Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
RADIO-FREQUENCY ASYMMETRICAL LOW-IMPEDANCE TEST FIXTURE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2015/139402
Kind Code:
A1
Abstract:
The present invention relates to the technical field of radio-frequency microwave measurement, and particularly to a radio-frequency asymmetrical low-impedance test fixture. The test fixture comprises: a PCB board (7) and a bottom plate (9). The left side of the PCB board (7) is provided with a first impedance conversion unit (1), and the right side of the PCB board (7) is provided with a second impedance conversion unit (2). The first impedance conversion unit (1) and the second impedance conversion unit (2) are respectively composed of a group of gradually varied microstrip lines, wherein the widths of all microstrip lines of each group of microstrip lines are the same, and the lengths of each group of microstrip lines regularly change in order from small to big and then in order from big to small in the arrangement direction. The PCB board (7) is connected to the upper end of the bottom plate (9). The provided radio-frequency asymmetrical low-impedance test fixture can effectively increase the real part of the impedance of a transistor to be tested, solve the source problem of oscillation, and prevent a device to be tested from being burnt, thereby guaranteeing that the radio frequency and microwave performance of the device to be tested are fully played.

Inventors:
CONG MIFANG (CN)
LI KE (CN)
REN JIANWEI (CN)
LI YONGQIANG (CN)
DU HUAN (CN)
Application Number:
PCT/CN2014/083056
Publication Date:
September 24, 2015
Filing Date:
July 25, 2014
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
SHANGHAI LIANXING ELECTRONIC COMPANY LTD (CN)
International Classes:
G01R1/04
Foreign References:
CN103852602A2014-06-11
CN101662263A2010-03-03
US7865319B12011-01-04
Other References:
KANG, JIANLEI: "Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences", CHINA MASTER DISSERTATIONS FULL-TEXT DATABASE (INFORMATION TECHNOLOGY EDIT, vol. Hebei Go, no. YANG Kewu, 31 May 2012 (2012-05-31), pages 28 and 29
WANG, SHUI ET AL.: "Pulse Power Testing Method of L-Band High Power Density LDMOS", SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, vol. 37, no. 10, 31 October 2012 (2012-10-31), pages 820 and 821
Attorney, Agent or Firm:
BEIJING BRIGHT & RIGHT LAW FIRM (CN)
北京华沛德权律师事务所 (CN)
Download PDF:
Claims:
权 利 要 求

1、 一种射频非对称低阻抗测试夹具, 其特征在于, 包括: PCB板及底板; 所述 PCB板的左侧设置有第一阻抗变换单元, 所述 PCB板的右侧设置有第二 阻抗变换单元;所述第一阻抗变换单元和所述第二阻抗变换单元分别由一组渐 变的微带线组成, 每组所述微带线中的每条微带线的宽度相同, 每组所述微带 线的长度在排列方向上按照从小到大, 再从大到小的规律变化; 所述 PCB板 上还设置有扇形电容、 电源端和接地端, 所述扇形电容的一个极板与所述第二 阻抗变换单元及所述电源端连接, 所述扇形电容的另一个极板接地, 所述接地 端用于接地; 所述 PCB板连接在所述底板的上端。

2、 根据权利要求 1所述的射频非对称低阻抗测试夹具, 其特征在于, 所 述 PCB板上还设置有散热孔。

3、 根据权利要求 1所述的射频非对称低阻抗测试夹具, 其特征在于, 还 包括螺钉; 所述 PCB板通过所述螺钉设置在所述底板上。

4、 根据权利要求 1所述的射频非对称低阻抗测试夹具, 其特征在于, 所 述底板上设置有散热孔。

5、 根据权利要求 1所述的射频非对称低阻抗测试夹具, 其特征在于, 每 组所述微带线中包含 100根所述微带线。

Description:
射频非对称低阻抗测试夹具

技术领域

本发明涉及射频微波测量技术领域,特别涉及 一种射频非对称低阻抗测试 夹具。 背景技术

目前, 通常使用 50 Ω测试夹具测试大栅宽、 高功率的 PA(Power Amplifier, 功率放大器), 50 Ω测试夹具为对称型测试夹具, 对称型测试夹具是指输入输 出端变换成相等的阻抗值, 因为被测试设备的输入、 输出阻抗不相等, 所以现 有的 50 Ω测试夹具变换后的输入阻抗与输出阻抗不能 完全匹配被测试设备 的测试, 输入阻抗失配导致测试大功率容易引起低频振 荡, 烧毁器件, 输出阻 抗失配导致测量不准确。 发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够与 待测试器件的输入、输出阻 抗相匹配, 防止烧毁待测试器件, 保证待测试器件微波性能测量准确度的射频 非对称低阻抗测试夹具。

