以下、本発明の実施の形態について説明� ��る。

 図1は、本発明に係る携帯電子機器の一例 である携帯電話装置1の外観斜視図を示す。� �お、図1は、いわゆる折り畳み型の携帯電話� ��置の形態を示しているが、本発明に係る携� ��電話装置の形態としては特にこれに限られ� ��い。例えば、両筐体を重ね合わせた状態か� ��一方の筐体を一方向にスライドさせるよう� ��したスライド式や、重ね合せ方向に沿う軸� ��を中心に一方の筐体を回転させるようにし� ��回転式(ターンタイプ)や、操作部と表示部� �が一つの筐体に配置され、連結部を有さな� �形式(ストレートタイプ)でも良い。また、本 発明の携帯電子機器は、携帯電話装置に限定 されるものではなく、PDA(Personal Digital Assista nt)等のその他の携帯電子機器であってもよい 。

 携帯電話装置1は、操作部側筐体部2と、� �示部側筐体部3と、を備えて構成される。操� ��部側筐体部2は、表面部10に、操作ボタン群1 1と、携帯電話装置1の使用者が通話時に発し� ��音声が入力される音声入力部12と、を備え� �構成される。操作ボタン群11は、各種設定や 電話帳機能やメール機能等の各種機能を作動 させるための機能設定操作ボタン13と、電話� ��号の数字やメール等の文字等を入力するた� ��の入力操作ボタン14と、各種操作における� �定やスクロール等を行う決定操作ボタン15と 、から構成されている。

 また、表示部側筐体部3は、表面部20に、� ��種情報を表示するためのディスプレイ21と� �通話の相手側の音声を出力する音声出力部22 と、を備えて構成されている。

 また、上述した操作ボタン群11、音声入� �部12、ディスプレイ21及び音声出力部22は、� �述する処理部62を構成している。

 また、操作部側筐体部2の上端部と表示部 側筐体部3の下端部とは、ヒンジ機構4を介し� ��連結されている。また、携帯電話装置1は、 ヒンジ機構4を介して連結された操作部側筐� �部2と表示部側筐体部3とを相対的に回転する ことにより、操作部側筐体部2と表示部側筐� �部3とが互いに開いた状態(開放状態)にした� �、操作部側筐体部2と表示部側筐体部3とを折 り畳んだ状態(折畳み状態)にしたりできる。

 また、図2は、操作部側筐体部2の一部を� �解した斜視図を示している。操作部側筐体� �2は、図2に示すように、基板40と、RFID部41と� ��リアケース部42と、充電池43と、充電池カバ ー44と、によって構成されている。

 基板40は、所定の演算処理を行うCPU等の� �子が実装されており、表面部10上の操作ボタ ン群11がユーザにより操作が行われたときに� ��所定の信号がCPUに供給される。

 また、後述する第1実施形態に係るRFID部41 は、第1の使用周波数帯(例えば、13.56MHz)によ� ��外部装置と通信を行う磁界アンテナ部50と� �RFIDチップ51と、調整用のコンデンサ52と、を 備える。

 また、後述する第2実施形態に係るRFID部41 は、第1の使用周波数帯(例えば、13.56MHz)によ� ��外部装置と通信を行う磁界アンテナ部50と� �RFIDチップ51と、調整用のリアクタンス可変� �57と、を備える。

 また、後述する第3実施形態に係るRFID部41 は、第1の使用周波数帯(例えば、13.56MHz)によ� ��外部装置と通信を行う磁界アンテナ部50と� �RFIDチップ51と、コンデンサ52と、調整用のイ ンダクタンス部58と、を備える。

 リアケース部42は、ヒンジ機構4を固定す� ��ヒンジ機構固定部42Aと、第1の使用周波数帯 よりも高い周波数帯である第2の使用周波数� �により通信を行うメインアンテナ70を収納す るメインアンテナ収納部42Bと、充電池43を格� ��する充電池格納部42Cと、RFID部41を固定するR FID部固定部42Dとを備えている。なお、メイン アンテナ70の詳細については後述する。

<第1実施形態>
 本発明の第1実施形態について以下に説明す る。図3は、携帯電話装置1の機能を示す機能� ��ロック図である。携帯電話装置1は、図3に� �すように、第1の通信部であるRFID部41(第2の� �能部)と、外部の端末と通信を行う第2の通信 部61と、第2の通信部61により通信される情報� ��処理する処理部62(第1の機能部)と、を備え� �いる。

 RFID部41は、上述したように、第1の使用周 波数帯(例えば、13.56MHz)により外部装置と通� �を行う磁界アンテナ部50と、RFIDチップ51と、 調整用のコンデンサ52と、を備える。

 磁界アンテナ部50は、例えば、PET(polyethyle ne terephthalate)材料からなるシート上に複数回 渦巻き状に巻かれたコイルにより構成される 磁界アンテナであって、外部装置との間で第 1の使用周波数帯の信号を送受信する。

 RFIDチップ51は、磁界アンテナ部50で受信� �れた信号によって誘起された電力に基づい� �所定の電圧を生成する電源回路53と、磁界ア ンテナ部50により通信される信号に対して変� ��処理又は復調処理等の信号処理を行うRF回� �54と、所定の演算処理を行うCPU55と、所定の� ��ータが格納されているメモリ56と、を備え� �いる。電源回路53は、例えば、DC-DCコンバー� ��により構成されている。

 ここで、RFID部41の動作について説明する� ��

 磁界アンテナ部50は、外部に設置されて� �るリーダ・ライタ装置に対して、所定距離� �で接近したときに、当該リーダ・ライタ装� �から送信される電磁波(第1の使用周波数帯で あるキャリア周波数(例えば、13.56MHz)により� �調されている)を受信する。なお、コンデン� ��52は、第1の使用周波数帯の電磁波が磁界ア� ��テナ部50を介してRF回路54に供給されるよう� ��、所定の調整(チューニング)を行う。

 また、磁界アンテナ部50により電磁波が� �信されると、電磁誘導作用により起電力が� �生する。

 電源回路53は、電磁誘導作用により発生� �た起電力から所定の電源電圧を生成し、RF回 路54と、CPU55と、メモリ56とに供給する。また 、RF回路54と、CPU55と、メモリ56とは、電源回� ��53から所定の電源電圧が供給されることに� �り停止状態から起動状態に移行する。

 RF回路54は、磁界アンテナ部50を介して供� ��された第1の使用周波数帯の信号に対して復 調等の信号処理を行い、処理後の信号をCPU55� ��供給する。

 CPU55は、RF回路54から供給された信号に基� ��いて、メモリ56にデータを書き込む、又は� �メモリ56からデータを読み出す。CPU55は、メ� ��リ56からデータを読み出した場合には、当� �データをRF回路54に供給する。RF回路54は、メ モリ56から読み出されたデータに対して変調� ��の信号処理を行い、磁界アンテナ部50を介� �て外部のリーダ・ライタ装置に伝達する。

 また、RFID部41は、上述では、電源部を有� ��ない、いわゆる受動型(Passive)の誘導電磁界� ��式(電磁誘導方式)であるものとして説明を� �ったが、これに限られず、受動型の相互誘� �方式(電磁結合方式)又は放射電磁界方式(電� �方式)であっても良いし、又は、電源部を有� ��る能動型(Active)であっても良い。また、RFID� ��41のアクセス方式として、リード・ライト� �であるものとして説明を行ったが、これに� �られず、リードオンリー型や、ライトワン� �型等であっても良い。

 また、第2の通信部61は、図3に示すように 、第1の使用周波数帯よりも高い周波数帯で� �る第2の使用周波数帯により外部装置と通信� ��行うメインアンテナ70と、変調処理又は復� �処理等の信号処理を行う通信処理部71(第2の� ��報処理部)と、を備える。また、第2の通信� �61は、充電池43から電源の供給を受けている� ��

 メインアンテナ70は、第2の使用周波数帯( 例えば、800MHz)で外部装置と通信を行う。な� �、本実施の形態では、第2の使用周波数帯と� ��て、800MHzとしたが、これ以外の周波数帯で� ��っても良い。また、メインアンテナ70は、� �2の使用周波数帯の他に、第3の使用周波数帯 (例えば、2GHz)に対応できる、いわゆるデュア ルバンド対応型による構成であっても良いし 、さらに、第4の使用周波数帯にも対応でき� �複数バンド対応型により構成されていても� �い。

 通信処理部71は、メインアンテナ70によっ て受信した信号を復調処理し、処理後の信号 を処理部62に供給し、処理部62から供給され� �信号を変調処理し、メインアンテナ70を介し て外部装置に送信する。

