Glas und Metall oder Halbleitermaterialien

BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Veränderung der Durchbiegungvon anorganisch gebondeten flächigen Verbundkörpern aus Glas und Metall oder Halbleiterma¬ terialien.

Mit anodischemBondenbezeichnet man eineVerbindungs¬ technik zwischen Metallen oder Halbleitermaterialien und Glas, die sich durch eine Prozeßtemperatur unter¬ halb der Transformationstemperatur des Glases und durchAnwendungeines elektrischen Feldes auszeichnet. Diese Technik ist z. B. in den beiden US-Patenten Nr.3

Diese Technik ist z. B. in den beiden US-Patenten Nr. 3397 278 und 3 417 459 beschrieben. Bei dem anodischen Bonden wird eine polierte Glasplatte in engen Kontakt mit einer po¬ lierten Metall- oder Halbleiterplatte gebracht. Durch Anle¬ gen einer Gleichspannung zwischen den Verbundpartnern in der Art, daß das Glas Kathoden- und der Halbleiter/Metall Anodenpotential erhält, kommt es bei erhöhter Temperatur zu einer Wanderung der Alkaliionen des Glases in Richtung auf die Kathode. Die dadurch an der Grenzfläche zumVerbundpart¬ ner entstehenden fest im Glasnetzwerk gebundenen, negativ geladenen Sauerstoffionen, bewirken eine starke elektro¬ statische Anziehung zwischen Glas und Halbleiter/Metall. Diese Anziehung bewirkt eine Annäherung der Verbundpartner bis in den atomaren Bereich. Zur chemischen, irreversiblen Verbindung zwischen Glas und Metall oder Halbleitermaterial kommt es durch Ausbildung von Sauerstoffbrücken zwischen den Bondpartnern.

In EP 0139334 A2 ist ein dreischichtiger Verbund beschrie¬ ben, bestehend aus einer GaAs-Schicht, einem Stützglas (verre de soutien) und einem Pufferglas (verre de tampon) , das zwischen der Halbleiterschicht und dem Stützglas ange¬ ordnet ist . Dieses Pufferglas hat eine Erweichungstempera¬ tur unterhalb der Erweichungstempeatur des Stützglases und erweicht bzw. entspannt bei der Desorptionstemperatur. Wäh¬ rend der Desorption wird der gesamte Verbund entspannt, da Stützglas und Halbleiterschicht auf der weichen Pufferglas¬ schicht "schwimmen" und sich frei ausdehnen bzw. kontrak¬ tieren können. Bei der späteren Abkühlung treten natürlich wieder Spannungen entsprechend den Differenzen in den Aus¬ dehnungskoeffizienten auf, die gemäß der in dieser Druck¬ schrift gegebenen Lehre durch ein drittes Glas kompensiert werden sollen.

Typische Bondspannungen liegen im Bereich von 50 V ... 1000 V. Die mögliche Bondtemperatur ist nach unten durch die AI-

kalibeweglichkeit (bei Borosilicatglas ca.250°) und nach oben durch den Transformationspunkt des Glases (für Borosi- likatglas ca. 520°) begrenzt. Ein anodisches Bonden ober¬ halb des Transformationspunktes ist möglich, kann aber zu einer plastischen Verformung des Glases führen. Das Glas sollte eine Mindestmenge Alkaliionen enthalten. Bei den ty¬ pischerweise verwendeten Gläsern liegt deren Anteil im Be¬ reich von (1...5) Atom-% (Schott 8330 » 3%, Hoya SD2 « 2%) . Sehr häufig zum anodischen Bonden verwendete Gläser sind z. Z. Schott 8330 und Corning 7740.

Zweck des Bondens ist es im allgemeinen, eine Unterlage und/oder Abdeckung aus Glas für dünne Metall- oder Halblei¬ terschichten zu erhalten bzw. ein Bauteil zusammenzufügen. Bekannte Anwendungen des Bondens sind die Stabilisierung und Kapselungvon Sensoren aus mikrostrukturiertem Silizi¬ um, insbesondere von Druck- und Beschleunigungssensoren, die Abdeckung von fluidischen Strukturen (Kanäle, Ventile u.a.) aus mikrostrukturiertem Silizium oder die Erzeugung von mikromechanischen Aktore-n, z. B. auf Grundlage piezoe¬ lektrisch ausgelenkter Glasmembranen über in Silizium strukturierten Pumpenkammern.

