以下、本発明のスプレー塗布用ポジ型感� ��性樹脂組成物及び貫通電極の製造方法につ� ��て詳細に説明する。

 1.スプレー塗布用ポジ型感光性樹脂組成物
 まず、本発明のスプレー塗布用ポジ型感光� ��樹脂組成物について説明する。
 本発明のスプレー塗布用ポジ型感光性樹脂� ��成物は、半導体ウェハの厚み方向に設けら� ��た孔の内面に塗膜を形成するためのもので� ��って、
(A)アルカリ可溶性樹脂と
(B)光により酸を発生する化合物と、
(C)溶剤と
を含み、且つ、粘度が0.5~200cPであることを特 徴とする。

 (A)アルカリ可溶性樹脂
 本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂は� ��アルカリ性の現像液に溶解し得る樹脂であ� ��ば特に制限されなく、例えば、クレゾール� ��ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂� ��ポリアミド系樹脂、アクリル樹脂、水酸基� ��び/又はカルボキシル基を含む環状オレフィ ン樹脂等が挙げられる。中でも、ポリアミド 系樹脂が好ましく用いられる。

 ポリアミド系樹脂としては、例えば、ポ� ��ベンゾオキサゾール構造及びポリイミド構� ��の少なくとも一方を有し、主鎖又は側鎖に� ��水酸基、カルボキシル基、エーテル基、エ� ��テル基又はそれらの組み合わせを有する樹� ��、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有� ��る樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹� ��、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂� ��が挙げられる。ここで「ポリベンゾオキサ� ��ール前駆体構造」とは、加熱することによ� ��環化反応が生じてポリベンゾオキサゾール� ��造を形成するものをいう。また、「ポリイ� ��ド前駆体構造」とは、加熱することにより� ��化反応が生じて、ポリイミド構造を形成す� ��ものをいう。

 本発明に用いられるポリアミド系樹脂とし� ��は、下記式(1)で示される繰り返し単位を含� ��ものが好ましく挙げられる。
[式中、X,Yは有機基である。R ₁ は水酸基、-O-R ₃ 、アルキル基、アシルオキシ基、シクロアル キル基であり、同一でも異なっていてもよい 。R ₂ は水酸基、カルボキシル基、-O-R ₃ 、-COO-R ₃ のいずれかであり、同一でも異なっていても よい。hは0~8の整数、iは0~8の整数であり、且� ��、h+iは1~16である。R ₃ は炭素数1~15の有機基である。ここで、R ₁ 、R ₂ が複数ある場合は、それらは同一でも異なっ ていてもよい。R ₁ として水酸基を有さない場合、R ₂ の少なくとも1つはカルボキシル基である。� �た、R ₂ としてカルボキシル基を有さない場合、R ₁ の少なくとも1つは水酸基である。]

 前記一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂� ��おいて、Xの置換基としての-O-R ₃ 、Yの置換基としての-O-R ₃ 、-COO-R ₃ は、それぞれ、水酸基、カルボキシル基のア ルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的 で、水酸基及び/又はカルボキシル基が炭素� �1~15の有機基であるR ₃ で保護された基であってもよい。R ₃ の例としては、ホルミル基、メチル基、エチ ル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシ ャリーブチル基、ターシャリーブトキシカル ボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラ ヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基 等が挙げられる。

 一般式(1)で示される構造を含むポリアミド� ��樹脂は、例えば、Xを含むジアミン、ビス(� �ミノフェノール)または2,4-ジアミノフェノー ル等から選ばれる化合物と、Yを含むテトラ� �ルボン酸二無水物、トリメリット酸無水物� �ジカルボン酸またはジカルボン酸ジクロラ� �ド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカ� �ボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等� �ら選ばれる化合物とを反応して得られる。
 なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等� ��高めるため、1-ヒドロキシ-1,2,3-ベンゾトリ� ��ゾール等を予め反応させた活性エステル型� ��ジカルボン酸誘導体を用いてもよい。

 一般式(1)のXとしては、例えばベンゼン環、 ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノ ール類、ピロール類、フラン類等の複素環式 化合物、シロキサン化合物等が挙げられ、よ り具体的には下記式(6-1)~(6-7)で示されるもの� ��好ましく挙げることができる。これらは、� ��要により1種類又は2種類以上組み合わせて� �いてもよい。
[式中、*はNH基に結合することを示す。Aは-CH ₂ -、-CH(CH ₃ )-、-C(CH ₃ ) ₂ -、-O-、-S-、-SO ₂ -、-CO-、-NHCO-、-C(CF ₃ ) ₂ -、又は単結合である。R ₁₃ はアルキル基、アルキルエステル基及びハロ ゲン原子からなる群から選ばれ、複数ある場 合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい 。R ₁₄ はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ 基又はシクロアルキル基である。r=0~4の整数� ��ある。また、R ₁₅ ~R ₁₈ は有機基である。]

 なお、上記式中では省略しているが、一般� ��(1)で示すように、XにはR ₁ が0~8個結合している。

 これらの中でも、Xとしては、耐熱性及び機 械特性が優れている点で、下記式(7-1)~(7-17)で 表されるものが好ましい。
[式中、*はNH基に結合することを示す。Dは、- CH ₂ -、-CH(CH ₃ )-、-C(CH ₃ ) ₂ -、-O-、-S-、-SO ₂ -、-CO-、-NHCO-、-C(CF ₃ ) ₂ -、又は単結合である。Eは、-CH ₂ -、-CH(CH ₃ )-、又は-C(CH ₃ ) ₂ -である。R ₁₂ はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ 基又はシクロアルキル基であり、複数ある場 合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい 。R ₁₉ はアルキル基、アルキルエ
ステル基及びハロゲン原子からなる群から選 ばれ、複数ある場合は、それぞれ同一でも異 なっていてもよい。s=1~3、t=0~4の整数である� �]
[式中、*はNH基に結合することを示す。]

 これらの中でも、Xとしては、耐熱性及び機 械特性が特に優れている点で、下記式(3-1)~(3- 6)で表されるものが好ましく、下記式(3-1)、(3 -3)、(3-4)で表されるものが特に好ましい。
[式中、*はNH基に結合することを示す。Dは、- CH ₂ -、-CH(CH ₃ )-、-C(CH ₃ ) ₂ -、-O-、-S-、-SO ₂ -、-CO-、-NHCO-、-C(CF ₃ ) ₂ -、又は単結合である。Eは、-CH ₂ -、-CH(CH ₃ )-、又は-C(CH ₃ ) ₂ -である。R ₁₂ はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ 基又はシクロアルキル基であり、複数ある場 合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい 。s=1~3の整数である。]

