Baret, Guy (21 rue Jules Ferry Voiron, F-38500, FR)
| 1. | Structure de dalle arrière pour écran de visualisation à plasma comportant un réseau d'électrodes électriquement conductrices (2), une couche diélectrique (3), un réseau de barrières (4) et un réseau de luminophores (7) rouges, verts et bleus déposés entre les barrières, structure caractérisée en ce que la couche diélectrique (3) est constituée par un mélange d'une poudre d'oxydes minéraux, de granulométrie moyenne comprise entre 0,2 et 10 um et de température de fusion ou de ramollissement supérieure à 550°C, et de 15% à 40% d'un mélange comportant un matériau oxyde minéral à grains très fins de dimensions caractéristiques inférieures à 0,2 um, et/ou un verre d'oxydes à bas point de fusion, dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C, et en ce que le réseau de barrières (4) est constitué par un mélange d'une poudre d'oxydes minéraux, de granulométrie moyenne comprise entre 0,2 et 10 um et de température de fusion ou de ramollissement supérieure à 550°C, et de 10% à 30% d'un verre d'oxydes à bas point de fusion, dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C. |
| 2. | Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche diélectrique (3) est composée d'au moins 60%, en masse, de poudre d'oxydes minéraux, de moins de 20%, en masse, de matériau oxyde minéral à grains très fins et de moins de 30% de verre d'oxydes à bas point de fusion. |
| 3. | Structure selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la poudre d'oxydes minéraux de la couche diélectrique (3) contient des pigments blancs. |
| 4. | Structure selon l'une quelconque des revendications là 3, caractérisée en ce que le réseau de barrières (4) comporte, en outre, un matériau oxyde minéral à grains très fins de dimensions caractéristiques inférieures à 0,2 um. |
| 5. | Structure selon la revendication 4, caractérisée en ce que les barrières (4) sont composées d'au moins 70%, en masse, de poudre d'oxydes minéraux, de moins de 20%, en masse, de matériau oxyde minéral à grains très fins et de 10 à 30% de verre à bas point de fusion. |
| 6. | Structure selon l'une quelconque des revendications 1à 5, caractérisée en ce que les oxydes sont constitués par un oxyde, un mélange d'oxydes ou une solution d'oxydes de silicium, aluminium, bore, calcium, magnésium, phosphore, titane, cérium, plomb, bismuth ou d'oxydes alcalins. |
| 7. | Structure selon l'une quelconque des revendications 1à 6, caractérisée en ce que les barrières (4) comportent une couche sombre de sommet (5), dans laquelle la poudre d'oxydes minéraux comporte un composé oxyde minéral absorbant la lumière et choisi parmi les oxydes purs ou mixtes de fer, cobalt, cuivre, chrome, aluminium et nickel. |
| 8. | Structure selon l'une quelconque des revendications 1à 7, caractérisée en ce que les électrodes sont réalisées en un matériau composé d'une poudre métallique additionnée de 7% à 25% d'un verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C. |
| 9. | Procédé de réalisation d'une structure de dalle arrière d'un écran de visualisation à plasma selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant la formation, sur un substrat (1), d'un réseau d'électrodes électriquement conductrices (2), d'une couche diélectrique (3), d'un réseau de barrières (4) et d'un réseau de luminophores (7) rouges, verts et bleus déposés entre les barrières, la formation des barrières étant réalisée par dépôt d'une couche (11) précurseur des barrières, réalisation d'un masque de sablage (16), photolithographie du masque de sablage (16) et sablage de la couche (11) précurseur des barrières à travers le masque de sablage, procédé caractérisé en ce que la formation des barrières est réalisée par préparation de pâtes destinées à la réalisation d'au moins une couche (11,12) précurseur des barrières, dépôt et séchage de la couche précurseur des barrières, préparation, à partir d'une solution aqueuse d'un alcool polyvinylique, d'une pâte destinée à la réalisation d'une couche (13) précurseur du masque de sablage (16), dépôt et séchage de la couche précurseur du masque de sablage, photolithographie du masque de sablage, puis sablage de la couche précurseur des barrières. |
| 10. | Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la formation des barrières comporte le dépôt d'une première couche (11) précurseur du corps des barrières et d'une seconde couche (12) précurseur du sommet des barrières, la pâte destinée à la réalisation de la seconde couche comportant une poudre d'oxydes minéraux avec un composé oxyde minéral absorbant la lumière. |
