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Title:
PURE WATER PRODUCTION APPARATUS AND PURE WATER PRODUCTION METHOD
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/016982
Kind Code:
A1
Abstract:
This invention provides an ultrapure water production apparatus which, in order to produce pure water having a low boron concentration with high efficiency, comprises an activated carbon apparatus (1), a heater(2), a membrane-type filtration apparatus (3), a raw water tank (4),a pretreatment apparatus (5), an electric deionization apparatus (6), and a primary pure water subtank (7). The pretreatment apparatus (5) comprises a first reverse osmosis membrane (RO) apparatus (8), a second reverse osmosis membrane (RO) apparatus (9), and a decarboxylation film apparatus (10). The pretreatment apparatus (5) is designed so that, depending upon the quality of the raw water (W0), a treatment water (W1) having a chloride ion concentration of not more than 100 ppb can be introduced into a demineralization chamber in an electric deionization apparatus (6).

Inventors:
IWASAKI, Kunihiro (4-7 Nishi-Shinjuku 3-chome, Shinjuku-k, Tokyo 83, 1608383, JP)
Application Number:
JP2008/063040
Publication Date:
February 05, 2009
Filing Date:
July 18, 2008
Export Citation:
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Assignee:
KURITA WATER INDUSTRIES LTD. (4-7 Nishi-Shinjuku 3-chome, Shinjuku-ku Tokyo, 83, 1608383, JP)
栗田工業株式会社 (〒83 東京都新宿区西新宿三丁目4番7号 Tokyo, 1608383, JP)
International Classes:
C02F1/469; B01D19/00; B01D61/44; B01D61/58; C02F1/20; C02F1/42; C02F1/44; C02F9/00
Attorney, Agent or Firm:
HAYAKAWA, Yuzi et al. (Arcadia Patent Firm, Suite 501 Hikawa-Annex No.2,9-5, Akasaka 6-chome,Minato-k, Tokyo 52, 1070052, JP)
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Claims:
 前処理装置と、前記前処理装置の処理水を脱塩室に受け入れて脱イオン処理を行う電気脱イオン装置とを有する純水製造装置であって、
 前記前処理装置が、前記電気脱イオン装置の脱塩室に導入する処理水の塩化物イオン濃度を100ppb以下にすることを特徴とする純水製造装置。
 前記前処理装置が、1又は2以上のRO膜装置を備え、前記電気脱イオン装置の脱塩室に導入する処理水の炭酸濃度を1ppm以下にすることを特徴とする請求項1に記載の純水製造装置。
 前記前処理装置が、1又は2以上のイオン交換樹脂塔をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の純水製造装置。
 前記前処理装置が、脱炭酸膜装置、脱炭酸塔又は真空脱気塔をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の純水製造装置。
 前記電気脱イオン装置の脱塩水の一部を、前記電気脱イオン装置の濃縮室に前記脱塩室への処理水の導入方向と反対方向から導入することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の純水製造装置。
 前記電気脱イオン装置が、複数段直列に設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の純水製造装置。
 原水を前処理装置で処理し、この処理水を電気脱イオン装置の脱塩室に導入して脱イオン処理を行う純水の製造方法であって、
 前記前処理装置にて塩化物イオン濃度を100ppb以下にした処理水を、前記電気脱イオン装置の脱塩室に導入することを特徴とする純水製造方法。
 前記電気脱イオン装置の脱塩水の一部を、前記電気脱イオン装置の濃縮室に前記脱塩室への処理水の導入方向と反対方向から導入することを特徴とする請求項7に記載の純水の製造方法。
 前記電気脱イオン装置が、複数段直列に設けられていることを特徴とする請求項7又は8に記載の純水の製造方法。
 前記複数段の電気脱イオン装置のうち最後段の電気脱イオン装置の濃縮水を、前記処理水とともに1段目の電気脱イオン装置の脱塩室に導入することを特徴とする請求項9に記載の純水の製造方法。
Description:
純水製造装置及び純水製造方法