 また、一般式(1)で示されるポリアミド系樹� ��のYは有機基であり、前記Xと同様のものが� �げられ、例えば、ベンゼン環、ナフタレン� �等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピ� �ール類、ピリジン類、フラン類等の複素環� �化合物、シロキサン化合物等が挙げられる� �より具体的には、下記式(8-1)~(8-8)で示される ものを好ましく挙げることができる。これら は1種類又は2種類以上組み合わせて用いても� ��い。
[式中、*はC=O基に結合することを示す。Aは、 -CH ₂ -、-C(CH ₃ ) ₂ -、-O-、-S-、-SO ₂ -、-CO-、-NHCO-、-C(CF ₃ ) ₂ -、又は単結合である。R ₂₀ はアルキル基、アルキルエステル基及びハロ ゲン原子からなる群から選ばれた1つを表し� �それぞれ同一でも異なっていてもよい。ま� �、R ₂₁ は水素原子、アルキル基、アルキルエステル 基、ハロゲン原子からなる群から選ばれた1� �を表す。u=0~4の整数である。R ₂₂ ~R ₂₅ は有機基である。]

 なお、上記式中では省略しているが、一般� ��(1)で示すように、YにはR ₂ が0~8個結合している。

 これらの中でも、Yとしては、耐熱性及び機 械特性が優れている点で、下記式(9-1)~(9-21)な らびに(10-1)~(10-4)で表されるものが好ましい� �なお、下記式(9-1)~(9-21)のテトラカルボン酸� �無水物由来の構造については、C=O基に結合� �る位置が両方メタ位であるもの、両方パラ� �であるものを挙げているが、メタ位とパラ� �とを含む構造であってもよい。
[式中、*はC=O基に結合することを示す。R ₂₆ はアルキル基、アルキルエステル基、アルキ ルエーテル基、ベンジルエーテル基及びハロ ゲン原子からなる群から選ばれた1つを表し� �複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっ� �いてもよい。また、R ₂₇ は水素原子又は炭素数1~15の有機基から選ば� �た1つを示し、一部が置換されていてもよい� ��n=0~4の整数である。]

[式中、*はC=O基に結合することを示す。R ₂₇ は水素原子又は炭素数1~15の有機基から選ば� �た1つを示し、一部が置換されていてもよい� ��]

[式中、*はC=O基に結合することを示す。]

 これらの中でも、Yとしては、耐熱性及び機 械特性が特に優れている点で、下記式(11-1)~(1 1-4)で表されるものが好ましく、下記式(11-1)� �(11-2)で表されるものが特に好ましい。
[式中、*はC=O基に結合することを示す。R ₂₆ はアルキル基、アルキルエステル基、アルキ ルエーテル基、ベンジルエーテル基及びハロ ゲン原子からなる群から選ばれた1つを表し� �複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっ� �いてもよい。また、R ₂₇ は水素原子又は炭素数1~15の有機基から選ば� �た1つを示し、一部が置換されていてもよい� ��n=0~4の整数である。]

 また、上述の一般式(1)で示される繰り返し� ��位を有するポリアミド系樹脂は、該ポリア� ��ド系樹脂の末端をアミノ基とし、該アミノ� ��をアルケニル基またはアルキニル基を少な� ��とも1個有する脂肪族基、または環式化合物 基を含む酸無水物を用いてアミドとしてキャ ップすることが好ましい。これにより、保存 性を向上することができる。このような、ア ミノ基と反応した後のアルケニル基またはア ルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基� �たは環式化合物基を含む酸無水物に起因す� �基としては、例えば下記式で示される基等� �挙げることができる。これらは単独で用い� �もよいし、2種類以上組み合わせて用いても� ��い。

 これらの中でも、ポリアミド系樹脂の保存� ��を特に向上させることができることから、� ��記式で示される基のいずれかを用いること� ��好ましい。

 また、この方法に限定されることはなく� ��該ポリアミド系樹脂中に含まれる末端の酸� ��、アルケニル基又はアルキニル基を少なく� ��も1個有する脂肪族基、又は環式化合物基を 含むアミン誘導体を用いてアミドとしてキャ ップすることもできる。

 前記ポリアミド系樹脂は、前記ポリアミ� ��系樹脂の側鎖及び他方の末端の少なくとも� ��方に窒素含有環状化合物を有してもよい。� ��れにより金属配線(特に銅配線)等との密着� �を向上させることができる。ポリアミド系� �脂の一方の末端が不飽和基を有する有機基� �場合、樹脂が反応する為に硬化膜の引っ張� �伸び率等の機械特性が優れる。側鎖及び他� �の末端の少なくとも一方に窒素含有環状化� �物を有する場合、その窒素含有環状化合物� �銅及び銅合金の金属配線と反応する為に密� �性が優れる。

 前記窒素含有環状化合物としては、例え� ��1-(5-1H-トリアゾイル)メチルアミノ基、3-(1H-� ��ラゾイル)アミノ基、4-(1H-ピラゾイル)アミ� �基、5-(1H-ピラゾイル)アミノ基、1-(3-1H-ピラ� �イル)メチルアミノ基、1-(4-1H-ピラゾイル)メ� ��ルアミノ基、1-(5-1H-ピラゾイル)メチルアミ� ��基、(1H-テトラゾル-5-イル)アミノ基、1-(1H-� �トラゾル-5-イル)メチル-アミノ基、3-(1H-テト ラゾル-5-イル)ベンズ-アミノ基等が挙げられ� ��。これらの中でも、下記式で示される化合� ��のいずれかを用いることが好ましい。これ� ��より、特に銅および銅合金の金属配線との� ��着性をより向上することができる。

 本発明のアルカリ可溶性樹脂の重量平均� ��子量は、好ましくは1,000~10万、より好まし� �は4,000~5万、さらに好ましくは1万~3.5万であ� �。重量平均分子量が10万を超えると現像性が 低下する場合がある。また、1,000未満である� ��溶解しすぎてパターニングが困難となる場� ��がある。

 本発明のスプレー塗布用ポジ型感光性樹� ��組成物において、アルカリ可溶性樹脂の含� ��量は、組成物全体の0.1重量%以上であること が好ましく、0.5重量%以上であることがより� �ましく、1重量%以上であることがさらに好ま しい。また、50重量%以下であることが好まし く、35重量%以下であることがより好ましく、 25重量%以下であることがさらに好ましい。こ の範囲であると、半導体ウェハの孔の内面に 十分な膜厚の塗膜を形成することができる。 一方、アルカリ可溶性樹脂の含有量が多すぎ ると、塗布性及び膜厚均一性が低下し、逆に 少なすぎると、十分な膜厚が形成できないた め好ましくない。

