一般式中の各基の定義において、アルキ� ��としては、例えば、直鎖または分枝状の炭� ��数1-18のものがあげられ、その具体例として は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ ル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブ チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オク チル、ノニル、デシル、ドデシル、オクタデ シル等があげられ、中でも、炭素数1-6のアル キルが好ましく、さらには炭素数1-3のアルキ ルがより好ましい。

 低級アルキルとしては、例えば、直鎖また� ��分枝状の炭素数1-8のアルキルがあげられ、� ��体的には、メチル、エチル、プロピル、イ� ��プロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル 、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ� ��、オクチル等があげられる。
 アリールとしては、例えば、炭素数6-14のも のがあげられ、その具体例としては、フェニ ル、ナフチル等があげられる。

 アラルキルとしては、例えば、炭素数7-15の ものがあげられ、その具体例としては、ベン ジル、フェネチル、ナフチルメチル、ナフチ ルエチル等があげられる。
 R ¹ とR ² が隣接する炭素原子と一緒になって形成する 脂環式炭化水素環としては、例えば、炭素数 3-8のものがあげられ、飽和または不飽和のも のであってもよく、その具体例としては、シ クロプロパン環、シクロブタン環、シクロペ ンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタ ン環、シクロオクタン環、シクロペンテン環 、1,3-シクロペンタジエン環、シクロヘキセ� �環、シクロヘキサジエン環等があげられる� �

 アルコキシとしては、例えば、炭素数1-18の ものがあげられ、アルキル部分としては、前 記アルキルで例示したものと同様のものがあ げられる。
 ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭� ��、ヨウ素の各原子があげられ、中でも、塩� ��原子が好ましい。
 置換アルキルおよび置換アルコキシにおけ� ��置換基としては、例えば、アルコキシ、ア� ��カノイル、シアノ、ニトロ、ハロゲン原子� ��アルコキシカルボニル等があげられる。置� ��アリール、置換アラルキルおよびR ¹ とR ² が隣接する炭素原子と一緒になって形成する 置換脂環式炭化水素環における置換基として は、例えば、アルキル、アルコキシ、アルカ ノイル、シアノ、ニトロ、ハロゲン原子、ア ルコキシカルボニル等があげられる。置換基 の定義において、アルキル、アルコキシおよ びアルコキシカルボニルのアルキル部分とし ては、前記アルキルで例示したものと同様の ものがあげられる。ハロゲン原子としては、 前記ハロゲン原子で例示したものと同様のも のがあげられる。アルカノイルとしては、例 えば、直鎖または分枝状の炭素数2-7のものが あげられ、その具体例としては、アセチル、 プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バ レリル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサ ノイル、ヘプタノイル等があげられる。

 カルボキシ置換アルキルのアルキル部分と� ��ては、前記のアルキルと同様のものが挙げ� ��れ、カルボキシル基の置換数は、特に限定� ��れないが、1であるのが好ましい。
 また、カルボキシ置換アルキル(該アルキル はフッ素原子で置換されていてもよい)にお� �て、フッ素原子の置換数は、好ましくは1~16� ��より好ましくは1~3である。
 以下、一般式(I)で表されるアルケニルエー� ��ルを化合物(I)と表し、一般式(II)で表される ハロゲン化アルキルエーテルを化合物(II)と� �し、一般式(III)で表される基を有する化合物 を化合物(III)と表し、一般式(IV)で表される基 を有する化合物を化合物(IV)と表すこともあ� �。

 また、一般式(V)で表される繰り返し単位� ��含み、重量平均分子量が500~100,000である重� �体を化合物(V)と表し、一般式(VI)で表される� ��り返し単位を含み、重量平均分子量が500~100 ,000である重合体を化合物(VI)と表し、一般式( VII)で表される繰り返し単位を含み、重量平� �分子量が500~100,000である重合体を化合物(VII)� ��表し、一般式(VIII)で表される繰り返し単位� ��含み、重量平均分子量が500~100,000である重� �体を化合物(VIII)と表すこともある。

 前記[9]記載のポリヒドロキシスチレン誘導� ��においては、化合物(V)の一般式(V)中のヒド� ��キシル基全体の、好ましくは0.2~100%、より� �ましくは10~60%が一般式(III)で表される基で置 換されている。
 前記[10]記載のノボラック樹脂誘導体におい ては、化合物(VI)の一般式(VI)中のヒドロキシ� ��基全体の、好ましくは0.2~100%、より好まし� �は10~60%が一般式(III)で表される基で置換され ている。

 前記[11]記載のポリアクリル樹脂誘導体、ポ リメタクリル樹脂誘導体においては、化合物 (VII)のカルボキシル基全体の、好ましくは10~1 00%、より好ましくは20~100%が、一般式(IV)で表� ��れる基で置換されている。
 前記[12]記載のポリノルボルネン誘導体にお いては、化合物(VIII)のカルボキシル基全体の 0.2~100%、好ましくは10~60%が一般式(IV)で表され る基で置換されている。

 本明細書において、(メタ)アクリル酸は、� �クリル酸およびメタクリル酸を表し、他の(� ��タ)アクリル酸誘導体についても同様に表現 する。
 <化合物(I)>
 化合物(I)は、市販のものを購入するか、ま� ��は公知の方法[例えば、日本化学会編「実験 化学講座(第20巻)有機合成II アルコール・ア� ��ン」、第4版、207-208頁、丸善株式会社(平成4 年7月6日)等]により合成し、入手することが� �きる。

 化合物(I)の具体例としては、例えば、2-(2 -メチルプロペニルオキシ)-ノルボルナン、2-( 2-メチルブテニルオキシ)-ノルボルナン、2-(2- エチルブテニルオキシ)-ノルボルナン、2-(2-� �チルプロペニルオキシ)-ビシクロ[2.2.2]オク� �ン、2-(2-メチルブテニルオキシ)-ビシクロ[2.2 .2]オクタン、2-(2-エチルブテニルオキシ)-ビ� �クロ[2.2.2]オクタン、2-(2-メチルプロペニル� �キシ)-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2-(2-� ��チルブテニルオキシ)-7-オキサビシクロ[2.2.1 ]ヘプタン、2-(2-エチルブテニルオキシ)-7-オ� �サビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2-(2-メチルプロ� �ニルオキシ)-7-チアビシクロ[2.2.1]ヘプタン、 2-(2-メチルブテニルオキシ)-7-チアビシクロ[2. 2.1]ヘプタン、2-(2-エチルブテニルオキシ)-7-� �アビシクロ[2.2.1]ヘプタン等があげられるが� ��中でも2-(2-メチルプロペニルオキシ)-ノルボ ルナンが好ましく使用される。

