Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil

angegeben .

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil anzugeben, das besonders vielseitig einsetzbar ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Halbleiterbauteil einen Chip-Anschlussbereich. Der Chip- Anschlussbereich ist ein Bereich, der zur Montage zumindest eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Chip- Anschlussbereich vorgesehen ist. Beispielsweise ist der Chip- Anschlussbereich mit einer Metallisierung oder mit einem Metallkörper gebildet. Insbesondere weist der Chip- Anschlussbereich eine größere Reflektivität für sichtbares Licht auf als ihn umgebende Bereiche des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils .

Das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil umfasst gemäß einer Ausführungsform einen strahlungsemittierenden

Halbleiterchip. Bei dem strahlungsemittierenden

Halbleiterchip handelt es sich um einen Halbleiterchip, der elektromagnetische Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen Infrarotstrahlung und UV-Strahlung im Betrieb emittiert.

Beispielsweise strahlt der strahlungsemittierende

Halbleiterchip im Betrieb sichtbares Licht ab. Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Lumineszenzdiodenchip, also um einen Laserdiodenchip oder um einen Leuchtdiodenchip.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil ein Licht

absorbierendes Material. Das Licht absorbierende Material ist dazu vorgesehen, zumindest einen Teil der auf das Licht absorbierende Material auftreffenden elektromagnetischen Strahlung im sichtbaren Bereich zu absorbieren.

Beispielsweise werden höchstens 25 % des Lichtes im

sichtbaren Bereich, das auf die Außenfläche des Licht

absorbierenden Materials trifft, reflektiert oder

reemittiert. Bevorzugt werden höchstens 15 %, besonders bevorzugt höchstens 5 % des auftreffenden Lichtes im

sichtbaren Bereich zurückgeworfen. Beispielsweise ist das Licht absorbierende Material schwarz ausgebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist der

Strahlungsemittierende Halbleiterchip am Chip- Anschlussbereich befestigt. Der Strahlungsemittierende

Halbleiterchip kann dabei am Chip-Anschlussbereich auch elektrisch kontaktiert sein. Ferner ist es möglich, dass mehrere Strahlungsemittierende Halbleiterchips auf einem Chip-Anschlussbereich befestigt sind. Die Grundfläche des Chip-Anschlussbereichs ist vorzugsweise so gewählt, dass der Strahlungsemittierende Halbleiterchip oder die

strahlungsemittierenden Halbleiterchips in Summe eine

Querschnittsfläche aufweisen, die kleiner ist als die

Grundfläche, so dass der oder die strahlungsemittierenden Halbleiterchips den Chip-Anschlussbereich nicht vollständig überdecken. Dies erweist sich insbesondere als vorteilhaft, da auf diese Weise die Platzierung des

strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Chip- Anschlussbereich mit einer gewissen Toleranz erfolgen kann. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist der Chip- Anschlussbereich an Stellen, an denen er vom

strahlungsemittierenden Halbleiterchip unverdeckt ist, mit dem Licht absorbierenden Material bedeckt. Das heißt,

Bereiche des Chip-Anschlussbereichs, die freiliegen würden, weil der strahlungsemittierende Halbleiterchip sie nicht bedeckt, werden teilweise oder vollständig mit dem Licht absorbierenden Material abgedeckt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist der

Strahlungsemittierende Halbleiterchip stellenweise frei vom Licht absorbierenden Material. Das heißt, der

Strahlungsemittierende Halbleiterchip ist nicht vollständig vom Licht absorbierenden Material überdeckt, sondern

beispielsweise zumindest die dem Chip-Anschlussbereich abgewandte Oberfläche des strahlungsemittierenden

Halbleiterchips bleibt vollständig oder teilweise frei vom Licht absorbierenden Material. Beispielsweise kann das Licht absorbierende Material an Seitenflächen des

strahlungsemittierenden Halbleiterchips direkt an diesen grenzen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen Chip- Anschlussbereich, einen strahlungsemittierenden

Halbleiterchip, der am Chip-Anschlussbereich befestigt ist und ein Licht absorbierendes Material, das den Chip- Anschlussbereich an Stellen, an denen er vom

strahlungsemittierenden Halbleiterchip unverdeckt ist, bedeckt, wobei der Strahlungsemittierende Halbleiterchip stellenweise frei vom Licht absorbierenden Material ist.

