他は同様な基が例示でき 。

 Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェ ニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アン トラセニル基、2-アントラセニル基、9-アン ラセニル基、1-フェナントリル基、2-フェナ トリル基、3-フェナントリル基、4-フェナン トリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタセ ル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基 1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基 2-ビフェニルイル基、3-ビフェニルイル基、 4-ビフェニルイル基、p-ターフェニル-4-イル 、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル- 2-イル基、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフ ェニル-3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、 ルオレニル基等が挙げられる。

 上記のうちでも、ベンゼン環単独又は複 個のベンゼン環が縮合したものが好ましい 例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アン ラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、 レン環、フェナントレン環等の芳香族炭化 素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、 フタレン環、アントラセン環、フェナント ン環が挙げられる。

 Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 の芳香族複素環基としては、例えば、チオフ ェニリル基、1-フェニルチオフェニリル基、1 、4-ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾチ フェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェ リル基、1、8-ジフェニルベンゾチオフェニ ル基、フリル基、1-フェニルジベンゾチオフ ェニリル基、1、8-ジフェニルチオフェニリル 基、フリル基、ジベンゾフラニル基、1-フェ ルジベンゾフラニル基、1、8ジフェニルジ ンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基であ 、さらに好ましくは、ジベンゾフラニル基 ジベンゾチオフェニリル基、1-フェニルチオ フェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェニ ル基、1-フェニルジベンゾフラニル基、ベ ゾチアゾリル基等が挙げられる。

 芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が 換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、 子特性、合成の行いやすさ等の観点からは 置換基が、アルキル基、アルコキシ基、ア キルチオ基、アリール基、アリールオキシ 、アリールチオ基、アリールアルキル基、 リールアルコキシ基、アリールアルキルチ 基、アリールアルケニル基、アリールアル ニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル 、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基 アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、 イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基 、置換カルボキシル基及びシアノ基から選ば れるものであることが好ましい。

 上記のアルキル基は、直鎖、分岐又は環 のいずれでもよく、炭素数が通常1~20程度、 好ましくは炭素数3~20であり、その具体例と ては、メチル基、エチル基、プロピル基、i- プロピル基、ブチル基、i-ブチル基、t-ブチ 基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル 、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチ 基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル 基、3,7-ジメチルオクチル基、ラウリル基、 リフルオロメチル基、ペンタフルオロエチ 基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ キシル基、パーフルオロオクチル基等が挙 られ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合 の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバラン からは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキ ル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、デ シル基、3,7-ジメチルオクチル基が好ましい

 アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のい れでもよく、炭素数が通常1~20程度、好まし くは炭素数3~20であり、その具体例としては メトキシ基、エトキシ基、プロ
ピルオキシ基、i-プロピルオキシ基、ブトキ 基、i-ブトキシ基、t-ブトキシ基、ペンチル オキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシ ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオ キシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニル キシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオク チルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフル オロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基 、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘ キシル基、パーフルオロオクチル基、メトキ シメチルオキシ基、2-メトキシエチルオキシ 等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子 性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性と バランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキ ルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチル キシルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメ ルオクチルオキシ基が好ましい。

 アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状 いずれでもよく、炭素数が通常1~20程度、好 ましくは炭素数3~20であり、その具体例とし は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピ チオ基、i-プロピルチオ基、ブチルチオ基、 i-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、ペンチル オ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチ 基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2-エ チルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシル チオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ基、ラウ ルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、 成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバラ スからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ 、オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基 、デシルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ が好ましい。

 アリール基は、芳香族炭化水素から、水素 子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつ もの、独立したベンゼン環又は縮合環2個以 が直接又はビニレン等の基を介して結合し ものも含まれる。アリール基は、炭素数が 常6~60程度、好ましくは7~48であり、その具体 例としては、フェニル基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル基(C 1 ~C 12 は、炭素数1~12であることを示す。以下も同 である。)、C 1 ~C 12 アルキルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ ル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニ 基、9-アントラセニル基、ペンタフルオロ ェニル基等が例示され、有機溶媒への溶解 、素子特性、合成の行いやすさ等の観点か は、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル基が好ましい。C 1 ~C 12 アルコキシとして具体的には、メトキシ、エ トキシ、プロピルオキシ、i-プロピルオキシ ブトキシ、i-ブトキシ、t-ブトキシ、ペンチ ルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシル オキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、 2-エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デ ルオキシ、3,7-ジメチルオクチルオキシ、ラ ウリルオキシ等が例示される。

 C 1 ~C 12 アルキルフェニル基として具体的にはメチル フェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフ ェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基 、メチルエチルフェニル基、i-プロピルフェ ル基、ブチルフェニル基、i-ブチルフェニ 基、t-ブチルフェニル基、ペンチルフェニル 基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニ ル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニ ル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基 、ドデシルフェニル基等が例示される。

 アリールオキシ基は、炭素数が通常6~60程度 、好ましくは7~48であり、その具体例として 、フェノキシ基、C 1 ~C 12 アルコキシフェノキシ基、C 1 ~C 12 アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基 2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェ ルオキシ基等が例示され、有機溶媒への溶 性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 らは、C 1 ~C 12 アルコキシフェノキシ基、C 1 ~C 12 アルキルフェノキシ基が好ましい。

 C 1 ~C 12 アルコキシとして具体的には、メトキシ、エ トキシ、プロピルオキシ、i-プロピルオキシ ブトキシ、i-ブトキシ、t-ブトキシ、ペンチ ルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシル オキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、 2-エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デ ルオキシ、3,7-ジメチルオクチルオキシ、ラ ウリルオキシ等が例示される。

 C 1 ~C 12 アルキルフェノキシ基として具体的にはメチ ルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメ チルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、 1,3,5-トリメチルフェノキシ基、メチルエチル フェノキシ基、i-プロピルフェノキシ基、ブ ルフェノキシ基、i-ブチルフェノキシ基、t- ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基 、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノ キシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフ ェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフ ェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示 される。

 アリールチオ基は、炭素数が通常3~60程度で あり、その具体例としては、フェニルチオ基 、C 1 ~C 12 アルコキシフェニルチオ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基 2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニ チオ基等が例示され、有機溶媒への溶解性 素子特性、合成の行いやすさ等の観点から 、C 1 ~C 12 アルコキシフェニルチオ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニルチオ基が好ましい。

 アリールアルキル基は、炭素数が通常7~60程 度、好ましくは7~48であり、その具体例とし は、フェニル-C 1 ~C 12 アルキル基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキル基、1-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキル基、2-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキル基等が例示され、有機溶媒への溶解 性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点か らは、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキル基が好ましい。

 アリールアルコキシ基は、炭素数が通常7~60 程度、好ましくは炭素数7~48であり、その具 例としては、フェニルメトキシ基、フェニ エトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニ ペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基 フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチ キシ基等のフェニル-C 1 ~C 12 アルコキシ基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルコキシ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルコキシ基、1-ナフチル-C 1 ~C 12 アルコキシ基、2-ナフチル-C 1 ~C 12 アルコキシ基等が例示され、有機溶媒への溶 解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 からは、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルコキシ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルコキシ基が好ましい。

 アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常7 ~60程度、好ましくは炭素数7~48であり、その 体的としては、フェニル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基、1-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基、2-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基等が例示され、有機溶媒への 溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観 点からは、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキルチオ基が好ましい。

 アリールアルケニル基は、炭素数が通常8~60 程度であり、その具体的としては、フェニル -C 2 ~C 12 アルケニル基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 2 ~C 12 アルケニル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 2 ~C 12 アルケニル基、1-ナフチル-C 2 ~C 12 アルケニル基、2-ナフチル-C 2 ~C 12 アルケニル基等が例示され、有機溶媒への溶 解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 からは、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 2 ~C 12 アルケニル基、C 2 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルケニル基が好ましい。

 アリールアルキニル基は、炭素数が通常8~60 程度であり、その具体的としては、フェニル -C 2 ~C 12 アルキニル基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 2 ~C 12 アルキニル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 2 ~C 12 アルキニル基、1-ナフチル-C 2 ~C 12 アルキニル基、2-ナフチル-C 2 ~C 12 アルキニル基等が例示され、有機溶媒への溶 解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 からは、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 2 ~C 12 アルキニル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 2 ~C 12 アルキニル基が好ましい。

 置換アミノ基としては、アルキル基、アリ ル基、アリールアルキル基又は1価の複素環 基から選ばれる1又は2個の基で置換されたア ノ基があげられ、該アルキル基、アリール 、アリールアルキル基又は1価の複素環基は 置換基を有していてもよい。置換アミノ基の 炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常 1~60程度、好ましくは炭素数2~48である。
 具体的には、メチルアミノ基、ジメチルア ノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基 プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、i -プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ 、ブチルアミノ基、i-ブチルアミノ基、t-ブ ルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシル ミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチ アミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘ シルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルア ノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ラウ ルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジ クロペンチルアミノ基、シクロヘキシルア ノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリ ル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチ アミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルア ノ基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C 1 ~C 12 アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C 1 ~C 12 アルキルフェニル)アミノ基、1-ナフチルアミ ノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロ ェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリ ジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピ ジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニ -C 1 ~C 12 アルキルアミノ基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキルアミノ基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキルアミノ基、ジ(C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキル)アミノ基、ジ(C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキル)アミノ基、1-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキルアミノ基、2-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキルアミノ基等が例示される。

 置換シリル基としては、アルキル基、アリ ル基、アリールアルキル基又は1価の複素環 基から選ばれる1、2又は3個の基で置換された シリル基があげられる。置換シリル基の炭素 数は通常1~60程度、好ましくは炭素数3~48であ 。尚、該アルキル基、アリール基、アリー アルキル基又は1価の複素環基は置換基を有 していてもよい。
 具体的には、トリメチルシリル基、トリエ ルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ- i-プロピルシリル基、ジメチル-i-プロピリシ ル基、ジエチル-i-プロピルシリル基、t-ブ ルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメ ルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、 プチルジメチルシリル基、オクチルジメチ シリル基、2-エチルヘキシル-ジメチルシリ 基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメ ルシリル基、3,7-ジメチルオクチル-ジメチル シリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェ ニル-C 1 ~C 12 アルキルシリル基、C 1 ~C 12 アルコキシフェニル-C 1 ~C 12 アルキルシリル基、C 1 ~C 12 アルキルフェニル-C 1 ~C 12 アルキルシリル基、1-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキルシリル基、2-ナフチル-C 1 ~C 12 アルキルシリル基、フェニル-C 1 ~C 12 アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシ リル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベン ジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、 t-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェ ルシリル基等が例示される。

 ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩 原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される

 アシル基は、炭素数が通常2~20程度、好ま しくは炭素数2~18であり、その具体例として 、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル 、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾ ル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフ オロベンゾイル基等が例示される。

 アシルオキシ基は、炭素数が通常2~20程度 、好ましくは炭素数2~18であり、その具体例 しては、アセトキシ基、プロピオニルオキ 基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキ 基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキ 基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペン フルオロベンゾイルオキシ基等が例示され 。

 イミン残基は、炭素数2~20程度、好ましくは 炭素数2~18であり、その具体例としては、以 の構造式で示される基が例示される。

 アミド基は、炭素数が通常2~20程度、好ま しくは炭素数2~18であり、その具体例として 、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロ オアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミ 基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタ ルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基 ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、 ブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジト フルオロアセトアミド基、ジペンタフルオ ベンズアミド基が例示される。

