Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
PROCESS FOR PRODUCING METAL NANOWIRE, AND DISPERSION AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM COMPRISING THE PRODUCED METAL NANOWIRE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/107694
Kind Code:
A1
Abstract:
Disclosed is a process for producing a metal nanowire that is less likely to cause entangling. Also disclosed is a transparent electroconductive film using the metal nanowire. The process for producing a metal nanowire comprises the step of subjecting a dispersion containing a crude metal nanowire dispersed therein to cross flow filtration. The metal nanowire is preferably a silver nanowire, more preferably a silver nanowire prepared by a polyol reduction method. Further, preferably, the cross flow filtration is internal pressure circulation filtration using a hollow fiber membrane. More preferably, the internal pressure circulation filtration using the hollow fiber membrane uses a hollow fiber membrane having a pore diameter of not less than 0.5 μm.

Inventors:
KITANO, Takahiro (41, Miyukigaoka, Tsukuba-sh, Ibaraki 41, 30508, JP)
Application Number:
JP2009/053489
Publication Date:
September 03, 2009
Filing Date:
February 26, 2009
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
KURARAY CO., LTD. (1621, Sakazu Kurashiki-sh, Okayama 01, 71008, JP)
株式会社クラレ (〒01 岡山県倉敷市酒津1621番地 Okayama, 71008, JP)
International Classes:
B82B3/00; B01D61/14; B01D63/02; B82B1/00; H01B5/14; H01B13/00
Download PDF:
Claims:
粗金属ナノワイヤが分散した分散液をクロスフローろ過する工程を含むことを特徴とする金属ナノワイヤの製造方法。
金属ナノワイヤが銀ナノワイヤであることを特徴とする請求項1記載の金属ナノワイヤの製造方法。
銀ナノワイヤがポリオール還元法によって作製されたものであることを特徴とする請求項2記載の金属ナノワイヤの製造方法。
クロスフローろ過法が中空糸膜を用いた内圧型循環ろ過法であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の金属ナノワイヤの製造方法。
中空糸膜の孔径が0.5μm以上であることを特徴とする請求項4記載の金属ナノワイヤ製造方法。
中空糸膜を用いた内圧型循環ろ過において、粗金属ナノワイヤが分散した分散液の流速が線速度で50mm/秒以上500mm/秒以下であることを特徴とする請求項4または5に記載の金属ナノワイヤの製造方法。
クロスフローろ過法において用いられる、粗金属ナノワイヤが分散した分散液の分散溶媒がメチルアルコール、エチルアルコール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノールのいずれかであることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の金属ナノワイヤの製造方法。
得られた金属ナノワイヤの短軸方向の長さが10nm以上500nm以下、かつ長軸方向の長さが1μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の製造方法。
得られた金属ナノワイヤの長軸方向の長さを2μm単位で度数分布表示したときに最頻値が4μm以上20μm以下であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の製造方法。
請求項1~9のいずれか1項に記載の製造方法によって得られた金属ナノワイヤが分散溶媒に分散させられて得られる分散液であって、固形分濃度が0.1質量%以上20質量%以下である金属ナノワイヤの分散液。
分散溶媒がメチルアルコール、エチルアルコール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、水、エチレングリコールから選ばれる単一あるいは混合溶媒であることを特徴とする請求項10に記載の分散液。
請求項1~9のいずれか1項に記載の金属ナノワイヤの製造方法によって得られた金属ナノワイヤからなる透明導電層を含む透明導電膜。
透明導電層を構成する複数の金属ナノワイヤ同士の交点部分が接合されていることを特徴とする請求項12に記載の透明導電膜。
前記交点部分の接合が圧着によりされている請求項13に記載の透明導電膜。
前記交点部分の接合がメッキによりされている請求項13に記載の透明導電膜。
Description:
金属ナノワイヤの製造方法並び 得られた金属ナノワイヤよりなる分散液お び透明導電膜