Nach dem Bonden werden die erhaltenen Verbundkörper auf Raumtemperatur abgekühlt, was je nach der Dicke der Ver¬ bundkörper einige Minuten dauert.

Beim Abkühlen nach dem anodischen Bonden kommt es unter an¬ derem durch nicht optimal angepaßte Ausdehnungskoeffizien¬ ten von Metall- bzw. Halbleiterwerkstoff und beteiligtem Glas und durch inhomogene Temperaturen im Bondaufbau zu un¬ erwünschten Spannungen zwischen den miteinander verbünde¬ ten Materialien, die zu unerwünschten Verbiegungen der Bau¬ teile führen. Durch homogenere Temperaturverteilung beim Bonden oder durch Benutzung eines Glases mit besser ange-

paßtemAusdehnungskoeffizienten , ist es zwar mitunter mög¬ lich, diese Spannungen zu vermindern, das ist allerdings häufig mit demNachteil verbunden, daß der variierte Glastyp veränderte und damit möglicherweise nicht mehr optimale Bondeigenschaften besitzt.

Nach dem Stand der Technik ist kein Verfahren bekannt, wel¬ ches es gestattet, die nach demAbkühlen von Bondproben vor¬ handenen mechanischen Spannungen aus dem Bauteil zu entfer¬ nen und dadurch die daraus resultierenden Verbiegungen zu eliminieren.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Veränderung der Durchbiegung von anodisch gebondeten flä¬ chigen Verbundkörpern zu finden, mit dem sich die Durchbie¬ gung dieser Verbundkörper nachträglich verändern läßt bzw. mit dem sich eine bei der Herstellung dieser Körper aufge¬ tretene Durchbiegung rückgängig machen läßt und das sich zur Erzeugung planarer oder definiert gebogener anodisch gebon- deter flächiger Verbundkörper benutzen läßt.

Diese Aufgabe wird durch das im Patentanspruch 1 definierte Verfahren gelöst . Vorteilhafte Ausgestaltungen dieses Ver¬ fahrens sind in abhängigen Patentansprüchen angegeben.

Wesentlich für einen Lösungsansatz ist die der Erfindung zu¬ grunde liegende Erkenntnis, daß eine Planisierung nur er¬ folgen kann, wenn der gebondete Verbundkörper auf die Glas¬ seite gesehen, konvex ist, was im allgemeinen dann der Fall ist, wenn der Ausdehnungskoeffizient des Glases kleiner als der des anderen Verbundpartners ist. Während jedoch die Aus¬ dehnungskurve von Gläsern von unter Raumtemperatur bis praktisch Tg nahezu linear verläuft, ist die Ausdehnungs¬ kurve von Si, dem am häufigsten verwandten Verbundpartner, keineswegs linear. Daraus ergibt sich, daß nicht nur der Ausdehnungskoeffizient des Glases, sondern auch die Bon-

ding-Temperatur einen sehr großen Einfluß auf die Richtung der Durchbiegung besitzt, je nachdem, an welchem Punkt der Ausdehnungskurve die Bonding-Temperatur liegt.

Im allgemeinen benutzt man zum Bonden mit Si Gläser, deren Ausdehnungskoeffizient bei Raumtemperatur dem des Si mög¬ lichst ähnlich ist. Solche Verbundkörper sind jedoch nach dem Bonden im allgemeinen mehr oder weniger konvex.

