Schutzschaltung

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung eines Elektromotors mit einer

einphasigen Wicklung (3), bestehend aus zwei Teilspulen (5, 6) mit Mittenabgriff (7), wobei die beiden Wicklungsenden der Teilspulen (5, 6) über jeweils ein

Schaltelement (8, 9) mit Masse (10) verbunden sind.

Eine Kommutierung eines gattungsgemäßen Elektromotors mit einphasiger Wicklung wird so realisiert, dass die beiden Schaltelemente abwechselnd geschaltet werden, synchron zur elektrischen Drehzahl des Motors. Durch das abwechselnde Schalten wird ein Drehfeld im Stator des Elektromotors erzeugt, welches einen

Permanentmagnetrotor mitschleppt. Eine derartige Schaltung wird auch als M- Schaltung bezeichnet. Beim Umschalten der Motorwicklungen muss die in der jeweiligen Teilspule gespeicherte elektrische Energie abgebaut werden. Da bei der genannten Verschaltung keine Freilaufdioden einsetzbar sind, steigt die Spannung am Schaltelement bis auf dessen Durchbruchspannung (Avalanche-Durchbruch) an und der Strom fließt über dieses Schaltelement zur Masse weiter. Dies hat einen steilen Anstieg des Stroms zur Folge. Die Verlustleistung errechnet sich dabei aus der Zeit, in welcher der Puls anliegt, aus der Durchbruchspannung und dem Strom der dabei fließt. Da Avalanche-Durchbrüche sehr energiereich sind werden Bauteile dabei sehr stark thermisch belastet. Die Toleranzen für die thermische Belastbarkeit von Schaltelementen sind aus wirtschaftlichen Gründen sehr begrenzt. Wird eine höhere Motorleistung angestrebt muss mit der thermischen Zerstörung der Bauteile gerechnet werden.

Aufgabe der Erfindung ist es daher bei einem gattungsgemäßen Elektromotor für eine thermische Entlastung der Schaltelemente, für eine verbesserte Laufruhe, eine verringerte Erwärmung der Leiterplatte, ein verbessertes EMV-Verhalten, ein robusteres Design der Gesamtschaltung, eine gezielte Leitung der Verluste und für einen zusätzlichen Schutz vor sonstigen Überspannungspulsen aus einem

Versorgungsnetz zu sorgen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale der Ansprüche 1 , 11 und 14 gelöst. Da Schaltelemente, z. B. Feldeffekttransistoren oder auch bipolare Transistoren keine hohen Spannungspulse vertragen, wobei der Energieeintrag pro Zeiteinheit eine entscheidende Rolle spielt, wird vorgeschlagen, dass ein

Abschaltstrom einer Teilspule (5, 6) über ein elektrisches Leistungsbauteil abgeleitet wird, welches parallel zum Schaltelement (8, 9) geschaltet ist. Dabei wird die in der Teilspule (5 bzw. 6) gespeicherte Energie über den Widerstand des

Leistungsbauteils in Wärmeenergie umgewandelt. Das Schaltelement (8, 9) wird dadurch deutlich geringer thermisch belastet. Auf diese Weise schützt das

Leistungsbauteil das Schaltelement (8, 9) vor einer möglichen thermischen

Beschädigung oder Zerstörung.

Weiterbildungen der Erfindung werden in den Unteransprüchen dargestellt. Ein wesentliches Merkmal der Erfindung besteht generell darin, dass der Abschaltstrom einer Teilspule (5, 6) gesteuert werden kann. Hierdurch sind Anpassungen an unterschiedliche Umgebungsbedingungen oder spezielle Anforderungen möglich.

Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass das elektrische Leistungsbauteil eine Leistungs-Z-Diode (11 , 12) ist, wobei jeder

Teilspule (5, 6) eine Leistungs-Z-Diode (11 bzw. 12) zugeordnet ist. Diese Lösung erfüllt zumindest die Forderung nach dem thermischen Schutz des Schaltelements (8, 9).

