La présente invention se rapporte au domaine des dispositifs hyperfréquence reconfigurables.

Par dispositif hyperfréquence, on entend un dispositif fonctionnant à des fréquences comprises entre 0,3GHz et 300 GHz, ce qui correspond à des longueurs d'onde comprises entre 100 cm et 1 mm.

La présente invention se rapporte par exemple aux antennes hyperfréquence reconfigurables. Parmi ces antennes, la présente invention peut notamment se rapporter aux antennes hyperfréquence microrubans reconfigurables.

Cependant, l'invention n'est pas limitée à ces antennes et peut concerner d'autres types de dispositifs hyperfréquence.

Parmi ces dispositifs, on peut citer, de façon non limitative, les déphaseurs accordables en fréquence, des cavités à base de surface sélective en fréquence, des réseaux réflecteurs, des réseaux phasés ou des filtres accordables en fréquence.

Un dispositif hyperfréquence peut trouver application pour des applications de communication sans fil par exemple dans un réseau de capteurs, ou alors de détection de caractéristiques d'objets à distance par exemples des radars anti-collisions ou dans des systèmes d'atterrissage autonomes d'aéronefs.

Les dispositifs hyperfréquence reconfigurables existants peuvent être classés en deux grandes familles.

Nous présentons ci-dessous des antennes hyperfréquence accordables en fréquence appartenant à ces deux familles. Dans la première famille, l'approche consiste à modifier la longueur effective de l'antenne hyperfréquence en utilisant des microinterrupteurs électroniques actifs, par exemple de type diodes PIN, varacteur ou microinterrupteur MEMS (pour « Micro Electro-Mechanical Systems » selon la terminologie anglo-saxonne).

A titre d'exemple, le document « Design of Reconfigurable Slot Antennas », D. Peroulis & al., IEEE Transactions on Antennas and Propagation, vol. 53 (2), pp. 645-654, 2005 (D1) propose une antenne microruban comportant plusieurs interrupteurs de type diodes PIN le long du ruban d'alimentation de l'antenne.

La fréquence de résonance de l'antenne est ainsi adaptée en fonction de l'actionnement des interrupteurs. Compte tenu du positionnement de ces interrupteurs le long du ruban, on peut ainsi obtenir une antenne capable d'émettre sur une large bande de fréquences. Cette capacité de l'antenne à fonctionner sur plusieurs fréquences est appelée agilité.

Dans le cas présent, les auteurs ont prévu quatre microinterrupteurs permettant de couvrir une gamme de fréquences comprise entre 540MHz et 890MHz, mais des hyperfréquences voisines du GHz pourraient probablement être obtenues avec cette antenne.

De manière générale, ces dispositifs sont coûteux en énergie car ils nécessitent des composants électroniques actifs pour reconfigurer l'antenne en fréquence.

De plus, leur montée en fréquence dans le domaine millimétrique ou au-delà (fréquences supérieures à 30GHz) est problématique, pour des raisons d'augmentation des pertes des microinterrupteurs, de complexité et du coût de ce type d'antennes.

Dans la deuxième famille, l'approche consiste à modifier sa permittivité effective et/ou la longueur effective de l'antenne hyperfréquence par une déformation mécanique.

Par exemple, le document « Frequency-agile microstrip patch antenna using a reconfigurable mems ground plane », R. Al-Dahleh & al. Microwave and Optical Technology Letters, vol. 43(1), pp. 64-67, 2004 (D2) propose de modifier la permittivité effective d'une antenne hyperfréquence microruban, par l'utilisation d'une membrane métallique déformable par voie électrostatique.

L'élément rayonnant de l'antenne est disposé sur la face supérieure d'un substrat en verre (rigide), lequel présente sur sa face inférieure la membrane métallique. Le substrat et la membrane sont supportés par des moyens de support disposés à leurs circonférences afin d'obtenir un volume d'air sous la membrane. Les supports reposent par ailleurs sur la face supérieure d'une couche d'isolation électrique, cette dernière comportant sur sa face inférieure une électrode de l'actionneur électrostatique, dont la masse est la membrane elle-même.

Lorsque l'actionneur électrostatique est activé, la distance entre l'électrode et la membrane (plan de masse) varie, ce qui aboutit à la modification de la permittivité effective de l'antenne.

Les auteurs précisent qu'ils ont pu obtenir une variation de l'ordre de 1GHz (agilité) environ de la fréquence de résonance de l'antenne, entre 16,8GHz et 17,82GHz.

Un autre exemple est précisé dans le document « MEMS- based Frequency Switchable Microstrip Patch Antenna Fabricated Using Printed Circuit Processing Techniques », R. Goteti & al., IEEE Antennas and Wirel. Propag. Lett, vol. 5(1), pp. 228-230, 2006 (D3).

Ce document propose de modifier la permittivité effective et la longueur effective d'une antenne hyperfréquence microruban, par l'utilisation d'une membrane sur laquelle est montée l'élément rayonnant de l'antenne, la membrane étant déformable par voie électrostatique.

Plus précisément, l'élément rayonnant de l'antenne est disposé sur la face supérieure d'une membrane en polyimide (Kapton). La membrane est supportée par des moyens de support disposés à sa circonférence afin de définir un volume d'air sous la membrane. Les supports reposent par ailleurs sur la face supérieure d'une couche d'isolation électrique, formant un plan de masse.

Lorsque qu'une tension électrique est appliquée entre l'élément rayonnant et le plan de masse, la membrane en polyimide se déforme sous l'effet la force générée par l'interaction électrostatique. La distance entre l'élément rayonnant et le plan de masse est alors modifiée, ce qui implique une modification de la permittivité effective du substrat et donc de la fréquence de résonance de l'antenne.

Les auteurs précisent qu'ils ont pu obtenir une variation de l'ordre de 0,39GHz de la fréquence de résonance de l'antenne (agilité), entre 17,95GHz et 18,34GHz.

Les antennes hyperfréquence reconfigurables présentées dans ces références sont basées sur un principe plus simple et moins coûteux que les antennes reconfigurables utilisant des microinterrupteurs électroniques actifs. Par ailleurs, ils permettent d'obtenir des antennes hyperfréquence reconfigurables à moindre coût pour des fréquences pouvant atteindre 20GHz.

Cependant, ces antennes présentent une agilité encore limitée pour les applications envisagées. Par ailleurs, leur montée en fréquence dans le domaine millimétrique est non prouvée.

