STEINECKE, Thomas (Am Hof 14, Wörth, 85457, DE)
KELLER, Uwe (Am Kolsberg 25, Altenbeken, 33184, DE)
MAGER, Thomas (Lindenweg 9, Salzkotten, 33154, DE)
SCHUBERT, Göran (Uigenauer Weg 22, Schwabach, 91126, DE)
STEINECKE, Thomas (Am Hof 14, Wörth, 85457, DE)
KELLER, Uwe (Am Kolsberg 25, Altenbeken, 33184, DE)
MAGER, Thomas (Lindenweg 9, Salzkotten, 33154, DE)
Patentansprüche
1. Einrichtung zur Energieversorgung eines schnell taktenden und/oder schnell getakteten integrierten Schaltkreises (13; 51; 52), der eine zu versorgende Schaltkreislast (17) und eine zur Schaltkreislast (17) parallel geschaltete interne Kapazität (15) aufweist, wobei a) der integrierte Schaltkreis (13; 51; 52) eine hohe, insbesondere mindestens im MHz-Bereich liegende Taktfrequenz (fl) aufweist, b) eine insbesondere als Stromquelle ausgebildete Versorgungseinheit (14; 56; 61) direkt an die interne Kapazität (15) angeschlossen ist, und wobei c) die Versorgungseinheit (14; 56; 61) einen Innenwi- derstand (30) hat, dessen Impedanzwert bei der
Taktfrequenz (fl) und insbesondere ihren Oberwellen so hoch ist, dass ein die Schaltkreislast (17) versorgender Strom (I D2 / I C22 ) ZU einem größeren Anteil aus der internen Kapazität (15) als aus der Versor- gungseinheit (14; 56; 61) stammt, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine parallel zur Schaltkreislast (17) angeordnete zu- und abschaltbare Hilfslast (54) oder eine Stromsenke vorgesehen ist, wobei die Hilfslast (54) bzw. die Stromsenke insbesondere je- weils integraler Bestandteil des Schaltkreises (52) ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Innenwiderstand (30) mindestens eine Induktivität enthält.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (53) zur stufenweisen Laständerung vorgesehen sind.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Versorgungseinheit (61) eine zu- und abschaltbare Hilfsquelle (62) enthält.
5. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (57, 58, 59, 60) zur vorübergehenden Reduzierung eines wirksamen Innenwiderstandswerts der Versorgungseinheit (56) vorgesehen sind.
6. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zur internen Kapazität (15) eine Kapazität (15') angeschlossen ist.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die parallele Kapazität 15 ' über separate Bonddrähte angeschlossen ist.
8. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ferrit (F B ) zwischen Ground des integrierten Schaltkreises (13; 51; 52) und Ground (GND_K) der Leiterplatte geschaltet ist.
9. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Versorgungseinheit (14; 56; 61) eine als Stromquelle wirkende Reihenschaltung aus einer Spannungsquelle (29) und dem Innenwiderstand (30) umfasst.
10. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Regeleinheit (22a) zur Regelung der von der Versorgungseinheit (14; 56; 61) dem integrierten Schaltkreis (13; 51; 52) zur Verfügung gestellten Energie vorgesehen ist.
11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Regeleinheit (22a) einen an die interne Kapazität (15) angeschlossenen Tiefpass (23) zur Erfassung einer an der Schaltkreislast (17) abfallenden Spannung (U L , U LM ) um- fasst .
12. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Versorgung mittels der Versorgungseinheit (14; 56; 61) ein Tiefpass-Verhalten mit einer Transitfrequenz aufweist, die niedriger als die Taktfrequenz (fl) ist.
13. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Innenwiderstand (30) mindestens ein Ferrit-Element (35) umfasst
14. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Innenwiderstand (30) mindestens einen niederkapazitiven Widerstand (31, 32, 33, 34) und insbesondere ein in Reihe geschaltetes Ferrit-Element (35) umfasst |
Geregelte Energieversorgung eines Schaltkreises
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Energiever- sorgung eines schnell taktenden und/oder schnell getakteten integrierten Schaltkreises gemäß PCT/DE2005/000433 und Ausgestaltungen zur Realisierung dieser Einrichtung.
Wie in anderen Bereichen der Technik finden heutzutage auch im Bereich der Automobiltechnik zunehmend integrierte Schaltkreise, beispielsweise in Form von Mikroprozessoren oder Mikrocontrollern, Verwendung. Zu deren Betrieb sind Einrichtungen zur Energieversorgung vorgesehen. Bekannte derartige Einrichtungen enthalten üblicherweise eine parallel zwischen einen Versorgungseingang des integrierten Schaltkreises und Masse geschaltete externe Abblockkapazität sowie eine parallel dazu geschaltete Spannungsquelle. Die Spannungsquelle lädt die Abblockkapazität, und die dem integrierten Schaltkreis zugeführte Energie wird der Abblockkapazität mittels eines Entladestroms entzogen. Dadurch soll eine möglichst realistische Nachbildung einer idealen Spannungsquelle erreicht werden. Die bekannten Einrichtungen zur Energieversorgung führen allerdings zu einer unerwünscht hohen Abstrahlung von elektromagnetischer Energie, insbesondere wenn eine
Taktfrequenz des integrierten Schaltkreises größere Werte als 10 MHz annimmt. Dann werden gegebenenfalls auch die EMV-Anforderungen der Automobil-Branche nicht mehr erfüllt.