 (B)光により酸を発生する化合物
 本発明のスプレー塗布用ポジ型感光性組成� ��は、光により酸を発生する化合物を含むこ� ��により、露光により発生した酸を触媒とす� ��反応を用いて露光部と非露光部との現像液� ��対する溶解度を変化させてパターン形成す� ��ことを可能にする。
 本発明に用いられる光により酸を発生する� ��合物としては、150~750nmに吸収スペクトル領� ��を有するものが好ましく、200~500nmに吸収ス� ��クトル領域を有するものがより好ましい。

 光により酸を発生する化合物としては、� ��えば、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物� ��キノンジアジド化合物、α,α-ビス(スルホニ ル)ジアゾメタン系化合物、α-カルボニル-α-� ��ルホニル-ジアゾメタン系化合物、スルホン 化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミ ド化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられ る。

 オニウム塩の具体例としては、未置換、� ��称的にまたは非対称的に置換されたアルキ� ��基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族� ��、ヘテロ環状基を有するジアゾニウム塩、� ��ンモニウム塩、ヨ-ドニウム塩、スルホニウ ム塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オ キソニウム塩等が挙げられる。

 これらオニウム塩の対アニオンの具体例� ��しては、対アニオンを形成できる化合物で� ��れば、特に制限されるものではないが、ホ� ��素酸、砒素酸、燐酸、アンチモン酸、スル� ��ン酸、カルボン酸、あるいはこれらのハロ� ��ン化物が挙げられる。

 ハロゲン化有機化合物は、有機化合物の� ��ロゲン化物であれば特に制限はなく、各種� ��公知の化合物を用いることが可能であって� ��具体例としては、ハロゲン含有オキサジア� ��-ル系化合物、ハロゲン含有トリアジン系化 合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物 、ハロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハ ロゲン含有スルホキサイド系化合物、ハロゲ ン含有スルホン系化合物、ハロゲン含有チア ゾ-ル系化合物、ハロゲン含有オキサゾ-ル系� ��合物、ハロゲン含有トリアゾ-ル系化合物、 ハロゲン含有2-ピロン系化合物、ハロゲン含� ��脂肪族炭化水素化合物、ハロゲン含有芳香� ��炭化水素化合物、その他のハロゲン含有ヘ� ��ロ環状化合物、スルフェニルハライド系化� ��物などの各種化合物が挙げられる。

 さらにハロゲン化有機化合物として、ト� ��ス(2,3-ジブロモプロピル)ホスフェ-ト、トリ ス(2,3-ジブロモ-3-クロロプロピル)ホスフェ-� �、クロロテトラブロモエタン、ヘキサクロ� �ベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ヘキサ� �ロモシクロドデカン、ヘキサブロモビフェ� �ル、トリブロモフェニルアリルエ-テル、テ� ��ラクロロビスフェノ-ルA、テトラブロモビ� �フェノ-ルA、ビス(ブロモエチルエ-テル)テト ラブロモビスフェノ-ルA、ビス(クロロエチル エ-テル)テトラクロロビスフェノ-ルA、トリ� �(2,3-ジブロモプロピル)イソシアヌレ-ト、2,2- ビス(4-ヒドロキシ-3,5-ジブロモフェニル)プロ パン、2,2-ビス(4-ヒドロキシエトキシ-3,5-ジブ ロモフェニル)プロパン等の含ハロゲン系難� �剤、ジクロロジフェニルトリーク電流ロロ� �タン、ベンゼンヘキサクロライド、ペンタ� �ロロフェノ-ル、2,4,6-トリーク電流ロロフェ� ��ル-4-ニトロフェニルエ-テル、2,4-ジクロロ� �ェニル-3″-メトキシ-4″-ニトロフェニルエ� �テル、2,4-ジクロロフェノキシ酢酸、4,5,6,7-� �トラクロロフサライド、1,1-ビス(4-クロロフ� ��ニル)エタノ-ル、1,1-ビス(4-クロロフェニル) -2,2,2-トリーク電流ロロエタノ-ル、エチル-4,4 -ジクロロベンジレ-ト、2,4,5,4″-テトラクロ� �ジフェニルスルフィド、2,4,5,4″-テトラクロ ロジフェニルスルホン等の有機クロロ系農薬 等も挙げられる。

 キノンジアジド化合物の具体例としては� ��1,2-ベンゾキノンジアジド-4-スルホン酸エス テル、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン� �エステル、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スル� ��ン酸エステル、1,2-ナフトキノンジアジド-6- スルホン酸エステル、2,1-ナフトキノンジア� �ド-4-スルホン酸エステル、2,1-ナフトキノン� ��アジド-5-スルホン酸エステル、2,1-ナフトキ ノンジアジド-6-スルホン酸エステル、その他 のキノンジアジド誘導体のスルホン酸エステ ル、1,2-ベンゾキノンジアジド-4-スルホン酸� �ロライド、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スル� ��ン酸クロライド、1,2-ナフトキノンジアジド -5-スルホン酸クロライド、1,2-ナフトキノン� �アジド-6-スルホン酸クロライド、2,1-ナフト� ��ノンジアジド-4-スルホン酸クロライド、2,1- ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライ ド、2,1-ナフトキノンジアジド-6-スルホン酸� �ロライド、その他のキノンアジド誘導体の� �ルホン酸クロライド等のo-キノンアジド化合 物が挙げられる。

 α,α-ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化� �物の具体例としては、未置換、対称的にま� �は非対称的に置換されたアルキル基、アル� �ニル基、アラルキル基、芳香族基、ヘテロ� �状基を有するα,α-ビス(スルホニル)ジアゾメ タンなどが挙げられる。α-カルボニル-α-ス� �ホニル-ジアゾメタン系化合物の具体例とし� ��は、未置換、対称的にまたは非対称的に置� ��されたアルキル基、アルケニル基、アラル� ��ル基、芳香族基、ヘテロ環状基を有するα-� ��ルボニル-α-スルホニル-ジアゾメタンなど� �挙げられる。スルホン化合物の具体例とし� �は、未置換、対称的にまたは非対称的に置� �されたアルキル基、アルケニル基、アラル� �ル基、芳香族基、ヘテロ環状基を有するス� �ホン化合物、ジスルホン化合物などが挙げ� �れる。有機酸エステルの具体例としては、� �置換、対称的にまたは非対称的に置換され� �アルキル基、アルケニル基、アラルキル基� �芳香族基、ヘテロ環状基を有するカルボン� �エステル、スルホン酸エステルなどが挙げ� �れる。有機酸アミドの具体例としては、未� �換、対称的にまたは非対称的に置換された� �ルキル基、アルケニル基、アラルキル基、� �香族基、ヘテロ環状基を有するカルボン酸� �ミド、スルホン酸アミドなどが挙げられる� �有機酸イミドの具体例としては、未置換、� �称的にまたは非対称的に置換されたアルキ� �基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族� �、ヘテロ環状基を有するカルボン酸イミド� �スルホン酸イミドなどが挙げられる。これ� �の活性光線の照射により解裂して酸を生成� �能な化合物は、単独でも2種以上混合して用� ��ても良い。