Un objectif de l'invention est ainsi de proposer un dispositif hyperfréquence reconfigurable simple, à coût réduit et permettant d'obtenir des capacités de reconfiguration améliorées. ,

Un autre objectif de l'invention est de proposer un dispositif hyperfréquence reconfigurable en outre capable d'obtenir ces avantages dans le domaine millimétrique, à savoir typiquement pour des hyperfréquences supérieures à 30GHz.

Pour atteindre l'un au moins de ces objectifs, l'invention propose un dispositif hyperfréquence reconfigurable caractérisé en ce qu'il comprend : - un support mécanique d'au moins une membrane élastiquement déformable, ladite membrane présentant un module élastique inférieur ou égal à 500MPa;

- au moins un premier conducteur électrique disposé sur la membrane ;

- au moins un élément diélectrique ;

- au moins un deuxième conducteur électrique isolé électriquement du premier conducteur électrique ;

- un moyen pour déformer la membrane, ledit moyen étant adapté pour exercer une force de déformation capable de modifier la distance H entre le premier conducteur électrique et le deuxième conducteur électrique jusqu'à au moins 100%.

Le dispositif pourra prévoir d'autres caractéristiques techniques de l'invention, prises seules ou en combinaison :

le moyen pour déformer la membrane est choisi parmi un moyen électromagnétique, fluidique, magnétoélastique, piézoélectrique, électrostrictif, thermique, électrorhéologique, magnétorhéologique, à base d'un alliage à mémoire de forme thermique ou d'un alliage à mémoire de forme magnétique ;

la membrane est un polymère siliconé, par exemple du polydiméthylsiloxane (PDMS), ou un élastomère ;

la membrane est texturée ou microusinée ;

la fréquence d'opération est supérieure ou égale à 30GHz ;

le support mécanique est réalisé avec le même matériau que la membrane ;

le premier conducteur électrique présente également une fonction magnétique et le moyen pour déformer la membrane est un moyen pour appliquer un champ magnétique contrôlable destiné à interagir avec le premier conducteur électrique ;

le premier conducteur électrique est un aimant permanent ou un matériau ferromagnétique ; le premier conducteur électrique est réalisé à partir de l'un des éléments suivants : SmCo, AINiCo, FePt, NdFeB, un alliage Fe-Ni, un alliage Fe- Ni-Mo ou d'autres alliages de Fer ;

le premier conducteur électrique comprend un conducteur électrique proprement dit et un élément magnétique distinct dudit conducteur et le moyen pour déformer la membrane est un moyen pour appliquer un champ magnétique contrôlable destiné à interagir avec l'élément magnétique associé au conducteur électrique ;

l'élément magnétique est choisi parmi le NdFeB, les ferrites, les composés et alliages de Fer ou les composés de terres rares ;

la membrane déformable présente également une fonction magnétique et le moyen pour déformer la membrane est un moyen pour appliquer un champ magnétique contrôlable susceptible d'interagir avec la membrane ;

la membrane déformable comprend une poudre magnétique, par exemple une poudre de ferrite, NdFeB, FePt, SmCo, Fe, Fe-Ni, Fe-Ni- Mo, Ni, Co, ou une poudre d'alliages de Fer, d'alliages de Nickel ou d'alliages de Cobalt ;

le moyen pour appliquer un champ magnétique contrôlable est une bobine, un conducteur parcouru par un courant électrique, un aimant mobile ou un élément magnétoélectrique ;

le moyen pour déformer la membrane est une micropompe, par exemple péristaltique, capable d'injecter un fluide diélectrique, par exemple de l'air, des liquides ou des solutions colloïdales, entre la membrane et son support mécanique ;

il comprend au moins deux éléments diélectriques, le premier élément diélectrique étant un fluide et le deuxième élément diélectrique étant un solide ou un matériau multiphasique tel que de la mousse ;

le deuxième élément diélectrique est choisi parmi: l'alumine, les verres, les verres-téflon, le quartz, le téflon, les polyimides, un polymère à cristaux liquides, une mousse ou un substrat hyperfréquence ; il comprend un moyen de contrôle de l'état de déformation de la membrane disposé sur celle-ci, par exemple une jauge piézo-résistive ; il exerce l'une des fonctions suivantes : antenne, déphaseur, cavité à base de surfaces sélectives en fréquence, réseau phasé, réseau de réflecteurs, filtre.

D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention seront énoncés dans la description détaillée ci-après faite en référence aux figures suivantes:

- la figure 1 , qui comprend les figures 1 (a) à 1 (c), représente un dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, qui a été testé expérimentalement, la figure 1 (a) représentant plus précisément le dispositif sans son moyen pour déformer la membrane, la figure 1 (b) représentant le dispositif avec son moyen pour déformer la membrane et la figure 1 (c) étant une photographie du banc d'essai ;

- la figure 2 représente différentes structures intermédiaires obtenues au cours du procédé de fabrication du dispositif hyperfréquence reconfigurable représenté sur la figure 1

- la figure 3 représente l'évolution de la fréquence de résonance du dispositif hyperfréquence reconfigurable de la figure 1 , en fonction de la distance H entre les deux éléments conducteurs électriques du dispositif ;

- la figure 4 représente un dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, dont les performances ont été déterminées par simulation numérique ;

- la figure 5 représente l'évolution de la fréquence de résonance du dispositif hyperfréquence reconfigurable de la figure 4, en fonction de la distance H entre les deux éléments conducteurs électriques du dispositif ;

- la figure 6 représente un autre dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, à savoir un déphaseur, dont les performances ont été déterminées par simulation numérique ; - la figure 7 représente un autre dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, à savoir une cavité à base de surfaces sélectives en fréquence ;

- la figure 8 représente un autre dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, à savoir un réseau de réflecteurs ;

- la figure 9 représente un autre dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, à savoir un réseau phasé d'antennes ;

- la figure 10 représente un autre dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, à savoir un filtre fréquentiel ;

- la figure 11 , qui comprend les figures 11(a) et 11(b), représente un dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, dans lequel l'alimentation en énergie s'effectue par un guide d'onde coplanaire, respectivement selon une vue en coupe et une vue de dessus partielle ;

- la figure 12 représente un autre dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, dans lequel il est prévu un guide d'onde électromagnétique ;

- la figure 13 représente un dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention, dans lequel le moyen pour déformer la membrane est un moyen actif de type micropompe péristaltique ;

- la figure 14, qui comprend les figures 14(a) à 14(f), représente différentes structures intermédiaires obtenues au cours du procédé de fabrication du dispositif hyperfréquence reconfigurable représenté sur la figure 13 ;

- la figure 15 comprend les figures 15(a) et 15(b), lesquelles représentent respectivement une variante d'implantation d'un moyen présentant une fonction magnétique tel qu'un aimant permanent et d'un moyen actif de type électromagnétique, telle qu'une bobine, pour déformer la membrane du dispositif ;

- la figure 16, qui comprend les figures 16(a) à 16(f), représente différentes structures intermédiaires obtenues au cours du procédé de fabrication du dispositif hyperfréquence reconfigurable représenté sur la figure 15(a).

