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Patent Searching and Data


Title:
SCREEN PLATE FOR SCREEN INSTALLATIONS FOR MECHANICALLY CLASSIFYING POLYSILICON AND USE OF SAID SCREEN PLATE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2016/202473
Kind Code:
A1
Abstract:
The object of the invention is a screen plate (1) for screen installations for mechanically classifying polysilicon, comprising a feeding zone (2) for polysilicon, a profiled region (3) with tips (32) and depressions (31), a region (4) with slots (41), the slots (41) adjoining the depressions (31), and a removal region (5), wherein the slots (41) increase in the direction of the removal region.

Inventors:
BERGMANN, Andreas (Pfarrer-Putz-Str. 6A, Kastl, 84556, DE)
BUSCHHARDT, Thomas (Lilienweg 26, Burghausen, 84489, DE)
EHRENSCHWENDTNER, Simon (Donaustr. 35, Winhöring, 84543, DE)
FRAUNHOFER, Christian (Ahornweg 4A, Mitterskirchen, 84335, DE)
Application Number:
EP2016/055538
Publication Date:
December 22, 2016
Filing Date:
March 15, 2016
Export Citation:
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Assignee:
SILTRONIC AG (Hanns-Seidel-Platz 4, München, 81737, DE)
WACKER CHEMIE AG (Hanns-Seidel-Platz 4, München, 81737, DE)
International Classes:
B07B1/46; B07B13/04; B07B1/12
Foreign References:
DE19822996C11999-04-22
DE60310627T22007-10-11
US4569446A1986-02-11
DE19945037A12001-03-29
US8021483B22011-09-20
US20070235574A12007-10-11
US20090120848A12009-05-14
US20120198793A12012-08-09
US20140130455A12014-05-15
Attorney, Agent or Firm:
KILLINGER, Andreas et al. (Johannes-Hess-Str. 24, Burghausen, 84489, DE)
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Claims:
Patentansprüche

1 . Siebplatte (1 ) für Siebanlagen zum mechanischen Klassieren von Polysilicium, umfassend einen Aufgabebereich (2) für Polysilicium, einen profilierten Bereich (3) mit Spitzen (32) und Senken (31 ), einen Bereich (4) mit Schlitzen (41 ), wobei die Schlitze (41 ) an die Senken (31 ) anschließen, und einen Entnahmebereich (5), wobei sich die Schlitze (41 ) in Richtung des Entnahmebereichs (5) vergrößern.

2. Siebplatte nach Anspruch 1 , die aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher

Kohlenstoff, Silicium und Metall besteht.

3. Siebplatte nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2, umfassend einen metallischen Grundkörper sowie eine Beschichtung oder Auskleidung mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium.

4. Siebplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, umfassend eine Beschichtung aus Titannitrid, Titancarbid, Aluminiumtitannitrid oder DLC (Diamond Like Carbon).

5. Siebplatte nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2, die aus Hartmetall besteht oder die mit einem Hartmetall ausgekleidet oder beschichtet ist.

6. Siebplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei eine Größe der Schlitze (41 ) bis zu 200 mm beträgt.

7. Siebplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Öffnungswinkel der

Senken (31 ) größer als 1 ° und kleiner alsl 80° beträgt. 8. Siebplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Senken (31 ) 1 bis 200 mm tief sind.

9. Verfahren zum mechanischen Klassieren von Polysilicium mit einer Siebanlage, wobei das Polysilicium auf eine Siebplatte (1 ) nach Anspruch 1 aufgegeben wird, die derart in Schwingungen versetzt wird, dass das Polysilicium eine Bewegung in Richtung des Entnahmebereichs (5) ausführt, wobei sich kleinteiliges Polysilicium in den Senken (31 ) der Siebplatte (1 ) sammelt und durch die Schlitze (41 ) der Siebplatte (1 ) fällt und dadurch vom aufgegebenen Polysilicium getrennt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Siebplatte um einen Winkel von 5 bis 20° gegen die Waagerechte geneigt ist.

Description:
SIEBPLATTE FÜR SIEBANLAGEN ZUM MECHANISCHEN KLASSIEREN VON POLYSILICIUM UND VERWENDEN DIESER

SIEBPLATTE

Gegenstand der Erfindung ist eine Siebplatte für Siebanlagen zum mechanischen Klassieren von Polysilicium.

