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Patent Searching and Data


Title:
PRODUCTION OF OPTOELECTRONIC COMPONENTS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/105862
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for producing optoelectronic components. The invention comprises: provision of a metal substrate, the substrate having a front side and a rear side opposite the front side; front-side removal of substrate material such that the substrate comprises substrate sections protruding in the region of the front side and recesses arranged therebetween; formation of a plastic body adjacent to substrate sections; arrangement of optoelectronic semiconductor chips on substrate sections; rear-side removal of substrate material in the region of the recesses, such that the substrate is structured into separate substrate sections; and performance of a separation process. The plastic body is divided into separate substrate sections and individual optoelectronic components with at least one optoelectronic semiconductor chip are formed. The invention also relates to an optoelectronic component.

Inventors:
SCHWARZ, Thomas (Steinfederweg 4, Regensburg, 93055, DE)
PLOESSL, Andreas (Johann-Igl-Weg 24, Regensburg, 93051, DE)
SORG, Jörg (Gozratstr. 12, Regensburg, 93053, DE)
Application Number:
EP2018/082375
Publication Date:
June 06, 2019
Filing Date:
November 23, 2018
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, DE)
International Classes:
H01L33/00; H01L25/075; H01L33/62; H01L33/48
Foreign References:
EP1162668A22001-12-12
US20120313131A12012-12-13
EP2325901A12011-05-25
DE102013224581A12015-06-03
Other References:
None
Attorney, Agent or Firm:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK (Prinzenstr. 13, München, 80639, DE)
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Claims:
PATENTANS PRUCHE

1. Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauele menten (100), umfassend:

Bereitstellen eines metallischen Trägers (110), wobei der Träger eine Vorderseite (111) und eine der Vorder seite entgegengesetzte Rückseite (112) aufweist;

Vorderseitiges Entfernen von Trägermaterial, so dass der Träger (110) im Bereich der Vorderseite (111) hervorste hende Trägerabschnitte (121, 122, 123, 124, 125, 126) und dazwischen angeordnete Vertiefungen (130) aufweist;

Ausbilden eines an Trägerabschnitte (121, 122, 123, 124, 125, 126) angrenzenden Kunststoffkörpers (150);

Anordnen von optoelektronischen Halbleiterchips (170) auf Trägerabschnitten (121, 122, 123, 125);

Rückseitiges Entfernen von Trägermaterial im Bereich der Vertiefungen (130), so dass der Träger (110) in separate Trägerabschnitte (121, 122, 123, 124, 125, 126) struktu riert wird; und

Durchführen einer Vereinzelung, wobei der Kunststoffkör- per (150) zwischen separaten Trägerabschnitten durch trennt wird und vereinzelte optoelektronische Bauelemen te (100) mit wenigstens einem optoelektronischen Halb leiterchip (170) gebildet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1,

wobei der Kunststoffkörper (150) Kavitäten (156, 157) aufweist, und wobei die optoelektronischen Halbleiter chips (170) in Kavitäten (156) des Kunststoffkörpers (150) auf Trägerabschnitten angeordnet werden. 3. Verfahren nach Anspruch 2,

wobei ein Füllmaterial (161, 162) in Kavitäten (156,

157) des Kunststoffkörpers (150) eingebracht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1,

wobei die optoelektronischen Halbleiterchips (170) in dem Kunststoffkörper (150) eingebettet werden.

5. Verfahren nach Anspruch 4,

wobei das Ausbilden des Kunststoffkörpers (150) ein An ordnen eines ersten und eines zweiten Kunststoffmateri als (151, 152) umfasst, wobei das erste Kunststoffmate rial (151) ein reflektives Kunststoffmaterial ist, wobei das erste Kunststoffmaterial (151) vor dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips (170) in den Vertie fungen (130) des Trägers (110) angeordnet wird, und wo bei das zweite Kunststoffmaterial (152) nach dem Anord nen der optoelektronischen Halbleiterchips (170) auf dem ersten Kunststoffmaterial (151), den optoelektronischen Halbleiterchips (170) und Trägerabschnitten (121, 122) angeordnet wird, so dass die optoelektronischen Halb leiterchips (170) in dem zweiten Kunststoffmaterial (152) eingebettet werden.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei Treiberchips (190) auf Trägerabschnitten (123,

125) angeordnet werden, und wobei die durch die Verein zelung gebildeten optoelektronischen Bauelemente einen Treiberchip (190) aufweisen.

7. Verfahren nach Anspruch 6,

wobei die Treiberchips (190) in dem Kunststoffkörper (150) eingebettet werden oder in lediglich für die Trei berchips (190) und nicht für die optoelektronischen Halbleiterchips (170) vorgesehenen Kavitäten (157) des Kunststoffkörpers (150) angeordnet werden. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Durchgangslöcher (133) in dem Träger (110) ausge bildet werden, und wobei das Ausbilden des Kunststoff körpers (150) derart erfolgt, dass der Kunststoffkörper (150) in den Durchgangslöchern (133) angeordnete Veran kerungsabschnitte (158) aufweist.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei nach dem Strukturieren des Trägers (110) in sepa rate Trägerabschnitte eine metallische Benetzungsschicht (145) auf einer Rückseite und auf Seitenflanken von Trä gerabschnitten (121, 122) ausgebildet wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,

wobei nach dem Strukturieren des Trägers (110) in sepa rate Trägerabschnitte eine Antibenetzungsschicht (146) auf Seitenflanken und eine metallische Benetzungsschicht (145) auf einer Rückseite von Trägerabschnitten (121, 122) ausgebildet werden.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das Anordnen der optoelektronischen Halbleiter chips (170) auf Trägerabschnitten vor dem rückseitigen Entfernen von Trägermaterial durchgeführt wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10,

wobei das Anordnen der optoelektronischen Halbleiter chips (170) auf Trägerabschnitten nach dem rückseitigen Entfernen von Trägermaterial durchgeführt wird.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei das vorderseitige und das rückseitige Entfernen von Trägermaterial mittels Ätzen durchgeführt werden.

14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die optoelektronischen Halbleiterchips (170) strahlungsemittierende Halbleiterchips sind. 15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei durch das vorderseitige Entfernen von Trägermate rial ein Vorstrukturieren des Trägers (110) erfolgt, wo bei das Ausbilden des Kunststoffkörpers (150) auf dem vorstrukturierten Träger (110) erfolgt, und wobei das rückseitige Entfernen von Trägermaterial zum Strukturie ren des Trägers (110) in separate Trägerabschnitte (121,

122, 123, 124, 125, 126) nach dem Ausbilden des Kunst stoffkörpers (150) erfolgt.

16. Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend: mehrere separate metallische Trägerabschnitte (121, 122,

123, 124, 125, 126); einen an die Trägerabschnitte angrenzenden Kunststoffge häusekörper (155); und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip

(170), welcher auf wenigstens einem Trägerabschnitt an geordnet ist, wobei eine umlaufende Mantelfläche (105) des optoelekt ronischen Bauelements durch den Kunststoffgehäusekörper

(155) gebildet ist.

17. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 16,

wobei eine Rückseite (102) des optoelektronischen Bau elements strukturiert und nicht eben ist.

18. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 oder 17,

wobei der Kunststoffgehäusekörper (155) eine Kavität

(156) aufweist, in welcher der wenigstens eine opto elektronische Halbleiterchip (170) angeordnet ist, oder wobei der wenigstens eine optoelektronische Halbleiter chip (170) in dem Kunststoffgehäusekörper (155) einge- bettet ist.

19. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 18,

wobei der Kunststoffgehäusekörper (155) wenigstens einen rückseitigen Verankerungsabschnitt (158) aufweist.

20. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 19,

aufweisend einen Treiberchip (190) zur elektrischen An steuerung des wenigstens einen optoelektronischen Halb leiterchips (170), wobei der Treiberchip (190) in dem Kunststoffgehäusekörper (155) eingebettet ist oder in einer eigens für den Treiberchip (190) vorgesehenen Ka vität (157) des Kunststoffgehäusekörpers (155) angeord net ist.

21. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 20,

wobei wenigstens ein Teil der metallischen Trägerab schnitte eine Antibenetzungsschicht (146) auf Seiten flanken aufweist.

22. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 21,

aufweisend einen Treiberchip (190) zur elektrischen An steuerung des wenigstens einen optoelektronischen Halb leiterchips (170), wobei der Treiberchip (190) in einer eigens für den Treiberchip (190) vorgesehenen Kavität (157) des Kunststoffgehäusekörpers (155) angeordnet ist, welche mit einem strahlungsundurchlässigen Füllmaterial (162) verfüllt ist.

23. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 22,

wobei der Kunststoffgehäusekörper (155) eine Kavität (156) aufweist, in welcher der wenigstens eine opto elektronische Halbleiterchip (170) angeordnet ist, wobei das optoelektronische Bauelement einen Treiberchip (190) zur elektrischen Ansteuerung des wenigstens einen opto elektronischen Halbleiterchips (170) aufweist, und wobei der Treiberchip (190) in dem Kunststoffgehäusekörper (155) eingebettet ist oder in einer weiteren und eigens für den Treiberchip (190) vorgesehenen Kavität (157) des Kunststoffgehäusekörpers (155) angeordnet ist.

24. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 23,

wobei der Kunststoffgehäusekörper (155) aus einem ersten und einem zweiten Kunststoffmaterial (151, 152) ausge bildet ist, wobei das erste Kunststoffmaterial (151) ein reflektives Kunststoffmaterial ist und sich seitlich ne ben und zwischen den Trägerabschnitten befindet, wobei das zweite Kunststoffmaterial (152) auf dem ersten

Kunststoffmaterial (151), den Trägerabschnitten und dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (170) angeordnet ist, so dass der wenigstens eine optoelektro nische Halbleiterchip (170) in dem zweiten Kunststoffma terial (152) eingebettet ist, und wobei das zweite

Kunststoffmaterial (152) ein strahlungsdurchlässiges Kunststoffmaterial oder ein strahlungsdurchlässiges und Leuchtstoffpartikel enthaltendes Kunststoffmaterial ist.

Description:
HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE

BESCHREIBUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel len von optoelektronischen Bauelementen. Die Erfindung be trifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 128 457.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Ein optoelektronisches Bauelement zum Erzeugen von Licht strahlung kann in Form eines oberflächenmontierbaren QFN- Bauelements (Quad Flat No Leads) verwirklicht sein. Bei der Herstellung derartiger Bauelemente, welche im Verbund durch geführt werden kann, kann ein metallischer Leiterrahmen

(Leadframe) zum Einsatz kommen. Der Leiterrahmen weist Lei terrahmenabschnitte und die Leiterrahmenabschnitte verbinden de Verbindungsstege (auch als Tie Bars oder Support Bars be zeichnet) auf. Die Leiterrahmenabschnitte dienen zum Tragen von Halbleiterchips und zur elektrischen Kontaktierung. Die Verbindungsstege dienen zum Zusammenhalten des Leiterrahmens.

Die optoelektronischen Bauelemente können mit einem oder meh reren strahlungsemittierenden Halbleiterchips, sowie gegebe nenfalls zusätzlich mit einem Treiberchip hergestellt werden. Ferner kann ein Gehäusekörper mit einer Kavität zum Aufnehmen des oder der mehreren Halbleiterchips ausgebildet werden. Zu diesem Zweck kann ein mit dem Leiterrahmen verbundener Kunst stoffkörper mit Kavitäten ausgebildet werden, welcher bei ei ner am Verfahrensende durchgeführten Vereinzelung zusammen mit den Verbindungsstegen des Leiterrahmens durchtrennt wird.

Bei der Herstellung kann es zu einem Verbiegen von Verbin dungsstegen des Leiterrahmens und damit zu Ausbeuteverlusten kommen. Abhängig von der Bauweise der optoelektronischen Bau elemente und der Anzahl an Leiterrahmenabschnitten pro Bau- element kann der Leiterrahmen ferner den Bauelementen zuge ordnete Rahmenteile aufweisen. Dies ist mit einem Platzbedarf und entsprechenden Kosten verbunden. Bei einem optoelektroni schen Bauelement mit einem Gehäusekörper mit einer Kavität, in welcher strahlungsemittierende Halbleiterchips und ein Treiberchip angeordnet sind, kann der Treiberchip von den strahlungsemittierenden Halbleiterchips beleuchtet werden, was seine Funktionalität beeinträchtigen kann.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Lösung für eine verbesserte Herstellung optoelektronischer Bauelemente, sowie für ein verbessertes optoelektronisches Bauelement, anzugeben.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Pa tentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Her stellen von optoelektronischen Bauelementen vorgeschlagen.

Bei dem Verfahren wird ein metallischer Träger bereitge stellt. Der Träger weist eine Vorderseite und eine der Vor derseite entgegengesetzte Rückseite auf. Ein weiterer Schritt ist ein vorderseitiges Entfernen von Trägermaterial, so dass der Träger im Bereich der Vorderseite hervorstehende Träger abschnitte und dazwischen angeordnete Vertiefungen aufweist. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden eines an Trägerab schnitte angrenzenden Kunststoffkörpers , und ein Anordnen von optoelektronischen Halbleiterchips auf Trägerabschnitten. Ein weiterer Schritt ist ein rückseitiges Entfernen von Trägerma terial im Bereich der Vertiefungen, so dass der Träger in se parate Trägerabschnitte strukturiert wird. Das Verfahren um fasst des Weiteren ein Durchführen einer Vereinzelung. Bei diesem Schritt wird der Kunststoffkörper zwischen separaten Trägerabschnitten durchtrennt und werden vereinzelte opto elektronische Bauelemente mit wenigstens einem optoelektroni schen Halbleiterchip gebildet. In dem Verfahren erfolgt ein Vorstrukturieren des bereitge stellten metallischen Trägers, indem metallisches Trägermate rial des Trägers vorderseitig entfernt wird. Der auf diese Weise vorstrukturierte metallische Träger weist im Bereich der Vorderseite hervorstehende Trägerabschnitte und dazwi schen angeordnete Vertiefungen auf. In diesem Zustand sind die hervorstehenden Trägerabschnitte weiterhin über rücksei tiges Trägermaterial miteinander verbunden. Die hervorstehen den Trägerabschnitte können umfangsseitig von den Vertiefun gen umschlossen sein. Die Vertiefungen können ineinander übergehen und eine zusammenhängende Grabenstruktur bilden.

Der Kunststoffkörper kann nach dem vorderseitigen Entfernen von metallischem Trägermaterial, und damit auf dem vorstruk turierten metallischen Träger, ausgebildet werden. Das Aus bilden des Kunststoffkörpers kann ein Anordnen eines Kunst stoffmaterials auf dem vorstrukturierten Träger umfassen. Hierbei kann das Kunststoffmaterial wenigstens in den Vertie fungen des Trägers angeordnet werden.

Durch das rückseitige Entfernen von metallischem Trägermate rial des Trägers, was nach dem Anordnen eines Kunststoffmate rials des Kunststoffkörpers bzw. nach dem Ausbilden des

Kunststoffkörpers erfolgen kann, wird der Träger in separate, d.h. nicht mehr über Trägermaterial miteinander verbundene metallische Trägerabschnitte strukturiert. Dieser Prozess wird an vorgegebenen Stellen im Bereich der zuvor erzeugten Vertiefungen durchgeführt. Auf diese Weise können die im Be reich der Vorderseite des Trägers hervorstehenden Trägerab schnitte in die separaten Trägerabschnitte übergehen bzw. in diese umgesetzt werden, oder anders ausgedrückt, können die zuvor miteinander verbundenen Trägerabschnitte voneinander separiert werden. Hierdurch können Kurzschlussverbindungen von Trägerabschnitten unterbrochen werden. Nach dem Vorstruk turieren und nach dem Strukturieren des Trägers kann jeweils eine übereinstimmende Anzahl an Trägerabschnitten vorliegen. Die separaten Trägerabschnitte können wenigstens über den Kunststoffkörper zusammengehalten werden. Bei der Vereinzelung werden der Kunststoffkörper und damit der zuvor erzeugte Bauelementverbund zwischen den separaten metallischen Trägerabschnitten durchtrennt. Auf diese Weise werden vereinzelte optoelektronische Bauelemente mit wenigs tens einem optoelektronischen Halbleiterchip gebildet. Die optoelektronischen Bauelemente können mehrere separate Trä gerabschnitte und einen durch das Durchtrennen aus dem Kunst stoffkörper hervorgegangenen Kunststoffgehäusekörper aufwei sen. Der wenigstens eine optoelektronische Halbleiterchip kann auf wenigstens einem Trägerabschnitt angeordnet sein.

Die gemäß dem Verfahren hergestellten optoelektronischen Bau elemente können QFN-Bauelemente sein, welche für eine Ober flächenmontage (SMT, Surface Mounting Technology) geeignet sind. Bei den optoelektronischen Bauelementen können die me tallischen Trägerabschnitte oder kann zumindest ein Teil der Trägerabschnitte rückseitige Anschlussflächen der Bauelemente bilden. Diese Trägerabschnitte können ferner an einer Rück seite der Bauelemente hervorstehen. Auf diese Weise können die Bauelemente eine strukturierte Rückseite aufweisen.

Das vorgeschlagene Verfahren bietet eine Reihe von Vorteilen. Der vorstrukturierte metallische Träger kann eine hohe Stabi lität und Robustheit besitzen. Die Stabilität kann höher sein als bei einem herkömmlichen, Leiterrahmenabschnitte und Ver bindungsstege aufweisenden Leiterrahmen. Infolgedessen lässt sich das Verfahren mit einer hohen Zuverlässigkeit und Aus beute durchführen. Darüber hinaus kann das Verfahren kosten günstig durchgeführt werden. Denn neben Verbindungsstegen kann auch eine Verwendung von Rahmenteilen entfallen. Der Wegfall von Verbindungsstegen macht es ferner möglich, die optoelektronischen Bauelemente mit kleinen Außenabmessungen herzustellen. Darüber hinaus wird eine hohe Flexibilität in Bezug auf die Ausgestaltung der Trägerabschnitte ermöglicht. Daher kann zum Beispiel eine Ausgestaltung verwirklicht wer den, in welcher für jedes der hergestellten Bauelemente we nigstens ein metallischer Trägerabschnitt von einer Gruppe aus Trägerabschnitten umgeben ist. Des Weiteren kann die Ver einzelung, in welcher der Kunststoffkörper zwischen den sepa raten metallischen Trägerabschnitten durchtrennt wird, ein fach und kostengünstig durchgeführt werden. Denn hierbei er folgt kein langsames Durchtrennen bzw. Durchsägen von metal lischem Trägermaterial.