Die PCT/DE2005 /000433 beschreibt eine Einrichtung der eingangs bezeichneten Art, mit deren Hilfe ein integrierter Schaltkreis auch bei einer hohen Taktrate, insbesondere im MHz-Bereich, mit Energie versorgt werden kann, wobei gleichzeitig die EMV-Anforderungen der Automobil- Branche eingehalten werden.
Zum einen wird dabei auf die externe Beschaltung mit der zusätzlichen Abblockkapazität verzichtet. Stattdessen wird eine innerhalb des integrierten Schaltkreises ohnehin vorhandene interne Buskapazität verwendet. Zum anderen wird anstelle der bei den bekannten Einrichtungen eingesetzten niederohmigen Spannungsquelle eine Energieversorgung mit einem möglichst hohen Innenwiderstand ver- wendet .
Die Kombination beider Maßnahmen bewirkt eine Frequenz- entkopplung der Auf- und der Entladung der Buskapazität. Während das Entladen der Buskapazität weiterhin mit der hohen Taktfrequenz stattfindet, erfolgt das Aufladen dagegen bei einer deutlich tieferen Frequenz. Letztere ergibt sich aufgrund des Tiefpassverhaltens der Kombination von Buskapazität und hochohmigem Innenwiderstand der Versorgungseinheit. Im Zusammenhang mit der Aufladung auf- tretende Ladefrequenzen sind um mindestens eine Größenordnung kleiner als im Zusammenhang mit der Entladung auftretende Entladefrequenzen, die hauptsächlich durch die Grundwelle (= Taktfrequenz) der Taktrate des integrierten Schaltkreises und deren Oberwellen bestimmt wer- den. Nebenstörungen entstehen durch die interne Kommuni-
kation, deren Grundfrequenz meist mit der halben Taktrate betrieben wird. Signalanteile mit den hochfrequenten Entladeströmen sind räumlich eng begrenzt und liegen im Wesentlichen nur innerhalb des integrierten Schaltkreises vor. Signalanteile mit den niederfrequenten Ladeströmen durchlaufen dagegen auch eine Leiterplatte, auf die der integrierte Schaltkreis montiert ist . Beide Signalanteile bewirken keine wesentliche Abstrahlung von elektromagnetischer Energie - der Entlade-Signalanteil aufgrund der engen räumlichen Begrenzung innerhalb des integrierten Schaltkreises und der Lade-Signalanteil aufgrund der niedrigen Frequenz.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Einrich- tung der eingangs bezeichneten Art zu realisieren.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird eine Einrichtung zur Energieversorgung eines schnell taktenden integrierten Schaltkreises entsprechend den Merkmalen des Patentan- Spruchs 1 angegeben. Die Erfindung beruht dabei im Wesentlichen darauf, dass mindestens eine parallel zur Schaltkreislast angeordnete zu- und abschaltbare Hilfs- last oder eine Stromsenke vorgesehen ist, die die hochfrequenteren LastSchwankungen der Schaltkreislast ausgleicht, wobei die Hilfslast bzw. die Stromsenke insbesondere jeweils integraler Bestandteil des Schaltkreises ist. Dies bewirkt insbesondere eine Anpassung der Laständerungsgeschwindigkeit an die Regelungsgeschwindigkeit der die Versorgungseinheit umfassenden Regeleinheit.
Insgesamt lässt sich also auch ein integrierter Schaltkreis mit einer hohen Taktrate mittels der erfindungsgemäßen Einrichtung mit elektrischer Energie versorgen, ohne dass es dabei zu einer nennenswerten Abstrahlung elektromagnetischer Energie kommt. Die EMV-Anforderungen der Automobil-Branche werden auch bei Taktfrequenzen im oberen MHz-Bereich noch eingehalten.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Ein- richtung ergeben sich aus den von Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen.
Die Maßnahme nach Anspruch 2 stellt den Stromquellencharakter der Energieversorgungseinrichtung für höhere Fre- quenzen grundsätzlich sicher.
Die Maßnahme nach Anspruch 3 bewirkt eine Anpassung der Laständerungsgeschwindigkeit an die Regelungsgeschwindigkeit der die Versorgungseinheit umfassenden Regeleinheit.
Dagegen bewirken die Maßnahmen nach den Ansprüchen 4 und 5 eine vorübergehende Anpassung der Regelungsgeschwindigkeit der die Versorgungseinheit umfassenden Regeleinheit an die Laständerungsgeschwindigkeit.
Die Ausgestaltung gemäß Anspruch 6 führt zu einer Reduzierung der Auswirkung von LastSchwankungen auf die Spannung an der internen Kapazität.