 本発明は、超純水製造システム等に組み むのに好適な純水製造装置に関し、特にホ 素濃度の低い純水を製造するための純水製 装置に関する。また、本発明は、超純水製 システム等に好適な純水製造方法に関し、 にホウ素濃度の低い純水を製造するための 水製造方法に関する。

 超純水製造システムは、通常、前処理シ テム、一次純水システム、及びサブシステ より構成される。前処理システムは、凝集 過、MF膜(精密濾過膜)、UF膜(限外濾過膜)等 よる除濁処理装置、活性炭等による脱塩素 理装置により構成される。

 一次純水システムは、RO(逆浸透膜)装置、 脱気膜装置、電気脱イオン装置等により構成 され、ほとんどのイオン成分やTOC成分が除去 される。また、サブシステムは、UV装置(紫外 線酸化装置)、非再生型イオン交換装置、UF装 置(限外濾過装置)等により構成され、微量イ ンの除去、特に低分子の微量有機物の除去 微粒子の除去が行われる。このサブシステ で作られた超純水は、ユースポイントに送 され、余剰の超純水はサブシステムの前段 タンクに返送されるのが一般的である。

 ところで、超純水の要求水質は年々厳し なり、現在、最先端の電子産業分野ではホ 素濃度10ppt以下の超純水が要求されるよう なってきている。このホウ素は、超純水中 はほとんどホウ酸イオンとして存在するこ になるが、このホウ酸イオンは弱イオンで るので除去するのが難しい。そこで、ホウ 濃度の低い純水を製造するために、RO装置の 給水をpH10以上にしてRO装置でのホウ素除去率 を向上させることが提案されている(特許文 1参照)。

 また、前処理後の処理水をホウ素選択性 オン交換樹脂と接触させること(特許文献2 照)、原水をRO装置等の脱塩装置で脱塩した 、ホウ素吸着樹脂塔に通水することが提案 れている(特許文献3参照)。

 さらに、原水を前処理装置、2段RO装置、電 再生式脱塩装置等を通水した処理水を、ホ 素選択性イオン交換樹脂に接触させる超純 製造装置が提案されている(特許文献4参照)

特許第3321179号公報

特許第3200301号公報

特開平8-89956号公報

特開平9-192661号公報

 特許文献1に記載された純水製造方法では 、RO装置の給水をpH10以上に調整するためにア ルカリを使用するか、アニオン交換樹脂塔を 設ける必要があり、薬品コスト又は装置的負 荷がかかる上に、連続運転ができないという 問題点がある。

 また、特許文献2~4に記載された純水製造 法は、処理水をホウ素選択性イオン交換樹 やホウ素吸着樹脂に流通することにより、 ウ素を除去するものであるが、被処理水の ウ素濃度が高いと、これらホウ素吸着樹脂 が短期間で破過してしまう一方、被処理水 ホウ素濃度が、例えば10ppb以下程度の低濃 であると除去率が低下してしまうという問 点がある。さらに、ホウ素吸着樹脂からのTO Cの溶出のおそれもあるので、ホウ素吸着樹 の洗浄、コンディショニングが必要である いう問題点もある。

 さらに、電気脱イオン装置により、陰イ ンであるホウ酸イオンを同時に除去してや ことが考えられるが、ホウ酸イオンは弱イ ンであるので、電気脱イオン装置の電流密 を上げて運転しても除去率を90%以上にする とは困難である。また、RO装置を組み合わ てもホウ素除去率を98%以上にすることはで ない。

 すなわち、近年、超純水の要求水質は年 厳しくなり、ホウ素濃度100ppt以下、最先端 電子産業分野ではホウ素濃度10ppt以下、場 によっては1ppt以下の水質が要求されるにも かわらず、簡単な構造でこれを達成できる 水製造装置はなかった。これを電気脱イオ 装置において達成するためには少なくとも 気脱イオン装置におけるホウ素除去率を99% 上、特に99.5%以上にすることが必要である

