Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polysilanen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Polysilanen durch Umsetzung von Monosilan in Gegenwart von Wasserstoff in einem Plasma sowie eine Anlage zur Durchführung dieses Verfahrens.

In der Mikroelektronik wird Disilan zur Abscheidung von Silizium-Schichten eingesetzt, das allerhöchsten Reinheitsanforderungen genügen muss. Bislang sind jedoch nur Verfahren bekannt, bei denen Katalysatoren zum Einsatz kommen. So offenbart die

JP 02-184513 ein Verfahren zur Herstellung von Disilan unter Verwendung von

metallorganischen Katalysatoren basierend auf Platin, Rhodium oder Ruthenium- Komplexkatalysatoren mit organischen Phosphor-, Arsen- oder Antimonliganden. Diese Katalysatoren tragen zu einer Kontamination im ppb-Bereich des hergestellten Disilans bei und werden zunehmend kritisch bei Ihrer Entsorgung beurteilt.

Die WO 2008/098640 A2 offenbart ein Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan, das in einem zweiten Verfahrensschritt katalytisch zu Disilan hydriert werden kann. Dieses zweistufige Verfahren ist nicht für die kostengünstige Herstellung von hochreinem Disilan geeignet. Aus der DE 36 39 202 ist ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Disilan mit dem Nachteil einer Bildung von signifikanten Mengen an elementarem Silizium während der Herstellung von Disilan bekannt. Der Reaktor kann in diesem Verfahren nur diskontinuierlich betrieben werden und muss nach sehr kurzen Produktionszeiten aufwendig gereinigt werden. Ein weiterer Nachteil besteht in den hohen Ausbeuteverlusten, die einerseits durch die Siliziumabscheidung und anderseits durch Verluste an Disilan oder Trisilan aufgrund von Strippeffekten bei der Abtrennung von Wasserstoff aus den Reaktionsprodukten entstehen. Diese Ausbeuteverluste können zwar bei einer Synthese über Hexachlordisilan vermieden werden, jedoch kommt es durch die katalytische Hydrierung wiederum zu einer Kontamination des Disilans und Trisilans. Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die Bereitstellung eines Verfahrens und einer Anlage, die die genannten Nachteile des Standes der Technik vermeidet und vorzugsweise eine kontinuierliche Herstellung von Polysilanen erlaubt. Ferner sollten die Polysilane bereits als Gemisch in hoher- bis höchster Reinheit isoliert werden können. Vorzugsweise sollten eine Auftrennung der Polysilane nur noch mit dem Zweck einer Erhöhung des Gehaltes der reinen Polysilane und nicht primär einer Aufreinigung dienen. Zudem bestand die Aufgabe, ein besonders wirtschaftliches Verfahren im technischen Maßstab bereitzustellen.

Gelöst werden die Aufgaben durch das erfindungsgemäße Verfahren sowie durch die erfindungsgemäße Anlage gemäß den Merkmalen der Patentansprüche 1 und 14.

Überraschend wurde festgestellt, dass zur selektiven Herstellung von Polysilanen

Gasphasenbehandlungen eines Strom von Eduktens umfassend Monosilan mit definiertem Monosilanpartialdruck im Gasgemisch in Gegenwart von Wasserstoff in nicht-thermischen Plasmen bei Temperaturen unter 40 °C und vorzugsweise vermindertem Druck genutzt werden können.

Gegenstand der Erfindung ist somit ein Verfahren zur Herstellung von Polysilanen mit mindestens zwei über eine kovalente Einfachbindung aneinander gebundenen Siliziumatomen (Si-Si), insbesondere Gemischen an linearen, verzweigten und/oder cyclischen Polysilanen ausgewählt aus Disilan, Trisilan, Tetrasilan, Pentasilan, Hexasilan, Heptasilan, Octasilan, Nonasilan, Decasilan, Undecasilan, Dodecasilan und/oder deren Strukturisomeren, bevorzugt von Polysilanen der nachfolgenden allgemeinen Formeln II, III, IV und/oder V, indem

i) ein Strom von Edukten umfassend Monosilan der allgemeinen Formel I und Wasserstoff, insbesondere ein Strom von Edukten im Gasgemisch,

H (I)

H-Si-H

I

H ii) mindestens einer Gasentladung, vorzugsweise zwei bis zehn nicht-thermischen Plasmen, ausgesetzt wird, bevorzugt bei einem Druck zwischen 0,05 mbar _abs. bis 15000 mbar _abs. , besonders bevorzugt bei vermindertem Druck, und

iii) in der resultierenden Phase ein definiertes Verhältnis des Wasserstoffpartialdrucks zum

Partialdruck der unter den gewählten Bedingungen gasförmigen Silane eingestellt wird, und gleichfalls in Schritt iii) Polysilane aus der resultierenden Phase gewonnen werden, insbesondere Polysilangemische, bevorzugt lineare, verzweigte und/oder cyclische

