以下に、本発明のIII族窒化物半導体発光素� ��及びその製造方法並びにIII族窒化物半導体� ��光素子を備えたランプの実施形態について� ��図面を適宜参照しながら説明する。
 図1は本実施形態のIII族窒化物半導体発光素 子の断面模式図であり、図2はIII族窒化物半� �体発光素子の平面模式図であり、図3はIII族� ��化物半導体発光素子を構成する積層半導体� ��断面模式図である。また、図4は本実施形態 のIII族窒化物半導体発光素子を備えたランプ の断面模式図である。
 尚、以下の説明において参照する図面は、I II族窒化物半導体発光素子及びその製造方法� ��びにランプを説明する図面であり、図示さ� ��る各部の大きさや厚さや寸法等は、実際のI II族窒化物半導体発光素子等の寸法関係とは� ��なっている。

『III族窒化物半導体発光素子』
 本実施形態のIII族窒化物半導体発光素子は� ��基板上に、III族窒化物を含有する中間層、� ��地層を有するn型半導体層、発光層、及びp� �半導体層が積層されてなり、前記中間層の� �記下地層側の面に、プラズマ処理を含む前� �理が施されて概略構成されている。なお、� �記プラズマ処理は、高周波を用いた電源に� �って発生された窒素プラズマを前記中間層� �前記下地層側の面に暴露させる処理である� �
 III族窒化物半導体発光素子(以下、発光素子 という。)のより具体的な構成について図1~図 3を参照して説明する。
 この発光素子1は、基板11と、基板11の一面11 a上に積層された中間層12と、中間層12上に積� ��されたn型半導体層14と、n型半導体層14上に� ��層された発光層15と、発光層15上に積層され たp型半導体層16と、p型半導体層16上に積層さ れた透光性正極17と、透光性正極17上に形成� �れた正極ボンディングパッド18と、n型半導� �層14に取り付けられた負極ボンディングパッ ド19とから構成されている。
 また、図3に示すように、n型半導体層14、発 光層15、及びp型半導体層16によって積層半導� ��10が構成されている。積層半導体10を構成す るn型半導体層14は、下地層14a、n型コンタク� �層14b、及びn型クラッド層14cから構成されて� ��る。図1及び図2に示すように、n型コンタク� ��層14bの一部が露出されており、この露出さ� ��た部分に負極ボンディングパッド19が接合� �れている。また、中間層12の下地層14a側の一 面12aにプラズマ処理が施され、この一面12a上 に下地層14aが積層されている。
 以下、発光素子1を構成する各層について順 次詳細に説明する。

[基板11]
 III族窒化物半導体結晶が表面上に形成され� ��基板11の材質は特に限定されず、各種の材� �を選択して用いることができる。例えば、� �ファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化� �グネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニ� �ム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウ� �アルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化� �リウム、酸化インジウム、酸化リチウムガ� �ウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネ� �ジウムガリウム、酸化ランタンストロンチ� �ムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチ� �ムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タン� �ステン、およびモリブデン等が挙げられ、� �にサファイアが好ましい。また、基板11の表 面11aは、サファイアのc面またはa面のいずれ� ��もよいが、特にc面で構成されることが好ま しい。

[中間層12]
 本実施形態の発光素子においては、基板11� �に、スパッタ法によってIII族窒化物を含有� �る中間層12が形成されている。中間層12は、� ��パッタ法により、例えば、金属原料とV族元 素を含んだガスとがプラズマで活性化されて 反応することで形成される。
 中間層12は、基板11の表面11aの全面積のうち 少なくとも60%以上の面積を覆っていることが 好ましく、80%以上の面積を覆っていることが より好ましい。さらに、90%以上を覆うように 形成されていることが、基板11のコート層と� ��ての機能面から好ましく、特に、基板11の� �面11a上を隙間無く覆うように形成されてい� �ことが最も好ましい。中間層12が基板11を覆� ��ておらず、基板11の表面が露出していると� �中間層12上に成膜される下地層14aの一部が基 板11の表面11aから成長することになるが、基� ��11の表面11aに露出される結晶と下地層14aと� �間では格子定数が大きく異なるため、下地� �14aが均一な結晶とならず、ヒロックやピッ� �を生じてしまうおそれがあるので好ましく� �い。

 中間層12は、柱状結晶の集合体からなる� �とが、基板11とn型半導体層14との格子不整合 を緩和するバッファ層として良好に機能する 点で好ましい。n型半導体層を構成するIII族� �化物半導体結晶は、六方晶系の結晶構造を� �し、六角柱を基本とした集合組織を形成し� �すい。特に、プラズマ化した金属材料を用� �る成膜方法によって形成された膜は、柱状� �晶となりやすい。従って、柱状結晶からな� �中間層12を基板11上に成膜することによって� ��中間層12がバッファ層として有効に作用し� �その上に成膜されたIII族窒化物半導体結晶� �らなるn型半導体層14が良好な結晶性を持つ� �晶膜となる。

 また、中間層12は、前記柱状結晶の各々� �グレインの幅の平均値が、1~100nmの範囲とさ� ��ていることが、バッファ層としての機能面� ��ら好ましく、1~70nmの範囲とされていること� ��より好ましい。n型半導体層を構成するIII族 窒化物半導体結晶の結晶性を良好にするため には、中間層12を構成する柱状結晶の各々の� ��晶のグレインの幅を適正に制御する必要が� ��り、具体的には、上記範囲とすることが好� ��しい。中間層12の結晶グレインの幅は、断� �TEM観察などにより容易に測定することが可� �である。

 中間層12の結晶グレインは、上述したよ� �な略柱状の形状をしていることが望ましく� �中間層12は、柱状のグレインが集合して層を 成していることが望ましい。ここで、上述し たグレインの幅とは、中間層12が柱状グレイ� ��の集合体である場合は、結晶の界面と界面� ��の距離のことをいう。一方、グレインが島� ��に点在する場合には、グレインの幅とは、� ��晶グレインが基板面に接する面の最も大き� ��部分のさし渡しの長さを言う。

 中間層12の膜厚は、10~500nmの範囲とされて いることが好ましく、20~100nmの範囲とされて� ��ることがより好ましい。中間層12の膜厚が10 nm未満だと、バッファ層としての機能が充分� ��なくなる。また、500nmを超える膜厚で中間� �12を形成した場合、バッファ層としての機能 には変化が無いのにも関わらず、成膜処理時 間が長くなり、生産性が低下する虞がある。

