木村 裕二 (〒01 石川県能美市赤井町は86番 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社根上事業所内 Ishikawa, 〒9290101, JP)
ASADA Takahiro (Ha-86 Akai-machi, Nomi-sh, Ishikawa 01, 〒9290101, JP)
浅田 隆広 (〒01 石川県能美市赤井町は86番 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社根上事業所内 Ishikawa, 〒9290101, JP)
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 (〒32 東京都品川区大崎―丁目11番2号 ゲートシティ大崎イーストタワー8階 Tokyo, 〒1410032, JP)
KIMURA Yuji (Ha-86 Akai-machi, Nomi-sh, Ishikawa 01, 〒9290101, JP)
木村 裕二 (〒01 石川県能美市赤井町は86番 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社根上事業所内 Ishikawa, 〒9290101, JP)
ASADA Takahiro (Ha-86 Akai-machi, Nomi-sh, Ishikawa 01, 〒9290101, JP)
| 絶縁性のベース基板上に配置され保護対象機器の電力供給経路に接続されて所定の異常電力により溶断する可溶導体と、前記可溶導体を所定の空間を介して覆って前記ベース基板に取り付けられた絶縁カバー部材と、前記可溶導体表面に塗布され前記空間内に位置したフラックスとを有し、前記保護対象機器に前記異常電力が供給された場合に、前記可溶導体が溶断してその電流経路を遮断する保護素子において、 前記可溶導体に対向して前記絶縁カバー部材の内面に形成され、前記フラックスと接触して前記フラックスを前記空間内の所定の位置に保持する段部を備えたことを特徴とする保護素子。 |
| 前記段部は、前記絶縁カバー部材内面に形成された凸部により形成されたものである請求項1記載の保護素子。 |
| 前記段部は、前記絶縁カバー部材内面で、前記可溶導体中央部を囲むような環状に形成された突条部から成る請求項1記載の保護素子。 |
| 前記段部は、前記絶縁カバー部材内面で、前記可溶導体中央部を囲むような円筒状に形成された突条部から成る請求項3記載の保護素子。 |
| 前記段部は、前記絶縁カバー部材内面に形成された凹部により形成されたものである請求項1記載の保護素子。 |
| 前記段部は、前記絶縁カバー部材内面に形成された多角形状の突条部により形成されたものである請求項1記載の保護素子。 |
| 前記段部の前記可溶導体側の端面は、前記可溶導体が溶融した状態でその溶融可溶導体の頂部が接しない位置に設けられた請求項1記載の保護素子。 |
| 前記可溶導体の端部には、前記段部に対向する凸部が設けられている請求項1記載の保護素子。 |
| 前記段部は、前記絶縁カバー部材に形成された透孔の開口部である請求項1記載の保護素子。 |
| 前記開口部は、前記絶縁カバー部材に複数形成されている請求項9記載の保護素子。 |
| 前記突条部には、前記絶縁カバー部材裏面側の空間に連通する切り欠き部が形成されている請求項3記載の保護素子。 |
| 前記切り欠き部は、前記絶縁カバー部材の中心軸に対して対称な位置に設けられている請求項11記載の保護素子。 |
| 前記ベース基板上には絶縁層を介して発熱体が積層され、前記ベース基板上に形成された複数の電極間に前記可溶導体と前記発熱体が接続され、前記ベース基板上の前記電極を3箇所以下とした請求項1記載の保護素子。 |
| 前記ベース基板の大きさは、その寸法比が、長さ:厚み=1080%:50~78%、且つ幅:厚み=640%:50~78%の条件を満たすものである請求項1記載の保護素子。 |
| 前記寸法比は、長さ:厚み=1080%:50~56%、且つ幅:厚み=640%:50~56%の条件を満たすものである請求項14記載の保護素子。 |
| 請求項1乃至15記載のいずれか記載の保護素子を、二次電池の電力供給経路に設けたことを特徴とする二次電池装置。 |