Quel que soit le mode de réalisation envisagé, un dispositif 1 hyperfréquence reconfigurable selon l'invention comprend un support mécanique 2 pour au moins une membrane 3 élastiquement déformable, un premier conducteur électrique 4 disposé sur la membrane 3, au moins un élément diélectrique 9, 9', 31 , 32, un deuxième conducteur électrique 5, 21 isolé électriquement du premier conducteur électrique 4 et un moyen 6 pour déformer la membrane 3.

Le moyen 6 est généralement un moyen pour contrôler activement la déformation de la membrane 3.

Le deuxième conducteur électrique 5, 21 est généralement disposé au-dessous de l'élément diélectrique 9, 9'. On comprend que l'élément diélectrique 9, 9' permet alors d'isoler électriquement le deuxième conducteur électrique 5, 21 du premier conducteur électrique 4.

De plus, la membrane 3 présente un module élastique (module d'Young) inférieur ou égal à 500MPa, par exemple compris entre 0,1 MPa et 500MPa. De préférence, le module élastique de la membrane 3 est compris entre 0,1 MPa et 300MPa, ou encore entre 0,1 MPa et 200MPa, et plus préférentiellement entre 0,1 MPa et 150MPa, voire entre 0,1 MPa et 10 ^' 0MPa.

La membrane 3 peut être réalisée à partir d'un seul matériau ou de plusieurs matériaux, associés ou susceptibles de se présenter sous la forme d'alliages. La membrane 3 peut également être réalisée en un matériau texturé ou micro-usiné. Ces matériaux peuvent présenter des propriétés isotropes ou anisotropes.

Le module élastique est en général défini pour un matériau isotrope. Il est envisageable de définir un module élastique équivalent pour des matériaux anisotropes, dont on comprend qu'il pourrait être évalué par une méthode analogue à celle consistant à déterminer le module élastique d'un matériau isotrope. Toutefois, dans toute la description qui suit, un module élastique pourra concerner un matériau isotrope ou anisotrope.

Dans tous les cas, le module élastique de la membrane 3 est conforme aux valeurs mentionnées ci-dessus.

Il peut être déterminé par un essai de traction classique. La détermination du module élastique s'effectue alors dans la zone de déformation linéaire du matéri exemple, le module élastique peut être déterminé par la relation

Compte tenu des propriétés mécaniques de la membrane, celle-ci peut être qualifiée d'ultrasouple. Elle s'avère en effet présenter une souplesse beaucoup plus importante que les membranes existantes, en un matériau plein de type métal ou polyimide (Kapton, par exemple).

Un exemple de matériau susceptible de convenir dans le cadre de l'invention est un polymère siliconé tel que le polydiméthylsiloxane (PDMS). Un autre exemple de matériau susceptible de convenir est un élastomère.

Pour se fixer les idées, il faut noter que l'épaisseur de la membrane 3 peut aller du micron à quelques millimètres. Par ailleurs, la membrane 3 peut présenter une forme rectangulaire, carrée ou autre, sa surface totale étant liée à la fréquence à laquelle le dispositif hyperfréquence reconfigurable 1 est supposé fonctionner. Ces données restent liées à l'application envisagée.

Le moyen 6 pour déformer la membrane 3 est adapté pour exercer une force de déformation sur la membrane 3 dont la valeur peut permettre d'exploiter au maximum les propriétés de déformation de cette membrane 3.

Par exemple, le moyen 6 est capable de modifier la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 jusqu'à au moins 100%.

Le moyen 6 pour déformer la membrane 3 peut par ailleurs modifier la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 jusqu'à au moins 150%, 300%, 500%, 600%, 700%, 800%, 900% ou encore jusqu'à au moins 1000%.

Pour assurer cette fonction, le moyen 6 pour déformer la membrane 3 peut être choisi parmi un moyen électromagnétique, fluidique, magnétoélastique, piézoélectrique, électrostrictif, thermique, électrorhéologique, magnétorhéologique, à base d'un alliage à mémoire de forme thermique ou d'un alliage à mémoire de forme magnétique.

Un premier exemple de dispositif hyperfréquence reconfigurable conforme à l'invention est décrit ci-après à l'appui de la figure 1.

La figure 1 représente une antenne hyperfréquence reconfigurable de type microruban, conforme à l'invention, qui a été testée expérimentalement. La figure 1(a) est un schéma de ce dispositif sans le moyen d'actionnement 6, en l'occurrence fluidique et la figure 1(b) ce même dispositif avec le moyen d'actionnement 6. La figure 1 (c) est quant à elle une photographie du banc d'essai utilisé et sur laquelle on distingue la membrane 3 déformée sur laquelle se situe l'élément rayonnant 7 de l'antenne et son ruban 8 d'alimentation.

La membrane 3 déformable est en polydiméthylsiloxane (également connu sous l'acronyme PDMS). Ce matériau peut être qualifié d'ultrasouple par rapport aux membranes existantes réalisées par exemple en métal ou en polyimide (Kapton). En effet, le PDMS présente notamment un module élastique très faible, de l'ordre du MPa.

La membrane 3 présente une épaisseur de 20μιη.

Le support mécanique 2 est également réalisé en PDMS, avec une épaisseur de 200 m. Ce support est par ailleurs disposé à la périphérie de la membrane déformable 3, si bien qu'un volume d'air 9' (diélectrique) est dégagé sous la membrane 3.

Le premier conducteur électrique 4, disposé sur la face supérieure de la membrane 3, comporte un élément rayonnant 7 (« patch ») alimenté par un ruban 8. L'élément rayonnant 7 présente une forme carrée, de côté L. Dans le cas d'espèce, le premier conducteur électrique 4 est en or.

Le deuxième conducteur électrique 5 forme un plan de masse de l'antenne, en l'occurrence en cuivre. Il est disposé sous le support mécanique 2. L'isolation électrique entre les deux conducteurs électriques 4, 5 s'effectue donc par l'intermédiaire du support mécanique 2 en PDMS. Une partie de ce plan de masse 5 s'étend donc sous le volume d'air.

La distance entre les deux conducteurs électriques 4, 5 est notée H.

Le support mécanique 2 et le plan de masse 5 forment ensemble une cavité remplie d'air. Un orifice 12 est réalisé dans le plan de masse 5 pour y insuffler de l'air et assurer la déformation de la membrane 3.