 中間層12は、Alを含有する組成とされている ことが好ましく、一般式AlGaInNで表されるIII� �窒化物半導体であれば、どのような材料で� �用いることができる。さらに、V族として、A sやPが含有される構成としても良い。
 中間層12を、Alを含んだ組成とした場合、中 でも、GaAlNとすることが好ましく、この際、A lの組成が50%以上とされていることが好まし� �。また、中間層12は、AlNからなる構成とする ことにより、効率的に柱状結晶集合体とする ことができるので、より好ましい。

 中間層12と下地層14aとは、異なるスパッタ� �膜装置で作製することが好ましい。スパッ� �法では、製膜する膜の材質によりスパッタ� �ャンバが厳密に設計されるため、組成や機� �の異なる膜を製膜する際には異なるチャン� �を使用するためである。
 しかしながら、スパッタ装置間の搬送の際� ��中間層12の表面が大気に晒されて汚染され� �。大気中に曝される場合のみならず、搬送� �置内やチャンバ内の汚染物質があると、そ� �汚染物質により中間層12の表面12aに汚染層や ダメージ層が生じる。汚染層やダメージ層が 部分的に形成されると、この汚染層やダメー ジ層の影響が下地層14aに伝搬され、下地層14a 中に空隙(ボイド)が形成され、下地層14aの結� ��性及び結晶の稠密性が低下する。
 なお、結晶性が低下した状態とは、下地層1 4aの全体の結晶性が低下した状態の他に、下� ��層14aを構成する結晶粒自体の結晶性が低下� ��た状態を言う。また、結晶の稠密性が低下� ��た状態とは、下地層14aを構成する結晶粒同� ��の間に隙間や空隙(ボイド)が発生して、下� �層14aの密度が低下した状態を言う。稠密性� �低下すると、結晶粒同士の間に発生した隙� �やボイドの存在によって、下地層14aのn型コ� ��タクト層側の面が粗面になり、n型コンタク ト層の形成に大きな悪影響を与える。このよ うな下地層14aの結晶性及び結晶の稠密性の低 下は、下地層14aの上に積層するn型コンタク� �層14b、n型クラッド層14c、発光層15、p型半導� ��層16にまで及び、発光素子1を構成するIII族� ��化物半導体結晶全体の結晶性が低下してし� ��うことになる。特に、下地層14aの粗面化の� ��響は、発光層15に接するn型クラッド層14cに� ��で及び、発光層15を形成する面が粗面にな� �、発光特性が大幅に低下してしまうことに� �る。

 そこで、本発明においては、中間層12に� �述するようにプラズマ処理を含む前処理工� �を施こした。前処理工程が施されることに� �って、中間層12の表面12aに形成された汚染層 やダメージ層が除去されたり、中間層12が修� ��されたり、または中間層12に加わる応力が� �和され、中間層12が安定した結晶層に変性さ れる。このように安定化された中間層12上に� ��成される下地層14aは、結晶性及び結晶の稠� ��性が極めて高くなり、ボイド等の発生が抑� ��されたものとなる。

[積層半導体10]
 図3に示す積層半導体10は、上述のような中� ��層12を介して基板11上に形成された、窒化物 系化合物半導体からなるn型半導体層14、発光 層15及びp型半導体層16から構成されている。
 そして、n型半導体層14は、少なくともIII族� ��化物半導体からなり、スパッタ法によって� ��膜された下地層14aを有しており、中間層12� �に下地層14aが積層されている。
 III族窒化物半導体で形成された下地層14aの� ��には、上述したように、図3に示す積層半導 体10のような機能性を持つ結晶積層構造が積� ��された構成とすることができる。例えば、� ��光素子のための半導体積層構造を形成する� ��合、Si、Ge、Sn等のn型ドーパントをドープし たn型導電性の層や、マグネシウムなどのp型� ��ーパントをドープしたp型導電性の層等を積 層して形成することができる。また、材料と しては、発光層等にはInGaNを用いることがで� ��、クラッド層等にはAlGaNを用いることがで� �る。
 このように、下地層14a上に、さらに機能を� ��たせたIII族窒化物半導体結晶層を形成する� ��とにより、発光ダイオードやレーザダイオ� ��ド、あるいは電子デバイス等の作製に用い� ��れる、半導体積層構造を有するウェーハを� ��製することが出来る。
 以下に、積層半導体10について詳述する。

 窒化物系化合物半導体としては、例えば一� ��式Al _X Ga _Y In _Z N _1-A M _A (0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記� ��Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦A< ;1である。)で表わされる窒化ガリウム系化合 物半導体が多数知られており、本発明におい ても、それら周知の窒化ガリウム系化合物半 導体を含めて一般式Al _X Ga _Y In _Z N _1-A M _A (0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記� ��Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦A< ;1である。)で表わされる窒化ガリウム系化合 物半導体を何ら制限なく用いることができる 。

 窒化ガリウム系化合物半導体は、Al、Gaお よびIn以外に他のIII族元素を含有することが� ��き、必要に応じてGe、Si、Mg、Ca、Zn、Be、P及 びAs等の元素のいずれか1種または2種以上を� �有することもできる。さらに、意図的に添� �した元素に限らず、成膜条件等に依存して� �然的に含まれる不純物、並びに原料、反応� �材質に含まれる微量不純物を含む場合もあ� �。

 これらの窒化ガリウム系化合物半導体は、� ��地層をスパッタ法で積層すればよく、その� ��の層の形成方法に関しては特に限定されず� ��MOCVD(有機金属化学気相成長法)、HVPE(ハイド� ��イド気相成長法)、MBE(分子線エピタキシー� �)等、窒化物半導体を成長させることが知ら� ��ている全ての方法を適用できる。膜厚制御� ��、量産性の観点から、好ましい成長方法はM OCVD法である。MOCVD法では、キャリアガスとし て水素(H ₂ )または窒素(N ₂ )、III族原料であるGa源としてトリメチルガリ ウム(TMG)またはトリエチルガリウム(TEG)、Al源 としてトリメチルアルミニウム(TMA)またはト� ��エチルアルミニウム(TEA)、In源としてトリメ チルインジウム(TMI)またはトリエチルインジ� ��ム(TEI)、V族原料であるN源としてアンモニア (NH ₃ )、ヒドラジン(N ₂ H ₄ )などが用いられる。また、ドーパントとし� �は、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH ₄ )またはジシラン(Si ₂ H ₆ )を、Ge原料としてゲルマンガス(GeH ₄ )や、テトラメチルゲルマニウム((CH ₃ ) ₄ Ge)やテトラエチルゲルマニウム((C ₂ H ₅ ) ₄ Ge)等の有機ゲルマニウム化合物を利用できる 。
 MBE法では、元素状のゲルマニウムもドーピ� ��グ源として利用できる。p型にはMg原料とし� ��は例えばビスシクロペンタジエニルマグネ� ��ウム(Cp ₂ Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマ グネシウム(EtCp ₂ Mg)を用いる。

