Die vorliegende Erfindung betrifft ein Prozessmodul mit wenigstens einer von dem Pro zessmodul umschlossenen, einen eigenen Evakuierungsanschluss aufweisenden Pro zesskammer mit einem Prozesskammerinnenraum und wenigstens einer horizontal in dem Prozessmodul in wenigstens einer Substrattransportrichtung bewegbaren flächigen Trägervorrichtung; wobei die Trägervorrichtung wenigstens einen Substrataufnahmebe reich zur Aufnahme von wenigstens einem flächigen, in dem Prozesskammerinnenraum zu prozessierenden Substrat und einen seitlich an und/oder um den Substrataufnahme bereich vorgesehenen Außenrandbereich, auf dem keine Aufnahme von Substraten vor gesehen ist, aufweist; das Prozessmodul ein Transportsystem zum Hintransportieren der Trägervorrichtung zu der Prozesskammer und/oder zum Wegtransportieren der Träger vorrichtung von der Prozesskammer aufweist, wobei das Hin- und/oder Wegtransportie ren in einer Transportebene parallel zu einer horizontalen Ausdehnung der Prozess kammer vorgesehen ist; die wenigstens eine Prozesskammer durch die Trägervorrich tung und/oder durch eine beim Hin- und Wegtransportieren der Trägervorrichtung unter der Transportebene vorgesehene Temperierplatte, deren Position jeweils in wenigstens einer Schließrichtung quer zu der Substrattransportrichtung veränderbar ist, gegenüber dem Prozessmodul körperlich abschließbar ist, wobei dann die wenigstens eine Träger vorrichtung und/oder die Temperierplatte einen Boden der wenigstens einen Prozess kammer ausbildet; und die Prozesskammer eine Plasmakammer ist, welche in dem Pro zesskammerinnenraum eine als eine erste HF-Elektrode dienende Gasdusche aufweist, wobei die Gasdusche mit der Trägervorrichtung eine Parallelplattenanordnung ausbildet.

Die Erfindung betrifft ferner eine Anlage mit wenigstens einem solchen Prozessmodul.

Ein Prozessmodul dieser Gattung ist aus der Druckschrift DE 10 2012 100 927 A1 be kannt. Ein solches Prozessmodul ist nach dem Kammer-in-Kammer-Prinzip aufgebaut. Dabei bildet das Prozessmodul eine äußere Kammer, in welche die Prozesskammer eingebaut ist. Die Trägervorrichtung, die auch als Carrier oder Tray bezeichnet wird, transportiert nicht nur Substrate durch das Prozessmodul, sondern bildet auch einen Bo den und damit einen Verschluss der Prozesskammer aus. In dem Prozesskammerinnenraum finden Plasmaprozesse, wie beispielsweise plasma gestützte Schichtabscheidungen, statt. Die auf der Trägervorrichtung liegenden Substra te bedecken die Trägervorrichtung jedoch nicht vollständig. Bei Schichtabscheidungen werden daher sowohl der nicht mit Substraten belegte Außenrandbereich der Trägervor richtung als auch Stege der Trägervorrichtung zwischen den Substraten mit beschichtet. Je nach dem Verhältnis der mit Substraten belegten Oberfläche zur nicht genutzten Oberfläche der Trägervorrichtung kommt es bei jeder weiteren Beschichtung zu einer mehr oder weniger starken Anreicherung von Beschichtungsmaterial auf den nicht ge nutzten Bereichen der Trägervorrichtung.

Werden in den Beschichtungsprozessen Dotierstoffe eingesetzt, können der mitbe schichtete Außenrandbereich und die mitbeschichteten Stege der Trägervorrichtung zu sätzliche Quellen von Dotierstoff für Folgebeschichtungen sein und diese negativ beein flussen. Aus diesem Grund ist es notwendig, die Trägervorrichtung(en) bei dem bekann ten Prozessmodul entweder ständig nach Prozessende zu reinigen oder wiederholt für gleiche Schichtabscheidungen zu verwenden. Wird das Prozessmodul als Modul einer Durchlaufanlage oder als Endmodul einer Anlage eingesetzt, bei welchen die Trägervor richtung mit den darauf befindlichen Substraten nacheinander mehrere Beschichtungs prozesse durchlaufen soll, ist dies ungünstig.

Alternativ können auch die Substrate von einer mitbeschichteten Trägervorrichtung auf eine nächste, saubere Trägervorrichtung umgeladen werden. Auch diese Vorgehenswei se ist nachteilig, da hier die Trägervorrichtungen immer wieder aus den Prozesskam mern, wie beispielsweise PECVD-Reaktoren, in den Atmosphärenbereich gefahren wer den müssen, wo die Substratumladung vorgenommen wird. Dies ist mit hohen Anforde rungen an die Umlade-Automatisierung verbunden. Die sich hierbei ergebende ständige Unterbrechung zwischen Vakuum und Atmosphäre ist ebenfalls ungünstig.

Ist das Prozessmodul beispielsweise eine PECVD-Anlage mit mehreren Prozesskam mern, in welchen unterschiedlich dotierte und intrinsische Siliziumschichten zur Ausbil dung von Heterojunction-Solarzellen abgeschieden werden, kann eine insbesondere mit p-Dotierstoff belastete Trägervorrichtung nicht in anderen Prozesskammern genutzt wer den, in welchen n-dotierte oder intrinsische Siliziumschichten abgeschieden werden. Entsprechend sind bei bekannten modulartig aufgebauten PECVD-Anlagen Prozess stränge bestehend aus der jeweiligen Prozesskammer und einem dieser Prozesskam- mer zugeordneten Substratlademodul vorgesehen, wobei die Substratlademodule mit einer Umladeeinheit gekoppelt sind, in welcher die Substrate auf spezielle, dem jeweili gen Prozessstrang zugeordnete Trägervorrichtungen umgeladen und erst danach weiter transportiert werden. Da die Abscheidung von intrinsischen, n- und p-Siliziumschichten jeweils unterschiedlich lang ist, ist der mögliche Substratdurchsatz solcher PECVD- Anlagen direkt abhängig vom jeweils längsten Prozessschritt. Mit der limitierten Prozess zeit kann der Substratdurchsatz nur durch die Anzahl der Substrate pro Trägervorrich tung und damit der Größe der Trägervorrichtung erhöht werden. Dem stehen jedoch technische Grenzen des PECVD-Reaktors und hohe Hardware-Kosten entgegen.

In der Druckschrift US 2009/0000551 A1 ist eine PECVD-Kammer mit einer Substrat stützanordnung bekannt. Die Substratstützanordnung ist mittels eines Liftsystems aus schließlich vertikal bewegbar. Das zu prozessierende Substrat wird mittels einer Robo terschaufel in die bzw. aus der PECVD-Kammer gebracht. Hierfür heben Hubstäbe, die durch die Substratstützanordnung hindurchführen, das Substrat von einer Substratauf nahmefläche der Substratstützanordnung ab, sodass das Substrat besser mittels der Roboterschaufel aufgenommen werden kann. In der PECVD-Kammer ist ein Abschat tungsrahmen vorgesehen, der den Rand des Substrates überdeckt, um eine Schichtab scheidung auf dem Substratrand zu verhindern.

Aus der Druckschrift DE 10 2012 1 1 1 078 A1 ist ein Substratträger bekannt, dessen Grundkörper, auf dem mehrere Substrate aufliegen, mit einer Abdeckmaske verbindbar ist. Die Abdeckmaske weist Maskenöffnungen an den Stellen auf, wo Substrataufnah men im Substratträger angeordnet sind. Die Abdeckbereiche der Abdeckmaske erstre cken sich über die Substratränder hinweg.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, das eingangs beschriebene Prozessmo dul so weiterzubilden, dass die Trägervorrichtung im Dauerbetrieb einsetzbar ist, ohne dass prozesskritische Dotierstoffverschleppungen durch die Trägervorrichtung stattfin den.

Die Aufgabe wird durch ein Prozessmodul der eingangs angegebenen Gattung gelöst, bei dem an wenigstens einer Seitenwand der Prozesskammer, zwischen der Gasdusche und der Trägervorrichtung wenigstens ein in den Prozesskammerinnenraum hinein ra gendes Maskenelement vorgesehen ist, das eine Abdeckmaske für wenigstens 50 % der Oberfläche des Außenrandbereiches der Trägervorrichtung ausbildet, wobei das wenigs tens eine Maskenelement derart ausgebildet ist, dass über das wenigstens eine Mas kenelement zwar das wenigstens eine von der Trägervorrichtung aufgenommene Sub strat ungehindert beschichtet wird, aber der Außenrandbereich der Trägervorrichtung, auf dem kein Substrat aufliegt, durch das Maskenelement zu wenigstens 50 % abge schirmt und damit nicht beschichtet wird.

Die Kammerseitenwand, an der das wenigstens eine Maskenelement vorgesehen ist, ist vorzugsweise eine die Prozesskammer seitlich begrenzende Außenwand der Prozess kammer. Das wenigstens eine Maskenelement bildet eine Maskierungsvorrichtung, über welche in der Prozesskammer eine strukturierte Beschichtung stattfinden kann. Bei die ser Beschichtung über das wenigstens eine Maskenelement wird zwar das wenigstens eine von der Trägervorrichtung getragene Substrat ungehindert beschichtet, aber der Außenrandbereich der Trägervorrichtung, auf dem keine Substrate aufliegen, zu einem Großteil durch das Maskenelement abgeschirmt und damit nicht beschichtet. Das we nigstens eine Maskenelement ist damit in der Lage, den nicht mit Substraten belegten Außenrandbereich der Trägervorrichtung vor einer Beschichtung in der Prozesskammer zu schützen.

Ähnlich wie in der Vorrichtung der Druckschrift DE 10 2012 100 927 A1 kann in der vor liegenden Erfindung die Trägervorrichtung für den Substrattransport in einer Durchlauf anlage als Boden der Prozesskammer und damit für deren Abschluss verwendet wer den. Alternativ oder in Ergänzung zu der Trägervorrichtung kann in der vorliegenden Er findung die Temperierplatte als Boden der Prozesskammer und damit für deren Ab schluss genutzt werden. Die Temperierplatte kann zur Heizung und/oder zur Kühlung der Trägervorrichtung und/oder des wenigstens einen darauf aufliegenden Substrates ver wendet werden.