 酸イミド基は、酸イミドからその窒素原 に結合した水素原子を除いて得られる残基 挙げられ、炭素数が4~20程度であり、具体的 には以下に示す基等が例示される。

 1価の複素環基とは、複素環化合物から水素 原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素 は通常4~60程度、好ましくは4~20である。尚、 複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含 まれない。ここに複素環化合物とは、環式構 造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元 素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素 、燐、硼素等のヘテロ原子を環内に含むもの をいう。具体的には、チエニル基、C 1 ~C 12 アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基 、ピリジル基、C 1 ~C 12 アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリ ル基、イソキノリル基等が例示され、チエニ ル基、C 1 ~C 12 アルキルチエニル基、ピリジル基、C 1 ~C 12 アルキルピリジル基が好ましい。

 置換カルボキシル基としては、アルキル 、アリール基、アリールアルキル基又は1価 の複素環基で置換されたカルボキシル基があ げられ、炭素数が通常2~60程度、好ましくは 素数2~48であり、その具体例としては、メト シカルボニル基、エトキシカルボニル基、 ロポキシカルボニル基、i-プロポキシカル ニル基、ブトキシカルボニル基、i-ブトキシ カルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、ペ チルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカ ボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル 、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチル キシカルボニル基、2-エチルヘキシロキシ ルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、 シロキシカルボニル基、3,7-ジメチルオクチ オキシカルボニル基、ドデシルオキシカル ニル基、トリフルオロメトキシカルボニル 、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、 ーフルオロブトキシカルボニル基、パーフ オロヘキシルオキシカルボニル基、パーフ オロオクチルオキシカルボニル基、フェノ シカルボニル基、ナフトキシカルボニル基 ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられ 。尚、該アルキル基、アリール基、アリー アルキル基又は1価の複素環基は置換基を有 していてもよい。置換カルボキシル基の炭素 数には該置換基の炭素数は含まれない。

 上記式(2)において、L 1 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま くは核炭素数6~18)の芳香族炭化水素基、置 もしくは無置換のフルオレン基、又は置換 しくは無置換の核原子数5~60(好ましくは核原 子数5~20)の芳香族複素環基である。これらの は、重合時の結合手の位置により、2~4価の となる(単結合以外の場合)。以下、主に2価 例を示すが、3価及び4価も、価数が異なる は同様な基が例示できる。
 このように、式(1)に式(2)で示される基を導 することにより、得られた重合体層は、隣 層との膜密着性が上がり、発光効率、及び 命が向上する。

 L 1 の芳香族炭化水素基として好ましくは、フェ ニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン 基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基 、アントラセニレン基、フェナントリレン基 、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニ レン基、フルオレニレン基等が挙げられる。 好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基 、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナ フチレン基、フェナントリレン基であり、さ らに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン 基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェ ナントリレン基又はフルオレニレン基である 。

 芳香族複素環基として好ましくは、チオ ェニリル基、1-フェニルチオフェニリル基 1、4-ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾ オフェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェ ニリル基、1、8-ジフェニルベンゾチオフェニ リル基、フリル基、1-フェニルジベンゾチオ ェニリル基、1、8-ジフェニルチオフェニリ 基、フリル基、ジベンゾフラニル基、1-フ ニルジベンゾフラニル基、1、8ジフェニルジ ベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基であ り、さらに好ましくは、ジベンゾフラニル基 、ジベンゾチオフェニリル基、1-フェニルチ フェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェ リル基、1-フェニルジベンゾフラニル基又は ベンゾチアゾリル基である(これらの1価の基 ら水素等を1つ以上除いた2価以上の基であ 。)。

 式(2)のR 1 及びR 2 は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素 数6~60(好ましくは核炭素数6~30)のアリール基 置換もしくは無置換の核炭素数1~50(好ましく は核炭素数1~20)のアルキル基、置換もしくは 置換の炭素数1~50(好ましくは炭素数1~20)のア ルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6~50(好ましくは核炭素数6~20)のアリールオキ 基、置換もしくは無置換の核原子数5~50(好ま しくは核原子数6~20)のアリールチオ基、置換 しくは無置換の炭素数2~50(好ましくは炭素 2~20)のアルコキシカルボニル基、置換もしく は無置換の核炭素数6~50のアリール基(好まし は核炭素数6~20)で置換されたアミノ基、ハ ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキ ル基又はカルボキシル基である。
 式(2)において、例えば、R 1 及びR 2 がカルバゾール骨格の3位又は6位に結合した 換もしくは無置換の核炭素数6~60のアリール 基であると好ましい。

 R 1 及びR 2 のアリール基として、例えば、フェニル基、 1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニ ル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニ 基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル 、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基 、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2- ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレ ル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ビフ ニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフェ ルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ター フェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基 m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル-3- イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリル 、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニ ル基、p-(2-フェニルプロピル)フェニル基、3- チル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基 4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフェ ルイル基、4”-t-ブチル-p-ターフェニル-4-イ ル基、フルオレニル基等が挙げられる。好ま しくは、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ ル基、4-ビフェニルイル基、p-ターフェニル- 4-イル基、p-トリル基、フルオレニル基であ 。

 R 1 及びR 2 のアルキル基として、例えば、メチル基、エ チル基、iso-プロピル基、tert-ブチル基、n-オ チル基、n-デシル基、n-ヘキサデシル基、シ クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ ヘキシル基、ビニル基、アリル基、2-ブテニ 基、3-ペンテニル基、プロパルギル基、3-ペ ンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メ チル基、エチル基、iso-プロピル基、tert-ブチ ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基 である。
 R 1 及びR 2 のアルコキシ基として、例えば、メトキシ基 、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキ シ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が挙 られる。好ましくは、メトキシ基、エトキ 基、tert-ブトキシ基である。
 R 1 及びR 2 のアリールオキシ基として、例えば、フェニ ルオキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチ オキシ基、4-ビフェニルイルオキシ基、p-タ フェニル-4-イルオキシ基、p-トリルオキシ 等が挙げられる。好ましくは、フェニルオ シ基、2-ナフチルオキシ基である。
 R 1 及びR 2 のアリールチオ基として、例えば、フェニル チオ基、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルオチ 基、4-ビフェニルイルチオ基、p-ターフェニ -4-イルチオ基、p-トリルチオ基等が挙げら る。好ましくは、フェニルチオ基、2-ナフチ ルチオ基である。

 R 1 及びR 2 のアルコキシカルボニル基は、例えば、メト キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、 n-プロポキシカルボニル基、iso-プロポキシカ ルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert- トキシカルボニル基が挙げられる。好まし は、メトキシカルボニル基、エトキシカル ニル基である。
 R 1 及びR 2 のアリール基で置換されたアミノ基は、前記 R 1 及びR 2 のアリール基で置換されたアミノ基等が挙げ られる。
 R 1 及びR 2 のアミノ基として、例えば、アミノ基、メチ ルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルア ミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる 。好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチル アミノ基である。
 R 1 及びR 2 のハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩 素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる 。
 また、R 1 及びR 2 は、水素原子、フェニル基、ビフェニリル基 、ターフェニリル基、α-ナフチル基、β-ナフ チル基、メチル基、エチル基、プロピル基、 イソプロピル基、アリールアミノ基であると 好ましい。
 これらの各基はさらに置換されても良く、 が二つ以上ある場合は、同一でも異なって ても良い。また、可能な場合には互いに連 して環を形成していても良い。

 式(2)のXは、置換又は無置換のヘテロ原子で ある。ヘテロ原子とは、水素、炭素以外の原 子を表すが、好ましくは、P、As、Sb、Bi、O、S 、Se、Te、Po、Si、Bである。より好ましくは、 N、O、Sである。ヘテロ原子の置換基は、前述 したAr 1 等の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が 有する置換基の例と同様である。
 Xが窒素原子の場合、下記式(3)の基が好まし い。
  =NR 3    (3)

 式(3)のR 3 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま くは核炭素数6~18)のアリール基、又は、置 もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは炭素 数1~6)のアルキル基である。置換もしくは無 換のアリール基であると好ましい。
 R 3 のアリール基としては、例えば、フェニル基 、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセ ニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセ ル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリ 基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル 基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基 2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピ ニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ビ ェニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフ ニルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-タ ーフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル 、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル -3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリ 基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェ ニル基、p-(2-フェニルプロピル)フェニル基、 3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル 、4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフ ニルイル基、4”-t-ブチル-p-ターフェニル-4- イル基等が挙げられる。好ましくはフェニル 基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-ビフェニ ルイル基、p-ターフェニル-4-イル基であり、 らに好ましくは、フェニル基、ビフェニリ 基、ターフェニリル基、α―ナフチル基、β ―ナフチル基、フェナントリル基である。

 R 3 のアルキル基として、例えば、メチル基、エ チル基、iso-プロピル基、tert-ブチル基、n-オ チル基、n-デシル基、n-ヘキサデシル基、シ クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ ヘキシル基、ビニル基、アリル基、2-ブテニ 基、3-ペンテニル基、プロパルギル基、3-ペ ンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メ チル基、エチル基、iso-プロピル基、tert-ブチ ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基 である。

 L 1 、R 1 、R 2 及びR 3 の示す各基の置換基としては、例えば、アル キル基(好ましくは炭素数1~20、より好ましく 炭素数1~12、特に好ましくは炭素数1~8であり 、例えばメチル、エチル、iso-プロピル、tert- ブチル、n-オクチル、n-デシル、n-ヘキサデシ ル、シクロプロピル、シクロペンチル、シク ロヘキシル等が挙げられる。)、アルケニル (好ましくは炭素数2~20、より好ましくは炭素 数2~12、特に好ましくは炭素数2~8であり、例 ばビニル、アリル、2-ブテニル、3-ペンテニ 等が挙げられる。)、アルキニル基(好まし は炭素数2~20、より好ましくは炭素数2~12、特 に好ましくは炭素数2~8であり、例えばプロパ ルギル、3-ペンチニル等が挙げられる。)、ア ミノ基(好ましくは炭素数0~20、より好ましく 炭素数0~12、特に好ましくは炭素数0~6であり 、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルア ミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、 ジベンジルアミノ等が挙げられる。)、アル キシ基(好ましくは炭素数1~20、より好ましく は炭素数1~12、特に好ましくは炭素数1~8であ 、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等 挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましく は炭素数6~20、より好ましくは炭素数6~16、特 好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニ ルオキシ、2-ナフチルオキシ等が挙げられる )、アシル基(好ましくは炭素数1~20、より好 しくは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1~1 2であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホ ミル、ピバロイル等が挙げられる。)、アル キシカルボニル基(好ましくは炭素数2~20、 り好ましくは炭素数2~16、特に好ましくは炭 数2~12であり、例えばメトキシカルボニル、 エトキシカルボニル等が挙げられる。)、ア ールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7 ~20、より好ましくは炭素数7~16、特に好まし は炭素数7~10であり、例えばフェニルオキシ ルボニル等が挙げられる。)、アシルオキシ 基(好ましくは炭素数2~20、より好ましくは炭 数2~16、特に好ましくは炭素数2~10であり、 えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙 られる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素 数2~20、より好ましくは炭素数2~16、特に好ま くは炭素数2~10であり、例えばアセチルアミ ノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。)、 ルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭 数2~20、より好ましくは炭素数2~16、特に好 しくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカ ボニルアミノ等が挙げられる。)、アリール オキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素 7~20、より好ましくは炭素数7~16、特に好まし くは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキ カルボニルアミノ等が挙げられる。)、スル ニルアミノ基(好ましくは炭素数1~20、より ましくは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1 ~12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、 ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。 )、スルファモイル基(好ましくは炭素数0~20、 より好ましくは炭素数0~16、特に好ましくは 素数0~12であり、例えばスルファモイル、メ ルスルファモイル、ジメチルスルファモイ 、フェニルスルファモイル等が挙げられる )、カルバモイル基(好ましくは炭素数1~20、 り好ましくは炭素数1~16、特に好ましくは炭 素数1~12であり、例えばカルバモイル、メチ カルバモイル、ジエチルカルバモイル、フ ニルカルバモイル等が挙げられる。)、アル ルチオ基(好ましくは炭素数1~20、より好ま くは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1~12で あり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙 げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭 数6~20、より好ましくは炭素数6~16、特に好 しくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチ 等が挙げられる。)、スルホニル基(好まし は炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、特 に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメシ 、トシル等が挙げられる。)、スルフィニル (好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭 数1~16、特に好ましくは炭素数1~12であり、例 えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィ ニル等が挙げられる。)、ウレイド基(好まし は炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、 に好ましくは炭素数1~12であり、例えばウレ ド、メチルウレイド、フェニルウレイド等 挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましく 炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、特に 好ましくは炭素数1~12であり、例えばジエチ リン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基 ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子 、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スル 基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキ ム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イ ノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1~30、よ り好ましくは炭素数1~12であり、ヘテロ原子 しては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄 子を含むものであり具体的には例えばイミ ゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チ ニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオ サゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチ ゾリル等が挙げられる。)、シリル基(好まし くは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、 に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリ メチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げ られる。)等が挙げられる。これらの置換基 さらに置換されても良い。また置換基が二 以上ある場合は、同一でも異なっていても い。また、可能な場合には互いに連結して を形成していても良い。