 また、処理部62は、図3に示すように、操� ��ボタン群11と、音声入力部12と、ディスプレ イ21と、音声出力部22と、所定の演算処理を� �うCPU72と、所定のデータが格納されているメ モリ73と、所定の音処理を行う音響処理部74� �、所定の画像処理を行う画像処理部75と、被 写体を撮像するカメラモジュール76と、着信� ��等が出力されるスピーカ77と、を備えてい� �。また、処理部62は、充電池43から電源の供� ��を受けている。なお、携帯電話装置1は、図 3に示すように、CPU55とCPU72とが、信号線Sで結 ばれており、信号線Sを介してRFID部41により� �理された情報が画像処理部75に供給され、画 像処理部75により処理された情報がディスプ� ��イ21に表示される構成となっている。

 つぎに、RFID部41の特性について説明する� ��

 RFID部41を構成する磁界アンテナ部50は、� �4に示すような、温度特性を有しており、周� ��の温度が低下すると共振周波数が上昇し、� ��方で、周囲の温度が上昇すると共振周波数� ��低下する。これは、周囲の温度変化によっ� ��、磁界アンテナ部50を構成するアンテナ線� �が収縮又は膨張し、インダクタンス(L)値が� �化することによって生ずる。

 ところで、RFID部41のアンテナ性能に対し� ��は、厳しい周波数特性が要求されており、� ��般的な使用環境下において、共振周波数(例 えば、13.56MHz)が一定の周波数範囲内(例えば� �±100kHz)に収まるように構成する必要がある� �なお、共振周波数としては、他に、13.1725MHz� �200kHzの場合や、13.61MHz±75kHzの場合等、端末� �ハードウェア構成等による影響を考慮する� �の理由により様々なものがある。

 そこで、本発明に係る携帯電話装置1では 、図5に示すように、複数回渦巻き状に巻か� �たコイル(磁界アンテナ)50aと、温度補償用の リアクタンス素子(例えば、-750ppm/℃の温度補 償用コンデンサ)50bと、により磁界アンテナ� �50(アンテナアセンブリ側)を構成する。この� ��界アンテナ部50は、RFIDチップ51に電気的に� �続されるとともに、コンデンサ52を介してグ ランド部GNDに導通されている。

 ここで、リアクタンス素子50bは、アンテ� ��線材で構成されるコイル50aのインダクタン� ��が温度変化に対して変動する量と、逆とな� ��温度-リアクタンス特性を有している。

 したがって、例えば、コイル50aにおける� ��度変化(-20℃から+60℃)に対するインダクタ� �ス値の変化率が図6に示すような特性(例えば 、20℃を基準にして、温度の上昇に伴ってイ� ��ダクタンス値の変化率が上昇し、一方、温� ��の下降に伴ってインダクタンス値の変化率� ��下降する)の場合には、容量変化率が当該イ ンダクタンス値の変化率と逆特性となる、す なわち、例えば、20℃を基準にして、温度の� ��昇に伴って容量変化率が下降し、また、温� ��の下降に伴って容量変化率が上昇する特性� ��有するリアクタンス素子50bをコイル50aに対� ��て並列的に接続する(図7を参照)。

 このような構成にすることにより、磁界� ��ンテナ部50は、図8に示すように、リアクタ� ��ス素子50bの温度特性によりコイル50aの温度� ��性を相殺し、所定範囲の温度変化(-20℃から +60℃)に対して共振周波数が変動しないよう� �構成することができる。

 また、RFID部41の共振周波数Fcは、(1)式にし� �がって、コンデンサ52のキャパシタンス値と 、磁界アンテナ部50(コイル50a)のインダクタ� �ス値と、により決定される。
Fc=1/(2π√(L×C))・・・(1)

 このようにして、本発明によれば、アン� ��ナアセンブリ側である磁界アンテナ部50に� �いて、リアクタンス素子50bを負荷すること� �よる温度補償を行っているので、磁界アン� �ナ部50全体としてのリアクタンス値が温度変 化に対して変動せず、また、このような磁界 アンテナ部50と、コンデンサ52とにより決定� �れる共振周波数も温度変化によって変動し� �い。

 したがって、本発明に係る携帯電話装置1 では、アンテナアセンブリ側である磁界アン テナ部50のみで温度補償を行うので、アンテ� ��アセンブリ側以外の構成部において温度補� ��の対策が不要となる。したがって、当該構� ��部がどのような構成であってもアンテナア� ��ンブリ側である磁界アンテナ部50では設計� �変更を行うことなく対応できるため、アン� �ナアセンブリ側である磁界アンテナ部50に汎 用性が生まれ、コストダウンにつながる。

 なお、携帯電話装置1が使用される一般的 な環境下において、RFID部41の共振周波数(例� �ば、13.56MHz)が一定の周波数範囲内(例えば、� �100kHz)になれば良く、リアクタンス素子50bの� ��度に対する容量変化率は、上述の図7に示す ような特性(コイル50aのインダクタンス値の� �化率に対して完全に逆の特性)を有していな� ��ても良い。

 また、他の実施の形態として、携帯電話� ��置1は、コンデンサ52を設けず、アンテナア� ��ンブリ側である磁界アンテナ部50における� �度補償用のリアクタンス素子50bとコイル50a� �により共振周波数を決定するような構成で� �っても良い。このような構成の場合には、� �ンデンサ52が不要となるため、携帯電話装置 1の製造コストを低減することができる。

<第2実施形態>
 本発明の第2実施形態について以下に説明す る。ここで、第2実施形態における携帯電話� �置1は、第1実施形態における携帯電話装置1� �RFID部41における調整用のリアクタンス可変� �57を除き同様の構成である。以下、第2実施� �態における携帯電話装置1について第1実施形 態における携帯電話装置1と異なる点を中心� �説明し、他の説明は省略する。

 図9は、携帯電話装置1の機能を示す機能� �ロック図である。携帯電話装置1は、図9に示 すように、第1の通信部であるRFID部41と、外� �の端末と通信を行う第2の通信部61と、第2の� ��信部61により通信される情報を処理する処� �部62と、を備えている。

 RFID部41は、上述したように、第1の使用周 波数帯(例えば、13.56MHz)により外部装置と通� �を行う磁界アンテナ部50(第1のアンテナ部)と 、RFIDチップ51(第1の情報処理部)と、調整用の リアクタンス可変部57と、を備える。

 また、第2の通信部61は、図9に示すように 、第1の使用周波数帯よりも高い周波数帯で� �る第2の使用周波数帯により外部装置と通信� ��行うメインアンテナ70(第2のアンテナ部)と� �変調処理又は復調処理等の信号処理を行う� �信処理部71(第2の情報処理部)と、を備える。 また、第2の通信部61は、充電池43から電源の� ��給を受けている。

 なお、磁界アンテナ部50、RFIDチップ51、� �源回路53、RF回路54、CPU55、メモリ56、処理部6 2、メインアンテナ70及び通信処理部71の動作� ��び機能は、上述した第1実施形態と同様であ る。

 つぎに、RFID部41の特性について説明する� ��

 RFID部41のアンテナ性能に対しては、厳し� ��周波数特性が要求されており、一般的な使� ��環境下において、共振周波数(例えば、13.56M Hz)が一定の周波数範囲内(例えば、±100kHz)に� �まるように構成する必要がある。なお、共� �周波数としては、他に、13.1725MHz±200kHzの場� �や、13.61MHz±75kHzの場合等、端末のハードウ� �ア構成等による影響を考慮する等の理由に� �り様々なものがある。

 また、RFID部41の共振周波数Fcは、(1)式にし� �がって、リアクタンス可変部57のキャパシタ ンス(C)値と、磁界アンテナ部50のインダクタ� ��ス(L)値と、により決定される。
Fc=1/(2π√(L×C))・・・(1)

 ここで、RFID部41は、磁界アンテナ部50の� �ンダクタンス(L)値や、調整用のリアクタン� �可変部57の容量や、RFIDチップ51等のばらつき により、共振周波数が変動し、当該ばらつき が大きいときには、安定した通信を行うため に要求されるスペック(一定の周波数範囲)を� ��れてしまう場合がある。

 そこで、本発明に係る携帯電話装置1では 、以下に示す構成にすることにより、共振周 波数を要求される一定の範囲内(スペック内)� ��収めるように調整する。

 <第1の構成>
 リアクタンス可変部57は、図10に示すように 、バリキャップダイオード57aにより構成され 、バリキャップダイオード57aが磁界アンテナ 部50に対して並列的に接続にされる。CPU72は� �バリキャップダイオード57aに逆バイアス電� �を供給する。バリキャップダイオード57aは� �CPU72から供給される逆バイアス電圧の電圧値 に応じて容量が可変する。なお、バリキャッ プダイオード57aは、図11に示すように、逆バ� ��アス電圧の印加に対して、所定の比率で端� ��間容量が可変する特性を有する。