この発明は、過大な電流または電圧が印 された場合に、その熱により可溶導体が溶 し電流を遮断する保護素子とそれを用いた 次電池装置に関する。
従来、二次電池装置等に搭載される保護 子は、過電流だけでなく過電圧防止機能も するものが用いられている。この保護素子 、基板上に発熱体と低融点金属体から成る 溶導体が積層され、過電流により可溶導体 溶断されるように形成されているとともに 過電圧が生じた場合も保護素子内の発熱体 通電され、発熱体の熱により可溶導体が溶 するものである。可溶導体の溶断は、低融 金属である可溶導体の溶融時に、接続され 電極表面に対する濡れ性の良さに起因して 溶融した低融点金属が電極上に引き寄せら 、その結果、可溶導体が分断されて電流が 断されるものである。
一方、近年の携帯機器等の電子機器の小 化に伴い、この種の保護素子にも小型化・ 型化が要求され、さらに動作の安定性と高 化が求められ、その手段として絶縁基板上 低融点金属体の可溶導体を配置するととも 、これを絶縁カバー部材で封止し、可溶導 にはフラックスを塗布して成るものがある このフラックスは、可溶導体の表面の酸化 止を図るとともに、可溶導体の加熱時に迅 に安定に溶断するように設けられている。
そのような保護素子として、図28に示す 造のものがある。この保護素子は、ベース 板1の両端上に形成された一対の電極2間に、 低融点金属からなる可溶導体3が設けられ、 ース基板1上の可溶導体3と対面して、絶縁カ バー部材4が設けられたものである。さらに この保護素子のベース基板1上には、一対の 極2と直交する対向縁部に、さらに図示しな い一対の電極が設けられ、その間に抵抗体か らなる発熱体5が設けられている。発熱体5は 絶縁層6及び導体層7を介して、可溶導体3に 接して積層されている。そして、ベース基 1に取り付けられたカバー部材4は、可溶導 3に対して所定の空間8を形成して被せられて いる。さらに、可溶導体3には、フラックス9 塗布され、フラックス9は、この空間8内に 容されているものである。
また、可溶導体を絶縁カバー部材で封止 た保護素子として、特許文献1に開示されて いる構造のものもある。この保護素子は、薄 型化により、可溶導体の溶断時に溶融金属が 電極上に集まる空間が狭いことから、各電極 部分への溶融金属の引き寄せを確実にするた めに、絶縁カバー板内面の各電極と対面する 部位に、金属パターンを設けたものである。
その他、特許文献2に開示されているよう に、動作温度のばらつきを防止するために、 可溶合金片にフラックスを塗布するとともに 、可溶合金が接続された電極の周囲に溶融合 金の濡れ広がりを防止する溝やガラスの帯体 を設けたものも提案されている。
上述の図28に示すものや特許文献1,2に開 された保護素子においては、フラックスが 溶導体の酸化防止、および異常電流・電圧 溶断する為の活性剤として作用するもので り、フラックスの保留状態が動作速度に影 を及ぼすものであった。特に、環境負荷を 減するために、臭素(Br)等のハロゲン成分を 有しないハロゲンフリーフラックスを使用 た場合、この種のフラックスは活性度が低 、可溶導体の溶断速度にフラックスの状態 大きく影響するものであった。
即ち、図29に示すように、絶縁カバー部 4の中で、可溶導体3上のフラックス9が、空 8の中央部に安定して保持されず左右に偏っ しまうことがある。そのような場合、可溶 体3の溶融金属は、フラックス9が保持され 場所に流れ込み易く、フラックス9が不足し 部分では可溶導体3が溶融しにくいという現 象が現れ、確実に溶断するまでの時間が延び ると言う問題があった。
さらに、特許文献1記載の発明のように、 絶縁カバーに金属パターンを形成した構造や 、特許文献2記載の発明のように、電極周辺 溝や帯体を設けた構造では、可溶導体上の ラックスを安定に留めておくことができな ものである。さらに、特許文献1に開示され 構造の、絶縁カバー部材に金属パターンを 成する方法では、絶縁カバーを成型後に金 パターンを印刷する必要があり、材料のコ トが高くなる。同様に、特許文献2に開示さ れた構造においても、可溶合金が接続された 電極の周囲に溶融合金の濡れ広がりを防止す る溝やガラスの帯体を設けなければならず、 コストが掛かるものである。また、特許文献 1の構造では、絶縁カバー側が熱変形等を起 た時に、絶縁カバーとの距離も近づく事で 絶縁カバーの金属パターンと電極がショー する恐れがある。