Da die Trägervorrichtung des erfindungsgemäßen Prozessmoduls mittels des Masken elements vor ungewollter Beschichtung, insbesondere auch vor dotierstoffhaltiger Be schichtung, weitgehend geschützt werden kann, kann das erfindungsgemäße Prozess modul vorteilhaft in einer Durchlauf-Beschichtungsanlage eingesetzt werden, in der ver schiedene Schichtabscheidungen nacheinander ablaufen, ohne dass die Trägervorrich tung zwischen den Prozessschritten aus der Anlage entnommen werden muss oder die Substrate auf eine andere Trägervorrichtung zwischen den einzelnen Prozessschritten umgeladen werden müssen.

Durch die über das wenigstens eine Maskenelement mögliche maskierte Abscheidung von Dünnschichten in der Prozesskammer kann der Beschichtungsbereich auf der Trä gervorrichtung auf Gebiete der Substratbelegung der Trägervorrichtung reduziert wer den. Besonders beim Abscheiden dotierter PECVD-Schichten in dem Prozessmodul wird dadurch ein Weitertransport von Dotierstoffe enthaltenden Schichten auf der Trägervor richtung deutlich verringert. Die Trägervorrichtung kann somit auch weiter für folgende Beschichtungsprozesse genutzt werden, ohne dass ein negativer Einfluss aus vorange gangenen Beschichtungen auftritt.

Dass das wenigstens eine Maskenelement eine Abdeckmaske für wenigstens 50 % der Oberfläche des Außenrandbereiches der Trägervorrichtung ausbildet, bedeutet bei her kömmlichen Trägervorrichtungen, dass die Verschleppungsfläche der Trägervorrichtung, auf welcher trotz des wenigstens einen Maskenelementes eine Abscheidung neben den Substraten erfolgt, vorzugsweise < 15 %, besonders bevorzugt < 10 % der gesamten Oberfläche der Trägervorrichtung ist.

Das wenigstens eine Maskenelement ist vorzugsweise nur an solchen Prozesskammern des erfindungsgemäßen Prozessmoduls vorgesehen, in welchen eine dotierte Schicht abgeschieden wird. Solche dotierten Schichten sind beispielsweise n- oder p-dotierte Siliziumschichten. An Prozesskammern des Prozessmoduls, in welchen intrinsische, also undotierte Schichten abgeschieden werden, muss das wenigstens eine Maskenele ment nicht vorgesehen sein. Das Nichtvorsehen des wenigstens einen Maskenelemen tes bei einer Prozesskammer des Prozessmoduls, in der eine Abscheidung von intrinsi schen Schichten stattfindet, kann sogar von Vorteil sein. So kann die Trägervorrichtung in einer solchen Prozesskammer im Ganzen, also einschließlich des Außenrandberei ches mit einer intrinsischen Schicht beschichtet werden, welche gegebenenfalls darunter befindliche Dotierschichtreste versiegelt.

Das wenigstens eine Maskenelement muss nur so dick sein, dass es mechanisch stabil ist und eine möglichst spaltfreie Auflage des wenigstens einen Maskenelementes auf der plattenförmigen Trägervorrichtung garantiert. Unter einer spaltfreien Auflage wird in der vorliegenden Erfindung verstanden, dass möglichst keine schichtbildenden Gasfragmen- te der Prozessgase oder nur so wenig davon zwischen das wenigstens eine Masken element und die Trägervorrichtung gelangt, dass in diesem Bereich eine Schichtab scheidung vermieden bzw. weitestgehend vermieden werden kann. Damit wird seine Funktion als Maske gewährleistet. Es sollte daher zwischen dem wenigstens einen Mas kenelement und der Trägervorrichtung während eines Prozesses ein Spalt einer Höhe von maximal 1 mm, vorzugsweise von maximal 0,5 mm, möglichst < 0,1 mm vorhanden sein.

Die Trägervorrichtung ist vorzugsweise eine Trägerplatte oder ein flächiges Trägergitter. Die Trägervorrichtung ist typischerweise in horizontaler Ausrichtung rechteckig ausgebil det. Ist das Prozessmodul ein Abscheidungsmodul einer PECVD-Anlage zur Schichtab scheidung von dotierten und undotierten Siliziumschichten zur Ausbildung von Solarzel len, kann die Trägervorrichtung eine Breite und/oder Länge in einem Bereich von 50 cm bis 3,5 m, vorzugsweise von 1 m bis 2,5 m, besitzen. Es sind jedoch auch Ausführungs formen der Erfindung möglich, in welchen die Trägervorrichtung eine Breite und/oder Länge von 20 cm bis 80 cm aufweist.

Die Trägervorrichtung ist vorteilhafterweise in Form einer flächigen Matrix ausgebildet. Die Trägervorrichtung hat vorzugsweise in Zeilen und Spalten angeordnete Substratauf nahmebereiche, wie beispielsweise Substratnester, in die jeweils ein Substrat eingelegt werden kann. In jeder Zeile und jeder Spalte werden von der Trägervorrichtung typi scherweise mehrere Substrate getragen. Die Substrate können hierbei flächig in den Substratnestern oder auf jeweils einem sich von einem Substratnestboden abhebenden Substratnestrand aufliegen oder auch an der Trägervorrichtung, beispielsweise an win kelförmigen Trägerstrukturen, hängen. Die Substratnester können einen geschlossenen oder einen offenen Boden aufweisen. Insbesondere dann, wenn die Trägervorrichtung allein als Boden der Prozesskammer verwendet wird, muss sie einen geschlossenen Boden aufweisen. Bildet die Trägervorrichtung gemeinsam mit einer Temperierplatte den Boden der Prozesskammer, bilden diese gemeinsam einen gasdichten Abschluss der Prozesskammer aus. Der Substratnestrand kann durchgängig oder unterbrochen ausge bildet sein.

Der Außenrandbereich um die Substrataufnahmebereiche oder Substratnester hat typi scherweise eine Breite seiner Oberfläche, also eine Ausdehnung in der der Substrat transportrichtung entsprechenden horizontalen Erstreckung der Trägervorrichtung, von 1 cm bis 15 cm, vorzugsweise von 2 cm bis 8 cm, besonders bevorzugt von 2,5 cm bis 5 cm. Er erstreckt sich typischerweise um die gesamte Trägervorrichtung, bildet also den gesamten rechteckigen Außenrandbereich der Trägervorrichtung aus. Dieser Außen randbereich ist stark von den notwendigen Prozessbedingungen des in der jeweiligen Prozesskammer vorgesehenen Plasmabearbeitungsprozesses abhängig. Bei der Wech selwirkung des Plasmas mit den das Plasma umschließenden Kammerwänden bilden sich inhomogene Plasmabereiche und veränderte Gasströmungsbedingungen aus, die auch zu inhomogenen Bearbeitungsbedingungen auf dem wenigstens einen zu prozes sierenden Substrat führen können und deshalb vermieden werden müssen.

In Abhängigkeit von der Breite der Oberfläche des Außenrandbereiches der Trägervor richtung hat das wenigstens eine Maskenelement eine Breite von 0,5 cm bis 15 cm, vor zugsweise von 1 cm bis 10 cm, bevorzugt von 2 bis 5 cm. Es ragt also mit dieser Breite seitlich in den Prozesskammerinnenraum hinein.

Eventuelle Störungen des Plasmabereiches durch das wenigstens eine Maskenelement selbst können zum Beispiel durch Anpassungen an der ersten HF-Elektrode kompensiert werden. Je nach Dicke des wenigstens einen Maskenelementes kommt es zu einer mehr oder weniger großen Änderung des Abstandes zwischen der Substratoberfläche des wenigstens einen von der Trägervorrichtung gehaltenen Substrates und der ersten HF- Elektrode. Bei zu großem Abstand zwischen der ersten HF-Elektrode und der als zweite HF-Elektrode fungierenden Trägervorrichtung kann sich das Plasma entweder zu weit ausbreiten oder sich auf engere Bereiche einschnüren, wodurch sich Änderungen in der Homogenität der Schichtdicke und/oder den Materialeigenschaften der abzuscheidenden Schichten ergeben können.

Das wenigstens eine Maskenelement hat daher vorzugsweise wenigstens an seinem in den Prozesskammerinnenraum ragenden Ende eine Dicke, also eine Ausdehnung in der Richtung senkrecht zu der Substrattransportrichtung von 0, 1 mm bis 5 mm, bevorzugt von 0,5 mm bis 1 mm, besonders bevorzugt von 0,1 mm bis 0,5 mm. Eine zu große Di cke des wenigstens einen Maskenelementes nahe einer Substrataußenkante kann sonst einen mehr oder weniger starken Plasma- und damit Schichteigenschaftsgradienten im Substrataufnahmebereich bewirken. Muss das wenigstens eine Maskenelement auf grund mechanischer Stabilitätsanforderungen dicker ausgebildet werden, so ist es in der vorliegenden Erfindung von Vorteil, einen Gradientverlauf der Dicke des Maskeneiemen- tes zwischen dem in den Prozesskammerinnenraum ragenden Ende des Maskenele mentes bis zur notwendigen mechanischen Dicke des Maskenelementes vorzusehen. Dieser Gradientverlauf kann eine horizontale Ausdehnung von wenigen Millimetern bis einigen Zentimetern und dadurch einen mehr oder weniger starken Einfluss auf die Plasmaausbildung in der Prozesskammer haben.

Die durch das wenigstens eine Maskenelement bewirkte Änderung des Abstandes zwi schen der ersten HF-Elektrode und der Trägervorrichtung kann auch durch konstruktive Maßnahmen an der erfindungsgemäßen Anlage korrigiert werden. Beispielsweise kann die Form der als erste HF-Elektrode dienenden Gasdusche an die Form des wenigstens einen Maskenelementes angepasst werden und umgekehrt.

So kann beispielsweise die Gasdusche näher an der Trägervorrichtung angeordnet, z. B. in Richtung der Trägervorrichtung nach unten versetzt werden.

