本発明の高分子化合物は、下記式(1)で示さ� ��る繰り返し単位を含む高分子化合物であっ� ��、式(1)のAr ¹ 、Ar ² 及びAr ³ の少なくともひとつが、式(2)で示される基で あることを特徴とする。

 式(1)で表される繰り返し単位において、重� ��時の2つの結合手はそれぞれ、Ar ¹ 、Ar ² 、Ar ³ 及びL ¹ 上のいずれかに存在する。また、Ar ¹ 、Ar ² 、Ar ³ 及びL ¹ 上のうちのひとつに存在してもよい。即ち、 隣接する式(1)で表される繰り返し単位におい ては、それぞれの結合は、Ar ¹ 、Ar ² 、Ar ³ 及びL ¹ のいずれの基によるものであってもよい。

 式(1)において、Ar ¹ 、Ar ² 及びAr ³ は、それぞれ、式(2)で示される基、置換もし くは無置換の核炭素数6~60(好ましくは核炭素� ��6~18)の芳香族炭化水素基、又は、置換もし� �は無置換の核原子数5~60(好ましくは核原子数 5~20)の芳香族複素環基である。これらの基は� ��重合時の結合手の位置により、1~3価の基と� ��る。以下、主に1価の例を示すが、2価及び3� ��も、価数が異なる他は同様な基が例示でき� ��。

 Ar ¹ 、Ar ² 及びAr ³ の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェ ニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アン トラセニル基、2-アントラセニル基、9-アン� �ラセニル基、1-フェナントリル基、2-フェナ� ��トリル基、3-フェナントリル基、4-フェナン トリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタセ� �ル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基� ��1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基� ��2-ビフェニルイル基、3-ビフェニルイル基、 4-ビフェニルイル基、p-ターフェニル-4-イル� �、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル- 2-イル基、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフ ェニル-3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、� ��ルオレニル基等が挙げられる。

 上記のうちでも、ベンゼン環単独又は複� ��個のベンゼン環が縮合したものが好ましい� ��例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アン� ��ラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、� ��レン環、フェナントレン環等の芳香族炭化� ��素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、� ��フタレン環、アントラセン環、フェナント� ��ン環が挙げられる。

 Ar ¹ 、Ar ² 及びAr ³ の芳香族複素環基としては、例えば、チオフ ェニリル基、1-フェニルチオフェニリル基、1 、4-ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾチ� ��フェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェ� �リル基、1、8-ジフェニルベンゾチオフェニ� �ル基、フリル基、1-フェニルジベンゾチオフ ェニリル基、1、8-ジフェニルチオフェニリル 基、フリル基、ジベンゾフラニル基、1-フェ� ��ルジベンゾフラニル基、1、8ジフェニルジ� �ンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基であ� �、さらに好ましくは、ジベンゾフラニル基� �ジベンゾチオフェニリル基、1-フェニルチオ フェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェニ� ��ル基、1-フェニルジベンゾフラニル基、ベ� �ゾチアゾリル基等が挙げられる。

 芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が� ��換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、� ��子特性、合成の行いやすさ等の観点からは� ��置換基が、アルキル基、アルコキシ基、ア� ��キルチオ基、アリール基、アリールオキシ� ��、アリールチオ基、アリールアルキル基、� ��リールアルコキシ基、アリールアルキルチ� ��基、アリールアルケニル基、アリールアル� ��ニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル� ��、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基� ��アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、� ��イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基 、置換カルボキシル基及びシアノ基から選ば れるものであることが好ましい。

 上記のアルキル基は、直鎖、分岐又は環� ��のいずれでもよく、炭素数が通常1~20程度、 好ましくは炭素数3~20であり、その具体例と� �ては、メチル基、エチル基、プロピル基、i- プロピル基、ブチル基、i-ブチル基、t-ブチ� �基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル� �、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチ� �基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル 基、3,7-ジメチルオクチル基、ラウリル基、� �リフルオロメチル基、ペンタフルオロエチ� �基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ� �キシル基、パーフルオロオクチル基等が挙� �られ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合� �の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバラン� �からは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキ� �ル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、デ シル基、3,7-ジメチルオクチル基が好ましい� �

 アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のい� ��れでもよく、炭素数が通常1~20程度、好まし くは炭素数3~20であり、その具体例としては� �メトキシ基、エトキシ基、プロ
ピルオキシ基、i-プロピルオキシ基、ブトキ� ��基、i-ブトキシ基、t-ブトキシ基、ペンチル オキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシ ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオ キシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニル� ��キシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオク チルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフル オロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基 、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘ キシル基、パーフルオロオクチル基、メトキ シメチルオキシ基、2-メトキシエチルオキシ� ��等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子� ��性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性と� ��バランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキ� ��ルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチル� �キシルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメ� ��ルオクチルオキシ基が好ましい。

 アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状� ��いずれでもよく、炭素数が通常1~20程度、好 ましくは炭素数3~20であり、その具体例とし� �は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピ� �チオ基、i-プロピルチオ基、ブチルチオ基、 i-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、ペンチル� �オ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチ� �基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2-エ チルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシル チオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ基、ラウ� �ルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が� �げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、� �成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバラ� �スからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ� �、オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基 、デシルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ� �が好ましい。

 アリール基は、芳香族炭化水素から、水素� ��子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつ もの、独立したベンゼン環又は縮合環2個以� �が直接又はビニレン等の基を介して結合し� �ものも含まれる。アリール基は、炭素数が� �常6~60程度、好ましくは7~48であり、その具体 例としては、フェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基(C ₁ ~C ₁₂ は、炭素数1~12であることを示す。以下も同� �である。)、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ� �ル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニ� ��基、9-アントラセニル基、ペンタフルオロ� �ェニル基等が例示され、有機溶媒への溶解� �、素子特性、合成の行いやすさ等の観点か� �は、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基が好ましい。C ₁ ~C ₁₂ アルコキシとして具体的には、メトキシ、エ トキシ、プロピルオキシ、i-プロピルオキシ� ��ブトキシ、i-ブトキシ、t-ブトキシ、ペンチ ルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシル オキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、 2-エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デ� ��ルオキシ、3,7-ジメチルオクチルオキシ、ラ ウリルオキシ等が例示される。

 C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基として具体的にはメチル フェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフ ェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基 、メチルエチルフェニル基、i-プロピルフェ� ��ル基、ブチルフェニル基、i-ブチルフェニ� �基、t-ブチルフェニル基、ペンチルフェニル 基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニ ル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニ ル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基 、ドデシルフェニル基等が例示される。

 アリールオキシ基は、炭素数が通常6~60程度 、好ましくは7~48であり、その具体例として� �、フェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基� ��2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェ� �ルオキシ基等が例示され、有機溶媒への溶� �性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点� �らは、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基が好ましい。

 C ₁ ~C ₁₂ アルコキシとして具体的には、メトキシ、エ トキシ、プロピルオキシ、i-プロピルオキシ� ��ブトキシ、i-ブトキシ、t-ブトキシ、ペンチ ルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシル オキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、 2-エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デ� ��ルオキシ、3,7-ジメチルオクチルオキシ、ラ ウリルオキシ等が例示される。

 C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基として具体的にはメチ ルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメ チルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、 1,3,5-トリメチルフェノキシ基、メチルエチル フェノキシ基、i-プロピルフェノキシ基、ブ� ��ルフェノキシ基、i-ブチルフェノキシ基、t- ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基 、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノ キシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフ ェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフ ェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示 される。

 アリールチオ基は、炭素数が通常3~60程度で あり、その具体例としては、フェニルチオ基 、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基� ��2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニ� �チオ基等が例示され、有機溶媒への溶解性� �素子特性、合成の行いやすさ等の観点から� �、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基が好ましい。

 アリールアルキル基は、炭素数が通常7~60程 度、好ましくは7~48であり、その具体例とし� �は、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基等が例示され、有機溶媒への溶解 性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点か らは、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基が好ましい。

 アリールアルコキシ基は、炭素数が通常7~60 程度、好ましくは炭素数7~48であり、その具� �例としては、フェニルメトキシ基、フェニ� �エトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニ� �ペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基� �フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチ� �キシ基等のフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基等が例示され、有機溶媒への溶 解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 からは、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基が好ましい。

 アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常7 ~60程度、好ましくは炭素数7~48であり、その� �体的としては、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基等が例示され、有機溶媒への 溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観 点からは、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基が好ましい。

 アリールアルケニル基は、炭素数が通常8~60 程度であり、その具体的としては、フェニル -C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、1-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、2-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基等が例示され、有機溶媒への溶 解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 からは、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₂ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルケニル基が好ましい。

 アリールアルキニル基は、炭素数が通常8~60 程度であり、その具体的としては、フェニル -C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、1-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、2-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基等が例示され、有機溶媒への溶 解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点 からは、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基が好ましい。

 置換アミノ基としては、アルキル基、アリ� ��ル基、アリールアルキル基又は1価の複素環 基から選ばれる1又は2個の基で置換されたア� ��ノ基があげられ、該アルキル基、アリール� ��、アリールアルキル基又は1価の複素環基は 置換基を有していてもよい。置換アミノ基の 炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常 1~60程度、好ましくは炭素数2~48である。
 具体的には、メチルアミノ基、ジメチルア� ��ノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基� ��プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、i -プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ� �、ブチルアミノ基、i-ブチルアミノ基、t-ブ� ��ルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシル� ��ミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチ� ��アミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘ� �シルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルア� �ノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ラウ� ��ルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジ� ��クロペンチルアミノ基、シクロヘキシルア� ��ノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリ� ��ル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチ� ��アミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルア� ��ノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル)アミノ基、1-ナフチルアミ ノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロ� ��ェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリ� ��ジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピ� ��ジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニ� ��-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基等が例示される。