Le moyen fluidique 6 utilisé dans cette expérience est un système formé d'un pousse-seringue 6a, d'une cavité étanche 6c (non déformable) disposée sous le deuxième conducteur électrique 5 formant plan de masse et, d'un conduit fluidique 6b reliant le pousse-seringue à la cavité étanche 6c. L'actionnement du pousse-seringue 6a permet d'injecter ou de retirer de l'air dans la cavité afin de déformer la membrane 3.

La quantité d'air finalement introduite dans la cavité située entre la membrane 3 et le deuxième conducteur électrique 5, en combinaison avec la membrane ultrasouple permet finalement d'atteindre des performances inattendues (en particulier sur l'agilité de l'antenne), comme cela sera expliqué plus en détail ci-après à l'appui de la figure 3.

La fréquence de résonance F _réS d'une telle antenne est fournie par la relation :

où : c est la célérité de la lumière dans le vide, L _e , la longueur effective de l'antenne déterminée par la relation : L _e = L + 2AL avec L la longueur de l'élément rayonnant 7 et, AL le débordement du champ électromagnétique entre les deux conducteurs électriques 4, 5, et

ε _β , la permittivité (relative) effective de l'antenne entre les deux conducteurs électriques 4, 5. Sous l'action du moyen fluidique 6, la distance entre les conducteurs électriques 4,5 varie et par conséquent le débordement du champ AL, la longueur effective L _e et la permittivité effective s _e varient. Par conséquent on obtient une variation de la fréquence de résonance de l'antenne F _res .

Un procédé de réalisation de cette antenne hyperfréquence reconfigurable à microruban est représenté sur la figure 2.

Une couche sacrificielle de molybdène est tout d'abord déposée sur un substrat en silicium, figure 2(a).

Une couche en or de quelques dizaines de nm est réalisée par évaporation puis mise en motif par un procédé dit de « lift-off », en utilisant une résine comme masque, figure 2(b).

Un moule en résine est ensuite préparé par photolithographie. De l'or est déposé par électrolyse dans ce moule, sur le motif en or préalablement déposé, afin de former une couche d'or d'épaisseur voisine du pm, cette couche étant destinée à former le premier conducteur électrique 4 de la figure 1. Puis, on dépose par pulvérisation ou évaporation une couche de Titane de quelque dizaine de nm d'épaisseur puis on dépose par PECVD (pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Déposition » selon la terminologie anglo-saxonne signifiant Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) une couche de Si0 ₂ , de quelques dizaines de nm d'épaisseur. On obtient alors la structure représentée sur la figure 2(c).

Ensuite, la bicouche Ti/SiO ₂ est mise en motif par un procédé « lift-off », figure 2(d).

Du PDMS est enduit à la tournette sur la bicouche Ti/SiO ₂ , cette bicouche servant de moyen d'accroché entre le PDMS et l'or. Puis, un cadre en PDMS, présentant une cavité, est collé après activation aux ultraviolets ou plasma oxygène sur le PDMS préalablement enduit. La structure obtenue est représentée sur la figure 2(e).

Enfin, la couche sacrificielle de molybdène est supprimée, par exemple par gravure à l'eau oxygénée, et le substrat en silicium enlevé. La structure ainsi libérée est reportée sur une couche de cuivre destinée à former le deuxième conducteur électrique 5 (plan de masse de l'antenne), figure 2(f).

Le moyen fluidique 6 est alors ajouté de la manière suivante à partie de la structure de la figure 2(f). Une cavité étanche, reliée fluidiquement à la structure de la figure 2(f) via un ou plusieurs trous dans le plan de masse 5, est solidarisée à cette structure. Puis, un pousse-seringue est relié fluidiquement à cette cavité étanche.

Ce procédé de réalisation est plus amplement détaillé dans « Millîmeter-wave patch array antenna on ultra flexible micromachined Polydimethylsiloxane substrate », S. Hage-Ali & al., IEEE Antennas and Propagation Society International Symposium, 2009 ou « Polydimethylsiloxane membranes for millimeter-wave planar ultra flexible antennas », Tiercelin & al., J. Micromech. And Microeng, vol. 16(1 1 ), pp. 2389-2395, 2006.

La figure 3 représente l'évolution de la fréquence de résonance F _rés de l'antenne de la figure 1 , en fonction de la distance H entre les deux éléments conducteurs électriques 4, 5. La courbe ainsi obtenue est notée « Expérience ».

En l'absence de toute action du moyen fluidique 6, la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 vaut 200pm.

En injectant de l'air dans la cavité, la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 a pu évoluer entre 200 m et 575μηι (facteur 2.875), la fréquence de résonance de l'antenne passant de F _rés = 55,5 GHz à F _rés = 51 GHz, soit une agilité absolue de 4,5GHz (= 55,5-51 GHz).

A cet effet, le volume d'air injecté par le moyen fluidique 6 est de quelques dizaines de pl. Dans le cas d'espèce, 80μΙ environ d'air a été injecté pour faire évoluer la distance H de 200μιη à 575μιτι. Il est possible d'injecter un volume d'air plus important, par exemple jusqu'à 300 μΙ pour obtenir une valeur de H de l'ordre de 2mm, mais au prix d'une dégradation des performances de l'antenne. La variation de la hauteur H entre les deux conducteurs électriques peut donc atteindre 900% (= (2mm- 200pm)/200pm ^* 100%)

L'antenne hyperfréquence reconfigurable testée a donc montré qu'elle était en mesure de fournir une agilité élevée, sur une bande de fréquences s'étendant sur 4,5GHz. Les techniques existantes de reconfiguration mécanique permettent d'obtenir une agilité bien plus faible.

Par ailleurs, cette agilité est obtenue dans le domaine millimétrique (fréquence de résonance supérieure à 30GHz), ce qui n'est pas le cas des antennes hyperfréquence existantes.

Il faut par ailleurs noter que, sur toute cette gamme de fréquences, l'antenne conserve un coefficient de réflexion inférieur à -10dB, la bande passante et le gain (> 4dB) restant cohérents pour une utilisation réelle.

Sur la figure 3, on a également représenté les mêmes évolutions avec un modèle analytique décrit par Balanis dans C.A Balanis, Antenna Theory and Design, Wiley, 1982 , et des simulations numériques effectuées avec des logiciels commerciaux, à savoir CST Microwave Studio et Ansoft HFSS.

Ceci permet notamment de valider le modèle numérique HFSS par rapport aux tests expérimentaux effectués.

