以下、本件発明に係る発明を実施するた� ��の形態に関して、本件発明に係る導電性無� ��酸化物粒子の製造形態及び導電性無機酸化� ��粒子の形態の順で説明する。

<本件発明に係る導電性無機酸化物粒子の� �造形態>
 本件発明に係る導電性無機酸化物粒子の製� ��方法は、技術的思想として表現すると、無� ��酸化物粒子にドーパント金属成分をドーピ� ��グして導電性を付与した導電性無機酸化物� ��子の製造方法であって、無機酸化物粒子含� ��スラリーにドーパント金属成分を含有させ� ��状態で電解することで、当該ドーパント金� ��成分と無機酸化物粒子の構成成分とを複合� ��させる電解ドーピングを行い、濾過し、乾� ��して、濾別採取することを特徴としたもの� ��言える。そして、この技術的思想は、以下� ��ように具体的に表現できる。以下、工程A~� �程Dに分けて、工程ごとに説明する。

工程A:この工程では、当該無機酸化物粒子� ��含有する無機酸化物粒子含有スラリーを調� ��する。最初に、無機酸化物粒子に関して説� ��する。ここで言う無機酸化物粒子とは、酸� ��亜鉛、酸化チタニウム、シリカ、アルミナ� ��ジルコニア、マグネシア、酸化セリウム、� ��化ニッケル、酸化スズ、酸化テルル、酸化� ��ナジウムのいずれかを用いることが好まし� ��。ここに記載した無機酸化物粒子であれば� ��電解法を用いてドーパント金属成分のドー� ��ングが可能だからである。ここで言う無機� ��化物粒子に関しての製造方法には、特段の� ��定はない。例えば、湿式合成法、化学気相� ��応法、スパッタリング法、ゾル-ゲル法等の 種々の方法を採用することができる。

 そして、前記工程Aで用いる無機酸化物粒 子は、その平均1次粒子径が1nm~30nmのものを用 いることが好ましい。ここで、無機酸化物粒 子の平均1次粒子径の下限値を1nmとしている� �、厳密に言えば1nm未満のものを完全に排除� �る意味で記載したのではない。平均1次粒子� ��が1nm未満の場合、透過型電子顕微鏡を使用� ��て500000倍程度の倍率を採用しても、その粒� ��径の正確な測定が困難となるから、一応の� ��限値としている。一方、無機酸化物粒子の� ��均1次粒子径が30nmを超えても、特段の問題� �ないが、本件発明が目的としている微粒の� �電性無機酸化物粒子を得るという目的を逸� �することになる。例えば、化粧品原料とし� �用いる場合、1μm厚さ以下の薄く且つ微細な� ��明電極を形成する場合等の要求品質を満た� ��ない場合がある。従って、無機酸化物粒子� ��製造安定性及びあらゆる分野での使用安定� ��を考えれば、5nm~20nmの範囲の粒子径の無機� �化物粒子を使用することが好ましい。

 そして、ここで明記しておくが、上述し� ��平均1次粒子径の範囲を超える大きな粒径の 粒子を用いることも可能である。この場合に は、後述する炭酸ガスのバブリングにより無 機酸化物粒子の溶解が起こり、炭酸亜鉛等の 金属塩が生じる。この過程で、当初の無機酸 化物粒子の粒径が小さくなるからである。こ の炭酸ガスバブリングに関しては、後述する 。

 次に、前記工程Aで調製する無機酸化物粒 子含有スラリーは、無機酸化物粒子を5wt%?30wt %含有したものを用いることが好ましい。こ� �で、無機酸化物粒子含有スラリーとは、基� �的に無機酸化物粒子を水に分散させたもの� �ある。ここで、無機酸化物粒子含有スラリ� �中の無機酸化物粒子が5wt%未満の場合には、� ��機酸化物粒子の含有量が少なく、得られる� ��電性無機酸化物粒子の量も少なくなるため� ��工業的に要求される生産性を満足しない。� ��方、無機酸化物粒子含有スラリー中の無機� ��化物粒子が30wt%を超える場合には、スラリ� �濃度が高くなりすぎて、攪拌が困難となり� �反応系内で不均一な反応が起こりやすく、� �つ、粒子同士の凝集化も起こりやすくなる� �向がある。