 置換シリル基としては、アルキル基、アリ� ��ル基、アリールアルキル基又は1価の複素環 基から選ばれる1、2又は3個の基で置換された シリル基があげられる。置換シリル基の炭素 数は通常1~60程度、好ましくは炭素数3~48であ� ��。尚、該アルキル基、アリール基、アリー� ��アルキル基又は1価の複素環基は置換基を有 していてもよい。
 具体的には、トリメチルシリル基、トリエ� ��ルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ- i-プロピルシリル基、ジメチル-i-プロピリシ� ��ル基、ジエチル-i-プロピルシリル基、t-ブ� �ルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメ� �ルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、� �プチルジメチルシリル基、オクチルジメチ� �シリル基、2-エチルヘキシル-ジメチルシリ� �基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメ� �ルシリル基、3,7-ジメチルオクチル-ジメチル シリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェ ニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシ リル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベン ジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、 t-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェ� ��ルシリル基等が例示される。

 ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩� ��原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される� ��

 アシル基は、炭素数が通常2~20程度、好ま しくは炭素数2~18であり、その具体例として� �、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル� �、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾ� �ル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフ� �オロベンゾイル基等が例示される。

 アシルオキシ基は、炭素数が通常2~20程度 、好ましくは炭素数2~18であり、その具体例� �しては、アセトキシ基、プロピオニルオキ� �基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキ� �基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキ� �基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペン� �フルオロベンゾイルオキシ基等が例示され� �。

 イミン残基は、炭素数2~20程度、好ましくは 炭素数2~18であり、その具体例としては、以� �の構造式で示される基が例示される。

 アミド基は、炭素数が通常2~20程度、好ま しくは炭素数2~18であり、その具体例として� �、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロ� �オアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミ� �基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタ� �ルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基� �ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、� �ブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジト� �フルオロアセトアミド基、ジペンタフルオ� �ベンズアミド基が例示される。

 酸イミド基は、酸イミドからその窒素原� ��に結合した水素原子を除いて得られる残基� ��挙げられ、炭素数が4~20程度であり、具体的 には以下に示す基等が例示される。

 1価の複素環基とは、複素環化合物から水素 原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素� �は通常4~60程度、好ましくは4~20である。尚、 複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含 まれない。ここに複素環化合物とは、環式構 造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元 素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素 、燐、硼素等のヘテロ原子を環内に含むもの をいう。具体的には、チエニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基 、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリ ル基、イソキノリル基等が例示され、チエニ ル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基が好ましい。

 置換カルボキシル基としては、アルキル� ��、アリール基、アリールアルキル基又は1価 の複素環基で置換されたカルボキシル基があ げられ、炭素数が通常2~60程度、好ましくは� �素数2~48であり、その具体例としては、メト� ��シカルボニル基、エトキシカルボニル基、� ��ロポキシカルボニル基、i-プロポキシカル� �ニル基、ブトキシカルボニル基、i-ブトキシ カルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、ペ� ��チルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカ� ��ボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル� ��、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチル� ��キシカルボニル基、2-エチルヘキシロキシ� �ルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、� �シロキシカルボニル基、3,7-ジメチルオクチ� ��オキシカルボニル基、ドデシルオキシカル� ��ニル基、トリフルオロメトキシカルボニル� ��、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、� ��ーフルオロブトキシカルボニル基、パーフ� ��オロヘキシルオキシカルボニル基、パーフ� ��オロオクチルオキシカルボニル基、フェノ� ��シカルボニル基、ナフトキシカルボニル基� ��ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられ� ��。尚、該アルキル基、アリール基、アリー� ��アルキル基又は1価の複素環基は置換基を有 していてもよい。置換カルボキシル基の炭素 数には該置換基の炭素数は含まれない。

 上記式(2)において、L ¹ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま� ��くは核炭素数6~18)の芳香族炭化水素基、置� �もしくは無置換のフルオレン基、又は置換� �しくは無置換の核原子数5~60(好ましくは核原 子数5~20)の芳香族複素環基である。これらの� ��は、重合時の結合手の位置により、2~4価の� ��となる(単結合以外の場合)。以下、主に2価� ��例を示すが、3価及び4価も、価数が異なる� �は同様な基が例示できる。
 このように、式(1)に式(2)で示される基を導� ��することにより、得られた重合体層は、隣� ��層との膜密着性が上がり、発光効率、及び� ��命が向上する。

 L ¹ の芳香族炭化水素基として好ましくは、フェ ニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン 基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基 、アントラセニレン基、フェナントリレン基 、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニ レン基、フルオレニレン基等が挙げられる。 好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基 、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナ フチレン基、フェナントリレン基であり、さ らに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン 基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェ ナントリレン基又はフルオレニレン基である 。

 芳香族複素環基として好ましくは、チオ� ��ェニリル基、1-フェニルチオフェニリル基� �1、4-ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾ� �オフェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェ ニリル基、1、8-ジフェニルベンゾチオフェニ リル基、フリル基、1-フェニルジベンゾチオ� ��ェニリル基、1、8-ジフェニルチオフェニリ� ��基、フリル基、ジベンゾフラニル基、1-フ� �ニルジベンゾフラニル基、1、8ジフェニルジ ベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基であ り、さらに好ましくは、ジベンゾフラニル基 、ジベンゾチオフェニリル基、1-フェニルチ� ��フェニリル基、1-フェニルベンゾチオフェ� �リル基、1-フェニルジベンゾフラニル基又は ベンゾチアゾリル基である(これらの1価の基� ��ら水素等を1つ以上除いた2価以上の基であ� �。)。

 式(2)のR ¹ 及びR ² は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素 数6~60(好ましくは核炭素数6~30)のアリール基� �置換もしくは無置換の核炭素数1~50(好ましく は核炭素数1~20)のアルキル基、置換もしくは� ��置換の炭素数1~50(好ましくは炭素数1~20)のア ルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6~50(好ましくは核炭素数6~20)のアリールオキ� �基、置換もしくは無置換の核原子数5~50(好ま しくは核原子数6~20)のアリールチオ基、置換� ��しくは無置換の炭素数2~50(好ましくは炭素� �2~20)のアルコキシカルボニル基、置換もしく は無置換の核炭素数6~50のアリール基(好まし� ��は核炭素数6~20)で置換されたアミノ基、ハ� �ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキ� �ル基又はカルボキシル基である。
 式(2)において、例えば、R ¹ 及びR ² がカルバゾール骨格の3位又は6位に結合した� ��換もしくは無置換の核炭素数6~60のアリール 基であると好ましい。

 R ¹ 及びR ² のアリール基として、例えば、フェニル基、 1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニ ル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニ� �基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル� ��、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基 、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2- ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレ� �ル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ビフ� �ニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフェ� ��ルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ター フェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基� ��m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル-3- イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリル� �、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニ ル基、p-(2-フェニルプロピル)フェニル基、3-� ��チル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基� �4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフェ� ��ルイル基、4”-t-ブチル-p-ターフェニル-4-イ ル基、フルオレニル基等が挙げられる。好ま しくは、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ� �ル基、4-ビフェニルイル基、p-ターフェニル- 4-イル基、p-トリル基、フルオレニル基であ� �。

 R ¹ 及びR ² のアルキル基として、例えば、メチル基、エ チル基、iso-プロピル基、tert-ブチル基、n-オ� ��チル基、n-デシル基、n-ヘキサデシル基、シ クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ ヘキシル基、ビニル基、アリル基、2-ブテニ� ��基、3-ペンテニル基、プロパルギル基、3-ペ ンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メ チル基、エチル基、iso-プロピル基、tert-ブチ ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基 である。
 R ¹ 及びR ² のアルコキシ基として、例えば、メトキシ基 、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキ シ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が挙� �られる。好ましくは、メトキシ基、エトキ� �基、tert-ブトキシ基である。
 R ¹ 及びR ² のアリールオキシ基として、例えば、フェニ ルオキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチ� �オキシ基、4-ビフェニルイルオキシ基、p-タ� ��フェニル-4-イルオキシ基、p-トリルオキシ� �等が挙げられる。好ましくは、フェニルオ� �シ基、2-ナフチルオキシ基である。
 R ¹ 及びR ² のアリールチオ基として、例えば、フェニル チオ基、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルオチ� �基、4-ビフェニルイルチオ基、p-ターフェニ� ��-4-イルチオ基、p-トリルチオ基等が挙げら� �る。好ましくは、フェニルチオ基、2-ナフチ ルチオ基である。

 R ¹ 及びR ² のアルコキシカルボニル基は、例えば、メト キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、 n-プロポキシカルボニル基、iso-プロポキシカ ルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-� �トキシカルボニル基が挙げられる。好まし� �は、メトキシカルボニル基、エトキシカル� �ニル基である。
 R ¹ 及びR ² のアリール基で置換されたアミノ基は、前記 R ¹ 及びR ² のアリール基で置換されたアミノ基等が挙げ られる。
 R ¹ 及びR ² のアミノ基として、例えば、アミノ基、メチ ルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルア ミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる 。好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチル アミノ基である。
 R ¹ 及びR ² のハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩 素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる 。
 また、R ¹ 及びR ² は、水素原子、フェニル基、ビフェニリル基 、ターフェニリル基、α-ナフチル基、β-ナフ チル基、メチル基、エチル基、プロピル基、 イソプロピル基、アリールアミノ基であると 好ましい。
 これらの各基はさらに置換されても良く、� ��が二つ以上ある場合は、同一でも異なって� ��ても良い。また、可能な場合には互いに連� ��して環を形成していても良い。

 式(2)のXは、置換又は無置換のヘテロ原子で ある。ヘテロ原子とは、水素、炭素以外の原 子を表すが、好ましくは、P、As、Sb、Bi、O、S 、Se、Te、Po、Si、Bである。より好ましくは、 N、O、Sである。ヘテロ原子の置換基は、前述 したAr ¹ 等の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が 有する置換基の例と同様である。
 Xが窒素原子の場合、下記式(3)の基が好まし い。
  =NR ³    (3)