Die optoelektronischen Bauelemente können sich, bedingt durch die Verwendung des metallischen und im Laufe des Verfahrens in separate Trägerabschnitte strukturierten Trägers, durch eine effiziente Wärmeabführung und einen kleinen thermischen Widerstand auszeichnen. Ferner können die optoelektronischen Bauelemente, aufgrund des Durchtrennens des Kunststoffkörpers zwischen separaten metallischen Trägerabschnitten, eine um laufende Mantelfläche (Gesamtheit der lateralen Außenseiten) besitzen, welche ausschließlich durch den Kunststoffgehäuse körper gebildet ist. Auf diese Weise können Probleme, wie sie bei herkömmlichen Bauelementen mit durchtrennten und sich zu lateralen Außenseiten erstreckenden metallischen Verbindungs stegen auftreten können (zum Beispiel Korrosion, Undichtig keit), vermieden werden.

Im Folgenden werden weitere mögliche Ausführungsformen und Details beschrieben, welche für das Verfahren und für die ge mäß dem Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelemen te in Betracht kommen können.

Der bereitgestellte metallische Träger kann eine plattenför mige oder bandförmige Gestalt besitzen. Auch kann der Träger eine ebene oder im Wesentlichen ebene Vorderseite sowie eine ebene oder im Wesentlichen ebene Rückseite aufweisen. Ferner kann der Träger zum Beispiel aus Kupfer ausgebildet sein bzw. Kupfer aufweisen. Möglich ist auch eine Ausgestaltung, in welcher der Träger aus einem anderen metallischen Material ausgebildet ist bzw. ein anderes metallisches Material auf weist, zum Beispiel Eisen-Nickel, Aluminium oder Molybdän. In einer weiteren Ausführungsform werden das vorderseitige und das rückseitige Entfernen von metallischem Trägermaterial mittels Ätzen durchgeführt. Möglich ist zum Beispiel ein iso tropes Ätzen. Dies lässt sich durch ein nasschemisches Ätz verfahren verwirklichen. Durch das isotrope Ätzen können die Vertiefungen ein rundes Querschnittsprofil aufweisen. Auch können die Vertiefungen einen Unterschnitt besitzen, wodurch eine Verzahnung zwischen dem Träger und dem Kunststoffkörper, und dadurch auch zwischen den separaten Trägerabschnitten und dem Kunststoffkörper, möglich ist. Des Weiteren können die separaten Trägerabschnitte oder kann zumindest ein Teil der Trägerabschnitte Seitenflanken mit zwei gekrümmten und eine gemeinsame Kante bildenden Teilflanken aufweisen.

Im Hinblick auf das Ätzen kann der metallische Träger mit ei ner Ätzmaske auf der Vorderseite und einer Ätzmaske auf der Rückseite bereitgestellt werden. Die Ätzmasken können separa te Schichtabschnitte umfassen, mit welchen Bereiche der Vor derseite und der Rückseite des Trägers abgedeckt sind.

Des Weiteren können die vorderseitige und/oder die rückseiti ge Ätzmaske metallische Ätzmasken sein. Solche Ätzmasken kön nen unter Anwendung von wenigstens einem Metallisierungsver fahren (Plating) auf dem metallischen Träger ausgebildet wer den. Die metallischen Ätzmasken können nach dem Entfernen von Trägermaterial weiterhin auf dem Träger und den Trägerab schnitten verbleiben, und insofern als Bestandteil des Trä gers und der Trägerabschnitte angesehen werden. Hierbei kön nen die Ätzmasken als kontaktierbare Beschichtungen dienen, welche sich zum Beispiel zum Löten, Anbinden von Kontakt strukturen wie zum Beispiel Bonddrähten, usw. eignen.

Es ist auch möglich, als Ätzmaske eine Lackmaske aus einem Fotolackmaterial einzusetzen. Eine solche Ausprägung kann für eine rückseitige Ätzmaske und für den weiter unten erläuter ten Fall in Betracht kommen, dass die rückseitige Ätzmaske entfernt wird und nachfolgend metallische Trägerabschnitte mit einer Benetzungsschicht versehen werden. Die Ausgestal- tung aus einem Fotolackmaterial ermöglicht ein einfaches Ent fernen der Ätzmaske. Auch eine vorderseitige Ätzmaske kann in Form einer Lackmaske aus einem Fotolackmaterial zum Einsatz kommen .

Es besteht des Weiteren die Möglichkeit, bei dem Strukturie ren des metallischen Trägers in separate Trägerabschnitte Trägermaterial nicht nur im Bereich der Vertiefungen, sondern auch an anderen Stellen rückseitig zu entfernen bzw. zu ät zen. Dies lässt sich durch eine hierauf abgestimmte rücksei tige Ätzmaske verwirklichen. Auf diese Weise können zum Bei spiel separate Trägerabschnitte ausgebildet werden, welche eine rückseitige Vertiefung, eine stufenförmige Gestalt oder eine im Vergleich zu anderen Trägerabschnitten kleinere Dicke besitzen .

In einer weiteren Ausführungsform wird das Anordnen der opto elektronischen Halbleiterchips auf Trägerabschnitten vor dem rückseitigen Entfernen von metallischem Trägermaterial, und damit vor dem Strukturieren des Trägers in separate Trägerab schnitte, durchgeführt. In dieser Ausführungsform erfolgt ei ne Chipmontage der optoelektronischen Halbleiterchips somit auf dem vorstrukturierten metallischen Träger. Dieser Vorgang kann nach dem Aufbringen eines Kunststoffmaterials des Kunst stoffkörpers auf dem Träger bzw. nach dem Ausbilden des Kunststoffkörpers durchgeführt werden.

In einer alternativen Ausführungsform wird das Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips auf Trägerabschnitten nach dem rückseitigen Entfernen von metallischem Trägermaterial, und damit nach dem Strukturieren des Trägers in separate Trä gerabschnitte, durchgeführt. In dieser Ausführungsform er folgt eine Montage der optoelektronischen Halbleiterchips so mit auf separaten metallischen Trägerabschnitten. Auch dieser Vorgang kann nach dem Anordnen eines Kunststoffmaterials des Kunststoffkörpers auf dem Träger bzw. nach dem Ausbilden des Kunststoffkörpers durchgeführt werden. Das Anordnen von opto elektronischen Halbleiterchips auf bereits separierten Trä- gerabschnitten bietet die Möglichkeit, eine Beschädigung von Halbleiterchips bei dem rückseitiges Entfernen von Trägerma terial zu vermeiden.

Im Hinblick auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform kann die Montage der optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Anordnung erfolgen, welche separate metallische Träger abschnitte und den Kunststoffkörper umfasst. Diese Anordnung kann ein vorgefertigtes Gehäuse, auch als Premolded Package bezeichnet, bilden.

In einer weiteren Ausführungsform sind die in dem Verfahren verwendeten optoelektronischen Halbleiterchips strahlungse mittierende Halbleiterchips. Auf diese Weise können mit Hilfe des Verfahrens strahlungsemittierende optoelektronische Bau elemente hergestellt werden. Die Halbleiterchips können zum Beispiel Leuchtdiodenchips sein, welche im Folgenden auch als LED-Chips (Light Emitting Diode) bezeichnet werden.

Die Montage der optoelektronischen Halbleiterchips kann der art erfolgen, dass die Halbleiterchips jeweils auf lediglich einem oder auf mehreren Trägerabschnitten platziert werden. Bei diesem Vorgang können die Halbleiterchips zum Beispiel durch Kleben, Löten oder Sintern auf Trägerabschnitten befes tigt werden. Sofern die Halbleiterchips einen oder mehrere Rückseitenkontakte aufweisen, können die Halbleiterchips bzw. deren Rückseitenkontakte hierdurch mit Trägerabschnitten elektrisch verbunden werden. Bei einer Ausgestaltung der Halbleiterchips mit einem oder mehreren Vorderseitenkontakten können ferner elektrische Kontaktstrukturen ausgebildet wer den, über welche die Vorderseitenkontakte mit Trägerabschnit ten elektrisch verbunden sind. Möglich ist zum Beispiel ein Anschließen von Bonddrähten oder ein Ausbilden von metalli schen Kontaktschichten, welche auch als PI-Kontakte (Planar Interconnect) oder RDL-Schichten (Redistribution Layer) be zeichnet werden. Im Rahmen des Ausbildens von Kontaktschich- ten können ferner eine oder mehrere isolierende und seitlich an die Halbleiterchips heranreichende Schichten mit Ausspa- rungen zum Freihalten von zu kontaktierenden Bereichen von Trägerabschnitten ausgebildet werden. Hierauf können die Kon taktschichten ausgebildet werden.

In einer weiteren Ausführungsform erfolgt das Ausbilden des Kunststoffkörpers derart, dass der Kunststoffkörper Kavitäten aufweist. Nachfolgend werden die optoelektronischen Halb leiterchips in Kavitäten des Kunststoffkörpers auf Trägerab schnitten angeordnet. Das Ausbilden eines solchen Kunststoff körpers kann mit Hilfe eines Formprozesses (Moldprozess) durchgeführt werden, in welchem ein Kunststoffmaterial unter Verwendung eines Formwerkzeugs (Moldwerkzeug) auf dem vor strukturierten metallischen Träger aufgebracht wird. Es kann zum Beispiel ein reflektives Kunststoffmaterial zum Einsatz kommen. Ein solches Kunststoffmaterial kann reflektierende Partikel enthalten und eine weiße Farbe besitzen. Möglich ist auch die Verwendung eines schwarzen Kunststoffmaterials. Über die Kavitäten des Kunststoffkörpers sind Trägerabschnitte we nigstens zum Teil freigestellt, so dass hierauf optoelektro nische Halbleiterchips angeordnet werden können. Die Kavitä ten können eine sich in Richtung einer Vorderseite der herzu stellenden optoelektronischen Bauelemente erweiternde Quer schnittsform mit zum Beispiel schrägen Seitenwänden aufwei sen. Hierdurch können die Kavitäten als Reflektoren bei den optoelektronischen Bauelementen dienen. Bei der Vereinzelung kann der Kunststoffkörper in Kunststoffgehäusekörper mit we nigstens einer Kavität unterteilt werden.

In einer weiteren Ausführungsform wird ein Füllmaterial in Kavitäten des Kunststoffkörpers eingebracht. Auf diese Weise können sich in den Kavitäten befindende Halbleiterchips ver kapselt und damit vor äußeren Einflüssen geschützt werden. Im Hinblick auf die in dem Verfahren verwendeten optoelektroni schen bzw. strahlungsemittierenden Halbleiterchips kann das Füllmaterial ein strahlungsdurchlässiges bzw. klares Kunst stoffmaterial sein. Möglich ist auch die Verwendung eines strahlungsdurchlässigen und Leuchtstoffpartikel enthaltenden Kunststoffmaterials als Füllmaterial. Auf diese Weise kann eine Strahlungskonversion der im Betrieb von wenigstens einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgegebenen Strahlung bewirkt werden.

Im Hinblick auf das Erzielen einer Strahlungskonversion ist ferner die Möglichkeit gegeben, strahlungsemittierende Halb leiterchips zu verwenden, welche bereits ein schichtförmiges oder plättchenförmiges Konversionselement zur Strahlungskon version aufweisen. Des Weiteren kann eine solche Konversions schicht oder ein Konversionselement auch nach der Chipmontage auf Halbleiterchips ausgebildet oder angeordnet werden.

Mit Hilfe des Verfahrens können optoelektronische Bauelemente mit einem einzelnen optoelektronischen bzw. strahlungsemit tierenden Halbleiterchip, oder Bauelemente mit mehreren opto elektronischen bzw. strahlungsemittierenden Halbleiterchips gefertigt werden. Die mehreren Halbleiterchips können gegebe nenfalls zum Erzeugen unterschiedlicher Lichtstrahlungen aus gebildet sein. In Bezug auf letztere Variante können zum Bei spiel RGB-Bauelemente verwirklicht werden, welche einen Halb leiterchip zur Emission einer roten Lichtstrahlung, einen Halbleiterchip zur Emission einer grünen Lichtstrahlung und einen Halbleiterchip zur Emission einer blauen Lichtstrahlung aufweisen. In entsprechender Weise wird die Chipmontage hier bei mit rot emittierenden, grün emittierenden und blau emit tierenden Halbleiterchips durchgeführt. Sofern ein Kunst stoffkörper mit Kavitäten ausgebildet wird, können jeweils mehrere optoelektronische bzw. strahlungsemittierende Halb leiterchips, welche einem optoelektronischen Bauelement zuge hörig sind, in einer gemeinsamen Kavität platziert werden.

In einer weiteren Ausführungsform werden zusätzlich zu opto elektronischen Halbleiterchips Treiberchips auf Trägerab schnitten angeordnet. Des Weiteren erfolgt die Vereinzelung in einer solchen Weise, dass die hierdurch gebildeten opto elektronischen Bauelemente einen Treiberchip aufweisen. Mit Hilfe der Treiberchips können die optoelektronischen Halb- leiterchips der optoelektronischen Bauelemente elektrisch an gesteuert werden.

Die Montage der Treiberchips kann vor oder nach dem rücksei tigen Entfernen von metallischem Trägermaterial erfolgen. Ferner können die Treiberchips zusammen mit den optoelektro nischen Halbleiterchips, oder alternativ vor den optoelektro nischen Halbleiterchips montiert werden. Die zweite Variante kann zu dem Zweck erfolgen, ein vorgefertigtes Gehäuse (Pre- molded Package) mit Treiberchips bereitzustellen, und erst nachfolgend die Montage der optoelektronischen Halbleiter chips durchzuführen.

Hinsichtlich der Montage der Treiberchips können oben zu den optoelektronischen Halbleiterchips beschriebene Merkmale und Details in entsprechender Weise zur Anwendung kommen. Bei spielsweise können die Treiberchips durch Kleben, Löten oder Sintern auf einem oder mehreren Trägerabschnitten befestigt werden. Die Treiberchips können mehrere Vorderseitenkontakte aufweisen. Es können elektrische Kontaktstrukturen in Form von zum Beispiel Bonddrähten oder metallischen Kontaktschich- ten ausgebildet werden, über welche die Vorderseitenkontakte der Treiberchips mit Trägerabschnitten elektrisch verbunden sind. Auf diese Weise können elektrische Verbindungen zwi schen den Treiberchips und optoelektronischen Halbleiterchips hergestellt werden. Bei den auf diese Weise gefertigten opto elektronischen Bauelementen können ein Treiberchip und ein optoelektronischer Halbleiterchip wenigstens über einen me tallischen Trägerabschnitt, und gegebenenfalls eine weitere Komponente wie zum Beispiel ein Bonddraht, elektrisch verbun den sein.

In einer weiteren Ausführungsform erfolgt das Ausbilden des Kunststoffkörpers derart, dass die Treiberchips in dem Kunst stoffkörper eingebettet werden. Sofern der Kunststoffkörper mit Kavitäten ausgebildet wird, können die Treiberchips gemäß einer alternativen Ausführungsform auch in Kavitäten des Kunststoffkörpers angeordnet werden. Hierbei kann es sich um Kavitäten handeln, welche lediglich für die Treiberchips und nicht für die optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen sind. Auch in solche Kavitäten kann ein Füllmaterial einge bracht werden. Hierbei kann es sich um ein strahlungsundurch lässiges Kunststoffmaterial handeln. Durch die vorgenannten Ausführungsformen kann ein Bestrahlen von Treiberchips mit Strahlung von optoelektronischen Halbleiterchips, und damit eine Beeinträchtigung der Funktionalität der Treiberchips, unterdrückt werden.

In Bezug auf die Verwendung von Treiberchips besteht die Mög lichkeit, optoelektronische Bauelemente herzustellen, welche einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip und einen Trei berchip zum Ansteuern des strahlungsemittierenden Halbleiter chips aufweisen.

Des Weiteren können optoelektronische Bauelemente hergestellt werden, welche mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips und wenigstens einen Treiberchip zum Ansteuern der strah lungsemittierenden Halbleiterchips aufweisen. Die Halbleiter chips können zum Erzeugen unterschiedlicher Lichtstrahlungen, zum Beispiel einer roten, einer grünen und einer blauen

Lichtstrahlung, ausgebildet sein. In dieser Ausgestaltung können die optoelektronischen Bauelemente zum Beispiel als intelligente RGB-Beleuchtungs-Bauelemente für den Innenraum von Kraftfahrzeugen zur Anwendung kommen. Hierbei können die Bauelemente an der Batteriespannung eines Kraftfahrzeugs be trieben werden. Die Batteriespannung kann wesentlich höher sein als die Vorwärtsspannung der strahlungsemittierenden Halbleiterchips, wodurch eine hohe thermische Verlustleistung entstehen kann. Durch die Ausgestaltung der Bauelemente mit den metallischen Trägerabschnitten kann die auftretende Wär meenergie in effizienter Weise abgeführt werden.

In einer weiteren Ausführungsform werden Durchgangslöcher in dem metallischen Träger ausgebildet. Ferner erfolgt das an schließende Ausbilden des Kunststoffkörpers derart, dass der Kunststoffkörper in den Durchgangslöchern angeordnete rück- seitige Verankerungsabschnitte aufweist. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine Verankerung und dadurch zuverlässige Befesti gung des Kunststoffkörpers an dem metallischen Träger, und infolgedessen auch an den nach dem Strukturieren des Trägers vorhandenen separaten Trägerabschnitten. In entsprechender Weise können die nach der Vereinzelung vorliegenden Kunst stoffgehäusekörper der optoelektronischen Bauelemente einen oder mehrere rückseitige Verankerungsabschnitte aufweisen, mit welchen die Kunststoffgehäusekörper an separaten Träger abschnitten verankert sein können. Bei der Vereinzelung kön nen Verankerungsabschnitte des Kunststoffkörpers durchtrennt, und dadurch auf mehrere Kunststoffgehäusekörper verteilt wer den. Durch die Verankerung können eine hohe Zuverlässigkeit des Verfahrens sowie eine hohe mechanische Stabilität und Ro bustheit der optoelektronischen Bauelemente erzielt werden.