Das Verfahren gemäß der Erfindung beruht darauf, daß der an¬ odisch gebondete flächige Verbundkörper aus Glas und Halb¬ leitermaterial oder Metall einer zusätzlichen Temperatur¬ behandlung bei Temperaturen zwischen 250°C und Tg-10 K un¬ terworfen wird. Bevorzugt wird der Verbundkörper 0, 05 bis 20 Stunden auf Temperaturen zwischen 300°C und Tg-20 K, insbe¬ sondere 0,2 - 6 Stunden auf Temperaturen zwischen 350 und Tg- 40 K erwärmt. Unter Tg wird die Transformationstemperatur des als Verbundpartner eingesetzten Glases verstanden.

Die Stärke der miteinander zu verbündenden Glas- und Halb¬ leiter- bzw. Metallscheiben liegt im allgemeinen zwischen 0, 1 bis 4 mm für die als Unterlage bzw. als Abdeckung benutz¬ te Glasscheibe und 0, 2 bis 1, 0 mm für Halbleiter bzw. Metall, wobei als Halbleitermaterial am häufigsten Silizium einge¬ setzt wird.

Nach dem Bonden, beispielsweise von 0, 4 mm dicken Silizium- wafern mit 0,73 mm dicken Borosilicatglasscheiben (SCHOTT 8330, Tempax) beträgt die Durchbiegung bzw. die Abweichung von der Planität etwa lOOμm pro 7, 62 cm (3") . Der Verbundkör¬ per ist nach dem Bonden in Richtung auf die Glasseite hin verbogen, wie in Figur 1 dargestellt. Figur 1 zeigt in sche- matischer und

nicht maßstabsgetreuer Darstellung einen Schnitt senkrecht zur Räche des gebondeten Verbundkörpers. Der Verbundkörper besteht aus der Glasplatte 1 und der Halbleiter- bzw. Metallplatte 2. Durch die erfindungsgemäße Tempe¬ raturbehandlung wird eine Schrumpfung des Glases erreicht und es erfolgt eine Verbiegung zur entgegengesetzten Seite, da Metalle und Halbleiterma¬ terialien diese Schrumpfung nicht zeigen. Die Veränderung der Verbiegung erfolgt daher immer von der Glasseite in Richtung auf die Metall- bzw. Halbleiterseite. Die Verbiegung infolge der erfindungsgemäßen Temperatur¬ behandlung ist in den Figuren 2a bis 2c dargestellt. Figur 2a zeigt analog zu 1 Figur 1 einen Verbundkörper unmittelbar nach dem Bonden. Durch die Temperaturbehaπdlung erfolgt eine Verbiegung des Verbundkörpers in Pfeil¬ richtung. Die erreichbare Schrumpfung ist abhängig von der thermischen Vorbehandlung der Glasproben und beträgt z. B. für technische Borosilicat- gläser, die in großen Mengen zum Bonden eingesetzt werden und z. B. unter den Markeπnamen Duran, Pyrex oder Tempax im Handel erhältlich sind, maxi¬ mal bis zu 500 ppm. Je nach der Dauer der Temperaturbehandlung kann man diese Verbiegung so weit fortsetzen, bis die beim Bonden aufgetretene Ver¬ biegung gerade kompensiert ist, wie in Figur 2b dargestellt, oder, falls gewünscht, kann man die beim Bonden aufgetretene Verbiegung auch überkom¬ pensieren, so daß eine Durchbiegung zur entgegengesetzten Seite d. h. in Richtung auf die Siliziumschicht erzeugt werden kann (siehe Figur 2c). Je höher die Temperatur gewählt wird, desto kürzer sind die erforderlichen Behandlungszeiten. Eine Temperatur von Tg - 10 K sollte jedoch nicht über¬ schritten werden, da dann der Bereich beginnt, in dem das Glas sein mecha¬ nisches Verhalten grundlegend vom elastischem zu viskos fließendem Verhal¬ ten ändert.

Die Temperatur, unterhalb derer eine Veränderung der Durchbiegung nur noch in unverhältnismäßig großen und daher unwirtschaftlichen Zeiträumen statt¬ findet, ist von Glastyp zu Glastyp unterschiedlich, kann aber von einem Durchschnittsfachmaπn leicht bestimmt werden. So sollte z. B. eine Tempe¬ ratur von 300 ^C C für Borosilikatglas nicht unterschritten werden, da an¬ sonsten die Temperzeiten für den gewünschten Effekt unnötig verlängert werden.