 また、本件発明に係る導電性無機酸化物� ��子の製造では、前記工程Aで調製する無機酸 化物粒子含有スラリーに電極を浸漬して電解 を行うのである、従って通電を可能とするた めの電解質を添加することが好ましい。この 電解質には、無機酸としては塩酸を用いるこ とも可能で好ましい。導電性無機酸化物粒子 の純度に大きな影響を与えないからである。 そして、電解質として、無機酸化物粒子の構 成金属成分を含む電解質を用いることも好ま しい。例えば、無機酸化物粒子に酸化亜鉛を 用いる場合には塩化亜鉛、無機酸化物粒子に 酸化チタニウムを用いる場合には硫酸チタン 、無機酸化物粒子にシリカを用いる場合には 珪酸ナトリウム、無機酸化物粒子にアルミナ を用いる場合には水酸化アルミニウム、無機 酸化物粒子にジルコニアを用いる場合には硫 酸ジルコニウム、無機酸化物粒子にマグネシ アを用いる場合には硫酸マグネシウムを用い る等である。その他、不純物とならず、導電 性を阻害しない電解質を添加することも可能 である。

 そして、無機酸化物粒子含有スラリーの� ��に、電解質は0.001mol/l~0.05mol/l濃度で含有す� �ことが好ましい。電解質が0.001mol/l未満の場� ��には、電解時に良好な通電ができず、ドー� ��ント金属成分を均一に無機酸化物粒子へド� ��ピング出来なくなる。一方、電解質が0.05mol /lを超えても、電解時の通電に何ら影響は出� ��いが、可溶性アノードとして陽極に配置し� ��アルミニウム材の溶解が不均一になり、無� ��酸化物粒子へのドーパント金属成分のドー� ��ングが不均一になると同時に、陰イオン量� ��適正でなければ、陰イオン自体が不純物成� ��を構成する。

工程B:この工程では、当該無機酸化物粒子� ��有スラリーの中に、ドーパント金属成分を� ��存させ、電解法で無機酸化物粒子内にドー� ��ント金属成分を電解ドーピングする。ここ� ��言う無機酸化物粒子含有スラリーの中にド� ��パント金属成分を共存させる方法としては� ��無機酸化物粒子含有スラリーの中にドーパ� ��ト金属成分の水酸化物の如き化合物を当初� ��ら添加しておく方法、溶解性のドーパント� ��属成分で構成した電極を用い、通電するこ� ��で無機酸化物粒子含有スラリーの中にドー� ��ント金属成分を溶出させる方法、これらの� ��方を組み合わせた方法等の使用が可能であ� ��。例えば、無機酸化物粒子含有スラリーの� ��にアルミニウム化合物である水酸化アルミ� ��ウムを当初から添加するか、溶解性のアル� ��ニウム電極を用い、通電により、無機酸化� ��粒子含有スラリーの中にアルミニウム成分� ��溶出させる方法等の使用が可能である。電� ��ドーピング時に無機酸化物粒子含有スラリ� ��の中に、アルミニウム成分が共存していれ� ��足りるからである。そして、溶解性のドー� ��ント金属成分で構成した電極を用いる場合� ��は、図1に示すように、無機酸化物粒子含有 スラリーを、電解ドーピング装置1の電解槽2� ��中に入れ、アノード電極3、カソード電極4� �配置して、通電して電解することにより、� �機酸化物粒子10内にドーパント金属成分を電 解ドーピングする。