 化合物(I)としては、1種、または2種以上の� �のが用いられる。
 <化合物(II)>
 化合物(II)は、例えば、化合物(I)とハロゲン 化水素とを反応させることにより製造するこ とができる。
 ハロゲン化水素としては、ガス状のもの、� ��に塩化水素ガスが好ましく用いられる。ハ� ��ゲン化水素の使用量は、化合物(I)1モルに対 して、1モル以上であるのが好ましい。

 反応温度は、0-20℃であるのが好ましい。
 化合物(II)の具体例としては、例えば、2-(1-� ��ロロ-2-メチルプロパニルオキシ)-ノルボル� �ン、2-(1-クロロ-2-メチルブタニルオキシ)-ノ� ��ボルナン、2-(1-クロロ-2-エチルブタニルオ� �シ)-ノルボルナン、2-(1-クロロ-2-メチルプロ� ��ニルオキシ)-ビシクロ[2.2.2]オクタン、2-(1-� �ロロ-2-メチルブタニルオキシ)-ビシクロ[2.2.2 ]オクタン、2-(1-クロロ-2-エチルブタニルオキ シ)-ビシクロ[2.2.2]オクタン、2-(1-クロロ-2-メ� ��ルプロパニルオキシ)-7-オキサビシクロ[2.2.1 ]ヘプタン、2-(1-クロロ-2-メチルブタニルオキ シ)-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2-(1-ク� �ロ-2-エチルブタニルオキシ)-7-オキサビシク� ��[2.2.1]ヘプタン、2-(1-クロロ-2-メチルプロパ� ��ルオキシ)-7-チアビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2- (1-クロロ-2-メチルブタニルオキシ)-7-チアビ� �クロ[2.2.1]ヘプタン、2-(1-クロロ-2-エチルブ� �ニルオキシ)-7-チアビシクロ[2.2.1]ヘプタン等 があげられるが、中でも2-(1-クロロ-2-メチル� ��ロパニルオキシ)-ノルボルナンが好ましい� �化合物(II)としては、1種または2種以上のも� �が用いられる。

 <ヒドロキシル基を有する化合物>
 ヒドロキシル基を有する化合物としては、� ��えば、アルコール、フェノール類等があげ� ��れる。
 アルコールとしては、例えば、メタノール� ��エタノール、プロパノール、イソプロピル� ��ルコール、n-ブタノール、イソブタノール� �sec-ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキ� ��ノール、ヘプタノール、オクタノール、ノ� ��ノール、デカノール、ベンジルアルコール� ��のモノアルコール、エチレングリコール、1 ,3-プロピレングリコール、1,2-プロピレング� �コール、1,4-ブタンジオール、1,3-ブタンジオ ール、1,5-ペンタンジオール、3-メチル-1,5-ペ� ��タンジオール、1,6-ヘキサンジオール、1,8-� �クタンジオール、2,4-ジエチル-1,5-ペンタン� �オール、2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオ� ��ル、2,2-ジエチル-1,3-プロパンジオール、ド� ��カンジオール、ネオペンチルグリコール、� ��リメチロールプロパン、ペンタエリスリト� ��ル、ジペンタエリスリトール、グリセリン� ��の多価アルコールがあげられる。

 フェノール類としては、フェノール、レ� ��ルシノール、ハイドロキノン、ピロカテコ� ��ル、ビスフェノールA、ジヒドロキシジフェ ニルメタン(ビスフェノールF)、ビスフェノー ルS、テトラブロモビスフェノールA、1,3-ビス (4-ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4� �-ジヒドロキシ-3,3’-ジメチルジフェニルメ� �ン、4,4’-ジヒドロキシベンゾフェノン、ト� ��ス(4-ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4-ヒ ドロキシフェニル)エーテル、ノボラックフ� �ノール、ノボラッククレゾール、ビス(3,5-ジ メチル-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビ� �(4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ヒドロキ� ��スチレン等の低分子フェノール化合物、ノ� ��ラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒ� ��ロキシスチレンをこれと共重合可能な他の� ��量体と共重合させた共重合体等のヒドロキ� ��ル基を含有する重合体等があげられる。ヒ� ��ロキシスチレンをこれと共重合可能な他の� ��量体の例としては、後述するものがあげら� ��る。

 ヒドロキシスチレンをこれと共重合可能な� ��の単量体と共重合させた共重合体における� ��ドロキシスチレンの割合は、特に限定され� ��いが、好ましくは、0.2-90モル%、より好まし くは0.2-60モル%である。
 ヒドロキシスチレンと共重合可能な他の単� ��体としては、例えば、カルボキシル基を含� ��する重合性不飽和単量体またはこれと共重� ��可能な他の単量体等があげられる。カルボ� ��シル基を含有する重合性不飽和単量体とし� ��は、例えば、(メタ)アクリル酸、2-ヒドロキ シメチル-2-プロペン酸、マレイン酸、イタコ ン酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の 不飽和カルボン酸またはその酸無水物があげ られる。

 カルボキシル基を含有する重合性不飽和� ��量体と共重合可能な他の単量体としては、� ��えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(� ��タ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレ� ��ト、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチ� �(メタ)アクリレート、tert-ブチル(メタ)アク� �レート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレー� ��、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリ� �(メタ)アクリレート等の炭素数1-18のアルコ� �ルと(メタ)アクリル酸を原料として得られる アルキル(メタ)アクリレート類、シクロヘキ� ��ル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アク リレート、イソボルニル(メタ)アクリレート� ��アダマンチル(メタ)アクリレート等の(メタ) アクリレート類、2-ヒドロキシエチル(メタ)� �クリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)ア� ��リレート、モノグリセロール(メタ)アクリ� �ート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレ ート類、エチレングリコールジ(メタ)アクリ� ��ート、ブタンジオールジ(メタ)アクリレー� �等のグリコールジ(メタ)アクリレート類、(� �タ)アクリルアミド、(メタ)アクリロニトリ� �、ジアセトン(メタ)アクリルアミド、ジメチ ルアミノエチル(メタ)アクリレート等の窒素� ��有単量体、トリフルオロエチル(メタ)アク� �レート、ペンタフルオロプロピル(メタ)アク リレート、パーフルオロシクロヘキシル(メ� �)アクリレート等のフッ素含有ビニル系単量� ��、アリルグリシジルエーテル、(メタ)アク� �ル酸グリシジル等のエポキシ基含有単量体� �スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチ レン、ジメチルスチレン、ジビニルベンゼン 等のスチレン系単量体、ビニルメチルエーテ ル、ビニルエチルエーテル、ビニルイソブチ ルエーテル等のビニルエーテル類、フマル酸 、マレイン酸、無水マレイン酸等の多塩基性 不飽和カルボン酸またはそれらの一価もしく は多価アルコールのエステル、5-ノルボルネ� ��やメチル-5-ノルボルネン等の置換もしくは� ��置のノルボルネン、テトラシクロドデカン� ��のシクロオレフィンモノマー、アリルアル� ��ール、アリルアルコールエステル、塩化ビ� ��ル、塩化ビニリデン、トリメチロールプロ� ��ントリ(メタ)アクリレート、酢酸ビニル、� �ロピオン酸ビニル等があげられる。これら� �単量体は、それぞれ単独で用いてもよくま� �は2種以上組み合わせて使用することもでき� ��。これらの単量体は、それぞれ単独で用い� ��もよくまたは2種以上組み合わせて使用する こともできる。