Die Variante nach Anspruch 7 vermindert die an den Versorgungspins des integrierten Schaltkreises auftretenden hochfrequenten Spannungen. Sollte der parallel zur internen Kapazität angeschlossene Kondensator nicht auf dem integrierten Schaltkreis untergebracht werden können, kann er auch auf der Leiterplatte platziert werden. Dadurch müssen die separaten Bonddrähte auf separate Pins geführt werden, an die besagter paralleler Kondensator angeschlossen wird.
Die Variante nach Anspruch 8 reduziert hochfrequente Ströme im Ground der Leiterplatte.
Die Variante nach Anspruch 9 lässt sich einfach realisie- ren. Eine Stromquelle, die im Idealfall durch einen unendlich hohen Innenwiderstand gekennzeichnet ist, wird mittels einer Reihenschaltung einer niederohmigen Spannungsquelle mit dem je nach Anwendungsfall dimensionierten Innenwiderstand nachgebildet. Eine Spannungsquelle kann in einfacher Weise aufgebaut werden. Dies gilt insbesondere auch für eine spannungsgesteuerte Spannungsquelle.
Die Ausgestaltung gemäß Anspruch 10 stellt sicher, dass die Energiezuführung dem aktuell herrschenden Bedarf entspricht.
Dabei gewährleistet die Maßnahme nach Anspruch 11 außerdem, dass die Regeleinheit eine vorteilhaft niedrige Re- gelungsgeschwindigkeit aufweist. Auch abrupte änderungen
der an der internen Kapazität abfallenden Spannung führen aufgrund der Tiefpass-Wirkung nur zu einem langsamen Nachführen von Ladeenergie.
Die Variante gemäß Anspruch 12 verhindert, dass hochfrequente Signalanteile in nennenswertem Umfang auch außerhalb des integrierten Schaltkreises, also beispielsweise auf den Zu-/Ableitungen der Leitplatte, auftreten und dort zu einer Abstrahlung führen.
Die Maßnahme gemäß Anspruch 13 und 14 verhindert einen zu starken Einfluss von Parallelkapazitäten der zur Realisierung des Innenwiderstandes eingesetzten Einzelelemente. Parallelkapazitäten sind ungünstig, da sie bei hohen Frequenzen einen niedrigen Impedanzwert aufweisen. Die Reihenschaltung eines Widerstands und eines Ferrit- Elements reduziert den unerwünschten Einfluss der Parallelkapazität des Ferrit-Elements. Ebenso verringert sich der Einfluss der parasitären Parallelkapazität des Wider- Stands, wenn mehrere Widerstände in Reihe geschaltet sind. Einen guten Kompromiss zwischen Aufwand und Nutzen liefert insbesondere die Reihenschaltung von vier niederkapazitiven Widerständen. Der mindestens eine niederkapazitive Widerstand reduziert die überbrückungskapazität der Gesamtanordnung und liefert eine wirksame Grunddämpfung, wohingegen das Ferrit-Element gerade im Bereich der hohen Taktfrequenz einen erwünscht hohen Verlustanteil aufweist.
Die vorstehend genannten vorteilhaften Weiterbildungen können in beliebigen Kombinationen vorliegen.
Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Es zeigen:
Fig. 1 und 2 eine Einrichtung zur Energieversorgung eines Schaltkreises gemäß dem Stand der Technik,
Fig. 3 und 4 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungs- gemäßen Einrichtung zur Energieversorgung eines Schaltkreises,
Fig- 5 ein Blockschaltbild für eine Regelung der Energieversorgung gemäß den Fig. 3 und 4,
Fig. 6 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Einrichtung zur geregelten Energieversorgung ei- nes Schaltkreises,
Fig. 7 ein Ausführungsbeispiel eines Innenwiderstands der Energieversorgung gemäß Fig. 6 und
Fig. 8 bis 12 weitere Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer Einrichtungen zur geregelten Energieversorgung eines Schaltkreises.
Einander entsprechende Teile sind in den Fig. 1 bis 12 mit denselben Bezugszeichen versehen.
In Fig. 1 und 2 ist eine Einrichtung 1 zur Energieversor- gung eines integrierten Schaltkreises 2 gemäß dem Stand der Technik dargestellt. Ein Versorgungseingang 3 des integrierten Schaltkreises 2 ist parallel mit einer externen Abblockkapazität 4 und einer als Spannungsquelle ausgebildeten Versorgungseinheit 5 beschaltet. Der integ- rierte Schaltkreis 2, die Abblockkapazität 4 und die Versorgungseinheit 5 sind auf einer zweilagigen Leiterplatte 6, an die ein Kabelbaum 7 angeschlossen ist, angeordnet. In dem Ersatzschaltbild nach Fig. 2 ist der beispielsweise als schnell taktender Mikroprozessor oder Mikrocon- troller oder auch als schnell getakteter Speicherbaustein ausgeführte integrierte Schaltkreis 2 als komplexe Impedanz 8 wiedergegeben. Außerdem sind in der Masse- Rückleitung zwei Common-Mode-Induktivitäten 9 und 10 angeordnet, denen eine Antennendach-Kapazität 11 parallel geschaltet ist.