 本発明は、上記課題に鑑みてなされたも であり、ホウ素濃度の低い純水を効率よく 造することができる純水製造装置を提供す ことを目的とする。また、本発明は、ホウ 濃度の低い純水を効率よく製造することが きる純水製造方法を提供することを目的と る。

 上記課題を解決するために、第一に本発 は、前処理装置と、前記前処理装置の処理 を脱塩室に受け入れて脱イオン処理を行う 気脱イオン装置とを有する純水製造装置で って、前記前処理装置が、前記電気脱イオ 装置の脱塩室に導入する処理水の塩化物イ ン濃度を100ppb以下にすることを特徴とする 水製造装置を提供する(発明1)。

 上記発明(発明1)によれば、塩化物イオン ホウ素よりもその除去が容易であり、電気 イオン装置に導入する処理水の塩化物イオ 濃度を100ppb以下にするだけで、電気脱イオ 装置におけるホウ素の除去率を99%以上と大 に向上することができる。

 上記発明(発明1)においては、前記前処理 置が、1又は2以上のRO膜装置を備え、前記電 気脱イオン装置の脱塩室に導入する処理水の 炭酸濃度を1ppm以下にするのが好ましく(発明2 )、かかる発明(発明2)においては、前記前処 装置が、1又は2以上のイオン交換樹脂塔をさ らに備えるのが好ましく(発明3)、かかる発明 (発明3)においては、前記前処理装置が、脱炭 酸膜装置、脱炭酸塔又は真空脱気塔をさらに 備えるのが好ましい(発明4)。

 上記発明(発明2~4)によれば、電気脱イオ 装置の脱塩室に導入される処理水の塩化物 オン濃度及び炭酸イオン濃度をさらに低減 ることができ、電気脱イオン装置における ウ素の除去率をさらに向上させることがで る。

 上記発明(発明1~4)においては、前記電気 イオン装置の脱塩水の一部を、前記電気脱 オン装置の濃縮室に前記脱塩室への処理水 導入方向と反対方向から導入するのが好ま い(発明5)。

 上記発明(発明5)によれば、水質の良好な 塩室の排出水(脱塩水)を脱塩室の出口側か 入口側の方向に向けて濃縮室に流通するこ により、脱塩室と濃度室との間のホウ素の 度勾配が緩和されるので、電気脱イオン装 でのホウ素の除去率をさらに向上させるこ ができる。

 上記発明(発明1~5)においては、前記電気 イオン装置が、複数段直列に設けられてい のが好ましい(発明6)。かかる発明(発明6)に れば、ホウ素の除去率を99.99%にまで高める とができるので、ホウ素イオン濃度1ppt以下 超純水の供給も可能となる。

 第二に本発明は、原水を前処理装置で処 し、この処理水を電気脱イオン装置の脱塩 に導入して脱イオン処理を行う純水の製造 法であって、前記前処理装置にて塩化物イ ン濃度を100ppb以下にした処理水を、前記電 脱イオン装置の脱塩室に導入することを特 とする純水製造方法を提供する(発明7)。

 上記発明(発明7)によれば、塩化物イオン ホウ素よりもその除去が容易であり、電気 イオンに導入する処理水の塩化物イオン濃 を100ppb以下にするだけで、電気脱イオン装 におけるホウ素の除去率を99%以上と大幅に 上することができる。

 上記発明(発明7)においては、前記電気脱 オン装置の脱塩水の一部を、前記電気脱イ ン装置の濃縮室に前記脱塩室への処理水の 入方向と反対方向から導入するのが好まし (発明8)。