 ポリヒドロキシスチレンとしては、化合物( V)が好ましい。
 ノボラック樹脂は、その多くは市販品とし� ��入手可能であるが、例えば、m-クレゾール� �p-クレゾール、2,3-キシレノール、2,4-キシレ� ��ール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール� �3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,4-ト リメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノ ール、3,4,5-トリメチルフェノール等のフェノ ール類と、例えば、ホルムアルデヒド、ベン ズアルデヒド、フルフラル、アセトアルデヒ ド等のアルデヒド類とを酸性触媒(例えば、� �酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、p-トル エンスルホン酸等の有機酸等)の存在下、重� �合して製造してもよい。前記のフェノール� �およびアルデヒド類はそれぞれ単独でまた� �2種以上組み合わせて用いることができる。

 ノボラック樹脂としては、化合物(VI)が好ま しい。
 また、ヒドロキシル基を含有する重合体と� ��ては、市販の樹脂を用いることもできる。
 ヒドロキシル基を含有する重合体の重量平� ��分子量は、500-100,000であるのが好ましく、50 0~50,000であるのがより好ましく、さらには500~ 20,000であるのがより好ましい。

 ヒドロキシル基を含有する重合体は、精製� ��て固体として用いることもできる。また、� ��造の際に溶媒を使用した場合には、溶液と� ��て用いることもできる。
 <カルボキシル基を有する化合物>
 カルボキシル基を有する化合物としては、� ��えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、プロピ� ��ール酸、酪酸、イソ酪酸、ヘキサン酸、ヘ� ��タン酸、オクチル酸、ノナン酸、イソノナ� ��酸、デカン酸、ドデカン酸、ステアリン酸� ��安息香酸、桂皮酸、2-ナフトエ酸、ニコチ� �酸、イソニコチン酸、アミニ油脂肪酸、ト� �ル油脂肪酸、大豆油脂肪酸、脱水ヒマシ油� �肪酸等のモノカルボン酸、コハク酸、グル� �ル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシ� �酸、ドデカンジ酸、デカメチレンジカルボ� �シル基を有する化合物、フタル酸、マレイ� �酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、テ� �ラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸� �メチルヘキサヒドロフタル酸等の多価カル� �ン酸、乳酸、クエン酸、ヒドロキシピバリ� �酸、12-ヒドロキシステアリン酸、リンゴ酸� �のヒドロキシカルボン酸、アクリル酸、メ� �クリル酸、イタコン酸、メサコン酸、マレ� �ン酸、フマル酸等のカルボキシル基含有α,β -不飽和単量体、ポリ(メタ)アクリル樹脂等の カルボキシル基を含有する重合性不飽和単量 体の単独重合体またはカルボキシル基を含有 する重合性不飽和単量体とこれと共重合可能 な他の単量体との共重合体、カルボキシル基 含有ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ウ レタン樹脂、ポリアミック酸樹脂、エポキシ 樹脂、カルボキシル基変性エポキシ樹脂等の カルボキシル基を含有する重合体等があげら れ、中でも、カルボキシル基を含有する重合 性不飽和単量体の単独重合体またはカルボキ シル基を含有する重合性不飽和単量体とこれ と共重合可能な他の単量体との共重合体が好 ましい。

 また、5-ノルボルネン-2-カルボン酸等の� �ルボキシル基含有ノルボルネンと前記重合� �不飽和単量体との共重合体、5-ノルボルネン -2,3-ジカルボン酸無水物、メチル-5-ノルボル� ��ン-2,3-ジカルボン酸無水物、t-ブチルノルボ ルネンカルボキシレート等の酸無水物または エステル構造を有するノルボルネンを前記重 合性不飽和単量体とを共重合させた後に加水 分解等によりカルボキシル基を生成させたカ ルボキシル基含有ポリノルボルネン共重合体 等が好ましい。

 カルボキシル基を含有する重合性不飽和単� ��体およびこれと共重合可能な他の単量体と� ��ては、例えば、前述のものがあげられる。� ��れらの単量体は、それぞれ単独で用いても� ��くまたは2種以上組み合わせて使用すること もできる。
 カルボキシル基を含有する重合性不飽和単� ��体の重合およびカルボキシル基を含有する� ��合性不飽和単量体とこれと共重合可能な他� ��単量体との共重合は、公知の方法により行� ��ことができる。

 また、カルボキシル基を含有する重合体と� ��ては、市販の樹脂を用いることもできる。
 カルボキシル基を含有する重合体における� ��ルボキシル基の割合は、特に限定されない� ��、好ましくは、酸価として20-200、より好ま� ��くは40-160である。ここで、酸価とは、重合� ��1gに含まれるカルボキシル基を中和するの� �必要な水酸化カリウムのmg数である。

 カルボキシル基を含有する重合体の重量平� ��分子量は、好ましくは、500-100,000であり、� �り好ましくは3,000-50,000であり、さらに好ま� �くは3,000-30,000である。
 カルボキシル基を有する化合物としては、� ��合物(VII)および(VIII)が好ましい。

 カルボキシル基を含有する重合体は、精製� ��て固体として用いることもできる。また、� ��造の際に溶媒を使用した場合には、溶液と� ��て用いることもできる。
 <化合物(I)または化合物(II)を含むヒドロ� �シル基またはカルボキシル基の保護剤>
 化合物(I)または化合物(II)は、ヒドロキシル 基を有する化合物のヒドロキシル基またはカ ルボキシル基を有する化合物のカルボキシル 基と容易に反応し、化合物(III)または化合物( IV)となる。また、化合物(I)または化合物(II)� �由来する部分構造は、化合物(III)または化合 物(IV)から容易に脱離し、化合物(III)からヒド ロキシル基が、または化合物(IV)からカルボ� �シル基が再生する。したがって、化合物(I)� �たは化合物(II)はヒドロキシル基またはカル� ��キシル基の保護剤として有用である。

