技术领域 本发明涉及晶体生长领域， 进一步涉及晶种制作方法， 具体是铸造法生产类似单 晶硅锭晶种制作方法。

背景技术 生产硅锭的方法有： CZ法生产单晶硅锭， 铸锭法生产多晶硅锭， FZ法生产单晶 硅锭、 EFG生产硅带等方法。 由于成本问题， 目前太阳能电池片主要使用 CZ法单晶硅 片和铸造法多晶硅片。 CZ法单晶硅由于制造成本是铸锭多晶硅的 4〜5倍， 能耗上高 出 5〜7倍， 导致 CZ单晶硅的市场份额越来越少。 但由于铸锭法生产多晶硅锭， 存在 大量的位错、 晶界， 使得铸锭法多晶硅片制成的电池片， 存在效率偏低的情况， 一直 使铸锭法多晶硅锭无法完全取代 CZ单晶硅锭。

在国际上， 跨国巨头 BP公司的对用铸锭炉生产类似单晶 （准单晶） 硅锭的工艺 已开发多年， 2010年被 ALD收购，使得 ALD多晶铸锭炉已经小规模开发出铸锭法生产 类似单晶硅锭的设备和工艺。

目前， 尚未见到针对在 GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶� ��准单晶） 过程中， 铸造法生产类似单晶 （准单晶）硅锭晶种制作方法的内容的公开报 道或专利 申请。 如果晶种制备工艺不过关， 会导致出现大量晶体缺陷， 类似单晶的质量也会受 到影响。

发明内容 本发明的目的就是提供一种铸造法生产类似单 晶硅锭晶种制作方法，在 GT或四面 及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶 （准单晶）过程中， 采用该方法， 可有效减少晶 种引起的缺陷， 使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。

本发明的目的是通过以下方案实现的：

铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法， 采用的单晶硅晶向为〈100〉， 电阻率 0. Ι Ω - οπι, 极性不限； 其特征在于： 依次进行以下工序：

a该圆柱状单晶硅的直径选择在 130〜250mm之间；

b断棱处反切 50〜350mm;

c采用开方机将单晶硅加工成方棒；

d采用平磨机对方棒四边进行抛光；

e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在 5〜50mm的晶块；

f采用化学抛光或机械抛光， 对晶块进行抛光， 去除表面损伤层； 清洗干净， 烘 干包装， 待用。

进一步：

对 a工序： a该单晶硅的直径选择在 140〜240mm之间；

对 b工序： b断棱处反切 100〜320mm;

对 e工序： 采用截断机将硅单晶切割成每块高度在 10〜45mm的晶块。

更进一步：

对 a工序： 该单晶硅的直径选择在 150〜230mm之间；

对 b工序： b断棱处反切 200〜300mm;

对 e工序： 采用截断机将硅单晶切割成每块高度在 15〜40mm的晶块。

具体：

对 a工序：单晶硅的直径还可选择： 130〜150mm，或 150〜170mm，或 170〜190mm， 或 190〜210mm， 或 210〜230mm， 或 230〜250mm， 或 150〜230mm。

对 b工序： 断棱处可反切还可选择： 50〜80mm， 或 80〜120mm， 或 120〜160mm， 或 160〜200mm， 或 200〜240mm， 或 240〜260mm， 或 260〜300mm， 或 300〜350mm。 对 e工序：采用截断机将硅单晶切割成每块高度� � 5〜10讓， 10〜15讓， 15〜20讓， 20〜25mm， 25〜30mm， 30〜35mm， 35〜40mm， 40〜45mm， 45〜50mm的晶块。

本发明的有益效果在于： 通过本方法的控制， 可有效地减少晶种引起的缺陷， 如 可避免在通常情况下边上、顶部长出多晶晶粒 ，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。 经相关试验表明， 采用本发明提供的方法生产的类似单晶， 制造的电池片转换效率可 上升 0. 1%左右。

具体实施方式 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方 案， 并使本发明的上述目的、特征 和优点能够更加明显易懂， 下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明 。

实施例 1 :

铸造法生产类似单晶 （或称准单晶） 硅锭晶种制作方法， 在铸造多晶炉 （GT炉， 及采用四面加热器及顶部加热器的结构多晶铸 造炉） 内生产类似单晶 （准单晶） ， 采 用的单晶硅晶向为〈100〉， 电阻率大于或等于 0. 1 Q * _cm (欧姆 ·厘米） ， 极性不限； 依 次进行以下工序：

a该圆柱状单晶硅的直径选择在 130〜150mm (如 130mm) 之间；

b断棱处反切 50〜80mm (如 50mm) ；

c采用开方机将单晶硅加工成方棒；

d采用平磨机对方棒四边进行抛光；

e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在 5〜10mm (如 5mm) 的晶块； 也可以根 据需要切割成其它高度的晶块；

f采用化学抛光或机械抛光， 对晶块进行抛光， 去除表面损伤层。 清洗干净， 烘 干包装， 待用。

实施例 2 :

铸造法生产类似单晶 （或称准单晶） 硅锭晶种制作方法， 在铸造多晶炉 （GT炉， 及采用四面加热器及顶部加热器的结构多晶铸 造炉） 内生产类似单晶 （准单晶） ， 采 用的单晶硅晶向为〈100〉， 电阻率大于或等于 0. 1 Q * _cm (欧姆 ·厘米） ， 极性不限； 依 次进行以下工序：

a该圆柱状单晶硅的直径选择在 230〜250mm (如 250mm) 之间；

b断棱处反切 300〜350mm (如 350mm) ；

c采用开方机将单晶硅加工成方棒；

d采用平磨机对方棒四边进行抛光；

e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在 45〜50mm (如 50mm) 的晶块； 也可以 根据需要切割成其它高度的晶块；

f采用化学抛光或机械抛光， 对晶块进行抛光， 去除表面损伤层。 清洗干净， 烘 干包装， 待用。

实施例 3 :

铸造法生产类似单晶 （或称准单晶） 硅锭晶种制作方法， 在铸造多晶炉 （GT炉， 及采用四面加热器及顶部加热器的结构多晶铸 造炉） 内生产类似单晶 （准单晶） ， 采 用的单晶硅晶向为〈100〉， 电阻率大于或等于 0. 1 Q * _cm (欧姆 ·厘米） ， 极性不限； 依 次进行以下工序：

a该圆柱状单晶硅的直径选择在 200mm (毫米） 之间；

b断棱处反切 200mm;

c采用开方机将单晶硅加工成方棒；

d采用平磨机对方棒四边进行抛光；

e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在 30mm的晶块； 也可以根据需要切割成 其它高度的晶块；

f采用化学抛光或机械抛光， 对晶块进行抛光， 去除表面损伤层。 清洗干净， 烘 干包装， 待用。

以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限于此， 任 何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的 技术范围内， 可轻易想到的变化或替 换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。