Es ist insbesondere möglich, dass das Licht absorbierendes Material auf den Chip-Anschlussbereich aufgebracht wird, nachdem der Chip am Chip-Anschlussbereich befestigt worden ist. Zum Beispiel Seitenflächen des Chips können daher vom Licht absorbierendes Material bedeckt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen Draht- Anschlussbereich. Der Draht-Anschlussbereich ist

beispielsweise mit einer Metallisierung oder einem

Metallkörper gebildet. Insbesondere unterscheidet sich der Draht-Anschlussbereich durch seine höhere Reflektivität für sichtbares Licht vom ihm umgebenden Material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen Draht, der den Draht-Anschlussbereich elektrisch leitend mit dem

strahlungsemittierenden Halbleiterchip verbindet.

Beispielsweise ist der Strahlungsemittierende Halbleiterchip dann einerseits über den Chip-Anschlussbereich und

andererseits über den Draht elektrisch leitend kontaktiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist der Draht- Anschlussbereich an Stellen, an denen er vom Draht unverdeckt ist, mit dem Licht absorbierenden Material bedeckt. Das heißt, beispielsweise Licht reflektierende Bereiche des

Draht-Anschlussbereichs, die ohne das Licht absorbierende Material frei zugänglich und Licht reflektierend wären, werden mit dem Licht absorbierenden Material bedeckt. Dabei ist es möglich, dass auch Teile des Drahtes mit dem Licht absorbierenden Material bedeckt sind. Im Extremfall kann der gesamte Draht mit dem Licht absorbierenden Material bedeckt sein .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen einzigen Chip- Anschlussbereich, einen einzigen strahlungsemittierenden Halbleiterchip und einen einzigen Draht-Anschlussbereich. Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip kann es sich dann um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip handeln, der beispielsweise infrarote Strahlung, farbiges sichtbares Licht oder weißes Licht emittiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil zwei Chip- Anschlussbereich, einen einzigen strahlungsemittierenden Halbleiterchip und keinen Draht-Anschlussbereich. Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip kann es sich dann um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip handeln, der beispielsweise infrarote Strahlung, farbiges sichtbares Licht oder weißes Licht emittiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil zumindest zwei Strahlungsemittierende Halbleiterchips. Beispielsweise kann es sich bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil dann um ein Halbleiterbauteil handeln, das einen rotes Licht emittierenden Halbleiterchip, einen blaues Licht

emittierenden Halbleiterchip und einen grünes Licht

emittierenden Halbleiterchip umfasst. Jeder der

Halbleiterchips kann mittels je zwei Chip-Anschlussbereichen oder je zwei Draht-Anschlussbereichen oder mittels je einen Chip-Anschlussbereich und einen Draht-Anschlussbereich elektrisch kontaktiert sein.

Unabhängig davon, wie viele Chip-Anschlussbereiche,

Strahlungsemittierende Halbleiterchips und Draht- Anschlussbereiche das Strahlungsemittierende

Halbleiterbauteil umfasst, sind die vorhandenen Draht- Anschlussbereiche und Chip-Anschlussbereiche an Stellen, an denen sie durch andere Komponenten des Halbleiterbauteils nicht verdeckt sind, mit dem Licht absorbierenden Material bedeckt. Dabei kann das Licht absorbierende Material gezielt dort aufgebracht sein, wo es einen Anschlussbereich abdeckt. Ferner ist es möglich, dass das Licht absorbierende Material flächig aufgebracht ist, sodass es beispielsweise als ein einziger zusammenhängender Körper, der alle freiliegenden Stellen der Anschlussbereiche bedeckt, im

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil vorhanden ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen Gehäusekörper, der eine Chipmontagefläche aufweist. Beispielsweise kann der Gehäusekörper eine Kavität aufweisen, in der der zumindest eine Strahlungsemittierende Halbleiterchip angeordnet ist. Die Chipmontagefläche des Gehäusekörpers ist dann durch die Chipmontagefläche dieser Kavität gebildet. Es ist jedoch auch möglich, dass es sich bei dem Gehäusekörper um eine

quaderförmige Platte handelt, die frei von Ausnehmungen oder Kavitäten ist, in denen Strahlungsemittierende

Halbleiterchips angeordnet sind. Im Extremfall kann es sich bei dem Gehäusekörper um eine Leiterplatte handeln, bei der die Chipmontagefläche des Gehäusekörpers an der Seite

angeordnet ist, an der auch der Strahlungsemittierende

Halbleiterchip montiert ist.

