B e s c h r e i b u n g

Die Erfindung betrifft eine Aufnahmeeinrichtung gemäß Anspruch 1.

Eine präzise und positionstreue Fixierung von Halbleitersubstraten ist für eine Vielzahl von Prozessen in der Halbleiterindustrie unumgänglich. Zur Handhabung solcher Halbleitersubstrate werden die meist sehr dünnen und anfälligen Halbleitersubstrate auf eine Aufnahmeeinrichtung, einen sogenannten Chuck, aufgebracht und dort fixiert. Die für die Fixierung von Halbleitersubstraten auf den Chucks bekannten Technologien sind insbesondere bei extrem dünnen Halbleitersubstraten mit einer Dicke von weniger als 100 μm, insbesondere weniger als 50 μm sowie bei Substraten mit einer Topographie nicht anwendbar.

Eine sehr häufig verwendete Art der Fixierung erfolgt mit Hilfe von Vakuum beziehungsweise Unterdruck, wobei ein planes Halbleitersubstrat auf einer planen, gehärteten Oberfläche, in welche Vakuumbahnen gefräst sind, durch Unterdruck beziehungsweise Vakuum fixiert wird. Bei besonders dünnen Halbleitersubstraten können die Halbleitersubstrate entlang der Vakuumbahnen brechen oder zumindest beschädigt werden. Ein noch größeres Problem stellt die Fixierung von Substraten mit sehr hoher Topographie dar, wobei die Topographie beispielsweise durch sogenannte Bumps erzeugt wird. Bumps sind kugel-, kegel- oder prismenförmig (quader) aufgetragene, leitende Materialien, die später zur elektrischen Kontaktierung von weiteren Bauteilen dienen. Die Bumps können eine Höhe von mehr als 500 μm, typischerweise zwischen 4-200 μm, meist zwischen 10- 150 μm, aufweisen und in einer großen Vielzahl über die gesamte Substratfläche verteilt sein. Daraus folgt, dass eine Fixierung des Halbleitersubstrats mit den bekannten Verfahren nicht in ausreichendem Maße möglich ist.

Eine weitere Möglichkeit besteht in einer elektrostatischen Fixierung. Elektrostatische Fixiervorrichtungen haben jedoch den Nachteil, dass durch den Aufbau von elektrischen Feldern eine Beschädigung der komplexen Schaltungen auf den Halbleitersubstraten wahrscheinlich ist.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Aufnahmeeinrichtung zu schaffen, mit der dünne Halbleitersubstrate sowie Halbleitersubstrate mit einer Topographie sicher und auf schonende Art und Weise aufgenommen und fixiert werden können.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben. In den Rahmen der Erfindung fallen auch sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in der Beschreibung, den Ansprüchen und/oder den Figuren angegebenen Merkmalen. Bei angegebenen Wertebereichen sollen auch innerhalb der genannten Grenzen liegende Werte als Grenzwerte offenbart und in beliebiger Kombination beanspruchbar sein.

Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, eine gattungsgemäße Aufnahmeeinrichtung durch Vorsehen einer definierten Saugstruktur auf einer Aufnahmeseite der Aufnahmeeinrichtung bei gleichzeitiger Verwendung eines weichen Oberflächenmaterials beziehungsweise Materials der Saugstruktur zu verbessern. Durch Vorsehen eines nachgiebigen Materials an der das Halbleitersubstrat kontaktierenden Oberfläche kann eine schonende Aufnahme des Halbleitersubstrats, auch bei Vorhandensein von einer Topographie auf dem Halbleitersubstrat, gewährleistet werden. Indem das weiche Material gleichzeitig eine das Halbleitersubstrat ansaugende Saugstruktur aufweist, werden die aus dem Stand der Technik bekannten Nachteile vermieden und eine sichere und schonende Aufnahme von dünnen und/oder mit einer Topographie versehenen Halbleitersubstraten ist möglich.