Ferner kann den Veränderungen der Plasmaausbildung durch das wenigstens eine Maskenelement auch durch eine definierte Gestaltung der Oberflächenkontur der HF- Elektrode oder Gasdusche entgegengewirkt werden. Die Korrekturmaßnahmen an der HF-Elektrode oder Gasdusche sind dann so vorzunehmen, dass durch diese eine aus reichend hohe Plasmahomogenität erreicht wird. Wenn die HF-Elektrode bzw. die Gas dusche eine der Trägervorrichtung direkt gegenüber vorliegende Kontur, wie beispiels weise eine sich in Richtung einer Decke der Prozesskammer erstreckende Ausfräsung aufweist, kann die Gasdusche so gestaltet werden, dass die Ausfräsung, in deren Be reich das Plasma normalerweise im Prozess ausgebildet ist, weniger tief in die Gasdu sche ausgeführt ist. Dadurch ist die Vorderfläche der ersten HF-Elektrode näher an der Trägervorrichtung.

In vorteilhaften Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann das wenigstens eine Maskenelement auch zur Maskierung des wenigstens einen, auf der Trägervorrich tung aufliegenden Substrates weiterentwickelt werden.

In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Prozessmoduls ist das wenigstens eine Maskenelement ein sich in Umfangsrichtung der Prozesskammer er streckender Maskenrahmen. Durch den Maskenrahmen kann ein Großteil des Außen- randbereiches der Trägervorrichtung gegen ungewollte Beschichtung abgeschirmt wer den.

Vorzugsweise ist das wenigstens eine Maskenelement, wie beispielsweise der Masken rahmen, an einer Unterkante von wenigstens einer Seitenwand der Prozesskammer vor gesehen. Das Maskenelement bzw. der Maskenrahmen kann an dieser Position einfach an eine bestehende Prozesskammer montiert werden, sodass schon vorhandene Pro zesskammern problemlos mit dem Maskenelement oder Maskenrahmen nachgerüstet werden können. Auch eine Demontage des Maskenelementes oder Maskenrahmens ist an dieser Stelle auf einfache Weise realisierbar.

In einer Variante der vorliegenden Erfindung ist unter der Transportebene eine Temperierplatte vorgesehen, deren Position in der Schließrichtung veränderbar ist, so dass die Prozesskammer dann, wenn sich die Trägervorrichtung nicht unter der Pro zesskammer befindet oder wenn die Trägervorrichtung allein keinen körperlichen Ab schluss der Prozesskammer ausbilden kann, durch die Temperierplatte körperlich ab schließbar ist, wobei dann entweder nur die Temperierplatte oder die Trägervorrichtung mit der Temperierplatte einen Boden der Prozesskammer ausbildet. Durch diese Temperierplatte, die vorzugsweise eine Heizplatte ist, kann die Prozesskammer also auch ohne die Trägervorrichtung körperlich abgeschlossen werden. Dann kann die Pro zesskammer beispielsweise gereinigt und konditioniert werden. Andererseits kann die im Normalfall unter der Trägervorrichtung vorgesehene Temperierplatte gut zum Temperie ren der Trägervorrichtung, beispielsweise bei einem Beschichtungsprozess, genutzt werden.

In einer weiteren Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung ist in einer dem Prozess- kammerinnenraum zugewandten Oberseite der Temperierplatte eine Kontur vorgesehen, in der wenigstens ein Gas führbar ist, wodurch die Temperierplatte zur Gas-Rückseiten- temperierung der Trägervorrichtung und/oder des wenigstens einen von der Trägervor richtung getragenen Substrates genutzt werden kann. Eine solche Kontur kann bei spielsweise ein oder mehrere Kanäle aufweisen oder in Form einer Oberflächenrauhig keit der Temperierplatte in Stoßankopplungsgrößenordnung ausgebildet sein. Mit der Kontur, in welcher ein Gas führbar ist, kann eine Rückseitentemperierung der Trägervor richtung und damit des wenigstens einen darauf befindlichen Substrats vorgenommen werden. Die Rückseitentemperierung kann beispielsweise eine Helium- oder Wasser stoff-Rückseitentemperierung sein.

In bevorzugten Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung weist das wenigstens eine Maskenelement einen mit einer Seitenwand der Prozesskammer verbundenen Halteab schnitt auf, der eine größere Dicke als ein ausgehend von dem Halteabschnitt in den Prozesskammerinnenraum ragender Maskierungsabschnitt des Maskenelementes auf weist. Der Maskierungsabschnitt kann sich in seiner Dicke allmählich oder stufenweise verringernd, wie beispielsweise in Form einer von dem Halteabschnitt auslaufenden Schräge oder Abstufung, ausgebildet sein. Er kann jedoch auch mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet sein und von dem Halteabschnitt in Richtung des Prozesskammerinnen- raums auskragen. Der Halteabschnitt ermöglicht eine stabile Anbringung des wenigstens einen Maskenelementes an den Prozesskammerwänden. Durch die im Vergleich zum Halteabschnitt geringere oder sich verringernde Dicke des Maskierungsabschnittes weist das wenigstens eine Maskenelement in Richtung des wenigstens einen, auf der Träger vorrichtung vorgesehenen Substrates nur eine geringe Überhöhung auf. Dadurch wird verhindert, dass das wenigstens eine Maskenelement einen Einfluss auf das Plasma in Substratnähe ausübt und damit die Substratbeschichtung negativ beeinflusst.

Das wenigstens eine Maskenelement weist in vorteilhaften Ausführungsformen der vor liegenden Erfindung einen Querschnitt in Form eines Winkels auf.

Dabei ist in einer Variante der Erfindung eine Außenseite eines horizontal ausgerichteten Schenkels dieses Winkels zur Auflage auf dem Außenrandbereich der Trägervorrichtung vorgesehen. Der Winkel öffnet sich nach oben, in Richtung des Prozesskammerinnen- raums. Die Außenseite des horizontal ausgerichteten Schenkels dieses Winkels bildet einen Anschlag für die Trägervorrichtung aus. Das offene Ende dieses Schenkels ragt in den Prozesskammerinnenraum. Der Anschlag endet kurz vor dem wenigstens einen, auf der Trägervorrichtung befindlichen Substrat. Bei dieser Variante der Erfindung ist die horizontale Ausdehnung der Trägervorrichtung in der Substrattransportrichtung mindes tens so groß wie die horizontale Ausdehnung der Prozesskammer in der Substrattrans portrichtung.

In einer anderen Variante der Erfindung ist eine Innenseite eines horizontal ausgerichte ten Schenkels des winkelförmigen Maskenelementes zur Auflage auf dem Außenrandbe- reich der Trägervorrichtung und eine Innenseite eines vertikal ausgerichteten Schenkels des winkelförmigen Maskenelementes zur Anlage an einem Seitenrand der Trägervor richtung vorgesehen. Der im Querschnitt des Maskenelementes vorliegende Winkel ist hier also nach unten, in Richtung der Trägervorrichtung geöffnet. In dieser Ausführungs form wird der Anschlag für die Trägervorrichtung durch die Innenseiten der Schenkel des winkelförmigen Maskenelementes gebildet. Die horizontale Ausdehnung der Trägervor richtung in der Substrattransportrichtung ist in dieser Ausbildung der Erfindung kleiner oder gleich der horizontalen Ausdehnung der Prozesskammer in der Substrattransport richtung. Diese Ausführungsform setzt eine gute Zentrierbarkeit der Trägervorrichtung unterhalb der Prozesskammer voraus, sodass die Seitenränder der Trägervorrichtung nicht mit dem vertikal nach unten ausgerichteten Schenkel des wenigstens einen Mas kenelementes kollidieren.

In einer Weiterbildung der vorliegenden Erfindung weist der Maskenrahmen wenigstens ein, gegenüber liegende Maskenrahmenabschnitte des Maskenrahmens quer verbin dendes Querverbindungselement zu dessen mechanischer Stabilisierung auf.

In speziellen Ausbildungen der vorliegenden Erfindung kann in der Trägervorrichtung und/oder der Temperierplatte wenigstens ein magnetisches Maskierungselement inte griert sein, um beispielsweise eine von dem wenigstens einen Maskenelement getrage ne Maskierung gegen das wenigstens eine Substrat zu ziehen. Das magnetische Mas kierungselement ist vorzugsweise permanentmagnetisch, wie beispielsweise eine per manentmagnetische Folie.

Durch die mögliche Weiterverwendbarkeit der Trägervorrichtung ohne zwischenzeitliche Substratumladung und/oder Reinigung der Trägervorrichtung ergeben sich vorteilhafte Inline-Anlagenkonzepte mit erhöhtem Substratdurchsatz und niedrigeren Kosten.

In vorteilhaften Ausführungen der vorliegenden Erfindung ist das Prozessmodul als Mo dul einer Durchlaufanlage ausgebildet und die Substrattransportrichtung die Durchlauf richtung durch die Durchlaufanlage oder ist das Prozessmodul ein Endmodul der Durch laufanlage, das eine Öffnung zum An- und Abtransportieren von wenigstens einer Trä gervorrichtung aufweist, wobei es zwei Substrattransportrichtungen, nämlich eine Ein bringrichtung und eine hierzu entgegengesetzte Entnahmerichtung, gibt, wobei die Be wegungsrichtung der Trägervorrichtung bis zu der Prozesskammer hin und nach der Be- arbeitung von der Prozesskammer weg in einer Durchlaufanlage die Durchlaufrichtung ist.

In bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weist das Prozessmodul mehrere in horizontaler Substrattransportrichtung nach- oder nebeneinander angeordne te Prozesskammern auf. Die jeweilige Trägervorrichtung wird dann in der horizontalen Transportebene zu der jeweiligen Prozesskammer hin und von dieser weg bewegt.