Im Hinblick auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform besteht die Möglichkeit, Durchgangslöcher im Bereich von Ver tiefungen des vorstrukturierten metallischen Trägers, und da mit durch rückseitiges Entfernen von metallischem Trägermate rial, auszubilden. Derartige Durchgangslöcher können in die Vertiefungen übergehen. Zusätzlich oder alternativ können Durchgangslöcher auch innerhalb von hervorstehenden Trägerab schnitten des vorstrukturierten Trägers vorgesehen sein. Dies lässt sich durch vorder- und rückseitiges Entfernen von Trä germaterial verwirklichen. Hierbei kann das vorderseitige Entfernen von Trägermaterial im Rahmen des Ausbildens der Vertiefungen durchgeführt werden. Das Entfernen von Trägerma terial kann jeweils mittels Ätzen erfolgen.

Die Verankerungsabschnitte können wenigstens zum Teil eine sich in Richtung der Rückseite des Trägers, und nach dem Strukturieren des Trägers bzw. nach der Vereinzelung in Rich tung der Rückseite von separaten Trägerabschnitten verbrei ternde Form aufweisen. Hierdurch kann eine zuverlässige Ver ankerung erzielt werden. Diese Ausgestaltung lässt sich ver wirklichen, indem das Ausbilden der Durchgangslöcher mittels Ätzen bzw. isotropem Ätzen durchgeführt wird. Auf diese Weise können die Durchgangslöcher eine sich wenigstens zum Teil in Richtung der Rückseite des Trägers verbreiternde Form besit zen. Das rückseitige Entfernen bzw. Ätzen von Trägermaterial kann des Weiteren derart durchgeführt werden, dass die Durch gangslöcher im Bereich der Rückseite des Trägers eine sich stufenförmig verbreiternde bzw. sich stufenförmig gegenüber den Vertiefungen verbreiternde Form aufweisen. In entspre chender Weise können die Verankerungsabschnitte eine im Be reich der Rückseite sich stufenförmig verbreiternde Form be sitzen .

In einer weiteren Ausführungsform erfolgt das Ausbilden des Kunststoffkörpers derart, dass die optoelektronischen Halb leiterchips in dem Kunststoffkörper eingebettet werden. Auch auf diese Weise können die Halbleiterchips verkapselt und da mit vor äußeren Einflüssen geschützt werden.

Für das Ausbilden eines solchen verkapselnden Kunststoffkör pers kann ein Kunststoffmaterial auf dem vorstrukturierten und mit optoelektronischen Halbleiterchips bestückten metal lischen Träger angeordnet werden. Das Kunststoffmaterial kann in Form einer durchgehenden und die optoelektronischen Halb leiterchips bedeckenden Schicht aufgebracht werden. Zu diesem Zweck kann zum Beispiel ein Formprozess oder ein Vergießpro zess durchgeführt werden. Im Hinblick auf die in dem Verfah ren verwendeten optoelektronischen bzw. strahlungsemittieren den Halbleiterchips kann das Kunststoffmaterial strahlungs durchlässig bzw. klar sein. Möglich ist es auch, dass das Kunststoffmaterial strahlungsdurchlässig ist und Leuchtstoff partikel enthält. Hierdurch kann eine Strahlungskonversion der im Betrieb der optoelektronischen Bauelemente von wenigs tens einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgegebenen Strahlung bewirkt werden.

Im Hinblick ein Einbetten der optoelektronischen Halbleiter chips in dem Kunststoffkörper kann ferner folgende Ausfüh rungsform in Betracht kommen. Hierbei umfasst das Ausbilden des Kunststoffkörpers ein Anordnen eines ersten und eines zweiten Kunststoffmaterials. Das erste Kunststoffmaterial ist ein reflektives Kunststoffmaterial und wird vor dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips in den Vertiefungen des vorstrukturierten Trägers angeordnet. Hierbei kann das erste Kunststoffmaterial bündig mit im Bereich der Vordersei te hervorstehenden Trägerabschnitten abschließen. Nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips wird das zweite Kunststoffmaterial auf dem ersten Kunststoffmaterial, den optoelektronischen Halbleiterchips und Trägerabschnitten angeordnet. Dadurch werden die optoelektronischen Halbleiter chips in dem zweiten Kunststoffmaterial eingebettet.

In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform wird der Kunststoffkörper aus zwei unterschiedliche Kunststoffmateria lien, d.h. dem ersten und zweiten Kunststoffmaterial, gebil det. In entsprechender Weise weisen die nach dem Vereinzeln vorliegenden Kunststoffgehäusekörper der optoelektronischen Bauelemente das erste und zweite Kunststoffmaterial auf.

Hierbei kann mit Hilfe des reflektiven ersten Kunststoffmate rials eine rückseitige Strahlungsemission im Betrieb der optoelektronischen Bauelemente verhindert werden. Das erste Kunststoffmaterial kann reflektierende Partikel enthalten und eine weiße Farbe besitzen. Das zweite Kunststoffmaterial kann strahlungsdurchlässig bzw. klar sein. Möglich ist es auch, dass das zweite Kunststoffmaterial strahlungsdurchlässig ist und Leuchtstoffpartikel enthält, so dass eine Strahlungskon version bewirkt werden kann.

Wie oben angegeben wurde, kann bei den mit Hilfe des Verfah rens hergestellten optoelektronischen Bauelementen zumindest ein Teil der metallischen Trägerabschnitte an einer Rückseite der Bauelemente hervorstehen. Diese Trägerabschnitte können rückseitige Anschlussflächen der optoelektronischen Bauele mente bilden, mit deren Hilfe die Bauelemente durch Löten im Rahmen einer Oberflächenmontage auf Anschlussflächen einer weiteren Vorrichtung, zum Beispiel einer Leiterplatte, ange ordnet werden können. Für eine zuverlässige Oberflächenmonta ge können die betreffenden Trägerabschnitte ferner derart ge- staltet werden, dass eine definierte Benetzung der Trägerab schnitte an vorgegebenen Stellen mit einem Lotmittel erzielt werden kann. In diesem Zusammenhang können folgende Ausfüh rungsformen in Betracht kommen.

In einer weiteren Ausführungsform wird nach dem Strukturieren des metallischen Trägers in separate Trägerabschnitte eine metallische Benetzungsschicht auf einer Rückseite und auf Seitenflanken von Trägerabschnitten ausgebildet. Zu diesem Zweck kann eine zunächst noch auf Trägerabschnitten rücksei tig vorhandene Ätzmaske (sofern vorhanden) entfernt werden, und kann nachfolgend, oder nach einer zusätzlichen Reinigung der Trägerabschnitte, das Ausbilden der metallischen Benet zungsschicht unter Anwendung von wenigstens einem Metallisie rungsverfahren erfolgen. Diese Prozesse können vor der Ver einzelung durchgeführt werden. Die Ausgestaltung von Träger abschnitten mit einer auf einer Rückseite und auf Seitenflan ken vorhandenen Benetzungsschicht macht eine mehrseitige Be netzung der Trägerabschnitte über eine relativ große Benet zungsfläche mit einem Lotmittel möglich. Auf diese Weise kann eine hohe Scherfestigkeit der oberflächenmontierten opto elektronischen Bauelemente erzielt werden. Ferner ist eine Lötkontrolle möglich.

In einer alternativen Ausführungsform werden nach dem Struk turieren des metallischen Trägers in separate Trägerabschnit te eine Antibenetzungsschicht auf Seitenflanken und eine me tallische Benetzungsschicht auf einer Rückseite von Trägerab schnitten ausgebildet. Die Antibenetzungsschicht ist eine Schicht, auf welcher keine oder nur eine geringfügige Benet zung mit einem Lotmittel erfolgen kann. Zu diesem Zweck kann eine zunächst noch auf Trägerabschnitten rückseitig vorhande ne Ätzmaske (sofern vorhanden) entfernt werden, und kann nachfolgend, oder nach einer zusätzlichen Reinigung der Trä gerabschnitte, die Antibenetzungsschicht auf Seitenflanken und auf einer Rückseite von Trägerabschnitten ausgebildet werden. Hierzu kann eine metallische Schicht wie zum Beispiel eine Nickel-Schicht durch ein Metallisierungsverfahren auf den betreffenden Trägerabschnitten ausgebildet und nachfol gend oxidiert werden. Die dadurch gebildete Antibenetzungs schicht kann anschließend an der Rückseite der Trägerab schnitte zumindest teilweise entfernt werden, zum Beispiel auf mechanische Weise mittels Schleifen oder Läppen. Im An schluss hieran kann die metallische Benetzungsschicht unter Anwendung von wenigstens einem Metallisierungsverfahren auf der Rückseite der Trägerabschnitte ausgebildet werden. In dieser Ausgestaltung kann in gezielter Weise eine lediglich rückseitige und planare Benetzung von Trägerabschnitten mit einem Lotmittel bewirkt werden. Dadurch ist die Möglichkeit gegeben, kleine Trägerabschnitte und kleine Abstände zwischen Trägerabschnitten vorzusehen und infolgedessen optoelektroni sche Bauelemente mit kleinen Abmessungen herzustellen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein optoelekt ronisches Bauelement vorgeschlagen. Das optoelektronische Bauelement weist mehrere separate metallische Trägerabschnit te, einen an die Trägerabschnitte angrenzenden Kunststoffge häusekörper und wenigstens einen optoelektronischen Halb leiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf wenigstens einem Trägerabschnitt angeordnet. Eine umlaufende Mantelfläche des optoelektronischen Bauelements ist durch den Kunststoffgehäusekörper gebildet .

Das optoelektronische Bauelement weist eine durch den Kunst stoffgehäusekörper gebildete Mantelfläche auf. Somit liegt an der Mantelfläche kein metallisches Material vor. Das opto elektronische Bauelement kann gemäß dem vorstehend beschrie benen Verfahren oder gemäß einer oder mehrerer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens hergestellt sein. Daher können einzelne oder mehrere der im Folgenden ge nannten Ausführungsformen und Merkmale bei dem optoelektroni schen Bauelement vorliegen.

Das optoelektronische Bauelement kann ein oberflächenmontier bares Bauelement sein. Das Bauelement kann ein QFN-Bauelement sein. Eine Rückseite des Bauelements, welche durch den Kunst- stoffgehäusekörper und die metallischen Trägerabschnitte ge bildet sein kann, kann strukturiert und nicht eben sein. Zu mindest ein Teil der Trägerabschnitte kann an der Rückseite hervorstehen. Die rückseitig hervorstehenden Trägerabschnitte können rückseitige Anschlussflächen des Bauelements bilden. Auch können die Trägerabschnitte bzw. kann zumindest ein Teil der Trägerabschnitte Seitenflanken mit zwei gekrümmten und eine gemeinsame Kante bildenden Teilflanken aufweisen.

Mit Bezug auf die strukturierte Rückseite können die Träger abschnitte gegenüber dem Kunststoffgehäusekörper bzw. Kunst stoffmaterial des Kunststoffgehäusekörpers hervorstehen. Der Überstand kann zum Beispiel im zweistelligen Mikrometerbe reich liegen. Denkbar ist zum Beispiel ein Überstand im Be reich von 50ym. Möglich sind auch andere Überstände, zum Bei spiel im Bereich von 20ym oder 30ym.

Zumindest ein Teil der metallischen Trägerabschnitte kann auf einer Rückseite und auf Seitenflanken eine metallische Benet zungsschicht aufweisen. Möglich ist es auch, dass zumindest ein Teil der metallischen Trägerabschnitte auf Seitenflanken eine Antibenetzungsschicht aufweist. Diese Trägerabschnitte können ferner auf einer Rückseite eine metallische Benet zungsschicht aufweisen. Hierbei können die Anschlussflächen des optoelektronischen Bauelements durch die Benetzungs schichten der Trägerabschnitte gebildet sein.

Der wenigstens eine optoelektronische Halbleiterchip kann ein strahlungsemittierender Halbleiterchip bzw. ein LED-Chip sein. Das optoelektronische Bauelement kann ein RGB- Bauelement mit einem rot emittierenden, einem grün emittie renden und einem blau emittierenden Halbleiterchip sein.

Der Kunststoffgehäusekörper kann aus einem Kunststoffmateri al, zum Beispiel einem weißen reflektiven oder einem schwar zen Kunststoffmaterial, ausgebildet sein. Eine Vorderseite des optoelektronischen Bauelements kann wenigstens zum Teil durch den Kunststoffgehäusekörper gebildet sein. In einer weiteren Ausführungsform weist der Kunststoffgehäu sekörper eine Kavität auf, in welcher der wenigstens eine optoelektronische Halbleiterchip angeordnet ist. Die Kavität kann mit einem Füllmaterial verfüllt sein, welches strah lungsdurchlässig sein kann und gegebenenfalls Leuchtstoffpar tikel enthalten kann.

In einer weiteren Ausführungsform ist der wenigstens eine optoelektronische Halbleiterchip in dem Kunststoffgehäusekör per eingebettet. Hierbei kann der Kunststoffgehäusekörper we nigstens zum Teil aus einem strahlungsdurchlässigen und gege benenfalls Leuchtstoffpartikel enthaltenden Kunststoffmateri al ausgebildet sein. Des Weiteren kann der Kunststoffgehäuse körper aus einem ersten und einem zweiten Kunststoffmaterial ausgebildet sein. Das erste Kunststoffmaterial kann ein re- flektives Kunststoffmaterial sein, und sich seitlich neben und zwischen den Trägerabschnitten befinden. Hierbei kann das erste Kunststoffmaterial bündig mit Vorderseiten der Träger abschnitte abschließen. Das zweite Kunststoffmaterial kann auf dem ersten Kunststoffmaterial, den Trägerabschnitten und dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip ange ordnet sein, so dass der Halbleiterchip in dem zweiten Kunst stoffmaterial eingebettet ist. Das zweite Kunststoffmaterial kann strahlungsdurchlässig sein und gegebenenfalls Leucht stoffpartikel enthalten.

In einer weiteren Ausführungsform weist der Kunststoffgehäu sekörper wenigstens einen rückseitigen Verankerungsabschnitt auf. Der Verankerungsabschnitt kann rückseitig bündig mit we nigstens einem metallischen Trägerabschnitt bzw. wenigstens mit einer durch einen Trägerabschnitt gebildeten rückseitigen Anschlussfläche abschließen. Der Verankerungsabschnitt kann seitlich an wenigstens einen Trägerabschnitt angrenzen. Der Verankerungsabschnitt kann sich ferner am Rand des Bauele ments, oder in einem Bereich zwischen mehreren metallischen Trägerabschnitten des Bauelements, befinden. Möglich ist auch eine Position innerhalb eines Trägerabschnitts. Der Veranke- rungsabschnitt kann wenigstens zum Teil eine sich in Richtung der Rückseite des Bauelements verbreiternde Form aufweisen. Möglich ist auch eine Ausgestaltung, in welcher der Veranke rungsabschnitt eine im Bereich der Rückseite stufenförmig auskragende Form aufweist. Bei einer Ausgestaltung des Kunst stoffgehäusekörpers mit mehreren Verankerungsabschnitten kön nen diese seitlich und/oder innerhalb von einem oder mehreren Trägerabschnitten vorhanden sein.

In einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Treiberchip zur elektrischen Ansteuerung des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchips auf. Der Treiberchip kann auf wenigstens einem Trägerabschnitt ange ordnet sein. Der Treiberchip kann in dem Kunststoffgehäuse körper eingebettet sein oder in einer eigens für den Treiber chip vorgesehenen Kavität des Kunststoffgehäusekörpers ange ordnet sein. Auch diese Kavität kann mit einem Füllmaterial verfüllt sein, welches strahlungsundurchlässig sein kann.

Ferner können der Treiberchip und der wenigstens eine opto elektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauele ments wenigstens über einen metallischen Trägerabschnitt, und gegebenenfalls eine weitere Komponente wie zum Beispiel ein Bonddraht, elektrisch verbunden sein. Der betreffende Träger abschnitt kann zum Teil über eine Kavität eines Kunststoffge häusekörpers des Bauelements freigestellt sein, in welcher sich der optoelektronische Halbleiterchip befinden kann.

Es wird darauf hingewiesen, dass mit Bezug auf das Herstel lungsverfahren genannte Aspekte und Details in entsprechender Weise für das optoelektronische Bauelement, und mit Bezug auf das optoelektronische Bauelement genannte Aspekte und Details in entsprechender Weise für das Herstellungsverfahren zur An wendung kommen können.

Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können - außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen - einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen .

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusam menhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbei spielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnun gen näher erläutert werden. Es zeigen:

Figuren 1 bis 10 einen Verfahrensablauf zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seitlichen Dar stellungen und Aufsichtsdarstellungen, wobei ein metallischer Träger vorstrukturiert wird, ein Kunststoffkörper mit Kavitä ten ausgebildet wird, optoelektronische Halbleiterchips in Kavitäten auf Trägerabschnitten angeordnet werden, die Kavi täten verfüllt werden, der Träger strukturiert wird, und ein Vereinzelungsprozess durchgeführt wird;

Figuren 11 und 12 eine seitliche Darstellung und eine Auf sichtsdarstellung eines mit dem Verfahrensablauf der Figuren 1 bis 10 hergestellten optoelektronischen Bauelements;

Figur 13 eine seitliche Darstellung eines vorgefertigten Ge häuses;

Figuren 14 bis 20 einen weiteren Verfahrensablauf zur Her stellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seit lichen Darstellungen und Aufsichtsdarstellungen, wobei die optoelektronischen Bauelemente Verankerungsstrukturen aufwei sen;

Figur 21 eine Aufsichtsdarstellung eines mit dem Verfahrens ablauf der Figuren 14 bis 20 hergestellten optoelektronischen Bauelements ; Figur 22 eine seitliche Darstellung eines metallischen Trä gers mit einem Kunststoffkörper und Verankerungsstrukturen;

Figuren 23 bis 28 einen weiteren Verfahrensablauf zur Her stellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seit lichen Darstellungen und Aufsichtsdarstellungen, wobei die optoelektronischen Bauelemente einen optoelektronischen Halb leiterchip und einen Treiberchip aufweisen;

Figur 29 eine seitliche Darstellung eines vorgefertigten Ge häuses mit einem Treiberchip;

Figur 30 eine Aufsichtsdarstellung eines vorstrukturierten Trägers zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit drei optoelektronischen Halbleiterchips und einem Trei berchip;

Figur 31 eine Aufsichtsdarstellung eines optoelektronischen Bauelements mit drei optoelektronischen Halbleiterchips und einem Treiberchip;

Figur 32 eine rückseitige Darstellung des optoelektronischen Bauelements von Figur 31;

Figuren 33 bis 39 einen weiteren Verfahrensablauf zur Her stellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seit lichen Darstellungen und Aufsichtsdarstellungen, wobei ein metallischer Träger vorstrukturiert wird, optoelektronische Halbleiterchips auf Trägerabschnitten angeordnet werden, ein die Halbleiterchips verkapselnder Kunststoffkörper ausgebil det wird, der Träger strukturiert wird, und ein Vereinze lungsprozess durchgeführt wird;

Figuren 40 und 41 eine seitliche Darstellung und eine Auf sichtsdarstellung eines mit dem Verfahrensablauf der Figuren 33 bis 39 hergestellten optoelektronischen Bauelements; Figuren 42 und 43 eine seitliche Darstellung und eine Auf sichtsdarstellung eines weiteren optoelektronischen Bauele ments;

Figuren 44 eine Aufsichtsdarstellung eines metallischen Trä gers mit optoelektronischen Halbleiterchips, einem Kunst stoffkörper und Verankerungsstrukturen;

Figur 45 eine seitliche Darstellung des Trägers und des Kunststoffkörpers von Figur 44 im Bereich einer Verankerungs struktur;

Figuren 46 bis 49 einen weiteren Verfahrensablauf zur Her stellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seit lichen Darstellungen, wobei ein Kunststoffkörper umfassend ein erstes und ein zweites Kunststoffmaterial ausgebildet wird;

Figur 50 eine seitliche Darstellung eines mit dem Verfahrens ablauf der Figuren 46 bis 49 hergestellten optoelektronischen Bauelements ;

Figur 51 eine seitliche Darstellung eines weiteren optoelekt ronischen Bauelements;

Figuren 52 bis 53 einen Verfahrensablauf zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seitlichen Dar stellungen, wobei Trägerabschnitte mit einer Benetzungs schicht ausgebildet werden;

Figur 54 eine seitliche Darstellung eines optoelektronischen Bauelements mit Trägerabschnitten mit einer Benetzungs schicht, welches auf einer Leiterplatte angeordnet ist;

Figuren 55 bis 57 einen Verfahrensablauf zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen anhand von seitlichen Dar stellungen, wobei metallische Trägerabschnitte mit einer An- tibenetzungsschicht und einer Benetzungsschicht ausgebildet werden;

Figur 58 eine seitliche Darstellung eines optoelektronischen Bauelements mit Trägerabschnitten mit einer Antibenetzungs schicht und einer Benetzungsschicht, welches auf einer Lei terplatte angeordnet ist;

Figuren 59 und 60 eine seitliche Darstellung und eine Auf sichtsdarstellung eines optoelektronischen Bauelements mit drei optoelektronischen Halbleiterchips; und

Figuren 61 und 62 eine seitliche Darstellung und eine Auf sichtsdarstellung eines weiteren optoelektronischen Bauele ments mit drei optoelektronischen Halbleiterchips.

Anhand der folgenden Figuren werden mögliche Ausgestaltungen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementen 100 und von dazugehörigen Herstellungsverfahren beschrieben. Bei den optoelektronischen Bauelementen 100 handelt es sich um oberflächenmontierbare QFN-Bauelemente (Quad Flat No

Leads) . Im Rahmen der Herstellung können aus der Halbleiter technik und aus der Fertigung von optoelektronischen Bauele menten bekannte Prozesse durchgeführt werden und können in diesen Gebieten übliche Materialien zum Einsatz kommen, so dass hierauf nur teilweise eingegangen wird. In gleicher Wei se können zusätzlich zu gezeigten und beschriebenen Prozessen weitere Prozesse durchgeführt werden und können die Bauele mente 100 zusätzlich zu gezeigten und beschriebenen Komponen ten mit weiteren Komponenten und Strukturen gefertigt werden.

Es wird darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich sche matischer Natur und nicht maßstabsgetreu sind. Daher können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besse ren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein. Die im Folgenden erläuterten Verfahrensabläufe sind in einem Ausschnitt in den Figuren dargestellt. Hierbei können die jeweils gezeigten Bestandteile sich vielfach wiederholend vorliegen. Ein Teil der Figuren zeigt Trennlinien 290, ent- lang welchen ein Bauelementverbund am Verfahrensende durch trennt wird. Anhand der Trennlinien 290 werden die zuvor in Bezug auf die jeweiligen Bauelemente 100 vorliegenden Gege benheiten deutlich. Die Aufsichtsdarstellungen enthalten zum Teil Schnittlinien, welche sich auf Schnittebenen der dazuge hörigen seitlichen Schnittdarstellungen beziehen. Hinsicht lich der Aufsichtsdarstellungen wird ferner darauf hingewie sen, dass verdeckte Bestandteile und Strukturen zum Teil an hand von gestrichelten Linien angedeutet sind.

Die Figuren 1 bis 10 zeigen anhand von seitlichen Schnittdar stellungen und Aufsichtsdarstellungen ein mögliches Verfahren zum gemeinsamen Herstellen von strahlungsemittierenden opto elektronischen Bauelementen 100. Bei dem Verfahren wird, wie in Figur 1 gezeigt ist, ein plattenförmiger bzw. bandförmiger metallischer Träger 110 bereitgestellt. Der Träger 110 kann zum Beispiel aus Kupfer ausgebildet sein und eine Dicke 210 von zum Beispiel 0,15mm aufweisen. Der Träger 110 weist zwei entgegengesetzte Hauptseiten 111, 112, d.h. eine Vorderseite 111 und eine Rückseite 112, auf.

Wie in Figur 1 weiter dargestellt ist, weist der bereitge stellte metallische Träger 110 eine vorderseitige Ätzmaske 141 und eine rückseitige Ätzmaske 142 auf. Die beiden Ätzmas ken 141, 142 sind in Form von strukturieren Beschichtungen des Trägers 110 verwirklicht und umfassen nebeneinander ange ordnete Schichtabschnitte, mit welchen Bereiche der Vorder seite 111 und der Rückseite 112 des Trägers 110 abgedeckt sind. Auf diese Weise kann in nachfolgend durchgeführten Ätz prozessen ein selektiver Ätzabtrag an vorgegebenen Stellen der Vorderseite 111 und Rückseite 112 des Trägers 110 erzielt werden. Die Ätzmasken 141, 142 weisen Öffnungsbreiten und Ab stände 241, 242 zwischen den Schichtabschnitten auf, welche mindestens 0,1mm betragen können. Möglich sind auch kleinere Abstände 241, 242 von zum Beispiel mindestens 0,025mm. Hier bei kann der Träger 110 eine gegenüber der oben genannten Di cke 210 kleinere Dicke 210 von zum Beispiel 0,05mm aufweisen. Bei den Ätzmasken 141, 142 handelt es sich um metallische Ätzmasken, welche durch Durchführen von wenigstens einem Me tallisierungsverfahren (Plating) auf dem metallischen Träger

110 ausgebildet werden können. Die Ätzmasken 141, 142 bzw. deren Schichtabschnitte können zum Beispiel in Form von

Schichtenstapeln aus NiAu, NiPdAu oder NiAg verwirklicht wer den. Vor dem Metallisieren können Bereiche der Vorderseite

111 und Rückseite 112 des Trägers 110, in welchen kein Metal lisieren stattfinden soll, durch Ausbilden einer Fotolackmas ke in Form einer strukturierten Fotolackschicht abgedeckt werden. Nach dem Metallisieren können die Fotolackmasken wie der entfernt werden (jeweils nicht dargestellt).

In dem vorliegenden Verfahrensablauf werden die Ätzmasken 141, 142 nicht von dem Träger 110 entfernt, und verbleiben auch bei den hergestellten optoelektronischen Bauelementen 100. Die Ätzmasken 141, 142 werden daher im Folgenden als Be standteil des Trägers 110, und somit auch der später vorlie genden Trägerabschnitte 121, 122, angesehen. In diesem Sinne werden die Vorderseite 111 und die Rückseite 112 des Trägers 110 zum Teil durch die Ätzmasken 141, 142 selbst gebildet. Ferner bilden die Ätzmasken 141, 142 kontaktierbare Beschich tungen des Trägers 110 und der später vorliegenden Trägerab schnitte 121, 122, welche sich zum Beispiel zum Löten und An schließen von Kontaktstrukturen wie zum Beispiel Bonddrähten 180 eignen.

Nach dem Bereitstellen des metallischen Trägers 110 mit den Ätzmasken 141, 142 erfolgt, wie in den Figuren 2 und 7 ge zeigt ist, ein Vorstrukturieren des Trägers 110 durch vorder seitiges Entfernen von metallischem Trägermaterial. Zu diesem Zweck wird ein vorderseitiges isotropes Ätzen des Trägers 110 durchgeführt. Dies lässt sich durch ein nasschemisches Ätz verfahren verwirklichen. Bei diesem Schritt wird der Träger 110 an denjenigen Stellen geätzt, welche nicht mit der vor derseitigen Ätzmaske 141 bedeckt sind. Der nach dem Ätzen vorliegende vorstrukturierte metallische Träger 110 weist im Bereich der Vorderseite 111 hervorstehende Trägerabschnitte 121, 122 und dazwischen vorhandene Vertiefungen 130 auf. Die hervorstehenden Trägerabschnitte 121, 122 werden weiterhin über rückseitiges Trägermaterial zusammengehalten. Auch sind die Trägerabschnitte 121, 122 umfangsseitig von den Vertie fungen 130 umschlossen. Hierbei gehen die Vertiefungen 130 ineinander über und bilden eine zusammenhängende gitterförmi ge Grabenstruktur.

Wie in Figur 7 gezeigt ist, werden die Trägerabschnitte 121, 122 vorliegend mit unterschiedlichen lateralen Abmessungen ausgebildet. Für jedes herzustellende optoelektronische Bau element 100 werden ein Trägerabschnitt 121 und ein kleinerer Trägerabschnitt 122 erzeugt.

Aufgrund der isotropen Ätzung weisen die Vertiefungen 130, wie in Figur 2 gezeigt ist, ein rundes Querschnittsprofil auf. Auch können die Vertiefungen 130 einen leichten seitli chen Unterschnitt besitzen. Das vorderseitige Ätzen des me tallischen Trägers 110 kann so weit erfolgen, dass die Ver tiefungen 130 eine Tiefe 230 aufweisen, welche zwei Drittel der Dicke 210 des ursprünglich bereitgestellten Trägers 110 betragen kann (vgl. die Figuren 1 und 2) . Möglich ist auch eine andere Tiefe 230, welche zum Beispiel die Hälfte der Di cke 210 des Trägers 110 betragen kann.

Anschließend wird, wie in den Figuren 3 und 8 dargestellt ist, ein Kunststoffkörper 150 auf der Vorderseite 111 des vorstrukturierten metallischen Trägers 110 ausgebildet. Der Kunststoffkörper 150 weist Kavitäten 156 auf, über welche der Träger 110 bzw. dessen Ätzmasken-Schichtabschnitte 141 vor derseitig zum Teil freigestellt sind. Für das Ausbilden des Kunststoffkörpers 150 wird ein Kunststoffmaterial durch

Durchführen eines Formprozesses (Moldprozess) mit Hilfe eines Formwerkzeugs (Moldwerkzeug) auf dem Träger 110 aufgebracht (nicht dargestellt) .

Das verwendete Kunststoffmaterial des Kunststoffkörpers 150 kann zum Beispiel ein Duroplast oder ein Thermoplast sein. Des Weiteren kann es sich um ein reflektives Kunststoffmate rial handeln, welches in dem Kunststoffmaterial eingebettete reflektive Partikel enthalten kann (nicht dargestellt) , und welches dadurch eine weiße Farbe besitzen kann. Alternativ kann das Kunststoffmaterial eine schwarze Farbe besitzen.

Bei dem Ausbilden des Kunststoffkörpers 150 wird das Kunst stoffmaterial in den Vertiefungen 130 des metallischen Trä gers 110, und am Rand der Kavitäten 156 zum Teil auch auf den Trägerabschnitten 121, 122 angeordnet (vgl. die Figuren 3 und 8) . Durch den seitlichen Unterschnitt der Vertiefungen 130 ist eine Verzahnung zwischen dem Träger 110 und dem Kunst stoffkörper 150 möglich.

Der Kunststoffkörper 150 weist für jedes herzustellende opto elektronische Bauelement 100 eine eigene Kavität 156 auf.

Über die Kavitäten 156 sind daher jeweils ein Trägerabschnitt 121 und ein Trägerabschnitt 122 vorderseitig zum Teil freige stellt. Im Bereich der Kavitäten 156 sind die zwischen den Trägerabschnitten 121, 122 vorhandenen Vertiefungen 130 der art mit dem Kunststoffmaterial des Kunststoffkörpers 150 ver fällt, dass der Kunststoffkörper 150 an dieser Stelle bündig mit dem metallischen Träger 110 bzw. mit dessen vorderseiti ger Ätzmaske 141 abschließt. Hierdurch besitzen die Kavitäten 156, wie in Figur 3 gezeigt ist, einen ebenen Boden. Anhand von Figur 3 wird weiter deutlich, dass die Kavitäten 156 eine sich in Richtung einer Vorderseite der herzustellenden opto elektronischen Bauelemente 100 erweiternde Querschnittsform mit schräg zu dem Träger 110 verlaufenden Seitenwänden auf weisen. Durch diese Ausgestaltung können die Kavitäten 156 als Reflektoren bei den Bauelementen 100 dienen.

Nach dem Ausbilden des Kunststoffkörpers 150 werden, wie in den Figuren 4 und 9 dargestellt ist, strahlungsemittierende optoelektronische Halbleiterchips 170 in den Kavitäten 156 des Kunststoffkörpers 150 auf der Vorderseite 111 des metal lischen Trägers 110 angeordnet und elektrisch an den Träger 110 angeschlossen. In jeder Kavität 156 wird ein einzelner Halbleiterchip 170 montiert.

Die verwendeten Halbleiterchips 170 können zum Beispiel LED- Chips sein. Des Weiteren kommt bei dem vorliegenden Verfah rensablauf eine Ausgestaltung zum Einsatz, in welcher die Halbleiterchips 170 einen vorderseitigen Kontakt 175 und ei nen nicht gezeigten rückseitigen Kontakt aufweisen. Der vor derseitige Kontakt 175 kann, wie in Figur 9 dargestellt ist, einen kreisförmigen Kontaktabschnitt und einen sich hiervon erstreckenden linienförmigen Kontaktabschnitt aufweisen.

Bei der Chipmontage werden die strahlungsemittierenden Halb leiterchips 170 auf den Trägerabschnitten 121 des Trägers 110 platziert. Hierbei können die Halbleiterchips 170 zum Bei spiel durch Kleben, Löten oder Sintern auf den Trägerab schnitten 121 befestigt werden. Auf diese Weise können gleichzeitig die rückseitigen Kontakte der Halbleiterchips 170 über ein nicht gezeigtes und in dem jeweiligen Prozess verwendetes elektrisch leitfähiges Verbindungsmaterial (Kleb stoff, Lotmittel oder Sinterpaste) elektrisch mit den Träger abschnitten 121 verbunden werden. Die vorderseitigen Kontakte 175 der Halbleiterchips 170 werden über Kontaktstrukturen in Form von Bonddrähten 180 elektrisch mit den jeweils benach barten und über dieselben Kavitäten 156 zugänglichen Träger abschnitten 122 verbunden. Hierbei werden die Bonddrähte 180 an die kreisförmigen Kontaktabschnitte der Chipkontakte 175 angeschlossen .

Nach der Chipmontage werden die Kavitäten 156 des Kunststoff körpers 150, wie ebenfalls in Figur 4 gezeigt ist, mit einem Füllmaterial 161 verfüllt. Dies erfolgt derart, dass das Füllmaterial 161 vorderseitig bündig mit dem Kunststoffkörper 150 abschließt. Mit Hilfe des Füllmaterials 161 können die sich in den Kavitäten 156 befindenden strahlungsemittierenden Halbleiterchips 170 verkapselt damit vor äußeren Einflüssen geschützt werden. Das Einbringen des Füllmaterials 161 in die Kavitäten 156 kann zum Beispiel mit Hilfe eines Dispensers durchgeführt werden (nicht dargestellt) .

Das verwendete Füllmaterial 161 kann ein strahlungsdurchläs siges bzw. klares Kunststoffmaterial wie zum Beispiel ein Si likonmaterial oder ein Epoxidmaterial sein. Gegebenenfalls kann das Füllmaterial 161 zusätzlich Leuchtstoffpartikel ent halten (nicht dargestellt) . Auf diese Weise kann eine Strah lungskonversion einer im Betrieb von den Halbleiterchips 170 abgegebenen Lichtstrahlung bewirkt werden. In der Aufsichts darstellung von Figur 9, sowie auch in folgenden Aufsichts darstellungen, ist das Füllmaterial 161 als klares Material dargestellt .

Im Anschluss hieran erfolgt, wie in Figur 5 dargestellt ist, ein Strukturieren des Trägers 110 durch rückseitiges Entfer nen von metallischem Trägermaterial im Bereich der Vertiefun gen 130 bis zum Erreichen des Kunststoffkörpers 150. Bei die sem Vorgang wird der Kunststoffkörper 150 rückseitig zum Teil freigestellt, und wird der Träger 110 in separate, d.h. nicht mehr über metallisches Trägermaterial miteinander verbundene metallische Trägerabschnitte 121, 122 strukturiert. Hierbei gehen die zuvor im Bereich der Vorderseite 111 des Trägers 110 hervorstehenden Trägerabschnitte 121, 122 in die separa ten Trägerabschnitte 121, 122 über, oder anders ausgedrückt, werden die zuvor miteinander verbundenen Trägerabschnitte 121, 122 voneinander separiert. Entsprechend dem Vorstruktu rieren werden bei dem Strukturieren des Trägers 110 für jedes herzustellende optoelektronische Bauelement 100 ein separater Trägerabschnitt 121 und ein kleinerer separater Trägerab schnitt 122 erzeugt. In diesem Zustand werden die separaten Trägerabschnitte 121, 122 über den Kunststoffkörper 150 und das Füllmaterial 161 zusammengehalten.

Zum Strukturieren des metallischen Trägers 110 in die separa ten Trägerabschnitte 121, 122 wird ein rückseitiges isotropes Ätzen des Trägers 110 durchgeführt. Dies lässt sich ebenfalls durch ein nasschemisches Ätzverfahren verwirklichen. Bei die- sem Schritt wird der Träger 110 an denjenigen Stellen geätzt, welche nicht mit der rückseitigen Ätzmaske 142 bedeckt sind. Aufgrund der isotropen Ätzung weisen die Trägerabschnitte 121, 122 im Querschnitt, wie in Figur 5 gezeigt ist, Seiten flanken 131 mit zwei gekrümmten und eine gemeinsame, seitlich hervorstehende Kante bildenden Teilflanken auf.