  本発明に用いられる(B)光により酸を発� �する化合物の中で特に好ましいのは、フェ� �ール化合物と、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド- 5-スルホン酸及び/又は1,2-ナフトキノン-2-ジ� �ジド-4-スルホン酸とを反応させて得られる� �ステル化合物である。例えば、下記式で表� �れる化合物が挙げられるが、これらに制限� �れるものではない。また、これらは単独で� �2種以上混合して用いても良い。

 なお、下記式中のQは、水素原子、式(2)で示 される基及び式(3)で示される基のいずれかで ある。ここで各化合物のQのうち、少なくと� �1つは式(2)又は式(3)で示される基である。Qが 複数含まれる場合は、それらは同一でも異な ってもよい。

 本発明のスプレー塗布用ポジ型感光性樹� ��組成物において、(B)光により酸を発生する� ��合物の含有量は、(A)アルカリ可溶性樹脂の� ��有量の1重量%以上であることが好ましく、10 重量%以上であることがより好ましい。また� �50重量%以下であることが好ましく、40重量%� �下であることがより好ましい。(B)光により� �を発生する化合物の含有量が、(A)アルカリ� �溶性樹脂の含有量の1重量%以上であると、未 露光部がアルカリ水溶液に耐性を持つためパ ターニング性が良好になり、高残膜率、高解 像度が保持され、感度も向上する。また、50� ��量%以下であると、スカムのみならず、感光 剤自身による膜中の透明性低下が適度に抑え られることにより高感度、高解像度が保持さ れ、硬化する際の分解成分による膜厚の収縮 が抑えられ、硬化後も高残膜率になる。

 (C)溶剤
 本発明に用いられる溶剤は、(A)アルカリ可� ��性樹脂と、(B)光により酸を発生する化合物� ��を溶解することができ、かつ、これらの成� ��に不活性なものであれば特に制限されない� ��

 例えば、本発明に用いられる溶剤として� ��、γ-ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリド� �、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホ ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチ レングリコールジメチルエーテル、ジエチレ ングリコールジエチルエーテル、ジエチレン グリコールジブチルエーテル、プロピレング リコールモノメチルエーテル、ジプロピレン グリコールモノメチルエーテル、プロピレン グリコールモノメチルエーテルアセテート、 乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチ ル-1,3-ブチレングリコールアセテート、1,3-ブ チレングリコール-3-モノメチルエーテル、ピ ルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル -3-メトキシプロピオネート、酢酸アミル、酢 酸-t-ブチル、プロピオン酸エチル、2-メチル� ��トラヒドロフラン、酢酸エチル、酢酸イソ� ��チル、酢酸-s-ブチル、酢酸-n-ブチル、酢酸� ��ロピル、酢酸イソプロピル、プロピオン酸� ��チル、3-メチル-テトラヒドロフラン、2,5-ジ メチル-テトラヒドロフラン、乳酸アミド、� �トキシシクロペンタノン、乳酸プロピル、� �酸イソアミル、酢酸イソアミル、プロピオ� �酸ブチル、エチレングリコールモノメチル� �ーテルアセテート、エチレングリコールモ� �プロピルエーテル、酢酸-2-エトキシエチル� �酢酸-2-エチルブチル等が挙げられる。これ� �は、単独でも混合して用いてもよい。

 本発明の好ましい態様では、(C)溶剤は、� ��点140℃以上の第1溶剤と、沸点140℃未満の第 2溶剤とを含む。本発明のより好ましい態様� �は、(C)溶剤は、沸点140℃以上の第1溶剤と、� ��点120℃以下の第2溶剤とを含む。沸点140℃以 上の第1溶剤を用いることにより、塗膜のピ� �ホール欠陥の発生を抑制し、均一な膜厚の� �膜を形成することを可能にする。また、沸� �140℃未満の第2溶剤を用いることにより、半� ��体ウェハの貫通孔などの垂直方向に設けら� ��た孔の内面に本発明のポジ型感光性樹脂組� ��物を塗布する際に貫通孔下部への液ダレを� ��止して、均一な膜厚の塗膜を形成すること� ��可能にする。

 本発明に用いられる第1溶剤の沸点は、140 ℃以上が好ましく、145℃以上がより好ましく 、150℃以上がさらに好ましい。また、第1溶� �の沸点は、210℃以下が好ましく、205℃以下� �より好ましく、200℃以下がさらに好ましい� �

 第1溶剤としては、アルカリ可溶性樹脂を 溶解させるものが好ましい。例えば、γ-ブチ ロラクトン、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸 エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、乳酸イ ソアミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブ チル、エチレングリコールモノメチルエーテ ルアセテートなどが挙げられる。これらは1� �単独でも2種以上を併用してもよい。

 本発明に用いられる第2溶剤の沸点は、140 ℃未満が好ましく、120℃以下がより好ましく 、100℃以下がさらに好ましく、90℃以下が特� ��好ましい。また、第2溶剤の沸点は、50℃以� ��が好ましく、60℃以上がより好ましく、70℃ 以上がさらに好ましい。

 第2溶剤としては、ポジ型感光性樹脂組成 物の揮発性を向上させるものが好ましい。例 えば、酢酸エチル、2-メチル-テトラヒドロフ ラン、プロピオン酸エチル、酢酸-t-ブチル、 プロピレングリコールモノメチルエーテル、 酢酸イソブチル、酢酸-s-ブチル酢酸-n-ブチル 、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、プロピ オン酸メチル、3-メチル-テトラヒドロフラン 、2,5-ジメチル-テトラヒドロフランなどの、� ��鎖または環状のカルボン酸エステル系溶剤� ��たはエーテル系溶剤が好ましい。特に、20� �における蒸気圧が25kPa以上になると、常温保 管時において溶剤の揮発による樹脂組成物の 粘度上昇が顕著となるため、塗布時の揮発性 と常温保管時の粘度安定性を両立するには、 蒸気圧が25kPa以下の溶剤である酢酸-t-ブチル� ��プロピオン酸エチル、酢酸エチルなどを用� ��ることが好ましい。これらは1種単独でも2� �以上を併用してもよい。