Es ist jedoch auch möglich, dass erfindungsgemäße Prozessmodul in Form eines verti kalen Moduls zu gestalten. Dann weist das Prozessmodul mehrere, übereinander ange ordnete Prozesskammern auf, die mit in horizontaler Substrattransportrichtung und in vertikaler Richtung relativ zu den Prozesskammern bewegbaren Trägervorrichtungen eine Kammstruktur ausbilden. Diese Ausführungsform beinhaltet also eine Stapelanord nung von Prozesskammern mit Trägervorrichtungen, die jeweils zum Boden der Pro zesskammern werden. Für die vertikale Bewegung der Trägervorrichtungen relativ zu den Prozesskammern kommt hierbei vorzugsweise nur eine einzige Hubvorrichtung zum Einsatz, von der die Trägervorrichtungen gehalten und geführt werden. Unter den Trä gervorrichtungen kann jeweils eine Temperierplatte, wie oben beschrieben, vorgesehen sein, die gemeinsam mit der Trägervorrichtung durch die Hubvorrichtung zu der jeweili gen Prozesskammer und von dieser weg bewegt werden kann.

Die vorliegende Erfindung betrifft darüber hinaus eine Anlage mit wenigstens zwei paral lel nebeneinander oder in einer Linie nacheinander verlaufenden und miteinander ge koppelten Prozessierungssträngen. Dabei weist ein erster dieser Prozessierungsstränge in einer Substrattransportrichtung nacheinander angeordnet wenigstens ein Intrinsic- schichtabscheidemodul und wenigstens ein n-Dotierschichtabscheidemodul und ein zweiter dieser Prozessierungsstränge in einer weiteren Substrattransportrichtung nach einander angeordnet wenigstens ein Intrinsicschichtabscheidemodul und wenigstens ein p-Dotierschichtabscheidemodul auf, wobei die Intrinsicschichtabscheidemodule, das n- Dotierschichtabscheidemodul und das p-Dotierschichtabscheidemodul Prozessmodule mit jeweils wenigstens einer von dem Prozessmodul umschlossenen, einen eigenen Evakuierungsanschluss aufweisenden Prozesskammer mit einem Prozesskammerinnen- raum sind; wobei wenigstens zwei Trägervorrichtungen in der jeweiligen Substrattrans portrichtung horizontal durch das Prozessmodul bewegbar sind, die Trägervorrichtungen jeweils wenigstens einen Substrataufnahmebereich zur Aufnahme von wenigstens einem flächigen, in dem Prozesskammerinnenraum zu prozessierenden Substrat und einen seitlich an und/oder um den Substrataufnahmebereich vorgesehenen Außenrandbereich, auf dem keine Aufnahme von Substraten vorgesehen ist, aufweisen; das Prozessmodul ein Transportsystem zum Hintransportieren der Trägervorrichtungen zu der Prozess kammer und/oder zum Wegtransportieren der Trägervorrichtungen von der Prozess kammer aufweist, wobei das Hin- und/oder Wegtransportieren in einer Transportebene parallel zu einer horizontalen Ausdehnung der Prozesskammer vorgesehen ist, die we nigstens eine Prozesskammer durch jeweils eine der Trägervorrichtungen und/oder durch jeweils eine beim Hin- und Wegtransportieren der jeweiligen Trägervorrichtung unter der Transportebene vorgesehene Temperierplatte, deren Position jeweils in we nigstens einer Schließrichtung quer zu der jeweiligen Substrattransportrichtung verän derbar ist, gegenüber dem Prozessmodul körperlich abschließbar ist, wobei dann die jeweilige Trägervorrichtung einen Boden der wenigstens einen Prozesskammer ausbil det; die Prozesskammer eine Plasmakammer ist, welche in dem Prozesskammerinnen raum wenigstens eine als eine erste HF-Elektrode dienende Gasdusche aufweist, wobei die Gasdusche mit der jeweiligen Trägervorrichtung eine Parallelplattenanordnung aus bildet, und wenigstens bei dem p-Dotierschichtabscheidemodul an wenigstens einer Sei tenwand der Prozesskammer, zwischen der Gasdusche und der jeweiligen Trägervor richtung wenigstens ein in den Prozesskammerinnenraum hinein ragendes Maskenele ment vorgesehen ist, das eine Abdeckmaske für wenigstens 50 % der Oberfläche des Außenrandbereiches der jeweiligen Trägervorrichtung ausbildet, wobei das wenigstens eine Maskenelement derart ausgebildet ist, dass über das wenigstens eine Maskenele ment zwar das wenigstens eine von der Trägervorrichtung aufgenommene Substrat un gehindert beschichtet wird, aber der Außenrandbereich der Trägervorrichtung, auf dem kein Substrat aufliegt, durch das Maskenelement zu wenigstens 50 % abgeschirmt und damit nicht beschichtet wird; und wobei jeweils in der jeweiligen Substrattransportrich tung vor dem jeweiligen Intrinsicschichtabscheidemodul ein Substratlademodul zum Be laden einer der Trägervorrichtungen mit wenigstens einem der Substrate vorgesehen ist und in der Substrattransportrichtung nach dem n-Dotierschichtabscheidemodul und nach dem p-Dotierschichtabscheidemodul jeweils ein Substratumlademodul zum Umladen wenigstens eines der Substrate von einer der Trägervorrichtungen auf eine andere der Trägervorrichtungen oder ein vertikales Drehen wenigstens eines der Substrate um 180° vorgesehen ist. Dabei wird in der vorliegenden Erfindung unter einem Intrinsicschichtabscheidemodul ein Beschichtungsmodul zur Abscheidung intrinsischer Schichten, vorzugsweise intrinsi scher amorpher Siliziumschichten, unter einem n-Dotierschichtabscheidemodul ein Be schichtungsmodul zur Abscheidung n-dotierter Schichten, vorzugsweise n-dotierter, wie beispielsweise mit Phosphor dotierter, amorpher Siliziumschichten, und unter einem p- Dotierschichtabscheidemodul ein Beschichtungsmodul zur Abscheidung p-dotierter Schichten, vorzugsweise p-dotierter, wie beispielsweise mit Bor und/oder mit Aluminium dotierter, amorpher Siliziumschichten verstanden.

Die erfindungsgemäße Anlage ist besonders für die Herstellung von Heterojunction- Solarzellen geeignet. In der erfindungsgemäßen Anlage kann eine erste, zum Beispiel vorderseitige intrinsische Siliziumschicht in dem ersten Prozessierungsstrang und eine zweite, zum Beispiel rückseitige intrinsische Siliziumschicht in dem zweiten Prozessie rungsstrang abgeschieden werden. Wenigstens das p-Dotierschichtabscheidemodul, das in dem zweiten Prozessierungsstrang zur Abscheidung einer p-dotierten Siliziumschicht verwendet wird, weist wenigstens ein Maskenelement zwischen der Gasdusche und der Trägervorrichtung aufweist, durch das die Abscheidung von p-Dotierstoff enthaltendem Material auf den Außenrandbereich der Trägervorrichtung minimiert wird. Somit kann die Trägervorrichtung, die eine Schichtabscheidung in dem p-Dotierschichtabscheidemodul durchlaufen hat, weiterverwendet werden, ohne gereinigt werden zu müssen. Hierdurch ist kein ständiges Umladen von Substraten auf andere Trägervorrichtungen zwischen den Prozessierungssträngen notwendig. Die Vorteile sind weniger Vakuumunterbre chungen und optimierte Prozessierungszeiten. Zusätzlich kann Substratbruch verringert werden.

Die erfindungsgemäße Anlage kann so gestaltet sein, dass die beiden Prozessierungs- stränge parallel nebeneinander verlaufen. Die beiden Prozessierungsstränge können jedoch auch in einer Linie nacheinander angeordnet sein.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anlage weist wenigstens einer der Prozessierungsstränge wenigstens zwei direkt nacheinander angeordnete Intrinsicschichtabscheidemodule auf. Da insbesondere bei der Herstellung von Heterojunction-Solarzellen die Abscheidung der intrinsischen Siliziumschicht am zeitin tensivsten ist, kann in dieser Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anlage im jewei ligen Prozessierungsstrang in einem ersten der Intrinsicschichtabscheidemodule ein ers- ter Teil einer intrinsichen Siliziumschicht und in einem zweiten und/oder noch weiteren nachfolgenden Intrinsicschichtabscheidemodul eine zweiter und/oder noch weiterer Teil der intrinsischen Siliziumschicht abgeschieden werden. Durch das wenigstens eine zu sätzliche Intrinsicschichtabscheidemodul kann in dem jeweiligen Prozessierungsstrang die Taktzeit reduziert und damit insgesamt die Prozessierungszeit für das wenigstens eine, auf einer der Trägervorrichtungen befindliche Substrat herabgesetzt werden, wo raufhin bereits die jeweils nächste Trägervorrichtung den jeweiligen Prozessschritt durchlaufen kann. Dadurch kann die Effizienz der Anlage noch weiter verbessert werden.

In bevorzugten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Anlage ist das Prozessmo dul als Modul einer Durchlaufanlage ausgebildet und die jeweilige Substrattransportrich tung ist die Durchlaufrichtung durch die Durchlaufanlage oder das Prozessmodul ist ein Endmodul der Durchlaufanlage, das eine Öffnung zum An- und Abtransportieren der Trägervorrichtungen aufweist, wobei es dann zwei Substrattransportrichtungen, nämlich eine Einbringrichtung und eine hierzu entgegengesetzte Entnahmerichtung, gibt und wo bei die Bewegungsrichtung der Trägervorrichtungen bis zu der Prozesskammer hin und nach der Bearbeitung von der Prozesskammer weg in einer Durchlaufanlage die Durch laufrichtung in dem jeweiligen Prozessierungsstrang ist.