Polysilane mit 2 bis 25 Siliziumatomen, vorzugsweise mit 4 bis 25 Siliziumatomen, wie Tetrasilan, Pentasilan, Hexasilan, Heptasilan, Octasilan, Nonasilan, Decasilan, Undecasilan, Dodecasilan und/oder deren Strukturisomere, wobei es besonders bevorzugt ist, wenn in Schritt iii) zunächst die Polysilane gewonnen werden und anschließend in der resultierenden Phase ein definiertes Verhältnis des Wasserstoffpartialdrucks zum Partialdruck der unter den gewählten Bedingungen gasförmigen Silane, insbesondere des Monosilans sowie gegebenenfalls des Disilans, eingestellt wird, und anschließend iv) das Polysilangemisch aufgetrennt wird, insbesondere wird es mittels Destillation, fraktionierter Kondensation und/oder chromatographisch aufgetrennt. Besonders bevorzugt wird das Polysilangemisch mittels fraktionierter Destillation in einem Mehrkolonnensystem in die einzelnen Polysilane aufgetrennt. Im Rahmen der Erfindung werden unter dem Begriff Silan sowohl Monosilan als auch die Polysilane erfasst, während als Polysilan nur Silane mit mindestens zwei

Siliziumatomen, vorzugsweise mit mindestens vier Siliziumatomen gelten.

Die Einstellung der Partialdrücke geschieht erfindungsgemäß mittels einer Wasserstoff durchlässigen Membran, die vorzugsweise nur für Wasserstoff und im Wesentlichen nicht für Silane permeabel ist. Alternativ ist es ebenfalls besonders bevorzugt, wenn in Schritt iii) in der resultierenden Phase gleichzeitig die Polysilane gewonnen werden und ein definiertes

Verhältnis des Wasserstoffpartialdrucks zum Partialdruck der unter den gewählten

Bedingungen gasförmigen Silane eingestellt wird. Der Begriff Polysilan umfasst die homologe Reihe der rein Wasserstoff substituierten Silane gemäß lUPAC-Nomenklatur, die als erfindungsgemäße Polysilane mindestens zwei miteinander kovalent verknüpfte Si-Atome (Si-Si) aufweisen. Die Polysilane weisen ein ausschließlich mit Wasserstoffatomen substituiertes Silizium-Grundgerüst auf und umfassen lineare, verzweigte und/oder cyclische Polysilane, wie n-Polysilane, iso-Polysilane, neo-Polysilane und/oder cyclo- Polysilane. Die linearen und verzweigten Polysilane können anhand der allgemeinen Formel II Si _n CI _2n +2 mit n grösser gleich 2 sowie die cyclischen Polysilane anhand der allgemeinen Formel III Si _n CI _2n mit n grösser gleich 3 beschrieben werden. Idealisiert lassen sich hochmolekulare Polysilane über die Formel IV Si _n CI _2n mit n grösser gleich 3 als auch anhand der Formel V mit weiter reduziertem Wasserstoffanteil beschreiben ((SiH< ₂ ) _n ). Unter Polysilanen gemäß der Erfindung werden sowohl einzelne Polysilane als auch Gemische von Polysilanen der allgemeinen Formeln II, III, IV und/oder V mit n größer gleich 2 bis 100 erfasst, insbesondere mit n größer gleich 2 bis 25, bevorzugt mit 4 bis 25, besonders beovrzugt mit n gleich 4 bis 15, wobei die Polysilane bevorzugt unter den Verfahrensbedingungen flüssig bis hochviskos sind. Daher umfassen die Polysilane entsprechend der Erfindung vorzugsweise Gemische hoch- bis höchstreine Silane ausgewählt aus Disilan, Trisilan, Tetrasilan, Pentasilan, Hexasilan,

Heptasilan, Octasilan, Nonasilan, Decasilan, Undecasilan, Dodecasilan, Tridecasilan,

Tetradecasilan, Pentadecasilan, Cyclopentasilan, Cyclohexasilan, sowie jeweils deren

Strukturisomere als auch hochmolekulare Polysilane bis vorzugsweise n kleiner gleich 25, wobei das Polysilan mindestens Tetrasilan und/oder Pentasilan umfasst.

Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemässen Verfahrens ist die Möglichkeit der direkten Weiterverarbeitung der Polysilane zur Abscheidung von hochreinen Siliziumschichten mit Solarsiliziumqualität als auch Halbleiterqualität ohne zusätzliche Reinigungsschritte. Es erfolgt lediglich eine Trennung des Polysilangemisches in die einzelnen Polysilane mittels destillativer Aufarbeitung, um definierte Produkteigenschaften der Polysilane bei der Weiterverarbeitung sicherzustellen. Erfindungsgemäß sind diese Polsilane im Wesentlichen frei von Halogenen, insbesondere sind sie im Wesentlichen chlorfrei, bevorzugt ist ihr Gehalt an Chlor unter 1 x10 ⁵ Gew.-%, besonders bevorzugt unter 1 x10 ^"6 Gew.-% bis hin zur Nachweisgrenze von 1 x10 ^"10 Gew.-%. Die erfindungsgemäß erhältlichen Polysilane sind somit frei von Halogen, wie Chlor.

Gegenstand der Erfindung ist somit ein Verfahren zur Herstellung von Polysilanen und

Polysilangemischen i) wobei ein Strom von Edukten umfassend Monosilan der allgemeinen Formel I und Wasserstoff im Gasgemisch, ii) nicht-thermischen Plasmen bei einem Druck zwischen 0,1 mbar _abs. bis 1000 mbar _abs. ausgesetzt wird, bevorzugt bei einem Druck zwischen 1 mbar _abs. bis 950 mbar _abs. , und iii) in der resultierenden Phase ein Verhältnis des

Wasserstoffpartialdrucks zum Partialdruck der unter den gewählten Bedingungen gasförmigen Silane, insbesondere zum Partialdruck des Monosilans, eingestellt wird, und Polysilangemische gewonnen werden, wobei der Druck im Verfahrensschritt iii) gegenüber dem Druck in der Verfahrensstufe ii) erhöht ist und iv) das Polysilangemisch destilliert wird.

