Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben. Bei dem Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelement handelt es sich beispielsweise um eine Leuchtdiode .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen ersten Halbleiterkörper. Der erste Halbleiterkörper ist vorgesehen, im Betrieb eine erste

elektromagnetische Strahlung in einem ersten

Wellenlängenbereich zu emittieren. Das heißt, im Betrieb wird beispielsweise in einer aktiven Zone des ersten

Halbleiterkörpers elektromagnetische Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, welcher die erste

elektromagnetische Strahlung umfasst. Bei dem ersten

Wellenlängenbereich handelt es sich beispielsweise um den Wellenlängenbereich von rotem Licht. Bei der ersten

elektromagnetischen Strahlung handelt es sich dann um rotes Licht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen zweiten Halbleiterkörper. Der zweite Halbleiterkörper ist vorgesehen, im Betrieb eine zweite elektromagnetische Strahlung in einem zweiten

Wellenlängenbereich zu emittieren. Bei dem zweiten

Wellenlängenbereich handelt es sich beispielsweise um den Wellenlängenbereich von grünem Licht, die zweite elektromagnetische Strahlung ist dann grünes Licht.

Beispielsweise wird in einer aktiven Zone des zweiten

Halbleiterkörpers im Betrieb des Halbleiterkörpers die

elektromagnetische Strahlung im zweiten Wellenlängenbereich emittiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen dritten Halbleiterkörper. Der dritte Halbleiterkörper ist vorgesehen, im Betrieb eine dritte elektromagnetische Strahlung in einem dritten

Wellenlängenbereich zu emittieren. Bei dem dritten

Wellenlängenbereich handelt es sich beispielsweise um den Wellenlängenbereich von blauem Licht, die dritte

elektromagnetische Strahlung ist dann blaues Licht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen ersten optischen Kantenfilter. Der erste optische Kantenfilter ist vorzugsweise zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet. Der erste Kantenfilter ist dabei derart

angeordnet, dass im Betrieb vom ersten Halbleiterkörper und vom zweiten Halbleiterkörper erzeugte elektromagnetische

Strahlung auf den ersten Kantenfilter treffen kann. Der

Kantenfilter besitzt bevorzugt zwei scharf voneinander getrennte Spektralbereiche. Im ersten Spektralbereich ist der Kantenfilter durchlässig, im zweiten Spektralbereich ist der Kantenfilter undurchlässig. Bei dem ersten Kantenfilter handelt es sich vorzugsweise um einen Langpassfilter, bei dem langwellige Spektralanteile durchgelassen und kurzwellige Spektralanteile unterdrückt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen Spiegel, der an der dem zweiten Halbleiterkörper abgewandten Seite des ersten Halbleiterkörpers angeordnet ist. Der Spiegel kann beispielsweise ein oder mehrere dielektrische Materialien und/oder metallische Materialien enthalten oder aus diesen Materialien bestehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements sind erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper übereinander gestapelt angeordnet. Zwischen zwei unterschiedlichen Halbleiterkörpern kann sich beispielsweise jeweils ein Verbindungsmaterial befinden, das die beiden Halbleiterkörper mechanisch fest miteinander verbindet. Vorzugsweise ist der zweite

Halbleiterkörper dabei zwischen dem ersten und dem dritten Halbleiterkörper angeordnet. Das heißt, die Abfolge von

Komponenten des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements kann beispielsweise wie folgt sein: An einer Oberseite des

Spiegels ist der erste Halbleiterkörper angeordnet, an einer dem Spiegel abgewandten Seite des ersten Halbeiterkörpers ist der erste Kantenfilter angeordnet, an einer dem ersten

Halbleiterkörper abgewandten Seite des ersten Kantenfilters ist der zweite Halbleiterkörper angeordnet und an einer dem Kantenfilter abgewandten Seite des zweiten Halbleiterkörpers ist der dritte Halbleiterkörper angeordnet. Erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper können dabei direkt übereinander angeordnet sein, ohne dass sie in lateraler Richtung

zueinander versetzt sind. Die laterale Richtung ist dabei diejenige Richtung, die quer zur Stapelrichtung des Stapels aus erstem, zweitem und dritten Halbleiterkörper verläuft. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements kann sich die erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung zu weißem Licht mischen. Das heißt, erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung sind derart gewählt, dass bei gleichzeitigem Betrieb von erstem, zweitem und drittem

Halbleiterkörper ein resultierendes Mischlicht weißes Licht ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Kantenfilter für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend durchlässig. Überwiegend durchlässig heißt dabei, dass wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der ersten elektromagnetischen

Strahlung, die auf den Kantenfilter trifft, vom Kantenfilter transmittiert wird. Für die zweite und/oder die dritte elektromagnetische Strahlung ist der erste Kantenfilter dann vorzugsweise überwiegend reflektierend ausgebildet.

