本発明のシンチレータパネルは、陽極酸� ��皮膜で被覆されたアルミニウム又はアルミ� ��ウム合金からなる基板上にシンチレータ層� ��設けて成るシンチレータパネルであって、� ��該陽極酸化皮膜が、当該基板の表面を、研� ��により表面粗度が最大高さ(Rmax)で3.0μm以下� ��なるように平坦化した後に、陽極酸化処理� ��ることで形成されたことを特徴とする。こ� ��特徴は、請求の範囲第1項から第12項に係る� ��明に共通する技術的特徴である。

 本発明の実施態様としては、上記課題解� ��の観点から、前記基板のシンチレータ層が� ��成される側の表面における、入射角45°での 可視光の正反射率が、60%以上である態様が好 ましい。また、前記基板の角部が、曲率半径 Rの円弧状となるように加工されていること� �好ましい。さらに、当該曲率半径Rの範囲が� ��1~10mmであることが好ましい。

 また、本発明においては、前記基板の少� ��くともシンチレータ層が形成される側の表� ��が、樹脂で被覆されている態様が好ましい� ��また、当該樹脂が、ポリエステルを含む樹� ��であること、或いは、当該樹脂による被覆� ��、CVD法(Chemical Vapor Deposition;「化学蒸着法� �ともいう。)により基板全面に形成されたポ� ��パラキシリレン膜による被覆であることが� ��ましい。

 本発明においては、前記基板の陽極酸化� ��膜の有穴率が、60%以下である態様であるこ� ��が好ましい。また、当該陽極酸化皮膜の厚� ��が、200~2000nmであることが好ましい。

 また、本発明においては、前記シンチレ� ��タ層が、ヨウ化セシウムと少なくとも1種類 以上のタリウム化合物を含む添加剤を原材料 として気相法にて形成されることが好ましい 。

 さらに、本発明のシンチレータパネルは� ��シンチレータパネル全面を覆う樹脂からな� ��保護膜を有する態様であることが好ましい� ��当該保護膜として、CVD法により形成された� ��リパラキシリレン膜を有する態様であるこ� ��が好ましい。

 以下、本発明とその構成要素、及び本発� ��を実施するための最良の形態・態様につい� ��さらに詳細な説明をする。

 (本発明のシンチレータパネルの特徴)
 本発明のシンチレータパネルは、陽極酸化� ��膜で被覆されたアルミニウム又はアルミニ� ��ム合金からなる基板上にシンチレータ層を� ��けて成るシンチレータパネルでるが、当該� ��極酸化皮膜が、当該基板の表面を、研磨に� ��り表面粗度が最大高さ(Rmax)で3.0μm以下にな� ��ように平坦化した後に、陽極酸化処理する� ��とで形成されたことを特徴とする。なお、� ��大高さ(Rmax)は、1.5μm以下であることが輝度� ��性を向上させる上で好ましく、0.01~1.5μmで� �ることがより好ましい。

 ここで、アルミニウム又はアルミニウム� ��金からなる基板の研磨傷、スジなどがシン� ��レータパネルの鮮鋭性に与える影響は、JIS� �B0601(1982)で定義されているRmax、Rzで好適に評 価できる。なお、表面性状の平均である中心 線平均粗さRa、及び陽極酸化処理後の評価で� ��、本発明の効果は得られない。

 本発明者らは、陽極酸化処理後のアルミ� ��板の入射角45°の正反射率が、シンチレータ パネルの輝度に寄与が大きいことも見出した 。拡散反射成分も、シンチレータパネルの輝 度向上に寄与するが、鮮鋭性(MTF)の低下を伴� ��、本発明の効果は得られない。

 本願において、「正反射率」とは、物体� ��表面に一定の角度から入射した光に対する� ��同様の角度で反射する光の割合であり、「� ��射角45°での正反射率」とは、入射角が基板 に対し45°となっている場合の反射率をいう� �一般には、正反射率が高い物体の表面は、� �間の目にはほぼ鏡面として認識されること� �知られている。