 例えば、工場出荷前に、RFIDチップ51等の� ��らつきに起因して、RFID部41の共振周波数が� ��定の範囲に収まるかどうかについて確認作� ��を行い、CPU72からバリキャップダイオード57 aに供給される電圧値を決定する。

 また、工場出荷後においては、CPU72から� �リキャップダイオード57aに対して、工場出� �前に決定された一定の逆バイアス電圧(例え� ��、+3V)を印加することにより、RFID部41におい て、RFIDチップ51の端子容量等のばらつきによ って共振周波数がスペックアウトすることな く安定した通信品質を担保する。

 本発明に係る携帯電話装置1は、CPU72から� ��定の逆バイアス電圧をバリキャップダイオ� ��ド57aに供給するので、CPU72の制御電圧ポー� �を最小限により構成することができ、コス� �の低減化を図ることができる。また、制御� �圧の分解能を高くする構成することにより� �バリキャップダイオード57aに印加する逆バ� �アス電圧を精細に決定することができ、共� �周波数を線形状(リニア)に制御することがで きる。

 <第2の構成>
 リアクタンス可変部57は、図12に示すように 、第1のFETスイッチ部57cが調整用のコンデン� �57bに直列接続されたもの(以下、第1の調整部 57dという。)と、第2のFETスイッチ部57fが調整� ��のコンデンサ57eに直列接続されたもの(以下 、第2の調整部57gという。)と、により構成さ� ��、磁界アンテナ部50に対してそれぞれが並� �的に接続される。CPU72は、第1のFETスイッチ� �57c及び第2のFETスイッチ部57fに対して、選択� ��に一定電圧を供給し、ON状態又はOFF状態に� �定する。また、第1のFETスイッチ部57cと第2の FETスイッチ部57fのいずれか一方又は双方がCPU 72によりON状態に設定されることにより、第1� ��FETスイッチ部57c及び第2のFETスイッチ部57fに 直列的に接続されている調整用のコンデンサ 57b、57eが有効となり、キャパシタンス(C)値が 変化し、共振周波数を調整することができる 。

 例えば、工場出荷前に、RFIDチップ51の端� ��容量等のばらつきに起因して、RFID部41の共� ��周波数が所定の周波数範囲Xに収まるかどう かについて確認作業を行い、第1のFETスイッ� �部57cと第2のFETスイッチ部57fの双方をOFF状態� ��設定するか、いずれか一方又は双方をON状� �に設定するかを決定する。

 また、工場出荷後においては、CPU72は、� �場出荷前に行った決定にしたがって、第1のF ETスイッチ部57cと第2のFETスイッチ部57fに対し て、いずれにも電圧を供給しない、又は、い ずれか一方又は双方に電圧を供給する。この ようにして、RFID部41は、RFIDチップ51の端子容 量等のばらつきによって共振周波数がスペッ クアウトすることなく安定した通信品質を担 保する。

 具体的には、工場出荷前において、予め� ��第1のFETスイッチ部57cと第2のFETスイッチ部57 fのいずれか一方をON状態に設定しておく。そ して、共振周波数が高周波数側にスペックア ウト(所定の周波数範囲Xを超えている)してい る場合には、他方もON状態に設定する、すな� ��ち、第1のFETスイッチ部57cと第2のFETスイッ� �部57fの双方をON状態に設定する。このように 設定することによって、共振周波数をスペッ ク内に収めることができる(図13(A)を参照)。� �た、共振周波数が低周波数側にスペックア� �トしている場合には、予めON状態になってい る第1のFETスイッチ部57c又は第2のFETスイッチ� ��57fをOFF状態に設定する、すなわち、第1のFET スイッチ部57cと第2のFETスイッチ部57fの双方� �OFF状態に設定する。このように設定するこ� �によって、共振周波数をスペック内に収め� �ことができる(図13(B)を参照)。

 このように構成することにより、本発明� ��係る携帯電話装置1は、CPU72から第1のFETスイ ッチ部57c及び第2のFETスイッチ部57fに対して� �選択的に一定電圧を供給し、ON状態又はOFF状 態に設定する。したがって、本発明によれば 、調整用のコンデンサ57b、57eの有無によって 共振周波数の調整を行うことができるので、 容量のばらつきを吸収し、また、CPU72のGPIO(Ge neral Purpose Input Output)等の汎用入出力ポート を利用することができ、小型かつ低コストを 図ることができる。また、本発明によれば、 容量の大きな調整用のコンデンサ57b、57eを使 用することにより、ON状態からOFF状態へ、又� ��OFF状態からON状態へ変化させた場合の容量� �の幅を大きくすることができる。また、温� �による容量変化が少ないメリットもある。

 なお、上述では、リアクタンス可変部57� �、第1の調整部57dと、第2の調整部57gとの2組� �構成されるものとして説明したが、これに� �られず、いずれか一方の1組により構成され� ��いても良いし、2組以上で構成されていても 良い。また、2組以上で構成されている場合� �は、ON状態とOFF状態の組み合わせを多数実現 でき、共振周波数の調整をより精細に行うこ とができる。

 また、本実施例においては、スイッチと� ��てFETを想定したが、特にこれに限られず、O N状態にしたときに調整用のコンデンサの一� �をGNDにショートできる構成であれば良く、� �えば、トランジスタやメカニカルSW等であっ ても良い。

 <第3の構成>
 リアクタンス可変部57は、図14に示すように 、上述した<第1の構成>と<第2の構成> を組み合わせた構成であって、バリキャップ ダイオード57aと、第1の調整部57dと、第2の調� ��部57gと、により構成され、磁界アンテナ部5 0に対してそれぞれが並列的に接続される。CP U72は、バリキャップダイオード57aに逆バイア ス電圧を供給し、及び、第1のFETスイッチ部57 c及び第2のFETスイッチ部57fに対して、選択的� ��一定電圧を供給し、ON状態又はOFF状態に設� �する。

 また、バリキャップダイオード57aは、印� ��される逆バイアス電圧値に応じて直列的に� ��続されているコンデンサのキャパシタンス( C)値が変化し、また、第1のFETスイッチ部57cと 第2のFETスイッチ部57fのいずれか一方又は双� �がCPU72によりON状態に設定されることにより� ��第1のFETスイッチ部57c及び第2のFETスイッチ� �57fに直列的に接続されている調整用のコン� �ンサ57b、57eが有効となり、キャパシタンス(C )値が変化することにより、共振周波数を調� �する。

 本構成によれば、バリキャップダイオー� ��57aによる制御電圧の分解能が低く、バリキ� ��ップダイオード57aの調整によっては、スペ� ��クXをまたいでしまう場合(例えば、共振周� �数が高周波数側にスペックアウトしている� �きに、バリキャップダイオード57aに一定の� �バイアス電圧を印加すると、逆に低周波数� �にスペックアウトしてしまう場合)には、バ� ��キャップダイオード57aは、スペックXをまた がない程度に調整可能範囲Yを狭く設定し、� �体のばらつきよりも小さくしておく。つま� �、共振周波数がバリキャップダイオード57a� �調整可能範囲Yから外れている場合には、第1 のFETスイッチ部57cと第2のFETスイッチ部57fに� �り、バリキャップダイオード57aの調整可能� �囲Yに移動するように粗い調整を行い、その� ��、バリキャップダイオード57aにより共振周� ��数の中心位置がスペックX内の所定の位置に 移動するように微調整する(図15を参照)。

 このようにして、本発明によれば、スペ� ��クXに対して共振周波数の分布が大きいとき に有効である。

 なお、上述では、リアクタンス可変部57� �、第1の調整部57dと、第2の調整部57gとの2組� �含んで構成されるものとして説明したが、� �れに限られず、いずれか一方の1組により構� ��されていても良いし、2組以上で構成されて いても良い。また、2組以上で構成されてい� �場合には、ON状態とOFF状態の組み合わせを多 数実現でき、共振周波数の調整をより精細に 行うことができる。

 また、本実施例においては、スイッチと� ��てFETを想定したが、特にこれに限られず、O N状態にしたときに調整用のコンデンサの一� �をGNDにショートできる構成であれば良く、� �えば、トランジスタやメカニカルSW等であっ ても良い。

 <第4の構成>
 ここで、RFID部41を構成する磁界アンテナ部5 0は、図16に示すような、温度特性を有してお り、周囲の温度が低下すると共振周波数が上 昇し、一方で、周囲の温度が上昇すると共振 周波数は低下する。これは、周囲の温度変化 によって、磁界アンテナ部50を構成するアン� ��ナ線材が収縮又は膨張し、インダクタンス( L)値が変化することによって生ずる。また、R FIDチップ51の端子容量等も温度特性を有して� ��る。