Bevorzugt wird ein Temperaturbereich von 350 °C bis etwa Tg - 40 K, weil dieser Bereich je nach Anforderung des Benutzers von feiner Abstufung bis zu optimal erreichbarer Beeinflußbarkeit geht.

Die Behandlungszeit sollte zwischen 0,05 und 20 Stunden liegen. Über¬ schreitet man die obere Grenze, so werden durch die lange Verweilzeit hohe Kosten verursacht. Unterschreitet man 0,05 Stunden, so wird eine gleich¬ mäßige Erwärmung der Charge und damit eine gleichmäßige Verbiegung immer problematischer. Am günstigsten arbeitet man im allgemeinen bei Verweil¬ zeiten von 0,2 bis 6 Stunden, insbesondere 1 - 4 Stunden, weil hier gut eine gleichmäßige Erwärmung der Charge sichergestellt werden kann und die Kosten noch nicht zu hoch sind.

Bei Behandlungszeiten von 0,05 Stunden läßt sich z. Z. nur eine Reduzie¬ rung der Krümmung erreichen; zur Erzeugung ebener Proben sind in Abhängig¬ keit von den Bondbedingungen im allgemeinen Zeiten von wenigstens 10 Minu¬ ten erforderlich.

Werden bei einer ersten Behandlung Körper mit einer nicht ausreichenden Veränderung der Durchbiegung erhalten, so sind eine zweite oder weitere Behandlungen ggf. mit anderen Temperaturen und/oder anderen Zeiten pro¬ blemlos möglich, um die Körper weiter zu korrigieren.

Ebenso ist über eine on-line-Kontrolle der Verbiegung der Stücke während der Wärmebehandlung unter Berücksichtigung der weiteren Verbiegung bei der Abkühlung auf Raumtemperatur und entsprechendes Beenden des Tempervorgan¬ ges ein besonders genaues Dosieren der Verbiegung möglich. Die Ermittlung der bei der Abkühlung auf Raumtemperatur erfolgenden weiteren Verbiegung kann vom Fachmann anhand einiger Routineexperimente ermittelt oder bei be¬ kannten thermischen Ausdehnungskoeffizienten, E-Moduli und Querkontrak- tionszahlen der Bondpartner berechnet werden.

Der Prozeß ist auch reversibel. Wurde die Durchbiegung zu stark verändert, so kann man den Körper bis in den Tg-Bereich erwärmen, wodurch die erziel¬ te Veränderung der Durchbiegung rückgängig gemacht werden kann. Die im Endeffekt erhaltene Krümmung hat dann zumindest dasselbe Vorzeichen, wie nach dem anodischen Bonden; ihre Größe ist weitgehendst abhängig von den Abkühlbedingungen unterhalb Tg. Für eine technologische Nutzung ist der Umkehrprozeß aber nur selten interessant, da fertig prozessierte Wafer (speziell solche mit AI-Leitbahnen) nur auf max. 450 °C erwärmt werden können (siehe Beispiel 4). Das erfindungsgemäße Verfahren kann dann an dem Körper erneut zur Anwendung gelangen, um die gewünschte Durchbiegung zu erhalten.

Das Verfahren kann nicht nur ausgehend von einem abgekühlten Verbundkörper durchgeführt werden, sondern es ist auch möglich, das Verfahren unmittel¬ bar und ohne Zwischenkύhlung an den Bondvorgang anzuschließen.