 式(2)のaは0~3の整数、bは0~4の整数である

 本発明の高分子化合物において、式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 のうち全てが式(2)で示される基であってもよ いが、式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 のうち1つ以上2つ以下が式(2)で示される基で ることが好ましく、さらに、式(1)のAr 1 、Ar 2 及びAr 3 の1つのみが、式(2)で示される基であること より好ましい。
 このように、式(2)で示される基を2つ、さら に1つのみ導入する方が、重合体の合成が行 やすくなるとともに、重合体の有機溶媒へ 溶解性が向上し、塗布性が向上して、ばら きのない素子特性(面内均一性が高まる)が得 られる。
 また、式(1)の少なくとも1つの結合手は、式 (2)で示される基以外に存在することが好まし く、2つの結合手が、式(2)で示される基以外 存在することがより、好ましい。例えば、 記式(1-a)のように、2つの結合手が、Ar 1 、Ar 2 に存在し、Ar 3 が式(2)となる(ここで、Ar 1 、Ar 2 は、式(2)で示される基以外の基、すなわち、 置換もしくは無置換の核炭素数6~60の芳香族 化水素基、又は、置換もしくは無置換の核 子数5~60の芳香族複素環基である。)。

 このようにすることにより、さらに、重 体の合成が行いやすくなるとともに、重合 の有機溶媒への溶解性が向上し、ばらつき ない素子特性(面内均一性が高まる)が得ら る。

 また、式(2)のXが、N、O及びSのいずれかであ る場合、L 1 と式(2)の結合位置は下記式(4)~(8)のいずれか あることが好ましい。このようにして、得 れた重合体層は、隣接層との膜密着性が上 り、発光効率、及び寿命が一層向上する

(式中、L 1 、R 1 、R 2 、R 3 、それぞれ式(2)と同様である。aは、0~3の整 、bは、0~4の整数である。)

 本発明の高分子化合物では、以下の繰り返 単位(9)~(15)を有することが好ましい。
(式中、Ar 1 、Ar 2 、L 1 、R 1 、R 2 、R 3 、それぞれ式(1)~(3)と同様である。aは、0~3の 数、bは、0~4の整数である。)

 また、下記式(1’)で示される繰り返し単位 有することも好ましい。
(式中、L 1 、Ar 1 、Ar 2 、R 2 は及びR 3 は、それぞれ上記式(1)~(3)と同様である。)

 式(1’)の繰り返し単位は下記式(1’-1)で示 れるものが好ましく、特に、下記式(1’-2)で 示されるものが好ましい。
(式中、L 1 、Ar 1 、Ar 2 、R 2 及びR 3 は、それぞれ式(1’)と同様である。)
(式中、L 1 、Ar 1 、Ar 2 、R 2 及びR 3 は、それぞれ式(1’)と同様である。但し、2 の結合手はそれぞれ、Ar 1 及びAr 2 上に存在する。)

 式(1-a)及び(1’-2)において、Ar 1 及びAr 2 が異なる基である場合、本発明の高分子化合 物は、下記式(14)又は(15)で示される構造のい れかを含んでいてもよい。
(式中、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ式(1)と同様である。)

 具体例を以下に示す。
(式中、Ar 1 ~Ar 3 、L 1 、R 1 ~R 3 、a及びbは、それぞれ式(1)~(3)と同様である。 )

 本発明の高分子化合物は、発光波長を変 させる観点、発光効率を高める観点、耐熱 を向上させる観点等から、本発明の高分子 合物が有する式(1)の構造に加え、それ以外 構造単位を1種類以上含ませてもよい。例え ば、下記式(16)~(19)で示される構造が好ましい 。

 式中、Ar 4 ~Ar 7 は、それぞれアリーレン基、2価の複素環基 は金属錯体を有する2価の基である。X 1 、X 2 及びX 3 は、それぞれ-CR 4 =CR 5 -、-C≡C-、-N(R 6 )-、-(SiR 7 R 8 ) m -、又は-C(R 9 R 10 )-である。ここで、R 4 及びR 5 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリー ル基、1価の複素環基、カルボキシル基、置 カルボキシル基又はシアノ基であり、R 6 ~R 10 は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリー ル基、1価の複素環基、アリールアルキル基 は置換アミノ基を含む基である。lは1又は2 整数であり、mは1~12の整数である。
 R 4 ~R 10 がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一 でも異なっていてもよい。
 尚、R 4 ~R 10 が示すアルキル基、アリール基、1価の複素 基、置換カルボキシル基、アリールアルキ 基又は置換アミノ基の具体例は、上述した (1)のAr 1 、Ar 2 、Ar 3 の置換基と同様である。

 Ar 4 ~Ar 7 が示すアリーレン基とは、芳香族炭化水素か ら、水素原子2個を除いた原子団であり、縮 環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮 環2個以上が直接又はビニレン等の基を介し 結合したものも含まれる。アリーレン基は 換基を有していてもよい。置換基の例は、 述した式(1)のAr 1 、Ar 2 、Ar 3 の置換基と同様である。
 アリーレン基における置換基を除いた部分 炭素数は通常6~60程度であり、好ましくは6~2 0である。また、アリーレン基の置換基を含 た全炭素数は、通常6~100程度である。

 アリーレン基としては、フェニレン基、 フタレンジイル基、アントラセン-ジイル基 、ビフェニル-ジイル基、フルオレン-ジイル 、ターフェニル-ジイル基、縮合環化合物基 、スチルベン-ジイル,ジスチルベン-ジイル等 が例示される。中でもフェニレン基、ビフェ ニレン基、フルオレン-ジイル基、スチルベ -ジイル基が好ましい。

 Ar 4 ~Ar 7 における2価の複素環基とは、複素環化合物 ら水素原子2個を除いた残りの原子団をいい 該基は置換基を有していてもよい。2価の複 素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい 。置換基の例は、上述した式(1)のAr 1 、Ar 2 、Ar 3 の置換基と同様である。
 2価の複素環基における置換基を除いた部分 の炭素数は通常3~60程度である。また、2価の 素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常3 ~100程度である。

 2価の複素環基としては、例えば以下のもの が挙げられる。
(1)ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素 基(ピリジン-ジイル基、ジアザフェニレン基 、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基 、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基 、フェナントロリンジイル基等)
(2)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素又は セレン等を含みフルオレン構造を有する基
(3)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫 黄又はセレン等を含む5員環複素環基
(4)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素又は セレン等を含む5員環縮合複素環基
(5)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫 黄又はセレン等を含む5員環複素環基でその テロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマー なっている基
(6)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫 黄又はセレン等を含む5員環複素環基でその テロ原子のα位でフェニル基に結合している 基
(7)ヘテロ原子として酸素、窒素又は硫黄等を 含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリ 基、チエニル基が置換した基

 Ar 4 ~Ar 7 における金属錯体構造を有する2価の基とは 有機配位子を有する金属錯体の有機配位子 ら水素原子を2個除いた残りの2価の基である 。
 有機配位子の炭素数は、通常4~60程度であり 、その例としては、8-キノリノール及びその 導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体 2-フェニル-ピリジン及びその誘導体、2-フ ニル-ベンゾチアゾール及びその誘導体、2- ェニル-ベンゾキサゾール及びその誘導体、 ルフィリン及びその誘導体等が挙げられる
 また、該錯体の中心金属としては、例えば アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジ ム、白金、金、ユーロピウム、テルビウム が挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分 子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯 体、三重項発光錯体等が挙げられる。

 式(16)~式(19)で示される構造単位の具体例 、特開2006-169265号公報を参照すればよい。

 尚、本発明の高分子化合物は、発光特性 電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式( 1)、式(16)~式(19)で示される構造単位以外の構 を含んでいてもよい。また、これらの繰り し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単 で連結されていてもよいし、繰り返し単位 それらの非共役部分が含まれていてもよい

 本発明の高分子化合物の具体例を以下に示 。尚、本発明はこれら例示化合物に限定さ るものではない。

 本発明の高分子化合物は、式(1)の構造単 をA、式(16)~式(19)の構造単位をBとしたとき ランダム共重合体(―ABBABBBAAABA―)、交互共重 合体(―ABABABABABAB―)、ブロック共重合体(―AAA AAABBBBBB―)、グラフト共重合体(単位Aと単位B どちらが主鎖であってもよいし、どちらが 鎖であってもよい)のいずれであってもよい

 本発明の高分子化合物の数平均分子量(Mn)は 、好ましくは10 3 ~10 8 、より好ましくは10 3 ~10 5 である。
また、重量平均分子量(Mw)は、好ましくは10 3 ~10 8 、より好ましくは10 4 ~10 6 である。尚、両分子量は、サイズ排除クロマ トグラフィー(SEC)を用い、標準ポリスチレン 検量して求めた値である。

 本発明の高分子化合物において、構造単 Aと構造単位Bのモル比は、0.1:99.9~100:0が好ま しく、10:90~100:0がより好ましく、30:70~100:0が に好ましい。

 本発明の高分子化合物は、有機EL素子用 料として好ましく使用できる。特に、有機EL 素子の正孔輸送材料(正孔輸送層、正孔注入 の材料)として好適である。

 本発明の有機EL素子は、陰極と陽極間に少 くとも発光層を含む一層以上の有機薄膜層 挟持されている有機EL素子であり、有機薄膜 層の少なくとも1層が、本発明の高分子化合 を単独もしくは混合物の成分として含有す 。
 本発明の有機EL素子は、前記有機薄膜層が 孔輸送層及び/又は正孔注入層を有し、本発 の高分子化合物がこれらに含有されている 好ましい。特に、本発明の高分子化合物が 成分として正孔輸送層又は正孔注入層に含 されていることが好ましい。