 <化合物(I)を用いるヒドロキシル基または カルボキシル基の保護方法>
 化合物(I)を用いるヒドロキシル基またはカ� ��ボキシル基の保護方法は、それぞれ化合物( III)または化合物(VI)の製造法でもある。
 化合物(I)を、ヒドロキシル基を有する化合� ��またはカルボキシル基を有する化合物と反� ��させることにより、ヒドロキシル基または� ��ルボキシル基を保護することができる。

 ヒドロキシル基を有する化合物またはカ� ��ボキシル基を有する化合物に対する化合物( I)の当量比(モル比)は、特に限定されないが� �ヒドロキシル基を有する化合物またはカル� �キシル基を有する化合物における置換の対� �となるヒドロキシル基またはカルボキシル� �1モルに対して、0.9-2モルであるのが好まし� �、さらには0.9-1.5モルであるのが好ましく、� ��らには1-1.2モルであるのがより好ましい。

 反応温度は、0-150℃であるのが好ましく、� �らには0-100℃であるのが好ましく、さらには 0-50℃であるのがより好ましい。
 化合物(I)を用いる場合、反応を促進する目� ��で酸触媒を使用するのが好ましい。酸触媒� ��しては、特に限定はされず、例えば、塩酸� ��硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、p-トルエ� �スルホン酸等の有機酸等があげられ、中で� �、p-トルエンスルホン酸が好ましい。酸触媒 としては、1種、または2種以上のものが用い� ��れる。酸触媒の添加量は、特に限定されな� ��が、原料となるヒドロキシル基を有する化� ��物に対して、0.0001-0.5当量(モル比)であるの� ��好ましく、0.001-0.1当量(モル比)であるのが� �り好ましい。本発明の製造法においては、� �のような酸触媒を使用しても、副反応が少� �く、高収率で目的物を製造することができ� �。また、必要に応じて、有機溶媒を使用し� �もよい。該有機溶媒としては、例えば、ヘ� �サン、トルエン、キシレン等の炭化水素系� �媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の� �ーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケ� �ン、メチルイソブチルケトン等のケトン系� �媒等があげられ、1種または2種以上のものが 用いられる。

 反応終了後、必要に応じて水洗、蒸留等の� ��知の手法により精製し、化合物(III)または� �合物(IV)を得ることもできる。
<化合物(II)を用いるヒドロキシル基または� ��ルボキシル基の保護方法>
 化合物(II)を用いるヒドロキシル基またはカ ルボキシル基の保護方法は、それぞれ化合物 (III)または化合物(VI)の製造法でもある。

 化合物(II)を、ヒドロキシル基を有する化合 物またはカルボキシル基を有する化合物と反 応させることにより、ヒドロキシル基または カルボキシル基を保護することができる。
 化合物(II)を用いる場合、ヒドロキシル基を 有する化合物またはカルボキシル基を有する 化合物に対する化合物(II)の当量比(モル比)は 、特に限定されないが、ヒドロキシル基を有 する化合物またはカルボキシル基を有する化 合物における置換の対象となるヒドロキシル 基またはカルボキシル基1モルに対して、1-10� ��ルであるのが好ましく、さらには1-5モルで� ��るのが好ましく、2-4モルであるのがより好� ��しい。

 反応温度は、0-100℃であるのが好ましく、� �らには0-50℃であるのが好ましく、0-20℃であ るのがより好ましい。
 化合物(II)を用いる場合、反応系に塩基を添 加するのが好ましい。該塩基としては、特に 限定はされないが、例えば、水酸化ナトリウ ム、水酸化カリウム等の無機塩基、エチルア ミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等 の有機塩基等があげられ、中でも、トリエチ ルアミンが好ましい。塩基の添加量は、特に 限定されないが、化合物(II)1モルに対して、1 -10モルであるのが好ましく、1-3モルであるの がより好ましい。また、必要に応じて、有機 溶媒を使用してもよい。該有機溶媒としては 、例えば、ヘキサン、トルエン、キシレン等 の炭化水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒド ロフラン等のエーテル系溶媒、アセトン、メ チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン 等のケトン系溶媒、N,N-ジメチルアセトアミ� �、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスル� ��キシド等の非プロトン性極性溶媒等があげ� ��れ、1種または2種以上のものが用いられる� �

 反応終了後、必要に応じて水洗、蒸留等の� ��知の手法により精製し、化合物(III)または� �合物(IV)を得ることもできる。
 化合物(III)または化合物(IV)が、重合性不飽� ��結合を有する化合物である場合、必要に応� ��て、公知の方法により、単独、または、他� ��重合性不飽和単量体と重合させてもよい。

 また、化合物(III)または化合物(IV)は、耐加� ��分解性に優れ、高い転移点を有する。
<脱離方法>
 保護基の脱離方法としては、化合物(III)ま� �は化合物(IV)を熱または酸で処理する方法が� ��げられる。

 熱で処理する場合、160-250℃で行われるのが 好ましい。
 酸で処理する場合、使用される酸としては� ��硫酸、塩酸、p-トルエンスルホン酸等があ� �られ、中でも、p-トルエンスルホン酸が好ま しい。酸の使用量は、脱離させる化合物(I)ま たは化合物(II)に由来する構造1モルに対して� ��0.01-50モルであるのが好ましい。酸で処理す る際の温度は、80-160℃であるのが好ましい。 酸で処理する際には、水を加えてもよい。水 の使用量は、化合物(III)または化合物(IV)に対 して、0.1-100重量%であるのが好ましい。また� ��水を加えた場合、酸で処理する際の温度は� ��20-80℃であるのが好ましい。

 化合物(I)または化合物(II)に由来する構造を 脱離させる場合、有機溶媒を使用してもよい 。該有機溶媒としては前記と同様のものがあ げられ、その使用量は、化合物(III)または化� ��物(IV)に対して10-100重量%であるのが好まし� �、20-95重量%であるのがより好ましい。
 また、化合物(III)または化合物(IV)と光酸発� ��剤を共存させ、光酸発生剤に放射線等を照� ��し、酸を発生させて、脱保護をして、ヒド� ��キシル基またはカルボキシル基を再生する� ��ともできる。

 以上のように、化合物(I)または化合物(II)は 、ヒドロキシル基を有する化合物のヒドロキ シル基またはカルボキシル基を有する化合物 のカルボキシル基の保護および脱保護に利用 できる。したがって、化合物(III)または化合� ��(IV)は、化学増幅型レジスト組成物等の構成 成分として使用することができる。
<化学増幅型レジスト組成物>
 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、重� ��平均分子量500~100,000である化合物(III)または 化合物(IV)(以下、ベースポリマーと表現する� ��ともある)と、光酸発生剤を含有し、好まし くは、重量平均分子量500~100,000である化合物( V)のヒドロキシル基が一般式(III)で表される� �で置換されたポリヒドロキシスチレン誘導� �、重量平均分子量500~100,000である化合物(VI)� �ヒドロキシル基が一般式(III)で表される基で 置換されたノボラック樹脂誘導体、重量平均 分子量500~100,000である化合物(VII)のカルボキ� �ル基が一般式(IV)で置換されたポリ(メタ)ア� �リル樹脂または重量平均分子量500~100,000であ る化合物(VIII)のカルボキシル基が一般式(IV)� �表される基で置換されたポリノルボルネン� �導体と、光酸発生剤を含有する。