Die bekannte Einrichtung 1 zur Energieversorgung hat folgende Wirkungsweise. Die Versorgungseinheit 5 liefert eine Quellspannung UQ I - Mittels der parallelgeschalteten Abblockkapazität 4, die beispielsweise einen Kapazitätswert von etwa 100 nF hat, wird eine ideale Spannungsquelle nachgebildet. Die Energieversorgungseinheit 5 liefert einen Ladestrom I C i, mittels dessen die Abblockkapazität 4 aufgeladen wird. Ein der Abblockkapazität 4 entnommener ξntladestrom I DI versorgt den integrierten Schaltkreis 2
mit Energie. Der Ladestromkreis ist in Fig. 1 mit gestrichelten Linien und der Entladestromkreis mit durchgezogenen Linien angedeutet. Bei jedem Schaltvorgang des integrierten Schaltkreises 2 wird der Abblockkapazität 4 also ein Teil ihrer Ladung entnommen. Die dadurch entstehende Potentialdifferenz wird durch sofortiges Nachladen mittels der Energievorsorgungseinheit 5 wieder ausgeglichen.
Der Ladestrom I C i und der Entladestrom I D1 enthalten die- selben Frequenzanteile, die im Wesentlichen durch den schnell getakteten integrierten Schaltkreis 2, insbesondere durch dessen Taktfrequenz fl, bestimmt werden. Folglich ergeben sich die Magnetfelder H CMI und H CM2 / die als konzentrierte Elemente den Common-Mode-Induktivitäten 9 bzw. 10 (Fig. 2) in den Zu-/Rückleitungen des Lade- und des Entladestromkreises entsprechen und Spannungsabfälle mit der gleich hohen Taktfrequenz fl hervorrufen. Innerhalb der Zu-/Rückleitungen der Leiterplatte 6 bildet sich also eine Common-Mode-Spannung U CM aus, die mit einem e- lektrischen Feld E CM1 (Fig.l) verknüpft ist und die aufgrund der Energiespeichereigenschaft der Induktivitäten 9 und 10 (Fig.2) einen Common-Mode-Strom I CM treibt.
Im Rahmen der Erfindung wurde erkannt, dass die Gesamtan- Ordnung aus Leiterplatte 6 und Kabelbaum 7 ein dipolartiges Antennenverhalten aufweist. Der Common-Mode-Strom I CM wird daher zumindest zu einem gewissen Anteil abgestrahlt. Der Grad der Abstrahlung hängt dabei stark von der Taktfrequenz fl ab. Aufgrund des dipolartigen Verhal- tens steigt die Abstrahlung mit dem Quadrat der Taktfre-
quenz f1. Eine hohe, beispielsweise im n x 10 MHz-Bereich angesiedelte Taktfrequenz fl führt somit zu einer sehr hohen Abstrahlung. Die abgestrahlte Energie stammt dabei größtenteils aus dem Verschiebungsstrom der Antennendach- Kapazität 11 (Fig. 2), also aus dem Common-Mode-Strom
Das beschriebene Abstrahlverhalten der bekannten Einrichtung 1 führt dazu, dass EMV-Anforderungen, die insbeson- dere bei einem Einsatz der Einrichtung 1 in der Automobiltechnik vorgegeben sind, bei steigenden Taktfrequenzen fl nicht mehr erfüllt werden können.
Die in den Fig. 3 bis 12 gezeigten Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer Einrichtungen zur Energieversorgung umgehen die beschriebenen Nachteile der bekannten Einrichtung 1. Sie weisen ein stark reduziertes Abstrahlverhalten auf, sodass die von der Automobil-Branche gestellten EMV-Anforderungen auch bei einer hohen Taktfrequenz fl erfüllt werden.
In den Fig. 3 und 4 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Einrichtung 12 zur Energieversorgung eines integrierten Schaltkreises 13 mittels einer Versorgungseinheit 14 dargestellt. Im Unterschied zur Einrichtung 1 enthält die Einrichtung 12 keine gesonderte externe Abblockkapazität 4. Stattdessen wird auf eine interne Buskapazität 15 zurückgegriffen, die als Bestandteil eines Versorgungsbusses des integrierten Schaltkreises 13 parallel zu einem Versorgungseingang 16 angeordnet ist und beispiels-
weise einen Kapazitatswert von etwa 5 nF hat. Durch den Rückgriff auf die ohnehin vorhandene Buskapazität 15 sinkt der Realisierungsaufwand. Außerdem ist die Versorgungseinheit 14 nicht wie bei der Einrichtung 1 als nie- derohmige Spannungsquelle, sondern als hochohmige Stromquelle ausgebildet.
Gemäß Fig. 4 enthält der integrierte Schaltkreis 13 neben der Buskapazität 15 sowie einer eigentlich zu versorgen- den und als Impedanz symbolisierten Schaltkreislast 17 in seiner Masse-Rückleitung eine Common-Mode-Induktivität 18 und eine dazu parallel angeordnete Antennendach-Kapazität 19. Dementsprechend weist auch der im Wesentlichen über die Leiterplatte 6 verlaufende Ladestromkreis in seiner Masse-Rückleitung eine Parallelschaltung aus einer Com- mon-Mode-Induktivität 20 und einer Antennendach-Kapazität 21 auf.