| 11. | Procédé selon l'une des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comporte une unique cuisson finale, à une température comprise entre 400°C et 520°C, après dépôt de tous les éléments de la structure et sablage des barrières. |
| 12. | Écran de visualisation à plasma caractérisé en ce qu'il comporte une structure de dalle arrière selon l'une quelconque des revendications 1 à 8. |
État de la technique Dans les dispositifs connus, la structure de la dalle arrière d'un panneau à plasma, représentée en figure 1, comporte un substrat de verre 1 sur lequel est déposé tout d'abord un réseau d'électrodes 2. Ce réseau est ensuite couvert par une couche diélectrique 3 d'un matériau vitreux transparent ou d'aspect blanc diffusant dont l'épaisseur peut varier de 5 à 30 um. Cette couche diélectrique est elle-mme recouverte par un réseau de barrières 4, dont l'épaisseur peut varier de 80 à 150um et dont la largeur, qui peut ne pas tre uniforme sur la hauteur des barrières, est comprise entre 40 et 150 um, une valeur typique étant 80 um. Le sommet 5 des barrières, dont l'épaisseur peut varier de 3 à 15 um, peut tre sombre pour augmenter le contraste du panneau. Une couche réfléchissante blanche 6 peut tre déposée avant les luminophores sur les barrières 4 et la couche diélectrique 3. Des luminophores 7 rouges, verts et bleus sont ensuite déposés alternativement entre les barrières 4. Un joint de
scellement 8, destiné à sceller ensemble les substrats avant et arrière de l'écran à plasma, peut avantageusement tre déposé sur la dalle arrière.
Une telle structure peut tre commune aux technologies de panneaux à plasma de type coplanaire ou matriciel, ces deux technologies étant connues de l'homme de l'art.
Objet de l'invention L'invention a pour but la réduction du coût de fabrication d'une telle structure.
Ce but est atteint par une structure et un procédé de réalisation selon les revendications. L'invention couvre également un écran comportant une structure de dalle arrière ainsi formée.
Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs, et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : La figure 1 illustre une structure de dalle arrière selon l'art antérieur.
Les figures 2 et 3 illustrent un ensemble de couches obtenues au cours de la réalisation d'une structure selon l'invention, respectivement avant et après formation des barrières.
Description de modes particuliers de réalisation.
Selon l'invention, les matériaux qui composent la couche diélectrique 3, le réseau de barrières 4 et l'éventuelle couche sombre 5 de la structure sont constitués par des mélanges d'une poudre d'oxydes minéraux, de granulométrie moyenne comprise entre 0,2 et 10 um et de température de fusion ou de ramollissement supérieure à 550°C, d'un matériau oxyde minéral à grains très fins de dimensions caractéristiques inférieures à 0,2 um, et d'un verre d'oxydes dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C, la proportion de chacun de ces constituants étant spécifique à chacun des trois éléments de la structure. Les oxydes sont des oxydes ou mélange d'oxydes ou solution d'oxydes ou verres d'oxydes, en particulier mais sans tre limitatif de silicium, aluminium, bore, calcium, magnésium, phosphore, titane, cérium, plomb, bismuth et les oxydes alcalins.
La couche diélectrique 3 est composée d'au moins 60%, en masse, de poudre d'oxydes minéraux, et de 15% à 40% d'un mélange comportant le matériau oxyde minéral à grains très fins et/ou le verre d'oxydes à bas point de fusion.
Elle comporte de 0% à 20%, en masse, de matériau oxyde minéral à grains très fins et de 0% à 30% de verre d'oxydes à bas point de fusion. Préférentiellement, la couche diélectrique est composée de 65% à 95%, en masse, de poudre d'oxydes minéraux, de 5% à 25%, en masse, de matériau à grains très fins et entre 0% et 30% de verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C. Plus préférentiellement, la couche diélectrique est composée de 70% à 85%, en masse, de poudre d'oxydes minéraux, de 5% à 20%, en masse, de matériau à grains très fins et entre 10% et 25% du verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C. La poudre d'oxydes minéraux de la couche diélectrique 3 contient, de préférence, des pigments blancs permettant
d'obtenir une forte teinte blanche afin d'augmenter le coefficient de réflexion diffuse de la couche diélectrique 3.