Um zusätzlich die Eigenschaften der Schutzschaltung einfacher einstellen und optimieren zu können, wird gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung vorgeschlagen einen bipolaren Leistungstransistor (13, 14) als elektrisches

Leistungsbauteil einzusetzen, wobei jeder Teilspule (5, 6) ein bipolarer

Leistungstransistor (13 bzw. 14) zugeordnet ist. Um eine feinfühligere Steuerung des abzuleitenden Stroms zu erreichen wird der Leistungstransistor (13) von einem bipolaren Steuertransistor (14) durchgeschaltet, dessen Emitter an der Basis des Leistungstransistors (13) angeschlossen ist.

In Weiterbildung der zweiten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Basis des Steuertransistors (14) mit einer in Sperrrichtung betriebenen Steuer-Z-Diode (15) verbunden ist. Hierdurch wird erreicht, dass zunächst die Durchbruchspannung der Steuer-Z-Diode (15) erreicht sein muss, damit ein Basisstrom im Steuertransistor (14) fließt, welcher dann schaltet und den Leistungstransistor (13) steuert.

Eine Zusätzliche Beschaltung des Steuertransistors (14) kann das EMV-Verhalten positiv beeinflussen.

Damit die Basis-Emitter-Spannung an den Transistoren nicht zu groß wird und somit ein schnelles Schalten gewährleistet werden kann, ist die Basis des Steuertransistors (14) über Schottky-Dioden einerseits mit dem Spulenende einer Teilspule und andererseits mit der Basis des Leistungstransistors (13) verbunden.

Weiter ist vorgesehen, dass zwischen einem Wicklungsende einer Teilspule und der Masse ein RC-Dämpfungsglied (Snubber-Netzwerk), bestehend aus einem Snubber- Widerstand (17) und einem Snubber-Kondensator (18), geschaltet ist. Hierdurch können Schaltflanken sauber geschaltet, Verluste in den Transistoren reduziert und das EMV-Verhalten kann verbessert werden. Das Snubber-Netzwerk kann je nach Anforderung auch weitere Bauteile enthalten.

Zweckmäßigerweise ist vorgesehen, dass das Schaltelement (8, 9) und der bipolare Leistungstransistor (13) thermisch entkoppelt sind. Dies kann durch einen möglichst großen Abstand dieser Bauteile untereinander auf derselben Leiterplatte oder durch Anordnung auf unterschiedlichen Leiterplatten oder Tragelementen und/oder durch Ableitung der Verlustwärme über Wärmeleitelemente, Kühlkörper oder ähnliche Maßnahmen erreicht werden.

Schließlich wird die Erfindung durch eine Kreiselpumpe mit einer Schutzschaltung nach zumindest einem der vorangehenden Merkmale gelöst. Die beschriebene Schutzschaltung kann z. B. in einem bürstenlosen

Gleichstrommotor mit einer Statorwicklung und einem Permanentmagnetrotor eingesetzt werden. Der Stator weist hierbei Klauenpole auf, welche mit einer

Zylinderspule mit Mittenabgriff bewickelt sind.

Es ist bekannt derartige bürstenlose Gleichstrommotoren für Kfz- Kühlwasserpumpen, insbesondere Zusatz-Kühlwasserpumpen einzusetzen. Hierfür eignet sich auch die erfindungsgemäße Schutzschaltung mit allen in den Ansprüchen beschriebenen Varianten.

Auch bei elektrischen Ölnebelabscheidern im Kraftfahrzeug sind Elektromotoren mit einer Schutzschaltung einsetzbar. Der Elektromotor weist auch dabei eine

einphasige Wicklung (3), bestehend aus zwei Teilspulen (5, 6) mit Mittenabgriff (7) auf, wobei die beiden Wicklungsenden der Teilspulen (5, 6) über jeweils ein

Schaltelement, z. B. einen Feldeffekttransistor (8, 9) oder einen bipolaren Transistor mit Masse (10) verbunden sind, wobei ein Abschaltstrom einer Teilspule (5, 6) über ein elektrisches Leistungsbauteil abgeleitet wird, welches parallel zum Schaltelement (8, 9) geschaltet ist. Auch die übrigen genannten Merkmale sind auf diese

Anwendung applizierbar.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer ersten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 2 eine Teilschaltung einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 3 eine Variante der zweiten Ausführungsform und

Fig. 4 eine zweite Variante der zweiten Ausführungsform.