<n型半導体層14>
 n型半導体層14は、通常、中間層12上に積層� �れ、下地層14a、n型コンタクト層14b及びn型ク ラッド層14cから構成される。
 なお、n型コンタクト層14bは、下地層14a及び /又はn型クラッド層14cを兼ねることが可能で� ��り、下地層14aは、n型コンタクト層14b及び/� �はn型クラッド層14cを兼ねることも可能であ� ��。

「下地層14a」
 下地層14aは、中間層12上にIII族窒化物半導� �を積層することにより成膜される。下地層14 aの材料としては、基板11上に成膜された中間 層12と異なる材料を用いても構わないが、Al _x Ga _1-x N層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好� �しくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ま� �い。

 本発明者等が実験したところ、下地層14a� ��用いる材料として、Gaを含むIII族窒化物、� �ちGaN系化合物半導体が好ましいことが明ら� �となった。中間層12をAlNからなる構成とした 場合、下地層14aは、柱状結晶の集合体である 中間層12の転位をそのまま引き継がないよう� ��、マイグレーションによって転位をループ� ��させる必要がある。転位のループ化を生じ� ��すい材料としては、GaN系化合物半導体が挙� ��られ、特に、AlGaN、又はGaNが好適である。

 下地層14aの膜厚は0.1μm以上が好ましく、よ� ��好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も 好ましい。この膜厚以上にした方が結晶性の 良好なAl _x Ga _1-x N層が得られやすい。

 下地層14aには、必要に応じて、n型不純物を 1×10 ¹⁷ ~1×10 ¹⁹ /cm ³ の範囲内であればドープしても良いが、アン ドープ(<1×10 ¹⁷ /cm ³ )とすることもでき、アンドープの方が良好� �結晶性の維持という点で好ましい。n型不純� ��としては、特に限定されないが、例えば、S i、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiお� �びGeが挙げられる。

 基板11に導電性基板を用いる場合には、下� �層14aをドーピングして、下地層14aの層構造� �縦方向に電流が流れるようにすることによ� �、発光素子のチップ両面に電極を設ける構� �とすることができる。
 また、基板11に絶縁性基板を用いる場合に� �、発光素子1のチップの同じ面に電極が形成� ��れるチップ構造を採用することになるので� ��基板11上に中間層12を介して積層される下地 層14aはドープしない結晶とした方が、結晶性 が良好となるので好ましい。

(下地層14aの成膜方法)
 本実施形態における発光素子1では、スパッ タ法を用いてIII族窒化物半導体を積層して下 地層14aを成膜する。スパッタ法を用いる場合 には、MOCVD法やMBE法等と比較して、装置を簡� ��な構成とすることが可能となる。
 下地層14aをスパッタ法で成膜する際、V族原 料をリアクタ内に流通させるリアクティブス パッタ法によって成膜する方法とすることが 好ましい。
 上述したように、一般に、スパッタ法にお� ��ては、ターゲット材料の純度が高い程、成� ��後の薄膜の結晶性等の膜質が良好となる。� ��地層14aをスパッタ法によって成膜する場合� ��原料となるターゲット材料としてIII族窒化� ��半導体を用い、Arガス等の不活性ガスのプ� �ズマによるスパッタを行なうことも可能で� �るが、リアクティブスパッタ法においてタ� �ゲット材料に用いるIII族金属単体並びにそ� �混合物は、III族窒化物半導体と比較して高� �度化が可能である。このため、リアクティ� �スパッタ法では、成膜される下地層14aの結� �性をより向上させることが可能となる。

 下地層14aを成膜する際の基板11の温度、� �まり、下地層14aの成長温度は、800℃以上と� �ることが好ましく、より好ましくは900℃以� �の温度であり、1,000℃以上の温度とすること が最も好ましい。これは、下地層14aを成膜す る際の基板11の温度を高くすることによって� ��子のマイグレーションが生じやすくなり、� ��位のループ化が容易に進行するからである� ��また、下地層14aを成膜する際の基板11の温� �は、結晶の分解する温度よりも低温である� �要があるため、1200℃未満とすることが好ま� ��い。下地層14aを成膜する際の基板11の温度� �上記温度範囲内であれば、結晶性の良い下� �層14aが得られる。

「n型コンタクト層14b」
 n型コンタクト層14bとしては、下地層14aと同 様にAl _x Ga _1-x N層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好� �しくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ま� �い。また、n型不純物がドープされているこ� ��が好ましく、n型不純物を1×10 ¹⁷ ~1×10 ¹⁹ /cm ³ 、好ましくは1×10 ¹⁸ ~1×10 ¹⁹ /cm ³ の濃度で含有すると、負極との良好なオーミ ック接触の維持、クラック発生の抑制、良好 な結晶性の維持の点で好ましい。n型不純物� �しては、特に限定されないが、例えば、Si、 GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよび Geである。成長温度は下地層14aと同様である� ��

 下地層14a及びn型コンタクト層14bを構成す る窒化ガリウム系化合物半導体は同一組成で あることが好ましく、これらの合計の膜厚を 1~20μm、好ましくは2~15μm、さらに好ましくは3 ~12μmの範囲に設定することが好ましい。膜厚 がこの範囲であると、半導体の結晶性が良好 に維持される。

