以下、図面を参照して本発明の好ましい� ��施の形態を説明すると、本実施形態におけ� ��基板収納容器は、図1ないし図10に示すよう� ��、複数枚の丸い半導体ウェーハWを収納する 容器本体1と、この容器本体1の開口した正面� ��を開閉する蓋体10と、収納された半導体ウ� �ーハWに対向する蓋体10の対向面である裏面� �フロントリテーナとして装着され、半導体� �ェーハWを保持するリテーナ20とを備え、こ� �リテーナ20の枠体21から突出する弾性片を、� ��数の第一弾性片29と第二弾性片31とに分割し 、各第一弾性片29にダンパー機能を付与する� ��うにしている。

 複数枚の半導体ウェーハWは、例えば25枚� ��るいは26枚からなり、容器本体1内に整列収� ��される。各半導体ウェーハWは、例えば直径 300mmの薄い円板状の単結晶シリコンからなり� ��表裏面がそれぞれ鏡面に形成され、周縁部� ��、整列を容易にする平面略半楕円形のノッ� ��nが切り欠かれており、このノッチnが容器� �体1の開口した正面部側に通常位置する。こ� ��ノッチnの近傍には、図示しない読取装置に 読み取られるバーコードが周縁に沿って形成 される。このような半導体ウェーハWは、そ� �両側部周縁が図示しない専用のロボットに� �りハンドリングされた状態で容器本体1に出� ��入れされる。

 基板収納容器の容器本体1と蓋体10とは、� ��えばポリプロピレン、シクロオレフィンポ� ��マー、ポリカーボネート、ポリエチレンテ� ��フタレート、ポリブチレンテレフタレート� ��ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタ� ��ル、ポリエーテルイミド等の成形材料を使� ��して成形される。これらの成形材料の中で� ��、透明性や高剛性に優れるポリカーボネー� ��の選択が最適である。これらの成形材料に� ��、帯電防止剤、カーボンや金属繊維等の導� ��性付与剤、紫外線吸収剤、ガラス繊維や炭� ��繊維等の補強剤が選択的に適量添加される� ��

 容器本体1は、図1に示すように、正面部� �開口したフロントオープンボックスタイプ� �形成され、複数枚の半導体ウェーハWを所定� ��間隔で上下に整列させた状態で収納する。� ��の容器本体1は、その内部両側に、相互に対 向して半導体ウェーハWを水平に支持する左� �一対のティースが上下方向に所定のピッチ� �配列される。

 各ティースは、図示しないが、容器本体1 の内側部に一体形成されて半導体ウェーハW� �側部周縁に沿う平面略長方形、略く字形、� �半円弧形の棚板と、この棚板上に一体形成� �れる平坦な基板接触部とを備え、棚板の容� �本体1正面部側には、容器本体1の内壁面と共 に半導体ウェーハWの位置を規制する段差が� �成される。このような複数対のティースは� �半導体ウェーハWの両側部周縁を高精度に水� ��に支持し、半導体ウェーハWが上下方向に傾 斜して専用のロボットによる出し入れが困難 になるのを防止するよう機能する。

 容器本体1の底面の前部両側と後部中央と には、基板収納容器を搭載する加工装置(図� �せず)上に位置決めされる位置決め具(図示せ ず)がそれぞれ一体形成され、各位置決め具� �断面略M字形、略V字形、略Y字形等に形成さ� �る。また、容器本体1の天井中央部には、図� ��しない自動搬送機構(オーバーヘッドホイス トトランスファー)に把持される平面略矩形� �ロボティックフランジ(図示せず)が着脱自在 に装着される。また、容器本体1の両側壁の� �下間には、上下前後方向に斜めに伸びる手� �操作用のハンドル2がそれぞれ架設される。

 蓋体10は、図1や図2に示すように、容器本 体1の正面部に対応する正面略矩形の筐体11と 、この筐体11の開口した表面左右両側部に装� ��されて露出する一対の表面プレートとを備� ��、これら筐体11と一対の表面プレートとの� �に、外部からの操作により作動する施錠用� �施錠機構が内蔵されており、容器本体1の正� ��部に蓋体開閉装置によりシールガスケット1 2を介し着脱自在に嵌合される。

 蓋体10の筐体11は、基本的には外周面にエ ンドレスのシールガスケット12を備えた断面� ��皿形に形成され、表面の中央部が正面略矩� ��に膨出形成されており、この表面中央部の� ��出に伴い、両側部が分離されて施錠機構内� ��用の空間を区画形成するとともに、裏面中� ��部13が略矩形に凹んでリテーナ20装着用の空 間を形成する(図7ないし図10参照)。