 式(3)のR ³ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま� ��くは核炭素数6~18)のアリール基、又は、置� �もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは炭素 数1~6)のアルキル基である。置換もしくは無� �換のアリール基であると好ましい。
 R ³ のアリール基としては、例えば、フェニル基 、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセ ニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセ� �ル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリ� ��基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル 基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基� �2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピ� �ニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ビ� �ェニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフ� ��ニルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-タ ーフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル� ��、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル -3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリ� �基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェ ニル基、p-(2-フェニルプロピル)フェニル基、 3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル� �、4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフ� ��ニルイル基、4”-t-ブチル-p-ターフェニル-4- イル基等が挙げられる。好ましくはフェニル 基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-ビフェニ ルイル基、p-ターフェニル-4-イル基であり、� ��らに好ましくは、フェニル基、ビフェニリ� ��基、ターフェニリル基、α―ナフチル基、β ―ナフチル基、フェナントリル基である。

 R ³ のアルキル基として、例えば、メチル基、エ チル基、iso-プロピル基、tert-ブチル基、n-オ� ��チル基、n-デシル基、n-ヘキサデシル基、シ クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ ヘキシル基、ビニル基、アリル基、2-ブテニ� ��基、3-ペンテニル基、プロパルギル基、3-ペ ンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メ チル基、エチル基、iso-プロピル基、tert-ブチ ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基 である。

 L ¹ 、R ¹ 、R ² 及びR ³ の示す各基の置換基としては、例えば、アル キル基(好ましくは炭素数1~20、より好ましく� ��炭素数1~12、特に好ましくは炭素数1~8であり 、例えばメチル、エチル、iso-プロピル、tert- ブチル、n-オクチル、n-デシル、n-ヘキサデシ ル、シクロプロピル、シクロペンチル、シク ロヘキシル等が挙げられる。)、アルケニル� �(好ましくは炭素数2~20、より好ましくは炭素 数2~12、特に好ましくは炭素数2~8であり、例� �ばビニル、アリル、2-ブテニル、3-ペンテニ� ��等が挙げられる。)、アルキニル基(好まし� �は炭素数2~20、より好ましくは炭素数2~12、特 に好ましくは炭素数2~8であり、例えばプロパ ルギル、3-ペンチニル等が挙げられる。)、ア ミノ基(好ましくは炭素数0~20、より好ましく� ��炭素数0~12、特に好ましくは炭素数0~6であり 、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルア ミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、 ジベンジルアミノ等が挙げられる。)、アル� �キシ基(好ましくは炭素数1~20、より好ましく は炭素数1~12、特に好ましくは炭素数1~8であ� �、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等� �挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましく は炭素数6~20、より好ましくは炭素数6~16、特� ��好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニ ルオキシ、2-ナフチルオキシ等が挙げられる� ��)、アシル基(好ましくは炭素数1~20、より好� ��しくは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1~1 2であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホ� �ミル、ピバロイル等が挙げられる。)、アル� ��キシカルボニル基(好ましくは炭素数2~20、� �り好ましくは炭素数2~16、特に好ましくは炭� ��数2~12であり、例えばメトキシカルボニル、 エトキシカルボニル等が挙げられる。)、ア� �ールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7 ~20、より好ましくは炭素数7~16、特に好まし� �は炭素数7~10であり、例えばフェニルオキシ� ��ルボニル等が挙げられる。)、アシルオキシ 基(好ましくは炭素数2~20、より好ましくは炭� ��数2~16、特に好ましくは炭素数2~10であり、� �えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙� �られる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素 数2~20、より好ましくは炭素数2~16、特に好ま� ��くは炭素数2~10であり、例えばアセチルアミ ノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。)、� �ルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭� ��数2~20、より好ましくは炭素数2~16、特に好� �しくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカ� ��ボニルアミノ等が挙げられる。)、アリール オキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素� �7~20、より好ましくは炭素数7~16、特に好まし くは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキ� �カルボニルアミノ等が挙げられる。)、スル� ��ニルアミノ基(好ましくは炭素数1~20、より� �ましくは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1 ~12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、 ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。 )、スルファモイル基(好ましくは炭素数0~20、 より好ましくは炭素数0~16、特に好ましくは� �素数0~12であり、例えばスルファモイル、メ� ��ルスルファモイル、ジメチルスルファモイ� ��、フェニルスルファモイル等が挙げられる� ��)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1~20、� ��り好ましくは炭素数1~16、特に好ましくは炭 素数1~12であり、例えばカルバモイル、メチ� �カルバモイル、ジエチルカルバモイル、フ� �ニルカルバモイル等が挙げられる。)、アル� ��ルチオ基(好ましくは炭素数1~20、より好ま� �くは炭素数1~16、特に好ましくは炭素数1~12で あり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙 げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭� ��数6~20、より好ましくは炭素数6~16、特に好� �しくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチ� ��等が挙げられる。)、スルホニル基(好まし� �は炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、特 に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメシ� �、トシル等が挙げられる。)、スルフィニル� ��(好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭� �数1~16、特に好ましくは炭素数1~12であり、例 えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィ ニル等が挙げられる。)、ウレイド基(好まし� ��は炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、� �に好ましくは炭素数1~12であり、例えばウレ� ��ド、メチルウレイド、フェニルウレイド等� ��挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましく� �炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~16、特に 好ましくは炭素数1~12であり、例えばジエチ� �リン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が� �げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基� ��ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子 、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スル� �基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキ� �ム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イ� �ノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1~30、よ り好ましくは炭素数1~12であり、ヘテロ原子� �しては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄� �子を含むものであり具体的には例えばイミ� �ゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チ� �ニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオ� �サゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチ� �ゾリル等が挙げられる。)、シリル基(好まし くは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、� ��に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリ メチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げ られる。)等が挙げられる。これらの置換基� �さらに置換されても良い。また置換基が二� �以上ある場合は、同一でも異なっていても� �い。また、可能な場合には互いに連結して� �を形成していても良い。

 式(2)のaは0~3の整数、bは0~4の整数である� �

 本発明の高分子化合物において、式(1)のAr ¹ 、Ar ² 及びAr ³ のうち全てが式(2)で示される基であってもよ いが、式(1)のAr ¹ 、Ar ² 及びAr ³ のうち1つ以上2つ以下が式(2)で示される基で� ��ることが好ましく、さらに、式(1)のAr ¹ 、Ar ² 及びAr ³ の1つのみが、式(2)で示される基であること� �より好ましい。
 このように、式(2)で示される基を2つ、さら に1つのみ導入する方が、重合体の合成が行� �やすくなるとともに、重合体の有機溶媒へ� �溶解性が向上し、塗布性が向上して、ばら� �きのない素子特性(面内均一性が高まる)が得 られる。
 また、式(1)の少なくとも1つの結合手は、式 (2)で示される基以外に存在することが好まし く、2つの結合手が、式(2)で示される基以外� �存在することがより、好ましい。例えば、� �記式(1-a)のように、2つの結合手が、Ar ¹ 、Ar ² に存在し、Ar ³ が式(2)となる(ここで、Ar ¹ 、Ar ² は、式(2)で示される基以外の基、すなわち、 置換もしくは無置換の核炭素数6~60の芳香族� �化水素基、又は、置換もしくは無置換の核� �子数5~60の芳香族複素環基である。)。

 このようにすることにより、さらに、重� ��体の合成が行いやすくなるとともに、重合� ��の有機溶媒への溶解性が向上し、ばらつき� ��ない素子特性(面内均一性が高まる)が得ら� �る。

 また、式(2)のXが、N、O及びSのいずれかであ る場合、L ¹ と式(2)の結合位置は下記式(4)~(8)のいずれか� �あることが好ましい。このようにして、得� �れた重合体層は、隣接層との膜密着性が上� �り、発光効率、及び寿命が一層向上する

(式中、L ¹ 、R ¹ 、R ² 、R ³ 、それぞれ式(2)と同様である。aは、0~3の整� �、bは、0~4の整数である。)

 本発明の高分子化合物では、以下の繰り返� ��単位(9)~(15)を有することが好ましい。
(式中、Ar ¹ 、Ar ² 、L ¹ 、R ¹ 、R ² 、R ³ 、それぞれ式(1)~(3)と同様である。aは、0~3の� ��数、bは、0~4の整数である。)

 また、下記式(1’)で示される繰り返し単位� ��有することも好ましい。
(式中、L ¹ 、Ar ¹ 、Ar ² 、R ² は及びR ³ は、それぞれ上記式(1)~(3)と同様である。)

 式(1’)の繰り返し単位は下記式(1’-1)で示� �れるものが好ましく、特に、下記式(1’-2)で 示されるものが好ましい。
(式中、L ¹ 、Ar ¹ 、Ar ² 、R ² 及びR ³ は、それぞれ式(1’)と同様である。)
(式中、L ¹ 、Ar ¹ 、Ar ² 、R ² 及びR ³ は、それぞれ式(1’)と同様である。但し、2� �の結合手はそれぞれ、Ar ¹ 及びAr ² 上に存在する。)

 式(1-a)及び(1’-2)において、Ar ¹ 及びAr ² が異なる基である場合、本発明の高分子化合 物は、下記式(14)又は(15)で示される構造のい� ��れかを含んでいてもよい。
(式中、Ar ¹ 、Ar ² 及びAr ³ は、それぞれ式(1)と同様である。)

 具体例を以下に示す。
(式中、Ar ¹ ~Ar ³ 、L ¹ 、R ¹ ~R ³ 、a及びbは、それぞれ式(1)~(3)と同様である。 )

 本発明の高分子化合物は、発光波長を変� ��させる観点、発光効率を高める観点、耐熱� ��を向上させる観点等から、本発明の高分子� ��合物が有する式(1)の構造に加え、それ以外� ��構造単位を1種類以上含ませてもよい。例え ば、下記式(16)~(19)で示される構造が好ましい 。

 式中、Ar ⁴ ~Ar ⁷ は、それぞれアリーレン基、2価の複素環基� �は金属錯体を有する2価の基である。X ¹ 、X ² 及びX ³ は、それぞれ-CR ⁴ =CR ⁵ -、-C≡C-、-N(R ⁶ )-、-(SiR ⁷ R ⁸ ) _m -、又は-C(R ⁹ R ¹⁰ )-である。ここで、R ⁴ 及びR ⁵ は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリー ル基、1価の複素環基、カルボキシル基、置� �カルボキシル基又はシアノ基であり、R ⁶ ~R ¹⁰ は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリー ル基、1価の複素環基、アリールアルキル基� �は置換アミノ基を含む基である。lは1又は2� �整数であり、mは1~12の整数である。
 R ⁴ ~R ¹⁰ がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一 でも異なっていてもよい。
 尚、R ⁴ ~R ¹⁰ が示すアルキル基、アリール基、1価の複素� �基、置換カルボキシル基、アリールアルキ� �基又は置換アミノ基の具体例は、上述した� �(1)のAr ¹ 、Ar ² 、Ar ³ の置換基と同様である。