 第1溶剤と第2溶剤とを併用する場合、第1溶� ��の含有量は、前記(C)溶剤全体の5重量%以上� �好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重 量%以上がさらに好ましい。また、第1溶剤の� ��有量は、50重量%以下が好ましく、40重量%以� ��がより好ましく、35重量%以下がさらに好ま� ��い。
 第2溶剤の含有量は、前記(C)溶剤全体の50重� ��%以上が好ましく、60重量%以上がより好まし く、65重量%以上がさらに好ましい。また、第 2溶剤の含有量は、95重量%以下が好ましく、85 重量%以下がより好ましく、80重量%以下がさ� �に好ましい。
 第1溶剤及び第2溶剤の併用比は、第1溶剤:第 2溶剤=5:95~50:50が好ましく、15:85~40:60がより好� ��しい。

 前記沸点の異なる第1溶剤と第2溶剤とを� �用し、且つ、前記ポジ型感光性樹脂組成物� �粘度を特定の範囲内に調整することで、半� �体ウェハの厚み方向に設けられた高アスペ� �ト比を有する孔の内面に対する塗膜形成性� �特に優れたものとなり、前記孔の内面によ� �均一な塗膜を形成することができる。

 溶剤の使用量は、アルカリ可溶性樹脂、� ��により酸を発生する化合物及び任意成分を� ��解し、本発明の組成物が所望の粘度を達成� ��きる範囲であれば特に制限されない。溶剤� ��使用量の目安は、通常、組成物全体の30~98� �量%である。

 (D)任意成分
 本発明のスプレー塗布用ポジ型感光性樹脂� ��成物は、本発明の目的を損なわない範囲で� ��れば、上記成分(A)~(C)以外の任意成分を含む ことができる。

 例えば、スプレー塗布での塗布性を向上さ� ��るために界面活性剤を含むことができる。� ��面活性剤としては、例えば、フッ素系界面� ��性剤、シロキサン系界面活性剤、非フッ素� ��界面活性剤などを挙げることができる。
 フッ素系界面活性剤としては、パーフルオ� ��アルキル基を有する構造のものであり、具� ��的には大日本インキ化学工業(株)製のメガ� �ァックF-470、F-471、F-472SF、F-474、F-475、R-30、F -477、F-478、F-479、BL-20、R-61、R-90、住友スリー エム(株)製のFC-170C、FC-4430などが挙げられる� �、これらに制限されない。
 シロキサン系界面活性剤としては、ポリア� ��キル変性シロキサン系、ポリエステル変性� ��ロキサン系、アラルキル変性シロキサン系� ��アルキルアラルキル変性シロキサン系など� ��挙げられるが、これらに制限されない。
 非フッ素系界面活性剤としては、ポリオキ� ��エチレンラウリルエーテル、ポリオキシエ� ��レンオレイルエーテル、ポリオキシエチレ� ��オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエ� ��レンノニルフェニルエーテル、ポリエチレ� ��グリコールジラウリレート、ポリエチレン� ��リコールジステアレート等のノニオン系界� ��活性剤、アクリル系またはメタクリル系の� ��合物からなる界面活性剤などが挙げられる� ��、これらに制限されない。
 これらは1種単独で用いてもよいし、2種以� �を併用してもよい。界面活性剤の含有量は� �本発明の目的を損なわない範囲であれば、� �に制限されない。

 また、必要によりシランカップリング剤� ��の添加剤を含んでもよい。シランカップリ� ��グ剤としては、例えば、エポキシシランカ� ��プリング剤、芳香族含有アミノシランカッ� ��リング剤等が挙げられる。これらは単独で� ��いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 シランカップリング剤の含有量は、特に制限 されないが、組成物全体の0.05~50重量%が好ま� ��く、0.1~20重量%がより好ましい。

  本発明のスプレー塗布用ポジ型感光性� �脂組成物の粘度は、0.5~200cPである。組成物� �粘度がこの範囲であると、ノズルセンター� �らの液漏れを抑制すると共に、高アスペク� �比を有する半導体ウェハの微細なサイズの� �の内面にピンホール欠陥を発生することな� �、均一な塗膜を形成することを可能にする� �該粘度は、1cP以上がより好ましく、5cP以上� �さらに好ましく、10cP以上が特に好ましい。� ��た、該粘度は、100cP以下がより好ましく、50 cP以下がさらに好ましく、30cP以下が特に好ま しい。

 また、本発明のスプレー塗布用ポジ型感� ��性樹脂組成物は、剪断速度0.1rpm/sにおける� �的粘度η0.1と、剪断速度100rpm/sにおける動的� ��度η100 の動的粘度比A(η0.1/η100)が、1.5~400で あることが好ましい。組成物の動的粘度比A� �この範囲であると、静的な状態では相対的� �高粘度の状態となるため、半導体ウェハの� �の垂直な壁面での液垂れが生じ難くなり膜� �均一性に優れる。該動的粘度比Aは、3~300が� �り好ましく、5~200がさらに好ましく、10~140が 特に好ましい。

 さらに、本発明のスプレー塗布用ポジ型� ��光性樹脂組成物は、剪断速度100/sにおける� �的粘度η100と、剪断速度1000/sにおける動的粘 度η1000の該動的粘度比B(η100/η1000)が、0.6~5.0� �あることが好ましい。組成物の動的粘度比B� ��この範囲であると、動的な状態では相対的� ��低粘度の状態となるため、組成物がノズル� ��通過する時や、スピンコートする時などに� ��好な流動性が得られる。該動的粘度比Bは、 0.8~4.5がより好ましく、1.0~4.0がさらに好まし� ��、1.2~3.5が特に好ましい。

 上述したような粘度の剪断速度依存性を得� ��ための手段としては、特に限定されないが� ��
シリカ、マイカ、酸化亜鉛、酸化チタン、炭 酸カルシウム等の無機充填剤、ゴム粒子、ウ レタン粒子、アクリル粒子等の有機充填剤、 ポリウレタン系、ポリウレア系、ポリアクリ ル酸系、ポリアミド系等のレオロジー調整剤 を添加する手法が挙げられる。これらの中で も、不純物が少なく、少ない添加量で上記剪 断速度依存性を実現することができるシリカ 、レオロジー調整剤を用いることが好ましい 。