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, deren Aufbau, Funktion und Vorteile werden im Folgenden anhand von Figuren näher erläutert, wobei

Figur 1 schematisch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Prozess moduls im Querschnitt zeigt;

Figur 2 schematisch eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen

Prozessmoduls mit einer vertikal bewegbaren Temperierplatte und einem unten am Maskenelement vorgesehenem Trägervorrichtungsanschlag im Querschnitt zeigt;

Figur 3 schematisch noch eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemä ßen Prozessmoduls mit einer vertikal bewegbaren Temperierplatte und ei nem winkelförmig an der Trägervorrichtung angreifenden Maskenelement im Querschnitt zeigt; Figur 4 schematisch eine nächste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Pro zessmoduls mit einem Maskierungssegmente aufweisenden Maskenrah men im Querschnitt zeigt;

Figur 5 schematisch einen beispielsweise in der Ausführungsform von Figur 4 ver wendbaren Maskenrahmen mit Maskierungssegmenten in einer Draufsicht zeigt;

Figur 6 zeigt schematisch eine Trägervorrichtung einer Ausführungsform der vor liegenden Erfindung in einer Draufsicht auf deren Oberfläche;

Figur 7 schematisch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Prozessmo duls mit zwei Prozesskammern in einer gemeinsamen Vakuumkammer im Querschnitt zeigt;

Figur 8 schematisch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Prozessmo duls mit zwei Trägervorrichtungen im Querschnitt zeigt;

Figur 9 schematisch ein vertikal aufgebautes erfindungsgemäßes Prozessmodul im Querschnitt zeigt;

Figur 10 schematisch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Anlage mit zwei parallelen Prozessierungssträngen in einer Draufsicht zeigt;

Figur 1 1 schematisch eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anla ge mit zwei parallelen Prozessierungssträngen und aufgeteilter Intrinsic- schichtabscheidung in einer Draufsicht zeigt;

Figur 12 schematisch eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anla ge mit zwei in Reihe nacheinander angeordneten Prozessierungssträngen in einer Draufsicht zeigt; und

Figur 13 schematisch noch eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen

Anlage mit zwei in Reihe nacheinander angeordneten Prozessierungs- strängen und aufgeteilter Intrinsicschichtabscheidung in einer Draufsicht zeigt.

Figur 1 zeigt schematisch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Prozessmo duls 1 a in einem vertikalen Querschnitt entlang einer Substrattransportrichtung A.

Innerhalb des Prozessmoduls 1 a befindet sich eine Prozesskammer 2. Die Prozess kammer 2 weist einen Prozesskammerinnenraum 21 auf, in dem ein Prozess, wie bei spielsweise eine Schichtabscheidung, wie eine Schichtabscheidung von einer n- oder p- dotierten oder einer intrinsischen Siliziumschicht, durchgeführt wird. Die Prozesskammer 2 ist bevorzugt eine Prozesskammer eines p-Dotierschichtabscheidemoduls PM(p), wie es beispielsweise in den Figuren 10 bis 13 schematisch gezeigt ist. Die Prozesskammer 2 kann jedoch auch eine Prozesskammer eines n-Dotierschichtabscheidemoduls PM(n) und/oder eines Intrinsicschichtabscheidemoduls PM(i) sein, welche ebenfalls schema tisch in den Figuren 10 bis 13 gezeigt sind.

Die Prozesskammer 2 weist wenigstens einen Evakuierungsanschluss 60, also wenig stens einen Pumpanschluss, auf.

Als Boden der Prozesskammer 2 dient eine Trägervorrichtung 3, auf welcher Substrate 4 aufliegen. Die Trägervorrichtung 3, die auch als Tray oder Carrier bezeichnet werden kann, ist flächig ausgebildet. Wie es in Figur 4 beispielsweise im Detail gezeigt ist, liegen die Substrate 4 vorzugsweise in in einer Oberfläche 30 der Trägervorrichtung 3 vorgese henen Substratnestern 31 . Die Trägervorrichtung 3 kann beispielsweise ein bei der Ab scheidung von Siliziumschichten typischerweise verwendeter Standardtray sein.

Die Substrate 4 liegen vorzugsweise in einer Trägervorrichtungszeilen und Trägervor richtungsspalten aufweisenden Matrix auf der Trägervorrichtung 3 auf. Die Trägervorrich tungszeilen sind in dem gezeigten Ausführungsbeispiel, wie in Figur 6 schematisch zu sehen, in einer ersten horizontalen Richtung x ausgerichtet, während die Trägervorrich tungsspalten in einer quer zu der Richtung x liegenden horizontalen Richtung y ausge richtet sind. Grundsätzlich kann auch nur ein Substrat 4 auf der Trägervorrichtung 3 auf liegen. Zwischen den Substraten 4 bzw. zwischen den Substratnestern 31 weist die Trägervor richtung 3 Stege 32 auf. Die Trägervorrichtung 3 weist einen nicht mit Substraten 4 be legten Außenrandbereich 33 auf.

Die in den Figuren 1 bis 4, 6 und 7 exemplarisch dargestellten Prozesskammern 2 sind jeweils Parallelplattenreaktoren zur plasmaunterstützten Abscheidung von Schichten auf den Substraten 4. Dabei bildet der HF-Anschluss 18 bzw. wenigstens eine mit diesem FIF-Anschluss 18 verbundene Gasdusche 22 jeweils eine erste Elektrode und die Trä gervorrichtung 3 eine zweite Elektrode der Parallelplattenanordnung aus.

Die Prozesskammern 2 weisen jeweils wenigstens eine Gasdusche 22 auf. Mit der Gas dusche 22 ist wenigstens ein Gasanschluss 5 gekoppelt. An dem Prozesskammerinnen- raum 21 ist wenigstens ein Gasauslass 6 vorgesehen. Der Gasauslass 6 ist vorzugswei se in wenigstens einer Seitenwand 24 der Prozesskammer 2 vorgesehen. Der Gasaus lass 6 wird dabei bevorzugt als Evakuierungsanschluss zur Evakuierung des Prozess- kammerinnenraums 21 der Prozesskammer 2 genutzt werden.

Bei einer Abscheidung in der Prozesskammer 2 werden gasförmige Ausgangsstoffe für die Schichtabscheidung in die Prozesskammer 2 über den wenigstens einen Gasan schluss 5 in eine Gasdusche 31 eingeleitet. Gasförmige Abprodukte der Schichtabschei dung sowie nicht verbrauchte Prozessgase werden durch den wenigstens einen Gasaus lass 6 aus dem Prozesskammerinnenraum 21 abgeführt.

Die Gasdusche 22 dient als eine erste FIF-Elektrode in dem Parallelplattenreaktor. Die Trägervorrichtung 3 mit den Substraten 4 ist die zweite Elektrode des Parallelplattenre aktors, die parallel zu der Gasdusche 22 ausgerichtet ist.

Damit eine elektrische FIF(Flochfrequenz)-Leistung von der Gasdusche 22 über die Trä gervorrichtung 3 fließen kann, ist eine elektrische Verbindung der Trägervorrichtung 3 mit einem FIF-Stromkreis erforderlich. Diese elektrische Verbindung wird in dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel über einen FIF-tauglichen Kontakt 7 hergestellt, der in dem dargestellten Ausführungsbeispiel ein Massekontakt ist. Neben dem FIF- tauglichen Kontakt 7 ist eine Dichtung angeordnet, welche bei angehobener Trägervor richtung 3 die Prozesskammer 2 gegenüber dem Prozessmodul 1 a abdichtet. Die Trägervorrichtung 3 befindet sich in der Darstellung von Figur 1 in einer Transport ebene C und ist horizontal in der Substrattransportrichtung A mittels eines beispielsweise in den Figuren 7 und 8 gezeigten Transportsystems 8 bewegbar. Das Transportsystem 8 kann beispielsweise ein Rollentransportsystem sein, das Transportrollen aufweist. Das Transportsystem 8 dient zum Transport der Trägervorrichtung 3 in das Transportmodul 1 a hinein und aus dem Transportmodul 1 a heraus und nicht zum Verschluss der Pro zesskammer 2.

Die Prozesskammer 2 ist seitlich von Prozesskammerwänden 24 umgeben. An einem unteren Rand 25 der Prozesskammerwände 24 ist wenigstens ein in den Prozesskam- merinnenraum 21 hinein ragendes Maskenelement 9 vorgesehen. In dem Ausführungs beispiel von Figur 1 ist das Maskenelement 9 ein Maskenrahmen. Der Maskenrahmen erstreckt sich um die gesamte Prozesskammer 2.

Das in der Ausführungsform von Figur 1 verwendete Maskenelement 9 ist im Querschnitt winkelförmig ausgebildet. Dabei ist ein erster Schenkel des Maskenelementes 9, der im Folgenden als Halteabschnitt 91 bezeichnet wird, an dem unteren Rand 25 der Prozess kammer 2 vorgesehen. Ein zweiter Schenkel des winkelförmigen Maskenelementes 9, welcher im Folgenden als Maskierungsabschnitt 92 bezeichnet wird, ragt in den Pro- zesskammerinnenraum 21.

In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Halteabschnitt 91 dicker als der Maskie rungsabschnitt 92 ausgebildet. Der Maskierungsabschnitt 92 ist vorzugsweise nur so dick, dass er mechanisch stabil ist und seine Funktion als Maske gewährleistet.

Der Maskierungsabschnitt 92 ragt so weit in den Prozesskammerinnenraum 21 , dass er bei einer Schichtabscheidung in der Prozesskammer 2 einen großen Teil, vorzugsweise wenigstens 50 %, bevorzugt wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der Oberfläche des Außenrandbereiches 33 der Trägervorrichtung 3 abdeckt, also für diesen Bereich eine Abdeckmaske bildet. Das wenigstens eine Maskenelement 9 deckt also weitestgehend den nicht mit Substraten 4 belegten Außenrandbereich 33 der Trä gervorrichtung 3 ab.

Das wenigstens eine Maskenelement 9 schirmt nicht das wenigstens eine, von der Trä gervorrichtung 3 aufgenommene Substrat 4 ab. Das wenigstens eine Maskenelement 9 schirmt auch nicht einen Rand oder einen Randbereich des wenigstens einen, von der Trägervorrichtung 3 aufgenommenen Substrates 4 ab.

Das Maskenelement 9 verhindert in dem von ihm abgedeckten Bereich der Träger vorrichtung 3 eine Schichtabscheidung auf der Trägervorrichtung 3. Die Schichtabschei dung auf den Substraten 4 wird durch das Maskenelement 9 nicht beeinflusst. Da sich bedingt durch den Einsatz des Maskenelementes keine oder eine deutlich verringerte Schichtabscheidung auf dem Außenrandbereich 33 der Trägervorrichtung 3 ergibt, wird dort dann, wenn in der Prozesskammer 2 eine Abscheidung einer Dotierstoff enthalten den Schicht vorgenommen wird, kein oder nur wenig Dotierstoff abgeschieden. Entspre chend wird verhindert, dass Dotierstoff durch die Trägervorrichtung 3 bei deren Weiter transport in der Durchlaufanlage nicht oder nur wenig verschleppt wird. Dadurch kann die Trägervorrichtung 3 wiederholt für unterschiedliche Schichtabscheidungen, unab hängig ob mit oder ohne Dotierstoffanteil in der jeweils abgeschiedenen Schicht, ver wendet werden, ohne zwischenzeitlich gereinigt werden zu müssen. Hierdurch ergeben sich vorteilhafte, beispielsweise in den Figuren 10 bis 13 schematisch gezeigte inline- Anlagenkonzepte mit erhöhtem Substratdurchsatz und niedrigeren Kosten.