 シールガスケット12は、例えば弾性のポ� �エステル系熱可塑性エラストマーを使用し� �枠形に成形され、蓋体10の嵌合時に圧縮変形 されてシール機能を発揮する。また、施錠機 構は、図示しないが、筐体11表面の左右両側� ��中央にそれぞれ軸支されて外部から回転操� ��される一対の回転プレートと、各回転プレ� ��トに連結されてその回転に伴い上下方向に� ��ライドする一対の進退動作プレートと、各� ��退動作プレートの先端部に回転可能に連結� ��支されて容器本体1の正面部内周縁に穿孔さ れた係止穴に係止する係止爪とを備え、蓋体 10の表面プレートに被覆される。

 筐体11の凹んだ裏面中央部13には、リテー ナ20の枠体21を位置決めする複数の位置決め� �起14が配設されるとともに、第一弾性片29に� ��向する複数のストッパ15が突設され、各ス� �ッパ15が第一弾性片29の過度の変形や破損を� ��制するよう機能する(図7ないし図10参照)。� �のストッパ15は、円柱形や台形等、任意の形 に形成される。また、筐体11の裏面中央部13� �左右両側には図2に示すように、リテーナ20� �枠体21表面に着脱自在に係合する複数の係合 爪16が上下方向に配列され、各係合爪16がJ字� ��やL字形等に屈曲形成される。

 リテーナ20は、図2ないし図5等に示すよう に、蓋体10に装着される縦長の枠体21と、こ� �枠体21の一対の対向片22からそれぞれ突出す� ��一対の第一弾性片29と、この一対の第一弾� �片29の屈曲した自由端部30に支持されて半導� ��ウェーハWの周縁方向に伸びてこれを保持す る第二弾性片31とを備え、蓋体10と共に、あ� �いは蓋体10とは別に単独で湿式洗浄されたり 、乾燥作業に供される。

 リテーナ20は、例えばポリプロピレン、� �リカーボネート、ポリエチレンテレフタレ� �ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエ� �テルエーテルケトン、ポリアセタール、ポ� �エーテルイミド等の合成樹脂、ポリエステ� �系の熱可塑性能エラストマー、ポリウレタ� �系の熱可塑性能エラストマー等の成形材料� �使用して成形される。これらの成形材料の� �では、成形時のアウトガスや損傷の少ない� �リブチレンテレフタレートの選択が最適で� �る。成形材料には、帯電防止剤、カーボン� �金属繊維等の導電性付与剤、紫外線吸収剤� �ガラス繊維や炭素繊維等の補強剤が選択的� �適量添加される。

 リテーナ20の枠体21は、図2ないし図5、図8 等に示すように、間隔をおき平行に対向して 蓋体10の上下方向に伸びる左右一対の対向片2 2と、この一対の対向片22の上下両端部間にそ れぞれ水平に架設される上下一対の架設片23� ��を備え、各対向片22の裏面中央部に、蓋体10 の位置決め突起14に挟持嵌合して位置決め精� ��を向上させる位置決め部24が凹み形成され� �各架設片23には、半導体ウェーハW方向に突� �するバネ性の屈曲部25が形成されており、蓋 体10の凹んだ裏面中央部13に複数の係合爪16を 介し着脱自在に装着される。

 枠体21の表面四隅部には、半導体ウェー� �W方向に伸びる握持操作可能な正面略I字形の リブ26がそれぞれ突出形成され、この複数の� ��ブ26が、取付性を向上させたり、リテーナ20 のストック時に第一、第二の保持部33・34が� �重の作用で変形するのを有効に防止する。� �た、複数のリブ26は、複数のリテーナ20の積� ��時には、スタッキング機能を発揮したり、� ��一弾性片29や第二弾性片31の接触に伴う変形 を防止する。各リブ26の高さは、複数のリテ� ��ナ20の積層時にリテーナ20と隣接する他のリ テーナ20における第一、第二の保持部33・34が 非接触となる高さが好ましい。

 各対向片22の表面縁には図3に示すように� ��リテーナ20の着脱性を向上させる複数の逃� �し溝27が間隔をおいて配列形成され、この複 数の逃がし溝27の形成されていない領域に筐� ��11の係合爪16が外側から着脱自在に係合する 。また、各対向片22の蓋体10に対向する裏面� �手方向には図8に示すように、複数の凹凸28� �間隔をおいて交互に形成され、この複数の� �凸28がリテーナ20の洗浄や乾燥時の水切り性� ��向上させる。