「n型クラッド層14c」
 n型コンタクト層14bと後述の発光層15との間� ��は、n型クラッド層14cを設けることが好まし い。n型クラッド層14cを設けることにより、n� ��コンタクト層14bの最表面に生じた平坦性の� ��化を改善することできる。n型クラッド層14c はAlGaN、GaN、GaInN等によって形成することが� �能である。また、これらの構造のヘテロ接� �や複数回積層した超格子構造としてもよい� �GaInNとする場合には、発光層15のGaInNのバン� �ギャップよりも大きくすることが望ましい� �とは言うまでもない。

 n型クラッド層14cの膜厚は、特に限定されな いが、好ましくは5~500nmの範囲であり、より� �ましくは5~100nmの範囲である。
 また、n型クラッド層14cのn型ドープ濃度は1� �10 ¹⁷ ~1×10 ²⁰ /cm ³ の範囲が好ましく、より好ましくは1×10 ¹⁸ ~1×10 ¹⁹ /cm ³ の範囲である。ドープ濃度がこの範囲である と、良好な結晶性の維持および発光素子の動 作電圧低減の点で好ましい。

<発光層15>
 発光層15は、n型半導体層14上に積層される� �ともにp型半導体層16がその上に積層される� �であり、図1及び図3に示すように、窒化ガリ ウム系化合物半導体からなる障壁層15aと、イ ンジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半 導体からなる井戸層15bとが交互に繰り返して 積層され、且つ、n型半導体層14側及びp型半� �体層16側に障壁層15aが配される順で積層して 形成される。
 また、図3に示す例では、発光層15は、6層の 障壁層15aと5層の井戸層15bとが交互に繰り返� �て積層され、発光層15の最上層及び最下層に 障壁層15aが配され、各障壁層15a間に井戸層15b が配されている。

 障壁層15aとしては、例えば、インジウムを� ��有した窒化ガリウム系化合物半導体からな� ��井戸層15bよりもバンドギャップエネルギー� ��大きいAl _c Ga _1-c N(0≦c<0.3)等の窒化ガリウム系化合物半導体 を、好適に用いることができる。また、井戸 層15bには、インジウムを含有する窒化ガリウ ム系化合物半導体として、例えば、Ga _1-s In _s N(0<s<0.4)等の窒化ガリウムインジウムを� �いることができる。

 また、発光層15全体の膜厚としては、特� �限定されないが、量子効果の得られる程度� �膜厚、即ち臨界膜厚が好ましい。例えば、� �光層15の膜厚は、1~500nmの範囲であることが� �ましく、100nm前後の膜厚であればより好まし い。膜厚が上記範囲であると、発光出力の向 上に寄与する。

<p型半導体層16>
 p型半導体層16は、通常、p型クラッド層16a及 びp型コンタクト層16bから構成される。しか� �、p型コンタクト層16aがp型クラッド層16bを兼 ねてもよい。

「p型クラッド層16a」
 p型クラッド層16aとしては、発光層15のバン� ��ギャップエネルギーより大きくなる組成で� ��り、発光層15へのキャリアの閉じ込めがで� �るものであれば特に限定されないが、好ま� �くは、Al _d Ga _1-d N(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが� �げられる。p型クラッド層16aが、このようなA lGaNからなると、発光層15へのキャリアの閉じ 込めの点で好ましい。p型クラッド層16aの膜� �は、特に限定されないが、好ましくは1~400nm� ��あり、より好ましくは5~100nmである。p型ク� �ッド層16aのp型ドープ濃度は、1×10 ¹⁸ ~1×10 ²¹ /cm ³ が好ましく、より好ましくは1×10 ¹⁹ ~1×10 ²⁰ /cm ³ である。p型ドープ濃度が上記範囲であると� �結晶性を低下させることなく良好なp型結晶� ��得られる。

「p型コンタクト層16b」
 p型コンタクト層16bとしては、少なくともAl _e Ga _1-e N(0≦e<0.5、好ましくは0≦e≦0.2、より好ま� �くは0≦e≦0.1)を含んでなる窒化ガリウム系� �合物半導体層である。Al組成が上記範囲であ ると、良好な結晶性の維持およびpオーミッ� �電極(後述の透光性電極17を参照)との良好な� ��ーミック接触の点で好ましい。
 また、p型ドーパントを1×10 ¹⁸ ~1×10 ²¹ /cm ³ の範囲の濃度で含有していると、良好なオー ミック接触の維持、クラック発生の防止、良 好な結晶性の維持の点で好ましく、より好ま しくは5×10 ¹⁹ ~5×10 ²⁰ /cm ³ の範囲である。p型不純物としては、特に限� �されないが、例えば、好ましくはMgが挙げら れる。
 p型コンタクト層16bの膜厚は、特に限定され ないが、10~500nmが好ましく、より好ましくは5 0~200nmである。膜厚がこの範囲であると、発� �出力の点で好ましい。

[透光性正極17]
 透光性正極17は、積層半導体10のp型半導体� �16上に形成される透光性の電極である。透光 性正極17の材質としては、特に限定されず、I TO(In ₂ O ₃ -SnO ₂ )、AZO(ZnO-Al ₂ O ₃ )、IZO(In ₂ O ₃ -ZnO)、GZO(ZnO-GeO ₂ )等の材料を、この技術分野でよく知られた� �用の手段で設けることができる。また、そ� �構造も、従来公知の構造を含めて如何なる� �造のものも何ら制限なく用いることができ� �。

 透光性正極17は、Mgドープp型半導体層16上 のほぼ全面を覆うように形成しても構わない し、隙間を開けて格子状や樹形状に形成して も良い。透光性正極17を形成した後に、合金� ��や透明化を目的とした熱アニールを施す場� ��もあるが、施さなくても構わない。

[正極ボンディングパッド18]
 正極ボンディングパッド18は、上述の透光� �正極17上に形成される電極である。
 正極ボンディングパッド18の材料としては� �Au、Al、NiおよびCu等を用いた各種構造が周知 であり、これら周知の材料、構造のものを何 ら制限無く用いることができる。また、正極 ボンディングパッド18の厚さは、100~1,000nmの� �囲内であることが好ましい。また、ボンデ� �ングパッドの特性上、厚さが大きい方がボ� �ダビリティーが高くなるため、正極ボンデ� �ングパッド18の厚さは300nm以上とすることが� ��り好ましい。さらに、製造コストの観点か� ��500nm以下とすることが好ましい。