Bei dem Strukturieren des metallischen Trägers 110 kann Trä germaterial nicht nur im Bereich der Vertiefungen 130, son dern auch an anderen Stellen rückseitig geätzt werden. Bei dem vorliegenden Verfahrensablauf ist dies beispielhaft in Bezug auf den in Figur 5 gezeigten Trägerabschnitt 121 veran schaulicht. Hierbei weist die rückseitige Ätzmaske 142 im Be reich des Trägerabschnitts 121 eine Öffnung auf. Dies hat zur Folge, dass bei dem rückseitigen Ätzen eine Vertiefung 132 erzeugt wird. Aufgrund der isotropen Ätzung besitzt die rück seitige Vertiefung 132 ein rundes Querschnittsprofil. Eine solche Vertiefung 132 kann bei sämtlichen Trägerabschnitten 121 vorgesehen werden.

Der nach dem Strukturieren des metallischen Trägers 110 vor liegende Bauelementverbund wird anschließend, wie in den Fi guren 6 und 10 dargestellt ist, in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt. Bei diesem Vorgang erfolgt ein Durchtrennen des Kunststoffkörpers 150 zwischen separaten Trägerabschnitten 121, 122 entlang von Trennlinien 290. Hier durch wird der Kunststoffkörper 150 in den einzelnen Bauele menten 100 zugehörige Kunststoffgehäusekörper 155 aufgeteilt. Das Durchtrennen des Kunststoffkörpers 150 kann auf mechani sche Weise, zum Beispiel mittels Sägen, durchgeführt werden (nicht dargestellt) .

Ein einzelnes strahlungsemittierendes optoelektronisches Bau element 100, welches mit Hilfe des Verfahrens der Figuren 1 bis 10 hergestellt wurde, ist in einer seitlichen Schnittdar stellung und in einer Aufsichtsdarstellung in den Figuren 11 und 12 abgebildet. Das Bauelement 100 weist zwei separate und rückseitig kontaktierbare metallische Trägerabschnitte 121, 122, einen an die Trägerabschnitte 121, 122 angrenzenden und mit diesen verbundenen Kunststoffgehäusekörper 155 mit einer Kavität 156, und einen einzelnen sich in der Kavität 156 be findenden strahlungsemittierenden Halbleiterchip 170 auf. Die Kavität 156 ist mit einem Füllmaterial 161 verfüllt. Der Halbleiterchip 170 ist auf dem Trägerabschnitt 121 angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden. Über einen Bonddraht 180 ist der Halbleiterchip 170 an den anderen Trägerabschnitt 122 elektrisch angeschlossen. Hierdurch kann der Halbleiterchip 170 im Betrieb des Bauelements 100 über die Trägerabschnitte 121, 122 mit elektrischer Energie versorgt werden.

Anhand von Figur 11 wird weiter deutlich, dass das optoelekt ronische Bauelement 100 eine strukturierte Rückseite 102 auf weist, welche durch den Kunststoffgehäusekörper 155 und die Trägerabschnitte 121, 122 gebildet ist. Die Trägerabschnitte 121, 122 stehen rückseitig gegenüber dem Kunststoffgehäuse körper 155 hervor. Hierbei kann der Überstand zum Beispiel im zweistelligen Mikrometerbereich liegen. Der Überstand kann zum Beispiel 50ym betragen. Möglich sind auch andere Über stände, zum Beispiel von 20ym oder 30ym. Des Weiteren bilden die Trägerabschnitte 121, 122 bzw. deren Ätzmasken- Schichtabschnitte 142 rückseitige Anschlussflächen 135 des Bauelements 100, mit deren Hilfe das Bauelement 100 im Rahmen einer Oberflächenmontage (SMT, Surface Mounting Technology) auf einer weiteren Vorrichtung montiert werden kann (nicht dargestellt) . Das Bauelement 100 weist eine umlaufende Man telfläche 105 auf, welche sich aus sämtlichen lateralen Au ßenseiten des Bauelements 100 zusammensetzt, und welche aus schließlich durch den Kunststoffgehäusekörper 155 gebildet ist. Eine Vorderseite 101 des Bauelements 100 ist durch den Kunststoffgehäusekörper 155 und das Füllmaterial 161 gebil det. Im Betrieb des Bauelements 100 kann eine Lichtstrahlung über das Füllmaterial 161 vorderseitig abgegeben werden.

Das anhand der Figuren 1 bis 10 erläuterte Verfahren kann kostengünstig und mit einer hohen Zuverlässigkeit durchge führt werden. Dies ergibt sich aus der Verwendung des metal- lischen Trägers 110, welcher sich im Vergleich zu einem her kömmlichen Leiterrahmen durch eine hohe Stabilität und Ro bustheit auszeichnen kann. Auch kann die Vereinzelung, in welcher lediglich der Kunststoffkörper 150 durchtrennt wird, einfach und kostengünstig durchgeführt werden. Das Verfahren bietet ferner die Möglichkeit, die optoelektronischen Bauele mente 100 mit kompakten Abmessungen zu fertigen. Die opto elektronischen Bauelemente 100 können sich ferner, aufgrund der metallischen Trägerabschnitte 121, 122, durch eine effi ziente Wärmeabführung und einen kleinen thermischen Wider stand auszeichnen. Auch können die Bauelemente 100, aufgrund der ausschließlich durch den Kunststoffgehäusekörper 155 ge bildeten Mantelfläche 105, eine hohe Robustheit besitzen.

Im Folgenden werden mögliche Varianten und Abwandlungen be schrieben, welche in Bezug auf den zuvor erläuterten Verfah rensablauf und hiermit hergestellte optoelektronische Bauele mente 100 in Betracht kommen können. Übereinstimmende Verfah rensschritte und Merkmale sowie gleiche und gleich wirkende Komponenten werden im Folgenden nicht erneut detailliert be schrieben. Für Details hierzu wird stattdessen auf die obige Beschreibung Bezug genommen. Ferner können Aspekte und De tails, welche in Bezug auf eine Ausgestaltung genannt werden, auch in Bezug auf eine andere Ausgestaltung zur Anwendung kommen und können Merkmale von zwei oder mehreren Ausgestal tungen miteinander kombiniert werden.

Anstelle der in den vorhergehenden Figuren gezeigten opto elektronischen Halbleiterchips 170 mit einem vorderseitigen Kontakt 175 und einem rückseitigen Kontakt können andere Bau formen zur Anwendung kommen. Möglich sind zum Beispiel Halb leiterchips 170 mit zwei vorderseitigen Kontakten 175, 176, wie sie bei weiter unten erläuterten Verfahrensabläufen ein gesetzt werden (vgl. zum Beispiel Figur 34) . Hierbei können beide vorderseitige Kontakte 175, 176 mit Hilfe von Bonddräh ten 180 mit metallischen Trägerabschnitten elektrisch verbun den werden. Weiterhin können auch optoelektronische Halb leiterchips mit zwei rückseitigen Kontakten, welche in Form von sogenannten Flip-Chips verwirklicht sein können, verwen det werden. Derartige Halbleiterchips können durch Kleben, Löten oder Sintern auf zwei Trägerabschnitten montiert wer den, wodurch gleichzeitig die rückseitigen Kontakte

elektrisch mit jeweils einem der Trägerabschnitte verbunden werden können (nicht dargestellt) .

Eine weitere Abwandlung besteht darin, vorderseitige Kontakte 175, 176 von Halbleiterchips 170 nicht mit Bonddrähten 180, sondern mit anderen Kontaktstrukturen an metallische Träger abschnitte anzuschließen. Ein Beispiel sind metallische Kon taktschichten, welche auch als PI-Kontakte (Planar Inter- connect) oder RDL-Schichten (Redistribution Layer) bezeichnet werden. Im Hinblick auf derartige Kontaktstrukturen können eine oder mehrere isolierende und seitlich an die Halbleiter chips 170 heranreichende Schichten mit Aussparungen zum Frei halten von zu kontaktierenden Bereichen von Trägerabschnitten ausgebildet werden. Anschließend können die Kontaktschichten ausgebildet werden, um die vorderseitigen Chipkontakte 175, 176 mit den Trägerabschnitten elektrisch zu verbinden (nicht dargestellt) .

Eine weitere Variante besteht darin, Verfahrensschritte in einer anderen Reihenfolge durchzuführen. Beispielsweise kann es in Betracht kommen, eine Chipmontage nicht vor, sondern nach dem rückseitigen Ätzen eines metallischen Trägers 110 zum Strukturieren desselben in separate Trägerabschnitte durchzuführen, und infolgedessen Halbleiterchips auf bereits separierten metallischen Trägerabschnitten anzuordnen. Diese Vorgehensweise macht es möglich, eine bei dem rückseitigen Ätzen gegebenenfalls auftretende Beschädigung von Halbleiter chips zu vermeiden. Hierbei kann die Chipmontage auf einem vorgefertigten Gehäuse, welches auch als Premolded Package oder Halbzeug bezeichnet werden kann, erfolgen.

Zur beispielhaften Veranschaulichung ist in Figur 13 ein sol ches vorgefertigtes Gehäuse 200 in einer seitlichen Schnitt darstellung gezeigt. Das vorgefertigte Gehäuse 200 weist se- parate metallische Trägerabschnitte 121, 122 und einen mit den Trägerabschnitten 121, 122 verbundenen Kunststoffkörper

150 mit Kavitäten 156 auf. Die Herstellung des vorgefertigten Gehäuses 200 kann zunächst vergleichbar zu dem oben erläuter ten Verfahren erfolgen, d.h. dass ein metallischer Träger 110 mit Ätzmasken 141, 142 bereitgestellt wird (vgl. Figur 1), der Träger 110 durch vorderseitiges Ätzen vorstrukturiert wird und infolgedessen im Bereich der Vorderseite 111 hervor stehende Trägerabschnitte 121, 122 und dazwischen Vertiefun gen 130 aufweist (vgl. die Figuren 2 und 7), und der Kunst stoffkörper 150 mit Kavitäten 156 auf dem Träger 110 ausge bildet wird (vgl. die Figuren 3 und 8) . Anschließend wird der Träger 110 durch rückseitiges Ätzen in separate Trägerab schnitte 121, 122 strukturiert, um das in Figur 13 gezeigte vorgefertigte Gehäuse 200 bereitzustellen. Die weitere Her stellung von optoelektronischen Bauelementen 100 kann eben falls entsprechend dem oben erläuterten Verfahren erfolgen, d.h. dass optoelektronische Halbleiterchips 170 in den Kavi täten 156 des Kunststoffkörpers 150 auf Trägerabschnitten 121 montiert und mittels Bonddrähten 180 an Trägerabschnitte 122 angeschlossen werden, die Kavitäten 156 mit einem Füllmateri al 161 verfüllt werden, und der danach vorliegende Bauele mentverbund durch Durchtrennen des Kunststoffkörpers 150 ent lang von Trennlinien 290 zwischen Trägerabschnitten 121, 122 in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt wird (vgl. die Figuren 5, 6 und 10) .

Wie oben angedeutet wurde, können die durch das vorderseitige Ätzen eines Trägers 110 erzeugten Vertiefungen 130 einen Un terschnitt besitzen, so dass eine Verzahnung zwischen dem Träger 110 und einem Kunststoffkörper 150 bewirkt werden kann. Es besteht darüber hinaus die Möglichkeit, in gezielter Weise eine Verankerung vorzusehen.

Zur Veranschaulichung dieses Aspekts zeigen die Figuren 14 bis 20 anhand von seitlichen Schnittdarstellungen und Auf sichtsdarstellungen einen weiteren Verfahrensablauf zum Her stellen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Bau- elementen 100. Dieser stimmt im Wesentlichen mit dem Verfah rensablauf der Figuren 1 bis 10 überein. Bei dem Verfahren wird, wie in den Figuren 14 und 19 gezeigt ist, ein vorstruk turierter metallischer Träger 110 mit vorder- und rückseiti gen Ätzmasken 141, 142 bereitgestellt. Der Träger 110 weist erneut im Bereich der Vorderseite 111 hervorstehende Träger abschnitte 121, 122 und dazwischen Vertiefungen 130 auf. Zu sätzlich weist der Träger 110 im Bereich der Rückseite 112 vorhandene und in Vertiefungen 130 übergehende Durchgangslö cher 133 auf. In der gezeigten Ausgestaltung befinden sich jeweils drei Durchgangslöcher 133 zwischen benachbarten und für verschiedene herzustellende Bauelemente 100 vorgesehenen Trägerabschnitten 121, 122, und damit im Bereich von Trennli nien 290 (vgl. Figur 19) .

Die Durchgangslöcher 133 können durch rückseitiges Entfernen von metallischem Trägermaterial mittels isotropem Ätzen her gestellt werden. Auf diese Weise können die Durchgangslöcher 133, wie in Figur 14 gezeigt ist, ein rundes Querschnittspro fil aufweisen. Es ist möglich, den Träger 110 in der oben be schriebenen Weise vorzustrukturieren und anschließend die Durchgangslöcher 133 auszubilden. Alternativ können zunächst rückseitige Aussparungen in dem Träger 110 erzeugt werden und kann anschließend das Vorstrukturieren des Trägers 110 erfol gen, wodurch aus den Aussparungen die Durchgangslöcher 133 hervorgehen können.

Nachfolgend wird, wie in Figur 15 gezeigt ist, ein Kunst stoffkörper 150 mit Kavitäten 156 auf dem vorstrukturierten metallischen Träger 110 ausgebildet. Bei diesem mit Hilfe ei nes Formprozesses durchgeführten Schritt wird das Kunststoff material des Kunststoffkörpers 150 in den Vertiefungen 130, in den Durchgangslöchern 133 und am Rand der Kavitäten 156 zum Teil auf den Trägerabschnitten 121, 122 angeordnet. Hier bei bildet das in den Durchgangslöchern 133 aufgenommene Kunststoffmaterial Verankerungsabschnitte 158 des Kunststoff körpers 150, mit welchen der Kunststoffkörper 150 an dem Trä ger 110 verankert ist. Die Verankerungsabschnitte 158 schlie- ßen rückseitig bündig mit dem Träger 110 bzw. mit dessen Ätz maske 142 ab. Aufgrund des runden Querschnittsprofils der Durchgangslöcher 133 besitzen die Verankerungsabschnitte 158 eine sich in Richtung der Rückseite 112 des Trägers 110 ver breiternde Querschnittsform. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine zuverlässige Verankerung des Kunststoffkörpers 150.

Im Anschluss hieran erfolgen Schritte wie ein Anordnen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Halbleiterchips 170 in den Kavitäten 156 des Kunststoffkörpers 150 auf Trä gerabschnitten 121, ein Anschließen der Halbleiterchips 170 an benachbarte Trägerabschnitte 122 mittels Bonddrähten 180, ein Verfüllen der Kavitäten 156 des Kunststoffkörpers 150 mit einem Füllmaterial 161 (vgl. Figur 16), und ein rückseitiges Ätzen des Trägers 110, so dass der Träger 110 in separate Trägerabschnitte 121, 122 strukturiert wird (vgl. Figur 17). Der Bauelementverbund wird anschließend, wie in den Figuren 18 und 20 gezeigt ist, durch Durchtrennen des Kunststoffkör pers 150 entlang von Trennlinien 290 zwischen Trägerabschnit ten 121, 122 in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt. Bei diesem Vorgang wird der Kunststoffkörper 150 in den einzelnen Bauelementen 100 zugehörige Kunststoffgehäu sekörper 155 aufgeteilt. Auch werden die Verankerungsab schnitte 158, welche sich im Bereich von Trennlinien 290 be finden, durchtrennt, und dadurch vorliegend auf jeweils zwei Kunststoffgehäusekörper 155 verteilt.

Die auf diese Weise hergestellten optoelektronischen Bauele mente 100 bzw. deren Kunststoffgehäusekörper 155 weisen am Rand zusätzliche Verankerungsabschnitte 158 auf, welche in Eingriff mit den Trägerabschnitten 121, 122 stehen. Die Ver ankerungsabschnitte 158, welche eine sich in Richtung der Rückseite 102 der Bauelemente 100 verbreiternde Querschnitts form besitzen, grenzen jeweils seitlich an einen Trägerab schnitt 121, 122 an, und schließen rückseitig bündig mit dem betreffenden Trägerabschnitt 121, 122 bzw. mit einer hier durch gebildeten Anschlussfläche 135 ab. Ein einzelnes, auf diese Weise hergestelltes optoelektronisches Bauelement 100 ist in der Aufsichtsdarstellung von Figur 21 abgebildet. Auf grund der Verankerungsabschnitte 158 kann das Bauelement 100 eine hohe mechanische Stabilität besitzen.

Im Hinblick auf das Vorsehen von Verankerungsabschnitten 158 können in entsprechender Weise Abwandlungen in Betracht kom men. Dies betrifft zum Beispiel die Lage der Verankerungsab schnitte 158. Beispielsweise kann die Herstellung optoelekt ronischer Bauelemente 100 derart erfolgen, dass solche Veran kerungsabschnitte 158 abweichend von Figur 21 nicht nur im Bereich von Kurzseiten, sondern zusätzlich oder alternativ im Bereich von Langseiten der Bauelemente 100 vorhanden sind. Ferner können Verankerungsabschnitte 158 nicht nur am Rand, sondern auch zwischen Trägerabschnitten von Bauelementen 100 vorgesehen sein (nicht dargestellt) . Weitere mögliche Positi onen sind die Ecken von Bauelementen 100 oder auch innerhalb von Trägerabschnitten, wie es bei weiter unten erläuterten Verfahrensabläufen der Fall ist (vgl. die Figuren 26 und 44) .

Figur 22 zeigt anhand einer seitlichen Schnittdarstellung ei nes vorstrukturierten und mit einem Kunststoffkörper 150 ver sehenen metallischen Trägers 110 eine weitere mögliche Ausge staltung, welche in Bezug auf Verankerungsabschnitte 158 denkbar ist. Hierbei weist der Träger 110 in Vertiefungen 130 übergehende rückseitige Durchgangslöcher 133 auf, welche eine stufenförmig gegenüber den Vertiefungen 130 auskragende Form besitzen. In entsprechender Weise besitzen die in den Durch gangslöchern 133 angeordneten Verankerungsabschnitte 158 eine gegenüber Teilabschnitten des Kunststoffkörpers 150, welche sich in den Vertiefungen 130 befinden, stufenförmig auskra gende Form. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine stabile Ver ankerung des Kunststoffkörpers 150. Bei einer am Verfahrens ende durchgeführten Vereinzelung können solche Verankerungs abschnitte 158 in entsprechender Weise durchtrennt und dadurch auf mehrere bzw. zwei Kunststoffgehäusekörper 155 verteilt werden. Die dadurch erzeugten Verankerungsabschnitte 158 der Kunststoffgehäusekörper 155 können hierbei jeweils eine in Richtung eines Trägerabschnitts 121, 122 seitlich auskragende Form besitzen (nicht dargestellt) .