Als Edukte werden hoch- bis höchstreines Monosilan und Wasserstoff eingesetzt, die vorzugsweise jeweils dem folgenden Verunreinigungsprofil entsprechen. Als Gesamt- Verunreinigung weist das Monosilan oder der Wasserstoff kleiner gleich 100 Gew.-ppm bis 1 Gew.-ppt auf, insbesondere bis zur Nachweisgrenze, bevorzugt kleiner gleich 50 Gew.-ppm, weiter bevorzugt kleiner gleich 25 Gew.-ppm. Die Gesamtverunreinigung umfasst dabei eine Verunreinigung mit Bor, Phosphor und metallischen Elementen, die nicht Silizium entsprechen. Besonders bevorzugt ist die Gesamtverunreinigung jeweils unabhängig für das Monosilan und den Wasserstoff für die nachfolgend genannten Elemente kleiner gleich:

Aluminium von 15 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

a. Bor von 5 bis 0,0001 Gew.-ppt,

bevorzugt im Bereich von 3 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

b. Calcium von 2 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

c. Eisen von 5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

bevorzugt von 0,6 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

d. Nickel von 5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

bevorzugt von 0,5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

e. Phosphor von 5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

vorzugsweise von 3 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

f. Titan kleiner gleich 10 Gew.-ppm,

vorzugsweise kleiner gleich 2 Gew.-ppm, weiterhin bevorzugt

von 1 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

besonders bevorzugt von 0,6 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

ganz besonders bevorzugt von 0,1 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder g. Zink kleiner gleich 3 Gew.-ppm,

bevorzugt von 1 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

besonders bevorzugt von 0,3 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

h. Kohlenstoff und/oder

i Halogene,

wobei die Konzentrationen i und j jeweils im Bereich der Nachweisgrenze des dem Fachmann bekannten jeweiligen Messverfahrens liegen.

Es wurde gefunden, dass bei einem gegebenen Strom von Edukten mit einem Verhältnis an Wasserstoff und Silan jeweils in Volumenprozent (Vol.-%) von vorzugsweise 15 : 1 bis 1 : 5, bevorzugt zwischen 10 : 1 bis 5 : 1 , besonders bevorzugt zwischen 10 : 1 bis 8 : 1 , weiter bevorzugt bei etwa 90 Vol.-% Wasserstoff und 10 Vol.-% Monosilan, d. h. bei einem Verhältnis von etwa 9 : 1 , die besten Ausbeuten an Polysilanen erhalten werden, wenn der Druck im Gasentladungsreaktor zwischen 10 bis 60 mbar _abs. beträgt.

So konnte für einen Strom von Edukten von 90 Vol.-% Wasserstoff und 10 Vol.-% Monosilan nach Durchströmen zweier Gasentladungsanordnungen nicht-thermischer Plasmen bei einem Druck von 10 mbar _abs. Polysilan bei kontinuierlicher Betriebsweise erhalten werden. Wird der Druck leicht weiter erhöht, kann die Ausbeute weiter gesteigert werden.

Gemäß einer besonders bevorzugten Verfahrensführung wird der Strom von Edukten im Verfahrensschritt ii) zwei bis zehn Gasentladungen ausgesetzt. Generell kann es bevorzugt sein, wenn der Strom von Edukten mehrere Gasentladungsanordnungen nicht-thermischer Plasmen durchströmt, insbesondere 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 oder 10 nicht-thermische Plasmen, bevorzugt sind 2 bis 4 Plasmen. Je nach angestrebter Molekulargewichtsverteilung der Polysilane wird der Strom von Edukten mit einer größeren Anzahl oder geringeren Anzahl nicht- thermischer Plasmen in Kontakt gebracht. Zur Herstellung von Polysilanen mit hohem

Molekulargewicht wird der Strom von Edukten mit mehreren in Reihe geschalteten nichtthermischen Plasmen in Kontakt gebracht.

Zur optimalen Durchführung des Verfahrens wird der Strom von Edukten bevorzugt in Schritt ii) bei einem Druck von 5 mbar _abs. bis 100 bar _abs. , besonders bevorzugt von 7,5 mbar _abs. bis 100 mbar _abs. , weiter bevorzugt von 10 mbar _abs. bis 80 mbar _abs. nicht-thermischen Plasmen in einem Temperaturbereich von -60 °C bis 10 °C ausgesetzt, vorzugsweise von -40 bis 0 °C, weiter bevorzugt um -10 °C plus/minus 5 °C. Ebenso ist es bevorzugt, wenn im Verfahrensschritt ii) die Gasentladung bei

einem Druck zwischen 0,1 mbar _abs. bis 1000 mbar _abs. erfolgt,

bevorzugt von 0,1 bis 800 mbar _abs. ,

besonders bevorzugt von 1 mbar _abs. bis 100 mbar _abs.