 Ar ⁴ ~Ar ⁷ が示すアリーレン基とは、芳香族炭化水素か ら、水素原子2個を除いた原子団であり、縮� �環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮� �環2個以上が直接又はビニレン等の基を介し� ��結合したものも含まれる。アリーレン基は� ��換基を有していてもよい。置換基の例は、� ��述した式(1)のAr ¹ 、Ar ² 、Ar ³ の置換基と同様である。
 アリーレン基における置換基を除いた部分� ��炭素数は通常6~60程度であり、好ましくは6~2 0である。また、アリーレン基の置換基を含� �た全炭素数は、通常6~100程度である。

 アリーレン基としては、フェニレン基、� ��フタレンジイル基、アントラセン-ジイル基 、ビフェニル-ジイル基、フルオレン-ジイル� ��、ターフェニル-ジイル基、縮合環化合物基 、スチルベン-ジイル,ジスチルベン-ジイル等 が例示される。中でもフェニレン基、ビフェ ニレン基、フルオレン-ジイル基、スチルベ� �-ジイル基が好ましい。

 Ar ⁴ ~Ar ⁷ における2価の複素環基とは、複素環化合物� �ら水素原子2個を除いた残りの原子団をいい� ��該基は置換基を有していてもよい。2価の複 素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい 。置換基の例は、上述した式(1)のAr ¹ 、Ar ² 、Ar ³ の置換基と同様である。
 2価の複素環基における置換基を除いた部分 の炭素数は通常3~60程度である。また、2価の� ��素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常3 ~100程度である。

 2価の複素環基としては、例えば以下のもの が挙げられる。
(1)ヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素� �基(ピリジン-ジイル基、ジアザフェニレン基 、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基 、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基 、フェナントロリンジイル基等)
(2)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素又は セレン等を含みフルオレン構造を有する基
(3)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫 黄又はセレン等を含む5員環複素環基
(4)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素又は セレン等を含む5員環縮合複素環基
(5)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫 黄又はセレン等を含む5員環複素環基でその� �テロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマー� �なっている基
(6)ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫 黄又はセレン等を含む5員環複素環基でその� �テロ原子のα位でフェニル基に結合している 基
(7)ヘテロ原子として酸素、窒素又は硫黄等を 含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリ� �基、チエニル基が置換した基

 Ar ⁴ ~Ar ⁷ における金属錯体構造を有する2価の基とは� �有機配位子を有する金属錯体の有機配位子� �ら水素原子を2個除いた残りの2価の基である 。
 有機配位子の炭素数は、通常4~60程度であり 、その例としては、8-キノリノール及びその� ��導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体� ��2-フェニル-ピリジン及びその誘導体、2-フ� �ニル-ベンゾチアゾール及びその誘導体、2-� �ェニル-ベンゾキサゾール及びその誘導体、� ��ルフィリン及びその誘導体等が挙げられる� ��
 また、該錯体の中心金属としては、例えば� ��アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジ� ��ム、白金、金、ユーロピウム、テルビウム� ��が挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分 子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯 体、三重項発光錯体等が挙げられる。

 式(16)~式(19)で示される構造単位の具体例� ��、特開2006-169265号公報を参照すればよい。

 尚、本発明の高分子化合物は、発光特性� ��電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式( 1)、式(16)~式(19)で示される構造単位以外の構� ��を含んでいてもよい。また、これらの繰り� ��し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単� ��で連結されていてもよいし、繰り返し単位� ��それらの非共役部分が含まれていてもよい� ��

 本発明の高分子化合物の具体例を以下に示� ��。尚、本発明はこれら例示化合物に限定さ� ��るものではない。

 本発明の高分子化合物は、式(1)の構造単� ��をA、式(16)~式(19)の構造単位をBとしたとき� �ランダム共重合体(―ABBABBBAAABA―)、交互共重 合体(―ABABABABABAB―)、ブロック共重合体(―AAA AAABBBBBB―)、グラフト共重合体(単位Aと単位B� �どちらが主鎖であってもよいし、どちらが� �鎖であってもよい)のいずれであってもよい� ��

 本発明の高分子化合物の数平均分子量(Mn)は 、好ましくは10 ³ ~10 ⁸ 、より好ましくは10 ³ ~10 ⁵ である。
また、重量平均分子量(Mw)は、好ましくは10 ³ ~10 ⁸ 、より好ましくは10 ⁴ ~10 ⁶ である。尚、両分子量は、サイズ排除クロマ トグラフィー(SEC)を用い、標準ポリスチレン� ��検量して求めた値である。

 本発明の高分子化合物において、構造単� ��Aと構造単位Bのモル比は、0.1:99.9~100:0が好ま しく、10:90~100:0がより好ましく、30:70~100:0が� �に好ましい。

 本発明の高分子化合物は、有機EL素子用� �料として好ましく使用できる。特に、有機EL 素子の正孔輸送材料(正孔輸送層、正孔注入� �の材料)として好適である。

 本発明の有機EL素子は、陰極と陽極間に少� �くとも発光層を含む一層以上の有機薄膜層� �挟持されている有機EL素子であり、有機薄膜 層の少なくとも1層が、本発明の高分子化合� �を単独もしくは混合物の成分として含有す� �。
 本発明の有機EL素子は、前記有機薄膜層が� �孔輸送層及び/又は正孔注入層を有し、本発� ��の高分子化合物がこれらに含有されている� ��好ましい。特に、本発明の高分子化合物が� ��成分として正孔輸送層又は正孔注入層に含� ��されていることが好ましい。

 以下、本発明の有機EL素子の素子構成につ� �て説明する。
(1)有機EL素子の構成
 本発明の有機EL素子の代表的な素子構成と� �ては、下記(1)~(13)等の構造を挙げることがで きる。
(1) 陽極/発光層/陰極
(2) 陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3) 陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰 極
(7) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰 極
(8) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子 注入層/陰極
(9) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/ 陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/ 陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光� ��/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光� ��/電子注入層/陰極
 これらの中で通常(8)の構成が好ましく用い� ��れるが、これらに限定されるものではない� ��

 図1に(8)の構成を示す。この有機EL素子は� ��陽極10及び陰極20と、その間に挟持されてい る、正孔注入層30、正孔輸送層32、発光層34、 電子注入層36からなる。正孔注入層30、正孔� �送層32、発光層34、電子注入層36が、複数の� �機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層30,32 ,34,36の少なくとも一層が、本発明の化合物を 含有する。

 本発明の高分子化合物は、有機EL素子のど� �有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域又� �正孔輸送帯域に用いることができ、好まし� �は正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔注入� �輸送層に用いることにより、分子が結晶化� �にくく、有機EL素子を製造する際の歩留りが 向上する。
 本発明の高分子化合物を、有機薄膜層に含� ��させる量としては、30~100モル%が好ましい。

(2)基板
 本発明の発光素子は基板上に作製する。こ� ��でいう基板は発光素子を支持する基板であ� ��、400~700nmの可視領域の光の透過率が50%以上� ��、平滑な基板が好ましい。

 具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙� ��られる。ガラス板としては、特にソーダ石� ��ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガ� ��ス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホ� ��ケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス� ��石英等が挙げられる。またポリマー板とし� ��は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエ� ��レンテレフタレート、ポリエーテルサルフ� ��ン、ポリサルフォン等を挙げることができ� ��。
 尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が� ��置する場合には透光性は不要である。

(3)陽極
 本発明の有機EL素子の陽極は、正孔を正孔� �送層又は発光層に注入する機能を有するも� �であり、4.5eV以上の仕事関数を有することが 効果的である。本発明に用いられる陽極材料 の具体例としては、酸化インジウム錫合金(IT O)、酸化錫(NESA)、インジウム-亜鉛酸化物、金 、銀、白金、銅等が挙げられる。
 陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパ� ��タリング法等の方法で薄膜を形成させるこ� ��により作製することができる。
 このように発光層からの発光を陽極から取� ��出す場合、陽極の発光に対する透過率が10%� ��り大きくすることが好ましい。また、陽極� ��シート抵抗は、数百ω/□以下が好ましい。� ��極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1μm、� ��ましくは10~200nmの範囲で選択される。

(4)発光層
 有機EL素子の発光層は以下(1)~(3)の機能を併� ��持つものである。
(1)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入� �より正孔を注入することができ、陰極又は� �子注入層より電子を注入することができる� �能
(2)輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界 の力で移動させる機能
(3)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供� �発光させる機能
 ただし、正孔の注入されやすさと電子の注� ��されやすさに違いがあってもよく、また、� ��孔と電子の移動度で表される輸送能に大小� ��あってもよいが、どちらか一方の電荷を移� ��することが好ましい。
 この発光層を形成する方法としては、例え� ��蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の� �法を適用することができる。発光層は、特� �分子堆積膜であることが好ましい。ここで� �子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から� �着され形成された薄膜や、溶液状態又は液� �状態の材料化合物から固体化され形成され� �膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB 法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝� ��構造、高次構造の相違や、それに起因する� ��能的な相違により区分することができる。
 また、特開昭57-51781号公報に開示されてい� �ように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを� �剤に溶かして溶液とした後、これをスピン� �ート法等により薄膜化することによっても� �発光層を形成することができる。
 本発明においては、本発明の目的が損なわ� ��ない範囲で、所望により発光層に本発明の� ��分子化合物からなる発光材料以外の他の公� ��の発光材料を含有させてもよく、また、本� ��明の高分子化合物からなる発光材料を含む� ��光層に、他の公知の発光材料を含む発光層� ��積層してもよい。

 本発明においては、以下に例示する発光� ��料の中から一種類の材料を用いてもよく、� ��た目的が損なわれない範囲で複数種を混合� ��て用いたり、他の公知の発光材料を含有さ� ��てもよく、また複数種の発光層を積層して� ��いても良い。