 この工程Bを説明するにあたり、最初に、電 解ドーピングのメカニズムに関して、主に酸 化亜鉛粒子にアルミニウムをドーピングする 場合を例にとり説明する。ここで言う電解ド ーピングとは、電極間に外部から電気エネル ギーを与え、所定の電気分解反応を起させ、 発生したイオンを、無機酸化物粒子に対して 複合化させる方法である。このときの電解反 応は、電極と酸化亜鉛スラリーとの境界面で 起こる電極反応(1次反応)と、Al ³⁺ イオンとZnOが複合化する2次反応とに分けら� �る。この2次反応を利用して酸化亜鉛等の無� ��酸化物粒子にドーパント金属成分を複合化� ��る。

 このときの電解ドーピングは、陽極にアル� ��ニウムで構成した可溶性アノードを用いる� ��このときの陽極は、電気分解時に陽極からA l ³⁺ イオンが溶出する。そして、この溶出したAl ³⁺ イオンは、活性化した状態にあるためスラリ ー中で水酸化アルミニウムとなる。そして、 以下に述べる2プロセスのいずれか若しくは� �方のプロセスが同時に起こることにより、� �機酸化物粒子に対してドーパント金属成分� �ドーピングが可能になると考えられる。以� �に述べるドーピングプロセスに関係なく、� �のような電解ドーピングは、薬品類の消費� �非常に少ないことから、不純物の少ない状� �でドーパント金属成分のドーピングを行う� �とができる点に特徴を備えている。以下、� �ーパント金属成分として、アルミニウムを� �いて説明する。

 第1のプロセスは、電解を行うことで、無機 酸化物粒子含有スラリーの中で、ドーパント 金属成分であるアルミニウム製陽極から溶出 したAl ³⁺ イオンが、水酸化アルミニウムへと転化し、 この水酸化アルミニウムが無機酸化物粒子表 面に付着し、その後、焼成を受けることによ り、水酸化物が酸化物へと転化し、同時にド ーパント金属成分であるアルミニウム成分が 無機酸化物粒子の粒内に拡散することでドー ピングが完了する。

 第2のプロセスは、電解を行うことで、無機 酸化物粒子含有スラリーの中で、ドーパント 金属成分であるアルミニウム製陽極から溶出 したAl ³⁺ イオンが水酸化アルミニウムへと転化する。 また、一方では同時に、無機酸化物粒子含有 スラリーに含まれる無機酸化物粒子を炭酸ガ スバブリングを用いて、その一部又は全部を 溶解し、塩基性炭酸金属塩(例えば、炭酸亜� �)となる。そして、水酸化アルミニウムと塩� ��性炭酸金属塩とが複合した共析物を形成し� ��、その後、焼成を受けることにより、水酸� ��物及び塩基性炭酸金属塩が酸化物へと転化� ��、ドーパント金属成分であるアルミニウム� ��分を均一に含んだ無機酸化物粒子となりド� ��ピングが完了する。なお、この炭酸ガスバ� ��リングは、電解ドーピングを行う前から無� ��酸化物粒子含有スラリーに対して行ってい� ��も良い。

 このようにドーパント金属成分としてのア� ��ミニウム成分を、無機酸化物粒子に対して� ��ーピングすると、導電性の無い無機酸化物� ��子に対して、以下のような理論で導電性を� ��与できる。酸化亜鉛粒子を例にとって説明� ��る。即ち、酸化亜鉛粒子を構成する酸化亜� ��(ZnO)は、ウルツ鉱型結晶構造を備える。こ� �ウルツ鉱型結晶構造とは、陰イオンと陽イ� �ンとが1:1の割合で結合したイオン結晶にみ� �れる結晶構造の一種である。このときの酸� �物イオンの形成する六方最密格子配列と亜� �イオンの形成する六方最密格子配列とが組� �合わさってできる構造と言える。即ち、一� �の六方最密格子が、他方の六方最密格子の� �さ方向に、六角柱の高さの3/8分ずれて重な� �合ったものと見なせる。ドーパント金属成� �を酸化亜鉛粒子にドーピングすると、酸化� �鉛粒子の亜鉛サイトにAl ³⁺ イオン等のドーパント金属イオンが置換する と考えられる。ここで、Zn ²⁺ イオンは最外郭電子が2個であるのに対し、� �換したドーパント金属イオンは最外郭電子� �1,3,5個あることを考えるに、例えば、Zn ²⁺ イオンがAl ³⁺ イオンに置換すると、相対的に電子が一つ余 った状態になる。この余った電子が、自由電 子となり、この自由電子が増加すると、電流 が流れやすくなる。その結果、酸化亜鉛粒子 の粉体抵抗が低下し、導電性を発揮すること になる。