 そこで、本発明に係る携帯電話装置1では 、リアクタンス可変部57を、第4の構成から第 10の構成にすることにより、所定範囲の温度� ��化(例えば、-20℃から+60℃)に対して共振周� �数が一定の範囲内(スペック内)に収まるよう に調整し、かつ、RFIDチップ51の端子容量等の 温度特性により生ずる共振周波数の変動を調 整する。

 リアクタンス可変部57は、図17に示すよう に、バリキャップダイオード57aと、第1のコ� �デンサ(例えば、-750ppm/℃の温度補償用コン� �ンサ)57hと、第2のコンデンサ(例えば、-750ppm/ ℃の温度補償用コンデンサ)57iと、により構� �され、バリキャップダイオード57aと、第1の� ��ンデンサ57hと、第2のコンデンサ57iと、が磁 界アンテナ部50に対してそれぞれ並列的に接� ��にされる。

 CPU72は、バリキャップダイオード57aに逆� �イアス電圧を供給する。バリキャップダイ� �ード57aは、CPU72から供給される逆バイアス電 圧の電圧値に応じて容量が可変する。なお、 バリキャップダイオード57aは、図11に示すよ� ��に、逆バイアス電圧の印加に対して、所定� ��比率で端子間容量が可変する特性を有する� ��

 例えば、工場出荷前に、RFIDチップ51の端� ��容量や磁界アンテナ部50等のばらつきに起� �して、RFID部41の共振周波数が所定の範囲に� �まるかどうかについて確認作業を行い、CPU72 からバリキャップダイオード57aに供給される 電圧値を決定する。

 また、工場出荷後においては、CPU72から� �リキャップダイオード57aに対して、工場出� �前に決定された一定の逆バイアス電圧(例え� ��、+3V)を印加することにより、RFID部41におい て、RFIDチップ51の端子容量等のばらつきによ って共振周波数がスペックアウトすることな く安定した通信品質を担保する。

 また、第1のコンデンサ57hは、磁界アンテ ナ部50のインダクタンス(L)値が温度変化に対� ��て変動する量と、逆となる温度-リアクタン ス特性を有している。

 また、第2のコンデンサ57iは、RFIDチップ51 の端子容量等により生ずるキャパシタンス(C) 値が温度変化に対して変動する量と、逆とな る温度-リアクタンス特性を有している。な� �、バリキャップダイオード57aも温度特性を� �しており、本実施例においては、第2のコン� ��ンサ57iにより調整する。

 したがって、例えば、磁界アンテナ部50� �おける温度変化(例えば、-20℃から+60℃)に対 するインダクタンス値の変化率が図18に示す� ��うな特性(例えば、20℃を基準にして、温度� ��上昇に伴ってインダクタンス値の変化率が� ��昇し、一方、温度の下降に伴ってインダク� ��ンス値の変化率が下降する)の場合には、容 量変化率が当該インダクタンス値の変化率と 逆特性となる、すなわち、例えば、20℃を基� ��にして、温度の上昇に伴って容量変化率が� ��降し、また、温度の下降に伴って容量変化� ��が上昇する特性を有する第1のコンデンサ57h を磁界アンテナ部50に対して並列的に接続す� ��(図19を参照)。

 また、例えば、RFIDチップ51の端子容量や� ��リキャップダイオード57aにおける温度変化( 例えば、-20℃から+60℃)に対するC値の変化率� ��図20に示すような特性(例えば、20℃を基準� �して、温度の上昇に伴ってC値の変化率が上� ��し、一方、温度の下降に伴ってC値の変化率 が下降する)の場合には、容量変化率が当該C� ��の変化率と逆特性となる、すなわち、例え� ��、20℃を基準にして、温度の上昇に伴って� �量変化率が下降し、また、温度の下降に伴� �て容量変化率が上昇する特性を有する第2の� ��ンデンサ57iをバリキャップダイオード57a等� ��対して並列的に接続する(図21を参照)。

 このような構成にすることにより、本発� ��に係る携帯電話装置1は、セット全体として 、図22に示すように、磁界アンテナ部50等の� �度特性を相殺し、かつ、RFIDチップ51の端子� �量等のばらつきを相殺し、所定範囲の温度� �化(例えば、-20℃から+60℃)に対して共振周波 数が変動しないように構成することができる 。

 <第5の構成>
 リアクタンス可変部57は、図23に示すように 、第1の調整部57dと、第2の調整部57gと、第1の コンデンサ(例えば、-750ppm/℃の温度補償用コ ンデンサ)57hと、第2のコンデンサ(例えば、-75 0ppm/℃の温度補償用コンデンサ)57iと、により 構成され、磁界アンテナ部50に対してそれぞ� ��が並列的に接続される。

 第1の調整部57d及び第2の調整部57gの動作� �、上述した<第2の構成>と同様であり、� �た、第1のコンデンサ57h及び第2のコンデンサ 57iの動作は、上述した<第4の構成>と同様 である。

 このように構成することにより、本発明� ��係る携帯電話装置1は、リアクタンス可変部 57を第1の調整部57dと、第2の調整部57gと、第1� ��コンデンサ57hと、第2のコンデンサ57iと、に より構成することにより、セット全体として 、磁界アンテナ部50等の温度特性を相殺し、� ��つ、RFIDチップ51の端子容量等のばらつきを� ��殺し、所定範囲の温度変化(例えば、-20℃か ら+60℃)に対して共振周波数が変動しないよ� �に構成することができる。

 なお、上述では、リアクタンス可変部57� �、第1の調整部57dと、第2の調整部57gとの2組� �含んで構成されるものとして説明したが、� �れに限られず、いずれか一方の1組により構� ��されていても良いし、2組以上で構成されて いても良い。また、2組以上で構成されてい� �場合には、ON状態とOFF状態の組み合わせを多 数実現でき、共振周波数の調整をより精細に 行うことができる。

 また、本実施例においては、スイッチと� ��てFETを想定したが、特にこれに限られず、O N状態にしたときに調整用のコンデンサの一� �をGNDにショートできる構成であれば良く、� �えば、トランジスタやメカニカルSW等であっ ても良い。

 <第6の構成>
 リアクタンス可変部57は、図24に示すように 、上述した<第4の構成>と<第5の構成> を組み合わせた構成であって、バリキャップ ダイオード57aと、第1の調整部57dと、第2の調� ��部57gと、第1のコンデンサ(例えば、-750ppm/℃ の温度補償用コンデンサ)57hと、第2のコンデ� ��サ(例えば、-750ppm/℃の温度補償用コンデン� ��)57iと、により構成され、バリキャップダイ オード57aと、第1のコンデンサ57hと、第2のコ� ��デンサ57iと、が磁界アンテナ部50に対して� �れぞれ並列的に接続にされる。

 バリキャップダイオード57aの動作は、上� ��した<第1の構成>と同様であり、第1の調 整部57d及び第2の調整部57gの動作は、上述し� �<第2の構成>と同様であり、また、第1の� ��ンデンサ57h及び第2のコンデンサ57iの動作は 、上述した<第4の構成>と同様である。

 このように構成することにより、本発明� ��係る携帯電話装置1は、リアクタンス可変部 57をバリキャップダイオード57aと、第1の調整 部57dと、第2の調整部57gと、第1のコンデンサ5 7hと、第2のコンデンサ57iと、により構成され 、バリキャップダイオード57aと、第1のコン� �ンサ57hと、第2のコンデンサ57iとにより構成� ��ることにより、セット全体として、磁界ア� ��テナ部50等の温度特性を相殺し、かつ、RFID� ��ップ51の端子容量等のばらつきを相殺し、� �定範囲の温度変化(例えば、-20℃から+60℃)に 対して共振周波数が変動しないように構成す ることができる。

 なお、上述では、リアクタンス可変部57� �、第1の調整部57dと、第2の調整部57gとの2組� �含んで構成されるものとして説明したが、� �れに限られず、いずれか一方の1組により構� ��されていても良いし、2組以上で構成されて いても良い。また、2組以上で構成されてい� �場合には、ON状態とOFF状態の組み合わせを多 数実現でき、共振周波数の調整をより精細に 行うことができる。

 また、本実施例においては、スイッチと� ��てFETを想定したが、特にこれに限られず、O N状態にしたときに調整用のコンデンサの一� �をGNDにショートできる構成であれば良く、� �えば、トランジスタやメカニカルSW等であっ ても良い。

 <第7の構成>
 携帯電話装置1は、図25に示すように、リア� ��タンス可変部57がバリキャップダイオード57 aにより構成され、また、CPU72に対して、温度 センサ80と、記憶部81とが接続されて構成さ� �る。また、バリキャップダイオード57aは、� �界アンテナ部50に対して並列的に接続にされ る。