 ベースポリマーのヒドロキシル基またはカ� ��ボキシル基の全てを一般式(III)で表される� �または一般式(IV)で表される基で置換されて� ��なくてもよい。
 ベースポリマーの重量平均分子量は、好ま� ��くは500~100,000であり、より好ましくは500~50,0 00であり、さらに好ましくは500~30,000である。
<光酸発生剤>
 光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨ� ��ドニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-� �ルホニルオキシイミノまたはイミド型光酸� �生剤、ベンゾインスルホネート型光酸発生� �、ピロガロールトリスルホネート型光酸発� �剤、ニトロベンジルスルホネート型光酸発� �剤、スルホン型光酸発生剤、グリオキシム� �導体型の光酸発生剤等があげられ、中でも� �スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホ� �ルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミノ またはイミド型酸発生剤等が好ましい。

 スルホニウム塩は、スルホニウムカチオ� ��とスルホネートの塩である。スルホニウム� ��チオンとしては、例えば、トリフェニルス� ��ホニウム、(4-tert-ブトキシフェニル)ジフェ� ��ルスルホニウム、ビス(4-tert-ブトキシフェ� �ル)フェニルスルホニウム、トリス(4-tert-ブ� �キシフェニル)スルホニウム、(3-tert-ブトキ� �フェニル)ジフェニルスルホニウム、ビス(3-t ert-ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム� ��トリス(3-tert-ブトキシフェニル)スルホニウ� ��、(3,4-ジtert-ブトキシフェニル)ジフェニル� �ルホニウム、ビス(3,4-ジtert-ブトキシフェニ� ��)フェニルスルホニウム、トリス(3,4-ジtert-� �トキシフェニル)スルホニウム、ジフェニル( 4-チオフェノキシフェニル)スルホニウム、(4- tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニ� ��)ジフェニルスルホニウム、トリス(4-tert-ブ� ��キシカルボニルメチルオキシフェニル)スル ホニウム、(4-tert-ブトキシフェニル)ビス(4-ジ メチルアミノフェニル)スルホニウム、トリ� �(4-ジメチルアミノフェニル)スルホニウム、2 -ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチ� �-2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェ ニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェ� ��ルジメチルスルホニウム、トリメチルスル� ��ニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘ� �シルメチルスルホニウム、トリナフチルス� �ホニウム、トリベンジルスルホニウム等が� �げられる。スルホネートとしては、例えば� �トリフルオロメタンスルホネート、ノナフ� �オロブタンスルホネート、ヘプタデカフル� �ロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオ� �エタンスルホネート、ペンタフルオロベン� �ンスルホネート、4-トリフルオロメチルベン ゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスル� ��ネート、トルエンスルホネート、ベンゼン� ��ルホネート、4-(4-トルエンスルホニルオキ� �)ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホ� ��ート、カンファースルホネート、オクタン� ��ルホネート、ドデシルベンゼンスルホネー� ��、ブタンスルホネート、メタンスルホネー� ��等があげられる。

 ヨードニウム塩は、ヨードニウムカチオ� ��とスルホネートの塩である。ヨードニウム� ��チオンとしては、例えば、ジフェニルヨー� ��ニウム、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨード� ��ウム、(4-tert-ブトキシフェニル)フェニルヨ� ��ドニウム、(4-メトキシフェニル)フェニルヨ ードニウム等のアリールヨードニウムカチオ ン等があげられる。スルホネートとしては、 例えば、トリフルオロメタンスルホネート、 ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデ カフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリ フルオロエタンスルホネート、ペンタフルオ ロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメ� ��ルベンゼンスルホネート、4-フルオロベン� �ンスルホネート、トルエンスルホネート、� �ンゼンスルホネート、4-(4-トルエンスルホニ ルオキシ)ベンゼンスルホネート、ナフタレ� �スルホネート、カンファースルホネート、� �クタンスルホネート、ドデシルベンゼンス� �ホネート、ブタンスルホネート、メタンス� �ホネート等があげられる。

 スルホニルジアゾメタンとしては、例え� ��、ビス(エチルスルホニル)ジアゾメタン、� �ス(1-メチルプロピルスルホニル)ジアゾメタ� ��、ビス(2-メチルプロピルスルホニル)ジアゾ メタン、ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニル) ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホ� �ル)ジアゾメタン、ビス(パーフルオロイソプ ロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェ� ��ルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4-メチル フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4- ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン� �ビス(2-ナフチルスルホニル)ジアゾメタン、( 4-メチルフェニル)スルホニルベンゾイルジア ゾメタン、(tert-ブチルカルボニル)-(4-メチル� ��ェニルスルホニル)ジアゾメタン、(2-ナフチ ルスルホニル)ベンゾイルジアゾメタン、(4-� �チルフェニルスルホニル)-(2-ナフトイル)ジ� �ゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジ� �ゾメタン、(tert-ブトキシカルボニル)-(4-メチ ルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等のビ� �スルホニルジアゾメタン、スルホニルカル� �ニルジアゾメタン等があげられる。

 N-スルホニルオキシイミノ型光酸発生剤� �しては、例えば、[5-(4-メチルフェニルスル� �ニルオキシイミノ)-5H-チオフェン-2-イリデン ]-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(5-プロ ピルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2 -イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリ� �、(5-カンファースルホニルオキシイミノ-5H-� ��オフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)ア� ��トニトリル、2-(9-カンファースルホニルオ� �シイミノ)-2-(4-メトキシフェニル)アセトニト リル、2-(4-メチルフェニルスルホニルオキシ� ��ミノ)-2-フェニルアセトニトリル、2-(4-メチ� ��フェニルスルホニルオキシイミノ)-2-(4-メト キシフェニル)アセトニトリル(PAI-101、みどり 化学株式会社製)、(5-オクタンスルフォニル� �キシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メ� �ルフェニル)アセトニトリル[CGI-1325(チバ・ス ペシャリティ・ケミカルズ株式会社製)]等が� ��げられる。