 本発明は金属ナノワイヤの製造方法に関 るものであり、より詳しくはクロスフロー 過法により不純物を取り除く工程を含む金 ナノワイヤの製造方法である。また、得ら た金属ナノワイヤが分散した分散液および 金属ナノワイヤからなる透明導電膜である

 近年液晶ディスプレイやプラズマディス レイの利用が増えており、これらのデバイ に必須の部材である透明電極膜の需要も増 ている。従来透明電極等に用いられる透明 電膜はスパッタリング法などの乾式コーテ ングが主流であった。しかしながらこれら 方法はバッチ式のため製造コストが高く、 続生産可能な製造方法が望まれている。ま 、コーティング時に高温が必要であり、プ スチックフィルムなどの樹脂基板を使用す ことができないという欠点があった。

 この問題を解決する方法として湿式コー ィングが考えられ、材料候補の1つとして貴 金属微粒子を用いたネットワーク構造が提案 されている(特許文献1および2)。

 しかしながら特許文献1に開示された方法 は、真空系での蒸着工程が必須であり、また 、金属の蒸着処理の前に基板に前処理を施す 必要があるため製造コストが高くなるという 問題点がある。

 一方、特許文献2の方法はスピンコートな どの湿式コートが可能であり、連続で作製で きるという優れた方法であるが、焼成工程が 必須であるためプラスチック基板が使えない という問題点がある。

 さらに、いずれの方法も金属微粒子を数 上につなげて配線を構成しており、ネット ークの形状は不定形である。このため、あ 2点間に配線を構成するときにおいて不必要 な部分にも配線が伸びてしまい、結果として 全光線透過率の低い透明導電膜しか得られな いという課題が残されていた。

 そこで本発明者は、上記課題を解決すべく 属ナノワイヤを用いた透明導電膜について たに発明した(特許文献3)。
 金属ナノワイヤの製造方法にはいくつかあ が、ポリオール還元による製造方法も有力 方法の1つである。非特許文献1にポリオー 還元による銀ナノワイヤの製造方法が開示 れている。この方法は非常に有効な金属ナ ワイヤの製造方法の1つであるが、副生成物 して発生する銀微粒子を分離する方法とし 遠心分離を採用している。遠心分離によっ 金属ナノワイヤを沈殿物として回収する方 は回収するには便利な方法であるが、透明 電膜を作製するためには一旦固体状態で回 した銀ナノワイヤを再び溶媒に分散しなけ ばならない。

 ところが、一旦固体状態で回収した銀ナ ワイヤはお互いに絡みあっており、容易に ぐれず、銀ナノワイヤの分散液を作ること 困難であった。

国際特許出願公開2003/016209公報

国際特許出願公開2003/068674公報

特願2007-236948号明細書

特開2004-223693公報

特開2002-266007公報

米国特許出願公開2005-056118公報 Nano Letters 2003 Vol.3,No.5 6, 67-669

 従って本発明の課題は絡み合いの少ない 属ナノワイヤの製造方法及びこれを用いた 明導電膜を提供することである。

 そこで、本発明者は、鋭意検討した結果 クロスフローろ過法により不純物を取り除 工程を含むことによって絡み合いの少ない 属ナノワイヤが得られることを見出し、さ に検討を重ねた結果、上記課題を解決し得 透明導電膜を完成するに至った。

 すなわち上記課題を解決する本発明は、 金属ナノワイヤが分散した分散液をクロス ローろ過する工程を含む金属ナノワイヤの 造方法である。本発明において前記金属ナ ワイヤは銀ナノワイヤであることが好まし 、特に該銀ナノワイヤがポリオール還元法 よって作製されたものであることがより好 しい。

 本発明において、クロスフローろ過法が中 糸膜を用いた内圧型循環ろ過法であること 好ましく、特に中空糸膜を用いた内圧型循 ろ過法が、孔径が0.5μm以上の中空糸膜を用 ることがより好ましい。
 また、前記中空糸膜を用いた内圧型循環ろ において、粗金属ナノワイヤが分散した分 液の流速が線速度で50mm/秒以上500mm/秒以下 あることがより好ましい。
 さらに、前記クロスフローろ過法において いられる、粗金属ナノワイヤが分散した分 液の分散溶媒が、メチルアルコール、エチ アルコール、1-プロパノール、2-プロパノー ル、1-ブタノールのいずれかであることが好 しい。