 温度センサ80は、環境温度を検出し、検� �した温度をCPU72に供給する。

 記憶部81は、環境温度の変化に対応して� �バリキャップダイオード57aに印加する逆バ� �アス電圧の電圧値を決定するテーブルが記� �されている。

 CPU72は、温度センサ80から供給される検出 温度に基づいて、記憶部81に格納されている� ��ーブルを参照し、バリキャップダイオード5 7aに印加する逆バイアス電圧の電圧値を決定� ��、決定された電圧値に相当する逆バイアス� ��圧をバリキャップダイオード57aに供給する� ��バリキャップダイオード57aは、CPU72から供� �される逆バイアス電圧の電圧値に応じて容� �が変化する。なお、バリキャップダイオー� �57aは、図11に示すように、逆バイアス電圧の 印加に対して、所定の比率で端子間容量が変 化する特性を有する。

 このような構成により、工場出荷前にお� ��て、実使用される環境温度を温度センサ80� �より検出し、当該検出値に基づき、予め記� �部81に記憶されているテーブルを参照してバ リキャップダイオード57aに供給する逆バイア ス電圧値を決定するので、短時間で共振周波 数の移動量を調整し、所定のスペック内に調 整することができる。また、工場出荷後にお いて、使用者の使用状態に応じて、適応的に 温度変化に伴う共振周波数の移動量を調整す ることができる。

 <第8の構成>
 携帯電話装置1は、図26に示すように、リア� ��タンス可変部57が第1の調整部57d及び第2の調 整部57gにより構成され、また、CPU72に対して� ��温度センサ80と、記憶部81とが接続されて構 成される。また、第1の調整部57d及び第2の調� ��部57gは、磁界アンテナ部50に対してそれぞ� �並列的に接続される。

 温度センサ80は、環境温度を検出し、検� �した温度をCPU72に供給する。

 記憶部81は、環境温度の変化に対して、� �1のFETスイッチ部57cと第2のFETスイッチ部57fの ON状態又はOFF状態をどのように切り替えれば� ��いのかを決定するテーブルが記憶されてい� ��。なお、当該テーブルには、環境温度の変� ��に応じて、第1のFETスイッチ部57cと第2のFET� �イッチ部57fの、双方がON状態、いずれか一方 がON状態、双方がOFF状態の4態様により構成さ れている。

 CPU72は、温度センサ80から供給される検出 温度に基づいて、記憶部81に格納されている� ��ーブルを参照し、ON状態又はOFF状態にするFE Tスイッチ部を決定し、決定されたFETスイッ� �部に対して一定の電圧を供給する。

 ここで、第1のFETスイッチ部57cと第2のFET� �イッチ部57fのいずれか一方又は双方がCPU72に よりON状態に設定されることにより、第1のFET スイッチ部57c及び第2のFETスイッチ部57fに直� �的に接続されている調整用のコンデンサ57b� �57eが有効となり、キャパシタンス(C)値が変� �し、共振周波数を調整することができる。

 なお、予め、第1のFETスイッチ部57cと第2� �FETスイッチ部57fのいずれか一方をON状態に設 定する構成であっても良い。この場合には、 共振周波数が高周波数側にスペックアウト(� �定の周波数範囲Xを超えている)している場合 には、双方がON状態になるように他方をON状� �に設定し、また、共振周波数が低周波数側� �スペックアウトしている場合には、双方がOF F状態になるように一方をOFF状態に設定する� �このように設定することによって、共振周� �数をスペック内に収めることができる。

 このような構成により、工場出荷前にお� ��て、実使用される環境温度を温度センサ80� �より検出し、当該検出値に基づき、予め記� �部81に記憶されているテーブルを参照して、 第1のFETスイッチ部57cと第2のFETスイッチ部57f� ��ON状態及びOFF状態を決定し、ON状態に決定さ れたFETスイッチ部に電圧を供給するので、短 時間で共振周波数の移動量を調整し、所定の スペック内に調整することができる。また、 工場出荷後において、使用者の使用状態に応 じて、適応的に温度変化に伴う共振周波数の 移動量を調整することができる。

 なお、上述では、リアクタンス可変部57� �、第1の調整部57dと、第2の調整部57gとの2組� �含んで構成されるものとして説明したが、� �れに限られず、いずれか一方の1組により構� ��されていても良いし、2組以上で構成されて いても良い。また、2組以上で構成されてい� �場合には、ON状態とOFF状態の組み合わせを多 数実現でき、共振周波数の調整をより精細に 行うことができる。

 また、本実施例においては、スイッチと� ��てFETを想定したが、特にこれに限られず、O N状態にしたときに調整用のコンデンサの一� �をGNDにショートできる構成であれば良く、� �えば、トランジスタやメカニカルSW等であっ ても良い。

 <第9の構成>
 携帯電話装置1は、図27に示すように、上述� ��た<第7の構成>と<第8の構成>を組み� ��わせた構成であって、リアクタンス可変部5 7がバリキャップダイオード57aと、第1の調整� ��57dと、第2の調整部57gとにより構成され、ま た、CPU72に対して、温度センサ80と、記憶部81 とが接続されて構成される。また、バリキャ ップダイオード57aと、第1の調整部57dと、第2� ��調整部57gとは、磁界アンテナ部50に対して� �れぞれ並列的に接続にされる。

 バリキャップダイオード57aの動作は、上� ��した<第7の構成>と同様であり、第1の調 整部57d及び第2の調整部57gの動作は、上述し� �<第8の構成>と同様であり、CPU72の動作は 、上述した<第7の構成>及び<第8の構成& gt;と同様である。

 温度センサ80は、環境温度を検出し、検� �した温度をCPU72に供給する。

 記憶部81は、環境温度の変化に対して、� �リキャップダイオード57aに印加する逆バイ� �ス電圧を決定する第1のテーブルと、環境温� ��の変化に対して、第1のFETスイッチ部57cと第 2のFETスイッチ部57fのON状態又はOFF状態をどの ように切り替えれば良いのかを決定する第2� �テーブルが記憶されている。

 本構成によれば、バリキャップダイオー� ��57aによる制御電圧の分解能が低く、バリキ� ��ップダイオード57aの調整によっては、スペ� ��クXをまたいでしまう場合(例えば、共振周� �数が高周波数側にスペックアウトしている� �きに、バリキャップダイオード57aに一定の� �バイアス電圧を印加すると、逆に低周波数� �にスペックアウトしてしまう場合)には、バ� ��キャップダイオード57aは、スペックXをまた がない程度に調整可能範囲Yを狭く設定し、� �体のばらつきよりも小さくしておく。

 CPU72は、共振周波数がバリキャップダイ� �ード57aの調整可能範囲Yから外れている場合� ��は、温度センサ80により検出された環境温� �に基づき、記憶部81に記憶されている第2の� �ーブルを参照して、第1のFETスイッチ部57cと� ��2のFETスイッチ部57fの状態を変化させて、バ リキャップダイオード57aの調整可能範囲Yに� �動するように粗い調整を行い、その後、当� �環境温度に基づき、記憶部81に記憶されてい る第1のテーブルを参照して、所定の電圧を� �リキャップダイオード57aに供給し、共振周� �数の中心位置がスペックX内の所定の位置に� ��動するように微調整する(図15を参照)。

 このようにして、本発明によれば、短時� ��で共振周波数の移動量を調整し、所定のス� ��ックX内に調整することができる。また、工 場出荷後において、使用者の使用状態に応じ て、適応的に温度変化に伴う共振周波数の移 動量を調整することができる。また、本発明 によれば、スペックXに対して共振周波数の� �布が大きいときに有効である。

 なお、上述では、リアクタンス可変部57� �、第1の調整部57dと、第2の調整部57gとの2組� �含んで構成されるものとして説明したが、� �れに限られず、いずれか一方の1組により構� ��されていても良いし、2組以上で構成されて いても良い。また、2組以上で構成されてい� �場合には、ON状態とOFF状態の組み合わせを多 数実現でき、共振周波数の調整をより精細に 行うことができる。

 また、本実施例においては、スイッチと� ��てFETを想定したが、特にこれに限られず、O N状態にしたときに調整用のコンデンサの一� �をGNDにショートできる構成であれば良く、� �えば、トランジスタやメカニカルSW等であっ ても良い。

 <第10の構成>
 ここで、上述したように、<第2の構成>� ��<第3の構成>、<第5の構成>、<第6� �構成>、<第8の構成>及び<第9の構成&g t;では、リアクタンス可変部57がFETスイッチ� �を含んで構成されており、当該FETスイッチ� �による状態の切り替えにより、RFID部41の共� �周波数を調整する方法を提示した。