Weiter bevorzugt ist ein

Druckbereich von 10 bis 100 mbar _abs. ,

vorzugsweise von 10 bis 80 mbar _abs.

Dabei ist es weiter bevorzugt, wenn die Gasentladungen, insbesondere die nicht-thermischen Plasmen, im Schritt ii) in einem Temperaturbereich von -60 °C bis 10 °C betrieben werden. Zur Herstellung der Polysilane werden die Reaktionsbedingungen der nicht-thermischen

Plasmen selektiv auf die Anregung und Spaltung der Si-H-Bindung oder von Si-Si-Bindungen eingestellt. Innerhalb der bevorzugten Druck- und Temperaturbereiche kann das

nichtthermische Plasma selektiv die Si-H-Bindung und/oder die Si-Si-Bindungen so weit anregen, dass es selektiv zur Radikalbildung und anschließend zur Rekombination mit anderen Radikalen kommt. Unter den gewählten Verfahrensbedingungen werden bevorzugt Silylradikale (SiH ₃ -Radikale), SiH ₂ -Radikale und entsprechende Radikale der gebildeten Polysilane gebildet. Durch Rekombination und Kettenwachstum der vorgenannten Radikale können verzweigte Polysilane erhalten werden.

Es wird vermutet, dass es bei einer mittleren Elektronenenergie von 5 eV im schwach ionisierenden nicht-thermischen Plasma zur selektiven Bildung von Silylradikalen durch Anregung und Spaltung der Si-H-Bindung kommt. Für einen weiteren Kettenaufbau findet vermutlich eine Insertion von SiH ₂ -Radialen in Si-H oder Si-Si-Bindungen von Disilanen, Trisilan, Tetrasilan, und höheren Silanen statt. Ist der Energieeintrag zu hoch, beispielsweise im Bereich von 12,3 eV, dann würden statt einer selektiven Radikalbildung unerwünschte

SiH ₃ ⁺ -lonen gebildet werden. Diese würden zerfallen und zur Abscheidung von Silizium führen. Für eine hohe Polysilanausbeute ist es daher entscheidend, die Prozessbedingungen der nichtthermischen Plasmen optimal auf die selektive Radikalbildung und die Möglichkeiten zur Rekombination zu Polysilanen einzustellen und zugleich die Bildung weiterer Zerfallsprodukte zu unterbinden. Dies gelingt bei optimal aufeinander abgestimmtem Druck und Energieeintrag.

Das dabei gebildete Polysilangemisch kann anschließend über eine geeignete Temperatur- und Druckeinstellung, insbesondere nach Schritt III) auskondensiert werden, indem der Druck mittels eines Verdichters auf einen Druck von 0,1 bar _abs. bis 100 bar _abs. , insbesondere von 1 bar _abs. bis 100 bar _abs. , vorzugsweise von 1 bis 10 bar _abs. , und in einem Temperaturbereich von - 60 °C bis 20 °C eingestellt wird. Zur vollständigen Abtrennung wird bevorzugt eine zweistufige Verfahrensweise angewendet, in der in einem ersten Teilschritt am Kondensator eine

Temperatur im Bereich von -20 bis 300 °C bei einem Druck zwischen 0,1 bis 10 bar _abs.

eingestellt wird und nachfolgend im Rohproduktbehälter oder Rohproduktablass bei vorzugsweise gleichem Druck von - 20 bis 40 °C die vollständige Abtrennung durch

Kondensation der Polysilane aus der resultierenden Phase erfolgt.

Diese resultierende Phase wird vorzugsweise mit einer für Wasserstoff permeablen Membran in Kontakt gebracht, wobei sich ein definiertes Verhältnis des Wasserstoffpartialdrucks zum

Partialdruck der unter den gewählten Bedingungen gasförmigen Silane, insbesondere des nicht umgesetzten Monosilans, einstellen kann. Die auf diese Weise behandelte resultierende Phase wird nach der teilweisen Abtrennung von Wasserstoff erneut dem Strom von Edukten, welchem weiteres Monosilan zudosiert werden kann, zum nichtthermischen Plasma geführt. Nach dem erfindungsgemässen Verfahren werden lineare, verzweigte und/oder cyclische Polysilane umfassend Tetrasilan, Pentasilan und/oder Hexasilan erhalten, die vorzugsweise bereits hoch- oder höchstrein entsprechend nachstehender Definition als Polysilangemisch erhalten werden können. Mittels Destillation können die Polysilane auf einfache Weise in die einzelnen Polysilane getrennt werden.

Die vorstehend genannte Verfahrensweise erlaubt die einfache Rückführung von nicht umgesetztem Edukt der allgemeinen Formel I, das nach Bedarf erneut dem nicht-thermischen Plasma zugeführt werden kann. Zur vollständigen Umsetzung des eingesetzten Monosilans zu Polysilanen werden vorzugsweise zwei bis fünf nicht-thermische Plasmen im Schritt ii) durchlaufen, wobei das Verfahren zusätzlich als Kreisprozess betrieben werden kann, indem die Verfahrensschritte i), ii) und iii) durchlaufen werden. Das mittels der Umsetzung im nichtthermischen Plasma erhaltene Polysilan kann bereits über die Verfahrensschritte i, ii) und iii) rein erhalten werden. Eine Auftrennung und ggf. zusätzliche weitere Aufreinigung der Silane kann anschließend kontinuierlich oder diskontinuierlich destillativ erfolgen. Die destillative Aufarbeitung kann je nach erhaltenem Produktgemisch mit einer Kolonne oder bevorzugt in einem Mehrkolonnensystem erfolgen, wenn verschiedene Polysilane aufgetrennt werden sollen.