Par suite, une antenne hyperfréquence reconfigurable conforme à celle de la figure 1 , dans laquelle une couche diélectrique 9 en alumine (Al ₂ 0 ₃ ) a cependant été ajoutée entre le plan de masse 5 et le support mécanique 2, a été simulée. La cavité remplie d'air 9' est donc obturée dans sa partie inférieure par la couche d'alumine 9. Cette structure est représentée sur la figure 4.

L'alumine présente une permittivité électrique élevée (6 _a i _U mine =

9,8). Dans le cas d'espèce, l'épaisseur de la couche d'alumine a été fixée à 150μηη.

Les résultats de la simulation avec le modèle numérique Ansoft HFSS sur la structure représentée sur la figure 4 sont fournies à la figure 5. Cette figure 5 représente l'évolution de la fréquence de résonance F _rés de l'antenne en fonction de la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5.

En faisant évoluer la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 entre 185μηι et δΟΌμιη, la fréquence de résonance de l'antenne passe de F _réS = 44GHz à F _rés = 65GHz, soit une agilité absolue de 21 GHz, ce qui correspond à une agilité relative de 38,5%.

Au-delà d'une hauteur H de δθθμιη, la fréquence de résonance n'évolue plus que faiblement. En effet, quand la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 augmente, le débordement du champ AL augmente (et donc la longueur effective L _e de l'antenne), ce qui a tendance à faire diminuer la fréquence de résonance de l'antenne. D'un autre côté, lorsque H augmente, la permittivité effective diminue ce qui a tendance à augmenter la fréquence de résonance de l'antenne. L'effet lié à la permittivité effective est plus important lorsqu'un diélectrique solide 9 tel que l'alumine est utilisé. La faible évolution ainsi observée est liée à la compensation des deux effets mentionnés ci-dessus.

Dans cette gamme de fréquences, l'antenne conserve un coefficient de réflexion inférieur à -10dB, la bande passante et le gain restant cohérents pour une utilisation réelle.

Les performances de ce dispositif hyperfréquence reconfigurable vont donc bien au-delà des performances actuelles des antennes reconfigurables connues.

Toujours grâce au modèle numérique Ansoft HFSS, un dispositif hyperfréquence reconfigurable formant un déphaseur a également été simulé. La structure de ce déphaseur hyperfréquence reconfigurable est représentée sur la figure 6.

Cette structure est conforme à celle de l'antenne représentée sur la figure 4, à l'exception du premier conducteur électrique 4. En effet, dans le cas présent, le premier conducteur électrique 4 n'est pas formé par un élément rayonnant alimenté par un ruban mais par une ligne microruban 71.

Ce déphaseur a été simulé numériquement avec le logiciel Ansoft HFSS. Pour cela, une ligne microruban de 1cm de long sur 390μηη de large est prévue. Les autres caractéristiques (épaisseur des différents éléments...) sont identiques à la structure de la figure 4.

Les résultats de la simulation sont fournis dans le tableau 1 ci- dessous, à une fréquence de résonance de 60GHz. La position H= 350 pm (150pm d'alumine + 180 pm d'air + 20 pm pour la membrane en PDMS) correspond à une position de la membrane pour laquelle le moyen pour déformer la membrane n'exerce aucune force sur la membrane.

Ces résultats font apparaître un déphasage total de 350° par rapport à la position de référence, ce qui correspond à un déplacement total de 150μπη (= 350μηη - 200μηι) de la membrane déformable 3. Les pertes en transmission et le coefficient de réflexion restent bons sur cette plage de déformation de la membrane 3. Par ailleurs, le facteur de mérite de ce déphaseur vaut 437 dB (350 0.8dB), ce qui est nettement supérieur aux facteurs de mérite obtenus avec les déphaseurs hyperfréquence reconfigurables existants.

Les figures 7 à 10 représentent quatre autres types de dispositifs hyperfréquence reconfigurables selon l'invention, à savoir respectivement une cavité à base de surfaces sélectives en fréquence, un réseau réflecteur, un réseau phasé et un filtre.

On comprend que toutes les structures représentées sur ces figures 7 à 10 comprennent un support mécanique 2 d'une membrane 3 élastiquement déformable, un premier conducteur électrique 4 disposé sur la membrane 3, un deuxième conducteur électrique 5 isolé électriquement du premier conducteur électrique 4 et un moyen pour déformer la membrane (non représenté).

La membrane 3 utilisée dans ces structures présente des caractéristiques mécaniques similaires à celles employées dans le dispositif hyperfréquence reconfigurable (antenne) testé expérimentalement (figure 1). En particulier, la membrane 3 peut être réalisée en un polymère siliconé tel que le polydiméthylsiloxane.

Plus précisément, une cavité à bases de surfaces sélectives en fréquences représentée sur la figure 7 pourra comporter deux membranes déformables 31 , 32 disposées de part et d'autre du support mécanique 2.

Le premier conducteur électrique 4, disposé sur la membrane supérieure 31 , peut alors être formé d'une grille inductive, par exemple continue ou capacitive discontinue.

Le deuxième conducteur électrique 5 peut se présenter sous la forme d'une grille, continue ou discontinue, ou plus simplement d'un plan réflecteur et est disposé sur la membrane inférieure 32. Par rapport à la structure représentée sur la figure 1 , une membrane inférieure vient donc s'insérer entre le deuxième conducteur électrique 5 et le support mécanique 2. L'isolation électrique entre les deux conducteurs 4, 5 s'effectue notamment par les membranes 31 , 32 et, éventuellement par le support mécanique 2 lui-même.

Avec ce type de dispositif, l'excitation de la cavité formée par les conducteurs 4 et 5 peut s'effectuer par une onde plane, représentée par les flèches « E _inC idente » ou par excitation directe à l'aide d'un guide d'onde ou d'une ligne imprimée.

Un réseau réflecteur hyperfréquence reconfigurable est représenté sur la figure 8.

Un tel réseau peut comporter n membranes déformables sur chacune desquelles se trouve un réflecteur.

Les membranes sont supportées par le support mécanique 2, lequel permet de définir une cavité sous chaque membrane 3 déformable. Cette cavité est généralement remplie d'un fluide diélectrique 9' tel que l'air, fermée dans sa partie inférieure par le deuxième conducteur électrique 5, ou, comme représenté sur la figure 8, par une couche de diélectrique solide tel qu'une couche d'alumine disposée entre le support mécanique 2 et le deuxième conducteur électrique 5.

Un moyen pour déformer la membrane 3 peut être associé à chacune des n membranes de façon individuelle. On peut ainsi introduire un déphasage entre les différents faisceaux réfléchis par chacun des n réflecteurs. Ceci permet alors de faire de la synthèse de faisceau. Le contrôle de la déformation de chaque réflecteur du réseau permet de contrôler la direction de réflexion du réseau.