Le corps des barrières 4 est composé d'au moins 70%, en masse, de poudre d'oxydes minéraux, de 0% à 20%, en masse, de matériau oxyde minéral à grains très fins et de 10% à 30% de verre à bas point de fusion.
Préférentiellement, le corps des barrières est composé de 75% à 95%, en masse, de la poudre d'oxydes minéraux, de 0% à 15%, en masse, du matériau à grains très fins et entre 10% et 30% du verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C. Plus préférentiellement, le corps des barrières est composé de 85% à 89%, en masse, de la poudre d'oxydes minéraux, de 0% à 4%, en masse, du matériau à grains très fins et entre 11 et 15% du verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C.
Dans un mode de réalisation préférentiel, les barrières comportent une couche sombre de sommet 5, dans laquelle la poudre d'oxydes minéraux comporte un composé oxyde minéral absorbant la lumière et choisi parmi les oxydes purs ou mixtes de fer, cobalt, cuivre, chrome, aluminium et nickel.
Avantageusement, les électrodes sont réalisées en un matériau composé d'une poudre métallique additionnée de 7 à 25% d'un verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C.
Pour réaliser la couche diélectrique 3, on prépare une pâte à partir d'une solution liquide contenant une résine organique, d'une poudre d'oxydes minéraux de granulométrie moyenne comprise entre 0,2 et 10 um et de température de fusion ou de ramollissement supérieure à 550°C, d'un matériau oxyde minéral à grains très fins de dimensions caractéristiques inférieures à 0,2 um et d'un verre d'oxydes dont la température de ramollissement est inférieure
à 520°C. Le matériau à grains très fins peut tre apporté sous forme d'une solution liquide précurseur comme, par exemple, du tétra-éthyl-orthosilicate qui se décomposera en silice, ou sous forme d'une solution colloïdale. La fraction massique de résine organique dans le liquide, exprimée en pourcentage de résine sèche par rapport aux composés minéraux, est comprise entre 0,5 et 10%.
La viscosité de la pâte est adaptée pour tre compatible avec la technique de dépôt, c'est-à-dire entre 5000 et 100 000 centipoises si la pâte est déposée par sérigraphie ou en dépôt au rouleau, moins de 1000 centipoises si la pâte est déposée en spray. D'autres techniques de dépôt sont cependant utilisables sans limiter le champ d'application de l'invention.
On procède au dépôt de la couche 10 qui sera le précurseur de la couche 3 et ensuite au séchage de cette couche 10 entre 50°C et 200°C. L'épaisseur de cette couche après séchage peut varier de 5 à 40 um.
La solution contenant une résine organique est une solution aqueuse d'un alcool polyvinylique. La pâte peut alors tre éventuellement additionnée d'agents anti- mousse et d'agent de texture, par exemple des glycols comme le triéthylène glycol. Dans le cas où la résine est polymérisable, un agent de polymérisation de la résine pourra tre additionné à la solution.
Pour réaliser les barrières 4 et, éventuellement, la couche 5 de sommet de barrières, on procède en plusieurs étapes. On dépose tout d'abord une couche 11 qui formera le corps des barrières. Si la structure intègre une couche sombre en sommet de barrières, on dépose alors une couche 12 plus mince qui constituera le sommet des barrières. On dépose ensuite une couche 13 servant de précurseur du masque de sablage. On réalise alors par photolithographie le
masque de sablage qui servira à délimiter le motif des barrières. Enfin, on abrase par sablage les couches déposées et non protégées par le masque de sablage. L'intért du procédé objet de l'invention est, notamment, de ne pas nécessiter le retrait du masque de sablage car celui-ci est détruit lors du traitement thermique final.