 N-スルホニルオキシイミド型光酸発生剤� �しては、例えば、コハク酸イミド、ナフタ� �ンジカルボン酸イミド、フタル酸イミド、� �クロヘキシルジカルボン酸イミド、5-ノルボ ルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、7-オキサビ� �クロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボン酸イミ� �等のイミド骨格とトリフルオロメタンスル� �ネート、ノナフルオロブタンスルホネート� �ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート� �2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペ� �タフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフ ルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フル� ��ロベンゼンスルホネート、トルエンスルホ� ��ート、ベンゼンスルホネート、ナフタレン� ��ルホネート、カンファースルホネート、オ� ��タンスルホネート、ドデシルベンゼンスル� ��ネート、ブタンスルホネート、メタンスル� ��ネート等の組み合わせからなる化合物等が� ��げられる。

 ベンゾインスルホネート型光酸発生剤とし� ��は、例えば、ベンゾイントシレート、ベン� ��インメシレート、ベンゾインブタンスルホ� ��ート等があげられる。
 ピロガロールトリスルホネート型光酸発生� ��としては、例えば、ピロガロール、フロロ� ��リシン、カテコール、レゾルシノール、ヒ� ��ロキノン等のヒドロキシル基の全てをトリ� ��ルオロメタンスルホネート、ノナフルオロ� ��タンスルホネート、ヘプタデカフルオロオ� ��タンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタ� ��スルホネート、ペンタフルオロベンゼンス� ��ホネート、4-トリフルオロメチルベンゼン� �ルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネー ト、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホ ネート、ナフタレンスルホネート、カンファ ースルホネート、オクタンスルホネート、ド デシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホ ネート、メタンスルホネート等で置換した化 合物等があげられる。

 ニトロベンジルスルホネート型光酸発生� ��としては、例えば、2,4-ジニトロベンジルス ルホネート、2-ニトロベンジルスルホネート� ��2,6-ジニトロベンジルスルホネート等があげ られ、スルホネートとしては、具体的には、 トリフルオロメタンスルホネート、ノナフル オロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオ ロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロ エタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼ ンスルホネート、4-トリフルオロメチルベン� ��ンスルホネート、4-フルオロベンゼンスル� �ネート、トルエンスルホネート、ベンゼン� �ルホネート、ナフタレンスルホネート、カ� �ファースルホネート、オクタンスルホネー� �、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタン� �ルホネート、メタンスルホネート等があげ� �れる。またベンジル側のニトロ基をトリフ� �オロメチル基で置き換えた化合物も同様に� �いることができる。

 スルホン型光酸発生剤としては、例えば� ��ビス(フェニルスルホニル)メタン、ビス(4-� �チルフェニルスルホニル)メタン、ビス(2-ナ� ��チルスルホニル)メタン、2,2-ビス(フェニル� ��ルホニル)プロパン、2,2-ビス(4-メチルフェ� �ルスルホニル)プロパン、2,2-ビス(2-ナフチル スルホニル)プロパン、2-メチル-2-(p-トルエン スルホニル)プロピオフェノン、2-(シクロヘ� �シルカルボニル)-2-(p-トルエンスルホニル)プ ロパン、2,4-ジメチル-2-(p-トルエンスルホニ� �)ペンタン-3-オン等があげられる。

 グリオキシム誘導体型の光酸発生剤とし� ��は、例えば、ビス-O-(p-トルエンスルホニル) -α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(p-トルエ� �スルホニル)-α-ジフェニルグリオキシム、ビ ス-O-(p-トルエンスルホニル)-α-ジシクロヘキ� ��ルグリオキシム、ビス-O-(p-トルエンスルホ� ��ル)-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス- O-(p-トルエンスルホニル)-2-メチル-3,4-ペンタ� ��ジオングリオキシム、ビス-O-(n-ブタンスル� ��ニル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(n-� �タンスルホニル)-α-ジフェニルグリオキシム 、ビス-O-(n-ブタンスルホニル)-α-ジシクロヘ� ��シルグリオキシム、ビス-O-(n-ブタンスルホ� ��ル)-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス- O-(n-ブタンスルホニル)-2-メチル-3,4-ペンタン� ��オングリオキシム、ビス-O-(メタンスルホニ ル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(トリフ ルオロメタンスルホニル)-α-ジメチルグリオ� ��シム、ビス-O-(1,1,1-トリフルオロエタンスル ホニル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(ter t-ブタンスルホニル)-α-ジメチルグリオキシ� �、ビス-o-(パーフルオロオクタンスルホニル) -α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(シクロヘ� ��シルスルホニル)-α-ジメチルグリオキシム� �ビス-O-(ベンゼンスルホニル)-α-ジメチルグ� �オキシム、ビス-o-(p-フルオロベンゼンスル� �ニル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(p-ter t-ブチルベンゼンスルホニル)-α-ジメチルグ� �オキシム、ビス-O-(キシレンスルホニル)-α-� �メチルグリオキシム、ビス-O-(カンファース� ��ホニル)-α-ジメチルグリオキシム等があげ� �れる。

 光酸発生剤は、単独でも、または2種以上混 合して用いてもよい。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物中の光� ��発生剤の量は、特に限定されないが、ベー� ��ポリマー100重量部に対して0.001-50重量部で� �るのが好ましく、0.01-30重量部であるのがよ� ��好ましく、さらには0.1-10重量部であるのが� ��り好ましい。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、さ� ��に光増感剤、例えば、アントラセン類、ア� ��トラキノン類、クマリン類、ピロメテン類� ��色素を必要に応じて含有していてもよい。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、必� ��に応じて、有機溶剤を含有していてもよい� ��
 有機溶剤としては、例えば、アセトン、メ� ��ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン� ��メチルアミルケトン、メチルイソアミルケ� ��ン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン� ��のケトン類、プロピレングリコールモノメ� ��ルエーテル、プロピレングリコールモノエ� ��ルエーテル、エチレングリコールモノメチ� ��エーテル、エチレングリコールモノエチル� ��ーテル、ジエチレングリコールモノメチル� ��ーテル、ジエチレングリコールモノエチル� ��ーテル、プロピレングリコールジメチルエ� ��テル、エチレングリコールジメチルエーテ� ��、ジエチレングリコールジメチルエーテル� ��3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシ ブタノール等のグリコールエーテル類、プロ ピレングリコールモノメチルエーテルアセテ ート、プロピレングリコールモノエチルエー テルアセテート、エチレングリコールモノメ チルエーテルアセテート、エチレンングリコ ールモノエチルエーテルアセテート等のグリ コールエーテルアセテート類、酢酸ブチル、 酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸tert-� ��チル、メトキシプロピオン酸メチル、エト� ��シプロピオン酸エチル、アセト酢酸メチル� ��アセト酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチ� ��、乳酸プロピル、ピルビン酸メチル、ピル� ��ン酸エチル、ピルビン酸プロピル、プロピ� ��ン酸tert-ブチル、β-メトキシイソ酪酸メチ� �等のエステル類、ヘキサン、トルエン、キ� �レン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラ� �ドロフラン等の環状エーテル類、γ-ブチロ� �クトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチ� �ピロリドン、ジメチルスルホキシド等があ� �られる。有機溶剤は、単独でまたは2種以上� ��合して用いてもよい。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物に有機� ��剤を含有させることにより、該化学増幅型� ��ジスト組成物の粘度を調整することができ� ��。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物中の有� ��溶剤の量は、特に限定されないが、ベース� ��リマー100重量部に対して好ましくは100-4000� �量部、より好ましくは200-3000重量部、さらに 好ましくは300-2000重量部である。