この発明は、上記背景技術に鑑みて成さ たもので、可溶導体上のフラックスを安定 所定の位置に保持可能であり、異常時にお る可溶導体の的確な溶断を可能にした保護 子とそれを用いた二次電池装置を提供する とを目的とする。
この発明は、絶縁性のベース基板上に配 され保護対象機器の電力供給経路に接続さ て所定の異常電力により溶断する可溶導体 、前記可溶導体を所定の空間を介して覆っ 前記ベース基板に取り付けられた絶縁カバ 部材と、前記可溶導体表面に塗布され前記 間内に位置したフラックスとを有し、前記 護対象機器に前記異常電力が供給された場 に、前記可溶導体が溶断してその電流経路 遮断する保護素子であって、前記可溶導体 対向して前記絶縁カバー部材の内面に形成 れ、前記フラックスと接触して前記フラッ スを前記空間内の所定の位置に保持する段 を備えた保護素子である。
前記段部は、前記絶縁カバー部材内面に 成された突起や突条部等の凸部により形成 れたものである。前記段部は、前記絶縁カ ー部材内面で、前記可溶導体中央部を囲む うな環状に形成された突条部から成るもの 好ましい。特に、前記段部は、前記絶縁カ ー部材内面で、前記可溶導体中央部を囲む うな円筒状に形成された突条部が好ましい
または、前記段部は、前記絶縁カバー部 内面に形成された凹部により形成されたも でもよい。また、前記段部は、前記絶縁カ ー部材内面に形成された多角形状の突条部 より形成されたものでもよい
前記段部の前記可溶導体側端面は、前記 溶導体が溶融した状態でその溶融可溶導体 頂部が接しない位置に設けられたものが好 しく、前記可溶導体の溶融により、表面張 で盛り上がり電流経路を遮断するものであ ば良い。
また、前記可溶導体の端部には、前記段 に対向する凸部が設けられているものでも い。
前記段部は、前記絶縁カバー部材に形成 れた透孔の開口部でも良い。さらに、前記 部は、前記絶縁カバー部材に形成された複 の透孔の開口部でも良い。
前記突条部には、前記絶縁カバー裏面側 空間に連通する切り欠き部が形成されてい ものである。さらに、前記切り欠き部は、 記絶縁カバー部材の中心軸に対して対称な 置に設けられているものでも良い。
前記ベース基板上には絶縁層を介して発 体が積層され、前記ベース基板上に形成さ た複数の電極間に前記可溶導体と前記発熱 が接続され、前記ベース基板上の前記電極 3箇所以下としたものである。
前記ベース基板の大きさは、その寸法比 、長さ:厚み=1080%:50~78%、且つ幅:厚み=640%:50~7 8%の条件を満たすものである。さらに、前記 法比は、長さ:厚み=1080%:50~56%、且つ幅:厚み= 640%:50~56%の条件を満たすと良いものである。
またこの発明は、前記保護素子を二次電 の電力供給経路に設けた二次電池装置であ 。
この発明の保護素子によれば、絶縁カバ 部材の内側にフラックスの保持用段部を設 たので、フラックスを所定の位置に安定し 保持させる事が可能となる。これにより、 に、活性度の低いフラックス(ハロゲンフリ ーのもの等)を使用した場合、フラックス塗 後の保持状態の偏りによる活性度の偏在を ぐ事ができ、可溶導体の溶断動作、特に低 力の発熱動作特性において、動作のバラツ を極めて小さくすることができる。しかも ハロゲンフリーのフラックスを用いること より、環境負荷の小さい保護素子を形成す 事が可能となる。
また、請求項9,10記載のように、絶縁カバ ー部材に開口部を設けることにより、内部の フラックスの様子を目視により検査すること が可能となる。
さらに、請求項11,12記載のように、保持 断部に切り欠き部を形成することにより、 刷時に発生するフラックス内部のボイドを がす事ができ、且つ、一定の位置に安定し 保持することができる。特に活性度の低い ラックス(ハロゲンフリー)を使用した場合、 フラックス塗布後の保持状態の偏りによる活 性度偏りを防ぐことができる。
さらに、請求項13記載のように、保護素 を実装基板へ固定する為だけに使用してい 電極側の端子をベース基板上で開放し、前 発熱体や可溶導体と接続される前記ベース 板上の電極を3箇所以下とすることにより、 ース基板から電極を経て逃げる熱が抑えら 、溶断時間を短縮させることが出来る。