 本発明により得られる金属ナノワイヤは、 の短軸方向の長さが10nm以上500nm以下、かつ 軸方向の長さが1μm以上100μm以下である。
 また本発明は、上記した製造方法によって られた金属ナノワイヤが分散溶媒に分散さ られて得られる分散液であって、固形分濃 が0.1質量%以上20質量%以下である金属ナノワ イヤの分散液である。特に前記分散溶媒が、 メチルアルコール、エチルアルコール、1-プ パノール、2-プロパノール、1-ブタノール、 水、エチレングリコールから選ばれる単一あ るいは混合溶媒であることが好ましい。

 また本発明は、上記した本発明の製造方 によって得られた金属ナノワイヤからなる 明導電層を含む透明導電膜であり、特に透 導電層を構成する複数の金属ナノワイヤ同 の交点部分が接合されているのが好ましい 前記交点部分の接合は、圧着によりされて るかまたはメッキによりされているのがよ 好ましい。

 本発明に係る金属ナノワイヤの製造方法は 属ナノワイヤ同士の絡まりが少ない金属ナ ワイヤを得ることができる。このため金属 ノワイヤのロスが少なく、高収率で製造で る。またスケールアップも容易である。ま 金属ナノワイヤの絡まりが少ないので金属 ノワイヤの絡まりが少ない分散液が容易に ることができる。このため高濃度の分散液 作ることができる。さらに分散液の溶媒の 更も容易に可能である。
 また金属ナノワイヤの絡まりが少ない分散 を利用できるので凝集塊が少なく、透過率 高い透明導電膜を得ることができる。

本発明で用いる層構成の例を示す図で る 本発明で用いる層構成の例を示す図で る 本発明で用いる層構成の例を示す図で る 本発明で用いる層構成の例を示す図で る。 実施例1で得られた銀ナノワイヤの走査 型顕微鏡観察結果である。 実施例1で得られた銀ナノワイヤの走査 型顕微鏡観察結果である。 実施例1で行った加圧方法の例を示す図 である。 比較例1で得られた透明導電膜の走査型 顕微鏡観察結果である。 実施例1および比較例1で得られた銀ナ ワイヤの長さ分布を比較した図である。

発明を実施するための形態

 本発明はクロスフローろ過法により不純 を取り除く工程を含むことを特徴とする金 ナノワイヤの製造方法である。

 本発明に用いる金属ナノワイヤの材質は 属である。金属の酸化物や窒化物等のセラ ックは含まない。具体的には鉄、コバルト ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウ 、パラジウム、銀、カドミウム、オスミウ 、イリジウム、白金、金が挙げられ、導電 の観点から銅、銀、白金、金が好ましく、 がより好ましい。

 本発明に用いる金属ナノワイヤの形状は 短軸方向の長さと長軸方向の長さの比(以下 、これをアスペクト比と称することがある。 )が10以上のものであれば特に制限はないが、 アスペクト比が大きすぎると取扱が困難とな るので上記比は10000以下が好ましく、1000以下 がより好ましい。

 特に、直線状金属ナノワイヤであること 好ましい。直線状金属ナノワイヤとは形状 棒状であることを意味し、分岐している形 や、粒子を数珠状に繋げた形状は含まない ただし金属ナノワイヤの剛性が低く、バナ 状に湾曲していたり、折れ曲がったりして る場合には直線状金属ナノワイヤに含むも とする。

 上記金属ナノワイヤの短軸方向の長さは1nm 上1μm以下が好ましく、10nm以上500nm以下がよ り好ましい。短軸方向の長さが大きすぎると 透過率が低下し、小さすぎると合成が困難と なるからである。長軸方向の長さは1μm以上1m m以下であることが好ましく、10μm以上100μm以 下であることがより好ましい。長軸方向の長 さが短すぎると導電性が低下し、長すぎると 取扱が困難となるからである。
 金属ナノワイヤの形状や大きさは走査型電 顕微鏡や透過型電子顕微鏡によって確認す ことができる。