Der Chip-Anschlussbereich und/oder der Draht-Anschlussbereich sind in dieser Ausführungsform an der Chipmontagefläche des Gehäusekörpers angeordnet. Dabei ist die Chipmontagefläche stellenweise frei von Licht absorbierendem Material. Mit anderen Worten ist in dieser Ausführungsform nicht die gesamte Chipmontagefläche mit dem Licht absorbierenden

Material bedeckt, sondern beispielsweise nur an solchen

Stellen, an denen eine erhöhte Reflexion von Licht auftritt wie im Chip-Anschlussbereich und/oder im Draht- Anschlussbereich ist das Licht absorbierende Material angeordnet. Auf diese Weise wird relativ wenig Licht

absorbierendes Material benötigt.

Beispielsweise sind das Metall oder die Metalle, die den Chip-Anschlussbereich und den Draht-Anschlussbereich bilden, mit dem Licht absorbierenden Material abgedeckt. Der Rest der Chipmontagefläche ist dann frei vom Licht absorbierenden Material. Zum Beispiel sind wenigstens 50% Prozent der

Chipmontagefläche frei vom Licht absorbierenden Material. Dabei ist es insbesondere möglich, dass die Chip- Montagefläche mit der gleichen Farbe oder in einer ähnlichen Farbe wie das Licht absorbierendem Material ausgebildet ist. Dabei kann auch der gesamte Gehäusekörper die gleiche Farbe oder eine ähnliche Farbe wie das Licht absorbierendem

Material aufweisen. Im Blick auf das Halbleiterbauteil erscheint das Halbleiterbauteil, bis auf die

Strahlungsaustrittflächen der Halbleiterchips, dann in einheitlicher Farbe. Es gibt keine störenden Reflexionen, zum Beispiel durch Metallisierungen an der Chipmontagefläche, die den Kontrast zu den Halbleiterchips stören können.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist die

Chipmontagefläche vollständig vom Licht absorbierenden

Material bedeckt. Das heißt insbesondere, auch auf Bereiche der Chipmontagefläche, die vom Chip-Anschlussbereich und/oder vom Draht-Anschlussbereich beabstandet sind, befindet sich das Licht absorbierende Material. In dieser Ausführungsform ist das Aufbringen des Licht absorbierenden Materials besonders einfach, da das Licht absorbierende Material nicht gezielt im Bereich der Anschlussbereiche abgeschieden werden muss .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil ein

lichtdurchlässiges Vergussmaterial. Das lichtdurchlässige Vergussmaterial ist im Wesentlichen frei vom Licht

absorbierenden Material. Das Licht absorbierende

Vergussmaterial kann dabei klarsichtig ausgebildet sein.

Darüber hinaus ist es möglich, dass das lichtdurchlässige Vergussmaterial mit einem Leuchtstoff und/oder mit einem Diffusor gefüllt ist. Bei dem Leuchtstoff kann es sich beispielsweise um Partikel eines

Lumineszenzkonversionsmaterials handeln, das zum Beispiel blaues Licht oder UV-Strahlung absorbiert und Strahlung mit größeren Wellenlängen reemittiert. Bei dem Diffusormaterial kann es sich beispielsweise um Partikel insbesondere eines keramischen Materials handeln, die zur Lichtstreuung geeignet sind .

Dass das Vergussmaterial im Wesentlichen frei vom Licht absorbierenden Material ist, bedeutet, dass das Licht

absorbierende Material oder der Licht absorbierende

Bestandteil des Licht absorbierenden Materials, wie

beispielsweise Licht absorbierende Teilchen, nicht gezielt in das Vergussmaterial eingebracht ist. Durch Diffusionsprozesse an der Grenzfläche zwischen Vergussmaterial und Licht

absorbierendem Material kann es jedoch dazu kommen, dass geringe Anteile des Licht absorbierenden Materials in das lichtdurchlässige Vergussmaterial diffundiert. Bevorzugt beträgt der Gewichtsanteil beispielsweise an

strahlungsabsorbierenden Teilchen des Licht absorbierenden Materials im lichtdurchlässigen Vergussmaterial höchstens 1 o

o · Das Vergussmaterial ist dabei derart im

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil angeordnet, dass es stellenweise an das Licht absorbierende Material grenzt. Das heißt, das lichtdurchlässige Vergussmaterial bedeckt

beispielsweise die freiliegenden Außenflächen des Licht absorbierenden Materials vollständig und kapselt somit das Licht absorbierende Material nach außen hin ab.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils sind der