また、請求項14,15記載のように、且つ基 の寸法比を所定の比率内に抑えることによ 、基板強度を保ちつつベース基板の熱容量 下げて、溶断時間を従来よりも大幅に短縮 し、保護素子の低背化を達成し、溶断時間 短縮と保護素子の低背化という相反する目 を両立させた保護素子を提供することがで る。
また、この発明の二次電池装置によれば 過電圧・過電流に対して、保護素子が安定 て確実に作動し、二次電池を保護し、二次 池の過熱や発火等の事故を未然に確実に防 することができる。
以下、この発明の保護素子の第1実施形態 について、図1~図4を基にして説明する。この 実施形態の保護素子10は、絶縁性のベース基 11の上面両端に形成された一対の電極12間に 、低融点金属からなるヒューズである可溶導 体13が設けられている。ベース基板11には、 溶導体13と対面して、絶縁体の絶縁カバー部 材14が設けられている。さらに、保護素子10 ベース基板11上には、一対の電極12と直交す 対向縁部に、他の一対の電極21が設けられ その間に抵抗体からなる発熱体15が接続され ている。発熱体15は、絶縁層16及び導体層17を 介して、可溶導体13に積層されている。
ここで、ベース基板11の材質としては、 縁性を有するものであれば良く、例えば、 ラミック基板、ガラスエポキシ基板のよう プリント配線基板に用いられる絶縁基板が ましい。その他、適宜用途に合わせて、ガ ス基板、樹脂基板、絶縁処理金属基板等を いることができるが、耐熱性に優れ、熱伝 性の良いセラミック基板が、より好ましい
可溶導体13の低融点金属としては、所定 電力で溶融するものであれば良く、ヒュー 材料として公知の種々の低融点金属を使用 ることができる。例えば、BiSnPb合金、BiPbSn 金、BiPb合金、BiSn合金、SnPb合金、SnAg合金、P bIn合金、ZnAl合金、InSn合金、PbAgSn合金等を用 ることができる。
発熱体15を形成する抵抗体は、例えば、 化ルテニウム、カーボンブラック等の導電 料とガラス等の無機系バインダ、あるいは 硬化性樹脂等の有機系バインダからなる抵 ペーストを塗布し、焼成したものである。 た、酸化ルテニウム、カーボンブラック等 薄膜を印刷し、焼き付けたものや、メッキ 蒸着、スパッタリングにより形成してもよ 、これらの抵抗体材料のフィルムを貼付、 層等して形成したものでもよい。
ベース基板11に取り付けられた絶縁カバ 部材14は、一側面部が開口した箱状に形成さ れ、可溶導体13に対して所定の空間18を形成 てベース基板11に被せられている。絶縁カバ ー部材14の内面14aには、可溶導体13の中央部 対面する位置に、同心的に円形の段部20aを えた円筒状の突条部20が形成されている。突 条部20は絶縁カバー部材14と一体に形成され おり、ベース基板11への投影位置が発熱体15 周囲に位置するように形成されている。
絶縁カバー部材14の材質は、可溶導体13の 溶断時の熱に耐え得る耐熱性と、保護素子10 しての機械的な強度を有する絶縁材料であ ばよい。例えば、ガラス、セラミックス、 ラスチック、ガラスエポキシ樹脂のような リント配線基板に用いられる基板材料等、 々な材料を適用することができる。さらに 金属板を用いてベース基板11との対向面に 縁性樹脂等の絶縁層を形成したものでも良 。好ましくは、セラミックスのような機械 強度及び絶縁性の高い材料であれば、保護 子全体の薄型化にも寄与し、好ましい。
可溶導体13の表面全面には、その表面の 化を防止するために、フラックス19が設けら れている。フラックス19は、臭素等のハロゲ 元素を有しない、ハロゲンフリーのフラッ スが好ましい。フラックス19は、可溶導体13 上で表面張力により保持され、空間18内に収 されるとともに、図2に示すように、絶縁カ バー部材14の内面14aに形成された突条部20に 着し、その濡れ性により段部20aにより安定 保持される。これにより、可溶導体13の中央 部で位置ずれすることなく、フラックス19が 定に保持される。
ここで、突条部20の内面14aからの突出高 は、可溶導体13に塗布されたフラックス19の 面が接触して、その濡れ性と表面張力によ 、フラックス19を留めておくことが可能な さであって、異常電力により溶融した低融 金属の溶融可溶導体が、その表面張力で球 に盛り上がった頂部がちょうど接触する程 を限度とし、好ましくは接触しない程度の 出高さが好ましい。