 ところで、一般的に、RFID部41は、携帯電� ��装置1における他の構成部で使用されている 電圧値よりも、大きい振幅レベルの電圧値が 印加されるため、FETのドレイン-ソース間に� �生するダイオードが整流してしまい、波形� �品質が劣化する場合がある。また、特に、FE TがOFF状態のときに、大きな信号が入力され� �と、FETのドレイン端子側に大きな電圧が印� �されてしまい、入力信号が歪む場合がある(� ��28を参照)。図28に示すように、信号波形の� �端部(図28中a)及び下端部(図28中b)が歪んでい� ��。

 そこで、携帯電話装置1は、リアクタンス 可変部57がFETスイッチ部100を含んで構成され� ��いる場合には、図29に示すように、調整用� �コンデンサ101の容量調節とFETのドレイン端� �を所定電圧でバイアスするように構成する� �とにより、FETのドレインに入力される電圧� �最適化し、寄生ダイオードが整流しないよ� �にできる。このように構成することにより� �入力信号は、図30に示すように、上端部及び 下端部が歪まなくなる。なお、図29中の102は� ��FETの寄生ダイオードを模式的に表している� ��また、Vbias~Vfの間Zに半分の振幅を収める。

 また、FETがOFF状態の場合には、図29に示し� �回路図は、等価的に図31に示す回路図のよう に表すことができる。ここで、調整用のコン デンサ101の容量をC1とし、FETがOFF状態のとき� ��容量(以下、OFF容量103という。)をC2とし、磁 界アンテナ部50の入力電圧をVinとすると、FET� ��ドレイン端子にかかる電圧Vdは、(2)式によ� �算出される。
Vd=(C2/(C1×C2/(C1+C2)))×Vin・・・(2)

 また、FETのドレイン端子にかけるバイア� ��電圧をVbiasとし、寄生ダイオードが整流し� �める電圧をVfとすると、FETのドレイン端子に かかる電圧Vdは、磁界アンテナ部50の入力電� �Vinが最大のときに、少なくとも、((Vbias-Vf)×2 )Vp-pである必要がある(図30を参照)。

 また、上述したように、CPU72は、FETスイ� �チ部100に一定電圧を供給することによりOFF� �態からON状態に切り替える。FETスイッチ部100 がON状態の場合には、FETスイッチ部100に直列� ��に接続されている調整用のコンデンサ101の� ��の容量となる。また、FETスイッチ部100がOFF� ��態の場合には、FETのOFF容量103と、調整用の� ��ンデンサ101との合成容量となる。

 また、本発明では、例えば、工場出荷前� ��、RFIDチップ51の端子容量や磁界アンテナ部5 0等のばらつき等に起因して、RFID部41の共振� �波数が所定の周波数範囲に収まるかどうか� �ついて確認作業を行い、FETスイッチ部100の� �態設定(ON状態に設定又はOFF状態に設定)を行� ��、共振周波数がスペックアウトすることな� ��安定した通信品質を担保する。

 また、共振周波数を調整する際の可変ス� ��ップ数及び可変ステップ幅を変更したい場� ��には、所望する可変ステップ数や可変ステ� ��プ幅に応じて、適宜、調整用のコンデンサ� ��容量値を変更したり、調整用のコンデンサ1 01とFETスイッチ部100とから構成される調整部� ��複数段有するように構成する。

 例えば、図32に示すように、第1のFETスイ� ��チ部57cが調整用のコンデンサ57bに直列接続� ��れたもの(第1の調整部57d)と、第2のFETスイッ チ部57fが調整用のコンデンサ57eに直列接続さ れたもの(第2の調整部57g)と、により構成され 、第1のFETスイッチ部57cのドレイン端子に所� �電圧でバイアスをかけ、第2のFETスイッチ部5 7fのドレイン端子に所定電圧でバイアスをか� ��る場合には、第1のFETスイッチ部57cと、第2� �FETスイッチ部57fの状態によって合成容量が� �なる。

 具体的には、第1のFETスイッチ部57cと、第 2のFETスイッチ部57fとが、双方OFF状態の場合� �は、容量は、第1のFETスイッチ部57cのOFF容量� ��、第2のFETスイッチ部57fのOFF容量と、調整用 のコンデンサ57bの容量と、調整用のコンデン サ57eの容量の合成容量となる。また、第2のFE Tスイッチ部57fのみがON状態の場合には、容量 は、第1のFETスイッチ部のOFF容量と、調整用� �コンデンサ57bの容量と、調整用のコンデン� �57eの容量の合成容量となる。また、第1のFET� ��イッチ部57cのみがON状態の場合には、容量� �、第2のFETスイッチ部のOFF容量と、調整用の� ��ンデンサ57bの容量と、調整用のコンデンサ5 7eの容量の合成容量となる。また、双方ON状� �の場合には、容量は、調整用のコンデンサ57 bの容量と、調整用のコンデンサ57eの容量の� �成容量となる。

 このようにして、本発明によれば、FETの� ��レイン-ソース間に寄生するダイオードを整 流させることなく容量値を調整することがで き、また、入力信号の波形の品質にも影響を 与えない。

 また、本発明によれば、上述した<第1� �構成>乃至<第10の構成>において示した ように、磁界アンテナ部50の共振周波数を変� ��可能なリアクタンス可変部57を並列的に接� �することにより温度補償を行うので、アン� �ナアセンブリ側である磁界アンテナ部50にお いて温度補償対策を行う必要がなく、アンテ ナアセンブリ側における設計自由度を高める ことができる。また、アンテナアセンブリ側 は、温度補償のための設計変更を要しないた め、汎用性を高めることができ、コストダウ ンを図ることができる。

<第3実施形態>
 本発明の第3実施形態について以下に説明す る。ここで、第3実施形態における携帯電話� �置1は、第1実施形態および第2実施形態にお� �る携帯電話装置1とRFID部41における調整用の� ��ンダクタンス部58を除き同様の構成である� �以下、第3実施形態における携帯電話装置1に ついて第1実施形態および第2実施形態におけ� ��携帯電話装置1と異なる点を中心に説明し、 他の説明は省略する。

 図33は、携帯電話装置1の機能を示す機能� ��ロック図である。携帯電話装置1は、図33に� ��すように、第1の通信部であるRFID部41と、外 部の端末と通信を行う第2の通信部61と、第2� �通信部61により通信される情報を処理する処 理部62と、を備えている。

 RFID部41は、上述したように、第1の使用周 波数帯(例えば、13.56MHz)により外部装置と通� �を行う磁界アンテナ部50と、RFIDチップ51と、 コンデンサ52と、調整用のインダクタンス部5 8と、を備える。

 なお、磁界アンテナ部50、RFIDチップ51、� �源回路53、RF回路54、CPU55、メモリ56、処理部6 2、メインアンテナ70及び通信処理部71の動作� ��び機能は、上述した第1実施形態及び第2実� �形態と同様である。

 つぎに、RFID部41の特性について説明する� ��

 RFID部41のアンテナ性能に対しては、厳し� ��周波数特性が要求されており、一般的な使� ��環境下において、共振周波数(例えば、13.56M Hz)が一定の周波数範囲内(例えば、±100kHz)に� �まるように構成する必要がある。なお、共� �周波数としては、他に、13.1725MHz±200kHzの場� �や、13.61MHz±75kHzの場合等、端末のハードウ� �ア構成等による影響を考慮する等の理由に� �り様々なものがある。

 また、RFID部41の共振周波数Fcは、(1)式にし� �がって、コンデンサ52のキャパシタンス(C)値 と、磁界アンテナ部50及び後述するインダク� ��ンス部58の合成インダクタンス(L)値と、に� �り決定される。
Fc=1/(2π√(L×C))・・・(1)

 ここで、RFID部41は、磁界アンテナ部50の� �ンダクタンス値や、コンデンサ52及びインダ クタンス部58の容量やインダクタンス値、RFID チップ51の端子容量等のばらつきにより、共� ��周波数が変動し、当該ばらつきが大きいと� ��には、安定した通信を行うために要求され� ��スペック(一定の周波数範囲)を外れてしま� �場合がある。

 そこで、本発明に係る携帯電話装置1では 、以下に示す構成にすることにより、共振周 波数を要求される一定の範囲内(スペック内)� ��収めるように調整する。

 インダクタンス部58は、図34に示すように 、磁界アンテナ部50の他方端側に直列的に接� ��されており、調整用の第1のコイル58Aと、第 1のスイッチ部58Bと、を備えている。

 第1のスイッチ部58Bは、例えば、FET(Field E ffect Transistor)により構成されており、磁界ア ンテナ部50の他方端側であり、第1のコイル58A の一方端側に接続され、CPU72の制御にしたが� ��て、磁界アンテナ部50の接地又は非接地を� �り替える。

 本発明によれば、例えば、工場出荷前に� ��いて、RFID部41のアンテナ性能を確認し、CPU7 2により、第1のスイッチ部58BをON状態又はOFF� �態に切り替えることにより共振周波数を簡� �に調整することができる。