 上記金属ナノワイヤは公知の方法によっ 合成することができる。例えば溶液中で硝 銀を還元する方法や、前駆体表面にプロー の先端部から印加電圧又は電流を作用させ ローブ先端部で金属ナノワイヤをひき出し 該金属ナノワイヤを連続的に形成する方法( 特許文献4)等が挙げられる。溶液中で硝酸銀 還元する方法としては具体的には金属複合 ペプチド脂質から成るナノファイバーを還 する方法(特許文献5)や、ポリオール還元と ばれる方法であって、エチレングリコール で過熱しながら還元する方法(特許文献6)、 エン酸ナトリウム中で還元する方法(非特許 文献1)等が挙げられる。中でも、エチレング コール中で過熱しながら還元する方法が最 容易に結晶性の高い金属ナノワイヤを入手 きるので好ましい。

 本発明におけるクロスフローろ過法とは 供給液を膜面に沿って流し、膜を透過する 過液が供給液とは垂直方向に流れるろ過方 を表す。具体的には平膜方式や中空糸膜方 が挙げられるが、スケールアップおよび取 扱いの容易性の観点から中空糸膜方式が好 しい。

 本発明において用いるろ過膜の孔径はろ する液体に含まれる不純物の粒径によって 異なるが、0.1μm以上1μm以下が好ましく、0.2 μm以上1μm以下が好ましく、0.2μm以上1μm以下 好ましく、0.5μm以上1μm以下がより好ましい 。

 本発明において中空糸膜を用いる場合、 速度は10mm/秒以上1000mm/秒が好ましく、50mm/ 以上500mm/秒以下がより好ましい。ここで線 度とは中空糸膜の長繊維方向に対する供給 の供給量を表し、例えば線速度が10mm/秒とは 中空糸膜の長繊維方向に対し1秒間に10mm進む の供給量を表す。本発明において線速度が きすぎると金属ナノワイヤが損傷する可能 があり、小さすぎると効率が低下する危険 がある。

 クロスフローろ過法において用いる洗浄 媒に特に制限はないが、溶媒によってはろ 膜を溶解したり破損させたりする危険性が るので、メチルアルコール、エチルアルコ ル、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブ ノール、水、またはこれらの混合溶媒であ ことが好ましい。また、ろ過途中で溶媒を 更することも可能である。

 また本発明は上記製造方法によって得ら た金属ナノワイヤの分散液を提供する。従 の金属ナノワイヤの分散液の製造方法では 一旦固体状態で金属ナノワイヤを取り出す 程が必要であったため、再分散させる工程 必要であったり、再分散時に金属ナノワイ が損傷したりするなどの問題点があった。 の点に対し本発明による金属ナノワイヤの 造方法はこれら問題点を解決し、原理的に この工程での収率低下はない。

 本発明による金属ナノワイヤの分散液の 形分濃度は0.01質量%以上50質量%以下が好ま く、0.1質量%以上20質量%以下がより好ましく 1質量%以上10質量%以下がより好ましい。固 分濃度が小さすぎると所望の抵抗値になる での塗工回数が増え、固形分濃度が大きす ると取扱時に金属ナノワイヤが損傷する可 性がある。

 本発明による金属ナノワイヤの分散液の 媒は特に制限はないが塗工時の作業性や、 記クロスフローろ過工程での好ましい溶媒 の観点からメチルアルコール、エチルアル ール、1-プロパノール、2-プロパノール、1- タノール、水、エチレングリコールから選 れる単一あるいは混合溶媒であることがよ 好ましい。