Der Abstand zwischen benachbarten Erhebungen der Saugstruktur sollte dabei im Verhältnis zur Dicke des Halbleitersubstrats kleiner 1 :7, insbesondere kleiner 1 :5, bevorzugt kleiner 1 :3, noch bevorzugter kleiner 1 :2 sein. Analog gilt dies für Durchmesser etwaiger Topographien auf dem Halbleitersubstrat. Der Abstand zwischen benachbarten Erhebungen der Saugstruktur ist demnach maximal 7-fach im Vergleich zur Dicke des Halbleitersubstrats und/oder zum Durchmesser einzelner Topographien des auf der Aufnahmeeinrichtung aufzunehmenden Halbleitersubstrats. In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass sich die Saugstruktur über die gesamte Aufnahmeseite erstreckt. Somit ist das gesamte Halbleitersubstrats auf schonende Art und Weise aufnehmbar. Weiterhin ist mit Vorteil vorgesehen, dass die Saugstruktur eine Shorehärte von weniger als 90 Shore-A aufweist. Optimal für die einerseits stabile und andererseits schonende Halterung des Halbleitersubstrats ist ein weiches Material mit einer Shorehärte zwischen 10 Shore-A und 70 Shore-A, da auf das Halbleitersubstrat zum Teil hohe Auflage- und/oder Querkräfte wirken können. Außerdem ist es für eine hochgenaue Positionierung des Halbleitersubstrats erforderlich, dass das Halbleitersubstrat auf der Aufnahmeeinrichtung nicht schwimmt. Es hat sich jedoch überraschend herausgestellt, dass die Kombination aus weichem Material und Unterdruck auch für eine stabile Seitenführung beziehungsweise stabile Seitenfixierung Sorge trägt.

Indem der Aufnahmekörper aus dem weichen Material besteht, kann der Aufnahmekörper mit der Saugstruktur als ein Teil gebildet sein.

Soweit die definierte Saugstruktur eine oder mehrere, insbesondere überwiegend in Umfangsrichtung des Aufnahmekörpers und/oder des Halbleitersubstrats verlaufende, Bahn(en) aufweist, lässt sich ein besonders definierter Unterdruck über die gesamte Fläche des Halbleitersubstrats aufbauen. Außerdem reicht durch die überwiegend in Umfangsrichtung des Aufnahmekörpers ausgerichteten Bahnen bereits ein geringfügiger Unterdruck aus, um das Halbleitersubstrat sicher zu fixieren.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Saugstruktur, insbesondere im Querschnitt benachbarter Bahnen, zahnartig ausgebildet ist. Mit Vorteil ist weiterhin vorgesehen, dass mindestens eine, insbesondere aus Erhebungen und Vertiefungen bestehende, Bahn spiralförmig, insbesondere von einem Zentrum Z des Aufnahmekörpers aus, verläuft. Eine spiralförmige Bahn lässt sich herstellungstechnisch einerseits leicht verwirklichen und andererseits wird ein maximaler Weg vom Zentrum der Aufnahmeeinrichtung bis zum Umfang der Aufnahmeeinrichtung verwirklicht, so dass ein optimaler Verlauf des an der Bahn anliegenden Unterdrucks gewährleistet ist.

Indem das weiche Material elektrisch leitend ausgebildet ist, können etwaige elektrostatische Aufladungen vermieden werden, beispielsweise durch Erdung der Aufnahmeeinrichtung.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Aufnahmeseite eine Aufnahmeebene A bildet und Seitenwände der Vertiefungen zur Aufnahmeebene A, insbesondere gleichwinkelig, angewinkelt sind, insbesondere in zwischen 30° und 85°, vorzugsweise zwischen 50° und 70°, liegenden Winkeln W 1/W2. Der Winkel W l gilt für eine erste Seitenwand der Vertiefung und der Winkel W2 für eine zweite Seitenwand der Vertiefung.

Dabei ist es von besonderem Vorteil, wenn die Saugstruktur Topographien des Halbleitersubstrats durch die Elastizität und Geometrie der Saugstruktur aufnehmend ausgebildet ist.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen; diese zeigen in: Fig. 1 : eine mikroskopische Aufnahme einer auf einem

Halbleitersubstrat 4 aufgebrachten Topographie 5 und

Fig. 2 : eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen

Aufnahmeeinrichtung und

Fig. 3 : einen schematischen Ausschnitt aus der erfindungsgemäßen

Saugstruktur aus weichem Material.

In den Figuren sind gleiche Bauteile und Bauteile mit der gleichen Funktion mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.

Figur 1 zeigt einen Ausschnitt eines Halbleitersubstrats 4 mit einer Topographie 5, nämlich einzelnen Bumps 5b, die auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 4 verteilt angeordnet sind.