Das erfindungsgemäße Verfahren liefert Pentasilan, das in höchster Reinheit von den übrigen Polysilanen isoliert werden kann. In einem ²⁹ Si-NMR-Spektrum sind neben dem Signal des Pentasilans keine weiteren Produkte nachweisbar. Die Verunreinigung des Polysilans, insbesondere des Pentasilans, mit anderen Metallverbindungen liegt im Bereich von

1000 Gew.-ppb bis 100 Gew.-ppt, bevorzugt weniger. Ein besonderer Vorteil der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Polysilane ist, dass sie frei von Chloriden und/oder sonst üblicherweise verwendeten Katalysatorrückständen sind.

Besonders bevorzugt ist das erhaltene Polysilan sowie die jeweils isolierten einzelnen

Polysilane höchstrein und weist in Summe jeweils eine Gesamtverunreinigung von kleiner gleich 100 Gew.-ppm bis zur Nachweisgrenze, insbesondere bis 1 Gew.-ppt auf, bevorzugt ist die Gesamtverunreinigung kleiner gleich 50 Gew.-ppm. Als Gesamtverunreinigung gilt eine

Verunreinigung mit Bor, Phosphor und metallischen Elementen, die nicht Silizium entsprechen. Besonders bevorzugt ist die Gesamtverunreinigung des Polysilans für die nachfolgend genannten Elemente kleiner gleich:

aa. Aluminium von 15 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder bb. Bor von 5 bis 0,0001 Gew.-ppt,

bevorzugt im Bereich von 3 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

cc. Calcium kleiner 2 Gew.-ppm,

bevorzugt von 2 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

dd. Eisen von 5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

vorzugsweise von 0,6 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

ee. Nickel von 5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

vorzugsweise von 0,5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

ff. Phosphor von 5 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

bevorzugt von 3 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

gg. Titan kleiner gleich 10 Gew.-ppm,

kleiner gleich 2 Gew.-ppm,

bevorzugt von 1 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

weiter bevorzugt von 0,6 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, besonders bevorzugt von 0,1

Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt, und/oder

hh. Zink kleiner gleich 3 Gew.-ppm,

bevorzugt von 1 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

weiter bevorzugt von 0,3 Gew.-ppm bis 0,0001 Gew.-ppt,

ii. Kohlenstoff, und/oder

jj. Halogene,

wobei für jedes Element aa bis jj eine Reinheit im Bereich der Nachweisgrenze bei den dem Fachmann bekannten Messverfahren bevorzugt wird. Die Bestimmung der

Gesamtverunreinigung mit den vorgenannten Elementen erfolgt vorzugsweise mittels ICP-MS. Insgesamt kann der Prozess kontinuierlich mittels online-Analytik überwacht werden. Die geforderte Reinheit kann mittels GC, IR, NMR, ICP-MS oder durch Widerstandsmessung bzw. GC-MS nach Abscheidung des Si überprüft werden.

Zusätzlich oder alternativ zu einem der vorgenannten Merkmale ist es bevorzugt, im

Verfahrensschritt iii) die resultierende Phase auf einen Druck von 0,05 bar _abs. bis 100 bar _abs. einzustellen, beispielsweise auf 0,1 bis 100 bar _abs. , vorzugsweise auf einen Druck von 1 bar _abs. bis 100 bar _abs. , weiter bevorzugt auf einen Druck von 0,5 bar _abs. , besonders bevorzugt auf 1 bar _abs. bis 60 bar _abs. . Besonders bevorzugt ist ein Druck von 1 bis 10 bar _abs. . Als Wasserstoff permeable Membran kann vorzugsweise eine Membran im Verfahren und/oder in der Anlage eingesetzt werden, die die folgenden Materialien umfasst: Quarz, geeignetes Metall, geeignete metallische Legierung, Keramik, Zeolith, organisches Polymer und/oder eine Kompositmembran umfassend einen mindestens zweischichtigen Aufbau mit einem oder mehreren der vorgennannten Materialien. Um als Material für die Wasserstoff permeable

Membran geeignet zu sein, ist es notwendig, dass das Material, z. B. Quarz oder Palladium, mit oder ohne Silber, Poren einer definierten Größe aufweist, durch die Wasserstoff diffundieren kann, und die im Wesentlichen undurchlässig für Monosilan sind. Eine bevorzugt einsetzbare Membran kann beispielsweise eine Keramikmembran mit einem Schichtaufbau umfassen, die eine erste mikroporöse Schicht mit Poren kleiner 2 nm aufweist, an die sich eine mesoporöse Schicht mit Poren von 3 bis 10 nm anschließt. Vorzugsweise kann eine makroporöse Schicht mit großen Poren bis 100 nm vorgesehen sein. Dabei ist es bevorzugt, dass die makroporöse Schicht ein poröses keramisches Material oder ein gesintertes Metall ist. Geeignete Membranen können bevorzugt die folgenden Materialien umfassen: Palladium, eine Palladiumlegierung, wie PdAI, PdCu, Quarz und/oder ein organisches synthetisches Polymer, wie vorzugsweise Hohlfasermembranen, wobei die Membranen bevorzugt für Wasserstoff permeabel sind. Bevorzugte Hohlfasermembranen können aus Polyamiden, Polyimiden, Polyamid-imiden oder auch aus Mischungen dieser hergestellt sein. Sofern eine