Hinweis: Bezugszeichen mit Index und entsprechende Bezugszeichen ohne Index bezeichnen namensgleiche Einzelheiten in den Zeichnungen und der Zeichnungsbeschreibung. Es handelt sich dabei um die Verwendung in einer anderen Ausführungsform, dem Stand der Technik und/oder die Einzelheit ist eine Variante. Die Ansprüche, die Beschreibungseinleitung, die Bezugszeichenliste und die Zusammenfassung enthalten der Einfachheit halber nur Bezugszeichen ohne Index.

Fig. 1 zeigt ein Prinzipschaltbild 1 einer ersten Ausführungsform der Erfindung zur Erläuterung der grundsätzlichen Funktion der Erfindung. Dargestellt ist eine erste Teilspule 5, eine zweite Teilspule 6, ein Mittenabgriff 7, welcher an eine

Spannungsquelle 4 (Versorgungsspannung) angeschlossen ist, während die beiden übrigen Spulenenden der Teilspulen 5, 6 mit jeweils einem Feldeffekttransistor 8 bzw. 9 verbunden sind. Die beiden Feldeffekttransistoren (MOSFET) schalten die Teilspulen 5, 6 abwechselnd zu, so dass ein Strom durch die Teilspulen 5 bzw. 6 fließt. Ein Ersatzwiderstand 16 stellt den DC-Widerstand der Wicklungen dar. Wird der erste Feldeffekttransistor 8 abgeschaltet, treibt die Induktivität der ersten

Teilspule 5 den Strom weiter in die gleiche Richtung. In Folge steigt die Spannung am Feldeffekttransistor 8 an bis eine Durchbruchspannung einer parallel

geschalteten Leistungs-Z-Diode 11 erreicht wird. Die Leistungs-Z-Diode 11 wird dabei leitfähig, weshalb der Strom nicht mehr über den Feldeffekttransistor 8, sondern über die Leistungs-Z-Diode 11 fließt. Somit wird die Energie der ersten Teilspule 5 nicht mehr am Feldeffekttransistor 8, sondern in der Leistungs-Z-Diode 11 in Wärme umgesetzt. Das gleiche gilt für die Beschaltung der zweiten Teilspule 6, deren Strom über den zweiten Feldeffekttransistor 9 bzw. die zweite Leistungs-Z- Diode abgeleitet wird. Ist der Strom aus der Motorwicklung 3 (Teilspule 5 oder 6) abgebaut, so sinkt die Spannung an den jeweiligen Leistungs-Z-Diode 11 bzw. 12 wieder und es fließt kein Strom mehr.

Fig. 2 zeigt eine Teilschaltung 2a einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, wobei nur eine von zwei Teilspulen 5a mit ihrer Beschaltung dargestellt ist. Hierbei wird die Energie der Teilspule 5a, die bei ihrer Abschaltung frei wird, nicht über eine Leistungs-Z-Diode, sondern über einen bipolaren Leistungstransistor 13a gleitet. Die Basis des bipolaren Leistungstransistors 13a ist mit dem Emitter eines

Steuertransistors 14a verbunden. Die Basis des Steuertransistors 14a ist mit einer Steuer-Z-Diode 15a elektrisch verbunden. Nach Erreichen der Durchbruchspannung der Steuer-Z-Diode 15a fließt ein Steuerstrom über die Basis-Emitter-Strecker des Steuertransistors 14a, wodurch entsprechend der bipolare Leistungstransistor 13a durchschaltet und die Abschaltenergie der Teilspule aufnimmt, in Wärme umwandelt und diese an die Umgebung abgibt. Insgesamt verhält sich die Schaltung wie eine Z- Diode, jedoch sind die Verlustleistungsgrenze und Steuerbarkeit deutlich verbessert. Durch die Höhe des Basisstromes der Transistoren 14a, 13a und durch die

Stromverstärkung der Transistoren 14a, 13a kann die Schaltung so angepasst werden, dass die Steilheit der Stromflanke eingestellt werden kann. Weiter ist ein Ersatzwiderstand 16a für den Widerstand der Teilspule 5a dargestellt.