为解决上述技术问题, 本发明提供了一种射频非对称低阻抗测试夹具 , 包 括: PCB板及底板; 所述 PCB板的左侧设置有第一阻抗变换单元, 所述 PCB 板的右侧设置有第二阻抗变换单元;所述第一 阻抗变换单元和所述第二阻抗变 换单元分别由一组渐变的微带线组成,每组所 述微带线中的每条微带线的宽度 相同, 每组所述微带线的长度在排列方向上按照从小 到大, 再从大到小的规律 变化; 所述 PCB板上还设置有扇形电容、 电源端和接地端, 所述扇形电容的 一个极板与所述第二阻抗变换单元及所述电源 端连接,所述扇形电容的另一个 极板接地, 所述接地端用于接地; 所述 PCB板连接在所述底板的上端。

进一步地, 所述 PCB板上还设置有散热孔。

进一步地, 还包括螺钉; 所述 PCB板通过所述螺钉设置在所述底板上。 进一步地, 所述底板上设置有散热孔。

进一步地, 每组所述微带线中包含 100根所述微带线。

本发明提供的射频非对称低阻抗测试夹具,通 过第一阻抗变换单元和第二 阻抗变换单元分别变换得到与待测试器件输入 、输出相匹配的阻抗, 可以有效 的提高待测晶体管的阻抗实部, 解决振荡的源头问题, 防止烧毁待测试器件, 保证待测试器件微波测量准确度。 附图说明

图 1为本发明实施例提供的 PCB板结构示意图;

图 2为本发明实施例提供的底板结构示意图。 具体实施方式

参见图 1和图 2, 本发明实施例提供的一种射频非对称低阻抗测 试夹具, 包括: PCB板 7、底板 9及螺钉。 PCB板 7的左侧设置有第一阻抗变换单元 1, PCB板 7的右侧设置有第二阻抗变换单元 2, 第一阻抗变换单元 1和第二阻抗 变换单元 2分别由一组渐变的微带线 (如 Klopfenstein渐变微带线) 组成, 每 组微带线由 100条微带线组成, 每组微带线中的每条微带线的宽度相同, 每组 微带线的长度在排列方向上按照从小到大, 再从大到小的规律变化。 PCB板 7 上还设置有扇形电容 3、 电源端 4和接地端 5, 扇形电容 3的一个极板与第二 阻抗变换单元 2及电源端 4连接, 扇形电容 3 的另一个极板接地, 接地端 5 用于接地, 且与 PCB板 7上需要接地的端孔连接; PCB板 7通过螺钉连接在 底板 9的上端, 底板 9采用铜板, 且底板 9的两端可以根据实际需要设置电气 接头, 用于和外部的电器元件连接。 本发明实施例中, PCB 板 7 上还设置有 散热孔 6。 底板 9上设置有散热孔。

由于低阻抗测试夹具需要测试大栅宽 LDMO S器件不同频点的 S参数来评 估器件频率特性, 因此这个阻抗变换预匹配 PCB板 7必须是宽带的, 采用渐 变微带线能够很好的实现。 同时结合被测试器件阻抗等问题, 本发明中, PCB 板 7采用 100节 Klopfenstein渐变微带线来实现, 输入端阻抗从 50欧姆变换 到 10欧姆, 输出端阻抗从 50欧姆变换到 3欧姆。扇形电容 3起到隔离高频信 号以及滤除电源紋波作用,待测试器件的两个 管脚分别连接在第一阻抗变换单 元和第二阻抗变换单元的头部 (即两组微带线较为密集的一端)。 本发明实施 例提供的射频非对称低阻抗测试夹具的带宽涵 盖 P波段、 L波段、 S波段, 测 试适用范围很广, 并且可以测试出待测试器件不稳定区域。 本发明实施例提供 的射频非对称低阻抗测试夹具, 可以用于微波射频功率管的器件性能测试, 但 它的使用可能会引入测试误差,利用矢量网络 分析仪测试得到的是包括低阻抗 测试夹具和待测管整体的 S 参数, 把射频非对称低阻抗测试夹具的误差影响 去除掉就可以得到待测管准确的 S 参数。 因此对低阻抗测试夹具的校准是测 试的理论前提, 本实施例可采用 TRL算法可以实现对低阻抗测试夹具的准确 校准。 发明提供的射频非对称低阻抗测试夹具,通过 第一阻抗变换单元 1和第二 阻抗变换单元分 2别变换得到与待测试器件输入、 输出相匹配的阻抗, 可以有 效的提高待测试期间(如待测试的晶体管)的 阻抗实部,解决振荡的源头问题, 防止烧毁待测试器件, 保证待测试器件微波测量准确度。

最后所应说明的是,以上具体实施方式仅用以 说明本发明的技术方案而非 限制, 尽管参照实例对本发明进行了详细说明, 本领域的普通技术人员应当理 解, 可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替 换, 而不脱离本发明技术方 案的精神和范围, 其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。