[負極ボンディングパッド19]
 負極ボンディングパッド19は、基板11上に、 n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16が� ��次積層された半導体層において、n型半導体 層14のn型コンタクト層14bに接するように形成 される。このため、負極ボンディングパッド 19を形成する際は、p型半導体層16、発光層15� �びn型半導体層14の一部を除去してn型コンタ� ��ト層14bの露出領域14dを形成し、この上に負� ��ボンディングパッド19を形成する。
 負極ボンディングパッド19の材料としては� �各種組成および構造の負極が周知であり、� �れら周知の負極を何ら制限無く用いること� �でき、この技術分野でよく知られた慣用の� �段で設けることができる。

『III族窒化物半導体発光素子の製造方法』
 次に、上記発光素子1の製造方法について説 明する。上記発光素子1の製造方法は、基板11 上に中間層12を形成する工程(中間層形成工程 )と、中間層12上に、下地層14aを有するn型半� �体層14、発光層15、及びp型半導体層16を順次� ��層する積層半導体形成工程とから概略構成� ��れている。また、中間層形成工程と積層半� ��体形成工程との間には、中間層12に対して� �ラズマ処理を行う前処理工程が備えられ、� �つ、積層半導体形成工程に含まれる下地層14 aの形成工程がスパッタ成膜工程とされてい� �。

 上記発光素子1の製造方法は、基板11上に、I II族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長� ��せて積層半導体10を得る際、スパッタ成膜� �程によってIII族窒化物よりなる下地層14aを� �間層12上に成膜するための前工程として、上 記前処理工程が備えられ、この前処理工程に おいて中間層12に対してプラズマ処理を行う� ��のである。中間層12に対してプラズマ処理� �行うことにより、層にボイドを生じること� �く、結晶性の良好なIII族窒化物半導体で形� �された積層半導体10を効率良く成長させるこ とができる。
 以下、各工程について順次説明する。

[中間層形成工程]
 中間層形成工程では、まず基板11を用意す� �。基板11は、洗浄等の前処理を施してから使 用することが望ましい。基板11の前処理とし� ��は、例えば、基板11としてシリコンからな� �基板11を用いる場合には、よく知られたRCA洗 浄方法などの湿式の方法を行いて、表面を水 素終端させておく方法を用いることができる 。このことにより、成膜プロセスが安定する 。また、基板11の前処理は、例えば、スパッ� ��装置のチャンバ内に基板11を配置し、中間� �12を形成する前に基板11の表面11aを逆スパッ� ��する方法によって行ってもよい。具体的に� ��、チャンバ内において、基板11をArやN ₂ のプラズマ中に曝す事によって表面を洗浄す る前処理を行なうことができる。ArガスやN ₂ ガスなどのプラズマを基板11の表面11aに作用� ��せることで、基板11の表面11aに付着した有� �物や酸化物を除去することができる。この� �合、ターゲットにパワーを印加せずに、基� �11とチャンバとの間に電圧を印加すれば、プ ラズマ粒子が効率的に基板11に作用する。

 そして、基板11に前処理を行なった後に、� �板11上にスパッタ法により、III族窒化物によ り中間層12を形成する。III族窒化物からなる� ��間層12をスパッタ法で形成する場合、一般� �III族金属をターゲットにし、スパッタ装置� �チャンバ(第1のチャンバ)内に窒素を含むガ� �(N ₂ ガスなど)を導入し、気相中でIII族金属と窒� �とを反応させるリアクティブスパッタ法を� �いる。スパッタ法としては、RFスパッタを用 いてもよいし、DCスパッタを用いてもよい。� ��アクティブスパッタ法を用いた場合には、� ��続的に放電させるDCスパッタでは帯電が激� �く、成膜レートのコントロールが困難であ� �。このため、RFスパッタを用いることや、パ ルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ� ��用いることが望ましい。また、RFスパッタ� �用いた場合には、帯電を回避するために、� �グネットの位置をターゲット内で移動させ� �ことが望ましい。具体的なマグネットの移� �は、装置により選択することができ、揺動� �せたり、回転運動させたりすることができ� �。

 また、スパッタ法によって中間層12を形成� �る際には、高エネルギーの反応種を基板に� �給することが望ましい。このため、第1のチ� ��ンバ内のプラズマ中に基板が位置されると� ��もに、ターゲットと基板とが対面するよう� ��基板が位置されることが望ましい。また、� ��板とターゲットとの距離は10mm~100mmの範囲と することが望ましい。また、第1のチャンバ� �には、不純物がないことが望ましいため、� �1のチャンバ内の到達真空度は1.0×10 ^-3 Pa以下であることが望ましい。

 スパッタ装置のチャンバ(第1のチャンバ)内� ��雰囲気には、窒素(N ₂ )ガスが含まれることが好ましい。窒素ガス� �、チャンバ内でプラズマ化されて分解し、� �晶成長の原料となる。なお、本発明におい� �は、窒素ガスに代えて、アンモニアや窒素� �合物など、活性ガスとして用いることがで� �る窒化物原料ガスを何ら制限されることな� �用いることができる。
 また、第1のチャンバ内の雰囲気ガスは、タ ーゲットを効率よくスパッタするために、窒 素ガス以外の残部を、アルゴン(Ar)などの重� �て反応性の低い不活性ガスとする。
 窒素と不活性ガスとの流量に対する窒素流� ��の比は、窒素が20%~98%であることが望ましい 。窒素が20%より少ない流量比ではスパッタ金 属が金属のまま付着するし、98%を超えるとス パッタ速度が低下する。なお、残部の不活性 ガスには水素ガス(H ₂ )などのガスが含まれていても良い。

 成膜速度は、0.01nm/s~10nm/sの範囲とすること� ��好ましい。成膜速度が0.01nm/s未満だと、成� �プロセスが長時間となってしまい、工業生� �的に無駄が大きくなる。また、成膜速度が10 nm/sを超えると、形成された膜が結晶体とな� �ずに非晶質となり、良好な膜を得ることが� �難となる。
 中間層12の形成時の基板温度は、室温~800℃� ��することができ、300~800℃であることが望ま しい。基板11の温度が上記下限未満だと、基� ��11上でのマイグレーションが抑制され、結� �性の良い中間層12を成膜できない場合がある 。また、基板11の温度が上記上限を超えると� ��中間層12の結晶が分解する虞がある。