 また、本発明の化学増幅型レジスト組成物� ��、必要に応じて塩基性化合物を含有してい� ��もよい。
 塩基性化合物としては、例えば、第一級、� ��二級または第三級の脂肪族アミン類、芳香� ��アミン類、複素環アミン類、カルボキシル� ��を有する含窒素化合物、スルホニル基を有� ��る含窒素化合物、ヒドロキシル基を有する� ��窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有す� ��含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導� ��等があげられる。塩基性化合物は、単独で� ��または2種以上混合して用いてもよい。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物中の塩� ��性化合物の量は、特に限定されないが、ベ� ��スポリマー100重量部に対して、好ましくは0 .001-10重量部、より好ましくは0.01-5重量部で� �る。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物に塩基� ��化合物を含有させることにより、該化学増� ��型レジスト組成物中での酸の拡散速度が抑� ��され、露光余裕度やパターンプロファイル� ��が向上し、基板や環境がレジスト膜に及ぼ� ��影響を少なくすることができる。

 また、本発明の化学増幅型レジスト組成物� ��塩基性化合物を含有させることにより、該� ��学増幅型レジスト組成物の保存安定性を向� ��させることができる。
 さらに、本発明の化学増幅型レジスト組成� ��は、必要に応じて界面活性剤を含有してい� ��もよい。
 界面活性剤としては、例えば、ポリオキシ� ��チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオ� ��シエチレンポリオキシプロピレンブロック� ��ポリマー類、ソルビタン脂肪酸エステル類� ��ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エス� ��ルのノニオン系界面活性剤、フッ素系界面� ��性剤、オルガノシロキサンポリマー等があ� ��られる。界面活性剤は、単独でまたは2種以 上混合して用いてもよい。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物に界面� ��性剤を含有させることにより、該化学増幅� ��レジスト組成物の塗布性等を向上させるこ� ��ができる。
 加えて、本発明の化学増幅型レジスト組成� ��には、必要に応じてフェノール化合物等の� ��解調整剤、紫外線吸収剤、保存安定剤、消� ��剤等を含有してもよい。
<化学増幅型レジスト組成物の調製方法>
 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、ベ� ��スポリマー、光酸発生剤および必要に応じ� ��、光増感剤、有機溶剤、塩基性化合物、界� ��活性剤、溶解調整剤、紫外線吸収剤、保存� ��定剤、消泡剤等の添加剤を混合することに� ��り溶液として調製することができる。混合� ��順番、方法等は、特に限定されるものでは� ��い。

 また、本発明の化学増幅型レジスト組成� ��は、ドライフィルムであってもよい。ドラ� ��フィルムは、例えば、上記の溶液を金属や� ��リエチレンテレフタレート等の支持体の上� ��塗布し、乾燥後、支持体より剥がして作成� ��ることができる。また、支持体がポリエチ� ��ンテレフタレート等のフィルムである場合� ��は、そのままの状態で、本発明の化学増幅� ��レジスト組成物として、用いることもでき� ��。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物を支持� ��の上に塗布する方法としては、例えば、ス� ��ンコート、ロールコート、フローコート、� ��ィップコート、スプレーコート、ドクター� ��ート等の公知の方法があげられる。
 塗布された膜の厚さは、用途に応じて設定� ��ることができるが、好ましくは0.05-200μm、� �り好ましくは0.1-100μmである。

 支持体として用いられるフィルムとしては� ��例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ� ��プロピレン、ポリエチレン、ポリエステル� ��ポリビニルアルコール等があげられる。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物がドラ� ��フィルムである場合、必要に応じて、該化� ��増幅型レジスト組成物を傷やほこり、薬品� ��から保護する目的で、該化学増幅型レジス� ��組成物を保護フィルムで被覆してもよい。� ��護フィルムとしては、例えば、ポリエチレ� ��フィルム、ポリプロピレンフィルム等があ� ��られ、本発明の化学増幅型レジスト組成物� ��の接着力が、支持体より小さいものが好ま� ��い。

 また、保護フィルムと本発明の化学増幅型� ��ジスト組成物の間に剥離層を設けていても� ��い。
 ドライフィルムは、巻き取ってロール状に� ��てもよい。
 <パターン形成方法>
 本発明の化学増幅型レジスト組成物を基板� ��に塗布する工程、該基板を加熱する工程、� ��基板上の塗布膜に放射線等を露光する工程� ��露光後に該基板を加熱する工程、次いで、� ��ルカリ性現像液を用いて、該基板を現像す� ��工程により、本発明の化学増幅型レジスト� ��成物を用いてパターンを形成することがで� ��る。

 基板としては、特に限定されないが、例え� ��、アルミニウム版、銅箔ラミネート版、ガ� ��ス版、シリコンウェハー等があげられる。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物を基板� ��に塗布する方法としては、本発明の化学増� ��型レジスト組成物が溶液の場合、例えば、� ��ピンコート、ロールコート、フローコート� ��ディップコート、スプレーコート、ドクタ� ��コート等の公知の方法があげられる。塗布� ��れた膜の厚さは、用途に応じて設定するこ� ��ができるが、好ましくは0.05-200μm、より好� �しくは0.1-100μmである。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物がドラ� ��フィルムで、保護フィルムがある場合には� ��護フィルムを剥離した後、該化学増幅型レ� ��スト組成物層が基板に直接触れるように塗� ��する、例えば、ラミネートする方法等があ� ��られる。ラミネート時、温度を80-160℃とす� ��ことにより、次工程の加熱処理を省略する� ��とができる。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物を基板� ��塗布後、基板を加熱する(以下「PB」と呼ぶ) 。本発明の化学増幅型レジスト組成物が溶液 の場合、加熱の方法としては、例えば、ホッ トプレート、オーブン等による加熱等の公知 の方法があげられる。加熱することにより、 有機溶剤が蒸発する。加熱温度は、80-160℃で あるのが好ましい。