Palladiummembran gewählt wird, kann sie beispielsweise durch chemische

Gasphasenabscheidung, elektrochemischer Abscheidung, Hochgeschwindigkeitsflammspritzen oder physikalischer Gasphasenabscheidung, dem sogenannten Elektronenstrahlverdampfen oder dem sogenannten Sputtern hergestellt werden. Aufgrund der hohen Reinheitsanforderungen in Bezug auf eine Verunreinigung mit metallischen Elementen wird eine höchstreine Quarzmenbram im Verfahren und/oder in der Anlage bevorzugt genutzt. Diese Membran sollte eine Druckstabilität größer 1 bar _abs. , vorzugsweise größer 2 bar _abs. , besonders bevorzugt größer 3 bar _abs. aufweisen und kann vorzugsweise auf einem porösen Si-Träger oder Aluminiumoxid-Träger aufgebracht sein. Entsprechendes gilt für Palladium basierte Membranen, die aus einer Palladium-Aluminium-, Palladium-Silber-, oder Palladium-Kupfer-Legierung hergestellt sein können, und vorzugsweise eine Druckstabilität größer 3 bar _abs. auf einem porösem Si-Träger, einem sogenanten Lochmaskenträger oder Aluminiumoxid-Träger aufweisen. Jedes nichtthermische Plasma basiert auf anisothermem Plasma. Es wird in einem Plasma- Reaktor erzeugt, in dem eine plasmaelektrische Stoffumwandlung induziert wird. Für diese Plasmen ist eine hohe Elektronentemperatur T _e > 10 ⁴ K und relativ niedrige Gastemperatur T _G ~ 10 ³ K charakteristisch. Die für die chemischen Prozesse notwendige Aktivierungsenergie erfolgt überwiegend über Elektronenstöße. Typische nichtthermische Plasmen können beispielsweise durch Glimmentladung, HF-Entladung, Hohlkathodenentladung oder Koronarentladung erzeugt werden. Der Arbeitsdruck, bei dem die erfindungsgemäße Plasmabehandlung durchgeführt wird, liegt vorzugsweise im Bereich von 1 bis 1000 mbar _abs. , wobei die zu behandelnde Phase vorzugsweise auf eine Temperatur von -40 °C bis 10 °C, eingestellt ist. Für die Definition des nichtthermischen Plasmas und der homogenen Plasmakatalyse wird auf die einschlägige

Fachliteratur verwiesen, wie beispielsweise auf "Plasmatechnik: Grundlagen und Anwendungen - Eine Einführung"; Autorenkollektiv, Carl Hanser Verlag, München/Wien; 1984,

ISBN 3-446-13627-4. Gleichfalls Gegenstand der Erfindung ist eine Anlage, insbesondere zur Durchführung des vorgenannten Verfahrens, die eine Vorrichtung umfassend mindestens zwei Reaktoren, insbesondere zwei in Reihe geschaltete Reaktoren, zur Erzeugung von Gasentladungen aufweist, der stromaufwärts eine Eduktzuführung und stromabwärts eine Wassersstoff durchlässige Membran zugeordnet ist, um ein definiertes Verhältnis des

Wasserstoffpartialdrucks zum Partialdruck der gasförmigen Silane in der resultierenden Phase einzustellen, ferner weist die Anlage mindestens eine weitere Vorrichtung zur Auftrennnung der Polysilane auf, wobei die weitere Vorrichtung bevorzugt eine Kolonne zur destillativen

Aufarbeitung der Polysilane ist. Vorzugsweise weist die Anlage ein Mehrkolonnensystem mit mindestens 2 Kolonnen, bevorzugt mit 2 bis 5 Kolonnen auf.

Zusätzlich zu den zwei Reaktoren kann die Anlage auch einen oder mehrere weitere Reaktoren aufweisen, die in Reihe und/oder parallel geschaltet werden. Bevorzugt können 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 oder 10 Reaktoren in Reihe geschaltet werden. Erfindungsgemäss sind die Reaktoren vorzugsweise Ozonisatoren. Ein grosser Vorteil besteht in der alternativ möglichen Verwendung von handelsüblichen Ozonisatoren, so dass die Investitionskosten wesentlich gesenkt werden. Die Reaktoren der Erfindung sind zweckmässig mit Glasrohren, insbesondere mit

Quarzglasrohren ausgestattet, wobei die Rohre bevorzugt parallel bzw. koaxial angeordnet und mittels Spacern aus inertem Material beabstandet sind. Als inertes Material eignet sich insbesondere Teflon, Glas sowie generell Low-K-Materialien, die eine geringe Dielektrizitätskonstante aufweisen. Als Materialien mit einer geringen Dielektrizitätskonstante gelten jene, deren Dielektrizitätskonstanten kleiner gleich 9 sind. Alternativ können die

Reaktoren statt mit Glasrohen auch mit röhrenförmigen, dielektrischen Komponenten ausgestattet sein. Es ist bekannt, dass die eingekoppelte Elektronenenergie für die