 また本発明は上記製造方法によって得ら た金属ナノワイヤを含む透明導電膜を提供 る。本発明による透明導電膜は基材上に少 くとも上記金属ナノワイヤを含む透明導電 が積層されたものであれば特に制限はない 、本発明の効果を損なわない範囲において 保護層、下塗り層、ハードコート層、帯電 止層、アンチグレア層、反射防止層、カラ フィルター層、位相差膜層等があっても良 。具体的層構成としては図1および図2に示 ように透明導電層上に保護層や反射防止層 積層されている層構成、図3に示すようにハ ドコート層上に透明導電膜が形成されてい 層構成、図4に示すように透明導電層とは反 対面側にアンチグレア層が設けられている層 構成等が挙げられる。

 特に透明導電層との密着性が低い基材を いる場合や、透明導電層の膜強度が低い場 には、透明導電層上に保護層を設けること 好ましい。保護層に用いる材料に特に制限 ないが、ポリエステル樹脂、セルロース樹 、ビニルアルコール樹脂、ビニル樹脂、シ ロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹 、アクリル樹脂、ABS樹脂等の熱可塑性樹脂 光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂などの公 のコーティング材料を用いることができる 保護層の材料は、密着性の観点からは基材 同じ材料が好ましく、例えば基材がポリエ テル樹脂の場合は保護層がポリエステル樹 であることが好ましい。保護層の膜厚は、 すぎると透明導電層の接触抵抗が大きくな 、薄すぎると保護層としての効果が得られ いので1nm以上1μm以下が好ましく、10nm以上10 0nm以下が好ましい。

 基材としてはシート状、フィルム状のも であれば特に制限はないが、例えば、ガラ 、アルミナなどのセラミックや、鉄、アル 、銅等の金属、ポリエステル樹脂、セルロ ス樹脂、ビニルアルコール樹脂、塩化ビニ 樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリカー ネート樹脂、アクリル樹脂、ABS樹脂等の熱 塑性樹脂、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂な が挙げられ、本発明による透明導電膜を使 するに際し透明性を重視する場合は、上記 材の全光線透過率が80%以上であることが好 しく、具体的にはガラス、ポリエステル樹 、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、 ルロース樹脂などが挙げられる。

 上記基材の厚みは用途によって好ましい 囲は異なるが、シート状であれば500μm以上1 0mm以下が好ましく、フィルム状であれば10μm 上500μm以下が好ましい。

 また、透明導電層には本発明の効果を損 わない範囲において金属ナノワイヤ以外の 分を加えることができる。具体的にはポリ ステル樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテ 樹脂、ビニルアルコール樹脂、ビニル樹脂 シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネー 樹脂、アクリル樹脂、ABS樹脂、天然高分子 の熱可塑性樹脂、アクリル系やオキセタン などの光硬化性樹脂、エポキシ系やメラミ 系、シリコン系などの熱硬化性樹脂などの インダー成分、界面活性剤、顔料等が挙げ れる。

 金属ナノワイヤとバインダーなど他の成 の配合比率は用途に応じて任意に変更する とが可能であるが、金属ナノワイヤの配合 が少なすぎると導電性が低下する危険性が るので、透明導電層全体に占める金属ナノ イヤの重量比は10質量%以上100質量%以下が好 ましく、30質量%以上60質量%以下がより好まし い。

 本発明による透明導電膜は金属ナノワイヤ 士の交点部分が接合されていることが好ま い。交点部分を接合することによって直線 金属ナノワイヤ間の接触抵抗が下がり、そ 結果透明導電層の表面抵抗値が下がるから ある。直線状金属ナノワイヤ同士の交点部 とは、直線状金属ナノワイヤが網目状に分 している透明導電層を真上から見て、直線 金属ナノワイヤが重なって見える部分のこ である。交点部分の接合は、圧着またはメ キによってされているのが好ましい。圧着 れているとは当該交点部分が変形し、直線 金属ナノワイヤの接触面積が互いに大きく っている状態を表す。また、メッキされて るとは直線状金属ナノワイヤの交点部分が ッキする前に比べ太くなり、接触面積が増 ている状態を指す。
 なお、本発明においては当該交点部分がす て接合されている必要はなく、一部分であ ても良い。一部分であっても、透明導電層 表面抵抗値を下げる効果が得られるからで る。
 直線状金属ナノワイヤ同士の交点部分が圧 またはメッキされているか否かは走査型電 顕微鏡や透過型電子顕微鏡によって当該交 部分の変形の有無によって確認することが きる。