 上記発明(発明8)によれば、水質の良好な 塩室の排出水(脱塩水)を脱塩室の出口側か 入口側の方向に向けて濃縮室に流通するこ により、脱塩室と濃度室との間のホウ素の 度勾配が緩和されるので、電気脱イオン装 でのホウ素の除去率をさらに向上させるこ ができる。

 上記発明(発明7,8)においては、前記電気 イオン装置が、複数段直列に設けられてい のが好ましい(発明9)。かかる発明(発明9)に れば、ホウ素の除去率を99.99%にまで高める とができるので、ホウ素イオン濃度1ppt以下 超純水の供給も可能となる。

 上記発明(発明9)においては、前記複数段 電気脱イオン装置のうち最後段の電気脱イ ン装置の濃縮水を、前記処理水とともに1段 目の電気脱イオン装置の脱塩室に導入するの が好ましい(発明10)。

 上記発明(発明10)によれば、最後の電気脱 イオン装置の濃縮水は、前処理装置で処理し た後の処理水よりもホウ素濃度が低いだけで なく、塩化物イオン濃度が大幅に低いので、 これを1段目の電気脱イオン装置の脱塩室に 入することにより、装置の基本構成はその まで1段目の電気脱イオン装置の脱塩室から 処理水のホウ素濃度をさらに改善すること できる。

 本発明の純水製造装置によれば、塩化物 オンはホウ素よりもその除去が容易であり 電気脱イオン装置に導入する処理水の塩化 イオン濃度100ppb以下にするだけで、電気脱 オン装置におけるホウ素の除去率を99%以上 大幅に向上することができる。本発明によ ば、電気脱イオン装置によりホウ素の大幅 除去が可能となるので、連続運転が可能と るばかりか、アルカリなどの薬品を使わな ので環境負荷が少なく、給水(原水)のホウ 濃度の広い領域に対応可能である。また、 ウ素吸着樹脂等に比べて破過が生じないの 、数年間に渡り安定的にホウ素濃度の低い 水の供給が可能となる。しかも、電気脱イ ン装置を複数段直列に設けることにより、 ウ素イオン濃度を1ppt以下の超純水も供給す ことが可能となる。

図1は、本発明の第一の実施形態に係る 純水製造装置を示すフロー図である。 図2は、前記実施形態の電気脱イオン装 置の脱塩室及び濃縮室を示す概略構成図であ る。 図3は、本発明の第二の実施形態に係る 純水製造装置を示すフロー図である。 図4は、比較例1の純水製造装置を示す ロー図である。

符号の説明

5…前処理装置
6…電気脱イオン装置
 6A…第1の電気脱イオン装置
 6B…第2の電気脱イオン装置
8…第1の逆浸透膜(RO)装置(前処理装置)
9…第2の逆浸透膜(RO)装置(前処理装置)
10…脱炭酸膜装置(前処理装置)
11…脱塩室
12…濃縮室
W3…濃縮水
T…処理水タンク

〔第一の実施形態〕
 以下、本発明の純水製造装置の第一の実施 態について、図面に基づいて詳細に説明す 。
 図1は、本実施形態に係る純水製造装置を示 すフロー図であり、図2は、本実施形態にお る電気脱イオン装置を示す概略構成図であ 。

 図1に示すように、超純水製造装置は、活 性炭装置1と、ヒータ2と、膜式濾過装置3と、 原水タンク4と、前処理装置5と、電気脱イオ 装置6と、一次純水のサブタンク7とから構 されている。そして、本実施形態において 、前処理装置5は、第1の逆浸透膜(RO)装置8と 第2の逆浸透膜(RO)装置9と、脱炭酸膜装置10 により構成されている。この前処理装置5は 原水W0の水質に応じて、塩化物イオン濃度10 0ppb以下の処理水W1が電気脱イオン装置6の脱 室に導入されるように設計されている。