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Polykristallines Silicium (kurz: Polysilicium) dient als Ausgangsmaterial zur

Herstellung von einkristallinem Silicium für Halbleiter nach dem Czochralski(CZ)- oder Zonenschmelz(FZ)-Verfahren, sowie zur Herstellung von ein- oder multikristallinem Silicium nach verschiedenen Zieh- und Gieß-Verfahren zur Produktion von

10 Solarzellen für die Photovoltaik.

Polykristallines Silicium wird in der Regel mittels des Siemens-Verfahrens hergestellt. Bei diesem Verfahren werden in einem glockenförmigem Reaktor („Siemens- Reaktor") Trägerkörper, üblicherweise dünne Filamentstäbe aus Silicium, durch

15 direkten Stromdurchgang erhitzt und ein Reaktionsgas enthaltend Wasserstoff und

eine oder mehrere siliciumhaltige Komponenten eingeleitet, wobei sich das

polykristalline Silicium auf den Trägerkörpern abscheidet.

Für die meisten Anwendungen werden die derart hergestellten polykristallinen

20 Siliciumstäbe auf kleine Bruchstücke gebrochen, welche üblicherweise anschließend nach Größen klassiert werden. Üblicherweise werden Siebmaschinen eingesetzt, um polykristallines Silicium nach der Zerkleinerung in unterschiedliche Größenklassen zu sortieren bzw. zu klassieren.

25 Alternativ wird polykristallines Siliciumgranulat in einem Wirbelschichtreaktor

produziert. Dies geschieht durch Fluidisierung von Siliciumpartikeln mittels einer

Gasströmung in einer Wirbelschicht, wobei diese über eine Heizvorrichtung auf hohe Temperaturen aufgeheizt wird. Durch Zugabe eines siliciumhaltigen Reaktionsgases erfolgt eine Pyrolysereaktion an der heißen Partikeloberfläche. Dabei scheidet sich

30 elementares Silicium auf den Siliciumpartikeln ab und die einzelnen Partikel wachsen im Durchmesser an. Das Polysiliciumgranulat wird üblicherweise nach dessen Herstellung mittels einer Siebanlage in zwei oder mehr Fraktionen oder Klassen geteilt (Klassierung). Die kleinste Siebfraktion (Siebunterkorn) kann anschließend in einer Mahlanlage zu Keimpartikeln verarbeitet und dem Reaktor zugegeben werden. Die Siebzielfraktion wird üblicherweise verpackt und zum Kunden transportiert. Der Kunde verwendet das Polysiliciumgranulat u.a. zum Züchten von Einkristallen nach dem Czochralski- Verfahren.

Eine Siebmaschine ist allgemein eine Maschine zum Sieben, also der Trennung (Separation) von Feststoffgemischen nach Korngrößen. Nach

Bewegungscharakteristik wird zwischen Planschwingsiebmaschinen und

Wurfsiebmaschinen unterschieden. Der Antrieb der Siebmaschinen erfolgt meist elektromagnetisch bzw. durch Unwuchtmotoren oder -getriebe. Die Bewegung des Siebbelags dient dem Weitertransport des Aufgabeguts in Sieblängsrichtung und dem Durchtritt der Feinfraktion durch die Sieböffnungen. Im Gegensatz zu

Planschwingsiebmaschinen tritt bei Wurfsiebmaschinen neben der horizontalen auch eine vertikale Siebbeschleunigung auf.

Eine spezielle Art ist die Mehrdecksiebmaschine, die gleichzeitig mehrere Korngrößen fraktionieren kann. Sie sind konzipiert für eine Vielzahl scharfer Trennungen im Mitteibis Feinstkornbereich. Das Antriebsprinzip beruht bei Mehrdeck-Plansiebmaschinen auf zwei gegenläufig arbeitenden Unwuchtmotoren, die eine lineare Schwingung erzeugen. Das Siebgut bewegt sich geradlinig über die horizontale Trennfläche. Dabei arbeitet die Maschine mit geringer Schwingbeschleunigung. Durch ein

Baukastensystem können eine Vielzahl von Siebdecks zu einem Siebstapel zusammengestellt werden. Somit können im Bedarfsfall unterschiedliche Körnungen in einer einzigen Maschine hergestellt werden, ohne dass Siebbeläge gewechselt werden müssen. Durch mehrfache Wiederholung gleicher Siebdeckfolgen kann dem Siebgut viel Siebfläche angeboten werden.