この実施形態の保護素子10を用いた二次 池装置の過電流・過電圧保護回路35は、例え ば図4に示すような回路構成を備える。この 電流・過電圧保護回路35は、保護素子10の一 の電極12が出力端子A1と入力端子B1との間に 列に接続され、保護素子10の一対の電極12の 一方の端子が、入力端子B1に接続され、他方 電極12が出力端子A1に接続されている。そし て、可溶導体13の中点が発熱体15の一端に接 され、電極21の一方の端子が、発熱体15の他 の端子に接続されている。発熱体15の他方 端子は、トランジスタTrのコレクタに接続さ れ、トランジスタTrのエミッタが、他方の入 端子A2と出力端子B2との間に接続されている 。さらに、トランジスタTrのベースには、抵 Rを介してツェナダイオードZDのアノードが 続され、ツェナダイオードZDのカソードが 力端子A1に接続されている。
抵抗Rは、出力端子A1,A2間に、異常と設定 れた所定の電圧が印加されたときに、ツェ ダイオードZDに降伏電圧以上の電圧が印加 れるように設定されている。また、図4の回 図のように、可溶導体13は、発熱体15により 2箇所で溶断されるように形成されていると い。
出力端子A1,A2間には、例えばリチウムイ ン電池等の被保護装置である二次電池23の電 極端子が接続され、入力端子B1,B2には、二次 池23に接続して使用される図示しない充電 等の装置の電極端子が接続される。
次に、この実施形態の保護素子10の動作 ついて説明する。この実施形態の過電流・ 電圧保護回路35が取り付けられたリチウムイ オン電池等の二次電池装置において、その充 電時に異常な電圧が出力端子A1,A2に印加され と、異常と設定された所定の電圧でツェナ イオードZDに降伏電圧以上の逆電圧が印加 れ、ツェナダイオードZDが導通する。ツェナ ダイオードZDの導通により、トランジスタTR ベースにベース電流ibが流れ、それによりト ランジスタTrがオンし、コレクタ電流icが発 体15に流れ、発熱体15が発熱する。この熱が 発熱体15上の低融点金属の可溶導体13に伝達 し、可溶導体13が溶断し、入力端子B1と出力 子A1間の導通が遮断され、出力端子A1,A2に過 圧が印加されることを防止する。
このとき、フラックス19は可溶導体13の中 央部に保持され、所定の溶断位置で迅速且つ 確実に溶断する。また、図4の回路のように 例えば低融点金属の可溶導体13が2カ所で溶 されるように配置されていると、溶断によ 発熱体15への通電が完全に遮断される。また 、異常電流が端子A1に向けて流れた場合も、 溶導体13がその電流により発熱し溶断する うに設定されている。
この実施形態の保護素子10によれば、絶 カバー部材14の内面14aに、可溶導体13と対向 せて凸状の円筒形の突条部20を設け、フラ クス19を突条部20の段差部20aにより一定の位 に安定して保持させる事が可能となる。こ により、特に活性度の低いハロゲンフリー ラックス等のフラックス19を使用した場合 、フラックス19の塗布状態の偏りやばらつき による活性度の偏りを防ぐ事ができ、可溶導 体13の溶断を確実にする。特に、低電力の発 動作特性において、従来の動作バラツキよ も極めて小さくする事ができ、環境対応を 野に入れた保護素子10を提供する事が可能 なる。
さらに、閉じた環状の円筒形の突条部20 設けたので、フラックス19は、自身の表面張 力により安定に且つ均等に突条部20に保持さ 、可溶導体13上を移動して偏在することが い。
また、この実施形態の二次電池装置によ ば、安定して確実に過電圧・過電流に対す 二次電池23の保護が図られ、二次電池23の過 熱や発火等の事故を確実に防止することがで きる。
次に、この発明の保護素子の第2実施形態に
ついて図5を基にして説明する。ここで、上
の実施形態と同様の部材は同一の符号を付
て説明を省略する。
この実施形態の保護素子10の絶縁カバー部材1
4の内面14aには、長辺に沿って平行に、中央
に互いに平行な2本の突条部22が形成され段
22aが設けられている。突条部22は、ベース基
板11への投影位置が、発熱部中央部を囲むよ
に形成されている。
この実施形態の保護素子10の絶縁カバー 材14によれば、突条部22の段部22aによりフラ クス19を安定に一定の位置に保持させる事 可能となる。平行な突条部22が、ベース基板 11の長辺の1/4~1/3程度の長さに形成されている ので、フラックス19が必要以上に偏在するこ がなく、確実に突条部22間に保持される。 れにより、上述の実施形態と同様の効果を ることができる。