 本発明者らは、さらに検討を進めるなか� ��、陽極酸化皮膜の腐食防止効果は有穴率が6 0%以下であること、また、陽極極酸化皮膜の� ��さが200~2000nmであることで腐食防止効果が大 となることを見出した。

 また、ヨウ化セシウム(CsI)には強い腐食� �があり、陽極酸化皮膜の表面をさらに樹脂(� ��リマー)で被覆することが好ましい。これに より基板の耐腐食性はより向上する。基板を 被覆する樹脂としては、陽極酸化皮膜とヨウ 化セシウムを絶縁するものであれば、本発明 の効果は得られるが、加工性を考慮すると、 ポリエステルを含む樹脂、又はCVD法により基 板全面に形成されたポリパラキシリレンを含 む樹脂であることが好ましい。

 本発明のシンチレータパネルを光電変換� ��子とカップリングするにあたっては、光電� ��換素子とシンチレータの位置合わせが必要� ��なる。この場合、基板の角部が鋭利である� ��、光電変換素子にダメージを与える場合が� ��る。本発明では、基板の角部が、曲率半径R の円弧状となるように加工されていること好 ましい。曲率半径Rは、光電変換素子のダメ� �ジを軽減できればよく形状は特に限定され� �、直線カット(R=∞)でもかまわない。特に好� ��しくは、加工作業性から曲率半径Rの範囲が 1~10mmである。

 (基板)
 陽極酸化皮膜で被覆されたアルミニウム又� ��アルミニウム合金基板は、陽極酸化皮膜が� ��アルミニウム又はアルミニウム合金の表面� ��、研磨により表面粗度が最大高さ(Rmax)で3.0� �m以下になるように平坦化した後、陽極酸化� ��理することで形成されたことを特徴とする� ��また、基板の角部を曲率半径Rの円弧状とな るように加工しておくことで、シンチレータ パネル張り合わせ時の光電変換素子のダメー ジが軽減される。

 陽極酸化されたアルミニウム等からなる� ��板を作るためには、硫酸、燐酸、シュウ酸� ��クロム酸又はスルファミド酸、ベンゼンス� ��ホン酸の如き有機酸、又はそれらの混合物� ��含有する溶液に陽極として浸漬されたアル� ��ニウム板に電流を流す。1~70質量%の電解質� �度は、0~70℃の範囲の温度で、より好ましく� ��35~60℃の範囲の温度で使用されることがで� �る。

 陽極電流密度は、1~50A/dmを変化してもよく� �また1~100Vの範囲の電圧を変化して1~8g/m ²  Al ₂ O ₃ ・H ₂ Oの陽極酸化フィルムを得てもよい。陽極酸� �されたアルミニウム板は続いて10~80℃の範囲 の温度の脱イオン水でリンスされてもよい。

 陽極酸化工程後、後処理、例えば封止を� ��極表面に適用してもよい。陽極酸化によっ� ��形成された酸化アルミニウム層の孔の封止� ��アルミニウム陽極酸化の技術分野で公知の� ��術である。この技術は例えば“Belgisch-Nederla nds tijdschrift voor Oppervlaktetechnieken van material en”(表面技術及び材料の道程)、Volume24,1980年1 月、名称“Sealing-kwaliteit en sealing-controle van� �geanodiseerd Aluminum”(陽極酸化されたアルミニ ウムの封止品質及び封止制御)に記載されて� �る。

 (金属反射層)
 本発明では、光出力を増大するため、基板� ��に別途金属反射層を設けることも可能であ� ��が、陽極酸化皮膜の入射角45°での可視光の 正反射率を60%以上にしておくことで金属反射 層なしで光出力が増大する効果が得られる。