Vorgefertigte Gehäuse 200, welche durch Bereitstellen und Vorstrukturieren eines metallischen Trägers 110, Ausbilden eines Kunststoffkörpers 150 und Strukturieren des Trägers 110 in separate Trägerabschnitte erzeugt werden können, können in entsprechender Weise mit Verankerungsabschnitten 158 des Kunststoffkörpers 150 hergestellt werden. Des Weiteren können optoelektronische Bauelemente 100 gefertigt werden, welche zusätzlich einen Treiberchip 190 aufweisen. Mit Hilfe der Treiberchips 190, welche eine integrierte Schaltung aufweisen und daher auch als ICs (Integrated Circuit) bezeichnet werden können, können die optoelektronischen Halbleiterchips 170 der Bauelemente 100 elektrisch angesteuert werden. Zum Verwirkli chen derartiger Bauelemente 100 umfasst die Chipmontage zu sätzlich ein Montieren von Treiberchips 190 auf entsprechen den Trägerabschnitten.

Die Figuren 23 bis 28 zeigen anhand von seitlichen Schnitt darstellungen und Aufsichtsdarstellungen einen weiteren Ver fahrensablauf zum Herstellen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementen 100, bei welchem die beiden vorgenannten Aspekte zusammen zur Anwendung kommen. Bei dem Verfahren wird, wie in den Figuren 23 und 26 gezeigt ist, ein vorgefertigtes Gehäuse 200 bereitgestellt, welches separate metallische Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 und einen hiermit verbundenen Kunststoffkörper 150 mit Kavitäten 156, 157 aufweist. In der gezeigten Ausgestaltung weist das Gehäu se 200 für jedes herzustellende Bauelement 100 einen Träger abschnitt 121, einen Trägerabschnitt 122, einen Trägerab schnitt 123 und vier Trägerabschnitte 124 auf. Der Kunst stoffkörper 150 weist für jedes herzustellende Bauelement 100 zwei Kavitäten 156, 157 auf, wobei über die Kavität 156 die Trägerabschnitte 121, 122, und über die andere Kavität 157 die Trägerabschnitte 121, 123, 124 vorderseitig zum Teil freigestellt sind. Das vorgefertigte Gehäuse 200 bzw. dessen Kunststoffkörper 150 weist ferner Verankerungsabschnitte 158 auf. Hierzu gehören Verankerungsabschnitte 158, welche sich zwischen benachbarten und für verschiedene herzustellende Bauelemente 100 vorgesehenen Trägerabschnitten 122, 123, und damit im Bereich von Trennlinien 290, befinden, sowie Veran kerungsabschnitte 158, welche jeweils innerhalb der Trägerab schnitte 121 angeordnet sind.

Die nicht dargestellte Herstellung des in den Figuren 23 und 26 gezeigten vorgefertigten Gehäuses 200 kann dadurch erfol gen, dass ein vorstrukturierter metallischer Träger 110 be reitgestellt wird, welcher Ätzmasken 141, 142, im Bereich der

Vorderseite 111 hervorstehende Trägerabschnitte 121, 122,

123, 124, die Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 umfangssei tig umgebende Vertiefungen 130 und Durchgangslöcher 133 auf weist. Hierbei gehen die zum Herstellen von Verankerungsab schnitten 158 im Bereich der Trennlinien 290 vorgesehenen Durchgangslöcher 133 in die Vertiefungen 130 über. Diese Durchgangslöcher 133 können durch rückseitiges Ätzen des Trä gers 110 erzeugt werden. Die anderen, zum Herstellen von Ver ankerungsabschnitten 158 innerhalb der Trägerabschnitte 121 vorgesehenen Durchgangslöcher 133 können durch vorder- und rückseitiges Ätzen des Trägers 110 erzeugt werden. Hierbei können durch das vorderseitige Ätzen gleichzeitig die die hervorstehenden Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 umschlie ßenden Vertiefungen 130 ausgebildet werden. Anschließend kann der Kunststoffkörper 150 mit den Kavitäten 156, 157 auf dem vorstrukturierten Träger 110 ausgebildet werden. Durch das dabei stattfindende Anordnen des Kunststoffmaterials des Kunststoffkörpers 150 in den Durchgangslöchern 133 können die Verankerungsabschnitte 158 erzeugt werden. Zum Fertigstellen des vorgefertigten Gehäuses 200 kann der Träger 110 durch rückseitiges Ätzen strukturiert, und können dadurch die sepa raten metallischen Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 be reitgestellt werden.

Bei der anschließenden Chipmontage erfolgt für jedes herzu stellende optoelektronische Bauelement 100, wie in den Figu ren 24 und 27 in Bezug auf ein Bauelement 100 gezeigt ist, ein Montieren eines strahlungsemittierenden optoelektroni schen Halbleiterchips 170 in einer Kavität 156 auf einem Trä gerabschnitt 121 und Anschließen desselben an einen benach barten Trägerabschnitt 122 mittels eines Bonddrahts 180, und ein Montieren eines Treiberchips 190 auf einem Trägerab schnitt 123 und Anschließen desselben an benachbarte Träger abschnitte 121, 124 mittels Bonddrähten 180. In der vorlie genden Ausgestaltung weist der Treiberchip 190 fünf nicht ge zeigte vorderseitige Kontakte auf, von denen ein Kontakt über einen Bonddraht 180 an den Trägerabschnitt 121, und die ande ren Kontakte über Bonddrähte 180 an die Trägerabschnitte 124 angeschlossen werden. Bei den optoelektronischen Bauelementen 100 können die Trägerabschnitte 124 zur Energieversorgung des Treiberchips 190 und Übermittlung von Informationen in Form von Steuersignalen an den Treiberchip 190 genutzt werden.

Nach der Chipmontage werden die Kavitäten 156, 157, wie eben falls in Figur 24 gezeigt ist, verfüllt, so dass die Halb leiterchips 170 und Treiberchips 190 verkapselt und dadurch vor äußeren Einflüssen geschützt werden können. Zu diesem Zweck kann ein nicht gezeigter Dispenser zum Einsatz kommen. In Bezug auf die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 170 enthaltenden Kavitäten 156 wird das oben beschriebene Füllmaterial 161 verwendet (strahlungsdurchlässiges Kunst stoffmaterial , welches gegebenenfalls Leuchtstoffpartikel enthält) . In Bezug auf die die Treiberchips 190 enthaltenden Kavitäten 157 wird ein anderes Füllmaterial 162 eingesetzt. Dieses kann zum Beispiel ein strahlungsundurchlässiges Kunst stoffmaterial sein. In der Aufsichtsdarstellung von Figur 27, sowie auch in Figur 28, sind beide Füllmaterialien 161, 162 als klare Materialien dargestellt.

Der nach dem Verfüllen der Kavitäten 156, 157 vorliegende Bauelementverbund wird anschließend, wie in den Figuren 25 und 28 gezeigt ist, durch Durchtrennen des Kunststoffkörpers 150 entlang von Trennlinien 290 zwischen Trägerabschnitten 121, 122, 123, 124 in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt. Dadurch wird der Kunststoffkörper 150 in den einzelnen Bauelementen 100 zugehörige Kunststoffgehäusekörper 155 aufgeteilt. Auch wird ein Teil der Verankerungsabschnitte 158, welche sich im Bereich von Trennlinien 290 befinden, durchtrennt und auf jeweils zwei Kunststoffgehäusekörper 155 verteilt .

Die auf diese Weise hergestellten optoelektronischen Bauele mente 100 weisen separate metallische Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 und einen Kunststoffgehäusekörper 155 mit drei Verankerungsabschnitten 158 und zwei Kavitäten 156, 157 auf, wobei in der Kavität 156 ein strahlungsemittierender Halb leiterchip 170 und in der anderen Kavität 157 ein Treiberchip 190 angeordnet sind. Durch diese Ausgestaltung, sowie durch die Verwendung eines strahlungsundurchlässigen Füllmaterials 162 in der Treiberchip-Kavität 157, kann vermieden werden, dass der Treiberchip 190 mit einer von dem Halbleiterchip 170 erzeugten und gegebenenfalls konvertierten Lichtstrahlung be strahlt wird. Infolgedessen kann eine Beeinträchtigung der Funktionsweise des Treiberchips 190 vermieden werden. Die me tallischen Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 bilden rück seitige Anschlussflächen 135. Der Treiberchip 190 ist über einen Bonddraht 180 an den Trägerabschnitt 121 elektrisch an geschlossen, mit welchem auch der hierauf angeordnete Halb leiterchip 170 elektrisch verbunden ist. Hierdurch besteht eine mittelbare elektrische Verbindung zwischen dem Halb leiterchip 170 und dem Treiberchip 190, wodurch der Halb leiterchip 170 mit Hilfe des Treiberchips 190 elektrisch an gesteuert werden kann.

Im Hinblick auf die Verwendung von Treiberchips 190 besteht eine mögliche Abwandlung darin, die Treiberchips 190 nicht in Kavitäten 157 eines Kunststoffkörpers 150 anzuordnen, sondern die Treiberchips 190 stattdessen bei dem Ausbilden eines Kunststoffkörpers 150 in dem Kunststoffkörper 150 einzubetten und auf diese Weise zu verkapseln. In einer solchen Ausge staltung erfolgt die Montage von Treiberchips 190 vor einer Montage von optoelektronischen Halbleiterchips 170. Zur Veranschaulichung des vorgenannten Aspekts zeigt Figur 29 in einer seitlichen Schnittdarstellung ein weiteres vorgefer tigtes Gehäuse 200, welches eine Abwandlung des in dem Ver fahren der Figuren 23 bis 28 verwendeten Gehäuses 200 dar stellt. Das Gehäuse 200 weist separate metallische Trägerab schnitte 121, 122, 123, 124 auf, von welchen in Figur 29 le diglich die Trägerabschnitte 121, 122, 123 gezeigt sind. In Bezug auf die Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 liegt ein Aufbau entsprechend Figur 26 vor. Ferner weist das Gehäuse 200 einen Kunststoffkörper 150 auf, welcher für jedes herzu stellende optoelektronische Bauelement 100 lediglich eine Ka vität 156 zum Aufnehmen eines optoelektronischen Halbleiter chips 170 aufweist. Des Weiteren umfasst das Gehäuse 200 für jedes herzustellende Bauelement 100 einen auf dem Trägerab schnitt 123 vormontierten und in dem Kunststoffkörper 150 eingebetteten Treiberchip 190. Der Treiberchip 190 ist über Bonddrähte 180 an den Trägerabschnitt 121 und die anderen, in Figur 29 nicht gezeigten Trägerabschnitte 124 angeschlossen. In Bezug auf die Verdrahtung des Treiberchips 190 liegt eine Ausgestaltung entsprechend Figur 27 vor.

Die Herstellung des vorgefertigten Gehäuses 200 von Figur 29 kann dadurch erfolgen, dass ein vorstrukturierter metalli scher Träger 110 mit hervorstehenden Trägerabschnitten 121, 122, 123, 124, Vertiefungen 130 und Durchgangslöchern 133 be reitgestellt wird, Treiberchips 190 auf Trägerabschnitten 123 montiert und mittels Bonddrähten 180 an Trägerabschnitte 121, 124 angeschlossen werden, der Kunststoffkörper 150 unter Ein bettung der Treiberchips 190 auf dem Träger 110 ausgebildet wird, und der Träger 110 anschließend durch rückseitiges Ät zen in separate Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 struktu riert wird. Für die weitere Herstellung von optoelektroni schen Bauelementen 100 können optoelektronische Halbleiter chips 170 in den Kavitäten 156 des Kunststoffkörpers 150 auf Trägerabschnitten 121 angeordnet und über Bonddrähte 180 an Trägerabschnitte 122 angeschlossen werden, können die Kavitä ten 156 verfüllt werden, und kann der Bauelementverbund an schließend durch Durchtrennen des Kunststoffkörpers 150 ver- einzelt werden. Die auf diese Weise hergestellten optoelekt ronischen Bauelemente 100 weisen einen Kunststoffgehäusekör per 155 auf, in welchem ein Treiberchip 190 eingebettet ist (jeweils nicht dargestellt). Auch in dieser Ausgestaltung können ein Bestrahlen des Treiberchips 190 und damit eine Be einträchtigung der Funktionsweise des Treiberchips 190 ver mieden werden.

Hinsichtlich der Herstellung von optoelektronischen Bauele menten 100 mit Treiberchips 190 ist es möglich, dies auch oh ne vorgefertigte Gehäuse 200 durchzuführen. In diesem Sinne kann zum Beispiel das anhand der Figuren 23 bis 28 erläuter ten Verfahren derart abgewandelt werden, dass ein Strukturie ren eines vorstrukturierten Trägers 110 in separate Trägerab schnitte 121, 122, 123, 124 erst nach der Montage von opto elektronischen Halbleiterchips 170 und Treiberchips 190 in Kavitäten 156, 157 eines auf dem Träger 110 ausgebildeten Kunststoffkörpers 150 erfolgt. In Bezug auf Figur 29 kann ein Strukturieren eines vorstrukturierten Trägers 110 in separate Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 erst nach der Montage von optoelektronischen Halbleiterchips 170 in Kavitäten 156 eines Kunststoffkörpers 150, wobei der Kunststoffkörper 150 zuvor auf dem mit Treiberchips 190 bestückten Träger 110 ausgebil det wird, durchgeführt werden.

Es ist des Weiteren möglich, optoelektronische Bauelemente 100 herzustellen, welche statt einem einzelnen mehrere strah lungsemittierende optoelektronische Halbleiterchips 170 auf weisen. Die mehreren Halbleiterchips 170 können gemeinsam in einer Kavität 156 eines Kunststoffgehäusekörpers 155 vorgese hen sein. Auch können die mehreren Halbleiterchips 170 ge trennt ansteuerbar sein, was sich durch eine hierauf abge stimmte Ausgestaltung von metallischen Trägerabschnitten und eine entsprechende Verschaltung der Halbleiterchips 170 ver wirklichen lässt. In diesem Zusammenhang können ferner Ausge staltungen von Bauelementen 100 verwirklicht werden, welche Halbleiterchips 170 zum Erzeugen von unterschiedlichen Licht strahlungen aufweisen. Hierunter fallen zum Beispiel RGB- Bauelemente 100 mit drei Halbleitchips 170 zum Erzeugen einer roten, einer grünen und einer blauen Lichtstrahlung.

Zur Veranschaulichung des vorgenannten Aspekts zeigt Figur 30 eine Aufsichtsdarstellung eines vorstrukturierten metalli schen Trägers 110 mit vorderseitig hervorstehenden Trägerab schnitten 121, 122, 123, 124, 125, 126 und dazwischen vorhan denen zusammenhängenden Vertiefungen 130, welcher sich zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen 100 mit drei strahlungsemittierenden Halbleiterchips 170 und einem Trei berchip 190 eignen. Figur 30 zeigt einen Ausschnitt des Trä gers 110 im Bereich von einem herzustellenden Bauelement 100. Ein unter Verwendung dieses Trägers 110 hergestelltes opto elektronisches Bauelement 100 ist in der Aufsichtsdarstellung von Figur 31 gezeigt. Das Bauelement 100 weist drei strah lungsemittierende Halbleiterchips 170 auf, welche auf jeweils einem der Trägerabschnitte 121, 122, 123 angeordnet sind. Die drei Halbleiterchips 170 können zum Erzeugen einer roten, ei ner grünen und einer blauen Lichtstrahlung ausgebildet sein, so dass das Bauelement 100 ein RGB-Bauelement ist.

Das optoelektronische Bauelement 100 von Figur 31 weist des Weiteren einen Treiberchip 190 auf, welcher auf dem Trägerab schnitt 125 angeordnet ist. Der Treiberchip 190 ist über Bonddrähte 180 an die Trägerabschnitte 126 angeschlossen. Auf diese Weise kann der Treiberchip 190 mit elektrischer Energie versorgt werden und Informationen empfangen. Der Treiberchip 190 ist ferner über Bonddrähte 180 an die vier Trägerab schnitte 121, 122, 123, 124 angeschlossen. Auch die Halb leiterchips 170 sind über Bonddrähte 180 an die Trägerab schnitte 121, 122, 123, 124 angeschlossen. Auf diese Weise bestehen mittelbare und u.a. über die Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 verwirklichte elektrische Verbindungen zwischen dem Treiberchip 190 und den Halbleiterchips 170. Hierdurch können die Halbleiterchips 170 mit Hilfe des Treiberchips 190 separat voneinander elektrisch angesteuert werden. Ein weiterer Bestandteil des Bauelements 100 von Figur 31 ist ein Kunststoffgehäusekörper 155, in welchem der Treiberchip 190 eingebettet ist. Der Kunststoffgehäusekörper 155 weist eine Kavität 156 auf, über welche die Trägerabschnitte 121,

122, 123, 124 vorderseitig zum Teil freigestellt sind. Von oben betrachtet befinden sich die Trägerabschnitte 121, 122,

123, 124 daher zum Teil innerhalb und außerhalb der Kavität 156. Die Halbleiterchips 170 sind in der Kavität 156 angeord net. Die Kavität 156 ist ferner mit einem strahlungsdurchläs sigen bzw. klaren Füllmaterial 161 verfüllt.

Das optoelektronische Bauelement 100 von Figur 31 kann ver gleichbar zu dem anhand von Figur 29 erläuterten Verfahren hergestellt werden, d.h. dass zunächst Treiberchips 190 auf Trägerabschnitten 125 des in Figur 30 ausschnittsweise ge zeigten vorstrukturierten Trägers 110 platziert und verdrah tet werden. Anschließend kann ein die Treiberchips 190 ver kapselnder Kunststoffkörper 150 mit Kavitäten 156 auf dem Träger 110 ausgebildet werden, kann der Träger 110 durch rückseitiges Ätzen in separate Trägerabschnitte 121, 122,

123, 124, 125, 126 strukturiert werden, und können Halb leiterchips 170 in den Kavitäten 156 montiert und verdrahtet werden. Nachfolgend können die Kavitäten 156 verfüllt und kann eine Vereinzelung durchgeführt werden (jeweils nicht dargestellt) .