Gehäusekörper und das Licht absorbierende Material in der gleichen Farbe ausgebildet. Beispielsweise sind sowohl der Gehäusekörper als auch das Licht absorbierende Material schwarz ausgebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils sind der Chip- Anschlussbereich und/oder der Draht-Anschlussbereich mit einem Metall wie beispielsweise Silber gebildet. Die

Anschlussbereiche können dabei durch Metallisierungen

gebildet sein. Die Metallisierungen sind beispielsweise auf ein Material des Gehäusekörpers aufgebracht. Der

Gehäusekörper kann dazu mit einem Kunststoffmaterial und/oder mit einem keramischen Material gebildet sein. Es ist aber auch möglich, dass die Metallisierung auf einen metallischen Leiterrahmen, der beispielsweise mit Kupfer gebildet ist, aufgebracht ist. Ferner ist es möglich, dass es sich bei den Anschlussbereichen um Teile eines solchen elektrischen

Leiterrahmens (englisch auch leadframe) handelt, die nicht mit einer zusätzlichen Metallisierung versehen sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils hemmt das Licht absorbierende Material die Migration des Metalls also zum Beispiel des Silbers der Anschlussbereiche. Dazu können beispielsweise Licht absorbierende Partikel des Licht

absorbierenden Materials derart ausgebildet sein, dass eine Migration insbesondere im elektrischen Feld von

beispielsweise Ionen des Metalls oder des Silbers durch die Partikel gehemmt ist. Ferner ist es möglich, dass das Licht absorbierende Material weitere Füllstoffe aufweist, welche die Migration im elektrischen Feld hemmen. Bei den

Füllstoffen kann es sich beispielsweise um Partikel eines keramischen Materials oder Partikel aus Titandioxid handeln.

Insbesondere, wenn der Chip-Anschlussbereich und/oder der Draht-Anschlussbereich mit einem Metall wie Silber gebildet sind, ergibt sich als weiterer Vorteil, dass eine eventuelle Oxidation oder Korrosion des Metalls der Anschlussbereiche oder des Anschlussbereichs nach dem Abdecken der

freiliegenden Stellen der Anschlussbereiche durch das Licht absorbierende Material von außen nicht mehr erkennbar ist oder verhindert wird. Das heißt, es ist auch möglich, dass das Licht absorbierende Material eine Oxidation und/oder Korrosion des Metalls der Anschlussbereiche oder des

Anschlussbereichs hemmt, verzögert oder verhindert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist das Licht absorbierende Material mit einem Jetprozess aufgebracht.

Ferner ist es möglich, dass das Licht absorbierende Material mittels eines Moldprozesses , mittels selektiven Abscheidens (zum Beispiel mittels eines Plasmasprayprozess) , mittels eines Siebdrucks, mittels Sputterns oder mittels Sprühens aufgebracht ist. Die einzelnen Aufbringprozesse sind dabei am fertigen Produkt voneinander unterscheidbar. Es handelt sich daher bei diesen Aufbringprozessen für das Licht

absorbierende Material um gegenständliche Merkmale, die am fertigen strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil

nachweisbar sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Licht absorbierende Material ein Silikon, in das Licht

absorbierende Teilchen eingebracht sind. Bei den Licht absorbierenden Teilchen kann es sich beispielsweise um

Rußpartikel handeln. Bei dem Ruß handelt es sich bevorzugt um amorphen Ruß (englisch auch amorphous carbon black) . Der Anteil des Absorbers - zum Beispiel der Rußpartikel - im Matrixmaterial - zum Beispiel dem Silikon - des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils beträgt bevorzugt zwischen wenigstens 7 Gewichts-% und höchstens 13 Gewichts-%, zum Beispiel 10 Gewichts-%. Für ein viskoses Material wie beispielsweise Silikon stellt ein Jetprozess eine besonders geeignete Methode zum

Aufbringen des Licht absorbierenden Materials dar.