 無機充填剤及び有機充填剤を用いる場合、� ��の平均粒径は1nm~1000nmが好ましく、5nm~800nmが より好ましく、10nm~500nmがさらに好ましい。� �お、平均粒径は、レーザー回折式粒度分布� �定装置を用いることにより求められる。無� �充填剤及び有機充填剤の含有量は、ポジ型� �光性樹脂組成物の全重量に対し、0.5~80重量%� ��好ましく、1~50重量%がより好ましく、5~30重� ��%がさらに好ましい。
レオロジー調整剤の含有量は、ポジ型感光性 樹脂組成物の全重量に対し、0.1~30重量%が好� �しく、0.5~20重量%がより好ましく、1~10重量%� �さらに好ましい。

 本発明においてポジ型感光性樹脂組成物� ��粘度は、測定装置:TVE-20L形粘度計コーンプ� �ートタイプ(TOKIMEC製)、使用ローター:標準ロ� ��ター(1°34´、R=2.4cm)、回転数:10rpm、温度:25℃ の測定条件で測定した5分後の粘度として定� �される。

 また、本発明においてポジ型感光性樹脂組� ��物の動的粘度比は、測定装置:粘弾性測定装 置ARES-2KSTD(Reometric Scientific製)、使用ローター :パラレルプレートタイプ(R=4.0cm)、温度:25℃� �測定条件で各剪断速度における動的粘度(η0. 1、η100、η1000)を測定し、得られた測定値を� �いて以下の式により得ることができる。
  動的粘度比A=η0.1/η100
  動的粘度比B=η100/η1000

 さらに本発明のポジ型感光性樹脂組成物� ��、半導体ウェハの厚み方向に形成された孔� ��内面に均一な塗膜を形成するために、半導� ��ウェハに対して所望の濡れ拡がり性を有し� ��いることが好ましい。本発明において、濡� ��拡がり性は、γ-ブチロラクトンを用いて測� ��したときの接触角が89~97°となるシリコンウ ェハ上に、前記ポジ型感光性樹脂組成物1滴(1 5mg)を滴下し、前記シリコンウェハを角度80°� ��立てて固定し3分間放置して得られる塗膜の 垂直方向の落下長の最大値Aと、水平方向の� �がり幅の最大値Bとの比A/Bで定義される。上� ��で定義される本発明のポジ型感光性樹脂組� ��物の濡れ拡がり性は0.1~20が好ましく、0.5~10� ��より好ましい。これにより、垂直な壁面で� ��液垂れが生じ難くなり膜厚均一性に優れる� ��

 2.貫通電極の製造方法
 次に、本発明の貫通電極の製造方法につい� ��説明する。
 本発明の貫通電極の製造方法は、半導体ウ� ��ハの表面に設けられた集積回路と前記半導� ��ウェハの裏面に設けられた接続端子とを電� ��的に接続するための貫通電極の製造方法で� ��って、
 前記半導体ウェハの表面に設けられた集積� ��路の電極部の裏面の少なくとも一部が露出� ��るように半導体ウェハの厚み方向に設けら� ��た孔の内面を覆うように、本発明のポジ型� ��光性樹脂組成物をスプレー塗布することに� ��って塗膜を形成する塗膜形成工程と、
 前記電極部の裏面上に形成された塗膜の少� ��くとも一部を露光した後、露光した部分を� ��像することによって、前記電極部の裏面の� ��なくとも一部が露出した塗膜パターンを形� ��するパターン形成工程と、を含む。

 本発明は、半導体ウェハの表面に集積回� ��を設けた後に該集積回路と半導体ウェハの� ��面に設けられた接続端子とを電気的に接続� ��るための貫通電極を形成する方法にかかる� ��のであり、本発明のスプレー塗布用ポジ型� ��光性樹脂組成物を用いて孔の内面を覆うよ� ��に塗膜を形成した後、該塗膜に露光及び現� ��を施すことによって半導体ウェハの厚み方� ��に形成された孔の内部に塗膜パターンを形� ��することを特徴の一つとしている。

 以下、図面を参照しながら本発明の貫通電� ��の製造方法について説明する。
 図1は、本発明の貫通電極の製造方法の工程 を説明するための工程説明図である。
 図1(a)は半導体ウェハの構造を例示したもの である。図1(a)に示すように、半導体ウェハ1� ��表面には集積回路の金属配線3が形成されて おり、金属配線3上には集積回路の電極部2と� ��ソルダーレジスト層4が形成されている。半 導体ウェハ1の厚み方向には、半導体ウェハ1� ��裏面に開口部を有し、電極部2の裏面の少な くとも一部が露出するように形成された孔5� �設けられている。孔5の深さ/孔の直径比(L/D� �:アスペクト比)は、特に制限されないが、1~1 0が好ましく、2~5であることがより好ましい� �
 半導体ウェハに孔を形成する方法は特に制� ��されなく、公知の方法を用いることができ� ��。中でも、プラズマによりガスをイオン化� ��びラジカル化してエッチングする反応性イ� ��ンエッチング(RIE)は、高アスペクト比を有� �る微細なサイズの孔の形成に適しているた� �好ましい。

 次に、図1(b)に示すように、孔5の内面を覆� �ように本発明のポジ型感光性樹脂組成物を� �プレー塗布することによって塗膜6を形成す� ��。
 該組成物をスプレー塗布する際は、例えば� ��化用ガスとして乾燥窒素などを用い、該組� ��物を含むミストを孔の内面に塗布すること� ��好ましい。ミストの粒径は10μm以下が好ま� �い。該組成物をスプレー塗布する際の霧化� �ガスのガス圧は特に制限されないが、0.5~5.0k g/cm ² が好ましい。ノズルから孔の内面に吐出され る組成物の供給量(吐出量)は、適宜調整すれ� ��よく、一定であってもよく、変化させても� ��い。

 スプレー塗布装置としては特に制限され� ��いが、オーストリアEVグループ(EVG)のレジス ト塗布装置「NanoSpray」、SUSSマイクロテック� �のレジスト塗布装置「DeltaAltaSpray」等を用い ることができる。装置のノズル径は、0.1~2mm� �度が好ましい。

 スプレー塗布した後は、プリベークするこ� ��により塗膜中の溶剤を除去する。プリベー� ��は、通常ベークプレート(ホットプレート)� �に半導体ウェハを載せて加熱したり、クリ� �ン・オーブンなどの加熱装置内で半導体ウ� �ハを加熱することによって行う。加熱温度� �、60℃~150℃が好ましく、100℃~130℃がより好� ��しい。
 このようにして形成される塗膜(プリベーク 後)の膜厚は、0.1~40μmが好ましく、1~20μmがよ� ��好ましい。