 ここで、半導体の電気的導通理論を考え� ��わせてみる。純粋半導体の単結晶中に微少� ��の不純物を混入した物を不純物半導体と言� ��。そして、この不純物半導体には、n型半導 体とp型半導体とに分別できる。このn型半導� ��は、高純度の半導体材料(主としてシリコン )に砒素等のシリコンより価数が一つ大きい� �素を不純物として微量添加して製造される� �このシリコンの結晶は、隣接したシリコン� �子が互いの電子を共有して、それぞれの原� �が8個の電子を持っている如き状態で結合し� ��いる。この状態の電子は、原子に強く束縛� ��れ、殆ど電気伝導に寄与できない。従って� ��純粋なシリコン結晶は、導体でも絶縁体で� ��なく、電流が流れにくい「半導体」の状態� ��ある。そこに、価電子を5個備える砒素を加 えることで、外殻で1個の電子が余り、その� �子は砒素原子からの束縛が弱くなり自由に� �くことができるようになる。そして、電子� �体は、マイナスの電荷を持っているので、� �圧が加えられると、この電子がプラス電極� �向かって流れることになる。

 酸化亜鉛粒子にドーパント金属成分とし� ��アルミニウム成分をドーピングすると、こ� ��で述べたn型半導体の導電理論の適用が可能 になる。酸化亜鉛のエネルギーバンドで考え れば、エネルギーギャップを越えて伝導帯に 電子が励起されれば、伝導帯の電子は自由に 動くことができ、電流を流すことができるよ うになる。酸化亜鉛の場合、価電子帯と伝導 体とのエネルギーギャップは3.2eV程度の半導� ��である。従って、室温においては、熱的に� ��電子帯から伝導体へと励起される電子の数� ��少なく、粉体抵抗は非常に大きくなる。し� ��し、ドーパント金属成分をドーピングする� ��とで、外殻に一つ余った自由電子、ホール� ��、ドナーレベルを形成し、室温程度でも電� ��が容易にドーパント金属イオンからはなれ� ��ことができ、その結果,室温下で電気伝導体 として機能する導電性亜鉛酸化物粒子となる 。

 そして、工程Bで用いる陽極には、ドーパ ント金属成分で構成した溶解性アノード電極 (例えば、アルミニウム電極)を用いることが� ��ましい。このように溶解性アノード電極を� ��いることで、通電量に応じて、ドーパント� ��属イオンが溶出するため、電解に供してい� ��無機酸化物粒子含有スラリーの中でのドー� ��ント金属イオン量を一定レベルに維持する� ��とが可能であり、電解の安定性が向上する� ��なお、ここで溶解性アノードとしてアルミ� ��ウム電極を用いる場合には、所謂純アルミ� ��ウムを用いることが好ましい。合金系のア� ��ミニウム材を用いると、マンガン、鉄等の� ��純物元素量が増加して、得られる導電性無� ��酸化物粒子の純度が低下するため好ましく� ��い。

 ここで、電解液中でのドーパント金属濃度� ��関しては、ドーパント金属の酸化物(ドーパ ント金属がアルミニウムである場合には酸化 アルミニウム(Al ₂ O ₃ ))換算で0.1wt%~20.0wt%含有した範囲にあること� �好ましい。このドーパント金属濃度が0.1wt%� �満の場合には、ドーパント金属成分のドー� �ング速度が遅く、ドーピング量も少なくな� �ため、無機酸化物粒子から十分な導電性能� �備えた導電性無機粒子を得ることが困難と� �る。一方、このドーパント金属濃度が20.0wt%� ��超える場合には、ドーピング量が過剰にな� ��、得られる導電性無機酸化物粒子のキャリ� ��濃度が過剰になるためキャリヤー移動度が� ��少し、ドーパント金属酸化物(例えば、Al ₂ O ₃ )の形成も顕著となり、粉体抵抗が高くなる� �め好ましくない。