 ここで、CPU72の動作について説明する。

 CPU72は、第1のコイル58Aにより共振周波数� ��調整する場合には、磁界アンテナ部50が非� �地となるように第1のスイッチ部58BをOFF状態� ��切り替える。このようにして、第1のスイッ チ部58BがOFF状態に切り替えられることにより 、磁界アンテナ部50と第1のコイル58Aとが電気 的に接続(導通)される。

 また、CPU72は、第1のコイル58Aにより共振� ��波数を調整しない場合には、磁界アンテナ� ��50が接地するように第1のスイッチ部58BをON� �態に切り替える。このようにして、第1のス� ��ッチ部58BがON状態に切り替えられることに� �り、磁界アンテナ部50が接地される。

 このようにして、RFID部41は、第1のスイッ チ部58BがOFF状態に切り替えられた場合、第1� �コイル58Aに電流が流れ、第1のコイル58Aのイ� ��ダクタンスにしたがって共振周波数が変更� ��れる。また、RFID部41は、第1のスイッチ部58B がON状態に切り替えられた場合、第1のコイル 58Aには電流が流れず、第1のコイル58Aのイン� �クタンスは共振周波数に寄与しなくなる。� �ころで、第1のスイッチ部58Bには、ON状態時� �おいて固有のON抵抗が実際には存在する。し たがって、第1のスイッチ部58BがON状態の時に おいて、第1のコイル58Aのインピーダンスが� �さい場合には、磁界アンテナ部50を接地して いるにもかかわらず、第1のコイル58Aと第1の� ��イッチ部58Bのインピーダンスの割合に応じ� ��電流が流れてしまう。したがって、第1のス イッチ部58BのON状態又はOFF状態により、イン� ��クタンスが変動し、共振周波数が変更され� ��しまう場合がある。

 ここで、第1のコイル58Aのインピーダンス が、第1のスイッチ部58BのON状態時におけるON� ��抗よりも充分に大きければ、第1のスイッチ 部58BがON状態時において、第1のコイル58Aには 実質上電流を流れなくすることができ、第1� �スイッチ部58BのON抵抗を無視することができ る。

 ここで、RFID部41に入力される電圧をV1と� �、磁界アンテナ部50のインダクタンスをL1と� ��、第1のコイル58AのインダクタンスをL2とす� ��と、第1のスイッチ部58Bのドレイン端子にか かる電圧V2は、(L1/(L1+L2))×V1となる。

 本発明によれば、調整ステップ毎に設け� ��コンデンサとスイッチ部のOFF時容量とによ� ��電圧を分圧する方法に比べ、第1のスイッチ 部58Bにかかる電圧を低く設定することができ る。そのため、第1のスイッチ部58Bのドレイ� �-ソース間に寄生するダイオードも整流させ� ��ことなく調整が可能であり、また、入力信� ��の波形品質にも影響を与えない。また、第1 のスイッチ部58BのOFF時容量で可変量が制限さ れてしまう等の問題も生じない。

 また、携帯電話装置1は、図示しないが、 温度センサと、記憶部とを有していても良い 。温度センサは、環境温度を検出し、検出し た温度をCPU72に供給する。また、記憶部は、� ��境温度の変化に対応して、第1のスイッチ部 58BのON状態とOFF状態とを切り替えるテーブル� ��記憶されている。

 CPU72は、温度センサから供給される検出� �度に基づいて、記憶部に格納されているテ� �ブルを参照し、第1のスイッチ部58BのON状態� �はOFF状態を決定し、所定の電圧を第1のスイ� ��チ部58Bに印加する。第1のスイッチ部58Bは、 CPU72により印加された電圧値に応じて、ON状� �とOFF状態とを切り替える。

 このような構成によれば、工場出荷後に� ��いて、携帯電話装置1の使用者の環境に応じ て、第1のスイッチ部58Bの切り替えを行うこ� �ができ、アダプティブに共振周波数を調整� �ることができる。

 また、RFID部41は、共振周波数を調整する� ��合において、第1のスイッチ部58Bにかかる電 圧(第1のコイル58Aにかかる電圧)が低いため、 第1のスイッチ部58BをON状態にして第1のコイ� �58Aを無効状態にする場合と、第1のスイッチ� ��58BをOFF状態にして第1のコイル58Aを有効状態 にする場合とで、第1のコイル58Aのインダク� �ンスによっては、インダクタンスの変化量� �少なくなり、共振周波数の変化量が少なく� �る場合がある。

 このような場合には、第1のコイル58Aの出 力端側に第2のスイッチ部58Cを接続し、第2の� ��イッチ部58Cにより第1のコイル58Aの接地又は 非接地を切り替える構成にする(図35)。

 ここで、CPU72の具体的な動作について説� �する。

 CPU72は、第1のコイル58Aにより共振周波数� ��調整する場合には、磁界アンテナ部50を非� �地となるように第1のスイッチ部58BをOFF状態� ��切り替え、かつ、第2のスイッチ部58CをON状� ��に切り替える。このようにして、第1のスイ ッチ部58BがOFF状態に切り替えられることによ り、磁界アンテナ部50と第1のコイル58Aとが電 気的に接続(導通)される。

 また、CPU72は、第1のコイル58Aにより共振� ��波数を調整しない場合には、磁界アンテナ� ��50が接地するように第1のスイッチ部58BをON� �態に切り替え、かつ、第2のスイッチ部58CをO FF状態に切り替える。このようにして、第1の スイッチ部58BがON状態に切り替えられること� ��より、磁界アンテナ部50が接地される。

 このような構成によれば、第1のスイッチ 部58BをON状態にして第1のコイル58Aを無効状態 にする場合と、第1のスイッチ部58BをOFF状態� �して第1のコイル58Aを有効状態にする場合と� ��、インダクタンスの変化量を大きく変化さ� ��ることができ、共振周波数の変化量を大き� ��変化させることができる。なお、磁界アン� ��ナ部50のインダクタンスとしては、例えば� �1.4μHであり、第1のコイル58Aのインダクタン� ��としては、例えば、数十nHである。また、� �1のコイル58Aのインピーダンスが小さく、第1 のスイッチ部58BのON時抵抗が第1のコイル58Aの インピーダンスに比して無視できない程度の 場合であっても、確実に第1のコイル58Aを磁� �アンテナ部50から電気的に切り離すことがで きるため、理想的な調整を行うことができる 。

 <他の実施例>
 また、携帯電話装置1では、共振周波数を多 段階に調整する場合には、n個(nは、1以上の� �然数)の調整用のコイルを第1のコイル58Aの後 段に接続し、また、各コイルの接地又は非接 地を切り替えるスイッチ部をn個(nは、1以上� �自然数)備えて構成される。

 CPU72は、各スイッチ部のON状態とOFF状態を 制御することにより、磁界アンテナ部50に電� ��的に接続(導通)されるコイルの数を切り替� �、合成インダクタンスを変化させる。また� �CPU72は、第1の電圧を各スイッチ部に印加す� �ことにより、各スイッチ部をOFF状態にし、� �続されているコイルを有効にし、又は、第2� ��電圧を各スイッチ部に印加することにより� ��接続されているコイルを無効にする。

 このような構成により、例えば、工場出� ��前において、RFID部41のアンテナ性能を確認� ��て、各スイッチ部の状態をCPU72により制御� �ることにより、精細に合成インダクタンス� �決定し、共振周波数がスペック内に収まる� �うに精細に調整を行うことができる。

 ここで、例えば、第1のコイル58Aの後段に 第2のコイル58Dを接続した場合の構成例につ� �て以下に説明する。

 インダクタンス部58は、図36に示すように 、調整用の第1のコイル58Aと、第1のスイッチ� ��58Bと、第2のスイッチ部58Cと、調整用の第2� �コイル58Dと、を備えている。

 ここで、CPU72の動作について説明する。

 CPU72は、第1のコイル58Aのみにより共振周� ��数を調整する場合には、磁界アンテナ部50� �非接地となるように第1のスイッチ部58BをOFF� ��態かつ第2のスイッチ部58CをON状態に切り替� ��る。このようにして、第1のスイッチ部58Bが OFF状態かつ第2のスイッチ部58CをON状態に切り 替えられることにより、磁界アンテナ部50と� ��1のコイル58Aとが電気的に接続(導通)され、� ��方、第1のコイル58Aが接地される。したがっ て、RFID部41では、磁界アンテナ部50と第1のコ イル58Aとの合成インダクタンスと、コンデン サ52のキャパシタンスとにより共振周波数が� ��定される。ところで、第1のスイッチ部58B及 び第2のスイッチ部58Cには、ON状態時において 固有のON抵抗が実際には存在する。したがっ� ��、第1のスイッチ部58B、第2のスイッチ部58C� �ON状態の時において、第1のコイル58A、第2の� ��イル58Dのインピーダンスが小さい場合には� ��磁界アンテナ部50を接地しているにもかか� �らず、第1のコイル58Aと第1のスイッチ部58B、 又は第1のコイル58Aと第1のスイッチ部58Bと第2 のスイッチ部58Cのインピーダンスの割合に応 じて電流が流れてしまう。したがって、第1� �スイッチ部58B及び第2のスイッチ部58CのON状� �又はOFF状態により、インダクタンスが変動� �、共振周波数が変更されてしまう場合があ� �。