Fig. 3. Zeigt eine Variante der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 2 mit

zusätzlichen Beschaltungselementen. Gezeigt ist eine Teilspule 5b, ein bipolarer Leistungstransistor 13b, ein Steuertransistor 14b eine Steuer-Z-Diode 15b, ein Ersatzwiderstand 16b für die Teilspule 5b und ein Feldeffekttransistor 8b zur

Schaltung der Teilspule 5b. Zusätzlich sind ein Snubber-Widerstand 17b und ein Snubber-Kondensator 18b dargestellt, welche ein Snubber-Netzwerk bilden. Dieses bewirkt ein sauberes Schalten der Schaltflanke und hat damit einen positiven

Einfluss auf die Verluste in den Transistoren und das EMV-Verhalten.

Fig. 4. zeigt eine zweite Variante der zweiten Ausführungsform der Erfindung. Hierbei wird die Energie der Teilspule 5c, die bei ihrer Abschaltung frei wird, ebenfalls über einen bipolaren Leistungstransistor 13c gleitet. Die Basis des bipolaren

Leistungstransistors 13c ist mit dem Emitter eines Steuertransistors 14c verbunden. Die Basis des Steuertransistors 14c ist mit einer Steuer-Z-Diode 15c elektrisch verbunden. Nach Erreichen der Durchbruchspannung der Steuer-Z-Diode 15c fließt ein Steuerstrom über die Basis-Emitter-Strecker des Steuertransistors 14c, wodurch entsprechend der bipolare Leistungstransistor 13c durchschaltet und die

Abschaltenergie der Teilspule 5c aufnimmt, in Wärme umwandelt und diese an die Umgebung abgibt. Insgesamt verhält sich die Schaltung wie eine Z-Diode, jedoch sind die Verlustleistungsgrenze und Steuerbarkeit deutlich verbessert. Durch die Höhe des Basisstromes der Transistoren 14c, 13c und durch die Stromverstärkung der Transistoren 14c, 13c kann die Schaltung so angepasst werden, dass die

Steilheit der Stromflanke eingestellt werden kann. Weiter ist ein Ersatzwiderstand 16c für den Widerstand der Teilspule 5c dargestellt. Zusätzlich sind ein Snubber- Widerstand 17c und ein Snubber-Kondensator 18b dargestellt, welche ein Snubber- Netzwerk bilden. Dieses bewirkt ein sauberes Schalten der Schaltflanke und hat damit einen positiven Einfluss auf die Verluste in den Transistoren und das EMV- Verhalten. Weiter sind Schottky-Dioden 19c dargestellt, welche dafür sorgen, dass die Basis-Emitterspannung an den Transistoren nicht zu groß wird und somit ein schnelles Schalten gewährleistet werden kann. Hierzu ist die Basis des

Steuertransistors (14c) über die Schottky-Dioden (19c) einerseits mit dem

Spulenende einer Teilspule (5c) und andererseits mit der Basis des

Leistungstransistors (13c) verbunden.

Es sind weitere Varianten denkbar, die hier jedoch nicht weiter beschrieben werden. Weiter muss nicht jede Teilspule eine eigene Beschaltung aufweisen, vielmehr lässt sich ein einziger Schaltungsblock für beide Teilspulen einsetzen.

Bezugszeichenliste Prinzipschaltbild

Teilschaltung

Wicklung

Spannungsquelle

erste Teilspule

zweite Teilspule

Mittenabgriff

erstes Schaltelement

zweites Schaltelement

Masse

erste Leistungs-Z-Diode

zweite Leistungs-Z-Diode

bipolarer Leistungstransistor

Steuertransistor

Steuer-Z-Diode

Ersatzwiderstand

Snubber-Widerstand

Snubber-Kondensator

Schottky-Diode