 また、前記工程Bで用いる電解法は、陰極 にもドーパント金属製のカソード電極を用い ることが好ましい。電解においては、陽極と 陰極との材質の組み合わせにより、その電解 時の分極状態に変化が生じ、適正な電解を可 能とするか否かの重要な要素となりうる。こ の点を考慮して、無機酸化物粒子にドーパン ト金属成分をドーピングする場合には、ドー パント金属製の溶解性アノード電極との組み 合わせを考慮して、陰極にはアルミニウム、 亜鉛等の最適なカソード電極を適宜選択使用 することが、溶解性アノード電極からのドー パント金属成分の溶出を促し、適正なドーピ ング操作が可能になる。

 本件発明に係る導電性無機酸化物粒子の� ��造方法において、前記工程Bで用いる電解条 件として、無機酸化物粒子含有スラリーの攪 拌を行いつつ電解することが好ましい。静置 した無機酸化物粒子含有スラリーの中では、 当初攪拌をしていても、攪拌を停止すると無 機酸化物粒子が沈降するため、電解による均 一なドーピングが行えなくなるからである。

 そして、前記工程Bで用いる電解法では、電 解通電時に炭酸ガスバブリングを行うことも 好ましい。これは炭酸ガスバブリングにより 、無機酸化物粒子含有スラリー中で無機酸化 物粒子の一部又は全部を溶解させ、塩基性炭 酸金属塩を生成させ、ドーパント金属の水酸 化と共析させ、熱分解することでより微細な 導電性酸化金属粒子を得るためである。従っ て、酸化亜鉛粒子の場合には、無機酸化物粒 子含有スラリー中で塩基性炭酸亜鉛Zn(CO ₃ )を生成させることになる。

 また、前記工程Bの電解法では、0.3mA/cm ² ~100mA/cm ² の電流密度で電解することが好ましい。この 電流密度が0.3mA/cm ² 未満の場合には、無機酸化物粒子に対する所 定量のドーパント金属成分のドーピング速度 が遅く、ドーピング量が少なくなる。ドーピ ング量が少ないとキャリヤー濃度が少なく、 導電性無機酸化物粒子に求められる導電性能 が得られない。一方、電流密度が100mA/cm ² を超えるものとした場合には、無機酸化物粒 子に対するドーパント金属成分のドーピング 速度が過剰になり、ドーピング量が増加する 。このドーピング量が多いと、導電性無機酸 化物粒子としてのキャリヤ濃度が多くなり、 キャリヤー移動度が減少する。また、Al ₂ O ₃ 等のドーパント金属酸化物が形成され抵抗が 高くなる傾向がある。

 更に、前記工程Bで用いる電解は、無機酸 化物粒子含有スラリーの温度を30℃~85℃の範� ��として電解することが好ましい。液温が30� �未満の場合には、ドーピング反応の速度が� �くなり、且つ、上述の炭酸ガスバブリング� �行った際の無機酸化物粒子含有スラリー中� �塩基性炭酸金属塩の生成が困難となる。一� �、液温が85℃を超える場合には、無機酸化物 粒子含有スラリーの水分蒸発が顕著になり、 無機酸化物粒子含有スラリーに含まれる成分 の濃度を安定的に維持できないために、安定 した電解ドーピングが行えないために好まし くない。

 そして、前記工程Bでは、電解ドーピング が終了した後、1時間以上スラリー攪拌を継� �することで、粒子分散性を向上させる補助� �拌を行うことも好ましい。仮に粒子同士が� �解ドーピング時に再凝集しても、このよう� �事後的な補助攪拌を行うことで、粒子同士� �凝集状態を破壊して粒子分散性を向上させ� �ことが可能である。このときの攪拌方法と� �ては、攪拌バネによる攪拌、緩やかな流体� �ル攪拌、T.K.フィルミックスと称される装置� ��に代表される層流式攪拌等の採用が可能で� ��る。