Figur 32 zeigt eine rückseitige Darstellung des optoelektro nischen Bauelements 100 von Figur 31, anhand dessen eine wei tere mögliche Ausgestaltung in Bezug auf ein bei dem rücksei tigen Trägerätzen durchgeführtes Entfernen von Trägermaterial nicht nur im Bereich von Vertiefungen 130 des vorstrukturier ten Trägers 110, sondern auch in Bereich von Trägerabschnit ten, vorliegend der Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124, deutlich wird. In Figur 32 sind rückseitige Ätzbereiche, in welchen die betreffenden Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 zusätzlich geätzt wurden, schraffiert hervorgehoben. Hier durch können rückseitige Anschlussflächen 135, welche durch die Trägerabschnitte 121, 122, 123 (sowie auch 125, 126) ge- bildet sind, und welche in Figur 32 nicht schraffiert darge stellt sind, eine symmetrische Ausgestaltung besitzen. Auf diese Weise ist eine zuverlässige Oberflächenmontage des Bau elements 100 ohne ein Verschwimmen desselben möglich. Der Trägerabschnitt 124, welcher vollständig rückseitig geätzt wurde, weist eine gegenüber den anderen Trägerabschnitten 121, 122, 123, 125, 126 geringere Dicke auf und bildet keine rückseitige Anschlussfläche 135.

Das optoelektronische Bauelement 100 der Figuren 31, 32 kann zum Beispiel als intelligentes RGB-Beleuchtungs-Bauelement in einem Innenraum eines Kraftfahrzeugs eingesetzt werden. Hier bei kann der Treiberchip 190 zum Beispiel über einen Datenbus Informationen darüber empfangen, mit welcher Helligkeit und zeitlichen Abfolge die Halbleiterchips 170 leuchten sollen. Des Weiteren kann das Bauelement 100 an der Batteriespannung des Kraftfahrzeugs betrieben werden. Die Batteriespannung kann wesentlich höher sein als die Vorwärtsspannung der Halb leiterchips 170, wodurch eine hohe thermische Verlustleistung entstehen kann. Die Ausgestaltung des Bauelements 100 mit den metallischen Trägerabschnitten 121, 122, 123, 124, 125, 126 macht es in diesem Zusammenhang möglich, die auftretende Wär meenergie effizient abzuführen (jeweils nicht dargestellt).

Eine weitere Verfahrensvariante, welche in Bezug auf die Her stellung von optoelektronischen Bauelementen 100 denkbar ist, besteht darin, einen Kunststoffkörper 150 ohne Kavitäten aus zubilden und optoelektronische Halbleiterchips 170 hierin einzubetten. Auf diese Weise können die Bauelemente 100 kos tengünstig gefertigt werden.

Zur Veranschaulichung des vorgenannten Aspekts zeigen die Fi guren 33 bis 39 anhand von seitlichen Schnittdarstellungen und Aufsichtsdarstellungen einen weiteren Verfahrensablauf zum Herstellen von strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementen 100. Bei dem Verfahren wird, wie in den Figuren 33 und 37 gezeigt ist, ein vorstrukturierter metallischer Träger 110 mit vorder- und rückseitigen Ätzmasken 141, 142 bereitgestellt, welcher im Bereich der Vorderseite 111 her vorstehende Trägerabschnitte 121, 122 und dazwischen Vertie fungen 130 aufweist. Die Trägerabschnitte 121, 122 besitzen übereinstimmende laterale Abmessungen. Für jedes herzustel lende Bauelement 100 sind ein Trägerabschnitt 121 und ein Trägerabschnitt 122 vorgesehen. Das Vorstrukturieren erfolgt in der oben beschriebenen Weise durch vorderseitiges isotro pes Ätzen des Trägers 110 unter Verwendung der Ätzmaske 141.

Im Anschluss hieran werden, wie in den Figuren 34 und 38 ge zeigt ist, strahlungsemittierende optoelektronische Halb leiterchips 170 auf der Vorderseite 111 des vorstrukturierten metallischen Trägers 110 angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden. Vorliegend weisen die Halbleiterchips 170 zwei vorderseitige Kontakte 175, 176 auf. Der Kontakt 175 umfasst einen kreisförmigen und einen linienförmigen Kontaktab schnitt. Der andere Kontakt 176 umfasst einen kreisförmigen und zwei linienförmige Kontaktabschnitte. Bei der Chipmontage werden die Halbleiterchips 170 jeweils auf zwei benachbarten Trägerabschnitten 121, 122 befestigt. Dieser Prozess kann zum

Beispiel durch Kleben, Löten oder Sintern durchgeführt wer den. Des Weiteren werden die vorderseitigen Kontakte 175, 176 der Halbleiterchips 170 über Bonddrähte 180 mit jeweils einem der Trägerabschnitte 121, 122 elektrisch verbunden, auf wel chem sich die Halbleiterchips 170 befinden. Hierbei werden die Bonddrähte 180 an die kreisförmigen Kontaktabschnitte der Chipkontakte 175, 176 angeschlossen.

Anschließend wird, wie ebenfalls in Figur 34 gezeigt ist, ein Kunststoffkörper 150 auf der Vorderseite 111 des mit den Halbleiterchips 170 bestückten metallischen Träger 110 ausge bildet. Dies erfolgt derart, dass die optoelektronischen Halbleiterchips 170 nebst Bonddrähten 180 in dem Kunststoff körper 150 eingebettet sind. Der Kunststoffkörper 150 ist ferner in den Vertiefungen 130 des Trägers 110 angeordnet. Aufgrund des isotropen Ätzens können die Vertiefungen 130 ei nen Unterschnitt besitzen, so dass eine Verzahnung zwischen dem Träger 110 und dem Kunststoffkörper 150 möglich ist. Für das Ausbilden des Kunststoffkörpers 150 wird ein Kunst stoffmaterial in Form einer durchgehenden und die optoelekt ronischen Halbleiterchips 170 bedeckenden Schicht auf dem Träger 110 aufgebracht. Zu diesem Zweck kann zum Beispiel ein Formprozess durchgeführt werden. Möglich ist auch ein Vergie ßen des Kunststoffmaterials, was unter Verwendung einer als Damm bezeichneten Begrenzungsstruktur erfolgen kann (soge nanntes Dam & Fill-Verfahren; jeweils nicht dargestellt). Das verwendete Kunststoffmaterial kann ein strahlungsdurchlässi ges bzw. klares Kunststoffmaterial wie zum Beispiel ein Sili konmaterial oder ein Epoxidmaterial sein. Möglich ist auch die Verwendung eines Thermoplasts oder Duroplasts. Darüber hinaus kann das Kunststoffmaterial zusätzlich nicht gezeigte Leuchtstoffpartikel enthalten, wodurch eine Strahlungskonver sion einer im Betrieb von den Halbleiterchips 170 abgegebenen Lichtstrahlung bewirkt werden kann. In der Aufsichtsdarstel lung von Figur 38, sowie auch in folgenden Aufsichtsdarstel lungen, ist das Kunststoffmaterial als klares Material darge stellt.

Nachfolgend wird der Träger 110, wie in Figur 35 gezeigt ist, durch rückseitiges isotropes Ätzen im Bereich der Vertiefun gen 130 unter Verwendung der Ätzmaske 142 in separate metal lische Trägerabschnitte 121, 122 strukturiert. Das Ätzen er folgt bis zum Erreichen des Kunststoffkörpers 150, wodurch der Kunststoffkörper 150 rückseitig zum Teil freigestellt wird. In diesem Zustand werden die separaten Trägerabschnitte 121, 122 durch den Kunststoffkörper 150 zusammengehalten. Die

Trägerabschnitte 121, 122 besitzen im Querschnitt Seitenflan ken 131 mit zwei gekrümmten und eine gemeinsame, seitlich hervorstehende Kante bildenden Teilflanken.

Der Bauelementverbund wird anschließend, wie in den Figuren 36 und 39 gezeigt ist, durch Durchtrennen des Kunststoffkör pers 150 entlang von Trennlinien 290 zwischen Trägerabschnit ten 121, 122 in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt. Bei diesem Vorgang wird der Kunststoffkörper 150 in den einzelnen Bauelementen 100 zugehörige Kunststoffgehäu sekörper 155 aufgeteilt.

Ein einzelnes optoelektronisches Bauelement 100, welches mit Hilfe des Verfahrens der Figuren 33 bis 39 hergestellt wurde, ist in einer seitlichen Schnittdarstellung und in einer Auf sichtsdarstellung in den Figuren 40 und 41 abgebildet. Das Bauelement 100 weist zwei separate metallische Trägerab schnitte 121, 122, einen auf den Trägerabschnitten 121, 122 angeordneten und mit diesen über Bonddrähte 180 elektrisch verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 170, und einen an die Trägerabschnitte 121, 122 und den Halbleiterchip 170 angrenzenden und den Halbleiterchip 170 verkapselnden Kunststoffgehäusekörper 155 auf. Der Kunststoffgehäusekörper 155 bildet eine Vorderseite 101 und eine umlaufende Mantel fläche 105 des Bauelements 100. Eine strukturierte Rückseite 102 des Bauelements 100 ist durch den Kunststoffgehäusekörper 155 und die Trägerabschnitte 121, 122 gebildet. Im Betrieb des Bauelements 100 kann eine Lichtstrahlung über den Kunst stoffgehäusekörper 155, und damit über die Vorderseite 102, die Mantelfläche 105 und zum Teil auch über die Rückseite 102 des Bauelements 100 abgegeben werden.

Die Figuren 42 und 43 zeigen eine seitliche Schnittdarstel lung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren optoelekt ronischen Bauelements 100, welches einen ähnlichen Aufbau zu dem in den Figuren 40, 41 gezeigten Bauelement 100 besitzt. Das Bauelement 100 weist zwei separate metallische Trägerab schnitte 121, 122 mit unterschiedlichen lateralen Abmessungen auf. Ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 170 mit zwei vorderseitigen Kontakten 175, 176 ist auf dem Trägerabschnitt 121 angeordnet und über Bonddrähte 180 an die Trägerabschnit te 121, 122 angeschlossen. Ein weiterer Bestandteil ist ein an die Trägerabschnitte 121, 122 angrenzender und den Halb leiterchip 170 verkapselnder Kunststoffgehäusekörper 155. Die nicht dargestellte Herstellung von Bauelementen 100 mit der in den Figuren 42, 43 gezeigten Ausgestaltung kann entspre chend dem Verfahrensablauf der Figuren 33 bis 39 erfolgen, wobei hierbei Trägerabschnitte 121, 122 mit unterschiedlichen lateralen Abmessungen erzeugt und Halbleiterchips 170 ledig lich auf Trägerabschnitten 121 montiert werden. Durch die An ordnung des Halbleiterchips 170 lediglich auf dem Trägerab schnitt 121 im Vergleich zu der in den Figuren 40, 41 gezeig ten Ausgestaltung, in welcher der Halbleiterchip 170 auf bei den Trägerabschnitten 121, 122 angeordnet ist und dadurch ei nen sich zwischen den Trägerabschnitten 121, 122 befindenden

Teilbereich des Kunststoffgehäusekörpers 155 überdeckt, kann eine geringere rückseitige Strahlungsemission im Betrieb des Bauelements 100 erzielt werden.

Im Hinblick auf das Herstellen von optoelektronischen Bauele menten 100, deren Halbleiterchips 170 in einem Kunststoffge häusekörper 155 eingebettet sind, kann in entsprechender Wei se eine Verankerung verwirklicht werden, indem ein Träger 110 mit Durchgangslöchern 133 bereitgestellt wird und bei dem Ausbilden eines Kunststoffkörpers 150 auf dem Träger 110 das verwendete Kunststoffmaterial in den Durchgangslöchern 133 angeordnet wird. Zur Veranschaulichung wird im Folgenden an hand der Figuren 44 und 45 auf eine mögliche Abwandlung des Verfahrens der Figuren 33 bis 39 näher eingegangen.

Figur 44 zeigt eine Figur 38 entsprechende Aufsichtsdarstel lung eines vorstrukturierten metallischen Trägers 110, wel cher mit Halbleiterchips 170 bestückt ist und auf welchem ein die Halbleiterchips 170 verkapselnden Kunststoffkörper 150 ausgebildet ist. Der Träger 110 weist in Vertiefungen 130 übergehende rückseitige Durchgangslöcher 133 auf. In der ge zeigten Ausgestaltung befinden sich die Durchgangslöcher 133 im Bereich von Ecken von benachbarten und für verschiedene herzustellende Bauelemente 100 vorgesehenen Trägerabschnitten 121, 122, und damit im Bereich von Trennlinien 290. Bei dem Ausbilden des Kunststoffkörpers 150 auf dem Träger 110 wird das verwendete Kunststoffmaterial in die Durchgangslöcher 133 eingebracht, wie in Figur 45 im Bereich eines Durchgangslochs 133 in einer seitlichen Schnittdarstellung gezeigt ist. Die dadurch gebildeten Verankerungsabschnitte 158 des Kunststoff- körpers 150 schließen rückseitig bündig mit dem Träger 110 ab. Vorliegend weisen die Durchgangslöcher 133 eine stufen förmig gegenüber den Vertiefungen 130 auskragende Form auf.

In entsprechender Weise besitzen die Verankerungsabschnitte 158 eine gegenüber Teilabschnitten des Kunststoffkörpers 150, welche sich in den Vertiefungen 130 befinden, stufenförmig auskragende Form. Bei einer am Verfahrensende durchgeführten Vereinzelung können die Verankerungsabschnitte 158 durch trennt und dadurch auf mehrere bzw. vier Kunststoffgehäuse körper 155 verteilt werden (nicht dargestellt) .

Die Figuren 46 bis 49 zeigen anhand von seitlichen Schnitt darstellungen einen weiteren Verfahrensablauf zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen 100. Hierbei handelt es sich um eine weitere Abwandlung des Verfahrens der Figuren 33 bis 39, in welchem ein Kunststoffkörper 150 nicht aus einem, sondern aus zwei unterschiedlichen Kunststoffmaterialien 151, 152 ausgebildet wird. Am Anfang des Verfahrens wird erneut, wie in Figur 46 gezeigt ist, ein vorstrukturierter metalli scher Träger 110 mit vorder- und rückseitigen Ätzmasken 141, 142 bereitgestellt, welcher im Bereich der Vorderseite 111 hervorstehende Trägerabschnitte 121, 122 und dazwischen Ver tiefungen 130 aufweist. Von oben betrachtet kann der vor strukturierte Träger 110 einen Aufbau entsprechend Figur 37 besitzen. Anschließend wird, wie ebenfalls in Figur 46 ge zeigt ist, ein erstes Kunststoffmaterial 151 auf der Vorder seite 111 des Trägers 110 angeordnet. Das Kunststoffmaterial 151 wird lediglich in die Vertiefungen 130 des Trägers 110 eingebracht. Dies erfolgt derart, dass das Kunststoffmaterial 151 bündig mit den Trägerabschnitten 121, 122 bzw. mit der dazugehörigen vorderseitigen Ätzmaske 141 abschließt. Zu die sem Zweck kann zum Beispiel ein Formprozess durchgeführt wer den (nicht dargestellt) . Das Kunststoffmaterial 151 ist ein reflektives Kunststoffmaterial, welches nicht gezeigte re- flektive Partikel enthält und dadurch eine weiße Farbe besit zen kann. Das Kunststoffmaterial 151 kann zum Beispiel ein Silikonmaterial oder ein Epoxidmaterial sein, in welchem re- flektive Ti02-Partikel eingebettet sind. Bei der anschließenden Chipmontage werden, wie in Figur 47 gezeigt ist, strahlungsemittierende optoelektronische Halb leiterchips 170 jeweils auf zwei benachbarten Trägerabschnit ten 121, 122 angeordnet und mittels Bonddrähten 180 an je weils einen der Trägerabschnitte 121, 122 angeschlossen. Des Weiteren wird, wie ebenfalls in Figur 47 gezeigt ist, ein zweites Kunststoffmaterial 152 auf dem ersten Kunststoffmate rial 151, den Trägerabschnitten 121, 122 und den Halbleiter chips 170 angeordnet, wodurch die Halbleiterchips 170 nebst Bonddrähten 180 in dem Kunststoffmaterial 152 eingebettet werden. Hierdurch wird gleichzeitig ein die beiden Kunst stoffmaterialien 151, 152 umfassender Kunststoffkörper 150 auf dem Träger 110 bereitgestellt. Die Aufsichtsdarstellung von Figur 38 kann in entsprechender Weise in Bezug auf Figur 47 zur Anwendung kommen. Das zweite Kunststoffmaterial 152 wird in Form einer durchgehenden und die Halbleiterchips 170 bedeckenden Schicht aufgebracht. Zu diesem Zweck kann zum Beispiel ein Formprozess oder ein Vergießprozess durchgeführt werden (nicht dargestellt) . Das zweite Kunststoffmaterial 152 kann ein strahlungsdurchlässiges bzw. klares Kunststoffmate rial wie zum Beispiel ein Silikonmaterial oder ein Epoxidma terial sein, und gegebenenfalls nicht gezeigte Leuchtstoff partikel zur Strahlungskonversion enthalten.

Im Anschluss hieran wird der Träger 110, wie in Figur 48 ge zeigt ist, durch rückseitiges Ätzen im Bereich der Vertiefun gen 130 in separate Trägerabschnitte 121, 122 strukturiert. Das Ätzen wird bis zum Erreichen des ersten Kunststoffmateri als 151 des Kunststoffkörpers 150 durchgeführt, wodurch das Kunststoffmaterial 151 rückseitig zum Teil freigestellt wird.

Nachfolgend wird der Bauelementverbund, wie in Figur 49 ge zeigt ist, durch Durchtrennen der Kunststoffmaterialien 151, 152 des Kunststoffkörpers 150 entlang von Trennlinien 290 zwischen Trägerabschnitten 121, 122 in separate optoelektro nische Bauelemente 100 vereinzelt. Die Aufsichtsdarstellung von Figur 39 kann in entsprechender Weise in Bezug auf Figur 49 zur Anwendung kommen. Bei der Vereinzelung wird der Kunst stoffkörper 150 in den einzelnen Bauelementen 100 zugehörige Kunststoffgehäusekörper 155 aufgeteilt.