Avec ce type de dispositif, l'excitation de la structure s'effectue par une onde électromagnétique, représentée par les flèches « Evidente » _> cette excitation impliquant une interaction entre les deux conducteurs électriques 4, 5. Un réseau phasé hyperfréquence reconfigurable est représenté sur la figure 9.

Dans cette structure, le premier conducteur électrique 4 peut comprendre un ruban d'alimentation 8, se divisant en n lignes microrubans parallèles comportant chacune un déphaseur 10 suivi d'un élément rayonnant 7.

Pour chaque ligne microruban, le déphaseur 10 et l'élément rayonnant 7 sont chacun disposés sur une membrane 3, 3'. Chaque membrane déformable 3, 3' est maintenue par le support mécanique 2 dont la forme permet de définir une cavité, généralement remplie d'un fluide diélectrique tel que l'air, fermée dans sa partie inférieure par le deuxième conducteur électrique 5 (plan de masse), ou, comme représenté sur la figure 9, par une couche de diélectrique solide tel qu'une couche d'alumine disposée entre le support mécanique 2 et le deuxième conducteur électrique 5.

Avec cette structure, on peut ainsi émettre des ondes de même fréquence, mais déphasés pour réaliser des fonctions de dépointage ou synthèse de faisceau. Chaque déphaseur 10 et/ou chaque élément rayonnant 7 pouvant être contrôlé par un moyen dédié de déformation de la membrane 3, 3' sur laquelle il est disposé.

Un filtre hyperfréquence reconfigurable est représenté sur la figure 10.

Cette structure est la même que celle décrite à l'appui de la figure 4, à l'exception de l'élément rayonnant et de son ruban d'alimentation qui sont remplacés par deux lignes microrubans se faisant face, et susceptibles, à ce titre, d'être couplées l'une à l'autre. En déformant la membrane 3, le couplage entre les microrubans est modifié, ce qui permet de modifier les caractéristiques électriques du filtre.

On note que les dispositifs hyperfréquence reconfigurables décrits à l'appui des figures 1 , 4, 6, 9 et 10 mettent en œuvre des technologies de transmission d'énergie basées sur une propagation guidée par exemple une ligne microruban reliée à source hyperfréquence. Par ailleurs, les dispositifs hyperfréquence reconfigurables décrits à l'appui des figures 7 et 8 mettent en œuvre, quant à eux, une onde électromagnétique en espace libre destinée à interagir avec la structure.

Cependant, d'autres technologies de transmission pourraient tout à fait être employées dans le cadre de l'invention.

A titre d'exemple non limitatif, une autre possibilité est l'emploi d'un guide d'ondes coplanaire (CPW pour CoPlanar Waveguide selon la terminologie anglo-saxonne) représenté fig. 11. Dans ce cas, le premier conducteur électrique 4 est constitué par un ruban central et le deuxième conducteur électrique 5 de deux-demis plans, jouant le rôle de plan de masse, disposés de part et d'autre du ruban central 4. On comprend dans ce cas, que la membrane 3 permet d'isoler électriquement les deux conducteurs électriques 4, 5 l'un de l'autre.

Un troisième conducteur électrique 51 , optionnel, peut être prévu. La présence de ce troisième conducteur électrique 51 constitue une variante (GBCPW pour Ground Backed CoPlanar Waveguide selon la terminologie anglo-saxonne) de la technologie coplanaire, qui est justement représentée sur la figure 11.

En actionnant le moyen 6 pour déformer la membrane 3, on modifie les couplages entre les conducteurs électriques 4, 5 de manière à reconfigurer le dispositif hyperfréquence. Plus précisément, lorsque le moyen 6 pour déformer la membrane est actionné, ceci modifie la distance H entre le ruban central 4 et l'un quelconque des deux demi-plans formant le deuxième conducteur électrique 5, ce qui modifie les caractéristiques électriques du dispositif hyperfréquence, notamment la permittivité équivalente.

Une autre variante, utilisant un guide d'ondes, est représentée sur la figure 12.

Selon cette variante, le premier conducteur électrique 4 (charge capacitive) est disposé sur la membrane déformable 3. La membrane déformable 3 repose sur un support mécanique 2 par l'intermédiaire d'une couche diélectrique 9 solide, par exemple en alumine. Un volume de fluide diélectrique 9' tel que l'air est prévu entre la couche diélectrique 9 et la membrane déformable 3.

Afin de former un guide d'ondes, le support mécanique 2 s'étend au-dessous de la couche de diélectrique 9 solide, sensiblement perpendiculairement à celle-ci. Par ailleurs, il comporte alors une face interne 21 recouverte d'un matériau conducteur électrique pour assurer le guidage de l'onde.

En variante, l'ensemble du support mécanique 2 est réalisé en un matériau conducteur électrique, par exemple en métal. Dans ces conditions, la face interne du support mécanique 2 est également réalisée avec ce même matériau conducteur électrique.

Dans ces deux cas, la face interne 21 du support mécanique 2 forme donc le deuxième conducteur électrique.

Il est alors possible de définir une distance H équivalente à celles employées précédemment, entre le premier conducteur électrique 4 et la face interne 21 du support mécanique 2 présentant une fonction similaire à celle du deuxième conducteur électrique décrit dans les exemples précédents.

La distance H entre la face interne 21 (deuxième conducteur électrique) et le premier conducteur électrique 4 est représentée sur la figure 12. Elle peut être plus précisément définie comme étant la distance séparant le premier conducteur électrique 4 du plan perpendiculaire à la face supérieure 22 du support 2, cette face supérieure 22 étant la face la plus proche du premier conducteur électrique 4.

Là encore, le moyen 6 pour déformer la membrane 3 est capable de modifier cette distance H jusqu'à au moins 100%. Le moyen 6 pour déformer la membrane 3 peut par ailleurs modifier la distance H entre les deux conducteurs électriques 4, 5 jusqu'à au moins 150%, 300%, 500%, 600%, 700%, 800%, 900% ou encore jusqu'à au moins 1000%.

Dans tous les exemples présentés ci-dessus, le fluide diélectrique 9' qui est généralement de l'air pourrait également être un liquide ou une solution colloïdale. Par ailleurs, l'élément diélectrique 9 peut, lorsqu'il est mis en œuvre être un matériau multiphasique, tel qu'une mousse. Plus généralement, l'élément diélectrique 9 solide peut être choisi parmi l'alumine, les verres, les verres-téflon, le quartz, le téflon, les polyimides, un polymère à cristaux liquides, une mousse ou un substrat hyperfréquence.