工程C:この工程では、電解ドーピングの終� ��したスラリーを、濾過し、乾燥して粒子を� ��別採取する。このときの濾過方法及び乾燥� ��法に関しては、特段の限定はなく、公知の� ��ずれの方法、装置の使用も可能である。

工程D:この工程では、濾別採取した粒子を� ��成して導電性無機酸化物粒子とする。本件� ��明に係る導電性無機酸化物粒子の製造方法� ��おいて、前記工程Dの焼成に用いる還元雰囲 気は、水素含有雰囲気、不活性ガス雰囲気、 アンモニアガス雰囲気および真空のいずれか であることが好ましい。ここで、還元雰囲気 又は非酸化性雰囲気を採用したのは、大気中 での焼成に比べ焼成速度が速く、その結果、 無機酸化物の結晶格子の原子サイト(例えば� �酸化亜鉛における亜鉛サイト)に対し、ドー� ��ント金属イオンの置換が容易になり、ドー� ��ント金属成分を十分に固溶した状態となり� ��無機酸化物から電子が1つ放出されるため導 電性が発現し抵抗が下がるため、低抵抗の導 電性酸化物を得やすくなるからである。

 そして、前記工程Dの焼成に用いる焼成温 度は、300℃~800℃であることが好ましい。300� �未満の焼成温度の場合には、無機酸化物の� �晶格子の原子サイト(例えば、酸化亜鉛にお� ��る亜鉛サイト)に対し、アルミニウムイオン の置換が困難になり、その結果、良好な導電 性を備える導電性酸化物が得られにくくなる 。また、焼成に長時間を要するため、工業的 に求められる生産性を満足し得ない。一方、 500℃を超える焼成温度を採用した場合、無機 酸化物の結晶格子の原子サイト(例えば、酸� �亜鉛における亜鉛サイト)に対するアルミニ� ��ムイオンの置換は容易となるが、粒子同士� ��焼結が起こりやすくなり、粒子凝集を起こ� ��て粗大な2次粒子に成長するため好ましくな い。以上の温度範囲で、導電性無機粒子とし て更に安定した品質と生産性とを考えると、 300℃~500℃の焼成温度を用いることが更に好� �しい。

 また、前記炭酸ガスバブリングを行う際に� ��、前記工程Cと工程Dとの間に、前記炭酸ガ� �バブリングにより生じた塩基性炭酸金属塩� �熱分解する熱分解処理工程を設けることが� �ましい。この熱分解工程は、電解が終了し� �焼成前の塩基性炭酸金属塩の付着した無機� �化物粒子に対して行うものである。例えば� �無機酸化物粒子として酸化亜鉛粒子を用い� �場合には、この酸化亜鉛粒子に付着した塩� �性炭酸亜鉛Zn(CO ₃ )を熱分解させるためにおこなう。このとき� �塩基性炭酸金属塩の熱分解温度として250℃~4 00℃、熱分解時間1時間~3時間、焼成雰囲気は� ��気雰囲気という範囲の条件を使用すること� ��好ましい。ここで、熱分解温度が250℃未満� ��場合には、迅速な塩基性炭酸金属塩の熱分� ��ができない。一方、熱分解温度が400℃を超� ��ると、塩基性炭酸金属塩の熱分解の熱分解� ��同時に、前記工程Dの焼成で生ずる現象が同 時に起こるため、良好な品質を備える導電性 無機酸化物粒子が得られない。なお、熱分解 時間は、選択した熱分解温度によって定めら れるものである。