次に、この発明の保護素子の第3実施形態 について図6~図8を基にして説明する。ここで 、上述の実施形態と同様の部材は同一の符号 を付して説明を省略する。図6は、この発明 実施形態の絶縁カバー部材14の内面14aに、二 重の同心円状の突条部25,26により段部25a,26aが 形成されたものである。この実施形態の絶縁 カバー部材14の突条部25,26によっても、フラ クス19の表面張力により、安定に可溶導体13 中央部にフラックス19を保持させる事が可 となる。これにより、上述の実施形態と同 の効果を得ることができる。
さらに、図7に示すように、絶縁カバー部 材14の内面14aに、一つの突起部24が形成され ものでも良い。この実施形態の絶縁カバー 材14の突起部24の段部24aによっても、フラッ ス19の表面張力により、安定に可溶導体13の 中央部にフラックス19を保持させる事が可能 なる。また、図8に示すように、円筒状の凹 部27と、その中央部の突起24を設け、段部24a,2 7aを形成したものでも良い。
次に、この発明の保護素子の第4実施形態 について図9、図10を基にして説明する。ここ で、上述の実施形態と同様の部材は同一の符 号を付して説明を省略する。図9は、この発 の実施形態の絶縁カバー部材14の内面14aに、 鼓型の突条部28が形成されたものである。こ 実施形態の絶縁カバー部材14の突条部28の段 部28aによっても、フラックス19の表面張力に り、安定に可溶導体13の中央部にフラック 19を保持させる事が可能となる。また、図10 示すように、平行な突条部29とその間に設 られ湾曲した凹溝部30とを組み合わせたもの により段部29a,30aを形成したものでも良い。
次に、この発明の保護素子の第5実施形態 について図11を基にして説明する。ここで、 述の実施形態と同様の部材は同一の符号を して説明を省略する。この発明の実施形態 絶縁カバー部材14の内面14aは、図11に示すよ うに、三角形等の多角形の突条部32により段 32aを形成したものである。形成する多角形 、好ましくは、内面14a上の縦横方向に対称 四角形や六角形、八角形等の形状が、フラ クス19の偏りを防ぐ意味で良い。この実施 態の絶縁カバー部材14の突条部28によっても フラックス19の表面張力により、安定に可 導体13の中央部に保持させる事が可能となる 。
次に、この発明の保護素子の第6実施形態 について図12を基にして説明する。ここで、 述の実施形態と同様の部材は同一の符号を して説明を省略する。この発明の実施形態 、図12に示すように、絶縁カバー部材14の突 条部20等に加えて、可溶導体13の両端部に凸 34を設けたものである。これにより、さらに フラックス19の保持効果が高まる。
次に、この発明の保護素子の第7実施形態 について図13、図14を基にして説明する。こ で、上述の実施形態と同様の部材は同一の 号を付して説明を省略する。この発明の実 形態の絶縁カバー部材14には、図14に示すよ に、透孔である開口部36が形成され、開口 36及び突条部20による段部20aが設けられてい ものである。なお、開口部36からはフラッ ス19中の溶剤が揮発し、図14の破線で示すよ に、フラックス19の表面は円弧状の凹状に 成される。
この実施形態の保護素子10によれば、上 実施形態と同様の効果に加えて、フラック 19の保持状態、を開口部36を通して肉眼によ 視認可能であり、製品検査をより容易且つ 実なものとすることが出来る。
次に、この発明の保護素子の第8実施形態 について図15を基にして説明する。ここで、 述の実施形態と同様の部材は同一の符号を して説明を省略する。この発明の実施形態 絶縁カバー部材14には、図15に示すように、 多数の小さい透孔である開口部37が形成され いるものである。なお、開口部37からはフ ックス19中の溶剤が揮発し、図14の破線で示 ものと同様にフラックス19の表面は開口部37 毎に円弧状の凹状に形成される。
この実施形態の保護素子10によっても、 記実施形態と同様の効果に加えて、フラッ ス19の保持状態を、開口部37を通して肉眼に り視認可能であり、製品検査をより容易且 確実なものとすることが出来る。