 本発明による透明導電膜の表面抵抗値は0 .1ω/□以上100000ω/□以下であることが好まし 、1ω/□以上1000ω/□以下であることがより ましい。表面抵抗値が高すぎると電極等と て利用できる可能性が低下し、表面抵抗値 低すぎると引き替えに透過率が低下し、光 部材として利用できなくなる可能性が高く るからである。

 本発明に用いる透明導電膜の全光線透過率 用いる基材によっても異なるが、全光線透 率が60%以上99%以下であることが好ましく、7 0%以上90%以下であることがより好ましい。こ でいう透明導電膜の全光線透過率は透明導 層のみの全光線透過率ではなく、基材も含 た透明導電膜としての全光線透過率を指す
 全光線透過率が高すぎると引き替えに表面 抗値が高くなりすぎて電極等として利用で る可能性が低下し、全光線透過率が低すぎ と光学部材として利用できる可能性が低下 るからである。

<実施例1>
 1L3口フラスコにエチレングリコール(和光純 薬工業社製)333.9g、塩化ナトリウム(和光純薬 業社製)48ng、トリス(2,4-ペンタンジオネート )鉄(III)(アルドリッチ社製)41ngを投入し160℃に 加熱した。
 上記混合溶液中にエチレングリコール(和光 純薬工業社製)200g、塩化ナトリウム(和光純薬 工業社製)29ng、トリス(2,4-ペンタンジオネー )鉄(III)(アルドリッチ社製)25ng、硝酸銀(和光 薬工業社製)2.88gからなる混合溶液とエチレ グリコール(和光純薬工業社製)200g、塩化ナ リウム(和光純薬工業社製)2.1mg、トリス(2,4- ンタンジオネート)鉄(III)(アルドリッチ社製 )128ng、ポリビニルピロリドン(Mw.55000 アルド ッチ社製)3.1gからなる溶液を6分間で滴下し3 時間攪拌し粗銀ナノワイヤを得た。

 得られた粗銀ナノワイヤ分散液を内圧型中 糸膜ろ過(商品名 ミディクロス・クロスフ ーモジュール 膜面積80cm 2  孔径0.5μm 中空糸直径0.5mm スペクトラム社 )に供した。洗浄溶媒は2-プロパノール(和光 純薬工業社製)、線速度は150mm/秒である。1500m lのろ液が排出された時点でろ過を濃縮し、20 gの精製銀ナノワイヤの2-プロパノール分散液 を得た。

 得られた精製銀ナノワイヤの走査型電子 微鏡にて観察した結果を図5、6に記す。こ 結果より本実施例に用いた銀ナノワイヤの 軸方向の長さが3μm以上30μm以下であり、短 方向の長さが100nm以上300nm以下であることが かった。また得られた精製銀ナノワイヤの2 -プロパノール分散液の固形分濃度を測定し ところ8.5質量%であることが分かった。銀ナ ワイヤの収率は59%(=20×0.085/2.88)であった。

 得られた精製銀ナノワイヤの分散液に2- ロパノールを加えて固形分濃度を3.0質量%に た後ウェット膜厚で18μmになるようにPETフ ルム(商品名:コスモシャインA4100 東洋紡社 )上にバーコートした。80℃で3分間乾燥し積 体を得た。積層膜上に離型層付きPETフィル (商品名:コスモシャインK1572 東洋紡社製)を 離型層が透明導電層に接するように重ね、図 7に示すように離型層付きPETフィルム側から ノウ製乳棒で擦り、透明導電層面に圧力を けた。結果を表1に記す。