Das bietet sich insbesondere dann an, wenn die Zeiten für die Temperatur¬ behandlung kurz gehalten werden können. In einem solchen Fall kann die Temperaturbehandlung noch in der Bondkammer oder in einer unmittelbar an¬ schließenden Temperaturbehandlungseinrichtung, z. B. einem kurzen Durch¬ laufofen vorgenommen werden. Kurze Zeiten für die Temperaturbehandlung sind im allgemeinen dann möglich, wenn auch das Bonden in einer kurzen Zeit vorgenommen wurde. Eine mögliche wissenschaftliche Erklärung für die¬ se Abhängigkeit der Länge der Temperaturbehandluπg von der Bondzeit ist folgende: Die Schrumpfung (Compaction) des Glases, die Grundlage für das vorliegende Verfahren ist, ist kein zeitlinearer Vorgang. Frisches Glas schrumpft (bei konstanter Temperatur) zunächst schnell, d.h. mit relativ hoher Geschwindigkeit, mit Fortschreiten der Schrumpfung aber immer lang¬ samer. Um eine bestimmte Schrumpfung zu erreichen, braucht man also immer länger, je stärker das Glas bereits zuvor geschrumpft wurde. Für das Bon¬ den muß das Glas auf Temperaturen erwärmt werden, in denen auch bereits eine Schrumpfung (Compaction) stattfindet. Je länger nun diese mit dem Bonden verbundene Erwärmung dauert, desto länger dauert auch die Schrump¬ fung. Das führt aber dazu, daß ein mehr oder weniger großer Teil des Be-

reiches, in dem das Glas schnell schrumpft, bereits beim Bonden verbraucht wird, so daß die erfindungsgemäße Temperaturbehandlung länger dauert. Je kürzer die Bondzeit ist, desto unverbrauchter (für das Schrumpfen) ist das Glas. Je unverbrauchter im Sinne des Schrumpfens das Glas ist, desto schneller läuft die Schrumpfung ab und desto kürzere Zeiten für die Tempe¬ raturbehandlung sind möglich. Sollten in Zukunft Bondzeiten zur Anwendung gelangen, die erheblich unter den derzeit technisch möglichen Zeiten von ca. 15 Minuten liegen, lassen sich auch noch kürzere Zeiten für die Tempe¬ raturbehandlung bis zur Erzeugung planarer Verbundkörper als 10 Minuten erreichen.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich anodisch gebondete flächi¬ ge Verbundkörper gezielt verbiegen. Dadurch ist es erstmals möglich, z. B. Verbundkörper aus Silizium und Borosilicatglas (Tempax ^R , Duraπ ^R , Pyrex ^R ), die aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten für Silizium und Glas nach dem anodischen Bonden verbogen sind, bis zur abso¬ luten Planlage wieder zurückbiegen, und falls gewünscht, sogar in die ent¬ gegengesetzte Richtung zu verbiegen.

Das Verfahren wird anhand der nachfolgenden Beispiele weiter erläutert:

Beispiel 1 :

Ein Verbund mit einem Durchmesser von 76,2 mm (3") aus einem Siliziumwafer mit einer Stärke von 0,4 mm und einer Glasscheibe aus Borosilikatglas Nr. 8330 der Fa. Schott Glaswerke mit einer Stärke von 0,73 mm wurde auf eine Temperatur von 500 °C erwärmt und mit einer Bondspannung von 400 V aπ- odisch gebondet. Der reine Bondvorgang dauerte 20 s. Anschließend wurde der Verbund in üblicher Weise mit einer Rate von 1 K/min. bis auf 400 °C abgekühlt und danach innerhalb von ca. 5 Minuten auf Raumtemperatur abge¬ schreckt. Nach diesem ersten Schritt betrug sein Krümmungsradius + 7,2 m (Durchbiegung + 100 μm). Das Vorzeichen ist hier und im folgenden so defi¬ niert, daß bei einem Plus die Glasseite konvex ist. Bei einer nachfolgen¬ den Temperung bei 300 °C über 4 h ergab sich keine signifikante Krύmmungs- änderung. Der Radius wurde danach mit + 7,05 m (+ 102 μm) bestimmt. Diese

geringe Zunahme der Durchbiegung liegt im Bereich der Meßgenauigkeit. Es ist erkennbar, daß für dieses Glas die Temperatur bei 300 °C eine Grenze darstellt, bei der bereits mit untragbar hohen Behandlungszeiten gerechnet werden muß.