Das hier beschriebene strahlungsemittierende

Halbleiterbauteil eignet sich besonders gut zur Verwendung in so genannten Videowänden, bei denen einzelne Bildpunkte durch strahlungsemittierende Halbleiterchips des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils gebildet sind. Das hier beschriebene strahlungsemittierende Halbleiterbauteil zeichnet sich durch den hohen Kontrast zwischen

ausgeschaltetem und eingeschaltetem Zustand des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils aus. Durch das Abdecken der hellen Bereiche im Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauteil, wie beispielsweise der Anschlussbereiche, mit dem Licht absorbierenden Material entsteht ein

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, das im

ausgeschalteten Zustand in Draufsicht beispielsweise

vollständig schwarz erscheint. Dadurch, dass der

strahlungsemittierende Halbleiterchip stellenweise frei vom Licht absorbierenden Material bleibt, ist eine hohe

Helligkeit des vom Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil abgestrahlten Lichts oder der vom Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung erreichbar .

Es wird ferner eine Anzeigevorrichtung angegeben, wobei

Bildpunkte (Pixel) der Anzeigevorrichtung durch hier

beschriebene strahlungsemittierende Halbeiterbauteile gebildet sind. Bei der Anzeigevorrichtung handelt es sich zum Beispiel um eine großflächige Videowand, die eine

Displayfläche von wenigstens 5 m^ aufweist. Im Folgenden wird das hier beschriebene

Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil anhand von

Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert . Die Figuren 1A, 1B zeigen schematische Ansichten eines

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ohne das hier beschriebene Licht absorbierende Material.

Die Figuren 2, 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 4C, 5, 6, 7 zeigen anhand schematischer Darstellungen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils .

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur 1A zeigt eine schematische Draufsicht eines

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ohne das hier beschriebene Licht absorbierende Material. Die Figur 1B zeigt die dazugehörige Schnittdarstellung entlang der in der Figur 1A eingezeichneten gestrichelten Linie. Vorliegend umfasst das strahlungsemittierende

Halbleiterbauteil einen Gehäusekörper 10, der beispielsweise mit einem Kunststoffmaterial oder mit einem Keramikmaterial gebildet ist. Der Gehäusekörper 10 ist vorliegend schwarz ausgebildet.

Seitlich aus dem Gehäusekörper 10 ragen elektrische

Anschlussstellen 11, über die strahlungsemittierende

Halbleiterchips la, lb, lc des Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauteils elektrisch kontaktiert werden können. Bei den elektrischen Anschlussstellen 11 handelt es sich

beispielsweise um Teile eines elektrischen Leiterrahmens, die im Gehäusekörper 10 an dessen Chipmontagefläche 10a

freiliegen. Dort bilden sie Draht-Anschlussbereiche 2 und Chip-Anschlussbereiche 3. Die elektrischen Anschlussstellen 11 können mit einem Metall wie Kupfer gebildet sein, das gegebenenfalls zumindest stellenweise mit einem weiteren Metall wie Silber oder Gold beschichtet ist. Auf die Chip-Anschlussbereiche 3 sind strahlungsemittierende Halbleiterchips la, lb, lc aufgebracht. Vorliegend umfasst das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil drei

unterschiedliche strahlungsemittierende Halbleiterchips. Es ist jedoch auch möglich, dass das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil mehr oder weniger strahlungsemittierende Halbleiterchips umfasst. Vorliegend umfasst das

strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen rotes Licht emittierenden Strahlungsemittierenden Halbleiterchip la, einen grünes Licht emittierenden Strahlungsemittierenden Halbleiterchip lb, und einen blaues Licht emittierenden

Strahlungsemittierenden Halbleiterchip lc. Die

Strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb, lc sind jeweils mittels eines Drahtes 12 mit dazugehörigen Draht- Anschlussbereichen 2 elektrisch leitend verbunden.

Bei den Strahlungsemittierenden Halbleiterchips handelt es sich beispielsweise um Leuchtdiodenchips. Ein solches

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil kann beispielsweise einen Bildpunkt einer Anzeigevorrichtung bilden, deren

Bildpunkte durch eine Vielzahl gleichartig ausgebildeter strahlungsemittierender Halbleiterbauteile gegeben sind.