 各屈曲部25は、図5や図7に示すように、架 設片23の中央部に略U字形に湾曲形成され、握 持操作されることにより狭まるよう変形して リテーナ20を断面略へ字形に撓ませ、蓋体10� �裏面中央部13にリテーナ20を係合爪16を介し� �着する装着作業を円滑にする。

 一対の第一弾性片29は、図5ないし図7等に 示すように、枠体21の一対の対向片22からそ� �ぞれ内方向に突出し、間隔をおき相互に接� �しており、枠体21の上下長手方向に所定のピ ッチで複数配列される。各第一弾性片29は、� ��5ないし図7等に示すように、半導体ウェー� �Wの動きに追従して変形可能な細長い略L字形 に屈曲して枠体21の架設片23に平行に配置さ� �、短い自由端部30が半導体ウェーハW方向に� �向しており、屈曲部の裏面が蓋体10のストッ パ15に間隔をおいて対向する。

 第二弾性片31は、図5ないし図7等に示すよ うに、半導体ウェーハWの前部周縁に沿うよ� �やや屈曲した板片に形成され、中央部が第� �弾性片29方向に略U字形に浅く凹み形成され� �。この第二弾性片31は、一対の第一弾性片29� ��屈曲した自由端部30間に架設され、枠体21の 架設片23や第一弾性片29に平行に配置される� �ともに、第一弾性片29の自由端部30よりも枠� ��21の対向片22寄りの外側に外側端部32が位置� ��ており、半導体ウェーハWを第一、第二の保 持部33・34を介して保持する。

 第一、第二の保持部33・34は、同図に示す ように、第二弾性片31の中央部からやや左右� ��方向にずれた位置、換言すれば、第一の保� ��部形成領域35に左右一対の第一の保持部33が それぞれ一体形成され、第二弾性片31の両外� ��端部32、換言すれば、第二の保持部形成領� �36に第二の保持部34がそれぞれ一体形成され� ��おり、第一の保持部33よりも第二の保持部34 が第二弾性片31の外側端部32側に位置する。

 第一、第二の保持部33・34は、図2、図5な� ��し図7に示すように、相対向する一対の傾斜 面37により断面略V字形あるいは略Y字形を呈� �る奥細りの保持溝38を形成する突起39をそれ� ��れ備え、この突起39の保持溝38に半導体ウェ ーハWの前部周縁が案内され、位置決め挟持� �れる。

 一対の第一の保持部33は、図5ないし図7、 図9等に示すように、第二の保持部34よりも先 に半導体ウェーハWのノッチnを挟んだ状態で� ��導体ウェーハWの中心線近傍と接触し、傾斜 面37により半導体ウェーハWの位置を調整しな がら突起39の保持溝38に導くガイドとして機� �する。

 第一の保持部33は、略ブロック形を呈す� �突起39の一対の傾斜面37が上下左右非対称に� ��成され、この一対の傾斜面37が第二の保持� �34における一対の傾斜面37よりも高く形成さ� ��る。すなわち、この突起39の一対の傾斜面37 は、半導体ウェーハWを確実に保持溝38に導く 観点から一方が高く、他方が低く形成され、 しかも、半導体ウェーハWの平面の中心線を� �んで左右に非対称を呈する。

 各第二の保持部34は、図5ないし図7、図9� �に示すように、第一の保持部33により所定の 位置に整列した半導体ウェーハWを安定して� �持する観点から、突起39やその保持溝38が半� ��体ウェーハWの周縁方向に伸長して形成され る。この第二の保持部34の高さは、蓋体10の� �面から突出しない高さに調整される。

 上記構成において、複数枚数の半導体ウ� ��ーハWを整列収納した容器本体1の開口した� �面部に蓋体10をリテーナ20を介して嵌合しよ� ��とすると、半導体ウェーハWの前部周縁に第 一の保持部33が先ず接触し、この状態で半導� ��ウェーハWの位置を傾斜面37に沿わせて調整� ��ながらリテーナ20が半導体ウェーハWの中心� ��に沿って接近し、第二の保持部34の傾斜面37 が半導体ウェーハWと接触する。この状態で� �一、第二の保持部33・34の保持溝38内に半導� �ウェーハWが収納される。