<本件発明に係る導電性無機酸化物粒子の� �態>
 以上に述べてきた本件発明に係る導電性無� ��酸化物粉の製造方法は、従来に無い微粒の� ��電性無機酸化物粒子の製造に好適である。� ��って、原料として微粒の無機酸化物粒子を� ��いれば、平均1次粒子径が3nm~40nmのドーパン� ��金属成分をドーピングした導電性無機酸化� ��粒子が得られる。この粒子径の範囲は、原� ��として用いる無機酸化物粒子に、1nm~30nmの� �均1次粒子径のものを用いた場合に得られる� ��のである。このレベルの平均1次粒子径を備 える導電性無機酸化物粒子で構成した導電性 酸化物粉は、従来の化学反応を利用した製造 方法では得ることができず、その結果、現在 の市場で流通している製品ではない。

 そして、以上の製造方法をもって製造され� ��本件発明に係る導電性無機酸化物粉は、ド� ��パント金属成分を、ドーパント金属酸化物( 例えば、酸化アルミニウム(Al ₂ O ₃ ))換算で0.1wt%~20.0wt%で含有する製品の提供が� �能である。ここで、導電性無機酸化物粉の� �ーパント金属成分が、ドーパント金属酸化� �換算で0.1wt%未満の場合には、ドーパント金� �成分の無機酸化物粒子に対するドーピング� �が不足して、無機酸化物粒子への導電性の� �与が困難となる。一方、導電性無機酸化物� �のドーパント金属成分が、ドーパント金属� �化物換算で換算で20.0wt%を超えてる場合、ド� ��パント金属成分のドーピング後の導電性無� ��酸化物粒子の導電性が更に向上していくも� ��でもなく、資源の無駄遣いとなり好ましく� ��い。

 また、本件発明に係る導電性無機酸化物� ��は、その芯材として用いる前記無機酸化物� ��子は、酸化亜鉛粒子、酸化銅、酸化チタニ� ��ム粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、ジル� ��ニア粒子、マグネシア粒子、酸化セリウム� ��子、酸化ニッケル粒子、酸化スズ粒子、酸� ��テルル粒子、酸化バナジウム粒子のいずれ� ��を選択的に用いることが好ましい。少なく� ��も、ここに列記した無機酸化物粒子は、ド� ��パント金属成分のドーピングに行うにあた� ��、上記製造方法を適用するのに適しており� ��効率の良いドーパント金属成分のドーピン� ��が可能だからである。

 更に、本件発明に係る導電性無機酸化物� ��は、導電性無機酸化物粉を100wt%としたとき� ��無機酸化物粒子の構成金属成分量(亜鉛)、� �ーパント金属成分量、酸素成分量の各成分� �合計成分量が99.9wt%以上とすることが可能で� ��る。この各成分の合計成分量は、所謂純度� ��同一視できるものであり、以下「純度」と� ��する。従来の、化学的反応を用いた湿式合� ��法では、導電性無機酸化物粒子の製造に硫� ��アルミニウムを使用するため、これに由来� ��る硫酸アニオンの残留量が多く、得られた� ��電性無機酸化物粒子に対して硫酸アニオン� ��多く混入しており、粉体抵抗又は形成した� ��体の高抵抗化が発生していた。このときの� ��度は、99.8wt%が限度である。ところが、上述 の本件発明に係る導電性無機酸化物粉の製造 方法を用いると、導電性無機酸化物粒子に対 する硫酸アニオンの混入が少なくなり、本件 発明に係る導電性無機酸化物粉の粉体抵抗又 はこれを用いて形成した導体抵抗も低くなる 。

 以上に述べてきた本件発明に係る導電性無� ��酸化物粉は、極めて微細な粒子から構成さ� ��ていても、良好な粉体抵抗を備える。これ� ��ドーパントであるドーパント金属成分が、� ��機酸化物粒子内へ均一に分散し、且つ、導� ��性を阻害する不純物レベルが低いためであ� ��と考えられる。このときの粉体抵抗は、当� ��導電性無機酸化物粉1.0gを円筒型の容器(内� �18mm)に装填し、100kg/cm ² の圧力を加えた圧縮状態で、両端の抵抗を測 定して、算出可能な粉体抵抗率を用いて表し ている。そして、この粉体抵抗率が500ω・cm� �下という低抵抗を示すものになる。以下、� �件発明の技術的思想の内容の理解が、より� �易となるように実施例を示して説明する。