 発光層に使用できる発光材料(ホスト及び ドーパント)としては、例えば、アントラセ� �、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、� �トラセン、コロネン、クリセン、フルオレ� �イン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタ� �ペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナ� �タロペリノン、ジフェニルブタジエン、テ� �ラフェニルブタジエン、クマリン、オキサ� �アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾ� �ン、ビススチリル、ピラジン、シクロペン� �ジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリ� �金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミ� �、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセ� �、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピ� �ン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾ� �ルキレート化オキシノイド化合物、キナク� �ドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられ� �が、これらに限定されるものではない。

 発光層に使用できるホスト材料の具体例と� ��ては、下記(i)~(ix)で表される化合物が挙げ� �れる。
 下記式(i)で表される非対称アントラセン。

(式中、Ar ⁰⁰¹ は置換もしくは無置換の核炭素数10~50(好まし くは10~30、より好ましくは10~20)の縮合芳香族� ��である。
 Ar ⁰⁰² は置換もしくは無置換の核炭素数6~50(好まし� ��は6~20、より好ましくは6~14)の芳香族基であ� ��。
 X ⁰⁰¹ ~X ⁰⁰³ は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核 炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~1 4)の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子� ��5~50(好ましくは5~20)の芳香族複素環基、置換 もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは1~20、 より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8)のア� ��キル基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(� �ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好ま しくは1~8)のアルコキシ基、置換もしくは無� �換の炭素数6~50(好ましくは6~20、より好まし� �は6~14)のアラルキル基、置換もしくは無置換 の核原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールオ� �シ基、置換もしくは無置換の核原子数5~50(好 ましくは5~20)のアリールチオ基、置換もしく� ��無置換の炭素数1~50(好ましくは1~20、より好� ��しくは1~12、特に好ましくは1~8)のアルコキ� �カルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン� �子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基で� �る。
 a、b及びcは、それぞれ0~4の整数である。
 nは1~3の整数である。また、nが2以上の場合� ��、[ ]内は、同じでも異なっていてもよい。 )
 尚、上記Ar ⁰⁰¹ 等の基が置換基を有する場合、置換基として は、上記式(1)(2)のAr ¹ やL ¹ 等に示した例と同様な基が挙げられる。本明 細書において、後述する各式に示した基が置 換基を有する場合の置換基についても同様で ある。

 下記式(ii)で表される非対称モノアントラ セン誘導体。

(式中、Ar ⁰⁰³ 及びAr ⁰⁰⁴ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 核炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは 6~14)の芳香族環基であり、
 m及びnは、それぞれ1~4の整数である。
 ただし、m=n=1でかつAr ⁰⁰³ とAr ⁰⁰⁴ のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場 合には、Ar ⁰⁰³ とAr ⁰⁰⁴ は同一ではなく、m又はnが2~4の整数の場合に� ��mとnは異なる整数である。
 R ⁰⁰¹ ~R ⁰¹⁰ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく は無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より 好ましくは6~14)の芳香族環基、置換もしくは� ��置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族 複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(� ��ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好� �しくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置� ��のシクロアルキル基、置換もしくは無置換� ��炭素数1~50(好ましくは1~20、より好ましくは1 ~12、特に好ましくは1~8)のアルコキシ基、置� �もしくは無置換の炭素数6~50(好ましくは6~20� �より好ましくは6~14)のアラルキル基、置換も しくは無置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)� �アリールオキシ基、置換もしくは無置換の� �原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールチオ基� ��置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましく� �1~20、より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8 )のアルコキシカルボニル基、置換もしくは� �置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲ� �原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基� �ある。)

 下記式(iii)で表される非対称ピレン誘導� �。

[式中、Ar ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の芳� ��族基である。
 L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレ ン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン 基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基 又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレ ン基である。
 mは0~2の整数、nは1~4の整数、sは0~2の整数、t は0~4の整数である。
 また、L ⁰⁰¹ 又はAr ⁰⁰⁵ は、ピレンの1~5位のいずれかに結合し、L ⁰⁰² 又はAr ⁰⁰⁶ は、ピレンの6~10位のいずれかに結合する。� �だし、n+tが偶数の時、Ar ⁰⁰⁵ ,Ar ⁰⁰⁶ ,L ⁰⁰¹ ,L ⁰⁰² は下記(1)又は(2)を満たす。
(1) Ar ⁰⁰⁵ ≠Ar ⁰⁰⁶ 及び/又はL ⁰⁰¹ ≠L ⁰⁰² (ここで≠は、異なる構造の基であることを� �す。)
(2) Ar ⁰⁰⁵ =Ar ⁰⁰⁶ かつL ⁰⁰¹ =L ⁰⁰² の時
 (2-1) m≠s及び/又はn≠t、又は
 (2-2) m=sかつn=tの時、
   (2-2-1) L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² 、又はピレンが、それぞれAr ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ 上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2 ) L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² 、又はピレンが、Ar ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ 上の同じ結合位置で結合している場合、L ⁰⁰¹ 及びL ⁰⁰² 又はAr ⁰⁰⁵ 及びAr ⁰⁰⁶ のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2 位と7位である場合はない。]

 下記式(iv)で表される非対称アントラセン 誘導体。

(式中、A ⁰⁰¹ 及びA ⁰⁰² は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 核炭素数10~20の縮合芳香族環基である。
 Ar ⁰⁰⁷ 及びAr ⁰⁰⁸ は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換も しくは無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、 より好ましくは6~14)の芳香族環基である。
 R ⁰¹¹ ~R ⁰²⁰ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく は無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、より 好ましくは6~14)の芳香族環基、置換もしくは� ��置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)の芳香族 複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(� ��ましくは1~20、より好ましくは1~12、特に好� �しくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置� ��のシクロアルキル基、置換もしくは無置換� ��炭素数1~50(好ましくは1~20、より好ましくは1 ~12、特に好ましくは1~8)のアルコキシ基、置� �もしくは無置換の炭素数6~50(好ましくは6~20� �より好ましくは6~14)のアラルキル基、置換も しくは無置換の核原子数5~50(好ましくは5~20)� �アリールオキシ基、置換もしくは無置換の� �原子数5~50(好ましくは5~20)のアリールチオ基� ��置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましく� �1~20、より好ましくは1~12、特に好ましくは1~8 )のアルコキシカルボニル基、置換もしくは� �置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲ� �原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ� �である。
 Ar ⁰⁰⁷ 、Ar ⁰⁰⁷ 、R ⁰¹⁹ 及びR ⁰²⁰ は、それぞれ複数であってもよく、隣接する もの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を 形成していてもよい。
 ただし、式(iv)において、中心のアントラセ ンの9位及び10位に、該アントラセン上に示す X-Y軸に対して対称型となる基が結合する場合 はない。)

 下記式(v)で表されるアントラセン誘導体� ��

(式中、R ⁰²¹ ~R ⁰³⁰ は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ� ��ロアルキル基,置換してもよいアリール基,� �ルコキシル基,アリーロキシ基,アルキルアミ ノ基,アルケニル基,アリールアミノ基又は置� ��してもよい複素環式基を示し、
 a及びbは、それぞれ1~5の整数を示し、それ� �が2以上の場合、R ⁰²¹ 同士又はR ⁰²² 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、また、R ⁰²¹ 同士又はR ⁰²² 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R ⁰²³ とR ⁰²⁴ ,R ⁰²⁵ とR ⁰²⁶ ,R ⁰²⁷ とR ⁰²⁸ ,R ⁰²⁹ とR ⁰³⁰ がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L ⁰⁰³ は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置� �してもよいアリール基である)、アルキレン� ��又はアリーレン基を示す。)

 下記式(vi)で表されるアントラセン誘導体 。

(式中、R ⁰³¹ ~R ⁰⁴⁰ は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ� ��ロアルキル基,アリール基,アルコキシル基,� ��リーロキシ基,アルキルアミノ基,アリール� �ミノ基又は置換してもよい複数環式基を示� �、
 c,d,e及びfは、それぞれ1~5の整数を示し、そ� ��らが2以上の場合、R ⁰³¹ 同士,R ⁰³² 同士,R ⁰³⁶ 同士又はR ⁰³⁷ 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、またR ⁰³¹ 同士,R ⁰³² 同士,R ⁰³³ 同士又はR ⁰³⁷ 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R ⁰³³ とR ⁰³⁴ ,R ⁰³⁹ とR ⁰⁴⁰ がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L ⁰⁰⁴ は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置� �してもよいアリール基である)、アルキレン� ��又はアリーレン基を示す。)

 下記式(vii)で表されるスピロフルオレン� �導体。

(式中、A ⁰⁰⁵ ~A ⁰⁰⁸ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の ビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナ フチル基である。)

 下記式(viii)で表される縮合環含有化合物� ��

(式中、A ⁰¹¹ ~A ⁰¹³ はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の核 炭素数6~50(好ましくは6~20、より好ましくは6~1 4)のアリーレン基である。
 A ⁰¹⁴ ~A ⁰¹⁶ はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換もし くは無置換の核炭素数6~50(好ましくは6~20、よ り好ましくは6~14)のアリール基である。
 R ⁰⁴¹ ~R ⁰⁴³ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6の アルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、 炭素数1~6のアルコキシル基、炭素数5~18のア� �ールオキシ基、炭素数7~18のアラルキルオキ� ��基、炭素数5~16のアリールアミノ基、ニトロ 基、シアノ基、炭素数1~6のエステル基又はハ ロゲン原子を示し、A ⁰¹¹ ~A ⁰¹⁶ のうち少なくとも1つは3環以上の縮合芳香族� ��を有する基である。)

 下記式(ix)で表されるフルオレン化合物。

(式中、R ⁰⁵¹ 及びR ⁰⁵² は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基,置換ある� �は無置換の複素環基、置換アミノ基、シア� �基又はハロゲン原子を表わす。異なるフル� �レン基に結合するR ⁰⁵¹ 同士、R ⁰⁵² 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR ⁰⁵¹ 及びR ⁰⁵² は、同じであっても異なっていてもよい。R ⁰⁵³ 及びR ⁰⁵⁴ は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基又は置換あ るいは無置換の複素環基を表わし、異なるフ ルオレン基に結合するR ⁰⁵³ 同士、R ⁰⁵⁴ 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR ⁰⁵³ 及びR ⁰⁵⁴ は、同じであっても異なっていてもよい。Ar ⁰¹¹ 及びAr ⁰¹² は、ベンゼン環の合計が3個以上の置換ある� �は無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン� �と複素環の合計が3個以上の置換あるいは無� ��換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多� ��複素環基を表わし、Ar ⁰¹¹ 及びAr ⁰¹² は、同じであっても異なっていてもよい。n� �、1乃至10の整数を表す。)