 本発明の化学増幅型レジスト組成物がドラ� ��フィルムの場合、ラミネート時に加熱を行� ��ば、本工程を省略することができる。
 加熱後、フォトマスク、縮小投影露光機、� ��接描画機等を用いて塗布膜に放射線等を照� ��する。放射線等としては、例えば、遠赤外� ��、可視光線、g線、h線、i線等の近紫外線、K rFエキシマーレーザー、ArFエキシマレーザー� ��DUV(遠紫外線)、EUV(極紫外線)、電子線、X線� �があげられる。放射線等が、照射された部� �では、光酸発生剤が分解して酸が発生する� �

 照射後、基板を加熱する(以下「PEB」と呼ぶ )。加熱の方法としては、塗布後の加熱で用� �るものがあげられる。加熱することにより� �化合物(III)または化合物(IV)より、化合物(I)� �たは化合物(II)由来の構造が脱離し、ヒドロ� ��シル基またはカルボキシル基が再生される� ��加熱温度は、80-160℃であるのが好ましい。
 加熱後、ドライフィルムを用いた場合は支� ��体を除去し、ドライフィルムを用いない場� ��はそのまま、アルカリ性現像液を用いて現� ��することにより、ポジ型レジストパターン� ��得られる。現像方法としては、例えば、浸� ��法、パドル法、スプレー法等の公知の方法� ��あげられる。アルカリ性現像液としては、� ��えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム� ��炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅� ��ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n -プロピルアミン、ジエチルアミン、ジn-プロ ピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエ チルアミン、ジメチルエタノールアミン、ト リエタノールアミン、テトラメチルアンモニ ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ ムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリ ジン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン� ��1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノナン等の塩基� �物質を溶解してなるアルカリ性水溶液等が� �げられる。塩基性物質は、単独でまたは2種� ��上混合して用いてもよい。また該現像液に� ��、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エ� ��ノール等のアルコール類や界面活性剤を適� ��添加して使用することもできる。

 現像後、必要に応じて基板を水洗または加� ��乾燥してもよい。
 基板上に形成されたパターンは、例えば、� ��パターンをマスクとした塩素系ガス、フッ� ��系ガス(CF ₄ /CH ₂ F ₂ 混合ガス等)、酸素系ガス等による基板のド� �イエッチング等の公知の工程に付すること� �できる。
 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、塗� ��膜の加熱工程の際の安定性や長期の貯蔵安� ��性に優れ、良好なリソグラフィー特性を有� ��、耐加水分解性、エッチングガスに対する� ��性、耐加水分解性に優れる。

 以下、合成例、試験例、実施例および比較� ��により、本発明をさらに具体的に説明する� ��
 実施例における化合物の構造決定は、 ¹ H-NMRスペクトル(400MHz、測定機器:日本電子  G SX-400、測定溶媒:重クロロホルム)により行っ� ��。
 重量平均分子量は、以下の条件のゲルパー� ��エーションクロマトグラフィー(GPC)により� �定した。
(GPC分析条件)
機器:HLC-8120GPC[東ソー(株)製]
カラム:TSK-GEL SUPER HZ4000[東ソー(株)製]TSK-GEL  SUPER HZ2000[東ソー(株)製]TSK-GEL SUPER HZ1000[東� �ー(株)製]
移動相:テトラヒドロフラン(流速0.5ml/分)
カラムオーブン:40℃
検出器:UV[UV-8020(東ソー(株)製)]
酸価は、0.1mol/L KOHアルコール水溶液で中和� �定することにより求めた。
膜厚は、光干渉式膜厚計(ナノスペック社製)� ��用いて測定した。
(合成例1)2-(2-メチルプロペニルオキシ)ビシク ロ[2.2.1]ヘプタンの合成
 トルエン100mlにビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オ� ��ル112.2g及びp-トルエンスルホン酸一水和物0. 05gを溶解させ、20℃以下に冷却しながらイソ� ��チルアルデヒド18.0gを滴下した。1%炭酸ナト リウム水溶液100gで洗浄し、分液により得ら� �た油層を減圧蒸留することにより、イソブ� �ルアルデヒドビス(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イ ル)アセタール56.0gを得た。これにp-トルエン� ��ルホン酸一水和物0.06gを溶解させ、200℃に� �熱した。留出してきた液体16.8gを集め、1%炭� ��ナトリウム水溶液10gで洗浄し、分液により� ��られた油層を減圧蒸留することにより、無� ��透明液体8.0gを得た。 ¹ H-NMRスペクトルより、該液体が2-(2-メチルプ� �ペニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタンである ことを確認した。
¹ H-NMR δ 5.79(1H,m),3.57-3.55(1H,m),2.33-0.99(17H,m)
(合成例2)2-(1-クロロ-2-メチルプロポキシ)ビシ クロ[2.2.1]ヘプタンの合成
  2-(2-メチルプロペニルオキシ)ビシクロ[2.2. 1]ヘプタン8.0gを5℃に冷却し、塩化水素ガス2. 5gを20分かけて液中に吹込むことにより、無� �透明液体9.7gを得た。 ¹ H-NMRスペクトルより、該液体が2-(1-クロロ-2-� �チルプロポキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタンであ ることを確認した。
¹ H-NMR δ 5.53-5.43(1H,m),3.83-3.81(1H,m),2.41-2.20(3H,m),2 .12-2.02(1H,m),1.70-0.99(13H,m) 
(合成例3)1-メトキシ-2-メチルプロペンの合成
  メタノール128.2gにp-トルエンスルホン酸一 水和物0.19gを溶解させ、20℃以下に冷却しな� �らイソブチルアルデヒド72.1gを滴下した。1%� ��酸ナトリウム水溶液200gで洗浄し、分液によ り得られた油層を常圧蒸留することにより、 イソブチルアルデヒドジメチルアセタール35g を得た。これにp-トルエンスルホン酸一水和� ��0.06gを溶解させ、200℃に加熱した。留出し� �きた液体12gを集め、1%炭酸ナトリウム水溶液 10gで洗浄し、分液により得られた油層を減圧 蒸留することにより、無色透明液体8gを得た� �� ¹ H-NMRスペクトルより、該液体が1-メトキシ-2-� �チルプロペンであることを確認した。
(合成例4)1-クロロ-1-メトキシ-2-メチルプロパ� ��の合成
  1-メトキシ-2-メチルプロペン8.0gを5℃に冷� ��し、塩化水素ガス3.7gを1時間かけて液中に� �き込むことにより、無色透明液体11.4gを得た 。 ¹ H-NMRスペクトルより、該液体が1-クロロ-1-メ� �キシ-2-メチルプロパンであることを確認し� �。