US 8021483 B2 offenbart eine Vorrichtung zum Sortieren polykristalliner

Siliciumstücke enthaltend eine Schwingungsmotoranordnung und einen

Stufenbodenklassierer, befestigt an der Schwingungsmotoranordnung. Die Schwingungsnnotoranordnung sorgt dafür, dass sich die Siliciumstücke über einen ersten Boden enthaltend Nuten bewegen. In einem Wirbelschichtbereich wird Staub durch einen Luftstrom durch eine perforierte Platte entfernt. In einem profilierten Bereich des ersten Bodens setzen sich die Siliciumstücke in Löchern von Nuten ab oder verbleiben auf Kämmen der Nuten. Am Ende des ersten Bodens fallen

Siliciumstücke, die kleiner als ein Spalt zwischen erstem und nachfolgendem Boden sind, durch diesen auf ein Transportband. Größere Siliciumstücke bewegen sich über den Spalt hinweg und fallen auf den zweiten Boden. US 2007/0235574 A1 offenbart eine Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von polykristallinem Silicium, umfassend eine Aufgabeeinrichtung für einen Polysilicium- Grobbruch in eine Brecheranlage, die Brecheranlage, und eine Sortieranlage zum Klassieren des Polysilicium-Bruchs, wobei die Vorrichtung mit einer Steuerung versehen ist, die eine variable Einstellung mindestens eines Brechparameters in der Brecheranlage und/oder mindestens eines Sortierparameters in der Sortieranlage ermöglicht. Besonders bevorzugt besteht die Sortieranlage aus einer mehrstufigen mechanischen Siebanlage und einer mehrstufigen optoelektronischen Trennanlage.

Auch US 2009/0120848 A1 beschreibt eine Vorrichtung, die eine flexible Klassierung von gebrochenem polykristallinem Silicium ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine mechanische Siebanlage und eine optoelektronische Sortieranlage umfasst, wobei der Polybruch durch die mechanische Siebanlage in einen Silicium-Feinanteil und einen Silicium-Restanteil getrennt wird und der Silicium-Restanteil über eine optoelektronische Sortieranlagen in weitere Fraktionen aufgetrennt wird.

Die mechanische Siebanlage ist vorzugsweise eine Schwingsiebmaschine ist, die über einen Unwuchtmotor angetrieben wird. Als Siebbelag sind Maschen- und Lochsiebe bevorzugt. US 2012/0198793 A1 offenbart ein Verfahren zum Dosieren und Verpacken von

Polysiliciumbruchstücken, wobei ein Produktstrom an Polysiliciumbruchstücken über eine Förderrinne transportiert, mittels wenigstens einen Siebs in grobe und feine Bruchstücke getrennt, mittels einer Dosierwaage abgewogen und auf ein Zielgewicht dosiert wird, wobei das wenigstens eine Sieb und die Dosierwaage an ihren

Oberflächen wenigstens teilweise ein Hartmetall umfassen.

US 2014/0130455 A1 offenbart im Rahmen eines Verfahrens zum Verpacken von polykristallinen Siliciumbruchstücken, dass in einem Dosiersystem Feinanteil, also feinste Partikel und Absplitterungen des Polysiliciums, mittels eines Siebs abgetrennt wird. Beim Sieb kann es sich um eine Lochplatte, ein Stangensieb oder eine optopneumatische Sortierung handeln.

Die verwendeten Siebe umfassen an ihren Oberflächen wenigstens teilweise einen kontaminationsarmen Werkstoff wie z. B. ein Hartmetall oder Keramik/Carbide. . Die Siebe können teilweise oder vollflächig mit einer Beschichtung aus Titannitrid, Titancarbid, Aluminiumtitannitrid oder DLC (Diamond Like Carbon)versehen sein.

Stangensiebe umfassen üblicherweise parallel verlaufende Stangen, wobei der Siebdurchgang durch den Abstand der Stangen bestimmt ist und der Siebüberlauf am freien Ende der Stangen austritt. Bei den bekannten Stangensieben sind die

Siebstangen in einer Ebene angeordnet und der Transport des Siebgutes erfolgt dadurch, dass die Siebstangen zu ihrem freien Ende abwärts geneigt sind. Abtrennvorrichtungen nach dem Stand der Technik wie Stangensiebe neigen bei der Feinanteilabtrennung in den Verpackungsmaschinen zum Verstopfen. Dies gilt auch für die bekannten Stufenbodenklassierer, bei denen Fraktionen über Spalte zwischen den Böden abzutrennen versucht werden.

Dies hat zur Folge, dass diese Abtrennvorrichtungen zyklisch gereinigt werden müssen und dadurch keine kontinuierliche, gleichbleibende Trenngenauigkeit erreichen.