 以上の材料の中でも、好ましくはアント� ��セン誘導体、さらに好ましくはモノアント� ��セン誘導体、特に好ましくは非対称アント� ��センである。

 燐光性ドーパントを使用する際のホスト� ��合物の具体例としては、カルバゾール環を� ��む化合物が好ましい。カルバゾール環を含� ��化合物からなるりん光発光に好適なホスト� ��、その励起状態からりん光発光性化合物へ� ��ネルギー移動が起こる結果、りん光発光性� ��合物を発光させる機能を有する化合物であ� ��。ホスト化合物としては励起子エネルギー� ��りん光発光性化合物にエネルギー移動でき� ��化合物ならば特に制限はなく、目的に応じ� ��適宜選択することができる。カルバゾール� ��以外に任意の複素環等を有していても良い� ��

 このようなホスト化合物の具体例としては� ��カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体� ��オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘� ��体、イミダゾール誘導体、ポリアリールア� ��カン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロ� ��誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ� ��ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導� ��、スチリルアントラセン誘導体、フルオレ� ��ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン� ��導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン� ��合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメ� ��リデン系化合物、ポルフィリン系化合物、� ��ントラキノジメタン誘導体、アントロン誘� ��体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン� ��オキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、� ��ルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル� ��ラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複� ��環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニ� ��誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体� �メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾー� �やベンゾチアゾールを配位子とする金属錯� �に代表される各種金属錯体ポリシラン系化� �物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、ア� ��リン系共重合体、チオフェンオリゴマー、� ��リチオフェン等の導電性高分子オリゴマー� ��ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘� ��体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ� ��ルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げ� ��れる。ホスト化合物は単独で使用しても良� ��し、2種以上を併用しても良い。
 具体例としては、以下のような化合物が挙� ��られる。

 りん光発光性のドーパントは三重項励起子� ��ら発光することのできる化合物である。三� ��項励起子から発光する限り特に限定されな� ��が、Ir、Ru、Pd、Pt、Os及びReからなる群から� ��択される少なくとも一つの金属を含む金属� ��体であることが好ましく、ポルフィリン金� ��錯体又はオルトメタル化金属錯体が好まし� ��。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフ� ��リン白金錯体が好ましい。りん光発光性化� ��物は単独で使用しても良いし、2種以上を併 用しても良い。
 オルトメタル化金属錯体を形成する配位子� ��しては種々のものがあるが、好ましい配位� ��としては、2-フェニルピリジン誘導体、7,8-� ��ンゾキノリン誘導体、2-(2-チエニル)ピリジ� ��誘導体、2-(1-ナフチル)ピリジン誘導体、2-� �ェニルキノリン誘導体等が挙げられる。こ� �らの誘導体は必要に応じて置換基を有して� �良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメ� �ル基を導入したものが、青色系ドーパント� �しては好ましい。さらに補助配位子として� �セチルアセトナート、ピクリン酸等の上記� �位子以外の配位子を有していても良い。
 りん光発光性のドーパントの発光層におけ� ��含有量としては、特に制限はなく、目的に� ��じて適宜選択することができるが、例えば� ��0.1~70重量%であり、1~30重量%が好ましい。り� ��光発光性化合物の含有量が0.1重量%未満では 発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮 されず、70重量%を超える場合は、濃度消光と 言われる現象が顕著になり素子性能が低下す る。

 また、発光層は、必要に応じて正孔輸送� ��、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有� ��ても良い。

 発光層の膜厚は、好ましくは5~50nm、より� ��ましくは7~50nm、最も好ましくは10~50nmである 。5nm未満では発光層形成が困難となり、色度 の調整が困難となる恐れがあり、50nmを超え� �と駆動電圧が上昇するおそれがある。

(5)正孔注入層・正孔輸送層(正孔注入・輸送� �:正孔輸送帯域)
 正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を� ��け、発光領域まで輸送する層であって、正� ��移動度が大きく、イオン化エネルギーが通� ��5.6eV以下と小さい。このような正孔注入・� �送層としては、より低い電界強度で正孔を� �光層に輸送する材料が好ましく、さらに正� �の移動度が、例えば10 ⁴ ~10 ⁶ V/cmの電界印加時に、少なくとも10 ^-4 cm ² /V・秒であれば好ましい。
 本発明の高分子化合物を正孔輸送帯域に用� ��る場合、本発明の高分子化合物単独で正孔� ��入・輸送層を形成してもよく、他の材料と� ��合して用いてもよい。
 本発明においては、本発明の目的が損なわ� ��ない範囲で、所望により正孔輸送層若しく� ��正孔注入層に、前記高分子化合物以外の有� ��化合物を含有させてもよく、また、本発明� ��高分子化合物を含む正孔輸送層若しくは正� ��注入層に、公知の有機化合物を含む他の正� ��輸送層若しくは正孔注入層を積層してもよ� ��。
 本発明の高分子化合物と混合して正孔注入� ��輸送層を形成する材料としては、前記の好� ��しい性質を有するものであれば特に制限は� ��く、従来、光導伝材料において正孔の電荷� ��送材料として慣用されているものや、有機E L素子の正孔注入・輸送層に使用される公知� �ものの中から任意のものを選択して用いる� �とができる。本発明においては、正孔輸送� �を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能� �材料を正孔輸送材料と呼ぶ。

 具体例としては、トリアゾール誘導体(米 国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジア� �ール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照) 、イミダゾール誘導体(特公昭37-16096号公報等 参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特� ��3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同� ��3,542,544号明細書、特公昭45-555号公報、同51-1 0983号公報、特開昭51-93224号公報、同55-17105号� ��報、同56-4148号公報、同55-108667号公報、同55- 156953号公報、同56-36656号公報等参照)、ピラゾ リン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許� �3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特� �昭55-88064号公報、同55-88065号公報、同49-105537� ��公報、同55-51086号公報、同56-80051号公報、同 56-88141号公報、同57-45545号公報、同54-112637号� �報、同55-74546号公報等参照)、フェニレンジ� �ミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特� ��昭51-10105号公報、同46-3712号公報、同47-25336� �公報、同54-119925号公報等参照)、アリールア� ��ン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第 3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第 4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第 4,012,376号明細書、特公昭49-35702号公報、同39-2 7577号公報、特開昭55-144250号公報、同56-119132� �公報、同56-22437号公報、西独特許第1,110,518号 明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(� ��国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾ ール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に� �示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特 開昭56-46234号公報等参照)、フルオレノン誘導 体(特開昭54-110837号公報等参照)、ヒドラゾン� ��導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54- 59143号公報、同55-52063号公報、同55-52064号公報 、同55-46760号公報、同57-11350号公報、同57-14874 9号公報、特開平2-311591号公報等参照)、スチ� �ベン誘導体(特開昭61-210363号公報、同第61-2284 51号公報、同61-14642号公報、同61-72255号公報、 同62-47646号公報、同62-36674号公報、同62-10652号 公報、同62-30255号公報、同60-93455号公報、同60 -94462号公報、同60-174749号公報、同60-175052号公 報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,9 50号明細書)、ポリシラン系(特開平2-204996号公 報)、アニリン系共重合体(特開平2-282263号公� �)等を挙げることができる。

 正孔注入・輸送層の材料としては上記のも� ��を使用することができるが、ポルフィリン� ��合物(特開昭63-295695号公報等に開示のもの)� �芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア� �ン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開� ��53-27033号公報、同54-58445号公報、同55-79450号� ��報、同55-144250号公報、同56-119132号公報、同6 1-295558号公報、同61-98353号公報、同63-295695号� �報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物� ��用いることが好ましい。
 また、米国特許第5,061,569号に記載されてい� ��2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例え ば、4,4’-ビス(N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミ� ��)ビフェニル(NPD)、また特開平4-308688号公報� �記載されているトリフェニルアミンユニッ� �が3つスターバースト型に連結された4,4’,4� �-トリス(N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミ ノ)トリフェニルアミン(MTDATA)等を挙げること ができる。
 さらに、発光層の材料として示した前述の� ��香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p 型SiC等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材 料として使用することができる。

 正孔注入・輸送層は本発明の高分子化合物� ��、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、� ��ャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜� �することにより形成することができる。正� �注入・輸送層としての膜厚は特に制限はな� �が、通常は5nm~5μmである。この正孔注入・輸 送層は、正孔輸送帯域に本発明の高分子化合 物を含有していれば、上述した材料の一種又 は二種以上からなる一層で構成されてもよく 、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物か らなる正孔注入・輸送層を積層したものであ ってもよい。
 また、発光層への正孔注入又は電子注入を� ��ける層として有機半導体層を設けてもよく� ��10 ^-10 S/cm以上の導電率を有するものが好適である� �このような有機半導体層の材料としては、� �チオフェンオリゴマーや特開平8-193191号公報 に開示してある含アリールアミンオリゴマー 等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデ ンドリマー等の導電性デンドリマー等を用い ることができる。

(6)電子注入層及び電子輸送層(電子注入・輸� �層)
 電子注入・輸送層は、発光層への電子の注� ��を助け、発光領域まで輸送する層であって� ��電子移動度が大きい。また、付着改善層は� ��電子注入層の中で特に陰極との付着が良い� ��料からなる層である。
 電子注入・輸送層は数nm~数μmの膜厚で適宜� ��ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇� ��避けるために、10 ⁴ ~10 ⁶ V/cmの電界印加時に電子移動度が少なくとも10 ^-5 cm ² /Vs以上であることが好ましい。

 電子注入・輸送層に用いられる材料とし� ��は、8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体� �金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適� �ある。8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体 の金属錯体の具体例としては、オキシン(一� �に8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン) のキレートを含む金属キレートオキシノイド 化合物、例えばトリス(8-キノリノラト)アル� �ニウムを挙げることができる。