 本発明において、基板上に別途金属反射層� ��設ける場合は、発光光の利用効率の面で金� ��反射層は反射率の高い金属で形成すること� ��好ましい。反射率の高い金属膜層としては� ��Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Mg、Pt、Auからなる群の中 の物質を含む材料が挙げられる。また、この ような金属薄膜を2層以上形成するようにし� �も良い。金属薄膜を2層以上とする場合は、� ��層を、Crを含む層とすることが基板との接� �性を向上させる点から好ましい。また、金� �薄膜上にSiO ₂ 、TiO ₂ 等の金属酸化物からなる層をこの順に設けて さらに反射率を向上させても良い。

 (シンチレータ)
 本発明に係る「シンチレータ」とは、X線等 の入射された放射線のエネルギーを吸収して 、波長が300nmから800nmの電磁波、即ち可視光� �を中心の電磁波(光)を発光する蛍光体をいう 。

 シンチレータを形成する材料としては、� ��々の公知の蛍光体材料を使用することがで� ��るが、X線から可視光に対する変更率が比較 的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結 晶構造に形成できるため、光ガイド効果によ り結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シン チレータ層の厚さを厚くすることが可能であ ることからヨウ化セシウム(CsI)が好ましい。

 但し、CsIのみでは発光効率が低いために� ��各種の賦活剤が添加される。例えば、特公� ��54-35060号公報の如く、CsIとヨウ化ナトリウ� �(NaI)を任意のモル比で混合したものが挙げら れる。また、例えば、特開2001-59899号公報に� �示されているような、CsIを蒸着でインジウ� �(In)、タリウム(Tl)、リチウム(Li)、カリウム(K )、ルビジウム(Rb)、ナトリウム(Na)などの賦活 物質を含有するCsIが好ましい。

 なお、本発明においては、特に1種類以上 のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシ ウムとを原材料とすることが好ましい。即ち 、タリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)は400nm� �ら750nmまでの広い発光波長を持つことから好 ましい。

 本発明に係る1種類以上のタリウム化合物を 含有する添加剤のタリウム化合物としては、 種々のタリウム化合物(+Iと+IIIの酸化数の化� �物)を使用することができる。本発明におい� ��、好ましいタリウム化合物は臭化タリウム( TlBr)、塩化タリウム(TlCl)またはフッ化タリウ� ��(TlF、TlF ₃ )等である。

 また、本発明に係るタリウム化合物の融� ��は400~700℃の範囲内にあることが好ましい。 700℃以内を超えると柱状結晶内での添加剤が 不均一に存在してしまい、発光効率が低下す る。なお、本発明での融点とは常温常圧下に おける融点である。また、タリウム化合物の 分子量は206~300の範囲内にあることが好まし� �。

 本発明に係るシンチレータにおいて、当� ��添加剤の含有量は目的性能等に応じて最適� ��にすることが望ましいが、ヨウ化セシウム� ��含有量に対して0.001~50mol%、更に0.1~10.0mol%で� ��ることが好ましい。

 ここで、ヨウ化セシウムに対し添加剤が0 .001mol%未満であると、ヨウ化セシウム単独使� ��で得られる発光輝度と大差なく、目的とす� ��発光輝度を得ることができない。また、50mo l%を超えると、ヨウ化セシウムの性質、機能� ��保持することができない。なお、シンチレ� ��タ層の厚さは、100~800μmであることが好まし く、120~700μmであることが、輝度と鮮鋭性の� �性をバランスよく得られることより好まし� �。

 (被覆用樹脂)
 少なくとも基板のシンチレータ層形成面側� ��被覆する樹脂としては、スピンコータやワ� ��ヤーバーでの加工が容易なポリエステルを� ��む樹脂、またはCVD法(Chemical Vapor Deposition;� �化学蒸着法」とも言われる。)により容易に� ��板全面に被覆できるポリパラキシリレン膜� ��好適である。