次に、この発明の保護素子の第9実施形態 について図16を基にして説明する。ここで、 述の実施形態と同様の部材は同一の符号を して説明を省略する。この発明の実施形態 絶縁カバー部材14は、上述の実施形態と同 に絶縁カバー部材14に透孔である開口部36を 成し、その絶縁カバー部材14の表面に透明 フィルム40を貼り付けたものである(図16(a)) また、多数の透孔から成る開口部37を形成し 、その絶縁カバー部材14の表面に透明なフィ ム40を貼り付けたものでも良い(図16(b))。こ 場合も、多数の透孔の開口部37を形成した 縁カバー部材14の内面14aに、突条部20を形成 ても良く、さらに、可溶導体13の周囲に凸 34を形成しても良い(図16(b))。
この実施形態の保護素子10によっても、 記実施形態と同様の効果に加えて、フラッ ス19の保持状態を肉眼により視認可能であり 、しかもフィルム40により、開口部36,37から 等がフラックス19に付着したり、内部に浸入 することがない。
次に、この発明の保護素子の第10実施形 について図17、図18を基にして説明する。こ で、上述の実施形態と同様の部材は同一の 号を付して説明を省略する。この発明の実 形態の絶縁カバー部材14は、突条部20が一部 で切り欠かれて、切り欠き部42が形成された のである。
この実施形態の保護素子10によれば、上 実施形態と同様の効果に加えて、フラック 19中に印刷時に紛れ込んだ空気等によるボイ ド44を、フラックス19から切り欠き部42を経て 、絶縁カバー部材14内の周囲の空間18へ逃が ことが出来るものである。これにより、フ ックス19内にボイドがあることによる可溶導 体13の溶断動作の遅れやバラツキを無くすこ ができる。
なお、この実施形態の突条部20に形成さ た切り欠き部42の位置や数は適宜設定できる ものであり、図19、図20に示すように、適宜 いに対称な位置の2箇所又は4箇所に切り欠き 部42を配置しても良い。
さらに、図21に示すように、切り欠き部42 が突条部20の高さよりも低く切り欠かれたも でも良い。同様に、この比較的浅い切り欠 部42の位置も、図22に示すように、突条部20 2箇所に形成したものや、図23に示すように 突条部20の4箇所に形成したものでも良い。 らに、図24、図25,図26に示すように、切り欠 き部42の幅や大きさ、深さも任意に設定可能 ものであり、これらを適宜組み合わせたも でも良い。
この実施形態の保護素子10によれば、上 実施形態と同様の効果に加えて、フラック 19中に印刷時に紛れ込んだ空気等によるボイ ド44を、より確実にフラックス19から絶縁カ ー部材14内の周囲の空間18に容易に逃がすこ が出来るものである。これにより、フラッ ス19内にボイド44があることによる可溶導体 13の溶断動作の遅れやバラツキを無くすこと できる。
次に、この発明の保護素子の第11実施形 について図27を基にして説明する。ここで、 上述の実施形態と同様の部材は同一の符号を 付して説明を省略する。この実施形態の保護 素子10の発熱体15の一方の端子が一対の電極21 の一方に接触し、他方の端子は電極21には接 せずに可溶導体13に接触しているものであ 。
また、この実施形態ではベース基板11の さが例えば10.8mmの場合、従来の一般的なベ ス基板の厚みが0.4mm~1.0mmであり、その厚みを 100%とすると、L(長さ):T(厚み)=1080%:50~78%W(幅):T( 厚み)=640%:50~78%の範囲に設定されたベース基 11を用いるものである。
この実施形態の保護素子10によれば、上 実施形態と同様の効果に加えて、基板強度 保ちつつベース基板11の熱容量を小さくし、 発熱体15からの熱が外部へ逃げて可溶導体13 溶断時間が長くなったり、バラツキが生じ りするのを抑えることができる。具体的に 、溶断時間を従来のものよりも30%短縮化し 保護素子10の低背化を行うことが出来る。
なお、この発明の保護素子とその製造方 は、上記実施形態に限定されるものではな 、絶縁カバー部材の内面の所定位置に、フ ックスを保持可能な段部を備えたものであ ば良く、その保持形状は問わない。また、 ラックスや絶縁カバー部材の材料は問わな ものであり、適宜適切な材料を選択しうる のである。