 オキサジアゾール誘導体としては、以下� ��式で表される電子伝達化合物が挙げられる� ��

(式中、Ar ³⁰¹ 、Ar ³⁰² 、Ar ³⁰³ 、Ar ³⁰⁵ 、Ar ³⁰⁶ 、及びAr ³⁰⁹ はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示 す。またAr ³⁰⁴ 、Ar ³⁰⁷ 、Ar ³⁰⁸ はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を 示す。)

 ここでアリール基としてはフェニル基、� ��フェニル基、アントラニル基、ペリレニル� ��、ピレニル基等が挙げられる。また、アリ� ��レン基としてはフェニレン基、ナフチレン� ��、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペ� ��レニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。� ��た、置換基としては炭素数1~10のアルキル基 、炭素数1~10のアルコキシ基又はシアノ基等� �挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形� �性のものが好ましい。

 上記電子伝達性化合物の具体例としては下� ��のものを挙げることができる。
(Meはメチル基、tBuはtブチル基を示す。)

 さらに、電子注入・輸送層に用いられる材� ��として、下記式(A)~(F)で表されるものも用い ることができる。

(式(A)及び(B)中、A ³¹¹ ~A ³¹³ は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
 Ar ³¹¹ は、置換もしくは無置換の核炭素数6~60(好ま� ��くは6~20、より好ましくは6~14)のアリール基� ��又は置換もしくは無置換の核原子数3~60(好� �しくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロア� �ール基であり、Ar ^311’ は、置換もしくは無置換の核原子数6~60(好ま� ��くは6~20、より好ましくは6~14)のアリーレン� ��又は置換もしくは無置換の核炭素数3~60(好� �しくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロア� �ーレン基であり、Ar ³¹² は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素 数6~60(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の� ��リール基、置換もしくは無置換の核原子数3 ~60(好ましくは3~20、より好ましくは3~14)のヘ� �ロアリール基、置換もしくは無置換の炭素� �1~20(好ましくは1~12、より好ましくは1~8)のア� ��キル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1 ~20(好ましくは1~12、より好ましくは1~8)のアル コキシ基である。ただし、Ar ³¹¹ 及びAr ³¹² のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核 炭素数10~60(好ましくは10~30、より好ましくは1 0~20)の縮合環基、又は置換もしくは無置換の� ��原子数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3 ~14)のモノヘテロ縮合環基である。
 L ³¹¹ 、L ³¹² 及びL ³¹³ は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60のアリーレン基、置換もしく� �無置換の核原子数3~60のヘテロアリーレン基� ��又は置換もしくは無置換のフルオレニレン� ��である。
 R及びR ³¹¹ は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換 の核炭素数6~60のアリール基、置換もしくは� �置換の核原子数3~60のヘテロアリール基、置� ��もしくは無置換の炭素数1~20(好ましくは1~12� ��より好ましくは1~8)のアルキル基、又は置換 もしくは無置換の炭素数1~20(好ましくは1~12、 より好ましくは1~8)のアルコキシ基であり、n� ��0~5の整数であり、nが2以上の場合、複数のR� ��同一でも異なっていてもよく、また、隣接� ��るR基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又 は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。 )で表される含窒素複素環誘導体。

     HAr-L ³¹⁴ -Ar ³²¹ -Ar ³²²   (C)
(式中、HArは、置換基を有していてもよい炭� �数3~40(好ましくは3~30、より好ましくは3~24)の 含窒素複素環であり、L ³¹⁴ は、単結合、置換基を有していてもよい炭素 数6~60(好ましくは6~20、より好ましくは6~14)の� ��リーレン基、置換基を有していてもよい炭� ��数3~60(好ましくは3~20、より好ましくは3~14)� �ヘテロアリーレン基又は置換基を有してい� �もよいフルオレニレン基であり、Ar ³²¹ は、置換基を有していてもよい炭素数6~60(好� ��しくは6~20、より好ましくは6~14)の2価の芳香 族炭化水素基であり、Ar ³²² は、置換基を有していてもよい炭素数6~60(好� ��しくは6~20、より好ましくは6~14)のアリール� ��又は置換基を有していてもよい炭素数3~60(� �ましくは3~20、より好ましくは3~14)のヘテロ� �リール基である。)で表される含窒素複素環� ��導体。

(式中、X ³⁰¹ 及びY ³⁰¹ は、それぞれ炭素数1~6の飽和もしくは不飽和 の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオ キシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基 、置換もしくは無置換のアリール基、置換も しくは無置換のヘテロ環又はXとYが結合して� ��和又は不飽和の環を形成した構造であり、R ³⁰¹ ~R ³⁰⁴ は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキ ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パ ーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコ キシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、 アリールカルボニル基、アルコキシカルボニ ル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基 、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカ ルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオ キシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基 、スルフィニル基、スルフォニル基、スルフ ァニル基、シリル基、カルバモイル基、アリ ール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキ ニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基 、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネ ート基、イソシアネート基、チオシアネート 基、イソチオシアネート基又はシアノ基であ る。これらの基は置換されていてもよい。ま た、隣接した基が置換もしくは無置換の縮合 環を形成してもよい。)で表されるシラシク� �ペンタジエン誘導体。

(式中、R ³²¹ ~R ³²⁸ 及びZ ³²² は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽 和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ 環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコ キシ基又はアリールオキシ基を示し、X ³⁰² 、Y ³⁰² 及びZ ³²¹ は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水 素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換 アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ 基を示し、Z ³²¹ とZ ³²² は相互に結合して縮合環を形成してもよく、 nは1~3の整数を示し、n又は(3-n)が2以上の場合� ��R ³²¹ ~R ³²⁸ 、X ³⁰² 、Y ³⁰² 、Z ³²² 及びZ ³²¹ は同一でも異なってもよい。但し、nが1、X、 Y及びR ³²² がメチル基でR ³²⁸ が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及び nが3でZ ³²¹ がメチル基の化合物を含まない。)で表され� �ボラン誘導体。

[式中、Q ³⁰¹ 及びQ ³⁰² は、それぞれ、下記式(K)で示される配位子を 表し、L ³¹⁵ は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のア ルキル基、置換もしくは無置換のシクロアル キル基、置換もしくは無置換のアリール基、 置換もしくは無置換の複素環基、-OR(Rは、水� ��原子、置換もしくは無置換のアルキル基、� ��換もしくは無置換のシクロアルキル基、置� ��もしくは無置換のアリール基、置換もしく� ��無置換の複素環基である。)又は-O-Ga-Q ³⁰³ (Q ³⁰⁴ )(Q ³⁰³ 及びQ ³⁰⁴ は、Q ³⁰¹ 及びQ ³⁰² と同じ)で示される配位子を表す。]で表され� ��ガリウム錯体。

[式中、環A ³⁰¹ 及びA ³⁰² は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合 した6員アリール環構造である。]

 この金属錯体は、n型半導体としての性質が 強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯 体形成時の生成エネルギーも低いために、形 成した金属錯体の金属と配位子との結合性も 強固になり、発光材料としての蛍光量子効率 も大きい。
 式(K)の配位子を形成する環A ³⁰¹ 及びA ³⁰² の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭 素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル 基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s-ブ� ��ル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル� �、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基� �トリクロロメチル基等の置換もしくは無置� �のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、� �フェニル基、アントラニル基、フェナント� �ル基、フルオレニル基、ピレニル基、3-メチ ルフェニル基、3-メトキシフェニル基、3-フ� �オロフェニル基、3-トリクロロメチルフェニ ル基、3-トリフルオロメチルフェニル基、3-� �トロフェニル基等の置換もしくは無置換の� �リール基、メトキシ基、n-ブトキシ基、t-ブ� ��キシ基、トリクロロメトキシ基、トリフル� ��ロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ� ��、2,2,3,3-テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1 ,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロポキシ基、6-(パ� �フルオロエチル)ヘキシルオキシ基等の置換� ��しくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ� ��、p-ニトロフェノキシ基、p-t-ブチルフェノ� ��シ基、3-フルオロフェノキシ基、ペンタフ� �オロフェノキシ基、3-トリフルオロメチルフ ェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリー ルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、 t-ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチル� ��オ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換� ��しくは無置換のアルキルチオ基、フェニル� ��オ基、p-ニトロフェニルチオ基、p-t-ブチル� ��ェニルチオ基、3-フルオロフェニルチオ基� �ペンタフルオロフェニルチオ基、3-トリフル オロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは 無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ 基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルア ミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基 、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、 ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミ ノ基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビ� ��(アセトキシエチル)アミノ基、ビス(アセト� ��シプロピル)アミノ基、ビス(アセトキシブ� �ル)アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、� ��ロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メ� ��ルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル� ��、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバ� ��イル基、プロイピルカルバモイル基、ブチ� ��カルバモイル基、フェニルカルバモイル基� ��の置換もしくは無置換のカルバモイル基、� ��ルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、� ��クロペンタン基、シクロヘキシル基等のシ� ��ロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル� ��、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリ� ��ジニル基、インドリニル基、キノリニル基� ��アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキ� ��ニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニ� ��基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フ� ��ニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基� ��オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル� ��、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベン� ��チアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾ� ��ル基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基� ��がある。また、以上の置換基同士が結合し� ��さらなる6員アリール環もしくは複素環を形 成してもよい。

 有機EL素子の好ましい形態では、電子を� �送する領域又は陰極と有機層の界面領域に� �還元性ドーパントを含有する。ここで、還� �性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還� �ができる物質と定義される。従って、一定� �還元性を有するものであれば、様々なもの� �用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカ� �土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸� �物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカ� �土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハ� �ゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類� �属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩� �アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の� �酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ� �類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体� �らなる群から選択される少なくとも一つの� �質を好適に使用することができる。

 また、より具体的に、好ましい還元性ドー� ��ントとしては、Li(仕事関数:2.9eV)、Na(仕事関 数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16e V)及びCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択� �れる少なくとも一つのアルカリ金属や、Ca(� �事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0~2.5eV)、及びBa(� �事関数:2.52eV)からなる群から選択される少な くとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる 仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。
 これらのうち、より好ましい還元性ドーパ� ��トは、K、Rb及びCsからなる群から選択され� �少なくとも一つのアルカリ金属であり、さ� �に好ましくは、Rb又はCsであり、最も好まし� ��のは、Csである。