 (保護膜)
 本発明のシンチレータパネルは、その全面� ��覆う樹脂からなる保護膜を有することを特� ��とする。

 保護膜は、シンチレータ層を防湿し、シ� ��チレータ層の劣化を抑制するためのもので� ��透湿度の低い物質から構成される。例えば� ��保護膜として、ポリエチレンテレフタレー� ��フィルム(PET)を用いることができる。PETの� �には、ポリエステルフィルム、ポリメタク� �レートフィルム、ニトロセルロースフィル� �、セルロースアセテートフィルム、ポリプ� �ピレンフィルム、ポリエチレンナフタレー� �フィルム等を用いることができる。また、� �リパラキシリレン(10~14S/cm)は、CVD法により容 易にシンチレータパネルの全面にポリパラキ シリレン膜を形成することが可能であるため 、本発明においては好適である。

 (シンチレータパネルの作製方法)
 本発明のシンチレータパネルの作製方法の� ��型的例について、図を参照しながら説明す� ��。なお、図1は、放射線用シンチレータパネ ル10の概略構成を示す断面図である。図2は、 放射線用シンチレータパネル10の拡大断面図� ��ある。図3は、蒸着装置61の概略構成を示す� ��面である。

 〈蒸着装置〉
 図3に示す通り、蒸着装置61は箱状の真空容� ��62を有しており、真空容器62の内部には真空 蒸着用のボート63が配されている。ボート63� �蒸着源の被充填部材であり、当該ボート63に は電極が接続されている。当該電極を通じて ボート63に電流が流れると、ボート63がジュ� �ル熱で発熱するようになっている。

 放射線用シンチレータパネル10の製造時� �おいては、ヨウ化セシウムと賦活剤化合物� �を含む混合物がボート63に充填され、そのボ ート63に電流が流れることで上記混合物を加� ��・蒸発させることができるようになってい� ��。なお、被充填部材として、ヒータを巻回� ��たアルミナ製のルツボを適用してもよいし� ��高融点金属製のヒータを適用してもよい。

 真空容器62の内部であってボート63の直上 には、基板1を保持するホルダ64が配されてい る。ホルダ64にはヒータ(図示略)が配されて� �り、当該ヒータを作動させることで、ホル� �64に装着した基板1を加熱することができる� �うになっている。

 基板1を加熱した場合には、基板1の表面� �吸着物を離脱、除去したり、基板1とその表� ��に形成されるシンチレータ層(蛍光体層)2と� ��間に不純物層が形成されるのを防止したり� ��基板1とその表面に形成されるシンチレータ 層2との密着性を強化したり、基板1の表面に� ��成されるシンチレータ層2の膜質の調整を行 ったりすることができるようになっている。

 ホルダ64には、当該ホルダ64を回転させる 回転機構65が配されている。回転機構65は、� �ルダ64に接続された回転軸65aとその駆動源と なるモータ(図示略)から構成されたもので、� ��該モータを駆動させると、回転軸65aが回転� ��てホルダ64をボート63に対向させた状態で回 転させることができるようになっている。

 蒸着装置61では、上記構成の他に真空容� �62に真空ポンプ66が配されている。真空ポン� ��66は、真空容器62の内部の排気と真空容器62� ��内部へのガスの導入とを行うもので、当該� ��空ポンプ66を作動させることにより、真空� �器62の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持 することができるようになっている。

 〈シンチレータパネル〉
 次に、本発明に係るシンチレータパネル10� �作製方法について説明する。

 当該放射線用シンチレータパネル10の作� �方法においては、上記で説明した蒸発装置61 を好適に用いることができる。蒸発装置61を� ��いて放射線用シンチレータパネル10を作製� �る方法について説明する。

 《基板の陽極酸化処理》
 厚さ0.5mmのアルミニウム板1の蛍光体を形成� ��る側の表面の表面粗さ(Rmax)が所定の値にな� ��ように表面をバフ研磨した後、界面活性剤� ��2%含み50℃に加温された脱脂液に60秒間浸漬� ��た後30秒間水洗する。次に、基材を50℃に加 温された10%NaOH水溶液で30秒間エッチングした 後30秒間水洗する。その後、10%NHO3水溶液で30� ��間洗浄し、30秒間水洗する。