Zudem erfordert dies Anlagenstillständen und zusätzlichen Aufwand für die

Reinigung.

Nachteilig ist auch, dass keine exakte Trennung erreicht wird, zumal neben der abzutrennenden Fraktion stets ein erheblicher Anteil an Übergrößen mit abgetrennt wird. Somit kommt es auch zu einer ungewollten Reduzierung der Ausbeute der Zielfraktion. Aus der beschriebenen Problematik ergab sich die Aufgabenstellung der Erfindung.

Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch eine Siebplatte (1 ) für Siebanlagen zum mechanischen Klassieren von Polysilicium, umfassend einen Aufgabebereich (2) für Polysilicium, einen profilierten Bereich (3) mit Spitzen (32) und Senken (31 ), einen Bereich (4) mit Schlitzen (41 ), wobei die Schlitze (41 ) an die Senken (31 )

anschließen, und einen Entnahmebereich (5), wobei sich die Schlitze (41 ) in Richtung des Entnahmebereichs (5) vergrößern. Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zum mechanischen Klassieren von Polysilicium mit einer Siebanlage, wobei das Polysilicium auf eine zuvor genannte Siebplatte (1 ) aufgegeben wird, die derart in Schwingungen versetzt wird, dass das Polysilicium eine Bewegung in Richtung des Entnahmebereichs (5) ausführt, wobei sich kleinteiliges Polysilicium in den Senken (31 ) der Siebplatte (1 ) sammelt und durch die Schlitze (41 ) der Siebplatte (1 ) fällt und dadurch vom aufgegebenen

Polysilicium getrennt wird.

Beim Polysilicium kann es sich um polykristalline Bruchstücke oder um

Polysiliciumgranulat handeln.

Unter kleinteiligem Polysilicium ist eine Teilmenge aus der aufgegebenen Menge an Polysilicium zu verstehen, die mittels der Siebanlage abgetrennt werden soll. Das kleinteilige Polysilicium entspricht also der abzutrennenden Fraktion. Beim kleinteiligen Polysilicium kann es sich um polykristalline Siliciumpartikel handeln, die von einer Zielfraktion umfassend Polysilicumgranulat oder Polysiliciumbruchstücke abgetrennt werden sollen.

In einer anderen Ausführungsform handelt es sich bei dem aufgegeben Polysilicium um Polysiliciumbruchstücke mit Feinanteil. Der Feinanteil soll mit der Siebplatte abgetrennt werden.

Die Größenklasse von Polysiliciumbruchstücken ist als längste Entfernung zweier Punkte auf der Oberfläche eines Siliciumbruchstücks (=max. Länge) definiert: Bruchgröße (BG) 0 0,1 bis 5 mm

Bruchgröße 1 3 bis 15 mm

Bruchgröße 2 10 bis 40 mm

Bruchgröße 3 20 bis 60 mm

Bruchgröße 4 45 bis 120 mm

Bruchgröße 5 100 bis 250 mm

Nachfolgend sollen für die Bruchgrößen 3 bis 5 alle Bruchstücke oder Partikel aus Silicium, die eine solche Größe aufweisen, dass sie sich mittels eines Maschensiebs mit quadratischen Maschen einer Größe von 8 mm x 8 mm abtrennen lassen, als Feinanteil bezeichnet werden.

Für die Bruchgrößen 0 bis 2 gilt selbige Definition, wobei die Maschenweite hier mit 1 mm x 1 mm definiert ist.

Die Siebplatte umfasst einen Aufgabebereich, in dem das Polysilicium aufgegeben wird. In einer Ausführungsform wird das Polysilicium mittels einer Förderrinne zur

Siebanlage befördert und an den Aufgabebereich der Siebplatte abgegeben.

Die Siebplatte umfasst zudem einen profilierten Bereich mit Rillen oder Nuten oder allgemein Vertiefungen und Erhebungen, so dass der profilierte Bereich Senken und Spitzen aufweist.

Während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich sammeln sich kleine Bruchstücke oder kleine Siliciumpartikel (klein in Bezug auf die Zielfraktion) oder Feinanteil in den Senken des profilierten Bereichs.

In einer Ausführungsform umfasst das aufgegebene Polysilicium Bruchstücke der Größenklassen 3 bis 5 und Feinanteil gemäß o.g. Definition. Während der Bewegung des Polysiliciunns auf dem profilierten Bereich sammelt sich Feinanteil in den Senken des profilierten Bereichs.