 容器本体1の開口した正面部に蓋体10が完� ��に嵌合する状態においては、第一、第二の� ��持部33・34を備えた第二弾性片31が半導体ウ� ��ーハWの中心線上を半導体ウェーハWの形状� �沿って平行に移動し、半導体ウェーハWが保� ��される。この際、各第一弾性片29が蓋体10の 厚さ方向に変形し、この変形に伴う反発力が 第二弾性片31に伝達されることにより、半導� ��ウェーハWが強固に保持される。

 次に、基板収納容器の輸送時の振動や衝� ��等が半導体ウェーハWに作用し、半導体ウェ ーハWにずれが生じる場合について説明する� �、この場合、半導体ウェーハWの左右方向の� ��ずれかに力(図10の矢印参照)が作用するが、 このとき、第二弾性片31を支持する一対の第� ��弾性片29が左右非対称に個々に変形して応� �を緩和するので、第一、第二の保持部33・34� ��半導体ウェーハWとの接触状態を維持するこ ととなる。この結果、半導体ウェーハWが第� �、第二の保持部33・34の保持溝38から外れた� �、回転するのを有効に抑制防止することが� �きる。

 上記構成によれば、リテーナ20の弾性片� �第一弾性片29と第二弾性片31とに分割し、第� ��弾性片29のみを変形させ、第二弾性片31にお ける第一、第二の保持部33・34の半導体ウェ� �ハWとの相対位置に変更を来たさないように� ��るので、半導体ウェーハWの保持領域を拡大 し、半導体ウェーハWを安定して継続保持す� �ことができる。したがって、半導体ウェー� �Wの回転を規制することができ、半導体ウェ� ��ハWの回転に伴い第一、第二の保持部33・34� �削られてパーティクルを発生させたり、半� �体ウェーハWの汚染や表面の損傷を招くおそ� ��がない。

 また、第一、第二の保持部33・34の保持力 を大きくして半導体ウェーハWの回転を規制� �る必要もないので、容器本体1の正面部に蓋� ��10を嵌合する際に大きな抵抗が生じること� �ない。これにより、容器本体1に蓋体10を円� �に嵌合することができる。また、枠体21の対 向片22の表面縁に複数の逃がし溝27を配列形� �するので、この逃がし溝27を活用して握持操 作すれば、装着されたリテーナ20の取り外し� ��業の簡易化や容易化が大いに期待できる。

 また、第一の保持部33を一対として第二� �保持部34との間に間隔を形成するので、半導 体ウェーハWのバーコードの目視確認や読み� �り作業に何ら支障を来たすことがない。さ� �に、対向片22の蓋体10に対向する裏面長手方� ��に複数の凹凸28を形成するので、リテーナ20 の成形時の成形収縮を緩和して変形を抑制す ることが可能になる。したがって、半導体ウ ェーハWと第一、第二の保持部33・34との接触� ��度を著しく向上させることが可能になる。

 次に、図11は本発明の第2の実施形態を示� ��もので、この場合には、一対の第一弾性片2 9の屈曲した自由端部30に第二弾性片31をそれ� ��れ支持させ、この一対の第二弾性片31の内� �端部同士を間隔をおいて接近させ、各第二� �性片31を半導体ウェーハWの前部周縁に沿う� �う湾曲させるようにしている。

 蓋体10の凹んだ裏面中央部13の周縁には、 リテーナ20の枠体21を固定する複数の固定突� �42が間隔をおいて配設される。また、リテー ナ20の枠体21の外周面には、複数の固定突起42 にそれぞれ嵌合する位置決め用の嵌合穴40が� ��隔をおいて穿孔される。また、各第一弾性� ��29の屈曲部25の裏面には、第一弾性片29の過� ��な変形を規制するストッパ15が突出形成さ� �る。さらに、各第二弾性片31の内側端部には 第一の保持部33が一体化され、各第二弾性片3 1の外側端部32には第二の保持部34が一体化さ� ��る。その他の部分については、上記実施形� ��と同様であるので説明を省略する。

 本実施形態においても上記実施形態と同� ��の作用効果が期待でき、しかも、リテーナ2 0の枠体21、第一弾性片29、及び第二弾性片31� �種類の多様化を図ることができるのは明ら� �である。