 以下、本発明の有機EL素子の素子構成につ て説明する。
(1)有機EL素子の構成
 本発明の有機EL素子の代表的な素子構成と ては、下記(1)~(13)等の構造を挙げることがで きる。
(1) 陽極/発光層/陰極
(2) 陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3) 陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰 極
(7) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰 極
(8) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子 注入層/陰極
(9) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/ 陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/ 陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光 /絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光 /電子注入層/陰極
 これらの中で通常(8)の構成が好ましく用い れるが、これらに限定されるものではない

 図1に(8)の構成を示す。この有機EL素子は 陽極10及び陰極20と、その間に挟持されてい る、正孔注入層30、正孔輸送層32、発光層34、 電子注入層36からなる。正孔注入層30、正孔 送層32、発光層34、電子注入層36が、複数の 機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層30,32 ,34,36の少なくとも一層が、本発明の化合物を 含有する。

 本発明の高分子化合物は、有機EL素子のど 有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域又 正孔輸送帯域に用いることができ、好まし は正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔注入 輸送層に用いることにより、分子が結晶化 にくく、有機EL素子を製造する際の歩留りが 向上する。
 本発明の高分子化合物を、有機薄膜層に含 させる量としては、30~100モル%が好ましい。

(2)基板
 本発明の発光素子は基板上に作製する。こ でいう基板は発光素子を支持する基板であ 、400~700nmの可視領域の光の透過率が50%以上 、平滑な基板が好ましい。

 具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙 られる。ガラス板としては、特にソーダ石 ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガ ス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホ ケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス 石英等が挙げられる。またポリマー板とし は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエ レンテレフタレート、ポリエーテルサルフ ン、ポリサルフォン等を挙げることができ 。
 尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が 置する場合には透光性は不要である。

(3)陽極
 本発明の有機EL素子の陽極は、正孔を正孔 送層又は発光層に注入する機能を有するも であり、4.5eV以上の仕事関数を有することが 効果的である。本発明に用いられる陽極材料 の具体例としては、酸化インジウム錫合金(IT O)、酸化錫(NESA)、インジウム-亜鉛酸化物、金 、銀、白金、銅等が挙げられる。
 陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパ タリング法等の方法で薄膜を形成させるこ により作製することができる。
 このように発光層からの発光を陽極から取 出す場合、陽極の発光に対する透過率が10% り大きくすることが好ましい。また、陽極 シート抵抗は、数百ω/□以下が好ましい。 極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1μm、 ましくは10~200nmの範囲で選択される。

(4)発光層
 有機EL素子の発光層は以下(1)~(3)の機能を併 持つものである。
(1)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入 より正孔を注入することができ、陰極又は 子注入層より電子を注入することができる 能
(2)輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界 の力で移動させる機能
(3)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供 発光させる機能
 ただし、正孔の注入されやすさと電子の注 されやすさに違いがあってもよく、また、 孔と電子の移動度で表される輸送能に大小 あってもよいが、どちらか一方の電荷を移 することが好ましい。
 この発光層を形成する方法としては、例え 蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の 法を適用することができる。発光層は、特 分子堆積膜であることが好ましい。ここで 子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から 着され形成された薄膜や、溶液状態又は液 状態の材料化合物から固体化され形成され 膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB 法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝 構造、高次構造の相違や、それに起因する 能的な相違により区分することができる。
 また、特開昭57-51781号公報に開示されてい ように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを 剤に溶かして溶液とした後、これをスピン ート法等により薄膜化することによっても 発光層を形成することができる。
 本発明においては、本発明の目的が損なわ ない範囲で、所望により発光層に本発明の 分子化合物からなる発光材料以外の他の公 の発光材料を含有させてもよく、また、本 明の高分子化合物からなる発光材料を含む 光層に、他の公知の発光材料を含む発光層 積層してもよい。

 本発明においては、以下に例示する発光 料の中から一種類の材料を用いてもよく、 た目的が損なわれない範囲で複数種を混合 て用いたり、他の公知の発光材料を含有さ てもよく、また複数種の発光層を積層して いても良い。

 発光層に使用できる発光材料(ホスト及び ドーパント)としては、例えば、アントラセ 、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、 トラセン、コロネン、クリセン、フルオレ イン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタ ペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナ タロペリノン、ジフェニルブタジエン、テ ラフェニルブタジエン、クマリン、オキサ アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾ ン、ビススチリル、ピラジン、シクロペン ジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリ 金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミ 、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセ 、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピ ン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾ ルキレート化オキシノイド化合物、キナク ドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられ が、これらに限定されるものではない。

 発光層に使用できるホスト材料の具体例と ては、下記(i)~(ix)で表される化合物が挙げ れる。
 下記式(i)で表される非対称アントラセン。

(式中、Ar 001 は置換もしくは無置換の核炭素数10~50(好まし くは10~30、より好ましくは10~20)の縮合芳香族 である。
 Ar 002 は置換もしくは無置換の核炭素数6~50(好まし は6~20、より好ましくは6~14)の芳香族基であ 。
 X 001 ~X 003 は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核 炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~1 4)の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子 5~50(好ましくは5~20)の芳香族複素環基、置換 もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは1~20、 より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8)のア キル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50( ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好ま しくは1~8)のアルコキシ基、置換もしくは無 換の炭素数6~50(好ましくは6~20、より好まし は6~14)のアラルキル基、置換もしくは無置換 の核原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールオ シ基、置換もしくは無置換の核原子数5~50(好 ましくは5~20)のアリールチオ基、置換もしく 無置換の炭素数1~50(好ましくは1~20、より好 しくは1~12、特に好ましくは1~8)のアルコキ カルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン 子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基で る。
 a、b及びcは、それぞれ0~4の整数である。
 nは1~3の整数である。また、nが2以上の場合 、[ ]内は、同じでも異なっていてもよい。 )
 尚、上記Ar 001 等の基が置換基を有する場合、置換基として は、上記式(1)(2)のAr 1 やL 1 等に示した例と同様な基が挙げられる。本明 細書において、後述する各式に示した基が置 換基を有する場合の置換基についても同様で ある。

 下記式(ii)で表される非対称モノアントラ セン誘導体。

(式中、Ar 003 及びAr 004 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 核炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは 6~14)の芳香族環基であり、
 m及びnは、それぞれ1~4の整数である。
 ただし、m=n=1でかつAr 003 とAr 004 のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場 合には、Ar 003 とAr 004 は同一ではなく、m又はnが2~4の整数の場合に mとnは異なる整数である。
 R 001 ~R 010 は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく は無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より 好ましくは6~14)の芳香族環基、置換もしくは 置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族 複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50( ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好 しくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置 のシクロアルキル基、置換もしくは無置換 炭素数1~50(好ましくは1~20、より好ましくは1 ~12、特に好ましくは1~8)のアルコキシ基、置 もしくは無置換の炭素数6~50(好ましくは6~20 より好ましくは6~14)のアラルキル基、置換も しくは無置換の核原子数5~50(好ましくは5~20) アリールオキシ基、置換もしくは無置換の 原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールチオ基 置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましく 1~20、より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8 )のアルコキシカルボニル基、置換もしくは 置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲ 原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基 ある。)

 下記式(iii)で表される非対称ピレン誘導 。

[式中、Ar 005 及びAr 006 は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の芳 族基である。
 L 001 及びL 002 は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレ ン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン 基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基 又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレ ン基である。
 mは0~2の整数、nは1~4の整数、sは0~2の整数、t は0~4の整数である。
 また、L 001 又はAr 005 は、ピレンの1~5位のいずれかに結合し、L 002 又はAr 006 は、ピレンの6~10位のいずれかに結合する。 だし、n+tが偶数の時、Ar 005 ,Ar 006 ,L 001 ,L 002 は下記(1)又は(2)を満たす。
(1) Ar 005 ≠Ar 006 及び/又はL 001 ≠L 002 (ここで≠は、異なる構造の基であることを す。)
(2) Ar 005 =Ar 006 かつL 001 =L 002 の時
 (2-1) m≠s及び/又はn≠t、又は
 (2-2) m=sかつn=tの時、
   (2-2-1) L 001 及びL 002 、又はピレンが、それぞれAr 005 及びAr 006 上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2 ) L 001 及びL 002 、又はピレンが、Ar 005 及びAr 006 上の同じ結合位置で結合している場合、L 001 及びL 002 又はAr 005 及びAr 006 のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2 位と7位である場合はない。]

 下記式(iv)で表される非対称アントラセン 誘導体。

(式中、A 001 及びA 002 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 核炭素数10~20の縮合芳香族環基である。
 Ar 007 及びAr 008 は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換も しくは無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、 より好ましくは6~14)の芳香族環基である。
 R 011 ~R 020 は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく は無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より 好ましくは6~14)の芳香族環基、置換もしくは 置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族 複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50( ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好 しくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置 のシクロアルキル基、置換もしくは無置換 炭素数1~50(好ましくは1~20、より好ましくは1 ~12、特に好ましくは1~8)のアルコキシ基、置 もしくは無置換の炭素数6~50(好ましくは6~20 より好ましくは6~14)のアラルキル基、置換も しくは無置換の核原子数5~50(好ましくは5~20) アリールオキシ基、置換もしくは無置換の 原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールチオ基 置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましく 1~20、より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8 )のアルコキシカルボニル基、置換もしくは 置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲ 原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ である。
 Ar 007 、Ar 007 、R 019 及びR 020 は、それぞれ複数であってもよく、隣接する もの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を 形成していてもよい。
 ただし、式(iv)において、中心のアントラセ ンの9位及び10位に、該アントラセン上に示す X-Y軸に対して対称型となる基が結合する場合 はない。)

 下記式(v)で表されるアントラセン誘導体

(式中、R 021 ~R 030 は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ ロアルキル基,置換してもよいアリール基, ルコキシル基,アリーロキシ基,アルキルアミ ノ基,アルケニル基,アリールアミノ基又は置 してもよい複素環式基を示し、
 a及びbは、それぞれ1~5の整数を示し、それ が2以上の場合、R 021 同士又はR 022 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、また、R 021 同士又はR 022 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R 023 とR 024 ,R 025 とR 026 ,R 027 とR 028 ,R 029 とR 030 がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L 003 は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置 してもよいアリール基である)、アルキレン 又はアリーレン基を示す。)

 下記式(vi)で表されるアントラセン誘導体 。

(式中、R 031 ~R 040 は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ ロアルキル基,アリール基,アルコキシル基, リーロキシ基,アルキルアミノ基,アリール ミノ基又は置換してもよい複数環式基を示 、
 c,d,e及びfは、それぞれ1~5の整数を示し、そ らが2以上の場合、R 031 同士,R 032 同士,R 036 同士又はR 037 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、またR 031 同士,R 032 同士,R 033 同士又はR 037 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R 033 とR 034 ,R 039 とR 040 がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L 004 は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置 してもよいアリール基である)、アルキレン 又はアリーレン基を示す。)

 下記式(vii)で表されるスピロフルオレン 導体。

(式中、A 005 ~A 008 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の ビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナ フチル基である。)

