[0001] 本发明属于电子保护设备技术领域， 尤其涉及一种设备掉电保护电路。

背景技术

[0002] 在外电切断或欠压条件下， 仍需继续工作一定吋间的电子设备， 如车载 DVR。

外电切断或欠压时， 通常是设备内置法拉电容或电池维持设备进入 关机流程所 需电源能量。 现有很多电子设备在使用法拉电容或电池时存 在一个致命缺陷： 法拉电容或电池在带负载状态下进入低电压值 ， 处在该电压值下的法拉电容或 电池不继续维持电子设备工作； 但一旦法拉电容或电池进入轻载或零负载， 法 拉电容或电池电压会立刻有一个比较大的幅值 反弹， 这个电压值下， 电子设备 的部分电源电路可以工作， 从而电子设备进入短暂通电状态。 使设备进入一段 周而复始的在上电、 下电过程， 对电子产品设备造成致命性损害。

技术问题

[0003] 本发明实施例的目的在于提供一种设备掉电保 护电路， 旨在解决现有的掉电保 护电路在保护的过程中使设备进入一段周而复 始的在上电、 下电过程， 对设备 造成损害的问题。

问题的解决方案

技术解决方案

[0004] 本发明实施例是这样实现的， 一种设备掉电保护电路， 所述设备掉电保护电路 包括：

[0005] DC转换电源电路；

[0006] 当所述 DC转换电源电路的外部电源掉电时， 为所述 DC转换电源电路维持供电 的不间断电源；

[0007] 检测端和输出端分别与所述 DC转换电源电路和不间断电源连接， 检测到所述 D C转换电源电路没有电压输出， 对所述不间断电源进行放电的不间断电源放电 电 路。 [0008] 上述结构中， 所述不间断电源放电电路包括：

[0009] 电容 Cl、 电容 C2、 电阻 Rl、 电阻 R2、 电阻 R3、 电阻 R4、 电阻 R5、 三极管 Ql - 三极管 Q2和 MOS管 Q3;

[0010] 所述电容 C1和电容 C2并联在 3V3与地之间， 所述电阻 R1和电阻 R2串联在所述 3 V3与地之间， 所述三极管 Q1的基极接所述电阻 R1和电阻 R2的公共连接端， 所述 三极管 Q1的集电极通过所述电阻 R3接 12V_CAP , 所述三极管 Ql的发射极接地， 所述三极管 Q2的基极接所述三极管 的集电极， 所述三极管 Q2的集电极通过所 述电阻 R4接所述 12V_CAP, 所述三极管 Q2的发射极接地， 所述 MOS管 Q3的源极 接所述 12V— CAP, 所述 MOS管 Q3的栅极接所述三极管 Ql的集电极， 所述 MOS管 Q3的漏极通过所述电阻 R5接地。

[0011] 上述结构中， 所述不间断电源包括法拉电容或电池。

[0012] 上述结构中， 所述 DC转换电源电路包括：

[0013] DC转换芯片 Ul、 电容 C3、 电容 C4、 稳压二极管 Dl、 分压电阻 R6、 分压电阻 R 7、 三极管 Q4和三极管 Q5;

[0014] 所述 DC转换芯片 U1的输入端 IN分别接所述外部电源和不间断电源， 所述电容 C3连接在所述 DC转换芯片 U1的输入端 IN与地之间， 所述分压电阻 R6和分压电 阻 R7串联在所述 DC转换芯片 U1的输入端 IN和三极管 Q4的集电极之间， 所述分 压电阻 R6和分压电阻 R7的公共连接端接所述 DC转换芯片 U1的使能端 EN， 所述 三极管 Q4的发射极接地， 所述三极管 Q4的基极接三极管 Q5的集电极， 所述三极 管 Q5的发射极接地， 所述三极管 Q5的基极接所述稳压二极管 D1的阳极 所述 D C转换芯片 U 1的输出端 SW为所述 DC转换电源电路的输出端接所述不间断电源放 电电路的检测端， 所述 DC转换芯片 U1的输出端 SW接所述稳压二极管 D1的阴极 , 所述稳压二极管 D1的阳极接地， 所述电容 C4连接在所述 DC转换芯片 U1的输 出端 SW与地之间。

发明的有益效果

有益效果

[0015] 在本发明实施例中， 设备掉电保护电路设置 DC转换电源电路的使能信号有效 输入电压高于 DC转换电源电路的最低接受电压值， 利用不间断电源放电电路抑 制不间断电源在重轻负载切换时的电压反弹， 从而避免了 DC转换电源电路输出 电源的重复性输出， 避免现有的掉电保护电路在保护的过程中使设 备进入一段 周而复始的在上电、 下电过程， 对设备造成损害。

对附图的简要说明

附图说明

[0016] 图 1是本发明实施例提供的设备掉电保护电路的� �构图；

[0017] 图 2是本发明实施例提供的设备掉电保护电路的� �路结构图。

发明实施例

本发明的实施方式

[0018] 为了使本发明的目的、 技术方案及优点更加清楚明白， 以下结合附图及实施例 , 对本发明进行进一歩详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施例仅仅用 以解释本发明， 并不用于限定本发明。