Das wenigstens eine Maskenelement 9 kann, wie in Figur 1 gezeigt, ein einziger Mas kenrahmen sein, aber auch aus mehreren, in den Prozesskammerinnenraum 21 hinein ragenden Einzelelementen ausgebildet sein. Das wenigstens eine Maskenelement 9 so ausgebildet oder weitergebildet sein, dass es zur Maskierung des wenigstens einen Substrates 4 eingesetzt werden kann.

In Intrinsicschichtabscheidemodulen PM(i) muss das Maskenelement 9 nicht unbedingt an der Prozesskammer 2 vorgesehen sein, da in einem solchen Modul der Außenrand bereich 33 der Trägervorrichtung durch eine intrinsische Schicht bedeckt werden kann, die gegebenenfalls darunter befindliche, Dotierstoff bzw. Dotanten enthaltende Schichten abdeckt.

In den weiteren Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen der Prozessmodule 1 b, 1 c, 1 d, 1 e, 1 f , 1 g gleiche oder ähnliche Komponenten wie in dem Prozessmodul 1 a von Fi gur 1 , weshalb hiermit zur Vermeidung von Wiederholungen auf die Beschreibung dieser Komponenten verwiesen wird. Wenigstens eine Seite des wenigstens einen Maskenelementes 9 bildet einen Anschlag für die Trägervorrichtung 3 aus.

In der in Figur 2 gezeigten Ausführungsform der Erfindung ist der Anschlag für die Trä gervorrichtung 3 unten am Maskenelement 9 vorgesehen. Hierbei weist das wenigstens eine Maskenelement 9 einen Querschnitt in Form eines Winkels auf. Dabei ist eine Au ßenseite 93 eines horizontal ausgerichteten Schenkels dieses Winkels, welcher den Maskierungsabschnitt 92 des Maskenelementes 9 bildet, zur Auflage auf dem Außen randbereich 33 der Trägervorrichtung 3 vorgesehen.

Bei der Ausführungsform von Figur 3 liegt der Anschlag für die Trägervorrichtung 3 auch an einem Seitenrand 35 der Trägervorrichtung 3 an. Hierzu weist das wenigstens eine Maskenelement 9 einen Querschnitt in Form eines Winkels auf. Dabei liegt eine Innen seite 94 eines horizontal ausgerichteten Schenkels dieses Winkels, welcher den Maskie rungsabschnitt 92 des Maskenelementes 9 bildet, auf dem Außenrandbereich 33 der Trägervorrichtung 3 auf und eine Innenseite 95 eines vertikal ausgerichteten Schenkels dieses Winkels, welcher den Halteabschnitt 91 des Maskenelementes 9 bildet, liegt an dem Seitenrand 35 der Trägervorrichtung 3 an.

Zum Verschluss der Prozesskammer 2 mit der Trägervorrichtung 3 wird ein beispiels weise in den Figuren 2 und 3 gezeigtes Hubsystem 13 eingesetzt. Dazu wird die Träger vorrichtung 3 zentral unter der Prozesskammer 2 angeordnet. Anschließend wird die Trägervorrichtung 3 durch das Hubsystem 13 angehoben. Dabei liegt die Trägervorrich tung 3 vorzugsweise auf einem Hubrahmen 14 auf.

In den in den Figuren 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispielen der Erfindung ist zwi schen dem Hubrahmen 14 und der Trägervorrichtung 3 eine Temperierplatte 15 ange ordnet, welche die Trägervorrichtung 3 und darauf aufliegende Substrate 4 beispielswei se heizt und somit auf die gewünschte Prozesstemperatur temperiert. Mit der Temperierplatte 15 kann auch eine Kühlung der Trägervorrichtung 3 und darauf auflie gender Substrate 4 realisiert werden.

Die Temperierplatte 15 ist in beiden Ausführungsformen in vertikaler Richtung auf und ab bewegbar. Somit kann bei diesen Ausführungsformen die Temperierplatte 15 bei Abwe senheit der Trägervorrichtung 3 zum Verschluss der jeweiligen Prozesskammer 2 ver- wendet werden. Wird die Temperierplatte 15 dann angehoben, bildet sie einen Boden der Prozesskammer 2 aus. Die Temperierplatte 15 kann also die Prozesskammer 2 auch ohne die Trägervorrichtung 3 abdichten. Hierzu weist die Temperierplatte 15 auf ihrer Oberfläche ein oder mehrere Dichtungen 97 auf, die von unten gegen das eine Masken element 9 drückbar sind. Damit ist eine unabhängige Konditionierung des Prozesskam- merinnenraums 21 möglich.

Die Temperierplatte 15 weist bei den Prozessmodulen 1 b und 1 c der Figuren 2 und 3 eine beispielsweise mit Helium oder Wasserstoff gespeiste Rückseitentemperierung 51 auf. Die Rückseitentemperierung ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel als eine Ver tiefung in Form einer Kontur oder Kanalstruktur, in welcher ein Gas wie Helium oder Wasserstoff führbar ist, in einer zur Trägervorrichtung 3 zeigenden Oberfläche der Temperierplatte 15 ausgebildet. Die beispielsweise spaltförmig gestaltete Kontur kann beispielsweise eine Ausfräsung sein.

Die Temperierplatte 15 weist in der gezeigten Ausführungsform ferner Bohrungen 16 auf, welche Kanäle für eine Temperierflüssigkeit ausbilden, mit der z. B. ein Wärmeaus tausch vorgenommen werden kann. In den Bohrungen können in anderen Varianten der Erfindung auch Temperierstäbe, wie z. B. Heizstäbe, vorgesehen sein.

Zur Lagerung der Prozesskammer 2 in den Prozessmodulen 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 e, 1 f , 1 g dienen nicht gezeigte Auflagen oder Aufhängungen. Die Prozessmodule 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 e, 1 f, 1 g sind jeweils als ein Modul einer Substratbearbeitungsanlage vorgesehen, das über Modulschnittstellen mit der Substratbearbeitungsanlage verbunden ist. An jeder Modulschnittstelle ist eine beispielsweise in den Figuren 10 bis 13 schematisch gezeigte Modultür 22 vorgesehen, welche schließbar ist, um das Prozessmodul 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 e, 1 f, 1 g von der Substratbearbeitungsanlage zu trennen. Durch die Modultüren ist ein Durchlauf der Trägervorrichtung 3 in das Prozessmodul 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 e, 1 f, 1 g hinein und durch eine andere Modultür 22 aus dem Prozessmodul 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 e, 1 f, 1 g heraus möglich.

In Figur 4 ist schematisch in einem Querschnitt das Prozessmodul 1 d gezeigt, bei dem das wenigstens eine Maskenelement 9 als beispielsweise in Figur 5 gezeigte Maskie rungssegmente 9a, 9b, 9c, 9d aufweisender Maskenrahmen ausgebildet ist. Der Maskenrahmen des Prozessmoduls 1 d weist eine nur sehr geringe Überhöhung im Randbereich zu dem Substratablagebereich 34 auf. Dies ist hier dadurch realisiert, dass der Maskierungsabschnitt 92 des Maskenelementes 9 allmählich bzw. sanft in den Hal teabschnitt 91 des Maskenelementes 9 übergeht. Der Übergang von dem Maskierungs abschnitt 92 zu dem Halteabschnitt 91 kann auch stufenweise erfolgen. Im Randbereich des Maskenrahmens kann zusätzlich eine Plasmakorrektur integriert sein.

Wie es aus der in Figur 5 gezeigten Draufsicht des in der Ausführungsform von Figur 4 verwendeten Maskenelementes 9 erkennbar ist, sind Substratmasken 17 in das Mas kenelement 9 eingelegt oder mit dem Maskenelement 9 verbunden. Die Substratmasken 17 können für eine strukturierte Schichtabscheidung auf den Substraten 4 verwendet werden.

Der Maskenrahmen aus den Figuren 4 und 5 weist ferner zwei, hier einander überkreu zende, gegenüber liegende Maskenrahmenabschnitte des Maskenrahmens quer verbin dende Querverbindungselemente 86 auf. Die Querverbindungselemente 86 bilden Ver steifungen für den Maskenrahmen. Dadurch ergibt sich eine höhere mechanische Stabili tät des Maskenrahmens. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel weist die Trägervorrich tung 3 den Querverbindungselementen 86 gegenüber liegende Innenrandbereiche 87 auf, auf welchen keine Ablage von Substraten 4 vorgesehen ist.

In dem in den Figuren 4 und 5 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der verwendete Mas kenrahmen in vier Maskierungssegmente 9a, 9b, 9c, 9d für eine Maskierung von jeweils vier Substraten 4 pro Maskierungssegment 9a, 9b, 9c, 9d unterteilt. In anderen Ausfüh rungsformen der vorliegenden Erfindung können auch weniger oder mehr als vier Mas kierungssegmente gewählt werden. Ferner können die einzelnen Maskierungssegmente 9a, 9b, 9c, 9d auch zur Maskierung von weniger oder mehr als vier Substraten 4 ver wendet werden.

In dem Prozessmodul 1 d von Figur 4 ist zudem in einen unter der eigentlichen Träger vorrichtung 3 vorgesehenen weiteren Träger 37 ein magnetisches Maskierungselement 36 integriert. In der dargestellten Ausführungsform ist das magnetische Maskierungs element 36 eine nahe der Rückseite der Substrate 4 vorgesehene Permanentmagnet- Folie. Bei einem Vorsehen von Masken ist es nicht trivial, dass diese eng auf dem Sub strat anliegen. Durch die Permanentmagnet-Folie werden jedoch die in Figur 5 gezeigten Maskierungssegmente 9a, 9b, 9c, 9d innig auf die Substratoberflächen der Substrate 4 gezogen und garantieren deren spaltarme Auflage auf den Substraten 4. Dafür sind die in Figur 5 gezeigten Maskierungssegmente 9a, 9b, 9c, 9d in diesem speziellen Ausfüh rungsbeispiel aus einem ferromagnetischen Material angefertigt.