Beispiel 2:

Ein Verbund derselben Werkstoffe und derselben Geometrie wie in Beispiel 1 wurde auf eine Temperatur von 460 °C erwärmt und bei einer Spannung von 500 V innerhalb einer Zeit von 100 s anodisch gebondet. Nach Beendigung des Bondvorganges wurde der Verbund mit einer Geschwindigkeit von 1 K/min. bis auf 400 °C abgekühlt und anschließend auf Raumtemperatur abgeschreckt. Der Krümmungsradius betrug nach diesem Bondschritt + 7,1 m (Durchbiegung + 101 μm).

Nach einer Temperung bei 400 °C über 4 h wuchs der Krümmungsradius auf + 9,1 m (Durchbiegung + 79 μm) an. Bei einer Prozeßtemperatur von 400 °C zeigt sich bereits ein deutliches Schrumpfen des Glases.

Beispiel 3:

Eine Werkstoffpaarung analog zu den Beispielen 1 und 2 wurde auf eine Tem¬ peratur von 420 ^C C erwärmt und mit 600 V gebondet. Der Bondvorgang dauerte 160 s. Anschließend erfolgte die Kühlung, wie in den Beispielen 1 und 2 mit einer Rate von 1 K/min. bis 400 °C und anschließendem Abschrecken auf Raumtemperatur. Der Verbund hatte nach diesem Prozeß einen Krümmungsradius von + 7,5 m (Durchbiegung + 95 μm). Ein anschließendes Tempern bei 450 ^C C über 4 h ergab einen Krümmungsradius von - 11 ,6 m (Durchbiegung - 62,1 μm). die Krümmung des Verbundes wurde nicht nur verringert, sondern es ge¬ lang eine negative Krümmung zu erzeugen. Der Verbund wurde "überkompen¬ siert". Es gelingt also mit dieser Technologie nicht nur plane, sondern auch negativ verbogene Glas-Silizium-Verbindungen herzustellen.

Beispiel 4:

Derselbe Verbund wie in Beispiel 3 wurde nach der Überkompensation auf 570 °C (= Tg + 50 K) erwärmt und dort eine Stunde gehalten. Nach dieser Zeit wurde er mit einer Geschwindigkeit von ca. 5 Minuten auf Raumtemperatur abgeschreckt. Sein Krümmungsradius betrug jetzt + 7,8 m (Durchbiegung + 93 μm). Die Erwärmung über Tg entspannte den Verbund und die Glasstruktur nahm ihre ursprünglichen Eigenschaften an. Das Abschrecken erzeugte unter¬ halb des Kühlbereiches wieder ein Glas, dessen Ausdehnungszustand dem im Ausgangszustand sehr ähnlich ist. Der erfindungsgemäße Entspannungsprozeß ist also beliebig wiederholbar.

Beispiel 5:

Eine Silizium- und eine Glasscheibe entsprechend den Beispielen 1 bis 4 wurden bei 570 °C (= Tg + 50 K) mit einer Bondspannung von 100 V anodisch gebondet. Der Bondvorgang dauerte ca. 10 min. Anschließend wurde der Ver¬ bund mit einer Rate von 2 K/min. bis auf eine Temperatur von 490 °C abge¬ kühlt. Nach dem folgenden schnellen Abkühlen auf Raumtemperatur betrug dessen Krümmungsradius + 52,1 m (Durchbiegung + 13,9 μm). Nach einer an¬ schließenden Temperung bei 450 °C über 2 h entstand ein Krümmungsradius von - 51 ,6 m (Durchbiegung - 14 μm).

Die Größe und Reproduzierbarkeit einer möglichen Veränderung der Durchbie¬ gung eines Glases hängt sehr stark von seiner thermischen Vergangenheit ab. Ist diese nicht oder nur ungenau bekannt, ist es, wie dargestellt, durch Bonden oberhalb Tg und anschließende definierte Kühlung möglich, ohne zusätzliche technologische Schritte gut definierte und reproduzier¬ bare Ausgangsbedingungen für das Verfahren zur Veränderung der Durchbie¬ gung zu erhalten.