Im Folgenden wird die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Einrichtung 12 näher beschrieben. Der Ladestromkreis und der Entladestromkreis sind sowohl räumlich als auch in der Frequenz entkoppelt. Der Entladestromkreis ist auf die Fläche des integrierten Schaltkreises 13 begrenzt, wohingegen der Ladestromkreis im Wesentlichen in der Lei- terplatte 6 verläuft. Ein Entladestrom I D2 , mittels dessen der Buskapazität 15 Energie entnommen und der Schalt- kreislast 17 zugeführt wird, weist Frequenzanteile auf, die im Wesentlichen durch die hohe Taktfrequenz fl bestimmt sind. Dagegen erfolgt die Ladung der Buskapazität 15 mittels eines Ladestroms I 02 , der eine wesentlich
niedrigere Ladefrequenz f2 aufweist und als Quellstrom I Q von der Versorgungseinheit 14 zur Verfügung gestellt wird.
Die Buskapazität 15 und der hochohmige Innenwiderstand der Versorgungseinheit 14 bilden einen Tiefpass, der die " wesentlich niedrigeren Frequenzen des Ladestroms ∑ c2 bedingt . Im Idealfall eines unendlich hohen Innenwiderstands enthält der Ladestrom I C2 ausschließlich einen Gleichanteil. Aber auch bei einer praktischen Realisierung liegt die Ladefrequenz f2 mindestens um eine Größenordnung niedriger als die Taktfrequenz f1. Typischerweise bewegt sich die Ladefrequenz f2 im kHz-Bereich und die Taktfrequenz fl zwischen 50 MHz und 300 MHz. Bei einer so niedrigen Ladefrequenz f2 führt ein mit dem Ladestrom I C2 verknüpftes Magnetfeld H CM4 ZU einer proportional zu Frequenzverringerung geringeren Common-Mode-Spannung U CM2 • Die Effizienz des dipolartigen Gebildes der Gesamtanor- dung sinkt sogar mit dem Quadrat der Frequenzverringerung von fl auf f2, sodass sich ein nur sehr niedriger Com- mon-Mode-Strom I CM2 innerhalb der Leiterplatte 6 ausbildet, und keine nennenswerte Abstrahlung stattfindet. Deshalb sind die Common-Mode-Induktivität 20 und die Antennendach-Kapazität 21 in den Darstellungen der folgenden Fig. 6 sowie 8 bis 12 jeweils weggelassen.
Innerhalb des integrierten Schaltkreises 13 führt ein mit dem Entladestrom I D 2 einhergehendes Magnetfeld H CM3 aufgrund der höheren Frequenzanteile zur Ausbildung eines elektrischen Feldes E CM2 und einer Common-Mode-Spannung
U CMI - Dementsprechend bildet sich in der Masse-Rückleitung auch ein Common-Mode-Strom I CMI aus. Da die vom Strom I D2 umrandete Fläche des integrierten Schaltkreises 13 deutlich kleiner ist als die bei der Einrichtung 1 durch I D i umfasste Fläche der Leiterplatte 6, resultiert verglichen mit der Einrichtung 1 eine deutlich reduzierte Abstrahlung. Eine ideale Versorgungseinheit 14 vorausgesetzt liefert eine vergleichende Abschätzung der bei den Einrichtungen 1 und 12 jeweils erfassten, d.h. von den hochfrequenten Strömen I C i und I D i bzw. I D2 umrandeten Flächen eine Reduzierung der Abstrahlung um einen Faktor von etwa 10000.
In Fig. 5 ist ein Blockschaltbild für eine Regelung der Energieversorgung der Einrichtung 13 dargestellt. Eine
Umsetzung dieses Regelungskonzepts ist in einem weiteren in Fig. 6 gezeigten Ausführungsbeispiel einer Einrichtung 22 zur Energieversorgung des integrierten Schaltkreises 13 enthalten. Die Regelung stellt sicher, dass der Schaltkreislast 17 eine konstante Lastspannung U L zur E- nergieversorgung zur Verfügung gestellt wird. Da es im Wesentlichen nur darauf ankommt, den Mittelwert der an der Buskapazität 15 abfallenden Spannung konstant zu halten, kann die Lastspannung U L direkt am Versorgungsein- gang 16 abgegriffen werden, wobei sowohl die Common-Mode- Induktivität 18 als auch ggf. zusätzlich vorhandene Bond- Induktivitäten vernachlässigt werden können.