Die in Figur 5 verwendeten magnetischen Maskierungssegmente 9a, 9b, 9c, 9d können beispielsweise aus einer Eisen-Nickel-Verbindung ausgebildet sein. Die Maskierungs segmente 9a, 9b, 9c, 9d können ferner mit einer Schutzschicht, beispielsweise aus Alu minium, versehen sein.

In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind unter der Maskierungsfolie voneinander beabstandete Belüftungslöcher 38 vorgesehen, wodurch die schlecht zugängliche Einlagebereiche der magnetischen Folie beim Abpumpen des Prozessmoduls 1d einfa cher entgast werden können.

Figur 6 zeigt schematisch eine in der vorliegenden Erfindung verwendbare Trägervor richtung 3 in einer Draufsicht auf deren Oberfläche. Die Trägervorrichtung 3 weist meh rere Substrataufnahmebereiche 34 zur Aufnahme jeweils eines flächigen, in dem Pro- zesskammerinnenraum 21 zu prozessierenden Substrat 4 auf. Die Substrataufnahmebe reiches 34 sind hier in Form von Substratträgernestern ausgebildet, die in Reihen 40 und Spalten 50 angeordnet sind. Um die Substrataufnahmebereiche 34 erstreckt sich ein Außenrandbereich 33 der Trägervorrichtung 3. Auf dem Außenrandbereich 33 ist keine Aufnahme von Substraten 4 vorgesehen.

Der Außenrandbereich 33 weist mehrere Teilbereiche auf. In einem Kontaktbereich 331 des Außenrandbereiches 33 ist die Trägervorrichtung 3 im Prozess in Kontakt mit dem Oberteil der Prozesskammer 2, speziell mit der Seitenwand 24 der Prozesskammer 2 oder dem an der Seitenwand 24 angebrachten Halteabschnitt 91 des wenigstens einen Maskenelementes 9. In dem Kontaktbereich 331 erfolgt also per se keine Schichtab scheidung.

In einem Abdeckungsbereich 332, welcher sich von einer den Kontaktbereich 331 be grenzenden Außengrenze 333 eines Abscheidebereiches der Prozesskammer 2 in den Prozesskammerinnenraum 21 bis hin zu einer vor oder an dem Substrataufnahmebe- reich liegenden Abdeckungsgrenze 334 erstreckt, wird die Oberfläche der Trägervorrich tung 3 durch das wenigstens eine Maskenelement 9 abgedeckt.

In einem Restbereich 335 des Außenrandbereiches 33 ist dieser im Prozess nicht durch das wenigstens eine Maskenelement 9 vor Abscheidung geschützt.

Darüber hinaus gibt es noch zwischen den einzelnen Substrataufnahmebereichen 34, in denen jeweils ein Substrat 4 aufliegt, Trägervorrichtungsstege 336, die auch zu dem Au ßenrandbereich 33 zählen und die im Prozess nicht durch das wenigstens eine Masken element 9 vor Abscheidung geschützt sind.

Bei der Trägervorrichtung 3 beträgt die Summe der Oberfläche des Kontaktbereiches 331 und des Abdeckungsbereiches 332 mehr als 50 %, vorzugsweise mehr als 75 % besonders bevorzugt mehr als 85 % der Summe der Oberfläche des Restbereiches 335 und der Trägervorrichtungsstege 336.

Figur 7 zeigt schematisch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Prozessmo duls 1 e mit zwei Prozesskammern 2 in einer gemeinsamen Vakuumkammer im Quer schnitt. Diese Ausführungsform ist sehr kompakt und eignet sich bei kleineren Prozess kammern 2.

Figur 8 zeigt schematisch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Prozessmo duls 1 f mit zwei Trägervorrichtungen 3 im Querschnitt. Auch diese Ausführungsform zeichnet sich durch ihre Kompaktheit aus. Die beiden HF-Anschlüsse 18 einerseits und die beiden, den HF-Anschlüssen 18 gegenüber befindlichen Trägervorrichtungen 3, die Gegenelektroden zu den HF-Anschlüssen 18 darstellen, sind hier zwei, in der Substrat transportrichtung A nacheinander vorgesehene Parallelplattenanordnungen in dem ei nem Prozessmodul 1 f vorgesehen.

Figur 9 zeigt schematisch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Prozessmo duls 1 g mit vertikalem Aufbau im Querschnitt. Das Prozessmodul 1 g weist mehrere, hier beispielhaft drei, übereinander angeordnete Prozesskammern 2 auf. Die Prozesskam mern 2 sind von dem Prozessmodul 1 g umschlossen. Der Prozesskammerumgebungs bereich 200 um die Prozesskammern 2 bzw. der Prozesskammerumgebungsbereich 200 des Prozessmoduls 1 g, der die Prozesskammern 2 umschließt, ist durch einen separa- ten Evakuierungsanschluss 60 evakuierbar. Die Prozesskammern 2 sind selbst über ei gene Gasanschlüsse 61 mit Prozessgas befüllbar und über eigene Evakuierungsan schlüsse 62 evakuierbar.

Die Prozesskammern 2 sind jeweils von unten durch eine Trägervorrichtung 3 gegen über dem Prozesskammerumgebungsbereich 200 körperlich abschließbar. Dies ge schieht dadurch, dass die Trägervorrichtungen 3 mittels einer Hubvorrichtung 70 vertikal, in der Schließrichtung B, zu der zugehörigen Prozesskammer 2 hin und von dieser weg verfahrbar sind. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind alle Trägervorrichtungen 3 gemeinsam mit der Hubvorrichtung 70 nach oben und unten verfahrbar.

Die Prozesskammern 2 sind jeweils Plasmakammern, welche in ihrem Prozesskammer- innenraum 21 wenigstens eine als eine erste HF-Elektrode dienende Gasdusche aufwei sen, wobei die Gasdusche mit der jeweiligen Trägervorrichtung 3 eine Parallelplattenan ordnung ausbildet.

Auf den jeweiligen Trägervorrichtungen 3 liegen zu prozessierende Substrate 4 auf. Die Substrate 4 sind in Zeilen und Spalten auf der Trägervorrichtung 3 vorgesehen. Bei spielsweise können die Substrate 4 in 8 Zeilen und 8 Spalten, in 7 Zeilen und 7 Spalten oder 6 Zeilen und 6 Spalten auf der Trägervorrichtung 3 liegen. Zahlreiche andere Vari anten sind möglich. Um die Substrataufnahmebereiche, auf welchen sich die Substrate 4 auf der Trägervorrichtung 3 befinden, weist die Trägervorrichtung 3 einen Außenrandbe reich 33 auf.

Die Trägervorrichtungen 3 sind in bestimmten vertikalen Abständen an der Hubvorrich tung 70 gehalten. Auch die Prozesskammern 2 sind vertikal gestapelt. Die Trägervorrich tungen 3 sind in dem Prozessmodul 1 g in einer quer zu der Schließrichtung B verlaufen den Substrattransportrichtung A, die hier in die Bildebene hinein und aus dieser heraus verläuft, verfahr- oder verschiebbar. Dadurch können die Trägervorrichtungen 3 wie Zin ken eines Kammes entlang der Substrattransportrichtung A zwischen die Prozesskam mern 2 bewegt und aus diesen Zwischenräumen wieder heraus bewegt werden. Die Trägervorrichtungen 3 bilden somit mit den Prozesskammern 2 eine Kammstruktur, die vertikal als auch horizontal relativ zueinander bewegbar ist. An den unteren Enden von Kammerwänden 24 der Prozesskammern 2 ist jeweils ein Maskenelement 9 in Form eines die jeweilige Prozesskammer 2 umlaufenden Masken rahmens vorgesehen. Das Maskenelement 9 ist unten an der Seitenwand 24 der Pro zesskammer 2 befestigt und ragt jeweils in den Prozesskammerinnenraum 21 der jewei ligen Prozesskammer 2 hinein. Das Maskenelement 9 bildet eine Abdeckmaske für ei nen Teil des Außenrandbereiches 33 der jeweiligen Trägervorrichtung 3 aus. Dabei wird wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, bevorzugt wenigstens 85 % der Ober fläche des Außenrandbereiches 33 durch das Maskenelement 9 so abgedeckt, dass dort keine oder nur eine minimale Schichtabscheidung stattfindet. Dabei wird unter„minimal“ nur höchstens 10 %, vorzugsweise höchsten 5 % der Schichtdicke, die zeitgleich auf den Substraten 4 abgeschieden wird, verstanden.

In dem Prozessmodul 1 g befindet sich unter den Trägervorrichtungen 3 jeweils eine Temperierplatte 15. In dem Prozessmodul 1 g wird beim Anheben und Absenken der je weiligen Trägervorrichtung 3 auch die darunter befindliche Temperierplatte 15 angeho ben bzw. abgesenkt. Zur Ausbildung und Funktion der Temperierplatte 15 wird auf obige Ausführungen verwiesen.

Zum Schließen der Prozesskammern 2 hebt die Hubvorrichtung 70 die Temperierplatten 15 gemeinsam gegen die Trägervorrichtungen 3. Die Temperierplatten 15 und die Trä gervorrichtungen 3 dichten dann gemeinsam die Prozesskammern 2 ab, wobei die Trä gervorrichtungen 3 jeweils zum Boden der Prozesskammern 2 werden.

Figur 10 zeigt schematisch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Anlage 10a mit zwei parallelen Prozessierungssträngen 1 1 a, 12a für eine Beschichtung des wenigs tens einen Substrates 4 auf dessen Substratvorderseite und dessen Substratrückseite in einer Draufsicht.

Figur 1 1 zeigt schematisch eine andere Variante der erfindungsgemäßen Anlage 10b mit zwei parallelen Prozessierungssträngen 1 1 b, 12b und aufgeteilter Intrinsicschichtab- scheidung im zweiten Prozessierungsstrang 12b in einer Draufsicht.