Ein einzelnes, mit Hilfe des zuvor erläuterten Verfahrens hergestelltes optoelektronisches Bauelement 100 ist in der seitlichen Schnittdarstellung von Figur 50 gezeigt. Von oben betrachtet kann das Bauelement 100 einen Aufbau entsprechend Figur 41 besitzen. Das Bauelement 100 weicht von der in Figur 40 gezeigten Ausgestaltung dadurch ab, dass der Kunststoffge häusekörper 155 zwei unterschiedliche Kunststoffmaterialien 151, 152 umfasst. Das erste Kunststoffmaterial 151 befindet sich seitlich neben und zwischen den Trägerabschnitten 121, 122. Hierbei schließt das erste Kunststoffmaterial 151 bündig mit Vorderseiten der Trägerabschnitte 121, 122 bzw. mit der hier vorhandenen vorderseitigen Ätzmaske 141 ab. Das zweite Kunststoffmaterial 152 ist auf dem ersten Kunststoffmaterial 151, den Trägerabschnitten 121, 122 und dem Halbleiterchip 170 angeordnet. Eine Vorderseite 101 des Bauelements 100 ist durch das zweite Kunststoffmaterial 152 gebildet. Eine umlau fende Mantelfläche 105 des Bauelements 100 ist durch beide Kunststoffmaterialien 151, 152 gebildet. Eine strukturierte Rückseite 102 des Bauelements 100 ist durch das erste Kunst stoffmaterial 151 und die Trägerabschnitte 121, 122 gebildet. Im Betrieb des Bauelements 100 kann eine Lichtstrahlung über das zweite Kunststoffmaterial 152 des Kunststoffgehäusekör- pers 155, und damit über die Vorderseite 102 und die Mantel fläche 105 abgegeben werden. Eine rückseitige Strahlungsemis sion kann mit Hilfe des reflektiven ersten Kunststoffmateri als 151 unterdrückt werden.

Figur 51 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines weite ren optoelektronischen Bauelements 100, welches einen Aufbau vergleichbar zu den Figuren 42, 43 besitzt, und welches, ent sprechend des vorhergehend erläuterten Bauelements 100, einen aus zwei Kunststoffmaterialien 151, 152 aufgebauten Kunst stoffgehäusekörper 155 aufweist. Daher kann auch hier eine rückseitige Strahlungsemission im Betrieb des Bauelements 100 vermieden werden. Die nicht gezeigte Herstellung von Bauele menten 100 mit der in Figur 51 gezeigten Ausgestaltung 100 kann analog zu dem vorhergehend erläuterten Verfahren erfol gen, wobei hierbei Trägerabschnitte 121, 122 mit unterschied lichen lateralen Abmessungen erzeugt und Halbleiterchips 170 lediglich auf Trägerabschnitten 121 montiert werden.

Bei den oben erläuterten Verfahrensabläufen werden optoelekt ronische Bauelemente 100 hergestellt, welche durch Trägerab schnitte bzw. dazugehörige Ätzmasken-Schichtabschnitte 142 gebildete rückseitige Anschlussflächen 135 aufweisen. Im Rah men einer Oberflächenmontage der optoelektronischen Bauele mente 100 können die Anschlussflächen 135 mit einem Lotmittel benetzt werden. Auch in Bezug auf die Seitenflanken 131 der Trägerabschnitte kann es gegebenenfalls zu einer Benetzung kommen, selbst wenn zusätzlich ein Flussmittel eingesetzt wird. Dies kann gewünscht oder unerwünscht sein. In diesem Zusammenhang kann es in Betracht kommen, die Verfahren derart abzuwandeln, dass Benetzungsschichten 145 auf metallischen Trägerabschnitten ausgebildet werden, mit deren Hilfe eine vorgegebene Benetzung mit einem Lotmittel erzielt werden kann .

Zur Veranschaulichung wird im Folgenden anhand der seitlichen Schnittdarstellungen der Figuren 52 und 53 eine mögliche Vor gehensweise in Bezug auf das Verfahren der Figuren 46 bis 49 näher erläutert. Hierbei wird nach dem rückseitigen Ätzen zum Strukturieren des metallischen Trägers 110 in separate Trä gerabschnitte 121, 122 (vgl. Figur 48) und vor der Vereinze lung die rückseitige Ätzmaske 142, wie in Figur 52 gezeigt, von den Trägerabschnitten 121, 122 entfernt. Bei einer metal lischen Ätzmaske 142 kann dieser Vorgang zum Beispiel auf me chanische Weise mittels Schleifen oder Läppen durchgeführt werden (nicht dargestellt) . Damit dieser Vorgang einfach durchgeführt werden kann, kann es auch in Betracht kommen, die rückseitige Ätzmaske 142 abweichend von der obigen Be schreibung nicht in Form einer metallischen Ätzmaske, sondern stattdessen in Form einer Fotolackmaske aus einem Fotolackma- terial zu verwirklichen. In dieser Ausgestaltung kann das Entfernen der Ätzmaske 142 zum Beispiel unter Verwendung ei nes Lösungsmittels durchgeführt werden (nicht dargestellt) .

Anschließend werden die gegenüber dem Kunststoffkörper 150 hervorstehenden Trägerabschnitte 121, 122 gereinigt (nicht dargestellt) , wodurch an der Rückseite und an den Seitenflan ken 131 der Trägerabschnitte 121, 122 das blanke ursprüngli che metallische Trägermaterial (Kupfer) vorliegen kann. Des Weiteren wird, wie in Figur 53 gezeigt ist, eine metallische Benetzungsschicht 145 auf der Rückseite und auf den Seiten flanken der Trägerabschnitte 121, 122 ausgebildet. Hierfür kann ein stromloses Metallisierungsverfahren (Electroless Plating) durchgeführt werden, in welchem die Benetzungs schicht 145 selektiv und ohne Anwendung einer Maske bzw. Fo tolackmaske auf den Trägerabschnitten 121, 122 erzeugt wird. Möglich ist zum Beispiel ein ENEPIG-Verfahren (Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold) , so dass eine Benetzungsschicht 145 aus NiPdAu gebildet wird. Nachfolgend kann der Bauelementverbund durch Durchtrennen des Kunststoff körpers 150 in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt werden (nicht dargestellt) .

Figur 54 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines in der vorstehend beschriebenen Weise hergestellten optoelektroni schen Bauelements 100, welches nach Durchführen einer Ober flächenmontage auf einer Leiterplatte 260 angeordnet ist. Die Leiterplatte 260 weist Kontakte 261 auf. Das Bauelement 100 ist mit den metallischen Trägerabschnitten 121, 122 und unter

Verwendung eines Lotmittels 270 elektrisch und mechanisch mit den Kontakten 261 der Leiterplatte 260 verbunden. Die Ausge staltung der Trägerabschnitte 121, 122 mit der auf der Rück seite und auf den Seitenflanken vorhandenen Benetzungsschicht 145 ermöglicht eine mehrseitige Benetzung der Trägerabschnit te 121, 122 mit dem Lotmittel 270 über eine relativ große Be netzungsfläche. Hieraus resultiert eine hohe Scherfestigkeit des auf der Leiterplatte 260 montierten Bauelements 100. Fer ner kann eine seitliche Lötkontrolle ermöglicht werden. Die Figuren 55 bis 57 zeigen anhand von seitlichen Schnitt darstellungen eine weitere Vorgehensweise, welche in Bezug auf Verfahren der Figuren 46 bis 49 dankbar ist. Hierbei wird nach dem rückseitigen Ätzen zum Strukturieren des metalli schen Trägers 110 in separate Trägerabschnitte 121, 122 (vgl. Figur 48) und vor der Vereinzelung die rückseitige Ätzmaske 142 von den Trägerabschnitten 121, 122 entfernt (vgl. Figur

52), werden die gegenüber dem Kunststoffkörper 150 hervorste henden Trägerabschnitte 121, 122 gereinigt (nicht darge stellt) , und wird, wie in Figur 55 gezeigt ist, eine Antibe netzungsschicht 146 auf der Rückseite und auf den Seitenflan ken der Trägerabschnitte 121, 122 ausgebildet. Für das Aus bilden der Antibenetzungsschicht 146 kann ein Metall wie zum Beispiel Nickel durch ein stromloses Metallisierungsverfahren auf den Trägerabschnitten 121, 122 abgeschieden und anschlie ßend oxidiert werden. Die dadurch gebildete Antibenetzungs schicht 146 wird nachfolgend, wie in Figur 56 gezeigt ist, an der Rückseite der Trägerabschnitte 121, 122 entfernt. Dieser Vorgang kann zum Beispiel auf mechanische Weise mittels

Schleifen oder Läppen durchgeführt werden. Möglich ist es auch, die Antibenetzungsschicht 146 nur zum Teil zu entfernen oder anzuschleifen (jeweils nicht dargestellt). Nachfolgend wird, wie in Figur 57 gezeigt ist, eine metallische Benet zungsschicht 145 auf der Rückseite der Trägerabschnitte 121, 122 ausgebildet. Dies kann wie oben beschrieben mit Hilfe ei nes stromlosen Metallisierungsverfahrens wie zum Beispiel ei nes ENEPIG-Verfahrens erfolgen, in welchem die Benetzungs schicht 145 selektiv und ohne eine (Fotolack-) Maske auf der Rückseite den Trägerabschnitte 121, 122 erzeugt wird. Nach folgend kann der Bauelementverbund durch Durchtrennen des Kunststoffkörpers 150 in separate optoelektronische Bauele mente 100 vereinzelt werden (nicht dargestellt) .

Figur 58 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines in der vorstehend beschriebenen Weise hergestellten optoelektroni schen Bauelements 100, welches nach Durchführen einer Ober flächenmontage auf einer Leiterplatte 260 angeordnet ist. Das Bauelement 100 ist mit den metallischen Trägerabschnitten 121, 122 und unter Verwendung eines Lotmittels 270 elektrisch und mechanisch mit Kontakten 261 der Leiterplatte 260 verbun den. Die Ausgestaltung der Trägerabschnitte 121, 122 mit der auf den Seitenflanken angeordneten Antibenetzungsschicht 146 und der auf der Rückseite vorhandenen Benetzungsschicht 145 ermöglicht eine planare Benetzung der Trägerabschnitte 121, 122 mit dem Lotmittel 270. Eine Benetzung der Seitenflanken der Trägerabschnitte 121, 122 kann durch die Antibenetzungs schicht 146 verhindert werden. Hierbei wird ausgenutzt, dass sich die Antibenetzungsschicht 146 durch eine hohe Stabili tät, auch gegenüber einem Flussmittel, auszeichnen kann. Dies ist zum Beispiel der Fall bei einer Ausgestaltung der Antibe netzungsschicht 146 aus Nickeloxid. Auf diese Weise besteht die Möglichkeit, kleine Trägerabschnitte 121, 122 und kleine Abstände zwischen den Trägerabschnitten 121, 122 vorzusehen.

Auch die anderen der oben beschriebenen Verfahrensabläufe können in entsprechender Weise dahingehend abgewandelt wer den, dass Trägerabschnitte vor der Vereinzelung mit einer Be netzungsschicht 145 und gegebenenfalls einer Antibenetzungs schicht 146 versehen werden (nicht dargestellt).

In Bezug auf die Herstellung von optoelektronischen Bauele menten 100 mit einem in einem Kunststoffgehäusekörper 155 eingebetteten strahlungsemittierenden Halbleiterchip 170, wie sie anhand der Verfahrensabläufe der Figuren 33 bis 39 und der hierauf folgenden Figuren erläutert wurde, bestehen wei tere mögliche Abwandlungen darin, optoelektronische Bauele mente 100 herzustellen, welche statt einem einzelnen mehrere Halbleiterchips 170 aufweisen. Die mehreren Halbleiterchips 170 können getrennt ansteuerbar sein, was sich durch eine hierauf abgestimmte Ausgestaltung von metallischen Trägerab schnitten und eine entsprechende Verschaltung der Halbleiter chips 170 verwirklichen lässt. Ferner können die Halbleiter chips 170 zum Erzeugen von unterschiedlichen Lichtstrahlungen ausgebildet sein, und können die Bauelemente 100 zum Beispiel in Form von RGB-Bauelementen verwirklicht werden. Zur Veranschaulichung des vorgenannten Aspekts zeigen die Fi guren 59 und 60 eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren optoelektronischen Bau elements 100. Das Bauelement 100 weist vier separate und rückseitig kontaktierbare metallische Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124, drei auf dem Trägerabschnitt 121 angeordnete strahlungsemittierende Halbleiterchips 170 und einen an die Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 und die Halbleiterchips 170 angrenzenden und die Halbleiterchips 170 verkapselnden Kunststoffgehäusekörper 155 auf. Der Kunststoffgehäusekörper 155 ist aus einem strahlungsdurchlässigen bzw. klaren Kunst stoffmaterial ausgebildet. Die Halbleiterchips 170 können zum Erzeugen einer roten, einer grünen und einer blauen Licht strahlung ausgebildet sein, so dass das Bauelement 100 ein RGB-Bauelement ist.

Vorliegend weisen die Halbleiterchips 170 einen nicht gezeig ten rückseitigen Kontakt und einen vorderseitigen Kontakt 175 auf. Mit dem rückseitigen Kontakt und über ein nicht gezeig tes elektrisch leitfähiges Verbindungsmaterial (Klebstoff, Lotmittel oder Sinterpaste) sind die Halbleiterchips 170 mit dem Trägerabschnitt 121 elektrisch verbunden. Die vordersei tigen Kontakte 175 der Halbleiterchips 170 sind über Bond drähte 180 an jeweils einen der Trägerabschnitte 122, 123,

124 angeschlossen. Die Schnittdarstellung von Figur 59 weicht aus Gründen der Übersichtlichkeit etwas von Figur 60 ab, in dem zwei Halbleiterchips 170 nebst Bonddrähten 180 in einer gemeinsamen Schnittebene liegend dargestellt sind. Die nicht dargestellte Herstellung von optoelektronischen Bauelementen 100 mit der in den Figuren 59, 60 gezeigten Ausgestaltung kann vergleichbar zu dem Verfahrensablauf der Figuren 33 bis 39 erfolgen, wobei hierbei für jedes herzustellende Bauele ment 100 Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124 erzeugt und Halbleiterchips 170 entsprechend den Figuren 59, 60 auf Trä gerabschnitten 121 montiert und verdrahtet werden. Die Figuren 61 und 62 zeigen eine seitliche Schnittdarstel lung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren, ähnlich aufgebauten optoelektronischen Bauelements 100. Das Bauele ment 100 weist sechs separate und rückseitig kontaktierbare metallische Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124, 125, 126 auf, wobei auf den Trägerabschnitten 121, 123, 125 jeweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 170 angeordnet ist. Weiter weist das Bauelement 100 einen an die Trägerab schnitte 121, 122, 123, 124, 124, 126 und Halbleiterchips 170 angrenzenden und die Halbleiterchips 170 verkapselnden Kunst stoffgehäusekörper 155 auf. Der Kunststoffgehäusekörper 155 ist aus einem strahlungsdurchlässigen bzw. klaren Kunststoff material ausgebildet. Die Halbleiterchips 170 können zum Er zeugen einer roten, einer grünen und einer blauen Lichtstrah lung ausgebildet sein, so dass das Bauelement 100 ein RGB- Bauelement ist.

Die Halbleiterchips 170 sind mit einem rückseitigen Kontakt und über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmaterial mit den Trägerabschnitten 121, 123, 125 elektrisch verbunden (nicht dargestellt) . Die vorderseitigen Kontakte 175 der Halbleiterchips 170 sind über Bonddrähte 180 an jeweils einen der Trägerabschnitte 122, 124, 126 angeschlossen. Die nicht dargestellte Herstellung von optoelektronischen Bauelementen 100 mit dem in den Figuren 61, 62 gezeigten Aufbau kann ver gleichbar zu dem Verfahrensablauf der Figuren 33 bis 39 er folgen, wobei hierbei für jedes herzustellende Bauelement 100 Trägerabschnitte 121, 122, 123, 124, 125, 126 ausgebildet und Halbleiterchips 170 entsprechend den Figuren 61, 62 auf Trä gerabschnitten 121, 123, 125 montiert und verdrahtet werden.

Neben den vorstehend beschriebenen und in den Figuren abge bildeten Ausführungsformen sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen und/oder Kombinatio nen von Merkmalen umfassen können.

Es ist zum Beispiel möglich, anstelle der oben angegebenen Materialien andere Materialien einzusetzen. In diesem Sinne kann ein Träger 110 zum Beispiel aus einem anderen metalli schen Material ausgebildet sein als Kupfer. Mögliche Träger materialien sind beispielsweise Eisen-Nickel, Aluminium oder Molybdän. Des Weiteren sind obige Zahlenangaben lediglich als Beispiele anzusehen, welche durch andere Angaben ersetzt wer den können.

Für das Bewirken einer Strahlungskonversion können strah lungsemittierende Halbleiterchips verwendet werden, welche ein schichtförmiges oder plättchenförmiges Konversionselement zur Strahlungskonversion aufweisen. Alternativ kann eine sol che Konversionsschicht oder ein Konversionselement auch nach der Chipmontage auf Halbleiterchips ausgebildet oder angeord net werden.

Eine weitere Abwandlung besteht darin, eine vorderseitige Ätzmaske 141 nicht in Form einer metallischen Ätzmaske, son dern in Form einer Fotolackmaske aus einem Fotolackmaterial zu verwirklichen.

Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Ausführungs beispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.

BEZUGSZEICHENLISTE

100 optoelektronisches Bauelement

101 Vorderseite

102 Rückseite

105 Mantelfläche

110 Träger

111 Vorderseite

112 Rückseite

121 Trägerabschnitt

122 Trägerabschnitt

123 Trägerabschnitt

124 Trägerabschnitt

125 Trägerabschnitt

126 Trägerabschnitt

130 Vertiefung

131 Seitenflanke

132 Vertiefung

133 Durchgangsloch

135 Anschlussfläche

139 Ätzbereich

141 Ätzmaske

142 Ätzmaske

145 BenetzungsSchicht

146 AntibenetzungsSchicht

150 Kunststoffkörper

151 Kunststoffmaterial

152 Kunststoffmaterial

155 Kunststoffgehäusekörper

156 Kavität

157 Kavität

158 Verankerungsabschnitt

161 Füllmaterial

162 Füllmaterial

170 optoelektronischer Halbleiterchip

175 Kontakt

176 Kontakt

180 Bonddraht 190 Treiberchip 200 vorgefertigtes Gehäuse 210 Dicke

230 Tiefe

241 Abstand

242 Abstand

260 Leiterplatte

261 Kontakt

270 Lotmittel

290 Trennlinie