Eine Regeleinheit 22a umfasst einen am Versorgungseingang 16 angeschlossenen Tiefpass 23, der mittels eines Tief-
pass-Widerstands 24 und einer Tiefpass-Kapazität 25 aufgebaut ist, eine Vergleichsstelle 26, einen Regler 27 sowie einen U/I-Wandler 28. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 sind die Vergleichsstelle 26 und der Regler 27 in eine spannungsgesteuerte Spannungsquelle 29 integriert. Der U/I-Wandler 28 ist als ein insbesondere im Bereich der Taktfrequenz fl hochohmiger Innenwiderstand 30 realisiert. Die Reihenschaltung der Spannungsquelle 29 und des hochohmigen Innenwiderstands 30 bildet die als Bestandteil der Regelungseinheit 22a ausgeführte Versorgungseinheit 14. Diese Reihenschaltung stellt eine Nachbildung einer Stromquelle dar.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 und 6 wird im Folgenden die Funktionsweise der bei der Einrichtung 22 eingesetzten geregelten Energieversorgung beschrieben. Die in erster Näherung auch am Versorgungseingang 16 anstehende Lastspannung U L wird an der Tiefpass-Kapazität 25 als gemessene Lastspannung U LM erfasst und der in die Span- nungsquelle 29 integrierten Vergleichsstelle 26 zugeführt. Je nach Abweichung von einer vorgegebenen Referenzspannung U R wird der Regler 27 angesteuert, sodass an seinem Ausgang und damit auch am Ausgang der Spannungsquelle 29 eine Quellspannung U Q2 ansteht. Letztere wird mittels des hochohmigen Innenwiderstands 30 in den Ladestrom I C2 umgewandelt, der dem integrierten Schaltkreis 13 zur Energieversorgung zugeführt wird. Abweichungen, die sich aufgrund von Lastschwankungen oder anderen zufälligen Ereignissen ergeben, werden in dem Blockschalt-
bild gemäß Fig. 5 durch eine Beaufschlagung des Ladestroms I C2 mit einer Störgröße δl berücksichtigt.
Durch entsprechende Diinensionierung des Tiefpasses 23 wird die Regelungsgeschwindigkeit begrenzt, sodass die Transitfrequenz der Regelung kleiner als die Grundwelle (= Taktfrequenz fl) der Taktung des Schaltkreises 13 ist. Insbesondere liegt diese Transitfrequenz mindestens um eine Größenordnung unter der Taktfrequenz fl. Bei einer Taktfrequenz fl von beispielsweise 50 MHz ist die höchste Frequenz, die die Regelung dann typischerweise verursacht oder passieren lässt, kleiner oder gleich 1 MHz. Dadurch wird sichergestellt, dass praktisch keine für eine Abstrahlung relevanten hochfrequenten Signalanteile in der Leiterplatte 6 auftreten.
Exakt gilt die letzte Aussage nur bei einem unendlichen Innenwiderstand 30. In der Praxis weist der Innenwiderstand 30 jedoch einen endlichen Wert auf, sodass sich der Ladestrom I C2 aus einem ersten niederfrequenten Ladestromanteil I C2 i und einem zweiten hochfrequenten Ladestromanteil I C2 2 zusammensetzt. Der erste Ladestromanteil Ic 2 i dient zur Aufladung der Buskapazität 15 und der zweite Ladestromanteil I c2 2 wird zusammen mit dem ebenfalls hochfrequenten Entladestrom I D2 der Schaltkreislast 17 zur Energieversorgung zugeführt. Hierbei ist der der internen Buskapazität 15 entzogene Ladestrom I D2 deutlich größer als der dem Ladestromkreis entzogene hochfrequente zweite Ladestromanteil I C22 ■ Eine entsprechende Dämpfung a(f) ergibt sich zu:
wobei mit R 1 der Wert des Innenwiderstands 30, mit C B der Wert der Buskapazität 15 und mit f die Frequenz bezeichnet ist. Hierbei ist vorausgesetzt, dass der Innenwiderstand 30 idealisiert als rein ohmscher Widerstand dargestellt werden kann. Bei einer genaueren Betrachtung sollte jedoch die parasitäre Parallelkapazität mitberücksich- tigt werden.
Die Parallelkapazität ist unerwünscht, da sie insbesondere bei hohen Frequenzen eine niederohmige überbrückung des ohmschen Anteils des Innenwiderstands 30 darstellt. Um diesen Einfluss zu minimieren, wird der Innenwiderstand 30 vorzugsweise mittels einer Reihenschaltung mehrerer Widerstände realisiert.
In Fig. 7 ist ein entsprechendes Ausführungsbeispiel des Innenwiderstands 30 gezeigt. Er enthält eine Reihenschaltung aus insgesamt vier niederkapazitiven Teil- Widerständen 31, 32, 33 und 34 und einem Ferrit-Element 35. Die Teil-Widerstände 31 bis 34 haben jeweils einen ohmschen Widerstand 36, 37, 38 bzw. 39 und eine Parallel- kapazität 40, 41, 42 bzw. 43. Je höher die Anzahl der in Reihe geschalteten Teil-Widerstände 31 bis 34 ist, desto niedriger wird der unerwünschte Einfluss der parasitären Parallelkapazitäten 40 bis 43, die beispielsweise einen Wert von kleiner als 0,5 pF haben. Bei insgesamt vier in
Reihe geschalteten Teil-Widerständen 31 bis 34 ergibt sich ein guter Kompromiss zwischen Aufwand und Nutzen.