 下記式(viii)で表される縮合環含有化合物

(式中、A 011 ~A 013 はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の核 炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~1 4)のアリーレン基である。
 A 014 ~A 016 はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換もし くは無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、よ り好ましくは6~14)のアリール基である。
 R 041 ~R 043 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6の アルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、 炭素数1~6のアルコキシル基、炭素数5~18のア ールオキシ基、炭素数7~18のアラルキルオキ 基、炭素数5~16のアリールアミノ基、ニトロ 基、シアノ基、炭素数1~6のエステル基又はハ ロゲン原子を示し、A 011 ~A 016 のうち少なくとも1つは3環以上の縮合芳香族 を有する基である。)

 下記式(ix)で表されるフルオレン化合物。

(式中、R 051 及びR 052 は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基,置換ある は無置換の複素環基、置換アミノ基、シア 基又はハロゲン原子を表わす。異なるフル レン基に結合するR 051 同士、R 052 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR 051 及びR 052 は、同じであっても異なっていてもよい。R 053 及びR 054 は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基又は置換あ るいは無置換の複素環基を表わし、異なるフ ルオレン基に結合するR 053 同士、R 054 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR 053 及びR 054 は、同じであっても異なっていてもよい。Ar 011 及びAr 012 は、ベンゼン環の合計が3個以上の置換ある は無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン と複素環の合計が3個以上の置換あるいは無 換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多 複素環基を表わし、Ar 011 及びAr 012 は、同じであっても異なっていてもよい。n 、1乃至10の整数を表す。)

 以上の材料の中でも、好ましくはアント セン誘導体、さらに好ましくはモノアント セン誘導体、特に好ましくは非対称アント センである。

 燐光性ドーパントを使用する際のホスト 合物の具体例としては、カルバゾール環を む化合物が好ましい。カルバゾール環を含 化合物からなるりん光発光に好適なホスト 、その励起状態からりん光発光性化合物へ ネルギー移動が起こる結果、りん光発光性 合物を発光させる機能を有する化合物であ 。ホスト化合物としては励起子エネルギー りん光発光性化合物にエネルギー移動でき 化合物ならば特に制限はなく、目的に応じ 適宜選択することができる。カルバゾール 以外に任意の複素環等を有していても良い

 このようなホスト化合物の具体例としては カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体 オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘 体、イミダゾール誘導体、ポリアリールア カン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロ 誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導 、スチリルアントラセン誘導体、フルオレ ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン 導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン 合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメ リデン系化合物、ポルフィリン系化合物、 ントラキノジメタン誘導体、アントロン誘 体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン オキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、 ルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル ラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複 環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニ 誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体 メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾー やベンゾチアゾールを配位子とする金属錯 に代表される各種金属錯体ポリシラン系化 物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、ア リン系共重合体、チオフェンオリゴマー、 リチオフェン等の導電性高分子オリゴマー ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘 体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ ルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げ れる。ホスト化合物は単独で使用しても良 し、2種以上を併用しても良い。
 具体例としては、以下のような化合物が挙 られる。

 りん光発光性のドーパントは三重項励起子 ら発光することのできる化合物である。三 項励起子から発光する限り特に限定されな が、Ir、Ru、Pd、Pt、Os及びReからなる群から 択される少なくとも一つの金属を含む金属 体であることが好ましく、ポルフィリン金 錯体又はオルトメタル化金属錯体が好まし 。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフ リン白金錯体が好ましい。りん光発光性化 物は単独で使用しても良いし、2種以上を併 用しても良い。
 オルトメタル化金属錯体を形成する配位子 しては種々のものがあるが、好ましい配位 としては、2-フェニルピリジン誘導体、7,8- ンゾキノリン誘導体、2-(2-チエニル)ピリジ 誘導体、2-(1-ナフチル)ピリジン誘導体、2- ェニルキノリン誘導体等が挙げられる。こ らの誘導体は必要に応じて置換基を有して 良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメ ル基を導入したものが、青色系ドーパント しては好ましい。さらに補助配位子として セチルアセトナート、ピクリン酸等の上記 位子以外の配位子を有していても良い。
 りん光発光性のドーパントの発光層におけ 含有量としては、特に制限はなく、目的に じて適宜選択することができるが、例えば 0.1~70重量%であり、1~30重量%が好ましい。り 光発光性化合物の含有量が0.1重量%未満では 発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮 されず、70重量%を超える場合は、濃度消光と 言われる現象が顕著になり素子性能が低下す る。

 また、発光層は、必要に応じて正孔輸送 、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有 ても良い。

 発光層の膜厚は、好ましくは5~50nm、より ましくは7~50nm、最も好ましくは10~50nmである 。5nm未満では発光層形成が困難となり、色度 の調整が困難となる恐れがあり、50nmを超え と駆動電圧が上昇するおそれがある。

(5)正孔注入層・正孔輸送層(正孔注入・輸送 :正孔輸送帯域)
 正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を け、発光領域まで輸送する層であって、正 移動度が大きく、イオン化エネルギーが通 5.6eV以下と小さい。このような正孔注入・ 送層としては、より低い電界強度で正孔を 光層に輸送する材料が好ましく、さらに正 の移動度が、例えば10 4 ~10 6 V/cmの電界印加時に、少なくとも10 -4 cm 2 /V・秒であれば好ましい。
 本発明の高分子化合物を正孔輸送帯域に用 る場合、本発明の高分子化合物単独で正孔 入・輸送層を形成してもよく、他の材料と 合して用いてもよい。
 本発明においては、本発明の目的が損なわ ない範囲で、所望により正孔輸送層若しく 正孔注入層に、前記高分子化合物以外の有 化合物を含有させてもよく、また、本発明 高分子化合物を含む正孔輸送層若しくは正 注入層に、公知の有機化合物を含む他の正 輸送層若しくは正孔注入層を積層してもよ 。
 本発明の高分子化合物と混合して正孔注入 輸送層を形成する材料としては、前記の好 しい性質を有するものであれば特に制限は く、従来、光導伝材料において正孔の電荷 送材料として慣用されているものや、有機E L素子の正孔注入・輸送層に使用される公知 ものの中から任意のものを選択して用いる とができる。本発明においては、正孔輸送 を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能 材料を正孔輸送材料と呼ぶ。

 具体例としては、トリアゾール誘導体(米 国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジア ール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照) 、イミダゾール誘導体(特公昭37-16096号公報等 参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特 3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同 3,542,544号明細書、特公昭45-555号公報、同51-1 0983号公報、特開昭51-93224号公報、同55-17105号 報、同56-4148号公報、同55-108667号公報、同55- 156953号公報、同56-36656号公報等参照)、ピラゾ リン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許 3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特 昭55-88064号公報、同55-88065号公報、同49-105537 公報、同55-51086号公報、同56-80051号公報、同 56-88141号公報、同57-45545号公報、同54-112637号 報、同55-74546号公報等参照)、フェニレンジ ミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特 昭51-10105号公報、同46-3712号公報、同47-25336 公報、同54-119925号公報等参照)、アリールア ン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第 3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第 4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第 4,012,376号明細書、特公昭49-35702号公報、同39-2 7577号公報、特開昭55-144250号公報、同56-119132 公報、同56-22437号公報、西独特許第1,110,518号 明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体( 国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾ ール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に 示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特 開昭56-46234号公報等参照)、フルオレノン誘導 体(特開昭54-110837号公報等参照)、ヒドラゾン 導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54- 59143号公報、同55-52063号公報、同55-52064号公報 、同55-46760号公報、同57-11350号公報、同57-14874 9号公報、特開平2-311591号公報等参照)、スチ ベン誘導体(特開昭61-210363号公報、同第61-2284 51号公報、同61-14642号公報、同61-72255号公報、 同62-47646号公報、同62-36674号公報、同62-10652号 公報、同62-30255号公報、同60-93455号公報、同60 -94462号公報、同60-174749号公報、同60-175052号公 報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,9 50号明細書)、ポリシラン系(特開平2-204996号公 報)、アニリン系共重合体(特開平2-282263号公 )等を挙げることができる。

 正孔注入・輸送層の材料としては上記のも を使用することができるが、ポルフィリン 合物(特開昭63-295695号公報等に開示のもの) 芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア ン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開 53-27033号公報、同54-58445号公報、同55-79450号 報、同55-144250号公報、同56-119132号公報、同6 1-295558号公報、同61-98353号公報、同63-295695号 報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物 用いることが好ましい。
 また、米国特許第5,061,569号に記載されてい 2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例え ば、4,4’-ビス(N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミ )ビフェニル(NPD)、また特開平4-308688号公報 記載されているトリフェニルアミンユニッ が3つスターバースト型に連結された4,4’,4 -トリス(N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミ ノ)トリフェニルアミン(MTDATA)等を挙げること ができる。
 さらに、発光層の材料として示した前述の 香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p 型SiC等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材 料として使用することができる。

 正孔注入・輸送層は本発明の高分子化合物 、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、 ャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜 することにより形成することができる。正 注入・輸送層としての膜厚は特に制限はな が、通常は5nm~5μmである。この正孔注入・輸 送層は、正孔輸送帯域に本発明の高分子化合 物を含有していれば、上述した材料の一種又 は二種以上からなる一層で構成されてもよく 、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物か らなる正孔注入・輸送層を積層したものであ ってもよい。
 また、発光層への正孔注入又は電子注入を ける層として有機半導体層を設けてもよく 10 -10 S/cm以上の導電率を有するものが好適である このような有機半導体層の材料としては、 チオフェンオリゴマーや特開平8-193191号公報 に開示してある含アリールアミンオリゴマー 等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデ ンドリマー等の導電性デンドリマー等を用い ることができる。

(6)電子注入層及び電子輸送層(電子注入・輸 層)
 電子注入・輸送層は、発光層への電子の注 を助け、発光領域まで輸送する層であって 電子移動度が大きい。また、付着改善層は 電子注入層の中で特に陰極との付着が良い 料からなる層である。
 電子注入・輸送層は数nm~数μmの膜厚で適宜 ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇 避けるために、10 4 ~10 6 V/cmの電界印加時に電子移動度が少なくとも10 -5 cm 2 /Vs以上であることが好ましい。

 電子注入・輸送層に用いられる材料とし は、8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体 金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適 ある。8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体 の金属錯体の具体例としては、オキシン(一 に8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン) のキレートを含む金属キレートオキシノイド 化合物、例えばトリス(8-キノリノラト)アル ニウムを挙げることができる。

 オキサジアゾール誘導体としては、以下 式で表される電子伝達化合物が挙げられる

(式中、Ar 301 、Ar 302 、Ar 303 、Ar 305 、Ar 306 、及びAr 309 はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示 す。またAr 304 、Ar 307 、Ar 308 はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を 示す。)

 ここでアリール基としてはフェニル基、 フェニル基、アントラニル基、ペリレニル 、ピレニル基等が挙げられる。また、アリ レン基としてはフェニレン基、ナフチレン 、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペ レニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。 た、置換基としては炭素数1~10のアルキル基 、炭素数1~10のアルコキシ基又はシアノ基等 挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形 性のものが好ましい。

 上記電子伝達性化合物の具体例としては下 のものを挙げることができる。
(Meはメチル基、tBuはtブチル基を示す。)