In einer Ausführungsform umfasst das aufgegebene Polysilicium Bruchstücke der Größenklassen 0 bis 2 und Feinanteil gemäß o.g. Definition. Während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich sammelt sich der im Polysilicium enthaltene Feinanteil in den Senken des profilierten Bereichs.

Die Siebplatte umfasst - an den profilierten Bereich anschließend - einen Bereich mit Schlitzen. Die Schlitze sind in Förderrichtung unmittelbar hinter den Senken des profilierten Bereichs angeordnet. Dadurch werden die in den Senken des profilierten Bereichs befindlichen Feinanteile des Polysiliciums gezielt zu den Schlitzen des Bereichs geführt. In einer Ausführungsform setzen sich die Spitzen des profilierten Bereichs auch in den Bereich mit Schlitzen fort, so dass die gesamte Siebplatte profiliert ist, wobei die Siebplatte jedoch an seinem in Förderrichtung hinteren Ende Schlitze statt Senken aufweist. Die Abtrennung des Feinanteils oder kleiner Bruchstücke/Partikel erfolgt somit über die Schlitze der Siebplatte.

In einer Ausführungsform werden die abgetrennten Feinanteile oder kleinen

Bruchstücke/Partikel durch einen unterhalb der Schlitze der Siebplatte angeordneten Auffangbehälter aufgenommen.

Größere Bruchstücke werden im profilierten Bereich über die Spitzen zum

Entnahmebereich geführt. In einer Ausführungsform ist der Entnahmebereich mit einer Förderrinne verbunden, über die die größeren Bruchstücke abgeführt werden. Ebenso kann sich eine weitere Siebplatte anschließend, um einen weitere Fraktion vom Polysilicium abzutrennen. Die Schlitze weiten sich in Förderrichtung. Überraschenderweise kann dadurch ein Verstopfen der Öffnungen / Schlitze effektiv vermieden werden. Somit treten die damit verbundenen und im Stand der Technik beobachteten Probleme, die einen hohen Aufwand bedeuteten, nicht auf.

Die Trenngenauigkeit ist deutlich höher als bei Stangensieben, womit deutlich weniger Fehlkorn abgetrennt wird und somit die Ausbeute steigt. Die Erfindung sieht also eine Siebplatte vor, die in allen Arten von Siebanlagen eingesetzt werden kann, bei welcher sich im ersten Bereich der Siebplatte der

Feinanteil oder kleinteiliges Silicium in Senken sammelt und im letzten Bereich der Siebplatte gezielt durch sich weitende Siebschlitze abgetrennt wird. In einer Ausführungsform besteht die Siebplatte aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff, Silicium oder Metall.

In einer Ausführungsform ist die Siebplatte mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Polyurethan, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium ausgekleidet oder beschichtet.

In einer Ausführungsform sind die mit dem Polysilicium in Berührung kommenden Teile der Siebplatte mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Polyurethan, Keramik, Glas, Diamant, amorpher

Kohlenstoff und Silicium ausgekleidet oder beschichtet.

In einer Ausführungsform besteht die Siebplatte aus Hartmetall oder ist mit einem Hartmetall beschichtet oder ausgekleidet.

In einer Ausführungsform umfasst die Siebplatte einen metallischen Grundkörper sowie eine Beschichtung oder Auskleidung aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium.

In einer Ausführungsform der Erfindung wird der bei den zuvor genannten

Ausführungen verwendete Kunststoff ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus PVC (Polyvinylchlorid), PP (Polypropylen), PE (Polyethylen), PU (Polyurethan), PFA (Perfluoralkoxy), PVDF (Polyvinylidenfluorid) und PTFE (Polytetrafluorethylen).

In einer Ausführungsform umfasst die Siebplatte eine Beschichtung aus Titannitrid, Titancarbid, Aluminiumtitannitrid oder DLC (Diamond Like Carbon).

Die Größe der Schlitze ist abhängig von der abzutrennenden Fraktion und kann bis zu 200 mm betragen. In einer Ausführungsform soll ein Trennschritt bei 10 mm erfolgen (Absieben von Polysilicium kleiner als 10 mm), wobei die Schlitze an ihrem Ende (Beginn des Entnahmebereichs) eine Weite von 10 mm aufweisen.

Die Ausführung des profilierten Bereichs der Siebplatte ist abhängig von der abzutrennenden Fraktion. Tiefe und Winkel der Senken des profilierten Bereichs sind so auszugestalten, dass sich die abzutrennende Fraktion, also z.B. der Feinanteil dort sammelt.

Die Winkel der Senken können dabei flach bis extrem spitz sein und größer als 1 ° und kleiner alsl 80° betragen.