Das ebenfalls in der Reihenschaltung des Innenwiderstands 30 enthaltene Ferrit-Element 35 umfasst eine Reihenschaltung aus einem Ferrit-Widerstand 44 und einer Ferrit- Induktivität 45 und eine parallel dazu angeordnete Ferrit-Kapazität 46. Die in Reihe zum Ferrit-Element 35 geschalteten Teil-Widerstände 31 bis 34 reduzieren auch den Einfluss der parallelliegenden Ferrit-Kapazität 46.
Während der Gleichstromwiderstand des Ferrit-Elements 35 bei praktisch Null Ohm liegt, verursacht insbesondere der ohmsche Anteil der Ferrit-Induktivität 45 bei hohen Fre- quenzen, also vor allem bei der Trägerfrequenz fl und ihren Oberwellen, einen erwünscht hohen Verlustwiderstand im kω-Bereich und entnimmt dem elektrischen Kreis hochfrequente Energie durch Wandlung in Wärmeenergie. Die ohmschen Widerstände 36 bis 39 haben einen Gesamtwert von bis zu etwa 100 ω. Sie reduzieren die überbrückungskapa- zität der Gesamtanordnung und liefern eine wirksame Grunddämpfung. Der Innenwiderstand 30 gemäß Fig. 7 hat also einen frequenzabhängigen Gesamt-Impedanzwert, der insbesondere mit steigender Frequenz zunimmt.
Die Teil-Widerstände 31 bis 34 reduzieren die überbrückende Ferrit-Kapazität 46 auf etwa den l/24ten Teil ihres ursprünglichen Wertes. Außerdem erhöhen sie die Resonanzfrequenz der Gesamtanordnung aus der Einrichtung 22,
der Leiterplatte 6 und dem Kabelbaum 7 etwa auf die 5fache Frequenz.
Bei der Dimensionierung des Innenwiderstands 30 wird eine Abwägung zwischen größtmöglichem ohmschen Widerstandswert Ri und mit noch vertretbarem Aufwand realisierbarem Wert der Quellspannung U Q2 vorgenommen. Mit steigendem Widerstand Ri wird nämlich auch eine höhere Quellspannung U Q2 benötigt, um den Ladestrom I C2 mit cler erforderlichen Stromstärke, die typischerweise im n x 100 -mA-Bereich liegen kann, zu erhalten. Der beispielsweise als Auf/Abwärts-Schaltregler ausgebildete Regler 27 ist für eine gemessene Lastspannung U LM und für eine Quellspannung U Q2 ausgelegt, deren Werte sich typischerweise im Bereich einiger Volt bis einiger 10 Volt bewegen. Der Innenwiderstand 30 ist aber stets so dimensioniert, dass sein Impedanzwert bei der Taktfrequenz fl so hoch ist, dass ein die Schaltkreislast 17 versorgender hochfrequenter Strom zu einem größeren Anteil aus der Buskapazität 15 als aus der Versorgungseinheit 14 stammt.
Die Auswirkung von Lastschwankungen auf die Spannung an der internen Kapazität 15 wird deutlich reduziert, wenn der Kapazitätswert erheblich erhöht wird. Eine erhebli- che Erhöhung tritt ein, wenn z.B. die üblicherweise geringe interne Kapazität der SpannungsVersorgung 14 von Treibern für externe Prozessorbusse oder externer Speicherbausteine die z.B. in einem Bereich von 30OpF - 3nF liegen, auf 10OnF erhöht wird. Damit können zum einen mehr Ladungen je Zeiteinheit aus der Kapazität entnommen
bzw. in die Kapazität geschoben werden ohne dass die Spannung auf unzulässige Werte abfällt bzw. ansteigt, zum anderen sinkt die Güte des Resonanzkreises, hauptsächlich gebildet aus der internen Kapazität 15 und der externen Zuleitungsinduktivität, deren Hauptanteil von der Induktivität des Ferrit 45 gebildet wird. Somit lassen sich die Güten auf Werte von etwa 1 und die damit verbundenen Resonanzüberhöhungen wirkungsvoll reduzieren. Der Kondensator 15' in Fig. 6 mit der zusätzlichen Kapazität muss dabei über getrennte Bonddrähte direkt parallel zur On-
Chip Kapazität 15 angeschlossen werden. Insbesondere darf der Versorgungsstrom, der durch die Schaltkreisversorgungspins fließt nicht über die Anschlussdrähte der zusätzlichen Kapazität 15' fließen. Die zusätzliche Kapazi- tat 15 ' kann als zusätzlicher keramischer Kondensator ausgeführt sein, und ist vorzugsweise direkt auf dem Substratträger möglichst niederinduktiv an die On-Chip Kapazität anzubinden.
Hinsichtlich der höheren Genauigkeitsanforderungen der
Prozessoren mit reduzierter VersorgungsSpannung (3,3V
1,5V) und der damit geforderten verringerten Auswirkung von Lastschwankungen auf die Spannungskonstanz, ist die beschriebene Kapazitätserhöhung durch Keramikkondensato- ren 15' generell zu empfehlen.