Aufgrund ihrer metallischen Reflektivität weisen die

Anschlussbereiche 2, 3 eine höhere Reflektivität als der beispielsweise schwarz ausgebildete Gehäusekörper 10 auf. Dies kann sich beim Einsatz des Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauteils als störend erweisen.

Anhand der schematischen Draufsicht der Figur 2 ist ein

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils näher erläutert. Im Unterschied zum in Verbindung mit den Figuren 1A, 1B beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die freiliegenden Stellen der Draht-Anschlussbereiche 2 und der Chip- Anschlussbereiche 3 mit einem Licht absorbierenden Material 4 bedeckt (vergleiche dazu auch die Figuren 3A, 3B, 3C, 4A, 4B) .

Das Licht absorbierende Material 4 weist vorzugsweise die gleiche oder eine ähnliche Farbe wie die Chipmontagefläche 10a des Gehäusekörpers 10 oder wie der Gehäusekörper 10 auf. Bei dem Licht absorbierenden Material handelt es sich

beispielsweise um ein Silikon, in das Licht absorbierende Teilchen eingebracht sind. Beispielsweise handelt es sich bei den Licht absorbierenden Teilchen um Rußpartikel. In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 3A ist eine Möglichkeit zur Einbringung des Licht absorbierenden Materials 4 näher dargestellt. In diesem

Ausführungsbeispiel ist das Licht absorbierende Material 4 gezielt im Bereich der Draht-Anschlussbereiche 2 und der Chip-Anschlussbereiche 3 aufgebracht. Die verbleibende

Chipmontagefläche 10a, die beabstandet von den

Anschlussbereichen 2, 3 ist, bleibt vom Licht absorbierenden Material 4 unbedeckt. Sie ist in diesem Fall selbst in der gleichen Farbe oder in einer ähnlichen Farbe wie das Licht absorbierende Material ausgebildet, sodass aus einiger

Entfernung, zum Beispiel in einer Entfernung ab 10 cm vom Auge des Betrachters, von außen nicht erkennbar ist, dass Teile der Chipmontagefläche 10a nicht mit dem Licht

absorbierenden Material 4 bedeckt sind. Das Licht

absorbierende Material 4 befindet sich vorliegend in direktem Kontakt mit Seitenflächen des strahlungsemittierenden

Halbleiterchips la. Dies kann für alle

strahlungsemittierenden Halbleiterchips des

Halbleiterbauteils in gleicher Weise ausgeführt sein.

Die der Chipmontagefläche 10a abgewandten Oberfläche der strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb, lc bleiben dann frei oder im Wesentlichen frei vom Licht absorbierenden Material 4.

Im Ausführungsbeispiel der Figur 3B ist zusätzlich zum Licht absorbierenden Material 4 ein durchlässiges Vergussmaterial 5 auf die Chipmontagefläche 10a aufgebracht, das sich

vorliegend stellenweise in direktem Kontakt mit der

Chipmontagefläche 10a befindet. Bei dem lichtdurchlässigen Vergussmaterial 5 handelt es sich beispielsweise um ein Vergussmaterial, das Silikon enthält oder aus Silikon

besteht. Das Vergussmaterial befindet sich stellenweise in direktem Kontakt mit freiliegenden Außenflächen des Licht absorbierenden Materials 4. Das lichtdurchlässige

Vergussmaterial ist vorzugsweise frei von beispielsweise den Licht absorbierenden Teilchen des Licht absorbierenden

Materials 4.

Im in Verbindung mit der Figur 3C beschriebenen

Ausführungsbeispiel ist das Vergussmaterial 5 an seiner der Chipmontagefläche 10a abgewandten Oberseite konvex nach außen gekrümmt und formt auf diese Weise eine Linse aus.

Im in Verbindung mit der Figur 4A erläuterten

Ausführungsbeispiel bedeckt das Licht absorbierende Material 4 die Chipmontagefläche 10a vollständig. In diesem Fall ist es möglich, dass die Chipmontagefläche 10a in einer anderen Farbe, beispielsweise weiß, ausgebildet ist als das Licht absorbierende Material. Das Licht absorbierende Material 4 ist jedoch vorzugsweise in der gleichen Farbe wie die in der Draufsicht sichtbaren Außenflächen des Gehäusekörpers 10 ausgebildet. Diese Außenflächen können zum Beispiel mit schwarzer Farbe bedruckt sein.