Plasmaentladung "E" abhängig vom Produkt aus Druck "p" und Elektrodenabstand "d" (p-d) ist. Für das erfindungsgemässe Verfahren liegt das Produkt aus Elektrodenabstand und Druck in der Regel im Bereich von 0,001 bis 300 mm-bar, vorzugsweise von 0,05 bis 100 mm-bar, besonders bevorzugt von 0,08 bis 0,3 mm-bar, insbesondere bei 0,1 bis 0,2 mm-bar. Die Entladung kann mittels verschiedenartiger Wechselspannungen oder gepulster Spannungen von 1 bis 10 ⁶ V angeregt werden. Dabei kann der Kurvenverlauf der Spannung u. a. rechteckig, trapezförmig, gepulst oder stückweise aus einzelnen zeitlichen Verläufen zusammengesetzt sein. Besonders geeignet sind pulsförmige Anregungsspannungen, sie ermöglichen eine gleichzeitige Ausbildung der Entladung im gesamten Entladungsraum des Reaktors. Die Impulsdauer beim Pulsbetrieb richtet sich nach der Zusammensetzung, der Verweildauer und dem Druck des Strom von Edukten. Sie liegt bevorzugt zwischen 10 ns und 1 ms. Bevorzugte Spannungsamplituden liegen bei 10 Vp bis 100 kVp, bevorzugt 100 Vp bis 10 Vp, insbesondere bei 50 bis 5 Vp, in einem Mikrosystem. Die Frequenz der Wechselspannung kann zwischen 10 MHz und 10 ns-lmpulsen (Tastverhältnis 10 : 1 ) bis zu niedrigen Frequenzen im Bereich von 10 bis 0,01 Hz eingestellt werden. Beispielsweise kann am Reaktor eine Wechselspannung mit einer Frequenz von 1 ,9 kHz und einer Amplitude von 35 kV "Peak to Peak" angelegt werden. Der Leistungseintrag beträgt ungefähr 40 W.

Ebenfalls Gegenstand der Erfindung ist eine bevorzugte Anlage 0, wie in Figur 1 dargestellt, der stromabwärts der Vorrichtung 1 mit mindestens zwei Reaktoren 1 a ein Verdichter 2 zur Erhöhung des Drucks der resultierenden Phase zugeordnet ist, insbesondere ist der Verdichter 2 zwischen der Vorrichtung 1 und der Membran 5 vorgesehen. Der Verdichter erhöht den Druck der resultierenden Phase nach Austritt aus dem Reaktor, beispielsweise von etwa 60 mbar _abs. auf 2,5 bar _abs. .Die verdichtete resultierende Phase wird anschließend über einen stromabwärts angeordneten Kondensator 3 geleitet, um das gebildete Polysilan zu kondensieren, während nicht umgesetztes Monosilan und ggf. Disilan oder weitere unter den Bedingungen gasförmige Silane und Wasserstoff in der Gasphase verbleiben.

Somit umfasst eine besonders bevorzugte Anlage 0 gemäß Figur 1 stromabwärts der

Vorrichtung 1 mit mindestens zwei Reaktoren 1 a einen Verdichter 2, dem ein Kondensator 3 zugeordnet ist und dem Kondensator 3 ist stromabwärts ein Rohproduktablass 4 oder

Rohproduktbehälter 4 zugeordnet. Weiter ist stromabwärts des Kondensators 3, insbesondere an oder hinter dem Produktbehälter 4 die Membran 5 zur Einstellung des

Wasserstoffpartialdrucks der resultierenden Phase vorgesehen. Die resultierende Phase wird mit der Membran 5 in Kontakt gebracht und anschließend ein Strom von Edukten erhalten, der mittels einer Leitung 1 1 , die stromaufwärts der Vorrichtung 1 zugeordnet ist, in die Vorrichtung überführt. Diesem Strom von Edukten kann weiteres Monosilan aus der Monosilanquelle 9 zudosiert werden, um entweder den Gehalt an Monosilan in Vol.-% einzustellen oder auch den Druck des Strom von Eduktens zu regulieren. Eine Vakuumpumpe 6, die dem Reaktor zugeordnet ist, kann zum Anfahren des Verfahrens und zur Regulierung des Druckes während der laufenden Umsetzung genutzt werden.

In einer bevorzugten Ausführungsform, die in Figur 2 dargestellt ist, schliesst sich an den Rohproduktbehälter bzw. den Rohproduktablass eine Vorrichtung 17 zur Auftrennung der Polysilane, vorzugsweise eine Kolonne 17 oder ein Mehrkolonnensytem 17 an, besonders bevorzugt eine Rektifikationskolonne, zur fraktionierten Destillation des Rohproduktgemisches. Zur vollständigen Auftrennung der Poylsilane wird vorzugsweise ein Mehrkolonnensystem genutzt. Sofern sinnvoll, kann der Kolonne oder dem Mehrkolonnensystem eine

Produktförderpumpe vorgeschaltet sein. Am Kolonnenkopf können als Leichtsieder

vorzugsweise höchstreines Tetrasilan, Pentasilan und/oder Hexasilan und am Sumpf höchstreine höhermolekulare Polysilane, wie Heptasilan, Ocatsilan als Schwersieder erhalten werden. Zur weiteren Auftrennung der Silane kann ein dem Fachmann geläufiges