 次に、図12、13は本発明の第3の実施形態� �示すもので、この場合には、第一弾性片29に 各第二弾性片31を平行に配置し、この第二弾� ��片31における第一、第二の保持部形成領域35 ・36を厚肉に形成するとともに、この第一、� ��二の保持部形成領域35・36の境界領域41を薄� ��部とし、この境界領域41の薄肉部を変曲点� �して第二の保持部34や第二の保持部形成領域 36を半導体ウェーハWの前部周縁方向に屈曲さ せるようにしている。

 上記構成において、半導体ウェーハWの前 部周縁に第一の保持部33が嵌合し、この状態� ��リテーナ20が半導体ウェーハWの中心線に沿� ��て接近すると、各第一弾性片29が蓋体10の厚 さ方向に変形する。この半導体ウェーハWの� �部周縁とリテーナ20の第一の保持部33との接� ��時には、第二弾性片31の中央部が半導体ウ� �ーハWにより押圧されて変位し、この変位に� ��い、第二弾性片31の第二の保持部34が薄肉部 を変曲点として半導体ウェーハWの前部周縁� �向に屈曲し、第二の保持部34が半導体ウェー ハWの前部周縁を適切に保持する。

 この際、この第二弾性片31における第一、� �二の保持部形成領域35・36は、図13に示すよ� �に略鈍角を形成する。その他の部分につい� �は、上記実施形態と同様であるので説明を� �略する。
 本実施形態においても上記実施形態と同様� ��作用効果が期待でき、しかも、リテーナ20� �枠体21、第一弾性片29、及び第二弾性片31の� �類の多様化を図ることができるのは明らか� �ある。

 次に、図14ないし図19は本発明の第4の実� �形態を示すもので、この場合には、蓋体10を 構成する筐体11の裏面中央部13に、複数のス� �ッパリブ50と撓み規制リブ54とをそれぞれ配� ��し、リテーナ20の各第一弾性片29に、第二の 保持部34の裏面側に位置して各ストッパリブ5 0に係合する係合片55を一体形成し、基板収納 容器に外力が作用することによる弊害を排除 するようにしている。

 筐体11の凹んだ裏面中央部13は、図15や図1 6に示すように、平坦面ではなく、蓋体10の厚 さ方向に凸凹の断面略波形に湾曲形成され、 半導体ウェーハWの保持力に耐え得るよう蓋� �10を補強してその変形を防止するよう機能す る。また、複数のストッパリブ50は、図14な� �し図16に示すように、筐体11の裏面中央部13� �中央寄りに左右一対のストッパリブ50が間隔 をおいて対設され、この一対のストッパリブ 50が筐体11の上下方向に複数配列される。

 各ストッパリブ50は、図15ないし図19に示� ��ように、筐体11の裏面中央部13からリテーナ 20方向(図15の上方向)に突出形成され、表面に 係合片55と嵌合する係合溝51が凹み形成され� �おり、この係合溝51の相対向する壁面52が開� ��側から底53方向、換言すれば、筐体11の裏面 方向に向かうにしたがい徐々に接近して狭ま るよう傾斜形成される。このようなストッパ リブ50は、係合溝51と係合片55との嵌合により 、第二弾性片31の第二の保持部34を支持して� �導体ウェーハWの保持溝38からの脱落を防止� �るよう機能する。

 複数の撓み規制リブ54は、図14ないし図16� ��示すように、筐体11の裏面中央部13に左右一 対間隔をおいて配列形成され、各撓み規制リ ブ54がストッパリブ50と平行で、かつストッ� �リブ50の外側、換言すれば、筐体11の裏面中� ��部13の左右両側寄りに位置する。この撓み� �制リブ54は、係合溝51の底53と係合片55との接 触よりも先に第一弾性片29と接触するよう、� ��合溝51の底53よりもリテーナ20に近接して形� ��される。

 このような撓み規制リブ54は、ストッパ� �ブ50の接触よりも先に第一弾性片29と接触し� ��その過度の撓みを規制し、ストッパリブ50� �第一弾性片29との接触に伴い、半導体ウェー ハWに大きな衝撃が直接的に作用するのを緩� �するよう機能する。

 各係合片55は、図16ないし図19に示すよう� ��、第一弾性片29の屈曲部付近に板形に突出� �成されて第二の保持部34の裏面側に位置し、 対向する係合溝51の傾斜した壁面52に案内さ� �つつ嵌合し、振動や衝撃の作用にかかわり� �く、半導体ウェーハWの位置を一定範囲内と� ��る。その他の部分については、上記実施形� ��と同様であるので説明を省略する。