次にこの発明の保護素子及びそれを用い 二次電池装置の動作回路の実施例について 以下に説明する。この実施例では、実際の 次電池装置に用いられる電源回路と同様の 路を構成して実験を行った。図28に示す従 の構造の保護素子と、上記第一実施形態の 縁カバー部材に円筒状の突条部を備えた保 素子について、その動作の比較実験を行っ 。
突条部の突出高さは、式1の条件を満たすも
のである。
B-A≧C ・・・・(1)
ここで、Aは絶縁カバー部材14の内側天面か
突条部20の突出量、Bはベース基板11から絶
カバー部材14の内側天面間の間隔、Cはベー
基板11から可溶導体13の溶融後の高さである
突条部20の直径は、フラックス19が塗布さ れた低融点金属体の可溶導体13の短辺の長さ 100%として、外径が60~70%、内径が45~55%とした 。フラックス19は、ハロゲン含有のものを用 た。
表1は、従来のカバー板構造における、可 溶導体の溶断時間について、各MAX・MIN・AVE・ 3σを100%として、本発明の第1実施形態の構造( 本発明1)の溶断時間の割合を相対評価した結 である。実験は、低電力動作の5W、6Wの電力 と、高電力の35Wでの実験を行い、各50個の素 を用いた。
この実験結果において、MAX動作時間が低 力の場合平均24.5%短縮され、バラツキ(3σ)が 平均66%小さくなり、実用的な動作電力範囲を 広げる上で効果があることが分かった。また 、高電力においても、ばらつきが小さくなる 効果が認められた。
同様に、従来のカバー板構造における、 溶導体の溶断時間について、各MAX・MIN・AVE 3σを100%として、本発明の第2実施形態の構 (本発明2)の溶断時間の割合を相対比較した 果を表2に示す。突条部の高さは実施例1と同 様である。実験は、低電力動作の6Wの電力と 高電力の35Wでの実験を行い、各50個の素子 用いた。フラックスは、ハロゲン含有のも を用いた。
この実験結果においても、MAX動作時間が 電力で14%短縮され、バラツキ(3σ)が45%小さ なった。
同様に、従来のカバー板構造における、 溶導体の溶断時間について、各MAX・MIN・AVE 3σを100%として、本発明の第1実施形態の構 (本発明1)と上記実施形態の図9に示す構造の 条部を有する保護素子について、溶断時間 割合を相対比較した結果を表3に示す。実験 は、低電力動作の6Wの電力で実験を行い、各2 0個の素子を用いた。フラックスは、ハロゲ を含有しないものを用いた。
この実験では、溶断時間のばらつき(3σ) ついて、従来構造と比較して、突条部を設 たものの方が少なくなっている。また、突 部の形状については、第1実施形態の円筒形 構造(本発明1)が、第4実施形態の鼓型の形状 のもの(図9)と比較して、溶断時間について、 MAX・MIN・AVE・3σの各項目で良い結果を示した 。従って、ハロゲンフリーのフラックスにお いて、従来の構造と比較して、絶縁カバー部 材に突条部を形成したものが動作のばらつき が少なく、特に円筒形の突条部を備えたもの が、動作時間ついて大きな短縮効果があった 。
次に、この発明の実施例のベース基板の みと可溶性導体13の溶断性能について実験 た。ここでは、可溶性導体であるハンダヒ ーズの溶断時間について、各MAX・MIN・AVEに いて、従来の一般的なベース基板の厚みを10 0%として、本発明の第11実施形態の構造(本発 )の構造で、基板の厚みを従来の56%とした場 合の、溶断時間の割合を測定した結果を表4 示す。
この実験により、基板厚を従来の56%とす ことにより、溶断時間を従来よりも30%以上 縮化し、保護素子の低背化を両立させた保 素子を提供することができる。
さらに、ベース基板の厚みを種々変えた 合の、基板強度と可溶性導体13の溶断性能 ついて実験した。ここでも、従来の一般的 ベース基板の厚みを100%として、本発明の第1 1実施形態の構造(本発明)の保護素子について 、溶断時間の割合を測定した結果を表5に示 。
この実験により、基板厚を従来のほぼ50%~ 76%とすることにより、強度と溶断時間の両方 をほぼ満足するものであり、特に基板厚を従 来のほぼ50%~56%ことが好ましいことが分かっ 。
10 保護素子
11 ベース基板
12,21 電極
13 可溶導体
14 絶縁カバー部材
14a 内面
15 発熱体
16 絶縁層
18 空間
19 フラックス
20 突条部
20a 段部
23 二次電池
35 過電流・過電圧保護回路