 さらに、電子注入・輸送層に用いられる材 として、下記式(A)~(F)で表されるものも用い ることができる。

(式(A)及び(B)中、A 311 ~A 313 は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
 Ar 311 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま くは6~20、より好ましくは6~14)のアリール基 又は置換もしくは無置換の核原子数3~60(好 しくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロア ール基であり、Ar 311’ は、置換もしくは無置換の核原子数6~60(好ま くは6~20、より好ましくは6~14)のアリーレン 又は置換もしくは無置換の核炭素数3~60(好 しくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロア ーレン基であり、Ar 312 は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素 数6~60(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の リール基、置換もしくは無置換の核原子数3 ~60(好ましくは3~20、より好ましくは3~14)のヘ ロアリール基、置換もしくは無置換の炭素 1~20(好ましくは1~12、より好ましくは1~8)のア キル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1 ~20(好ましくは1~12、より好ましくは1~8)のアル コキシ基である。ただし、Ar 311 及びAr 312 のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核 炭素数10~60(好ましくは10~30、より好ましくは1 0~20)の縮合環基、又は置換もしくは無置換の 原子数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3 ~14)のモノヘテロ縮合環基である。
 L 311 、L 312 及びL 313 は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60のアリーレン基、置換もしく 無置換の核原子数3~60のヘテロアリーレン基 又は置換もしくは無置換のフルオレニレン である。
 R及びR 311 は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60のアリール基、置換もしくは 置換の核原子数3~60のヘテロアリール基、置 もしくは無置換の炭素数1~20(好ましくは1~12 より好ましくは1~8)のアルキル基、又は置換 もしくは無置換の炭素数1~20(好ましくは1~12、 より好ましくは1~8)のアルコキシ基であり、n 0~5の整数であり、nが2以上の場合、複数のR 同一でも異なっていてもよく、また、隣接 るR基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又 は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。 )で表される含窒素複素環誘導体。

     HAr-L 314 -Ar 321 -Ar 322   (C)
(式中、HArは、置換基を有していてもよい炭 数3~40(好ましくは3~30、より好ましくは3~24)の 含窒素複素環であり、L 314 は、単結合、置換基を有していてもよい炭素 数6~60(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の リーレン基、置換基を有していてもよい炭 数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3~14) ヘテロアリーレン基又は置換基を有してい もよいフルオレニレン基であり、Ar 321 は、置換基を有していてもよい炭素数6~60(好 しくは6~20、より好ましくは6~14)の2価の芳香 族炭化水素基であり、Ar 322 は、置換基を有していてもよい炭素数6~60(好 しくは6~20、より好ましくは6~14)のアリール 又は置換基を有していてもよい炭素数3~60( ましくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロ リール基である。)で表される含窒素複素環 導体。

(式中、X 301 及びY 301 は、それぞれ炭素数1~6の飽和もしくは不飽和 の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオ キシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基 、置換もしくは無置換のアリール基、置換も しくは無置換のヘテロ環又はXとYが結合して 和又は不飽和の環を形成した構造であり、R 301 ~R 304 は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキ ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パ ーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコ キシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、 アリールカルボニル基、アルコキシカルボニ ル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基 、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカ ルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオ キシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基 、スルフィニル基、スルフォニル基、スルフ ァニル基、シリル基、カルバモイル基、アリ ール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキ ニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基 、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネ ート基、イソシアネート基、チオシアネート 基、イソチオシアネート基又はシアノ基であ る。これらの基は置換されていてもよい。ま た、隣接した基が置換もしくは無置換の縮合 環を形成してもよい。)で表されるシラシク ペンタジエン誘導体。

(式中、R 321 ~R 328 及びZ 322 は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽 和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ 環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコ キシ基又はアリールオキシ基を示し、X 302 、Y 302 及びZ 321 は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水 素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換 アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ 基を示し、Z 321 とZ 322 は相互に結合して縮合環を形成してもよく、 nは1~3の整数を示し、n又は(3-n)が2以上の場合 R 321 ~R 328 、X 302 、Y 302 、Z 322 及びZ 321 は同一でも異なってもよい。但し、nが1、X、 Y及びR 322 がメチル基でR 328 が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及び nが3でZ 321 がメチル基の化合物を含まない。)で表され ボラン誘導体。

[式中、Q 301 及びQ 302 は、それぞれ、下記式(K)で示される配位子を 表し、L 315 は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のア ルキル基、置換もしくは無置換のシクロアル キル基、置換もしくは無置換のアリール基、 置換もしくは無置換の複素環基、-OR(Rは、水 原子、置換もしくは無置換のアルキル基、 換もしくは無置換のシクロアルキル基、置 もしくは無置換のアリール基、置換もしく 無置換の複素環基である。)又は-O-Ga-Q 303 (Q 304 )(Q 303 及びQ 304 は、Q 301 及びQ 302 と同じ)で示される配位子を表す。]で表され ガリウム錯体。

[式中、環A 301 及びA 302 は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合 した6員アリール環構造である。]

 この金属錯体は、n型半導体としての性質が 強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯 体形成時の生成エネルギーも低いために、形 成した金属錯体の金属と配位子との結合性も 強固になり、発光材料としての蛍光量子効率 も大きい。
 式(K)の配位子を形成する環A 301 及びA 302 の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭 素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル 基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s-ブ ル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル 、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基 トリクロロメチル基等の置換もしくは無置 のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、 フェニル基、アントラニル基、フェナント ル基、フルオレニル基、ピレニル基、3-メチ ルフェニル基、3-メトキシフェニル基、3-フ オロフェニル基、3-トリクロロメチルフェニ ル基、3-トリフルオロメチルフェニル基、3- トロフェニル基等の置換もしくは無置換の リール基、メトキシ基、n-ブトキシ基、t-ブ キシ基、トリクロロメトキシ基、トリフル ロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ 、2,2,3,3-テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1 ,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロポキシ基、6-(パ フルオロエチル)ヘキシルオキシ基等の置換 しくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ 、p-ニトロフェノキシ基、p-t-ブチルフェノ シ基、3-フルオロフェノキシ基、ペンタフ オロフェノキシ基、3-トリフルオロメチルフ ェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリー ルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、 t-ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチル オ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換 しくは無置換のアルキルチオ基、フェニル オ基、p-ニトロフェニルチオ基、p-t-ブチル ェニルチオ基、3-フルオロフェニルチオ基 ペンタフルオロフェニルチオ基、3-トリフル オロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは 無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ 基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルア ミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基 、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、 ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミ ノ基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビ (アセトキシエチル)アミノ基、ビス(アセト シプロピル)アミノ基、ビス(アセトキシブ ル)アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、 ロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メ ルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル 、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバ イル基、プロイピルカルバモイル基、ブチ カルバモイル基、フェニルカルバモイル基 の置換もしくは無置換のカルバモイル基、 ルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、 クロペンタン基、シクロヘキシル基等のシ ロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル 、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリ ジニル基、インドリニル基、キノリニル基 アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキ ニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニ 基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フ ニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基 オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル 、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベン チアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾ ル基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基 がある。また、以上の置換基同士が結合し さらなる6員アリール環もしくは複素環を形 成してもよい。

 有機EL素子の好ましい形態では、電子を 送する領域又は陰極と有機層の界面領域に 還元性ドーパントを含有する。ここで、還 性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還 ができる物質と定義される。従って、一定 還元性を有するものであれば、様々なもの 用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカ 土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸 物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカ 土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハ ゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類 属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩 アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の 酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ 類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体 らなる群から選択される少なくとも一つの 質を好適に使用することができる。

 また、より具体的に、好ましい還元性ドー ントとしては、Li(仕事関数:2.9eV)、Na(仕事関 数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16e V)及びCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択 れる少なくとも一つのアルカリ金属や、Ca( 事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0~2.5eV)、及びBa( 事関数:2.52eV)からなる群から選択される少な くとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる 仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。
 これらのうち、より好ましい還元性ドーパ トは、K、Rb及びCsからなる群から選択され 少なくとも一つのアルカリ金属であり、さ に好ましくは、Rb又はCsであり、最も好まし のは、Csである。

 これらのアルカリ金属は、特に還元能力が く、電子注入域への比較的少量の添加によ 、有機EL素子における発光輝度の向上や長 命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下 の還元性ドーパントとして、これら2種以上 アルカリ金属の組み合わせも好ましく、特 、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、Cs とK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせ あることが好ましい。
 Csを組み合わせて含むことにより、還元能 を効率的に発揮することができ、電子注入 への添加により、有機EL素子における発光輝 度の向上や長寿命化が図られる。

 本発明においては陰極と有機層の間に絶縁 や半導体で構成される電子注入層をさらに けてもよい。この時、電流のリークを有効 防止して、電子注入性を向上させることが きる。
 このような絶縁体としては、アルカリ金属 ルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲ イド、アルカリ金属のハロゲン化物及びア カリ土類金属のハロゲン化物からなる群か 選択される少なくとも一つの金属化合物を 用するのが好ましい。電子注入層がこれら アルカリ金属カルコゲナイド等で構成され いれば、電子注入性をさらに向上させるこ ができる点で好ましい。

 具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲ イドとしては、例えば、Li 2 O、LiO、Na 2 S、Na 2 Se及びNaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類 属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、B aO、SrO、BeO、BaS、及びCaSeが挙げられる。また 、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物とし ては、例えば、LiF、NaF、KF、CsF,LiCl、KCl及びNa Cl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ 類金属のハロゲン化物としては、例えば、C aF 2 、BaF 2 、SrF 2 、MgF 2 及びBeF 2 といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲ ン化物が挙げられる。

 また、電子注入・輸送層を構成する半導体 しては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、C d、Mg、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元 を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の 種単独又は二種以上の組み合わせが挙げら る。
 また、電子注入・輸送層を構成する無機化 物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であ ことが好ましい。電子輸送層がこれらの絶 性薄膜で構成されていれば、より均質な薄 が形成されるために、ダークスポット等の 素欠陥を減少させることができる。
 尚、このような無機化合物としては、上述 たアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ 類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハ ゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン 物等が挙げられる。

(7)陰極
 陰極としては、電子注入・輸送層又は発光 に電子を注入するため、仕事関数の小さい( 4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及び れらの混合物を電極物質とするものが用い れる。このような電極物質の具体例として 、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金 マグネシウム、リチウム、マグネシウム・ 合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、ア ミニウム・リチウム合金、インジウム、希 類金属等が挙げられる。
 この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパ タリング等の方法により薄膜を形成させる とにより、作製することができる。
 ここで発光層からの発光を陰極から取り出 場合、陰極の発光に対する透過率は10%より きくすることが好ましい。
 また、陰極としてのシート抵抗は数百ω/□ 下が好ましく、膜厚は通常10nm~1μm、好まし は50~200nmである。

(8)絶縁層
 有機EL素子は超薄膜に電界を印可するため 、リークやショートによる画素欠陥が生じ すい。これを防止するために、一対の電極 に絶縁性の薄膜層を挿入することが好まし 。
 絶縁層に用いられる材料としては例えば酸 アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウ 、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグ シウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウ 、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸 チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒 珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化 テニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、 れらの混合物や積層物を用いてもよい。

(9)有機EL素子の製造方法
 有機EL素子を作製する方法については、例 ば上記の材料及び方法により、陽極から、 要な層を順次形成し、最後に陰極を形成す ばよい。また、陰極から陽極へ、逆の順序 有機EL素子を作製することもできる。

 以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層/ 光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成 の有機EL素子の作製例について説明する。
 まず、透光性基板上に、陽極材料からなる 膜を蒸着法あるいはスパッタリング法によ 形成し、陽極とする。次に、この陽極上に 孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、 空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、L B法等の方法により行うことができるが、均 な膜が得られやすく、かつピンホールが発 しにくい等の点から真空蒸着法により形成 ることが好ましく、大面積化及び、低コス 化という観点からは、スピンコート法等の 布法により形成することが好ましい。真空 着法により正孔注入層を形成する場合、そ 蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材 )、目的とする正孔注入層の構造等により異 なるが、一般に蒸着源温度50~450℃、真空度10 -7 ~10 -3 Torr、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300℃で 適宜選択することが好ましい。