Wie in Verbindung mit der Figur 4B ersichtlich ist, kann das lichtdurchlässige Vergussmaterial 5 auch in diesem Fall direkt an das Licht absorbierende Material 4 und den oder die Strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb, lc grenzen und sich in direktem Kontakt mit diesen Komponenten befinden. Auch eine linsenartige Ausgestaltung der der

Chipmontagefläche 10a abgewandten Oberseite des

lichtdurchlässigen Vergussmaterials 5 ist möglich (siehe Figur 4C) . Anhand der schematischen Draufsicht der Figur 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils näher erläutert. Im Unterschied zum in Verbindung mit der Figur 2 erläuterten Ausführungsbeispiel umfasst das Halbleiterbauteil im

vorliegenden Ausführungsbeispiel für jeden der

Strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb, lc zwei

Draht-Anschlussbereiche 2. Das heißt, jeder der

Strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb, lc umfasst zwei oberseitige Kontaktstellen (nicht dargestellt) , über die er mit einem Draht 12 jeweils mit einem Draht- Anschlussbereich 2 elektrisch leitend verbunden ist. Die Draht-Anschlussbereiche 2 sind dabei wie beispielsweise in Verbindung mit den Figuren 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 4C

beschrieben, mit dem Licht absorbierenden Material 4 an freiliegenden Stellen bedeckt.

Beim in Verbindung mit der Figur 5 beschriebenen

Ausführungsbeispiel können die Strahlungsemittierenden

Halbleiterchips la, lb, lc insbesondere ein Trägerelement oder ein Aufwachssubstrat aufweisen, das mit einem elektrisch isolierenden Material wie Saphir oder SiC gebildet ist.

Der Chipanschlussbereich 3 muss im Ausführungsbeispiel der Figur 5 nicht mit einem reflektierenden Material, wie

beispielsweise einem Metall gebildet sein. Insbesondere ist es möglich, dass ein Abdecken von freiliegenden Stellen der Chip-Anschlussbereiche 3 beim Ausführungsbeispiel der Figur 5 nicht notwendig ist. Es kann in diesem Fall auch lediglich ein Abdecken der freiliegenden Stellen der Draht- Anschlussbereiche 2 erfolgen. In Verbindung mit der Figur 6 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils näher erläutert. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 5 umfassen in diesem Ausführungsbeispiel nur zwei der

Strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb zwei Draht- Anschlussbereiche 2, wobei dem dritten

Strahlungsemittierenden Halbleiterchip lc ein einziger Draht- Anschlussbereich 2 zugeordnet ist.

Das heißt, beim hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil können auch unterschiedliche Typen von strahlungsemittierenden Halbleiterchips Verwendung finden, wobei die Chips voneinander unterschiedlich kontaktiert werden können. Beispielsweise kann zumindest einer der strahlungsemittierenden Halbleiterchips einen rückseitigen und einen vorderseitigen Kontakt aufweisen, wie der

strahlungsemittierenden Halbleiterchip lc in der Figur 6, zumindest einer der strahlungsemittierenden Halbleiterchips kann lediglich vorderseitige oder lediglich rückseitige

Kontakte aufweisen, wie beispielsweise die

strahlungsemittierenden Halbleiterchips la, lb der Figur 6.

In Verbindung mit der Figur 7 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel weist das Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen einzigen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 auf. Beispielsweise wird vom

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil im Betrieb weißes Licht abgestrahlt. Das strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil umfasst vorliegenden zwei Chip-Anschlussbereiche 3, die jeweils mit zugehörigen rückseitigen Kontaktstellen (nicht dargestellt) des Halbleiterchips 1 elektrisch leitend verbunden sind. Die vom Halbleiterchip 1 nicht überdeckten Stellen der Chip- Anschlussbereiche 3 sind mit dem Licht absorbierenden

Material 4 überdeckt, wie dies beispielsweise in einer der Figuren 3A, 3B, 3C, 4A, 4B, 4C näher erläutert ist. Ein wie in der Figur 7 gezeigter strahlungsemittierenden

Halbleiterchip 1, der lediglich über rückseitige Kontakte verfügt, kann dabei auch in hier beschriebenen

strahlungsemittierenden Halbleiterbauteilen mit zwei oder mehr strahlungsemittierenden Halbleiterchips Verwendung finden .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE102010012602.0 , deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der

Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.