 これらのアルカリ金属は、特に還元能力が� ��く、電子注入域への比較的少量の添加によ� ��、有機EL素子における発光輝度の向上や長� �命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下 の還元性ドーパントとして、これら2種以上� �アルカリ金属の組み合わせも好ましく、特� �、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、Cs とK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせ� �あることが好ましい。
 Csを組み合わせて含むことにより、還元能� �を効率的に発揮することができ、電子注入� �への添加により、有機EL素子における発光輝 度の向上や長寿命化が図られる。

 本発明においては陰極と有機層の間に絶縁� ��や半導体で構成される電子注入層をさらに� ��けてもよい。この時、電流のリークを有効� ��防止して、電子注入性を向上させることが� ��きる。
 このような絶縁体としては、アルカリ金属� ��ルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲ� ��イド、アルカリ金属のハロゲン化物及びア� ��カリ土類金属のハロゲン化物からなる群か� ��選択される少なくとも一つの金属化合物を� ��用するのが好ましい。電子注入層がこれら� ��アルカリ金属カルコゲナイド等で構成され� ��いれば、電子注入性をさらに向上させるこ� ��ができる点で好ましい。

 具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲ� ��イドとしては、例えば、Li ₂ O、LiO、Na ₂ S、Na ₂ Se及びNaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類� ��属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、B aO、SrO、BeO、BaS、及びCaSeが挙げられる。また 、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物とし ては、例えば、LiF、NaF、KF、CsF,LiCl、KCl及びNa Cl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ� ��類金属のハロゲン化物としては、例えば、C aF ₂ 、BaF ₂ 、SrF ₂ 、MgF ₂ 及びBeF ₂ といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲ ン化物が挙げられる。

 また、電子注入・輸送層を構成する半導体� ��しては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、C d、Mg、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元� ��を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の� ��種単独又は二種以上の組み合わせが挙げら� ��る。
 また、電子注入・輸送層を構成する無機化� ��物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であ� ��ことが好ましい。電子輸送層がこれらの絶� ��性薄膜で構成されていれば、より均質な薄� ��が形成されるために、ダークスポット等の� ��素欠陥を減少させることができる。
 尚、このような無機化合物としては、上述� ��たアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ� ��類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハ� ��ゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン� ��物等が挙げられる。

(7)陰極
 陰極としては、電子注入・輸送層又は発光� ��に電子を注入するため、仕事関数の小さい( 4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及び� �れらの混合物を電極物質とするものが用い� �れる。このような電極物質の具体例として� �、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金� �マグネシウム、リチウム、マグネシウム・� �合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、ア� ��ミニウム・リチウム合金、インジウム、希� ��類金属等が挙げられる。
 この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパ� ��タリング等の方法により薄膜を形成させる� ��とにより、作製することができる。
 ここで発光層からの発光を陰極から取り出� ��場合、陰極の発光に対する透過率は10%より� ��きくすることが好ましい。
 また、陰極としてのシート抵抗は数百ω/□� ��下が好ましく、膜厚は通常10nm~1μm、好まし� ��は50~200nmである。

(8)絶縁層
 有機EL素子は超薄膜に電界を印可するため� �、リークやショートによる画素欠陥が生じ� �すい。これを防止するために、一対の電極� �に絶縁性の薄膜層を挿入することが好まし� �。
 絶縁層に用いられる材料としては例えば酸� ��アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウ� ��、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグ� ��シウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウ� ��、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸� ��チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒� ��珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化� ��テニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、� ��れらの混合物や積層物を用いてもよい。

(9)有機EL素子の製造方法
 有機EL素子を作製する方法については、例� �ば上記の材料及び方法により、陽極から、� �要な層を順次形成し、最後に陰極を形成す� �ばよい。また、陰極から陽極へ、逆の順序� �有機EL素子を作製することもできる。

 以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層/� �光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成 の有機EL素子の作製例について説明する。
 まず、透光性基板上に、陽極材料からなる� ��膜を蒸着法あるいはスパッタリング法によ� ��形成し、陽極とする。次に、この陽極上に� ��孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、� ��空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、L B法等の方法により行うことができるが、均� �な膜が得られやすく、かつピンホールが発� �しにくい等の点から真空蒸着法により形成� �ることが好ましく、大面積化及び、低コス� �化という観点からは、スピンコート法等の� �布法により形成することが好ましい。真空� �着法により正孔注入層を形成する場合、そ� �蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材� ��)、目的とする正孔注入層の構造等により異 なるが、一般に蒸着源温度50~450℃、真空度10 ^-7 ~10 ^-3 Torr、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300℃で 適宜選択することが好ましい。

 次に、正孔注入層上に発光層を設ける。� ��光層の形成も、真空蒸着法、スパッタリン� ��、スピンコート法、キャスト法等の方法に� ��り、発光材料を薄膜化することにより形成� ��きるが、均質な膜が得られやすく、かつピ� ��ホールが発生しにくい等の点から真空蒸着� ��により形成することが好ましく、大面積化� ��び、低コスト化という観点からは、スピン� ��ート法などの塗布法により形成することが� ��ましい。真空蒸着法により発光層を形成す� ��場合、その蒸着条件は使用する化合物によ� ��異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同� ��な条件範囲の中から選択することができる� ��

 次に、発光層上に電子注入層を設ける。こ� ��場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質� ��膜を得る必要から真空蒸着法により形成す� ��ことが好ましく、大面積化及び、低コスト� ��という観点からは、スピンコート法等の塗� ��法により形成することが好ましい。蒸着条� ��は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲か� ��選択することができる。
 そして、最後に陰極を積層して有機EL素子� �得ることができる。陰極は蒸着法、スパッ� �リングにより形成できる。下地の有機物層� �製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法� �好ましい。
 以上の有機EL素子の作製は、一回の真空引� �で、一貫して陽極から陰極まで作製するこ� �が好ましい。

 有機EL素子の各層の形成方法は特に限定さ� �ない。本発明の化合物を含有する有機薄膜� �は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるい は本発明の化合物を溶媒に解かした溶液を使 用した塗布法等、公知の方法で形成すること ができる。
 前記塗布法としては、例えば、スピンコー� ��法、キャスティング法、マイクログラビア� ��ート法、グラビアコート法、バーコート法� ��ロールコート法、ワイアーバーコート法、� ��ィップコート法、スプレーコート法、スク� ��ーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセソト� ��刷法、インクジェソトプリント法等が挙げ� ��れる。パターン形成が容易であるという点� ��、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オ� ��セソト印刷法、インクジェット印刷法が好� ��しい。これらの方法による成膜は当業者に� ��知の条件により行うことができ、その詳細� ��省略する。

 成膜用溶液は、少なくとも1種類の本発明 の高分子化合物を含有していればよく、また 該高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸 送材料、発光材料、溶媒、安定剤等の添加剤 を含んでいてもよい。該成膜用溶液中の該高 分子化合物の含有量は、溶媒を除いた組成物 の全重量に対して1~100重量%が好ましく、50~100 重量%がより好ましい。溶媒の割合は、成膜� �溶液の0.1~20重量%が好ましく、0.5~10重量%がよ り好ましい。

 成膜用溶液は、粘度及び/又は表面張力を 調節するための添加剤、例えば、増粘剤(高� �子量化合物、本発明の高分子化合物の貧溶� �など)、粘度降下剤(低分子量化合物など)、� �面活性剤などを含有していてもよい。また� �保存安定性を改善するために、フェノール� �酸化防止剤、リン系酸化防止剤など、有機EL 素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有し ていてもよい。

 成膜用溶液の溶媒としては、クロロホル� ��、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、四塩 化炭素、テトラクロロエタン、1,1,2-トリクロ ロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベン� ��ン等の塩素系溶媒、ジブチルエーテル、テ� ��ラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール� ��のエーテル系溶媒;ベンゼン、ドデシルベン ゼン、トルエン、クロロトルエン、キシレン 等のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲンを 有しても良い芳香族系溶媒;シクロへキサン� �メチルシクロへキサン、n-ペンタン、n-へキ� ��ン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-� �カン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセトン、� ��チルエチルケトン、メチルブチルケトン、� ��クロへキサノン、シクロヘプタノン、シク� ��ペンタノン、シクロオクタノン、べンゾフ� ��ノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒;酢 酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブア セテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル、 酢酸アミル等のエステル系溶媒;エチレング� �コール、エチレングリコールモノブチルエ� �テル、エチレングリコールモノエチルエー� �ル、エチレングリコールモノメチルエーテ� �、ジメトキシエタン、プロピレングリコー� �、ジエトキシメタン、トリエチレングリコ� �ルモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-へ� ��サンジオール、等の多価アルコール及びそ� ��誘導体;メタノール、エタノール、プロパノ ール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノ ール、オクタノール、ノナノール、ベンジル アルコール、イソプロパノール、シクロへキ サノール、エチルセロソルブ等のアルコール 系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキ� �ド系溶媒;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチ� ��ホルムアミド等のアミド系溶媒が例示され� ��。また、これらの有機溶媒は、単独で、又� ��複数組み合わせて用いることができる。こ� ��らのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特� ��等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エ� ��テル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エス� ��ル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トル� ��ン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチル� ��ンゼン、トリメチルベンゼン、n-プロピル� �ンゼン、イソプロピルベンゼン、n-ブチルベ ンゼン、イソブチルベンゼン、5-ブチルベン� ��ン、n-へキシルベンゼン、シクロへキシル� �ンゼン、1-メチルナフタレン、テトラリン、 アニソール、エトキシベンゼン、シクロへキ サン、ビシクロへキシル、シクロヘキセニル シクロヘキサノン、n-ヘプチルシクロへキサ� ��、n-へキシルシクロヘキサン、デカリン、� �息香酸メチル、シクロへキサノン、2-プロピ ルシクロへキサノン、2-へプタノン、3-へプ� �ノン、4-へプタノン、2-オクタノン、2-ノナ� �ン、2-デカノン、ジシクロへキシルケトン、 アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ま しい。