Sollte die Unterbringung des keramischen Kondensators 15 ' direkt auf dem integrierten Schaltkreis 13 nicht möglich sein, so kann dieser, wie in Fig. 12 dargestellt, auch außerhalb des integrierten Schaltkreises 13 auf der Lei-
terplatte untergebracht werden. Wichtig dabei ist, dass der Kondensator 15' über separate Pins angeschlossen wird. Die Spannungsversorgungs- und Ground-Bond- induktivität (L B ) sorgt für eine hochfrequente Entkopp- lung zur Spannungsversorgung 14 und vor allem zum Ground der Leiterplatte . Die Entkopplung zum Ground der Leiterplatte kann durch Einfügen eines Ferrit (F B ) zwischen dem Ground des integrierten Schaltkreises 13 und dem Ground (GND_K) der Leiterplatte erhöht werden.
In den Fig. 8 bis 11 sind weitere Ausführungsbeispiele von Einrichtungen 47, 48, 49 und 50 zur Energieversorgung eines integrierten Schaltkreises 51, 52 bzw. des integrierten Schaltkreises 13 dargestellt. Die Einrichtungen 47 bis 50 enthalten Anpassmittel, die für den Fall vorgesehen sind, dass es in den integrierten Schaltkreisen 51, 52 bzw. 13 zu LastSchwankungen kommt und die Schaltkreislast 17 zeitvariable Werte annimmt. Dazu kommt es beispielsweise, wenn der betreffende integrierte Schaltkreis 13, 51 oder 52 in einen Ruhemodus (= IdIe Mode) übergeht. Die Regeleinheit 22a hat eine möglichst niedrige Regelungsgeschwindigkeit, um eine niedrigere Abstrahlung von Energie zu gewährleisten. Deshalb lässt sich eine insbesondere abrupte Lastschwankung nicht schnell , sondern auch nur mit der niedrigen Regelungsgeschwindigkeit der Regeleinheit 22a ausgleichen. Dies kann zu unerwünschten über- oder Unterspannungen an der Buskapazität 15 führen. Um dies zu verhindern, sind die genannten Anpassmittel vorgesehen.
Die in den Fig. 8 und 9 gezeigten Einrichtungen 47 bzw. 48 führen jeweils eine Anpassung der Laständerungs- geschwindigkeit an die Regelungsgeschwindigkeit durch. Dazu umfasst die Einrichtung 47 Anpassmittel 53, die be- wirken, dass eine Laständerung der Schaltkreislast 17 nur stufenweise und insbesondere so langsam stattfindet, dass eine Nachregelung mittels der Regeleinheit 22a erfolgen kann. Bei der alternativen Lösung gemäß der Einrichtung 48 ist mindestens eine zur Schaltkreislaεt 17 parallel- liegende Hilfslast 54 vorgesehen, die mittels eines
Schalters 55 zu- und abgeschaltet werden kann. Anstelle der Hilfslast 54 kann auch eine insbesondere mittels eines geregelten Operationsverstärkers an die Schaltkreislast 17 angeschlossene Stromsenke vorgesehen sein. Die Anpassmittel 47, die Hilfslast 54 und auch die Stromsenke sind dabei integrale Bestandteile des jeweiligen Schaltkreises 51 bzw. 52.
Die in den Fig. 10 und 11 gezeigten Einrichtungen 49 bzw. 50 bewirken dagegen eine vorübergehende Anpassung der Regelungsgeschwindigkeit an die Laständerungsgeschwindigkeit. Bei der Einrichtung 49 lässt sich der wirksame Innenwiderstand einer Versorgungseinheit 56 temporär reduzieren. Parallel zum Innenwiderstand 30 sind/ist mindes- tens ein weiterer Hilfsinnenwiderstand 57 und/oder ein
Kurzschlusszweig 58, die mittels Schaltern 59 bzw. 60 zu- und abgeschaltet werden können, vorgesehen. Damit lässt sich die Versorgungseinheit 56 zumindest vorübergehend als Spannungsquelle mit verschwindendem Innenwiderstand betreiben. Die Einrichtung 50 enthält eine Versorgungs-
einheit 61, bei der parallel zur Spanmingsquelle 29 und zum Innenwiderstand 30 mindestens eine weitere Hilfs- stromquelle 62 vorgesehen ist, die mittels eines Schalters 63 zu- und abgeschaltet werden kann.
Grundsätzlich können zumindest Teile der Regeleinheit 22a und insbesondere der Versorgungseinheiten 14, 56 oder 61 mit in die jeweiligen integrierten Schaltkreise 13, 51 oder 52 eingebunden werden. Dies ermöglicht eine erleich- terte und schnelle Kommunikation zwischen dem eigentlichen integrierten Schaltkreis 13, 51 oder 52 einerseits und der Regeleinheit 22a und der Versorgungseinheit 14, 56 oder 61 andererseits.