 上述したような超純水製造装置において 電気脱イオン装置6は、図2に示すように脱 室11と濃縮室12とを備え、脱塩室11には、前 理装置5の処理水W1の流路R1が接続される一方 、脱塩室11の出口側は脱塩水W2の流路R2となっ ている。この流路R2からは分岐流路R3が分岐 ていて、脱塩室11の脱塩水W2の一部を、脱塩 11の出口側から入口側の方向に向けて濃縮 12に導入し、すなわち脱塩室11における処理 W1の流通方向と反対方向から濃縮室12に導入 して濃縮水W3を吐出する構成となっている。

 このような構成を有する超純水製造装置に いて、その作用を説明する。
 まず、原水W0を活性炭装置1において有機物 除去した後、ヒータ2において所定の温度に まで加温した後、膜式濾過装置3で固体微粒 を除去して原水タンク4に一旦貯留する。続 て、この原水W0について前処理装置5で処理 行う。

 この前処理装置5では、第1の逆浸透膜(RO)装 8と、第2の逆浸透膜(RO)装置9とにより強イオ ン性の不純物が除去され、さらに、脱炭酸膜 装置10により炭酸イオン(CO 2 )が除去される。

 この前処理装置5は、処理水W1中の塩化物 オン濃度が100ppb以下、好ましくは50ppb以下 特に好ましくは30ppb以下となるように設計す る。処理水W1中の塩化物イオン濃度が100ppbを えていると、後続の電気脱イオン装置6での ホウ素の除去率を99%以上にすることができな くなる。

 また、処理水W1中のCO 2 濃度は1ppm以下とするのが好ましい。処理水W1 中のCO 2 濃度が1ppmを超えると、ホウ素の除去率が99% 満、場合によっては90%未満にまで低下して まうおそれがある。

 そして、このような処理水W1を電気脱イオ 装置6で処理する。この電気脱イオン装置6で は、電流密度300mA/dm 2 以上で運転するのが好ましい。このような電 流密度で運転を行うことにより、電気脱イオ ン装置の性能にもよるが、従来の電気脱イオ ン装置では達成できなかった99%以上、特に99. 5%以上のホウ素除去率とすることができる。

 このように本実施形態に係る純水製造装 によれば、処理水W1のホウ素濃度が10ppb以下 であれば確実にホウ素濃度100ppt以下の脱塩水 W2を得ることができる。また、本実施形態に る純水製造装置のホウ素除去率が99.5%であ ば、処理水W1のホウ素濃度が20ppbで、さらに ホウ素除去率99.8%以上であれば処理水W1のホ ウ素濃度が50ppbでホウ素濃度100ppt以下の脱塩 W2を得ることができる。しかも、電気脱イ ン装置6によりホウ素の十分な除去が可能と るので、連続運転が可能となるばかりか、 ルカリ等の薬品を使用しないので環境負荷 少ない。しかも、給水(原水)のホウ素濃度 広い領域に対応可能であり、また、ホウ素 着樹脂等に比べて破過が生じないので、数 間に渡り安定的にホウ素濃度の低い純水の 給が可能となる。

〔第二の実施形態〕
 次に本発明の純水製造装置の第二の実施形 について、図3に基づいて説明する。
 図3は、第二の実施形態に係る純水製造装置 を示すフロー図である。

 第二の実施形態に係る純水製造装置は、 述した第一の実施形態において、電気脱イ ン装置を第1の電気脱イオン装置6A、及び第2 の電気脱イオン装置6Bと2段直列に配置し、第 2の電気脱イオン装置6Bの濃縮水W3を第1の電気 脱イオン装置6Aの前段に設けられた処理水タ クTに返送する以外同様の構成を有する。

 このような構成を有する超純水製造装置に いて、その作用を説明する。
 まず、原水W0について、活性炭装置1にて有 物の除去処理をした後、ヒータ2にて所定の 温度にまで加温した後、膜式濾過装置3にて 体微粒子を除去して原水タンク4に一旦貯留 る。そして、この原水W0について前処理装 5で処理を行う。