 次に、上記アルミニウム板を電解液に浸� ��し、基材を陽極、対極にカーボン板を用い� ��電解処理し、処理後10秒間水洗して、100℃� �5分間乾燥させことでアルミニウム板の表面� ��陽極酸化膜3aを形成した。

 《基板の被覆》
 厚み0.5mmの基板全面に、CVD法により約2μmの� ��さのポリパラキシリレン膜3bを形成する。

 《シンチレータ層の形成》
 上記のように反射層設けた基板1をホルダ64� ��取り付けるとともに、ボート63にヨウ化セ� �ウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混� �物を充填する(準備工程)。この場合、ボート 63と基板1との間隔を100~1500mmに設定し、その� �定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処� �を行うのが好ましい。

 準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ6 6を作動させて真空容器62の内部を排気し、真 空容器62の内部を0.1Pa以下の真空雰囲気下に� �る(真空雰囲気形成工程)。

 ここでいう「真空雰囲気下」とは、100Pa� �下の圧力雰囲気下のことを意味し、0.1Pa以下 の圧力雰囲気下であるのが好適である。

 その後、アルゴン等の不活性ガスを真空� ��器62の内部に導入し、当該真空容器62の内部 を0.1Pa以下の真空雰囲気下に維持する。次に� ��ホルダ64のヒータと回転機構65のモータとを 駆動させ、ホルダ64に取り付け済みの基板1を ボート63に対向させた状態で加熱しながら回� ��させる。

 この状態において電極からボート63に電� �を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウム� �を含む混合物を700~800℃程度で所定時間加熱� ��てその混合物を蒸発させる。その結果、基� ��1の表面に無数の柱状結晶体2aが順次成長し� ��、所望の厚さのシンチレータ層2が形成され る(蒸着工程)。

 《保護層の形成》
 前記シンチレータ層2を形成するヨウ化セシ ウム(CsI)は、吸湿性が高く、露出したままに� ��ておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解す� ��。そこで、これを防止するために、CVD法に� ��りポリパラキシリレンをシンチレータパネ� ��全面に5~30μmの厚さに被覆することで保護層 4を形成する。CsIの柱状結晶には隙間があり� �ポリパラキシリレンがこの狭い隙間に入り� �むので、保護層がヨウ化セシウム(CsI)に密着 する。

 これにより、本発明に係る放射線用シン� ��レータパネル10を製造することができる。

 (放射線画像検出器)
 以下に、上記放射線用シンチレータパネル1 0の一適用例として、図4及び図5を参照しなが ら、当該放射線用シンチレータプレート10を� ��備した放射線画像検出器100の構成について� ��明する。なお、図4は放射線画像検出器100の 概略構成を示す一部破断斜視図である。また 、図5は撮像パネル51の拡大断面図である。

 図4に示す通り、放射線画像検出器100には 、撮像パネル51、放射線画像検出器100の動作� ��制御する制御部52、書き換え可能な専用メ� �リ(例えば、フラッシュメモリ)等を用いて撮 像パネル51から出力された画像信号を記憶す� ��記憶手段であるメモリ部53、撮像パネル51を 駆動して画像信号を得るために必要とされる 電力を供給する電力供給手段である電源部54� ��等が筐体55の内部に設けられている。

 筐体55には、必要に応じて放射線画像検� �器100から外部に通信を行うための通信用の� �ネクタ56、放射線画像検出器100の動作を切り 換えるための操作部57、放射線画像の撮影準� ��の完了やメモリ部53に所定量の画像信号が� �き込まれたことを示す表示部58、等が設けら れている。