<実施例2>
 内圧型中空糸膜として中空糸の直径が1mmの の(商品名 ミディクロス・クロスフローモ ュール 膜面積60cm 2  孔径0.5μm スペクトラム社製)を用いて、線 度を500mm/秒にした以外は実施例1と同様の操 作を行った。結果を表1に記す。

<実施例3>
 得られた精製銀ナノワイヤの分散液に2-プ パノールを加えて固形分濃度を0.1質
量%にした後ウェット膜厚で18μmになるように PETフィルム(商品名:コスモシャ
インA4100 東洋紡社製)上にバーコートした。

<実施例4>
 得られた精製銀ナノワイヤの分散液に2-プ パノールを加えて固形分濃度を0.1質量%にし 後ウェット膜厚で18μmになるようにPETフィ ム(商品名:コスモシャインA4100 東洋紡社製) にバーコートした。

<実施例5>
 実施例1で得られた透明導電膜上にポリエス テル樹脂(商品名バイロンUR-4800 東洋紡社製) 膜厚が10nmになるようにスプレーコートした 。
 得られたフィルムをクロスカット試験(JIS K 5400)に供したところ100/100であり剥がれは見ら れなかった。
 得られた透明導電膜の表面抵抗値、全光線 過率の結果を表1に記す。

<実施例6>
 実施例1で得られた3質量%の銀ナノワイヤ分 液にブチラール樹脂(商品名 MOWITAL B60H KSE 製)を固形分に対する銀ナノワイヤの濃度が 37.5質量%になるように添加し、PETフィルム(商 品名:コスモシャインA4100 東洋紡社製)上にウ ェット膜厚30μmで塗工、80℃で3分間乾燥し積 膜を得た。
 得られた積層膜に対し実施例1と同様の方法 にて透明導電層面に圧力をかけた。得られた フィルムをクロスカット試験(JIS K5400)に供し たところ100/100であり剥がれは見られなかっ 。結果を表1に記す。

<比較例1>
 実施例1で得られた粗銀ナノワイヤを遠心分 離(装置名 高速冷却遠心機CR22GII 日立工機社 製 3000G×5分間)し、残渣を水と2-プロパノー の混合溶液(50/50vol%)9gに分散させた。
 得られた精製銀ナノワイヤの走査型電子顕 鏡にて観察した結果を図4に記す。
 また得られた精製銀ナノワイヤの2-プロパ ール分散液の固形分濃度を測定したところ1. 3質量%であることが分かった。銀ナノワイヤ 収率は4%(=9×0.013/2.88)であった。

 得られた銀ナノワイヤ分散液をウェット膜 で3μmになるようにPETフィルム(商品名:コス シャインA4100 東洋紡社製 全光線透過率92%) 上にバーコートした。80℃で3分間乾燥し積層 膜を得た。
 実施例1と同様に透明導電層面に圧力をかけ た。
 結果を表1に記す。

[評価]
 図1は本発明の方法による金属ナノワイヤの 製造方法であり、図8は従来技術による金属 ノワイヤの製造方法である。これらを比較 ると図8では銀ナノワイヤの凝集物が見られ のに対し図1では同様の凝集物がほとんどな いことが分かる。従って、本発明の方法によ る金属ナノワイヤの製造方法は従来の方法に 比べて絡まりの少ない金属ナノワイヤが得ら れることが明確である。

 また、実施例1と比較例1を比較すると金属 ノワイヤの収率はそれぞれ59%と4%である。従 って本発明の方法による金属ナノワイヤの製 造方法は従来の方法に比べて高収率であるこ とが明確である。
 得られた透明導電膜の表面抵抗値(装置名: レスタEP ダイアインスツルメンツ社製)、全 光線透過率、ヘイズ値(装置名直読ヘーズコ ピュータ、スガ試験機社製)を測定した。結 を表1に記す。

 図9に実施例1と比較例1で得られた銀ナノ イヤの長さ分布を記す。上記結果より、実 例1の最頻値は6μmから8μmであり、比較例1の 最頻値は2μmから4μmであることが分かる。す わち、本発明の製造方法は従来法に比べ長 金属ナノワイヤを選択的に製造できること 判る。