Pour la réalisation des barrières, on prépare tout d'abord une pâte à partir d'une solution aqueuse d'une résine, par exemple d'un alcool polyvinylique, d'une poudre d'oxydes minéraux de granulométrie moyenne comprise entre 0,2 et 10 um et de température de fusion ou de ramollissement supérieure à 550°C, d'un verre d'oxydes dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C, et éventuellement, d'un matériau oxyde minéral à grains très fins de dimensions caractéristiques inférieures à 0,2 um. Le matériau à grains très fins peut tre apporté sous forme d'une solution liquide précurseur ou d'une solution colloïdale. La fraction massique d'alcool polyvinylique dans l'eau, exprimée en pourcentage d'alcool polyvinylique par rapport aux composés minéraux, est comprise entre 0% et 0,5%. La pâte peut tre éventuellement additionnée d'agents anti-mousse et d'agent de texture.
La viscosité de la pâte est adaptée pour tre compatible avec la technique de dépôt, c'est-à-dire entre 5000 et 100 000 centipoises si la pâte est déposée par sérigraphie ou en dépôt au rouleau ou par raclage, plus connu sous le terme de « blade coating », moins de 1000 centipoises si la pâte est déposée en spray.
D'autres techniques de dépôt sont cependant utilisables sans limiter le champ d'application de l'invention. On procède au dépôt de la couche 11 puis au séchage entre 50°C et 200°C. L'épaisseur de cette couche 11 après séchage peut varier de 80 à 150 um.
Lorsque les barrières ont, à leur sommet, une couche sombre, on prépare alors une pâte du mme type que celle préparée pour le dépôt du corps des barrières mais avec une composition contenant un composé oxyde minéral absorbant la lumière. La poudre d'oxydes minéraux de granulométrie comprise entre 0,2 et 12 um comporte alors un composé oxyde minéral absorbant la lumière, par exemple noir ou bleu sombre. La composition de la couche de sommet de barrière est prise dans les mmes gammes de composition que le corps des barrières sans que le rapport des trois composés poudre d'oxydes minéraux, matériau à grains très fins et verre dont la température de ramollissement est inférieure à 520°C, soit forcément identique à celui retenu pour le corps des barrières. Le composé oxyde minéral absorbant la lumière peut tre choisi parmi les oxydes purs ou mixtes de fer, cobalt, cuivre, chrome, aluminium et nickel.
Ces composés sont connus de l'homme de l'art et utilisés comme pigment noir ou bleu dans de nombreuses applications.
La viscosité de la pâte est adaptée pour tre compatible avec la technique de dépôt, c'est-à-dire entre 5000 et 100 000 centipoises si la pâte est déposée en sérigraphie ou au dépôt au rouleau ou par raclage, moins de 1000 centipoises si la pâte est déposée en spray. D'autres techniques de dépôt sont cependant utilisables sans limiter le champ d'application de l'invention. On procède au dépôt de la couche 12 puis au séchage de cette couche entre 50°C et 200°C.
L'épaisseur de cette couche après séchage peut varier de 5 à 20 um.
On réalise ensuite, par photolithographie, le masque de sablage qui servira à délimiter le motif des barrières en bloquant l'érosion des couches sous-jacentes par le jet de particules dans l'opération de sablage. Pour cela on prépare une solution aqueuse d'un alcool polyvinylique (PVA) et d'un photosensibilisateur qui pourra tre du bichromate d'ammonium, de sodium ou de potassium ou bien un composé diazoté connu pour entraîner la polymérisation de l'alcool polyvinylique
(PVA) sous insolation par des rayons ultraviolets. Cette solution est éventuellement additionnée d'agents anti-mousse et d'agents de texture ou de plasticité tels que par exemple des glycols comme le triéthylène glycol.