In Figur 2 ist eine Aufnahmeeinrichtung bestehend aus einem Träger 1 und einem auf dem Träger 1 fixierten Aufnahmekörper 3 dargestellt. Der Träger 1 kann beispielsweise zur Aufnahme durch einen Roboterarm oder eine Prozessstation dienen und ist daher vorzugsweise aus starrem Material, insbesondere Metall, gebildet. Der Träger 1 weist mit Vorteil eine größere Grundfläche als der Aufnahmekörper 3 auf. Der Aufnahmekörper 3 ist gegenüber dem Träger 1 aus einem weicheren Material gebildet. Das weiche Material kann beispielsweise Viton, Silikon, Gummi, NBR (Nitrilkautschuke), Neoprene etc. sein.

Auf einer vom Träger 1 abgewandten Aufnahmeseite 7 des Aufnahmekörpers 3 ist das Halbleitersubstrat 4 mit seiner Topographie 5 aufnehmbar. Das Halbleitersubstrat 4 kann auch mit der Topographie 5 nach oben gerichtet, also von der Aufnahmeseite 7 weg, aufgenommen werden.

Der Aufnahmekörper 3 ist von einem Unterdruckkanal 2 durchsetzt, der sich weiter durch den Träger 1 bis zu einer nicht dargestellten Vakuumeinrichtung zum Anlegen eines Vakuums an einem auf der Aufnahmeseite 7 angeordneten Saugende 8 erstreckt. Erfindungsgemäß können mehrere Unterdruckkanäle 2 verteilt über den Aufnahmekörper 3 angeordnet sein. Von Vorteil ist eine Anordnung des Unterdruckkanals 2 beziehungsweise des Saugendes 8 außerhalb eines Zentrums Z des Aufnahmekörpers 3. Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Abstand B l vom Zentrum Z zum Saugende 8 größer ist als der Abstand B2 vom Saugende 8 zu einem Umfang 9 des Aufnahmekörpers 3. Besonders vorteilhaft ist ein Verhältnis B 1 :B2 von 1 ,5 : 1 bis 3 : 1 , vorzugsweise 2: 1.

Das Saugende 8 ist in einer Vertiefung 10 der Saugstruktur 6 angeordnet und den Vertiefungen 10 sind die Saugstruktur 6 ausbildende Erhebungen

1 1 benachbart. Die Erhebungen 1 1 sind im vorliegenden Fall zahnartig, wobei die Vertiefungen 10 und Erhebungen 1 1 durch eine im Zentrum Z beginnende spiralförmige Bahn 12 gebildet sind. Die spiralförmige Bahn

12 bildet die definierte Saugstruktur 6 und durch die Spiralstruktur wird ein hoher Strömungswiderstand vom Zentrum Z zum Umfang 9 erreicht, der für ein stabiles Ansaugen des Halbleitersubstrats 4 an dem Aufnahmekörper 3 Sorge trägt.

In den Vertiefungen 10 der Bahn 12 sind die Bumps 5b aufnehmbar.

Figur 3 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt des Aufnahmekörpers 3. Seitenwände S l , S2 der Vertiefungen 10 sind gegenüber einer durch die Aufnahmeseite 7 des Aufnahmekörpers 3 gebildeten Aufnahmeebene A angewinkelt, und zwar gleichwinklig mit den im Ausführungsbeispiel identischen Winkeln W l , W2 zwischen den Seitenwänden S l , S2 und der Aufnahmeebene A. Die Winkel Wl , W2 liegen zwischen 30° und 85°, vorzugsweise zwischen 40° und 75°.

Die in Figur 3 spitz dargestellten Erhebungen 1 1 können in einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung abgerundet sein.

Ein besonderer Vorteil der Erfindung liegt außerdem darin, dass mit ein und derselben Aufnahmeeinrichtung verschiedene Halbleitersubstrate, insbesondere auch im Durchmesser verschiedene Halbleitersubstrate 4 sicher und schonend aufgenommen werden können.

Besonders sicher und schonend werden Halbleitersubstrate 4 aufgenommen, die im Wesentlichen dieselbe Außenkontur und/oder denselben Außenumfang und/oder denselben Durchmesser wie der Aufnahmekörper 3 aufweisen.

Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme von Halbleitersubstraten Bezugszeichenliste

1 Träger

2 Unterdruckkanal

3 Aufnahmekörper

4 Halbleiter Substrat

5 Topographie

5b Bumps

6 Saugstruktur

7 Aufnahmeseite

8 Saugende

9 Umfang

10 Vertiefungen

11 Erhebungen

12 Bahn

S1/S2 Seitenwände

Z Zentrum

A Aufnahmeebene

Wl Winkel

W2 Winkel

Bl Abstand

B2 Abstand