 結晶成長時のマイグレーションを活発にす� ��ために、基板側にかかるバイアス、および� ��ーゲット側にかかるパワーは大きいほうが� ��い。例えば、成膜時の基板にかけるバイア� ��を1.5W/cm ² 以上とすることが好ましい。また、成膜時に ターゲットに印加するパワーを1.5W/cm ² ~5kW/cm ² の範囲とすることが好ましい。ターゲットに 印加するパワーを上記範囲とすることで、大 きなパワーの反応種を生成でき、この反応種 を高い運動エネルギーで基板へ供給できる。 このことにより、基板上におけるマイグレー ションが活発になる。

 チャンバ内の圧力は、0.3Pa以上とするこ� �が好ましい。チャンバ内の圧力を0.3Pa未満と すると、窒素の存在量が小さくなり過ぎ、ス パッタされた金属が窒化物とならない状態で 基板上に付着する虞がある。また、チャンバ 内の圧力の上限は特に限定されないが、プラ ズマを発生させることができる程度の圧力に 抑制することが必要である。

 III族窒化物からなる中間層12をスパッタ法� �形成する場合、第1のチャンバに備えられる� ��ーゲットを構成するIII族金属の組成を所望� ��値に調整することにより、形成されるIII族� ��化物の組成をコントロールすることができ� ��。例えば、AlN層を形成する場合にはターゲ� ��トとしてAl金属を用いればよく、AlGaN層を形 成する場合にはターゲットとしてAlGa合金を� �いればよい。
 なお、n型半導体層14、発光層15、p型半導体� ��16の各層をスパッタ法で形成する場合には� �ターゲットを各層毎に変更する必要がある� �従って、形成する層の種類に対応した数だ� �、ターゲットの配置されたチャンバを有す� �スパッタ装置を用意しておき、層毎にスパ� �タ装置を変えて形成すればよい。

 中間層12の形成後、積層半導体10を更に形 成するためには、AlまたはAlGa合金からなるタ ーゲットが備えられた第1のチャンバから、� �のIII族金属からなるターゲットが備えられ� �別のチャンバに、中間層12形成後の基板11を� ��動させる必要がある。この移動の際には、� ��板11を第1のチャンバから取り出す必要があ� ��。取り出す際には、基板11をそのまま大気� �に暴露させてもよく、不活性ガスを充填し� �移動式の容器に基板11を移し、基板11が大気� ��触れないようにしてもよいが、本実施形態� ��は後述するように前処理工程を行うため、� ��板11をそのまま大気中に暴露させることが� �きる。

[前処理工程]
 次に、前処理工程では、中間層12の表面に� �してプラズマ処理を行う。プラズマ処理と� �ては例えば、窒素、アルゴン等、活性なプ� �ズマ種を発生するガスを含むプラズマ中で� �間層12の表面を暴露させることが好ましい。 中でも、窒素ガスを含むプラズマに暴露させ ることが特に好適である。また、本実施形態 の前処理工程におけるプラズマ処理は、逆ス パッタとすることが好適である。
 本実施形態の前処理工程では、基板11とチ� �ンバとの間に電圧を印加することにより、� �ラズマ粒子が効率的に中間層12に作用する。

 中間層12にプラズマ処理を行うための前処� �ガスは、一種類のみの成分からなるガスで� �成しても良いし、また、数種類の成分のガ� �を混合した構成のものを用いても良い。
 具体的には、窒素、アルゴン、または窒素� ��アルゴンとの混合ガスのいずれかを含有す� ��前処理ガスを用いることが好ましく、窒素� ��含有する前処理ガスを用いることがより好� ��しい。中でも、窒素等の原料ガスの分圧が� ��1×10 ^-2 ~10Paの範囲であることが好ましく、0.1~5Paの範 囲であることが更に好ましい。原料ガスの分 圧が高すぎると、プラズマ粒子の持つエネル ギーが低下し、中間層12の前処理効果が低下� ��る。また、上記分圧が低すぎると、プラズ� ��粒子の持つエネルギーが高すぎ、中間層12� �ダメージを与えてしまうことがある。

 プラズマ処理による前処理を行う時間は� ��30秒から7,200秒(2時間)の範囲が好ましく、30� ��から3,600秒(1時間)の範囲であることがより� �ましい。処理時間が上記範囲よりも短いと� �プラズマ処理による効果が得られないこと� �言うまでもないが、上記範囲より長い場合� �特段に特性が良くなるということはなく、� �えって稼働率を低下させる虞がある。プラ� �マ処理による前処理を行なう時間は、更に� �ましくは60秒(1分)から1,800秒(30分)の範囲であ る。

 プラズマ処理を行う際の温度としては、2 5~1,000℃の範囲であることが好ましい。処理� �度が低すぎると、プラズマ処理を行ったと� �ても効果が充分に発揮されず、また、処理� �度が高すぎると、基板表面にダメージを残� �ことがあり、さらに好ましくは、400℃~900℃� ��範囲である。

 本実施形態の前処理工程において、プラ� ��マ処理で用いるチャンバ(第2のチャンバ)は� ��後述のスパッタ工程において下地層14aを成� ��する際に用いるチャンバと同じものを用い� ��も良いし、別のチャンバを用いても良い。� ��処理工程で用いるチャンバ、及びスパッタ� ��程で用いるチャンバを共通の構成とすれば� ��製造設備をコストダウンすることができる� ��で好適であり、また、下地層14aの成膜に用� ��る条件で、プラズマ処理として逆スパッタ� ��行なう場合、スパッタ条件の変更に要する� ��間をロスすることが無いので、稼働率が向� ��する。

 また、前処理時において、前処理ガスの導� ��前の第2のチャンバ内の到達真空度は、1.0×1 0 ^-4 Pa以下が好ましい。これにより、第2のチャン バ内の残存酸素分圧が5.0×10 ^-5 Pa以下、好ましくは2.0×10 ^-6 Pa以下となり、中間層12の上面における酸化� �の生成を防止できる。

 本実施形態の前処理工程では、プラズマ� ��理に用いるプラズマをRF放電によって発生� �せることが好ましい。プラズマをRF放電によ って発生させることにより、絶縁体からなる 基板に対しても、プラズマ処理によって前処 理を施すことが可能となる。また、基板には 、50mm径の基板1枚当たり1~200W、好ましくは10W~ 100Wのバイアスを印加することが好ましい。� �れにより、中間層に対する前処理を効率良� �行うことができる。なお、中間層12に施す前 処理は、湿式の方法を併せて採用することも できる。