Il faut par ailleurs noter qu'un moyen de contrôle de l'état de déformation de la membrane 3 peut être disposé sur celle-ci. Il peut par exemple s'agir d'une jauge piézo-résistive.

Le dispositif hyperfréquence reconfigurable testé expérimentalement (figure 1) comprend un moyen fluidique pour déformer la membrane, en l'occurrence un pousse-seringue, un orifice étant prévu dans le dispositif pour insuffler un fluide diélectrique tel que l'air sous la membrane 3.

Il est tout à fait envisageable d'employer d'autres moyens fluidiques comme une micropompe péristaltique, ou encore par une pompe ou micropompe à membrane, à palette ou à piston.

Un dispositif hyperfréquence dont le moyen fluidique 6 est une pompe péristaltique est représenté sur la figure 13. Cette micropompe péristaltique 6 peut injecter ou prélever de l'air dans la cavité située entre la membrane 3 et le deuxième conducteur électrique 5, par l'intermédiaire d'un orifice 12.

Le moyen fluidique 6 est, dans le cas présent, formé par trois cavités 61 , 62, 63 en série. Ces cavités sont reliées l'une à l'autre par des orifices de communication (non référencés) pour un fluide diélectrique, à savoir de l'air dans ces expériences. L'air entre dans le moyen fluidique 6 par un orifice d'entrée E.

De plus, la partie supérieure de chacune de ces cavités 61 , 62, 63 comprend une membrane ultrasouple 64, 65, 66 similaire à la membrane 3 sur laquelle le premier conducteur électrique 4 est disposé. Ces membranes sont donc en l'occurrence réalisées en PDMS.

Un aimant permanent 67, 68, 69 est inséré dans chacune des membranes 64, 65, 66 respectivement. Une bobine électromagnétique 670, 680, 690 est logée dans un support 22, en vis-à-vis, respectivement, d'un aimant permanent 67, 68, 69.

Les aimants permanents 67, 68, 69 peuvent par exemple être réalisés en NdFeB (Neodynium-Fer-Bore) ou SmCo (Samarium-Cobalt). Typiquement, ils sont caractérisés par une rémanence de l'ordre du Tesla.

Le fonctionnement d'une telle pompe péristaltique 6 est le suivant.

Lorsqu'une bobine électromagnétique 670 est activée, l'aimant permanent situé en vis-à-vis est attiré, ce qui déforme la membrane ultrasouple correspondante 64 de façon à boucher la cavité correspondante 61. Sur la figure 13, on a représenté la cavité 61 fermée, les deux autres 62, 63 étant ouvertes.

Cette pompe péristaltique peut permettre d'obtenir des débits allant jusqu'à quelques dizaines de μΙ/mn, généralement inférieurs à 100pl/mn. La puissance d'une telle pompe est de l'ordre de quelques centaines de milliWatts.

Ainsi, après avoir introduit de l'air dans la première cavité 61 , on ferme celle-ci, ce qui fait parvenir de l'air dans la deuxième cavité 62. L'opération est à nouveau effectuée avec les deux autres cavités 62, 63 si bien que l'air est amené de proche en proche dans la cavité située entre la membrane 3 et le deuxième conducteur électrique 5.

On comprend que d'autres moyens d'ouverture/fermeture des cavités 61 , 62, 63 pourraient être envisagés, en particulier d'autres moyens magnétiques exerçant une fonction identique.

La figure 14 représente différentes structures obtenues dans le procédé de fabrication du dispositif hyperfréquence reconfigurable de la figure 13.

Les étapes (a) à (d) représentées sur la figure 14 sont les mêmes que les étapes (a) à (d) représentées sur la figure 2.

Puis, du PDMS est enduit à la tournette sur la bicouche Ti/SiO ₂ , avec plusieurs aimants. La bicouche sert de moyen d'accroché entre le PDMS et l'or. Puis, un cadre en PDMS, présentant plusieurs cavités (en l'occurrence quatre) reliées entre elles par des orifices, est collé après activation aux ultraviolets ou plasma oxygène sur le PDMS préalablement enduit. La structure obtenue est représentée sur la figure 14(e).

Enfin, la couche sacrificielle de molybdène est supprimée, par exemple par gravure à l'eau oxygénée, et le substrat en silicium enlevé. La structure ainsi libérée est reportée sur une couche de cuivre destinée à former le deuxième conducteur électrique 5. Un support additionnel comportant plusieurs moyens magnétiques (en l'occurrence des bobines) est solidarisé avec la structure. On obtient finalement la structure représentée sur la figure 14(f).

Par ailleurs, il est tout à fait envisageable de mettre en œuvre un moyen 6 pour déformer la membrane 3 électromagnétique et exerçant la même fonction que les moyens fluidiques mentionnés ci-dessus.

Par exemple, le premier conducteur électrique 4 peut présenter également une fonction magnétique, le moyen 6 pour déformer la membrane 3 est un moyen pour appliquer un champ magnétique contrôlable 11 destiné à interagir avec le premier conducteur électrique 4.

Le premier conducteur électrique 4 peut être un aimant permanent ou un matériau ferromagnétique. Par ailleurs, le moyen 11 pour appliquer un champ magnétique peut être une bobine, un conducteur parcouru par un courant électrique, un aimant mobile ou un composé magnétoélectrique.

Dans ce cas, le premier conducteur électrique 4 peut être réalisé à partir de l'un des éléments suivants : SmCo (Samarium-Cobalt), AINiCo (Aluminium-Nicket-Cobalt), FePt (Fer-Platine), NdFeB (Neodynium- Fer-Bore), alliages Fe-Ni, Fe-Ni-Mo, Ni, Co, alliages de Fer, alliages de Cobalt, alliages de Nickel.

Les figures 15(a) et 15(b) représentent deux variantes, fournies à titre d'exemple, d'implantation au sein du dispositif hyperfréquence reconfigurable, du premier conducteur électrique 4 présentant une fonction d'aimant permanent, et de la bobine 11.

Dans le cas d'espèce, le dispositif hyperfréquence reconfigurable est représenté avec deux diélectriques entre les deux conducteurs 4, 5, à savoir un fluide diélectrique tel que l'air (« diélectrique n°1 ») au contact de la membrane 3, au-dessous du quel est disposé un diélectrique solide 9 (« diélectrique n°2 »), par exemple de l'alumine ou fait en un matériau multiphasique tel qu'une mousse.