 ここで、放射線画像検出器100に電源部54� �設けるとともに放射線画像の画像信号を記� �するメモリ部53を設け、コネクタ56を介して� ��射線画像検出器100を着脱自在にすれば、放� ��線画像検出器100を持ち運びできる可搬構造� ��することができる。

 図5に示すように、撮像パネル51は、放射� ��用シンチレータパネル10と、放射線用シン� �レータパネル10からの電磁波を吸収して画像 信号を出力する出力基板20とから構成されて� ��る。

 放射線用シンチレータパネル10は放射線� �射面側に配置されており、入射した放射線� �強度に応じた電磁波を発光するように構成� �れている。

 出力基板20は、放射線用シンチレータパ� �ル10の放射線照射面と反対側の面に設けられ ており、放射線用シンチレータパネル10側か� ��順に、隔膜20a、光電変換素子20b、画像信号� ��力層20c及び基板20dを備えている。隔膜20aは� ��放射線用シンチレータパネル10と他の層を� �離するためのものである。

 光電変換素子20bは、透明電極21と、透明� �極21を透過して入光した電磁波により励起さ れて電荷を発生する電荷発生層22と、透明電� ��21に対しての対極になる対電極23とから構成 されており、隔膜20a側から順に透明電極21、� ��荷発生層22、対電極23が配置される。

 透明電極21とは、光電変換される電磁波を� �過させる電極であり、例えば、インジウム� �ンオキシド(ITO)、SnO ₂ 、ZnOなどの導電性透明材料を用いて形成され る。

 電荷発生層22は、透明電極21の一面側に薄 膜状に形成されており、光電変換可能な化合 物として光によって電荷分離する有機化合物 を含有するものであり、電荷を発生し得る電 子供与体及び電子受容体としての導電性化合 物をそれぞれ含有している。電荷発生層22で� ��、電磁波が入射されると電子供与体は励起� ��れて電子を放出し、放出された電子は電子� ��容体に移動して、電荷発生層22内に電荷、� �ち正孔と電子のキャリアが発生するように� �っている。

 ここで、電子供与体としての導電性化合� ��としては、p型導電性高分子化合物が挙げら れ、p型導電性高分子化合物としては、ポリ� �ェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ(� ��オフェンビニレン)、ポリアセチレン、ポリ ピロール、ポリフルオレン、ポリ(p-フェニレ ン)またはポリアニリンの基本骨格を持つも� �が好ましい。

 また、電子受容体としての導電性化合物� ��してはn型導電性高分子化合物が挙げられ、 n型導電性高分子化合物としてはポリピリジ� �の基本骨格を持つものが好ましく、特にポ� �(p-ピリジルビニレン)の基本骨格を持つもの� ��好ましい。

 電荷発生層22の膜厚は、光吸収量を確保� �るといった観点から10nm以上(特に100nm以上)が 好ましく、また電気抵抗が大きくなりすぎな いといった観点から、1μm以下(特に300nm以下)� ��好ましい。

 対電極23は、電荷発生層22の電磁波が入光 される側の面と反対側に配置されている。対 電極23は、例えば、金、銀、アルミニウム、� ��ロムなどの一般の金属電極や、透明電極21� �中から選択して用いることが可能であるが� �良好な特性を得るためには仕事関数の小さ� �(4.5eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及� ��これらの混合物を電極物質とするのが好ま� ��い。

 また、電荷発生層22を挟む各電極(透明電� ��21及び対電極23)との間には、電荷発生層22と これら電極が反応しないように緩衝地帯とし て作用させるためのバッファー層を設けても よい。バッファー層は、例えば、フッ化リチ ウム及びポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェ� ��)、ポリ(4-スチレンスルホナート)、2,9-ジメ� ��ル-4,7-ジフェニル[1,10]フェナントロリンな� �を用いて形成される。