 本実施形態においても上記実施形態と同� ��の作用効果が期待でき、しかも、例え基板� ��納容器に大きな衝撃が作用しても、撓み規� ��リブ54が第一弾性片29と接触して弾発的に支 持するので、半導体ウェーハWに衝撃が直接� �に作用するのを著しく緩和することができ� �。また、大きな力が作用しても、半導体ウ� �ーハWの保持力の急激な上昇を抑制すること� ��できるので、半導体ウェーハWの破損や擦れ の効果的な防止が期待できるのは明白である 。

 なお、上記実施形態では、直径300mmの半� �体ウェーハWを示したが、何らこれに限定さ� ��るものではなく、例えば直径200mmや450mmの半 導体ウェーハWでも良い。また、容器本体1の� ��部両側にティースをそれぞれ一体形成した� ��、容器本体1の内部両側に別体のティースを 固定部品や摩擦係合等を利用して後から取り 付けても良い。また、枠体21の表面に、正面� ��L字形等のリブ26を必要数突出形成しても良� ��。また、架設片23の蓋体10に対向する裏面に 複数の凹凸28を形成しても良い。また、屈曲� ��25を略C字形や略V字形等に形成することもで きる。

 また、架設片23全体を弧形に湾曲させて� �ネ性の屈曲部25を形成しても良いし、架設片 23ではなく、対向片22にバネ性の屈曲部25を形 成することもできる。また、位置決め突起14� ��位置決め部24は、左右対称に配設したり、� �るいは左右非対称に配設してリテーナ20装着 の際の方向性を向上させることもできる。

 また、位置決め突起14や位置決め部24を左 右対称に配設し、枠体21に、上下方向の方向� ��を示す凹凸等を新たに形成することも可能� ��ある。また、蓋体10の裏面中央部13に位置決 め部24を凹み形成し、枠体21の対向片22に位置 決め突起14を形成することも可能である。ま� ��、第一弾性片29をJ字形、S字形、Z字形等に� �成することも可能である。

 また、ストッパリブ50と撓み規制リブ54と の距離や撓み規制リブ54の高さを調整して第� ��弾性片29のバネ力を調整するようにしても� �い。また、半導体ウェーハWの保持位置に応� ��、ストッパリブ50と撓み規制リブ54との距離 を調整しても良い。

 また図20に示すように、半導体ウェーハW� ��保持位置が蓋体10の中段に位置し、蓋体10の 撓みの影響を受け易いストッパリブ50aや撓み 規制リブ54aの高さを、両端に位置し、蓋体10� ��施錠機構により変形が少ないストッパリブ5 0bや撓み規制リブ54bよりも高くしても良い。� ��た、半導体ウェーハWの保持力に関し、スト ッパリブ50と撓み規制リブ54との距離を短縮� �て半導体ウェーハWの保持力が、半導体ウェ� ��ハWの保持位置にかかわらず、均一になるよ うにすることが好ましい。

 また上記同様、半導体ウェーハWの保持位 置が蓋体10の中段に位置し、蓋体10の撓みの� �響を受け易い第一、第二の保持部33・34にお� ��る保持溝38aの半導体ウェーハWとの接触位置 までの距離を、両端に位置し、蓋体10の施錠� ��構により変形が少ない第一、第二の保持部3 3・34における保持溝38bの半導体ウェーハWと� �接触位置までの距離よりも短く設定するこ� �もできる(図21参照)。

 特に、こうした第一、第二の保持部33・34 における保持溝38の半導体ウェーハWとの接触 部までの距離を、半導体ウェーハWの保持位� �の中段から両端部にかけて徐々に減少する� �う設定することが好ましい。この場合、第� �、第二の保持部33・34における保持溝38の半� �体ウェーハWとの接触部までの距離を繋いで� ��くと、両端部から中段にかけて湾曲状ある� ��は直線状に変化し、凸レンズ状(太鼓状)と� �る。

 また、第一弾性片29に、係合溝51の底53と� ��合片55との嵌挿よりも先に蓋体10の裏面中央 部13と接触してその過度の変形を規制する撓� ��規制リブ54を突出形成することもできる。� �うすれば、例え基板収納容器に大きな衝撃� �作用しても、撓み規制リブ54が裏面中央部13� ��接触して弾発支持するので、半導体ウェー� ��Wに衝撃が直接的に作用するのを著しく低減 することができる。さらに、強い力が加わっ ても、半導体ウェーハWの保持力の急激な上� �を抑制できるので、半導体ウェーハWの破損� ��擦れを効果的に防止することが可能となる� ��