L'alcool polyvinylique (PVA) servant à la réalisation du masque peut tre chargé avec une matière minérale, en particulier avec un matériau précurseur d'un oxyde minéral à grains très fins de dimensions caractéristiques inférieures à 0,2 um qui peut tre apporté soit sous forme solide en poudre, soit sous forme d'une solution liquide précurseur comme, par exemple, du tétra-éthyl- orthosilicate qui se décomposera en silice, soit encore sous forme d'une solution colloïdale. La quantité d'alcool polyvinylique (PVA) est telle que la viscosité est compatible avec la technique de dépôt, c'est-à-dire entre 1000 et 20 000 centipoises si la pâte est déposée par sérigraphie, moins de 1000 centipoises si la pâte est déposée en spray. D'autres techniques de dépôt sont cependant utilisables sans limiter le champ d'application de l'invention.
On procède alors au dépôt de la couche 13 précurseur du masque de sablage et au séchage entre 40°C et 100°C. L'épaisseur de cette couche sèche peut varier de 2 à 25 um, une valeur typique étant de 10 um. On procède ensuite à la photolithographie à travers le masque d'insolation 14 qui délimite les zones du masque de sablage exposées au flux de rayons ultraviolets (UV) 15. Le flux de rayons ultraviolets nécessaire pour obtenir une polymérisation dépend fortement de l'épaisseur de la couche 13 et il est généralement compris entre 100 et 2000mJ/cm2. On procède ensuite au développement de la résine du masque de sablage, constituée par l'alcool polyvinylique. Cette opération consiste à dissoudre la résine dans les zones non insolées. Elle s'opère en projetant sur la surface de la couche un jet de gouttelettes d'eau. On sèche ensuite la surface pour obtenir le masque de sablage 16.
On procède alors au sablage pour former les barrières. Cette opération consiste à projeter sur la surface des grains de matériau comme, par exemple, du verre ou du sable ou du carbonate de calcium. Cette phase de sablage est déjà connue et utilisée pour former les barrières dans les écrans à plasma connus, mais elle utilise alors comme masque de sablage, pour protéger de l'abrasion le matériau précurseur des barrières, une résine en film sec qui nécessite un développement et une dissolution en milieux alcalins. Ces étapes sont supprimées dans un procédé selon l'invention.
On procède ensuite à un nettoyage de la surface par soufflage avec de l'air sous pression ou par exposition à un courant d'eau ou à une projection d'eau puis séchage.
Dans une amélioration du procédé de l'invention, la couche qui sert de masque lors de l'opération de sablage produit la couche noire de sommet des barrières.
II n'est alors pas nécessaire de déposer auparavant la couche noire 12 de sommet de barrières. La pâte qui sert à produire le masque est alors identique à celle décrite précédemment pour la réalisation du masque de sablage, avec éventuellement sa charge minérale telle que décrite précédemment, mais elle est, de plus, chargée d'un composé oxyde minéral absorbant la lumière en proportion comprise entre 2 et 20% en masse.
On peut alors déposer la couche 6, destinée à former un diffuseur blanc, comme il est connu de le faire sur les dalles arrière pour panneau à plasma, puis procéder au dépôt des luminophores 7, de manière classique et connue, par exemple en préparant une pâte contenant une solution liquide d'une résine, par exemple un alcool polyvinylique, et une poudre de l'un des trois composés
luminophores, rouge par exemple. La pâte peut tre déposée en sérigraphie. Le dépôt est alors séché entre 40°C et 200°C.
On procède ensuite de la mme façon pour le dépôt des luminophores verts et bleus et de manière à former un motif composé de trois bandes, rouge, verte et bleue, ce motif étant répété sur toute la largeur du substrat couverte par le réseau de barrières. Le luminophore rouge est un oxyde d'yttrium dopé à l'europium. Le luminophore vert est soit un oxyde complexe de baryum, aluminium et magnésium dopé au manganèse, soit un silicate de zinc dopé au manganèse. Le luminophore bleu est un oxyde complexe de baryum, aluminium et magnésium dopé à l'europium.
Sur cette dalle arrière, on peut avantageusement déposer le cordon de matériau de scellement 8, comme il est connu de le faire, par exemple à l'aide d'un dispenser à seringue. La fritte de verre formant le matériau de scellement sera un verre à bas point de fusion dont il existe commercialement de nombreuses références adaptées au scellement de dalles de verre. Ce verre sera cependant un verre de type non cristallisable (ou non dévitrifiable). Le cordon est alors séché entre 50 et 200°C.