 次に、電極部2の裏面上に形成された塗膜の 少なくとも一部を露光し、露光部分を現像す る。
 塗膜を露光する際は、半導体ウェハフォト� ��スクを用いて、電極部2の裏面上の少なくと も一部のみが露光されるようにする。照射す る光の波長は、150nm~750nmが好ましく、200nm~500n mがより好ましい。光源の種類は特に制限さ� �なく、所望の光の波長に応じて紫外線ラン� �、水銀灯、キセノンランプ、重水素ランプ� �を適宜選択すればよい。

 次に、現像液を用いて露光部分を現像す� ��。本発明に用いられる現像液は、半導体プ� ��セスにおいて、通常フォトレジストの現像� ��用いられるものであれば特に制限されない� ��例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ� ��、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メ� ��ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機� ��ルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミ� �等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-プ� ��ピルアミン等の第2アミン類、トリエチルア ミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン� �、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ� �ルアミン等のアルコールアミン類、テトラ� �チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ� �ルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アン� ��ニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこ� ��にメタノール、エタノールのごときアルコ� ��ル類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適� ��量添加した水溶液を好適に使用することが� ��きる。現像方法としては、パドル、浸漬、� ��プレー、超音波等の方式が可能である。

 露光部分を現像した後、リンス液を用い� ��洗浄し、ポストベークして塗膜を硬化させ� ��。リンス液は特に制限されないが、蒸留水� ��用いることが好ましい。ポストベークは、� ��ークプレートまたはクリーン・オーブンな� ��を用いて塗膜を加熱することによって行う� ��加熱温度は特に制限されないが、180℃~400℃ が好ましく、200℃~380℃がより好ましい。こ� �ようにして、図1(c)に示すような電極部2の裏 面の少なくとも一部が露出した塗膜パターン 7を形成することができる。

 本発明の好ましい態様によれば、本発明� ��ポジ型感光性樹脂組成物を用いることによ� ��、半導体ウェハを貫通するように形成され� ��高アスペクト比を有する微細なサイズの孔� ��内面に対しても、均一な膜厚の塗膜を形成� ��ることができる。また、本発明の好ましい� ��様によれば、本発明のポジ型樹脂感光性組� ��物を用いることにより微細なパターン形成� ��可能になるため、半導体ウェハの孔内部に� ��ける所望の領域を高選択的に露出させるこ� ��ができるとともに、他の領域を絶縁膜で保� ��することができる。これにより、貫通電極� ��のリーク電流の発生を抑制することができ� ��半導体ウェハに貫通電極における歩留りを� ��上させることができる。

 このようにして形成された塗膜パターン� ��、貫通電極内部のリーク電流を防止するた� ��の絶縁膜として用いることもできるし、他� ��絶縁膜のパターン形成用マスクとして用い� ��こともできる。以下、本発明で形成された� ��膜パターンを絶縁膜として用いて貫通電極� ��形成する方法(以下「第1実施形態」)と、本� ��明で形成された塗膜パターンをパターン形� ��用マスクとして用いて貫通電極を形成する� ��法(以下「第2実施形態」)について具体的に� ��明する。

 第1実施形態
 本発明の第1実施形態では、上述のようにし て形成された塗膜パターンを絶縁膜として用 い、この塗膜パターン上に電極部の裏面と前 記半導体ウェハの裏面に設けられた接続端子 とを電気的に接続するための金属膜を形成す ることによって貫通電極を形成する。

 すなわち、本発明の第1実施形態では、半導 体ウェハの表面に設けられた集積回路と前記 半導体ウェハの裏面に設けられた接続端子と を電気的に接続するための貫通電極の製造方 法であって、
 前記半導体ウェハの表面に設けられた集積� ��路の電極部の裏面の少なくとも一部が露出� ��るように半導体ウェハの厚み方向に設けら� ��た孔の内面を覆うように、本発明のポジ型� ��光性樹脂組成物をスプレー塗布することに� ��って塗膜を形成する塗膜形成工程と、
 前記電極部の裏面上に形成された塗膜の少� ��くとも一部を露光した後、露光した部分を� ��像することによって、前記電極部の裏面の� ��なくとも一部が露出した塗膜パターンを形� ��するパターン形成工程と、
 前記パターン形成工程によって形成された� ��膜パターン上に、前記電極部の裏面と前記� ��導体ウェハの裏面に設けられた接続端子と� ��電気的に接続させるための金属膜を形成す� ��金属膜形成工程とを含む、貫通電極の製造� ��法を提供する。

 以下、図面を参照しながら本発明の第1実施 形態について説明する。図2は、本発明の第1� ��施形態にかかる貫通電極の製造方法の工程� ��説明するための工程説明図である。
 まず、集積回路の電極部2の裏面の少なくと も一部が露出するように半導体ウェハ1の厚� �方向に設けられた孔5が形成された半導体ウ� ��ハ1を用意する(図2(a)参照)。
 次に、半導体ウェハ1の孔5の内面を覆うよ� �に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物をス� �レー塗布することによって塗膜6を形成し(図 2(b)参照)、電極部2の裏面の少なくとも一部を 露光、現像することによって電極部2の裏面� �少なくとも一部が露出した塗膜パターン7を� ��成する(図2(c)参照)。塗膜を形成する方法及� ��塗膜パターンを形成する方法は、既に述べ� ��方法と同様であるのでここでは説明を繰り� ��さない。なお、図2中の符号は、図1中の符� �と対応している。

 次に、図2(d)に示すように、塗膜パターン 7上に金属膜を形成するためのシード層8を形� ��する。シード層の形成は、スパッタリング� ��たはメタルCVD法を用いて行うことができる� ��シード層に用いる金属は、特に制限されな� ��が、TiW/NiV/Cu、Ni、Ni/Cu、TiN/Ti/Cu等が好まし� �。なお、シード層に複数の金属を用いる場� �は、塗膜パターン及び半導体ウェハの裏面� �ら近い層から順に「下層/上層」または「下� ��/中層/上層」のように表示している。

 次に、シード層8上に、電極部の裏面と半導 体ウェハの裏面に設けられた接続端子とを電 気的に接続するための金属膜を設ける領域に 開口部を有する感光膜パターン9を形成する� �
 感光膜パターン9は、通常半導体プロセスに おいて用いられるポジ型またはネガ型の感光 性樹脂組成物を用いて塗膜を形成した後、所 定の領域に開口部を有するパターン形成用マ スクを用いて露光し、露光した部分を現像す ることによって形成することができる。