 この前処理装置5では、第1の逆浸透膜(RO)装 8と、第2の逆浸透膜(RO)装置9とにより強イオ ン性の不純物が除去され、さらに、脱炭酸膜 装置10により炭酸イオン(CO 2 )が除去される。

 この前処理装置5は、処理水W1中の塩化物 オン濃度は100ppb以下、好ましくは50ppb以下 特に好ましくは30ppb以下となるように設計す る。処理水W1中の塩化物イオン濃度が100ppbを えていると、後続の電気脱イオン装置6Aで ホウ素の除去率を99%以上にすることができ くなる。

 そして、このような処理水W1を第1の電気 イオン装置6A及び第2の電気脱イオン装置6B 連続的に処理するとともに、濃縮水W3を第1 電気脱イオン装置6Aの前段に設けられた処理 水タンクTに返送する。

 この電気脱イオン装置6A,6Bを、電流密度300mA /dm 2 以上で運転するのが好ましい。電流密度300mA/ dm 2 未満では、ホウ素除去率が99%未満となるので 好ましくない。具体的には、第1の電気脱イ ン装置6Aでは、99%以上のホウ素が、第2の電 脱イオン装置6Bではさらに99%以上のホウ素が 除去されることになる。

 特に、本実施形態においては、第2の電気 脱イオン装置6Bの濃縮水W3を第1の電気脱イオ 装置6Aの前段に設けられた処理水タンクTに 送しており、この濃縮水W3は処理水W1よりも ホウ素濃度が低いので、経時的には処理水タ ンクTでは、処理水W1よりもさらに塩化物イオ ン濃度及びホウ素濃度が低下するため、ホウ 素濃度1ppt以下の超純水を得ることも可能と る。

 以上、本実施形態に係る純水製造システ について図面に基づいて説明してきたが、 発明は上記実施形態に限定されることはな 、種々の変更実施が可能である。

 例えば、前処理装置5は、電気脱イオン装 置6に100ppb以下の塩化物イオン濃度の処理水W1 を供給でき、かつ所望とするホウ素濃度の純 水が得られるように、原水W0の水質に応じて 々設定することができる。

 具体的には、前処理装置5を
(1)RO装置+脱炭酸膜装置
(2)第1のRO装置+第2のRO装置+脱炭酸膜装置
(3)イオン交換樹脂装置(2B3T)+RO装置+脱炭酸膜 置
(4)イオン交換樹脂装置(4B5T)+RO装置+脱炭酸膜 置
等とすることができる。

 また、電気脱イオン装置6は、1段であっ もよいし、2段あるいは3段以上を直列に設け てもよく、3段以上設けた場合には、最終段 電気脱イオン装置6の濃縮水W3を1段目の電気 イオン装置の処理水W1に合流させればよい

 さらに電気脱イオン装置6としては特に制 限はないが、垂直側面は水を透過しないが斜 面は水を透過する六角形の部材を脱塩室11に けたものを好適に用いることができる。

 以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を り具体的に説明する。
 なお、本実施例及び比較例においては、下 の試験装置を用いた。
・電気脱イオン装置(栗田工業社製,製品名:KCD I-UPz-150H,処理水量:150m 3 /hr)
・逆浸透膜装置(日東電工社製,製品名:ES-20)
・脱炭酸膜装置(リキセル社製,製品名:X-50)

〔実施例1〕
 図1及び図2に示すように、前処理装置5を第1 の逆浸透膜(RO)装置8と、第2の逆浸透膜(RO)装 9と、脱炭酸膜装置10とにより構成し、電気 イオン装置6を1段に配置して純水製造装置を 製造した。

 この純水製造装置により、ホウ素濃度が25pp b、塩化物イオン濃度が11000ppb、CO 2 濃度が8ppmの原水W0を処理したところ、前処理 装置5の処理水W1のホウ素濃度は25ppb、塩化物 オン濃度は10ppb、CO 2 濃度は1ppm以下であった。