On termine la réalisation de la dalle arrière par une cuisson unique de l'ensemble de la structure, réalisée à une température comprise entre 400 et 520°C, pendant une durée allant de 10 minutes à plusieurs heures, un cycle typique étant 440°C pendant 30 minutes.
Dans une variante du procédé, on dépose et l'on sèche les électrodes de façon classique, avec les matériaux habituels, le verre entrant dans leur composition étant, de préférence, un verre dont la température de ramollissement est comprise entre 350°C et 450°C, par exemple un silicate de plomb, et dont la
granulométrie moyenne est comprise entre 0,5 et 3 um, mais aucune cuisson n'est pratiquée sur le substrat et les électrodes.
Les avantages du procédé décrit ci-dessus sont multiples. Un premier avantage est que ce procédé ne contient qu'une seule cuisson finale, entre 400 et 520°C.
Le coût de réalisation de la structure est donc très faible comparé au coût des procédés actuels. De plus, aucune déformation du substrat de verre n'intervient au cours du procédé et l'alignement des barrières sur les électrodes ne dépend alors que de la qualité des masques d'insolation. Des alignements à mieux que 20 um sur toute la surface du substrat sont ainsi faciles à obtenir. Un second avantage du procédé est que le développement de la résine de masquage se fait à l'eau, donc sans addition de produit chimique, qui nécessite un retraitement de l'eau. Un troisième avantage réside dans la très forte adhérence de la couche de masquage sur les couches sous-jacentes, en particulier lorsque la mme résine est utilisée dans les couches formant les barrières et la couche formant le masque. Un quatrième avantage est que la couche de masquage pour l'opération de sablage n'a pas besoin d'tre strippée car la résine qui la constitue est décomposée thermiquement lors de la cuisson finale entre 400°C et 480°C. Un cinquième avantage est que cette mme couche peut également jouer le rôle de couche sombre en sommet de barrières. Un sixième avantage est que cette structure peut tre réalisée sans aucun métal lourd, tel que le plomb ou le bismuth.
Un exemple de réalisation d'une dalle arrière est décrit ci-dessous. Le substrat de verre sodo-calcique mesure 1000 mm de long et 560 mm de large. La dalle arrière doit présenter 2880 électrodes en colonnes au pas de 0.32 mm.
On réalise les électrodes 2 par sérigraphie d'une pâte d'argent préparée en mélangeant 100 grammes d'une solution aqueuse d'alcool polyvinylique de
grade 30/70 à 1000 centipoises, 400 grammes de poudre d'argent de granulométrie moyenne 0,8 um et un anti-mousse. Le dépôt de cette pâte est réalisé par sérigraphie à travers une toile inox de 140 mailles au centimètre portant le motif des électrodes. On sèche ensuite la pâte déposée dans un four à air chaud à 120°C pendant 15 minutes.
On prépare ensuite la pâte destinée à la réalisation de la couche 10 précurseur de la couche diélectrique 3. Pour cela, on mélange 80 grammes d'une solution aqueuse d'alcool polyvinylique de grade 30/70 à 1000 centipoises, 150 grammes de poudre de silice de granulométrie moyenne 2 um, 50 grammes d'oxyde de titane de granulométrie moyenne 0,5 um, 70 grammes d'une solution aqueuse de silice colloïdale à 40% de silice, 40 grammes d'un verre de silicate de plomb à 20% de silice et un anti-mousse commercial. La solution est homogénéisée par passage dans un tribroyeur. Le dépôt de cette pâte est réalisé par sérigraphie à travers une toile inox de 54 mailles au centimètre. On sèche ensuite la pâte déposée dans un four à air chaud à 200°C pendant 15 minutes. L'épaisseur de la couche sèche est de 10 um.