 次に、正孔注入層上に発光層を設ける。 光層の形成も、真空蒸着法、スパッタリン 、スピンコート法、キャスト法等の方法に り、発光材料を薄膜化することにより形成 きるが、均質な膜が得られやすく、かつピ ホールが発生しにくい等の点から真空蒸着 により形成することが好ましく、大面積化 び、低コスト化という観点からは、スピン ート法などの塗布法により形成することが ましい。真空蒸着法により発光層を形成す 場合、その蒸着条件は使用する化合物によ 異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同 な条件範囲の中から選択することができる

 次に、発光層上に電子注入層を設ける。こ 場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質 膜を得る必要から真空蒸着法により形成す ことが好ましく、大面積化及び、低コスト という観点からは、スピンコート法等の塗 法により形成することが好ましい。蒸着条 は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲か 選択することができる。
 そして、最後に陰極を積層して有機EL素子 得ることができる。陰極は蒸着法、スパッ リングにより形成できる。下地の有機物層 製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法 好ましい。
 以上の有機EL素子の作製は、一回の真空引 で、一貫して陽極から陰極まで作製するこ が好ましい。

 有機EL素子の各層の形成方法は特に限定さ ない。本発明の化合物を含有する有機薄膜 は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるい は本発明の化合物を溶媒に解かした溶液を使 用した塗布法等、公知の方法で形成すること ができる。
 前記塗布法としては、例えば、スピンコー 法、キャスティング法、マイクログラビア ート法、グラビアコート法、バーコート法 ロールコート法、ワイアーバーコート法、 ィップコート法、スプレーコート法、スク ーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセソト 刷法、インクジェソトプリント法等が挙げ れる。パターン形成が容易であるという点 、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オ セソト印刷法、インクジェット印刷法が好 しい。これらの方法による成膜は当業者に 知の条件により行うことができ、その詳細 省略する。

 成膜用溶液は、少なくとも1種類の本発明 の高分子化合物を含有していればよく、また 該高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸 送材料、発光材料、溶媒、安定剤等の添加剤 を含んでいてもよい。該成膜用溶液中の該高 分子化合物の含有量は、溶媒を除いた組成物 の全重量に対して1~100重量%が好ましく、50~100 重量%がより好ましい。溶媒の割合は、成膜 溶液の0.1~20重量%が好ましく、0.5~10重量%がよ り好ましい。

 成膜用溶液は、粘度及び/又は表面張力を 調節するための添加剤、例えば、増粘剤(高 子量化合物、本発明の高分子化合物の貧溶 など)、粘度降下剤(低分子量化合物など)、 面活性剤などを含有していてもよい。また 保存安定性を改善するために、フェノール 酸化防止剤、リン系酸化防止剤など、有機EL 素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有し ていてもよい。

 成膜用溶液の溶媒としては、クロロホル 、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、四塩 化炭素、テトラクロロエタン、1,1,2-トリクロ ロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベン ン等の塩素系溶媒、ジブチルエーテル、テ ラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール のエーテル系溶媒;ベンゼン、ドデシルベン ゼン、トルエン、クロロトルエン、キシレン 等のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲンを 有しても良い芳香族系溶媒;シクロへキサン メチルシクロへキサン、n-ペンタン、n-へキ ン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n- カン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセトン、 チルエチルケトン、メチルブチルケトン、 クロへキサノン、シクロヘプタノン、シク ペンタノン、シクロオクタノン、べンゾフ ノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒;酢 酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブア セテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル、 酢酸アミル等のエステル系溶媒;エチレング コール、エチレングリコールモノブチルエ テル、エチレングリコールモノエチルエー ル、エチレングリコールモノメチルエーテ 、ジメトキシエタン、プロピレングリコー 、ジエトキシメタン、トリエチレングリコ ルモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-へ サンジオール、等の多価アルコール及びそ 誘導体;メタノール、エタノール、プロパノ ール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノ ール、オクタノール、ノナノール、ベンジル アルコール、イソプロパノール、シクロへキ サノール、エチルセロソルブ等のアルコール 系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキ ド系溶媒;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチ ホルムアミド等のアミド系溶媒が例示され 。また、これらの有機溶媒は、単独で、又 複数組み合わせて用いることができる。こ らのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特 等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エ テル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エス ル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トル ン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチル ンゼン、トリメチルベンゼン、n-プロピル ンゼン、イソプロピルベンゼン、n-ブチルベ ンゼン、イソブチルベンゼン、5-ブチルベン ン、n-へキシルベンゼン、シクロへキシル ンゼン、1-メチルナフタレン、テトラリン、 アニソール、エトキシベンゼン、シクロへキ サン、ビシクロへキシル、シクロヘキセニル シクロヘキサノン、n-ヘプチルシクロへキサ 、n-へキシルシクロヘキサン、デカリン、 息香酸メチル、シクロへキサノン、2-プロピ ルシクロへキサノン、2-へプタノン、3-へプ ノン、4-へプタノン、2-オクタノン、2-ノナ ン、2-デカノン、ジシクロへキシルケトン、 アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ま しい。

 以下、本発明を実施例によりさらに詳細に 明する。
 下記の中間体1~17を合成し、後述する実施例 1~3において高分子化合物(A)~(C)を合成した。

[中間体の合成]
中間体1
 9-フェニルカルバゾール17.7g、ヨウ化カリウ ム6.03g、ヨウ素酸カリウム7.78g、硫酸5.90mL及 エタノールを入れ、75℃にて2時間反応した
 冷却後、上水、酢酸エチルを加えて分液、 出した後、重曹水、上水を用いて有機層を 浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカ ルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し 得られた固体を減圧乾燥したところ、21.8gの 白色固体を得た。FD-MS(フィールドディソープ ションマススペクトル)の分析により、中間 1と同定した。

中間体2
 アルゴン気流下、中間体1を13.1gに脱水トル ン、脱水エーテルを加え、-45℃に冷却し、n -ブチルリチウムヘキサン溶液(1.58M)を25mL滴下 して、攪拌しながら1時間かけて-5℃まで昇温 した。再び-45℃まで冷却し、ボロン酸トリイ ソプロピルエステル25mLをゆっくり滴下して ら2時間反応した。
 室温に戻した後、10%希塩酸溶液を加えて攪 し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄 た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ 後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲ クロマトグラフィー(トルエン)で精製し、 られた個体をn-ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥 したところ、7.10gの固体を得た。FD-MSの分析 より、中間体2と同定した。

中間体3
 中間体1を21.8g、4-ブロモフェニルボロン酸11 .8g、Pd(PPh 3 ) 4 1.38g、炭酸ナトリウム21.9g、上水及びジメト シエタンを入れ、還流下にて8時間反応した
 冷却後、反応溶液をろ過し、ろ過残渣をア トンで、分液した水層をジクロロメタンで 出し、集めたろ液を分液して、アセトン、 クロロメタンを加えて分液し、ろ過残渣を セトンで、分液した水層をジクロロメタン 抽出して、集めた有機層を上水で洗浄し、 縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロ トグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=9:1) で精製し、得られた固体をトルエン、メタノ ールで再結晶して、減圧乾燥したところ、4.1 8gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、中 体3と同定した。

中間体4
 アルゴン気流下、ジフェニルアミン3.7g、中 間体3を8.0g、Pd 2 (dba) 3 231mg、P(t-Bu) 3 325mg、ターシャルブトキシナトリウム2.9g、ト ルエンを入れて、80℃にて4時間反応した。尚 、「dba」はジベンジリデンアセトンを意味す る。
 冷却後、トルエンを加えてセライトろ過を た後ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグ フィー(ヘキサン:ジクロロメタン=6:1)で精製 し、得られた個体をn-ヘキサンで洗浄して減 乾燥したところ、7.0gの黄白色固体を得た。 FD-MSの分析により、中間体4と同定した。

中間体5
 アルゴン気流下、中間体4を7.0g、脱水N,N-ジ チルホルムアミドに入れてアイスバスによ 冷却し、N-ブロモスクシンイミド5.3gを溶解 た脱水N,N-ジメチルホルムアミド溶液を滴下 した。滴下後、室温にて4時間反応した。
 その後、析出した結晶をろ過して取り出し メタノールで洗浄した。その後、減圧乾燥 たところ、7.3gの白色固体を得た。FD-MSの分 により、中間体5と同定した。

中間体6
 アルゴン気流下、中間体5を3.7g、ビスピナ ラートジボロン4.1g、PdCl 2 (dppf)395mg、ビス(ジフェニルホスフィノ)フェ セン274mg、酢酸カリウム3.3g、脱水ジオキサ を入れて、100℃にて28時間還流反応した。尚 、「dppf」はジフェニルホスフィノフェロセ を意味する。
 冷却後、セライトろ過をして、得られたろ を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー( トルエン)で精製し、得られた固体をトルエ 、エタノールで再結晶して、減圧乾燥した ころ、2.9gの白色固体を得た。FD-MSの分析に り、中間体6と同定した。

中間体7
 中間体3の合成において、中間体1の代わり 中間体2を用いて、4-ブロモフェニルボロン の代わりに2-ブロモ-7-ヨード-9、9-ジメチル ルオレンを用いて同様の方法で合成した。FD -MSの分析により、中間体7と同定した。

中間体8
 中間体4の合成において、中間体3の代わり 中間体7を用いて同様の方法で合成した。FD-M Sの分析により、中間体8と同定した。

中間体9
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体8を用いて同様の方法で合成した。FD-M Sの分析により、中間体9と同定した。

中間体10
 中間体6の合成において、中間体5の代わり 中間体9を用いて同様の方法で合成した。FD-M Sの分析により、中間体10と同定した。

中間体11
 中間体4の合成において、ジフェニルアミン の代わりにオルトメチルアニリンを用いて、 中間体3の代わりに4、4’-ジブロモビフェニ を用いて同様の方法で合成した。FD-MSの分析 により、中間体11と同定した。

中間体12
 中間体3の合成において、4-ブロモフェニル ロン酸の代わりにフェニルボロン酸を用い 同様の方法で合成した。FD-MSの分析により 中間体12と同定した。

中間体13
 中間体1の合成において、9-フェニルカルバ ールの代わりに中間体12を用いて同様の方 で合成した。FD-MSの分析により、中間体13と 定した。

中間体14
 中間体3の合成において、中間体1の代わり 中間体13を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体14と同定した。

中間体15
 中間体4の合成において、ジフェニルアミン の代わりに中間体11を用いて、中間体3の代わ りに中間体14を用いて同様の方法で合成した FD-MSの分析により、中間体15と同定した。

中間体16
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体15を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体16と同定した。

中間体17
 中間体6の合成において、中間体5の代わり 中間体16を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体17と同定した。

[高分子化合物の合成]
実施例1
 下記の高分子化合物(A)を合成した。

 アルゴン気流下、上記中間体5を2.7g、中間 6を2.9g、Pd(PPh 3 ) 4  231mg、Aliquat336(アルドリッチ製)0.5g、2M炭酸 トリウム水溶液25mL、トルエン25mL中、還流下 に28時間反応した。反応後、ブロモ基を末端 鎖さるため、フェニルホウ酸100mgを加えて 流下に4時間反応した。その後、ボロネート を末端封鎖するためにブロモベンゼン100mg 加えて還流下に4時間反応した。
 冷却後、反応溶液をメタノール中に注ぎ、 出したポリマーをメタノール、希塩酸水溶 で洗浄し、乾燥したところ化合物Aを2.5g得 。
 得られた高分子化合物(A)の分子量はMn=11000 Mw=23000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例2
 下記の高分子化合物(B)を合成した。