 続いて、感光膜パターン9の開口部から露 出したシード層8をメッキ端子として電解メ� �キ処理を施して金属膜10を形成した後、感光 膜パターン9を除去し、露出したシード層を� �ッチングする。こうして、図2(e)に示すよう� ��金属膜10を形成することができる。電解メ� �キ処理は通常半導体プロセスにおいて使用� �れる条件を用いて行うことができる。金属� �としては、Ni、Cu、Auなどからなる1層構造の� ��か、Ni、Cu、Auなどの金属上にSn、Sn-Pb、Sn-Ag� ��Sn-Cu、Sn-Zuなどのハンダ材が積層された2層� �造を用いることができる。なお、電解メッ� �処理は、孔の内部をメッキ充填する必要は� �く、孔の内部に薄膜を形成するだけでもよ� �。

 このようにして形成された半導体ウェハ1 の裏面の金属膜10上に、図2(f)に示すように、 外部電極(図示しない)と接続させるための接� ��端子11を搭載し、接続端子11以外の導通部分 を覆うようにソルダーレジスト層12を形成す� ��ことにより貫通電極を形成することができ� ��。接続端子及びソルダーレジスト層ならび� ��それらの形成方法は、半導体装置の製造に� ��常用いられるものであれば特に制限されな� ��。本発明の第1実施形態では、このようにし て貫通電極を形成することによって、半導体 ウェハの表面に設けられた集積回路と半導体 ウェハの裏面に設けられた接続端子とを電気 的に接続することができる。

 第2実施形態
 次に、本発明の第2実施形態について説明す る。本発明の第2実施形態では、本発明のポ� �型感光性樹脂組成物を用いて形成した塗膜� �ターンを絶縁膜のパターン形成用マスクと� �て用いて絶縁膜パターンを形成し、得られ� �絶縁膜パターン上に、前記電極部の裏面と� �記半導体ウェハの裏面に設けられた接続端� �とを電気的に接続するための金属膜を形成� �ることによって貫通電極を形成する。

 すなわち、本発明の第2実施形態では、半導 体ウェハの表面に設けられた集積回路と前記 半導体ウェハの裏面に設けられた接続端子と を電気的に接続するための貫通電極の製造方 法であって、
 前記半導体ウェハの表面に設けられた集積� ��路の電極部の裏面の少なくとも一部が露出� ��るように半導体ウェハの厚み方向に設けら� ��た孔の内面を覆うように、本発明のポジ型� ��光性樹脂組成物をスプレー塗布することに� ��って塗膜を形成する塗膜形成工程と、
 前記電極部の裏面上に形成された塗膜の少� ��くとも一部を露光した後、露光した部分を� ��像することによって、前記電極部の裏面の� ��なくとも一部が露出した塗膜パターンを形� ��するパターン形成工程と、
 前記パターン形成工程によって形成された� ��膜パターンを絶縁膜のパターン形成用マス� ��として用いて絶縁膜パターンを形成し、得� ��れた絶縁膜パターン上に、前記電極部の裏� ��と前記半導体ウェハの裏面上の接続端子と� ��電気的に接続するための金属膜を形成する� ��属膜形成工程とを含む、貫通電極の製造方� ��を提供する。

 以下、図面を参照しながら本発明の第2実施 形態について説明する。図3は、本発明の第2� ��施形態にかかる貫通電極の製造方法の工程� ��説明するための工程説明図である。なお、� ��3中の符号は、図1及び2中の符号と対応して� ��る。
 まず、集積回路の電極部2の裏面の少なくと も一部が露出するように半導体ウェハ1の厚� �方向に設けられた孔5が形成された半導体ウ� ��ハ1を用意する(図3(a)参照)。
 次に、図3(b)に示すように、半導体ウェハ1� �孔5の内面を覆うように絶縁膜13を形成する� �絶縁膜13は酸化膜(SiO ₂ )などの公知の材料を用いて、化学蒸着法(CVD� ��)などを用いて形成することができる。絶縁 膜の厚みは、孔内部の絶縁性を確保するのに 十分な厚みであれば特に制限されない。

 次に、図3(c)に示すように、絶縁膜13上に孔5 の内面を覆うように、本発明のポジ型感光性 樹脂組成物をスプレー塗布することによって 塗膜6を形成する。そして、電極部2の裏面の� ��なくとも一部を露光、現像することによっ� ��電極部2の裏面の少なくとも一部が露出した 塗膜パターン7を形成する。そして、この塗� �パターン7を絶縁膜13のパターン形成用マス� �として用いて絶縁膜の露出部分を除去する� �とによって、図3(d)に示すように、電極部2の 裏面の少なくとも一部が露出した絶縁膜パタ ーン14を形成する。
 絶縁膜の露出した部分を除去する方法は特� ��制限されないが、ドライエッチング法によ� ��行うことが好ましい。特に、反応性イオン� ��ッチング(RIE)法により行うことが好ましい� �塗膜を形成する方法及び塗膜パターンを形� �する方法は、絶縁膜上に塗膜または塗膜パ� �ーンを形成することを除いて既に述べた方� �と同様である。

 次に、塗膜パターン7を除去した後、図3(e )に示すように、絶縁膜パターン上に金属膜� �形成するためのシード層8を形成する。そし� ��、シード層8上に、電極部の裏面と半導体ウ ェハの裏面上の接続端子とを電気的に接続す るための金属膜を設ける領域に開口部を有す る感光膜パターン9を形成する。シード層及� �感光膜パターンの構成材料及び形成方法は� �第1実施態様で述べた方法と同様である。

 続いて、図3(f)に示すように、感光膜パタ ーン9の開口部から露出したシード層8をメッ� ��端子として電解メッキ処理を施して金属膜1 0を形成した後、感光膜パターン9を除去し、� ��出したシード層8をエッチングする。金属膜 の構成材料は、第1実施形態で説明したもの� �同じものを使用できる。

 このようにして形成された半導体ウェハ1 の裏面に露出した部分の金属膜10上に、図3(g) に示すように、外部電極と接続させるための 接続端子11を搭載し、その後、接続端子11以� �の導通部分を覆うようにソルダーレジスト� �12を形成することにより、貫通電極を形成す ることができる。接続端子及びソルダーレジ スト層ならびにそれらの形成方法は、第1実� �形態で説明したものと同様である。第2実施� ��態では、このようにして貫通電極を形成す� ��ことによって、半導体ウェハの表面に設け� ��れた集積回路と半導体ウェハの裏面に設け� ��れた接続端子とを電気的に接続することが� ��きる。

 なお、図1~3は、本発明にかかる貫通電極� ��製造方法の一例を示すものであり、本発明� ��これらに何ら制限されるものではない。本� ��明の目的を損なわない範囲であれば、通常� ��半導体プロセスに用いられる他の工程を有� ��ていてもよく、それによって他の構成が貫� ��電極に含まれていてもよい。