On réalise ensuite la couche 11 destinée à former le corps des barrières. Pour cela, on mélange 40 grammes d'une solution aqueuse d'alcool polyvinylique de grade 14/135 à 30 centipoises, 200 grammes de poudre d'alumine de granulométrie moyenne 4 um, 20 grammes d'oxyde de titane de granulométrie moyenne 0,5 um, 55 grammes d'une solution aqueuse de silice colloïdale à 40% de silice, 40 grammes d'un verre de silicate de plomb à 20% de silice et un anti-mousse commercial. La solution est homogénéisée par passage dans un tribroyeur. Le dépôt de cette pâte sur la surface de la couche diélectrique déposée précédemment est réalisé par dépôt au rouleau. On sèche ensuite la pâte déposée dans un four à air chaud à 60°C pendant 10 minutes. L'épaisseur de cette couche sèche et de 105 um.
On réalise ensuite la couche précurseur de la couche sombre 12 destinée à former le sommet 5 des barrières. Pour cela, on ajoute à la pâte précédente 10% d'un oxyde mixte de cobalt, cuivre et chrome et aluminium en poudre de granulométrie moyenne 2 um. La solution est homogénéisée par passage dans un tribroyeur. Le dépôt de cette pâte est réalisé par sérigraphie à travers une toile polyester de 90 mailles au centimètre sur toute la surface de la dalle de la couche déposée précédemment. On sèche ensuite la pâte déposée dans un four à air chaud à 60°C pendant 5 minutes. L'épaisseur de cette couche sèche est de 10 um.
On réalise alors la couche 13 de masquage pour le sablage. On prépare pour cela une solution avec 100 grammes d'alcool polyvinylique PVA, de grade 30/70 à 5000 centipoises, 8 grammes d'une solution à 100 grammes par litre de composé diazoté, 5 grammes de triéthylène glycol et de 3 grammes d'un anti- mousse commercial. La solution est homogénéisée par agitation avec des ultrasons. Le dépôt de cette pâte est réalisé par sérigraphie à travers une toile polyester de 69 mailles au centimètre sur toute la surface de la dalle des couches des barrières déposées précédemment. On sèche ensuite la pâte déposée dans un four à air chaud à 60°C pendant 4 minutes. L'épaisseur de cette couche sèche est de 6 um.
On expose alors cette couche 13 à un flux de 800 mJ/cm2 de rayons ultraviolets de longueur d'onde 365 nm, à travers un masque 14 dont les zones sombres forment le motif des futures barrières. On développe la couche 13 à l'eau, en l'exposant 30 secondes à un jet de gouttelettes d'eau à 30°C. On sèche ensuite la surface en portant le substrat à 60°C pendant 10 minutes, puis on procède au
sablage avec une poudre de carbonate de calcium. On procède ensuite à un nettoyage de la surface par soufflage avec de l'air sous pression.
On dépose enfin la couche diffusante 6 et les luminophores 7 selon un réseau de bandes. On prépare pour cela une solution avec 100 grammes de PVA de grade 30/70 à 400 centipoises, 160 grammes d'une poudre de luminophore rouge d'oxyde d'yttrium dopé europium, de granulométrie moyenne 2,5 um, 2 grammes d'un tensioactif commercial et de 5 grammes d'anti-mousse commercial. La solution est homogénéisée par passage dans un tribroyeur. Le dépôt de cette pâte est réalisé par sérigraphie à travers une toile polyester de 54 mailles au centimètre sur toute la surface de la dalle des couches des barrières déposées précédemment. La toile est bouchée par une résine à l'exception de zones correspondant aux bandes du luminophore rouge. On sèche ensuite la pâte déposée dans un four à air chaud à 100°C, pendant 5 minutes. On procède de mme pour le dépôt du luminophore vert de silicate de zinc dopé au manganèse de granulométrie moyenne 2 um et du luminophore bleu d'oxyde mixte de baryum, aluminium et magnésium dopé à l'europium et de granulométrie moyenne 2 um.
Sur la dalle arrière, on dépose le cordon de matériau de scellement à l'aide d'un dispenseur à seringue. On prépare pour cela une pâte avec une poudre commerciale de fritte de verre non cristallisable et de granulométrie moyenne 40um. Ce cordon est alors séché à 120°C, pendant 10 minutes.
On termine la réalisation de la dalle arrière par la cuisson de l'ensemble de la structure réalisée à une température de 460°C pendant 20 minutes. La dalle est alors prte pour tre assemblée avec une dalle avant pour former un écran à plasma.