 画像信号出力層20cは、光電変換素子20bで� ��られた電荷の蓄積及び蓄積された電荷に基� ��く信号の出力を行うものであり、光電変換� ��子20bで生成された電荷を画素毎に蓄積する� ��荷蓄積素子であるコンデンサ24と、蓄積さ� �た電荷を信号として出力する画像信号出力� �子であるトランジスタ25とを用いて構成され ている。

 トランジスタ25は、例えば、TFT(薄膜トラ� ��ジスタ)を用いるものとする。このTFTは液晶 ディスプレイ等に使用されている無機半導体 系のものでも、有機半導体を用いたものでも よく、好ましくはプラスチックフィルム上に 形成されたTFTである。

 プラスチックフィルム上に形成されたTFT� ��しては、アモルファスシリコン系のものが� ��られているが、その他、米国Alien Technology� �が開発しているFSA(Fluidic Self Assembly)技術、� ��ち単結晶シリコンで作製した微小CMOS(Nanobloc ks)をエンボス加工したプラスチックフィルム 上に配列させることで、フレキシブルなプラ スチックフィルム上にTFTを形成するものとし てもよい。更に、Science,283,822(1999)やAppl.Phys.Le tt,771488(1998)、Nature,403,521(2000)等の文献に記載� ��れているような、有機半導体を用いたTFTで� ��ってもよい。

 このように、本発明に用いられるトラン� ��スタ25としては、上記FSA技術で作製したTFT� �び有機半導体を用いたTFTが好ましく、特に� �ましいものは有機半導体を用いたTFTである� �この有機半導体を用いてTFTを構成すれば、� �リコンを用いてTFTを構成する場合のように� �空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技� �やインクジェット技術を活用してTFTを形成� �きるので製造コストが安価となる。更に加� �温度を低くできることから、熱に弱いプラ� �チック基板上にも形成できる。

 トランジスタ25には、光電変換素子20bで� �生した電荷を蓄積するとともに、コンデン� �24の一方の電極となる収集電極(図示せず)が� ��気的に接続されている。コンデンサ24には� �電変換素子20bで生成された電荷が蓄積され� �とともに、この蓄積された電荷はトランジ� �タ25を駆動することで読み出される。即ち、 トランジスタ25を駆動させることで、放射線� ��像の画素毎の信号を出力させることができ� ��。

 基板20dは、撮像パネル51の支持体として� �能するものであり、基板1と同様の素材で構� ��することが可能である。

 次に、放射線画像検出器100の作用につい� ��説明する。

 先ず放射線画像検出器100に対し入射され� ��放射線は、撮像パネル51の放射線用シンチ� �ータパネル10側から基板20d側に向けて放射線 を入射する。すると、放射線用シンチレータ パネル10に入射された放射線は、放射線用シ� ��チレータパネル10中のシンチレータ層2が放� ��線のエネルギーを吸収し、その強度に応じ� ��電磁波を発光する。

 発光された電磁波の内、出力基板20に入� �される電磁波は出力基板20の隔膜20a、透明電 極21を貫通し、電荷発生層22に到達する。そ� �て、電荷発生層22において電磁波は吸収され 、その強度に応じて正孔と電子のペア(電荷� �離状態)が形成される。

 その後、発生した電荷は、電源部54によ� �バイアス電圧の印加により生じる内部電界� �より、正孔と電子はそれぞれ異なる電極(透� ��電極膜及び導電層)へ運ばれ、光電流が流れ る。

 その後、対電極23側に運ばれた正孔は画� �信号出力層20cのコンデンサ24に蓄積される。 蓄積された正孔はコンデンサ24に接続されて� ��るトランジスタ25を駆動させると、画像信� �を出力するとともに、出力された画像信号� �メモリ部53に記憶される。

 以上の放射線画像検出器100によれば、上� ��放射線用シンチレータパネル10を備えてい� �ので光電変換効率を高めることができ、放� �線画像における低線量撮影時のSN比を向上さ せるとともに、画像ムラや線状ノイズの発生 を防止することができる。