 化合物(A)の合成において、中間体5の代わり に中間体9を用いて、中間体6の代わりに中間 10を用いて同様の方法で合成した。
 得られた高分子化合物(B)の分子量はMn=19000 Mw=40000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例3
 下記の高分子化合物(C)を合成した。

 化合物(A)の合成において、中間体5の代わり に中間体16を用いて、中間体6の代わりに中間 体17を用いて同様の方法で合成した。
 得られた高分子化合物(C)の分子量はMn=50000 Mw=100000(標準ポリスチレンで検量)であった。

[有機EL素子の作製]
実施例4
 25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基 (ジオマティック社製)をイソプロピルアルコ ール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオ ゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電 ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが 成されている側の面上に前記透明電極を覆 ようにして、スピンコート法で正孔注入層 用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ リスチレンスルホン酸(PEDOT・PSS)を60nmの膜 で成膜した。次に、この膜の上に、上記化 物(A)の1.0重量%トルエン溶液を用いて、スピ コートにより20nmの厚みで成膜した。均一な 膜が得られた。この膜は正孔輸送層として機 能する。これを減圧下120℃で1時間乾燥した 、さらに、膜厚40nmの下記化合物EM1を蒸着し 膜した。同時に発光分子として、下記のス リル基を有するアミン化合物D1を、EM1とD1の 重量比が40:2になるように蒸着した。この膜 、発光層として機能する。この膜上に膜厚10 nmのAlq膜を成膜した。これは、電子注入層と て機能する。この後、還元性ドーパントで るLi(Li源:サエスゲッター社製)とAlqを二元蒸 着させ、電子注入層(陰極)としてAlq:Li膜(膜厚 10nm)を形成した。このAlq:Li膜上に金属Alを蒸 させ金属陰極を形成し有機EL素子を製造した 。
 得られた有機EL素子について、発光色を観 し、初期輝度2000cd/m 2 、室温、DC定電流駆動での発光効率、及び半 寿命を測定した結果を表1に示す。

実施例5,6
 実施例4において、正孔輸送材料として化合 物(A)の代わりに表1に記載の化合物を用いた 外は同様にして有機EL素子を作製し、評価し た。結果を表1に示す。

実施例7
 実施例4において、スチリル基を有するアミ ン化合物D1の代わりに下記アリールアミン化 物D2を用いた以外は同様にして有機EL素子を 作製し、評価した。結果を表1に示す。

実施例8
 25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基 (ジオマティック社製)をイソプロピルアルコ ール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオ ゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電 ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが 成されている側の面上に前記透明電極を覆 ようにして、上記化合物(A)の1.0重量%トルエ ン溶液を用いて、スピンコートにより60nmの みで成膜した。均一な膜が得られた。この は正孔注入輸送層として機能する。これを 圧下120℃で1時間乾燥した後、さらに、膜厚4 0nmの化合物EM1を蒸着し成膜した。同時に発光 分子として、下記のスチリル基を有するアミ ン化合物D1を、EM1とD1の重量比が40:2になるよ に蒸着した。この膜は、発光層として機能 る。この膜上に膜厚10nmのAlq膜を成膜した。 これは、電子注入層として機能する。この後 、還元性ドーパントであるLi(Li源:サエスゲッ ター社製)とAlqを二元蒸着させ、電子注入層( 極)としてAlq:Li膜(膜厚10nm)を形成した。この Alq:Li膜上に金属Alを蒸着させ金属陰極を形成 有機EL素子を製造した。
 得られた有機EL素子について、実施例4と同 に評価した。結果を表1に示す。

実施例9
 25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基 (ジオマティック社製)をイソプロピルアルコ ール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオ ゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電 ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが 成されている側の面上に前記透明電極を覆 ようにして、上記化合物(A)の1.0重量%トルエ ン溶液を用いて、スピンコートにより40nmの みで成膜した。均一な膜が得られた。この は正孔注入層として機能する。これを減圧 120℃で1時間乾燥した。その上に正孔輸送層 して、N,N,N’,N’-テトラキス(4-ビフェニル)- 4,4’-ベンジジンを20nmの厚さに蒸着した。さ に、膜厚40nmの化合物EM1を蒸着し成膜した。 同時に発光分子として、下記のスチリル基を 有するアミン化合物D1を、EM1とD1の重量比が40 :2になるように蒸着した。この膜は、発光層 して機能する。この膜上に膜厚10nmのAlq膜を 成膜した。これは、電子注入層として機能す る。この後、還元性ドーパントであるLi(Li源: サエスゲッター社製)とAlqを二元蒸着させ、 子注入層(陰極)としてAlq:Li膜(膜厚10nm)を形成 した。このAlq:Li膜上に金属Alを蒸着させ金属 極を形成し有機EL素子を製造した。
 得られた有機EL素子について、実施例4と同 に評価した。結果を表1に示す。

比較例1
 実施例4において、正孔輸送材料として化合 物(A)を成膜する代わりにポリ(N-ビニルカルバ ゾール)(PVCz)の1.0重量%塩化メチレン溶液を用 て、スピンコートにより60nmの厚みで成膜し た以外は同様にして有機EL素子を作製した。
 得られた有機EL素子について、実施例4と同 に評価した。結果を表1に示す。

 下記の中間体18~40を合成し、後述する実施 において高分子化合物(D)~(H)を合成した。

[中間体の合成]
中間体18
 アルゴン気流下、ジベンゾフランを5.8gに脱 水トルエン、脱水エーテルを加え、-45℃に冷 却し、n-ブチルリチウムヘキサン溶液(1.58M)を 26mL滴下して、攪拌しながら1時間かけて-5℃ で昇温した。再び-45℃まで冷却し、ボロン トリイソプロピルエステル25mLをゆっくり滴 してから2時間反応した。
 室温に戻した後、10%希塩酸溶液を加えて攪 し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄 た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ 後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲ クロマトグラフィー(トルエン)で精製し、 られた個体をn-ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥 したところ、5.3gの固体を得た。FD-MSの分析に より、中間体18と同定した。

中間体19
 中間体3の合成において、中間体1の代わり 中間体18を用い、4-ブロモフェニルボロン酸 代わりに、1-ブロモ-4-ヨードフェニルを用 て、同様の方法で合成した。
FD-MSの分析により、中間体19と同定した。

中間体20
 中間体4の合成において、中間体3の代わり 中間体19を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体20と同定した。

中間体21
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体20を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体21と同定した。

中間体22
中間体6の合成において、中間体5の代わりに 間体21を用いて同様の方法で合成した。FD-MS の分析により、中間体22と同定した。

中間体23
  中間体3の合成において、中間体1の代わり に中間体18を用いて、4-ブロモフェニルボロ 酸の代わりに2-ブロモ-7-ヨード-9、9-ジメチ フルオレンを用いて同様の方法で合成した FD-MSの分析により、中間体23と同定した。

中間体24
 中間体4の合成において、中間体3の代わり 中間体23を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体24と同定した。

中間体25
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体24を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体25と同定した。

中間体26
 中間体6の合成において、中間体5の代わり 中間体25を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体26と同定した。

中間体27
 中間体1の合成において、9-フェニルカルバ ールの代わりにジベンゾフランを用いて同 の方法で合成した。FD-MSの分析により、中 体27と同定した。

中間体28
 中間体3の合成において、中間体1の代わり 中間体27を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体28と同定した。

中間体29
 中間体4の合成において、ジフェニルアミン の代わりに中間体11を用いて、中間体3の代わ りに中間体28を用いて同様の方法で合成した FD-MSの分析により、中間体29と同定した。

中間体30
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体29を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体30と同定した。

中間体31
 中間体6の合成において、中間体5の代わり 中間体30を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体31と同定した。

中間体32
 中間体18の合成において、ジベンゾフラン 代わりにジベンゾチオフェン8を用いて、同 の方法で合成した。FD-MSの分析により、中 体32と同定した。

中間体33
 中間体3の合成において、中間体1の代わり 中間体32を用い、4-ブロモフェニルボロン酸 代わりに、1-ブロモ-4-ヨードフェニルを用 て、同様の方法で合成した。
FD-MSの分析により、中間体33と同定した。

中間体34
 中間体4の合成において、中間体3の代わり 中間体33を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体34と同定した。

中間体35
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体34を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体35と同定した。

中間体36
 中間体6の合成において、中間体5の代わり 中間体35を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体36と同定した。

中間体37
 中間体3の合成において、中間体1の代わり 中間体36を用いて、4-ブロモフェニルボロン の代わりに2-ブロモ-7-ヨード-9、9-ジメチル ルオレンを用いて同様の方法で合成した。F D-MSの分析により、中間体37と同定した。

中間体38
 中間体4の合成において、中間体3の代わり 中間体37を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体38と同定した。

中間体39
 中間体5の合成において、中間体4の代わり 中間体38を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体39と同定した。

中間体40
 中間体6の合成において、中間体5の代わり 中間体39を用いて同様の方法で合成した。FD- MSの分析により、中間体40と同定した。

[高分子化合物の合成]
実施例10
 下記の高分子化合物(D)を合成した。

 実施例1において、中間体5を中間体21に、中 間体6を中間体22に代えた以外は同様にして高 分子化合物(D)を得た。
 得られた高分子化合物(D)の分子量はMn=12000 Mw=21000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例11
 下記の高分子化合物(E)を合成した。

 実施例1において、中間体5を中間体25に、中 間体6を中間体26に代えた以外は同様にして高 分子化合物(E)を得た。
 得られた高分子化合物(E)の分子量はMn=17000 Mw=35000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例12
 下記の高分子化合物(F)を合成した。

 実施例1において、中間体5を中間体30に、中 間体6を中間体31に代えた以外は同様にして高 分子化合物(F)を得た。
 得られた高分子化合物(F)の分子量はMn=52000 Mw=98000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例13
 下記の高分子化合物(G)を合成した。

 実施例1において、中間体5を中間体35に、中 間体6を中間体36に代えた以外は同様にして高 分子化合物(G)を得た。
得られた高分子化合物(G)の分子量はMn=14000、M w=25000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例14
 下記の高分子化合物(H)を合成した。

 実施例1において、中間体5を中間体39に、中 間体6を中間体40に代えた以外は同様にして高 分子化合物(H)を得た。
 得られた高分子化合物(H)の分子量はMn=20000 Mw=42000(標準ポリスチレンで検量)であった。

実施例15~19
 実施例4において、正孔輸送材料として化合 物(A)の代わりに表2に記載の化合物を用いた 外は同様にして有機EL素子を作製し、評価し た。結果を表2に示す。

実施例20~25
 実施例20、21、22は化合物(D)を用いて、それ れ、実施例7、8、9の有機EL素子の作成条件 同様にして有機EL素子を作製した。
 また、実施例23、24、25は化合物(G)を用いて それぞれ、実施例7、8、9の有機EL素子の作 条件と同様にして有機EL素子を作製した。

 本発明の高分子化合物を有機EL素子用材料 して、特に、特に、正孔輸送材料又は正孔 入材料として用いた有機EL素子は高発光効率 であり寿命も長い。このため、本発明の有機 EL素子は、実用性が高く、壁掛テレビの平面 光体やディスプレイのバックライト等の光 として有用である。
 この明細書に記載の文献の内容を全てここ 援用する。




 
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