 ここで、第1のコイル58A、第2のコイル58D� �インピーダンスが、第1のスイッチ部58B、第2 のスイッチ部58CのON状態時におけるON抵抗よ� �も充分に大きければ、第1のスイッチ部58B、� ��2のスイッチ部58CがON状態時において、第1の コイル58A、第2のコイル58Dには実質上電流を� �れなくすることができ、第1のスイッチ部58B� ��第2のスイッチ部58CのON抵抗を無視すること� ��できる。

 また、CPU72は、第1のコイル58Aと第2のコイ ル58Dとにより共振周波数を調整する場合には 、磁界アンテナ部50が非接地となるように第1 のスイッチ部58B及び第2のスイッチ部58CとをOF F状態に切り替える。このようにして、第1の� ��イッチ部58B及び第2のスイッチ部58CがOFF状態 に切り替えられることにより、磁界アンテナ 部50と、第1のコイル58Aと、第2のコイル58Dと� �電気的に接続(導通)される。したがって、RFI D部41では、磁界アンテナ部50、第1のコイル58A 及び第2のコイル58Dの合成インダクタンスと� �コンデンサ52のキャパシタンスとにより共振 周波数が決定される。

 また、CPU72は、第1のコイル58A及び第2のコ イル58Dにより共振周波数を調整しない場合に は、磁界アンテナ部50が接地するように第1の スイッチ部58BをON状態に切り替える。このよ� ��にして、第1のスイッチ部58BがON状態に切り� ��えられることにより、磁界アンテナ部50が� �地される。したがって、RFID部41では、磁界� �ンテナ部50のインダクタンスと、コンデンサ 52のキャパシタンスとにより共振周波数が決� ��される。

 また、RFID部41は、共振周波数を調整する� ��合において、第1のスイッチ部58B及び第2の� �イッチ部58Cにかかる電圧(第1のコイル58Aにか かる電圧)が低いため、第1のスイッチ部58BをO N状態にして第1のコイル58A及び第2のコイル58D を無効状態にする場合と、第1のスイッチ部58 BをOFF状態かつ第2のスイッチ部58CをON状態に� �て第1のコイル58Aを有効状態にする場合と、� ��1のスイッチ部58BをOFF状態かつ第2のスイッ� �部58CをOFF状態にして第1のコイル58A及び第2の コイル58Dを有効状態にする場合とで、第1の� �イル58A及び第2のコイル58Dのインダクタンス� ��よっては、合成インダクタンスの変化量が� ��なくなり、共振周波数の変化量が少なくな� ��場合がある。

 このような場合には、第2のコイル58Dの出 力端側に第3のスイッチ部58Eを接続し、第3の� ��イッチ部58Eにより第2のコイル58Dの接地又は 非接地を切り替える構成にする(図37)。

 ここで、CPU72の具体的な動作について説� �する。

 CPU72は、第1のコイル53Aのみにより共振周� ��数を調整する場合には、磁界アンテナ部50� �非接地となるように第1のスイッチ部58BをOFF� ��態に切り替え、第2のスイッチ部58CをON状態� ��切り替え、第3のスイッチ部58EをOFF状態に切 り替える。このようにして、第1のスイッチ� �58BがOFF状態、第2のスイッチ部58CがON状態、� �3のスイッチ部58EがOFF状態に切り替えられる� ��とにより、磁界アンテナ部50と第1のコイル5 8Aとが電気的に接続(導通)され、一方、第1の� ��イル58Aが接地される。したがって、RFID部41� ��は、磁界アンテナ部50と第1のコイル58Aとの� ��成インダクタンスと、コンデンサ52のキャ� �シタンスとにより共振周波数が決定される� �

 また、CPU72は、第1のコイル58Aと第2のコイ ル58Dとにより共振周波数を調整する場合には 、磁界アンテナ部50が非接地となるように第1 のスイッチ部58B及び第2のスイッチ部58CとをOF F状態に切り替え、第3のスイッチ部58EをON状� �に切り替える。このようにして、第1のスイ� ��チ部58B及び第2のスイッチ部58CがOFF状態、第 3のスイッチ部58EがON状態に切り替えられるこ とにより、磁界アンテナ部50と、第1のコイル 58Aと、第2のコイル58Dとが電気的に接続(導通) される。したがって、RFID部41では、磁界アン テナ部50、第1のコイル58A及び第2のコイル58D� �合成インダクタンスと、コンデンサ52のキャ パシタンスとにより共振周波数が決定される 。

 また、CPU72は、第1のコイル58A及び第2のコ イル58Dにより共振周波数を調整しない場合に は、磁界アンテナ部50が接地するように第1の スイッチ部58BをON状態に切り替え、第2のスイ ッチ部58C及び第3のスイッチ部58EをOFF状態に� �り替える。このようにして、第1のスイッチ� ��58BがON状態、第2のスイッチ部58C及び第3のス イッチ部58EがOFF状態に切り替えられることに より、磁界アンテナ部50と第1のコイル58Aとが 電気的に切り離される。したがって、RFID部41 では、磁界アンテナ部50のインダクタンスと� ��コンデンサ52のキャパシタンスとにより共� �周波数が決定される。

 このような構成によれば、第1のスイッチ 部58BをON状態、第2のスイッチ部58C及び第3の� �イッチ部58EをOFF状態にして第1のコイル58A及� ��第2のコイル58Dを無効状態にする場合と、第 1のスイッチ部58B及び第3のスイッチ部58EをOFF� ��態、及び第2のスイッチ部58CをON状態にして� ��第1のコイル58Aを有効状態かつ第2のコイル58 Dを無効状態にする場合と、第1のスイッチ部5 8B及び第2のスイッチ部58CをOFF状態、及び第3� �スイッチ部58EをON状態にして、第1のコイル58 A及び第2のコイル58Dを有効状態にする場合と� ��、インダクタンスの変化量を大きく変化さ� ��ることができ、共振周波数の変化量を大き� ��変化させることができる。

 このようにして、本発明によれば、磁界� ��ンテナ部50に電気的に接続する調整用のコ� �ルの数をスイッチ部で切り替えることによ� �、インダクタンスを変化させて、共振周波� �を調整することができ、また、一つのコイ� �にかかる電圧が低く、可変幅が少ない場合� �は、調整用のコイルの両端(入力端側と出力� ��側)にスイッチ部を設けることにより、良好 な可変幅を得られる。また、工場出荷前又は /及び工場出荷後において、共振周波数をス� �ック内に良好に収めることができるので、� �体差(バラつき)を吸収することができ、歩留 まりの向上につなげることができ、製造コス トを低減させることができる。

 また、本発明によれば、コンデンサとス� ��ッチ部で共振周波数を調整する方法に比べ� ��スイッチ部に印加される電圧を小さく抑え� ��ことができる。そのため、寄生ダイオード� ��整流されずに調整可能であり、入力信号の� ��形品質も良好となる。また、スイッチ部のO FF時容量で可変量が制限されてしまうことも� ��い。

 また、磁界アンテナ部50により受信する� �波数が低いため、調整用のコイルとして用� �るコイルも、特性上、大きなインピーダン� �のものを利用できない。したがって、スイ� �チ部をON状態にしてコイルを電気的に切り離 しても、ON状態時のスイッチ部の有する抵抗� ��が調整用のコイルの抵抗値に近似してしま� ��、磁界アンテナ部50から出力された電流が� �イッチ部とコイルの双方に流れ込み、調整� �のコイルを電気的に切り離したことになら� �い場合がある。

 このような場合を想定すると、より好適� ��は、図35及び図37に示したように、調整用の コイルn個に対して、n+1個のスイッチ部で構� �することにより、確実に調整用のコイルを� �気的に切り離すことができる。したがって� �本発明によれば、調整用のコイルを理論値� �りに用いることができるので、調整用のコ� �ルを有効に活用することができ、調整幅に� �自由度をだすことができる。また、磁界ア� �テナ部50における波形ひずみの生じる可能性 を低減させることもできる。

 なお、本実施例においては、スイッチ部� ��FETで構成するものとして説明したが、調整� ��のコイルの接地/非接地を切り替えられる構 成であれば良く、例えば、メカニカルスイッ チ等であっても良い。