Sur la figure 15(a), la membrane déformable 3 est située à partir de la partie supérieure du support mécanique 2 et s'étend vers l'extérieur du dispositif hyperfréquence reconfigurable, la bobine électromagnétique 11 étant quant à elle logée dans une cavité formée sous le deuxième conducteur électrique 5.

Sur la figure 15(b), la position de la membrane et du premier conducteur électrique disposé dessus d'une part et la position du deuxième élément diélectrique disposés sur le l'élément diélectrique solide 9 sont inversées. La membrane déformable 3 s'étend ainsi à l'intérieur du dispositif hyperfréquence reconfigurable, la bobine électromagnétique 11 étant logée dans une cavité formée sous la membrane 3.

Un procédé de fabrication du dispositif hyperfréquence reconfigurable 1 représenté sur la figure 15(a) est fourni sur la figure 16, le premier conducteur électrique 4 étant réalisé avec un alliage SmCo.

Une couche sacrificielle de molybdène est tout d'abord déposée sur un substrat en silicium. Puis, une résine positive est mise en motif par photolithographie. Une tricouche Cr/SmCo/Cr est ensuite déposée par pulvérisation cathodique, puis mise en motif par un procédé « lift-off ». La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 16(a). Typiquement, les couches de Chrome présentent une épaisseur d'environ 100nm, et la couche de SmCo présente une épaisseur de l'ordre de 2 m. Cette structure subit ensuite un recuit, à une température de 550°C environ, sous vide. La structure obtenue est représentée sur la figure 16(b).

Une autre résine positive est ensuite déposée par photolithographie et une bicouche Ti/SiO ₂ est déposée. Le dépôt de la couche de Ti s'effectue par pulvérisation sur une épaisseur de 50nm environ. Il est suivi du dépôt de la couche en Si0 ₂ , sur une épaisseur de 50nm également, par PECVD. Une mise en motif par procédé « lift-off » est ensuite réalisée. La structure alors obtenue est représentée sur la figure 16(c).

Ensuite, du PDMS est enduit à la tournette sur la bicouche Ti/Si0 ₂ , cette bicouche servant de moyen d'accroché pour le PDMS. Puis, un cadre en PDMS, présentant une cavité, est collé après activation aux ultraviolets ou plasma oxygène sur le PDMS préalablement enduit. La structure obtenue est représentée sur la figure 16(d).

La couche sacrificielle de molybdène est supprimée, par exemple par gravure à l'eau oxygénée, et le substrat en silicium enlevé. La structure ainsi libérée est reportée sur une couche de cuivre munie d'un diélectrique solide 9, par exemple en alumine, cette couche de cuivre étant destinée à former le deuxième conducteur électrique 5, figure 16(e).

Enfin, une bobine électromagnétique 11 et un élément de support additionnel sont ajoutés à la structure de la figure 16(e) afin de réaliser le moyen électromagnétique pour déformer la membrane 3.

La structure représentée sur la figure 16(f) correspond à celle qui est donc représentée sur la figure 15(a).

En variante, le premier conducteur électrique 4 peut comprendre un conducteur électrique proprement dit et un élément magnétique distinct dudit conducteur.

Dans ce cas, l'élément magnétique peut être choisi parmi le NdFeB (Neodyme-Fer-Bore), les ferrites, les terres rares ou les alliages et composés de Fer. Les structures représentées sur les figures 15(a) et 15(b) peuvent également s'appliquer ici. Le procédé illustré sur la figure 16 en correspondance avec le dispositif de la figure 1 (a) peut être employé, l'étape (a) consistant alors à prévoir le dépôt d'un élément magnétique puis du conducteur électrique proprement dit.

L'élément magnétique peut être un aimant permanent ou un matériau ferromagnétique. Par ailleurs, le moyen 1 1 pour appliquer un champ magnétique peut être une bobine, un conducteur parcouru par un courant électrique, un aimant mobile ou un composé magnétoélectrique.

En variante, la membrane déformable 3 peut présenter une fonction magnétique, le moyen 6 pour déformer la membrane 3 étant un moyen 11 pour appliquer un champ magnétique contrôlable destiné à interagir avec la membrane 3.

La fonction magnétique assurée par la membrane 3 peut être celle d'un aimant permanent ou d'un matériau ferromagnétique. Encore une fois, le moyen 1 pour appliquer un champ magnétique peut être une bobine, un conducteur parcouru par un courant électrique, un aimant mobile ou un composé magnétoélectrique.

La membrane déformable 3 peut comprendre une poudre magnétique. Par exemple, la membrane 3 peut être un matériau composite comprenant 50% de PDMS et 50% d'une poudre magnétique. La poudre magnétique peut être de la poudre de ferrite. Si par exemple il s'agit de la poudre de ferrite référencée HM 410, on peut obtenir une membrane 3 présentant une fonction d'aimant permanent de rémanence ce 0,03 Tesla.

En variante, la poudre magnétique peut être choisi parmi une poudre de NdFeB, FePt, SmCo, Fe, Fe-Ni, Fe-Ni-Mo, Ni, Co, alliages de Fe, alliages de Ni, alliages de Co.

Encore une fois, on peut retrouver ici les structures représentées sur les figures 15(a) et 15(b), compte tenu toutefois des modifications mentionnées ci-dessus. Par ailleurs, le procédé illustré sur la figure 2 peut être employé, avec une membrane comportant une poudre magnétique, et l'ajout d'une étape finale correspondant à l'étape représentée sur la figure 16(f). Un moyen 6 fluidique ou électromagnétique pour déformer la membrane 3 tel que décrit précédemment peut être employé indifféremment avec l'une quelconque des structures décrites à l'appui des figures 4 et 6 à 12.

De façon alternative, un moyen 6 pour déformer la membrane

3 assurant la même fonction peut être choisi parmi un moyen magnétoélastique, piézoélectrique, électrostrictif, thermique, électrorhéologique, magnétorhéologique, à base d'un alliage à mémoire de forme thermique ou d'un alliage à mémoire de forme magnétique. Comme mentionné précédemment, on comprend donc que ces moyens alternatifs sont adaptés pour exercer une force de déformation sur la membrane 3 dont la valeur est compatible avec les propriétés de déformation de cette membrane 3, et ce de façon à exploiter au mieux les capacités de déformation de la membrane 3.

Enfin, il faut noter que les structures décrites à l'appui des figures 1 , 4 et 6 à 12 ne représentent qu'une structure de base. En effet, si un dispositif conforme à l'invention peut être réalisé à partir de cette structure de base, combinée à un moyen fluidique ou électromagnétique pour déformer la membrane 3, on peut envisager un dispositif hyperfréquence conforme à l'invention muni de plusieurs structures de bases associées.