Die Tiefe der Senken kann von 1 bis 200 mm betragen.

Beispielweise sind für die Abtrennung einer 10 mm Fraktion ein Winkel von 45° und eine Tiefe von 20 mm geeignet. Die Erregung der Siebplatte kann sowohl mit einer Planschwing- oder auch

Wurfsiebmaschine erfolgen. Ebenso können Vibrationsantriebe (wie z.B.

Magnetantriebe) oder Unwuchtantriebe vorgesehen sein. In einer Ausführungsform ist die Siebplatte gegen die Waagerechte geneigt.

Es sind Neigungswinkel von 0-90° möglich.

Bevorzugt sind Neigungswinkel zwischen 5 und 20°, da dabei die Schwerkraft die Förderung über die Siebplatte unterstützt.

Die bezüglich der vorstehend aufgeführten Ausführungsformen des

erfindungsgemäßen Verfahrens angegebenen Merkmale können entsprechend auf die erfindungsgemäße Vorrichtung übertragen werden. Umgekehrt können die bezüglich der vorstehend ausgeführten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung angegebenen Merkmale entsprechend auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden. Diese Merkmale der Erfindung und die in den

Ansprüchen sowie in der Figurenbeschreibung genannten Merkmale können entweder separat oder in Kombination als Ausführungsformen der Erfindung verwirklicht werden. Weiterhin können sie vorteilhafte Ausführungen beschreiben, die selbstständig schutzfähig sind.

Kurzbeschreibung der Figuren

Fig. 1 zeigt den schematischen Aufbau einer Siebplatte.

Liste der verwendeten Bezugszeichen

1 Siebplatte

2 Aufgabebereich

3 Profilierter Bereich der Siebplatte

31 Senken des profilierten Bereichs

32 Spitzen des profilierten Bereichs

4 Bereich mit Schlitzen 41 Schlitz

5 Entnahmebereich

Die Siebplatte 1 umfasst einen Aufgabebereich 2, in dem das Polysilicium

aufgegeben wird. Das Polysilicium kann beispielsweise mittels einer Förderrinne zur Siebanlage befördert und an den Aufgabebereich 2 der Siebplatte 1 abgegeben werden.

Die Siebplatte 1 umfasst zudem einen profilierten Bereich 3. Dieser profilierte Bereich 3 sieht Rillen oder Nuten oder Vertiefungen anderer Art vor, so dass der profilierte Bereich 3 Senken 31 und Spitzen 32 aufweist.

Der im Polysilicium enthaltene Feinanteil sammelt sich während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich 3 in den Senken 31 des profilierten Bereichs 3.

Die Siebplatte 1 umfasst - an den profilierten Bereich 3 anschließend - einen Bereich 4 mit Schlitzen 41 . Die Schlitze 41 sind unmittelbar hinter (In Förderrichtung) den Senken 31 des profilierten Bereichs 3 angeordnet. Dadurch werden die in den Senken 31 des profilierten Bereichs 3 befindlichen Feinanteile des Polysiliciums gezielt zu den Schlitzen 41 des Bereichs 4 geführt.

Die Spitzen 32 des profilierten Bereichs 3 setzen sich vorzugweise auch im Bereich 4 fort, so dass die gesamte Siebplatte 1 profiliert ist, jedoch im Bereich 4 statt Senken 31 Schlitze 41 aufweist.

Die Abtrennung des Feinanteils erfolgt somit über die Schlitze 41 der Siebplatte 1 . Die abgetrennten Feinanteile können beispielsweise durch einen unterhalb der Schlitze 41 der Siebplatte 1 angeordneten Auffangbehälter aufgenommen werden.

Größere Bruchstücke werden im profilierten Bereich über die Spitzen 32 zum

Entnahmebereich 5 geführt. Die Schlitze 41 weiten sich in Förderrichtung. Es hat sich gezeigt, dass dadurch ein Verstopfen der Öffnungen effektiv vermieden werden kann.

Die vorstehende Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen ist exemplarisch zu verstehen. Die damit erfolgte Offenbarung ermöglicht es dem Fachmann einerseits, die vorliegende Erfindung und die damit verbundenen Vorteile zu verstehen, und umfasst andererseits im Verständnis des Fachmanns auch offensichtliche

Abänderungen und Modifikationen der beschriebenen Strukturen und Verfahren. Daher sollen alle derartigen Abänderungen und Modifikationen sowie Äquivalente durch den Schutzbereich der Ansprüche abgedeckt sein.




 
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