Mehrkolonnensystem eingesetzt werden. Eine besonders bevorzugte Anlage 0 weist eine Anordnung der vorgenannten Anlagenteile auf, um die Durchführung eines Kreisprozesses des vorstehend genannten Verfahrens zu ermöglichen. In dieser Anlage 0 ist der Vorrichtung 1 , umfassend mindestens zwei Reaktoren 1 a, stromabwärts ein Verdichter 2 zugeordnet, wie in Figur 1 dargestellt. Die Vorrichtung ist vorzugsweise vertikal über dem Kondensator angeordnet. Dem Verdichter 2 ist ein Kondensator 3 zugeordnet und stromabwärts des Kondensators 3 weist die Anlage die Wasserstoff durchlässige Membran 5 auf, wobei der einen Seite der Membran 5 und dem Reaktor 1 eine Leitung 12 zugeordnet ist, ferner ist stromabwärts des Kondensators 3 ein Produktablass 4 oder Produktbehälter 4 vorgesehen; und an einer anderen Seite der Membran 5 wird ausgeschleuster Wasserstoff durch eine weitere Leitung 15 abgeführt, dem eine Intergasleitung zur Wasserstoffabtrennung zugeordnet sein kann.

Das folgende Beispiel erläutert das erfindungsgemäße Verfahren näher.

Beispiel 1 :

Monosilan wurde kontinuierlich aus einer Druckgasflasche 9 mittels einer Druckregelung über die Eduktzuführung 12 in die vertikale Vorrichtung 1 mit in Reihe geschalteten Ozonisatoren 1 a verdampft und über die Gasentladungstrecken mit Dielektrikum der Ozonisatoren geführt. Die nichtthermischen Plasmen in den Ozonisatoren wurden bei minus 10 °C und bei 60 mbar _abs. betrieben. Der Strom von Edukten bestand zu 10 Vol.-% aus Monosilan und zu 90 Vol.-% aus Wasserstoff. Während der Plasmabehandlung erfolgte die Bildung von Silylradikalen und höheren Radikalen, die unter Bildung von Poylsilanen abreagierten und zusammen mit nicht umgesetzten Edukten die resultierende Phase bildeten. Die unter den Verfahrensbedingungen flüssigen Polysilane liefen nach unten ab. Nach Erhöhen des Drucks der resultierenden Phase auf etwa 2,5 bar _abs. wurde sie über einen auf circa 0 °C gekühlten Kondensator 3 geleitet, um gebildete Polysilane vollständig zu kondensieren, die in den auf -40 °C temperierten

Rohproduktbehälter 4 abliefen. Die verbliebene gasförmige resultierende Phase wurde über eine Leitung 10 an einer Seite der Membran 5 vorbeigeführt. Wasserstoff der resultierenden Phase diffundierte teilweise durch die Membran 5 und konnte über die Leitung 15 abgeführt werden. An der Membran wurde in der resultierenden Phase ein definiertes Verhältnis des Wasserstoffpartialdrucks zum Partialdruck des unter den gewählten Bedingungen gasförmigen Monosilans eingestellt. Durch diese Massnahme wurde aus der resultierenden Phase ein Strom von Edukten der erneut den Gasentladungsstrecken mit Dielektrikum der Ozonisatoren nach Zudosierung weiteren Monosilans zugeführt.

Im Rohproduktbehälter wurden Polysilane als Gemisch mit erhöhten Anteilen an Tetrasilan und Pentasilan angereichert, die von der Produktpumpe 16 zur Destillationskolonne 17 gepumpt wurden, um dort fraktioniert destilliert zu werden.

Durch kontinuierliche, fraktionierte Destillation wurden höchstreines Tetrasilan als Leichtsieder am Kopf der Kolonne 17 und Pentasilan im Gemisch mit höhermolekularen Polysilanen als Schwersieder am Sumpf der Kolonne abgezogen. Das Pentasilan wurde an einer zweiten Kolonne höchstrein am Kopf der Kolonne erhalten. Die generelle Verfahrensführung des Beispiels 1 ist nicht beschränkt auf die konkret genannten Verfahrensparameter, sondern kann entsprechend der Beschreibung verallgemeinert werden. Die Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Anlage 0 zur Durchführung eines Kreisprozesses. Figur 2 zeigt eine schematische Darstellung einer Anlage 0 mit Vorrichtung 17 zur Auftrennung der Polysilane, hier eine Destillationskolonne 17.

Bezugszeichenliste:

0 Anlage

1 Vorrichtung umfassend mindestens zwei Reaktoren

1 a Reaktor(en), Ozonisator(en)

2 Verdichter

3 Kondensator

4 Rohproduktablass oder Rohproduktbehälter

5 Membran

6 Vakuumpumpe

7 Umrichter für Plasmaerzeugung

8 Wasserstoffquelle - Anfahren des Verfahrens

9 Monosilanquelle

10 Leitung/resultierende Phase

1 1 Leitung/Eduktzuführung

12 Leitung/Eduktzuführung

13 Leitung/Monosilan

14 Leitung/resultierende Phase

15 Leitung/Wasserstoff

16 Produktförderpumpe

17 Vorrichtung zur Auftrennung von Polysilanen (Kolonne - fraktionierte Destillation)

18 Leitung - Inertgas zur Wasserstoffabtrennung