[0019] 图 1示出了本发明实施例提供的设备掉电保护电� �的结构， 为了便于说明， 仅 示出了与本发明实施例相关的部分。

[0020] 一种设备掉电保护电路， 所述设备掉电保护电路包括：

[0021] DC转换电源电路 1 ;

[0022] 当所述 DC转换电源电路 1的外部电源掉电时， 为所述 DC转换电源电路 1维持供 电的不间断电源 2;

[0023] 检测端和输出端分别与所述 DC转换电源电路 1和不间断电源 2连接 , 检测到所 述 DC转换电源电路 1没有电压输出， 对所述不间断电源 2进行放电的不间断电源 放电电路 3。

[0024] 作为本发明一实施例， 所述不间断电源放电电路 3包括：

[0025] 电容 Cl、 电容 C2、 电阻 Rl、 电阻 R2、 电阻 R3、 电阻 R4、 电阻 R5、 三极管 Ql 、 三极管 Q2和 MOS管 Q3;

[0026] 所述电容 C1和电容 C2并联在所述检测端与地之间， 所述电阻 R1和电阻 R2串联 在所述检测端与地之间， 所述三极管 Q1的基极接所述电阻 R1和电阻 R2的公共连 接端， 所述三极管 Q1的集电极通过所述电阻 R3接所述输出端， 所述三极管 Q1的 发射极接地， 所述三极管 Q2的基极接所述三极管 Q1的集电极， 所述三极管 Q2的 集电极通过所述电阻 R4接所述输出端， 所述三极管 Q2的发射极接地， 所述 MOS 管 Q3的源极接所述输出端， 所述 MOS管 Q3的栅极接所述三极管 Q1的集电极， 所 述 MOS管 Q3的漏极通过所述电阻 R5接地。

[0027] 作为本发明一实施例， 所述不间断电源 2包括法拉电容或电池。

[0028] 作为本发明一实施例， 所述 DC转换电源电路 1包括：

[0029] DC转换芯片 Ul、 电容 C3、 电容 C4、 稳压二极管 Dl、 分压电阻 R6、 分压电阻 R 7、 三极管 Q4和三极管 Q5;

[0030] 所述 DC转换芯片 U1的输入端 IN分别接所述外部电源和不间断电源 2, 所述电容 C3连接在所述 DC转换芯片 U1的输入端 IN与地之间， 所述分压电阻 R6和分压电 阻 R7串联在所述 DC转换芯片 U1的输入端 IN和三极管 Q4的集电极之间， 所述分 压电阻 R6和分压电阻 R7的公共连接端接所述 DC转换芯片 U1的使能端 EN， 所述 三极管 Q4的发射极接地， 所述三极管 Q4的基极接三极管 Q5的集电极， 所述三极 管 Q5的发射极接地， 所述三极管 Q5的基极接所述稳压二极管 D1的阳极 所述 D C转换芯片 U1的输出端 SW为所述 DC转换电源电路 1的输出端接所述不间断电源 放电电路 3的检测端， 所述 DC转换芯片 U 1的输出端 SW接所述稳压二极管 D 1的阴 极， 所述稳压二极管 D1的阳极接地， 所述电容 C4连接在所述 DC转换芯片 U1的 输出端 SW与地之间。

[0031] 作为本发明一实施例， DC转换芯片 U1采用型号为 MP2315GJ的芯片， 当然也可 以釆用其他型号的芯片， 这里只是举例说明。

[0032] 设备掉电保护电路具体工作原理如下：

[0033] 1) 当外部供电输入且输入电压大于 6.19V时， DC转换电源电路 1使能信号准备 好， DC转换电源电路 1输出 3V3。

[0034] 2) 不间断电源 2初始状态为： 放电状态； 当 3V3电源正常输出后， 其状态立刻 从放电状态切换为充电状态。

[0035] 3) 当外部供电断供吋， DC转换电源电路 1的输入源立马切换至法拉电容或电 池； 这种情况下 DC转换电源电路 1的输出电源 3V3会维持至法拉电容或电池电压 低于 DC转换芯片 U1的最低输入电压值： 4.5V。

[0036] 4) 一旦 3V3电源没有输出， 法拉电容或电池的放电电路立马有效， 对法拉电容 或电池进行放电。

[0037] 5) 法拉电容与电池的电压在 DC转换电源电路 1停止工作的时刻 （即重负载转 入轻负载的时刻） ， 因不间断电源放电电路的存在不能反弹至 6.19V以上， 从而 使 DC转换电源电路 1不能正常输出 3V3。

[0038] 6) 3V3无法重复性输出， 从而无法对设备硬件进行损坏。

[0039] 在本发明实施例中， 设备掉电保护电路设置 DC转换电源电路的使能信号有效 输入电压高于 DC转换电源电路的最低接受电压值， 利用不间断电源放电电路抑 制不间断电源在重轻负载切换时的电压反弹， 从而避免了 DC转换电源电路输出 电源的重复性输出， 避免现有的掉电保护电路在保护的过程中使设 备进入一段 周而复始的在上电、 下电过程， 对设备造成损害。

[0040] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已， 并不用以限制本发明， 凡在本发明的 精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等， 均应包含在本发明的保 护范围之内。