Figur 12 zeigt schematisch eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anla ge 10c mit zwei in Reihe nacheinander angeordneten Prozessierungssträngen 1 1 c, 12c für eine Beschichtung des wenigstens einen Substrates 4 auf dessen Substratvordersei te und dessen Substratrückseite in einer Draufsicht.

Figur 13 zeigt schematisch noch eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anlage 10d mit zwei in Reihe nacheinander angeordneten Prozessierungssträngen 1 1 d, 12d und aufgeteilter Intrinsicschichtabscheidung im zweiten Prozessierungsstrang 12d in einer Draufsicht.

In jeder der Anlagen 10a, 10b, 10c, 10d sind jeweils mindestens zwei Trägervorrichtun gen 3 im Betrieb, das heißt, sie durchlaufen zeitgleich die Anlage 10a, 10b, 10c, 10d und sind dabei entweder in einem der Prozessmodule PM(i), PM(n) oder PM(p) für einen Schichtabscheideprozess, werden be- oder entladen oder werden innerhalb der Anlage 10a, 10b, 10c, 10d transportiert.

Die Anlagen 10a, 10b, 10c, 10d sind auch als Inline-Anlagen bezeichenbare Durchlauf anlagen, bei welchen die Substrattransportrichtung A, A‘ die Durchlaufrichtung durch die Durchlaufanlage ist oder eines der Prozessmodule, von welchen mindestens das p- Dotierschichtabscheidemodul PM(p) wie eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Prozessmodule 1 a, 1 b, 1 c, 1d, 1 e, 1 f , 1 g ausgebildet ist, ein Endmodul der Durchlaufan lage ist. Dabei wird erfindungsgemäß unter einem Endmodul ein Prozessmodul verstan den, in dem ein Prozess stattfindet. So kann in der Substrattransportrichtung A, A‘ nach dem Endmodul beispielsweise noch ein Entlademodul UM vorgesehen sein.

Die in den Figuren 10 bis 13 verwendeten Prozessmodule PM(n), PM(p) und PM(i) sind entweder wie eines der erfindungsgemäßen Prozessmodule 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 f , 1 g aufge baut oder wie eines dieser Prozessmodule 1 a, 1 b, 1 c, 1 d, 1 f, 1 g ohne das Maskenele ment 9.

Das Prozessmodul PM(n) ist ein Prozessmodul zur Abscheidung einer n-dotierten Schicht, vorzugsweise einer zur Solarzellenausbildung verwendeten n-dotierten, amor phen Siliziumschicht. Das Prozessmodul PM(p) ist ein Prozessmodul zur Abscheidung einer p-dotierten Schicht, vorzugsweise einer zur Solarzellenausbildung verwendeten p- dotierten, amorphen Siliziumschicht. Das Prozessmodul PM(i) ist ein Prozessmodul zur Abscheidung einer intrinsischen Schicht, vorzugsweise einer zur Solarzellenausbildung verwendeten intrinsischen amorphen Siliziumschicht. Mit UM ist jeweils ein Entlademodul bezeichnet, mit LM ein Lademodul. Diese Module UM, LM ermögliche die Trennung und den Transport der Trägervorrichtungen 3 zwi schen Atmosphäre und Vakuum.

Die Anlagen 10a und 10b aus den Figuren 10 und 1 1 weisen jeweils zwei parallel ne beneinander verlaufende und miteinander über eine Flipper- oder Umladeeinheit 19 ge koppelte Prozessierungsstränge 1 1 a, 12a bzw. 1 1 b, 12b auf.

Die Anlagen 10c und 10d aus den Figuren 12 und 13 weisen jeweils in einer Linie nach einander verlaufende und miteinander über eine Flipper- oder Umladeeinheit 19 gekop pelte Prozessierungsstränge 1 1 c, 12c bzw. 1 1 d, 12d auf.

In der jeweiligen Flipper- oder Umladeeinheit 19 erfolgt normalerweise ein Drehen des wenigstens einen Substrates 4 um 180 ° oder ein Umladen des im ersten Prozessierungsstrang 1 1 a, 1 1 b, 1 1 c, 1 1 d auf seiner Vorderseite beschichteten wenigs tens einen Substrates 4 auf eine andere Trägervorrichtung 3, sodass im zweiten Prozessierungsstrang 12a, 12b, 12c, 12d eine Rückseitenbeschichtung des wenigstens einen Substrates 4 vorgenommen werden kann.

Vor dem jeweils ersten Prozessierungsstrang 1 1 a, 1 1 b, 1 1 c, 1 1 d ist in den gezeigten Ausführungsbeispielen jeweils eine Beladeeinrichtung 20 vorgesehen, auf der jeweils eine der Trägervorrichtungen 3 mit wenigstens einem Substrat 4 beladen wird.

Am Ende des jeweils zweiten Prozessierungsstranges 12a, 12b, 12c, 12d ist in den ge zeigten Ausführungsbeispielen jeweils eine Entladeeinrichtung 21 vorgesehen, in der von der Trägervorrichtung 3 das wenigstens eine, in den Prozessierungssträngen 1 1 a, 12a; 1 1 b, 12b; 1 1 c, 12c; 1 1 d, 12d beschichtete Substrat 4 abgeladen wird.

Die in der Entladeeinrichtung 21 entladene Trägervorrichtung 3 kann in allen Anlagen 10a, 10b, 10c, 10d auf einem bei den Anlagen 10a, 10b beispielsweise schematisch durch den Pfeil D gezeigten Transportweg direkt wieder der Beladeeinrichtung 20 zuge führt werden, ohne dass eine zwischenzeitliche Reinigung, wie eine Oberflächenschicht- abätzung und/oder eine mechanische Oberflächenschichtentfernung, auf der Trägervor richtung 3 erforderlich ist. Im jeweils ersten Prozessierungsstrang 1 1 a, 1 1 b, 1 1 c, 1 1 d der Anlagen 10a, 10b, 10c, 10d befinden sich in den gezeigten Ausführungsbeispielen in Linie nacheinander ein La demodul LM, ein Intrinsicschichtabscheidemodul PM(i), ein n-Dotierschichtabscheidemo- dul PM(n) und ein Entlademodul UM. Zwischen den Schichtabscheidemodulen PM(i) und PM(n), zwischen dem Lademodul LM und dem Intrinsicschichtabscheidemodul PM(i), zwischen dem n-Dotierschichtabscheidemodul PM(n) und dem Entlademodul UM als auch zwischen der jeweiligen Beladeeinrichtung 20 und dem Lademodul LM, zwischen dem Entlademodul UM und der Flipper- oder Umladeeinheit 19, zwischen der Flipper oder Umladeeinheit 19 und dem Lademodul LM und zwischen dem Entlademodul UM und der Entladeeinrichtung 21 ist jeweils eine hermetisch verschließbare Modultür 22 vorgesehen.

Im jeweils zweiten Prozessierungsstrang 12a und 12c der Anlagen 10a und 10c befinden sich in den gezeigten Ausführungsbeispielen in Linie nacheinander ein Lademodul LM, ein Intrinsicschichtabscheidemodul PM(i), ein p-Dotierschichtabscheidemodul PM(p) und ein Entlademodul UM.

Im jeweils zweiten Prozessierungsstrang 12b und 12d der Anlagen 10b und 10d befin den sich in den gezeigten Ausführungsbeispielen in Linie nacheinander ein Lademodul LM, zwei Intrinsicschichtabscheidemodule PM(i), ein p-Dotierschichtabscheidemodul (PM(p)) und ein Entlademodul UM.

Durch die Verwendung erfindungsgemäß ausgebildeter Prozessmodule können die An lagen 10a, 10b, 10c, 10d zeitgleich von wenigstens zwei Trägervorrichtungen 3 durch laufen und/oder Schichtabscheidungen auf von den Trägervorrichtungen 3 getragenen Substraten 4 vorgenommen werden, ohne dass an den Trägervorrichtungen 3 zwischen zeitliche Reinigungen vorgenommen werden müssen. Dadurch ergeben sich deutlich weniger Vakuumunterbrechungen als bei bekannten Anlagen zur Schichtabscheidung für Solarzellen. Es ist ferner weniger Substrathandling notwendig, wodurch der Substrat bruch reduziert werden kann. Zudem ist keine aufwändige Automation für ein ständiges Umladen zwischen den Prozessierungssträngen notwendig. Die Trägervorrichtungen 3 sind gleich nach dem Durchlaufen eines Prozessierungsstranges wieder einsatzbereit und können auf kurzem Weg dem nächsten Prozessierungsstrang zugeführt werden. Darüber hinaus ermöglicht das erfindungsgemäße Anlagenkonzept einen Einsatz kleine- rer Trägervorrichtungen 3 und Prozesskammern 2, bei gleichem Substratdurchsatz, wo durch die Anlagen variabler gestaltbar sind, weniger Aufstellfläche benötigen und Kosten gespart werden können.

In den Anlagen 10a, 10b, 10c, 10d bestimmt der längste Prozessschritt die Taktzeit. Werden in den Anlagen 10a, 10b, 10c, 10d Schichtabscheidungen für die Herstellung von sogenannten Heterojunction-Solarzellen vorgenommen, ist sowohl auf der Vorder ais auch auf der Rückseite der Substrate 4 eine Abscheidung einer intrinsischen amor phen Siliziumschicht notwendig. Die Schichtabscheidung einer solchen intrinsischen amorphen Siliziumschicht ist im Vergleich zur Abscheidung von n- oder p-dotierten amorphen Siliziumschichten, die auch zur Herstellung von Heterojunction-Solarzellen abgeschieden werden müssen, besonders langwierig. Der Prozessschritt zur Abschei dung der jeweiligen intrinsischen amorphen Siliziumschicht begrenzt daher die Taktzeit an der Anlage 10a, 10b, 10c, 10d. Daher wurde in den Anlagen 10b, 10c die Abschei dung der intrinsischen amorphen Siliziumschicht im zweiten Prozessierungsstrang 12b, 12d auf zwei Intrinsicschichtabscheidemodule PM(i) verteilt. Dadurch kann die Taktzeit im Vergleich zu den Anlagen 10a, 10c reduziert werden.