 そして、この処理水W1を電気脱イオン装置6 処理した結果、ホウ素濃度が50ppt、塩化物 オン濃度が0.5ppb以下、CO 2 濃度が0.01ppm以下の脱塩水W2が得られた。この 際、電気脱イオン装置6でのホウ素除去率は99 .8%であった。

〔比較例1〕
 図4に示すように実施例1において、逆浸透 (RO)装置を1段構成とした以外は同様の装置構 成で純水製造装置を製造した。

 この純水製造装置により、実施例1と同じ原 水W0を処理したところ、前処理装置5の処理水 W1のホウ素濃度は25ppb、塩化物イオン濃度は15 0ppb、CO 2 濃度は1ppm以下であった。

 そして、この処理水W1を電気脱イオン装置6 処理した結果、ホウ素濃度が500ppt、塩化物 オン濃度が0.5ppb以下、CO 2 濃度が0.01ppm以下の脱塩水W2が得られた。この 際、電気脱イオン装置6でのホウ素除去率は98 %であった。

〔比較例2〕
 実施例1において、処理水W1に塩化ナトリウ を添加して前処理装置5の処理水W1の塩化物 オン濃度を150ppbとした以外は同様にして処 を行ったところ、ホウ素濃度が400ppt、塩化 イオン濃度が0.5ppb以下、CO 2 濃度が0.01ppm以下の脱塩水W2が得られた。電気 脱イオン装置6でのホウ素除去率は98.4%であっ た。

〔実施例2〕
 図3に示すように、前処理装置5を第1の逆浸 膜(RO)装置8と、第2の逆浸透膜(RO)装置9と、 炭酸膜装置10とにより構成し、電気脱イオン 装置を6A,6Bの2段に直列に配置して、第2の電 脱イオン装置6Bの濃縮水W3を第1の電気脱イオ ン装置6Aの前段に設けられた処理水タンクTに 返送する構成として純水製造装置を製造した 。

 この純水製造装置により、ホウ素濃度が25pp b、塩化物イオン濃度が11000ppb、CO 2 濃度が8ppmの原水W0を処理したところ、前処理 装置5の処理水W1のホウ素濃度は25ppb、塩化物 オン濃度は30ppb、CO 2 濃度は1ppm以下であった。

 そして、この処理水W1を電気脱イオン装置6A ,6Bで連続的に処理した結果、15時間経過後で 、処理水タンクTの処理水のホウ素濃度は20p pb、塩化物イオン濃度は24ppb、CO 2 濃度は0.6ppmであり、1段目の電気脱イオン装 6Aの脱塩水のホウ素濃度は40ppt、塩化物イオ 濃度は0.5ppb以下、CO 2 濃度は0.01ppm以下であり、電気脱イオン装置6A でのホウ素除去率は99.8%であった。さらに2段 目の電気脱イオン装置6Bの脱塩水のホウ素濃 は0.4ppt、塩化物イオン濃度は0.5ppb以下、CO 2 濃度は0.01ppm以下であり、電気脱イオン装置6B でのホウ素除去率は99%であった。

〔比較例3〕
 実施例2において、処理水タンクTに塩化ナ リウムを添加して電気脱イオン装置6の処理 W1の塩化物イオン濃度を150ppbとした以外は 様にして処理を行ったところ、第1の電気脱 オン装置6Aの脱塩水のホウ素濃度は400ppt、 化物イオン濃度は0.5ppb以下、CO 2 濃度は0.01ppm以下であり、第1の電気脱イオン 置6Aでのホウ素除去率は98%であった。また 第2の電気脱イオン装置6Bの脱塩水のホウ素 度は2ppt、塩化物イオン濃度は0.5ppb以下、CO 2 濃度は0.01ppm以下であり、第2の電気脱イオン 置6Bでのホウ素除去率は99.5%であった。