 本実施形態では、前処理工程において中間� ��12に対してプラズマ処理を行なった後、後� �するスパッタ工程においてIII族窒化物から� �る下地層14aを積層し、該中間層12上に下地層 14aが備えられたn型半導体層14を形成すること により、後述の実施例に示すように、中間層 表面にダメージ層を生じることによる下地層 のボイドを生じることがなく、また、III族窒 化物半導体の結晶性が向上し、発光素子の発 光特性が高まる。
 中間層12に対してプラズマ処理を行なうこ� �により、上述の効果が得られるメカニズム� �明らかでは無い。しかしながら、考えられ� �一例として、大気に曝されるなどして中間� �12表面に発生したコンタミ等や変質層やダメ ージ層などがプラズマ処理、例えば、逆スパ ッタによって除去されることにより、本来の 特性を有する中間層12の表面が露出すること� ��挙げられる。

[積層半導体形成工程]
 次に、積層半導体形成工程では、下地層14a� ��含むn型半導体層14、発光層15、及びp型半導� ��層16を順次積層する。n型半導体層14、発光� �15及びp型半導体層16を形成するには、MOCVD法� ��MBE法スパッタ法などの手法を用いることが� ��きるが、n型半導体層14の下地層14aを形成す� ��場合にはスパッタ法を用いる。以下、下地� ��14aの形成工程について説明する。

<下地層14aの形成工程>
 下地層14aの形成工程では、スパッタ法を用� ��て中間層12上に下地層14aを成膜する。具体� �には、例えば、金属原料とV族元素を含んだ� ��スとをプラズマで活性化して反応させるこ� ��により、下地層14aを成膜する。

 また、スパッタ法では、磁場内にプラズ� ��を閉じ込めることによってプラズマ密度を� ��くし、効率を向上させる技術が一般的に用� ��られており、マグネットの位置を移動させ� ��ことにより、スパッタされるターゲットの� ��内での均一化が可能となる。具体的なマグ� ��ットの運動方法は、スパッタ装置によって� ��宜選択することができ、例えば、マグネッ� ��を揺動させたり、又は回転運動させたりす� ��ことができる。

 図5に示すRFスパッタ装置40では、金属タ� �ゲット47の下方にマグネット42が配され、該� ��グネット42が図示略の駆動装置によって金� �ターゲット47の下方で揺動する。チャンバ41� ��は窒素ガス、及びアルゴンガスが供給され� ��ヒータ44に取り付けられた基板11上に形成さ れた中間層12上に、下地層が成膜される。

 また、スパッタ法を用いて下地層14aを成膜� ��る場合の重要なパラメータとしては、基板� ��度、炉内の圧力、および窒素分圧が挙げら� ��る。
 スパッタ法を用いて下地層14aを成膜する際� ��炉内の圧力は、0.3Pa以上であることが好ま� �い。この炉内の圧力が0.3Pa未満だと、窒素の 存在量が小さく、スパッタされた金属が窒化 物とならずに基板11に付着する虞がある。こ� ��炉内の圧力の上限は特に限定されないが、� ��ラズマを発生させることができる程度の圧� ��に抑制することが必要である。

 また、窒素(N ₂ )とArとを合わせた流量における窒素の比は、 20%以上80%以下であることが好ましい。窒素の 流量比が20%未満だと、スパッタ金属が窒化物 とならず、金属のまま基板11に付着する虞が� ��る。窒素の流量比が80%を超えると、Arの量� �相対的に少なくなり、スパッタレートが低� �してしまう。窒素(N ₂ )とArとを合わせた流量における窒素の比は、 特に好ましくは、50%以上80%以下の範囲である 。

 また、下地層14aを成膜する際の成膜レー� ��は、0.01nm/s~10nm/sの範囲とすることが好まし� ��。成膜レートが0.01nm/s未満だと、膜が層と� �らずに島状に成長してしまい、中間層12の表 面を覆うことができなくなる虞がある。成膜 レートが10nm/sを超えると、膜が結晶体となら ずに非晶質となってしまう場合がある。

 なお、下地層14aをスパッタ法で成膜する際� ��V族原料をリアクタ内に流通させるリアクテ ィブスパッタ法によって成膜する方法とする ことが好ましい。
 一般に、スパッタ法においては、ターゲッ� ��材料の純度が高い程、成膜後の薄膜の結晶� ��等の膜質が良好となる。下地層14aをスパッ� ��法によって成膜する場合、原料となるター� ��ット材料としてIII族窒化物半導体を用い、A rガス等の不活性ガスのプラズマによるスパ� �タを行なうことも可能である。特に、リア� �ティブスパッタ法においてターゲット材料� �用いるIII族金属単体並びにその混合物は、II I族窒化物半導体と比較して高純度化が可能� �ある。このため、リアクティブスパッタ法� �は、成膜される下地層14aの結晶性をより向� �させることが可能となる。

 下地層14aを成膜する際の基板11の温度は� �300~800℃の範囲とすることが好ましく、400~800 ℃の範囲とすることがより好ましい。基板11� ��温度が上記下限未満だと、下地層14aが中間� ��12全面を覆うことができず、中間層12表面が 露出する虞がある。

 スパッタ法を用いて金属原料をプラズマ� ��し、中間層として混晶を成膜する際には、� ��ーゲットとなる金属を予め金属材料の混合� ��(必ずしも、合金を形成していなくても構わ ない)として作製する方法もあるし、異なる� �料からなる2つのターゲットを用意して同時� ��スパッタする方法としても良い。例えば、� ��定の組成の膜を成膜する場合には混合材料� ��ターゲットを用い、組成の異なる何種類か� ��膜を成膜する場合には複数のターゲットを� ��ャンバ内に設置すれば良い。

 本実施形態で用いる窒素原料としては、一� ��に知られている窒素化合物を何ら制限され� ��ことなく用いることができるが、アンモニ� ��や窒素(N ₂ )は取り扱いが簡単であるとともに、比較的� �価で入手可能であることから好ましい。ア� �モニアは分解効率が良好であり、高い成長� �度で成膜することが可能であるが、反応性� �毒性が高いため、除害設備やガス検知器が� �要となり、また、反応装置に使用する部材� �材料を化学的に安定性の高いものにする必� �がある。
 また、窒素(N ₂ )を原料として用いた場合には、装置として� �簡便なものを用いることができるが、高い� �応速度は得られない。しかしながら、窒素� �電界や熱等により分解してから装置に導入� �る方法とすれば、アンモニアよりは低いも� �の工業生産的に利用可能な程度の成膜速度� �得ることができるため、装置コストとの兼� �合いを考えると、最も好適な窒素源である� �

 また、成膜材料源が、大きな面積の発生� ��から生じる構成とし、且つ、材料の発生位� ��を移動させることにより、基板を移動させ� ��に基板全面に成膜する方法としても良い。� ��のような方法としては、上述したように、� ��グネットを揺動させたり又は回転運動させ� ��りすることにより、カソードのマグネット� ��位置をターゲット内で移動させつつ成膜す� ��、RFスパッタ法が挙げられる。また、この� �うなRFスパッタ法で成膜を行なう場合、基板 側とカソード側との両方を移動させる方法と しても良い。さらに、材料の発生源であるカ ソードを基板近傍に配することにより、発生 するプラズマを基板に対してビーム状に供給 するのではなく、基板を包み込むように供給 するような構成とすれば、基板表面及び側面 の同時成膜が可能となる。

 なお、プラズマを発生させる方法として� ��、本実施形態のような特定の真空度で高電� ��をかけて放電するスパッタ法の他、高いエ� ��ルギー密度のレーザを照射してプラズマを� ��生させるパルスレーザーデポジション(PLD)� �、電子線を照射させることでプラズマを発� �させるパルス電子線堆積(PED)法等、幾つかの 方法がある。この中でも、スパッタ法が最も 簡便で量産にも適しているため、好適な方法 と言える。なお、DCスパッタを用いる場合、� ��ーゲット表面のチャージアップを招き、成� ��速度が安定しない可能性があるので、パル� ��DCとするか、上述のようなRFスパッタ法とす ることが望ましい。

<その他の工程>
 下地層14aの形成後、n型コンタクト層14b及び n型クラッド層14cを積層してn型半導体層14を� �成する。n型コンタクト層14b及びn型クラッド 層14cは、スパッタ法で形成してもよく、MOCVD� ��で形成してもよい。
 プラズマ処理後の中間層12上に、下地層14a� �らn型クラッド層14cを順次積層することで、n 型クラッド層14cの上面が、表面粗さが比較的 小さな面となる。これにより、発光層15を安� ��してエピタキシャル成長させることができ� ��発光特性に優れた発光層15の形成が可能に� �る。

 発光層15の形成は、スパッタ法、MOCVD法のい ずれの方法でもよいが、特にMOCVD法が好まし� ��。具体的には、窒化ガリウム系化合物半導� ��からなる障壁層15aと、インジウムを含有す� ��窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸� ��15bとが交互に繰り返して積層し、且つ、n型 半導体層14側及びp型半導体層16側に障壁層15a� ��配される順で積層すればよい。
 また、p型半導体層16の形成は、スパッタ法� ��MOCVD法のいずれの方法でもよい。具体的に� �、p型クラッド層16aと、p型コンタクト層16bと を順次積層すればよい。

 その後、p型半導体層16上に透光性正極17を� �層する。また、積層半導体10の一部をエッチ ングしてn型コンタクト層14bの一部を露出さ� �、露出させた部分に負極ボンディングパッ� �19を形成し、透光性正極17の上には正極ボン� ��ィングパッド18を形成する。
 このようにして、図1および図2に示す発光� �子1が製造される。

 以上説明したように、上記III族窒化物半� ��体発光素子1の製造方法によれば、基板11上� ��製膜した中間層12に対してプラズマ処理す� �前処理工程を備え、該前処理工程に次いで� �中間層12上に下地層14aをスパッタ法によって 成膜する工程が備えられた構成とすることに より、基板11表面に高い均一性および稠密性� ��備えた結晶構造を有する下地層14aが成膜さ� ��る。従って、基板11上に結晶性の良好なIII� �窒化物半導体を効率良く成長させることが� �き、生産性に優れるとともに、優れた発光� �性を備えたIII族窒化物半導体発光素子1を得� ��ことができる。

 上述したように、中間層12に逆スパッタ� �施すことにより、上述の効果が得られるメ� �ニズムは明らかでは無い。しかしながら、� �えられる一例として、中間層12表面に付着し たコンタミ等がプラズマガスに曝され、化学 反応で除去されることにより、中間層12と下� ��層14aとの界面が清浄化され、結晶成長が生� ��ない領域がなくなることが挙げられる。

 なお、本実施形態で説明する中間層並び� ��下地層の構成は、III族窒化物半導体発光素� ��に限定されるものでは無く、例えば格子定� ��が近い材料同士を用いて成膜等を行なう際� ��、高温下において原料ガスと基板とが反応� ��る虞がある場合、何ら制限されること無く� ��用することが可能である。

『ランプ』
 以上説明したような、本発明に係るIII族窒� ��物半導体発光素子1と蛍光体とを組み合わせ ることにより、当業者周知の手段によってラ ンプを構成することができる。従来より、発 光素子1と蛍光体とを組み合わせることによ� �て発光色を変える技術が知られており、こ� �ような技術を何ら制限されることなく採用� �ることが可能である。
 例えば、蛍光体を適正に選定することによ� ��、発光素子より長波長の発光を得ることも� ��能となり、また、発光素子自体の発光波長� ��蛍光体によって変換された波長とを混ぜる� ��とにより、白色発光を呈するランプとする� ��ともできる。
 また、ランプとしては、一般用途の砲弾型� ��携帯のバックライト用途のサイドビュー型� ��表示器に用いられるトップビュー型等、何� ��の用途にも用いることができる。

 例えば、図4に示す例のように、同一面電 極型のIII族窒化物半導体発光素子1を砲弾型� �実装する場合には、2本のフレームの内の一� ��(図4ではフレーム21)に発光素子1を接着し、� ��た、発光素子1の負極(図3に示す符号19参照)� ��ワイヤー24でフレーム22に接合し、発光素子 1の正極ボンディングパッド(図3に示す符号18� ��照)をワイヤー23でフレーム21に接合する。� �して、透明な樹脂からなるモールド25で発光 素子1の周辺を封止することにより、図4に示� ��ような砲弾型のランプ2を作成することがで きる。

 また、本発明に係るIII族窒化物半導体は� ��上述の発光素子の他、レーザ素子や受光素� ��等の光電気変換素子、又はHBTやHEMT等の電子 デバイスなどに用いることができる。