Überwiegend reflektierend heißt dabei, dass wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der auftreffenden zweiten und/oder dritten

elektromagnetischen Strahlung vom ersten Kantenfilter

reflektiert wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der Spiegel für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend. Das heißt, vorzugsweise wenigstens 50 %, besonders bevorzugt wenigstens 75 % beispielsweise wenigstens 90 % der auftreffenden ersten elektromagnetischen Strahlung wird vom Spiegel reflektiert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen ersten

Halbleiterkörper, der im Betrieb eine erste elektromagnetische Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, einen zweiten Halbleiterkörper, der im Betrieb eine zweite

elektromagnetische Strahlung in einem zweiten

Wellenlängenbereich emittiert, und einen dritten

Halbleiterkörper, der im Betrieb eine dritte

elektromagnetische Strahlung in einem dritten

Wellenlängenbereich emittiert. Ferner umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement in dieser

Ausführungsform einen ersten Kantenfilter, der zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet ist und einen Spiegel, der an der dem zweiten

Halbleiterkörper abgewandten Seite des ersten

Halbleiterkörpers angeordnet ist. Erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper sind dabei übereinander gestapelt angeordnet, der zweite Halbleiterkörper ist zwischen dem ersten und dem dritten Halbleiterkörper angeordnet, die erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung mischt sich zu weißem Licht, der erste Kantenfilter ist für die erste

elektromagnetische Strahlung überwiegend durchlässig und für die zweite und/oder dritte elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend und der Spiegel ist für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend.

Bei einem solchen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement können erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt sein. Die Halbleiterkörper werden dann beispielsweise mittels eines Verbindungsmittels mechanisch miteinander verbunden. Die erste elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise die Peakwellenlänge des ersten Wellenlängenbereichs ist, ist dabei größer als die zweite elektromagnetische Strahlung, welche die Peakwellenlänge des zweiten Wellenlängenbereichs ist. Die zweite

elektromagnetische Strahlung wiederum ist größer als die dritte elektromagnetische Strahlung, welche die

Peakwellenlänge des dritten Wellenlängenbereichs ist. Der dritte Halbleiterkörper ist überwiegend durchlässig für die erste und die zweite elektromagnetische Strahlung. Der zweite Halbleiterkörper ist überwiegend durchlässig für die erste elektromagnetische Strahlung. Überwiegend durchlässig heißt, dass wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der auftreffenden

elektromagnetischen Strahlung durch den jeweiligen

Halbleiterkörper transmittiert wird.

Dem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement liegt dabei unter anderem die folgende Erkenntnis zugrunde. Werden

beispielsweise ein strahlungsdurchlässiger, grün emittierender und ein strahlungsdurchlässiger, blau emittierender

Halbleiterkörper auf einen rotes Licht emittierenden

Halbleiterkörper aufgebracht, so wird beispielsweise das vom zweiten Halbleiterkörper hin zum ersten Halbleiterkörper emittierte grüne Licht sowie das vom dritten Halbleiterkörper in Richtung vom ersten und zweiten Halbleiterkörper emittierte blaue Licht größtenteils vom ersten Halbleiterkörper

absorbiert und steht für die Anwendung nicht zur Verfügung. Einem hier beschriebenen Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelement liegt die Idee zugrunde, einen

wellenlängenselektiven Kantenfilter in das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement zu integrieren, der zum Beispiel für das rote Licht des ersten

Halbleiterkörpers überwiegend durchlässig und für das grüne und blaue Licht des zweiten und dritten Halbleiterkörpers überwiegend reflektierend ausgebildet ist. Auf diese Weise können das blaue und das grüne Licht nicht in den ersten

Halbleiterkörper oder kaum in den ersten Halbleiterkörper gelangen und werden auf diese Weise nicht vom ersten

Halbleiterkörper absorbiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Kantenfilter frei von einem Halbleitermaterial. Das heißt, der erste Kantenfilter ist nicht mit einem

Verbindungshalbleitermaterial gebildet und/oder der erste Kantenfilter weist keine halbleitenden Eigenschaften auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist ein zweiter Kantenfilter zwischen dem zweiten und dem dritten

Halbleiterkörper angeordnet. Der zweite Halbleiterkörper ist dabei für die erste und die zweite elektromagnetische

Strahlung überwiegend durchlässig und für die dritte

elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend. Das heißt, beispielsweise das blaue Licht des dritten

Halbleiterkörpers kann aufgrund des zweiten Kantenfilters kaum oder gar nicht in den zweiten Halbleiterkörper gelangen und wird daher nicht in diesem absorbiert, sondern steht für die Anwendung zur Verfügung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der zweite Kantenfilter frei von einem Halbleitermaterial. Das heißt, der zweite Kantenfilter ist nicht mit einem

Verbindungshalbleitermaterial gebildet und/oder der zweite Kantenfilter weist keine halbleitenden Eigenschaften auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst der erste und/oder der zweite Kantenfilter zumindest zwei erste Schichten aus einem ersten Material und zumindest zwei zweite Schichten aus einem zweiten Material, wobei das erste und das zweite Material unterschiedliche optische Brechungsindices aufweisen und erste und zweite Schichten alternierend

übereinander gestapelt angeordnet sind. Das heißt, die Abfolge von ersten und zweiten Schichten im ersten und/oder zweiten Kantenfilter ist beispielsweise wie folgt: Erste Schicht, zweite Schicht, erste Schicht, zweite Schicht. Auf diese Weise ist der Kantenfilter als Mehrschicht-Kantenfilter ausgebildet, der erste und zweite Schichten mit unterschiedlichen

Brechungsindices aufweist. Neben den unterschiedlichen

Brechungsindices können sich die ersten und zweiten Schichten beispielsweise auch durch unterschiedliche optische und physikalische Dicken voneinander unterscheiden. Dabei können auch zwei erste Schichten unterschiedliche optische oder physikalische Dicken aufweisen. Das Gleiche gilt für zwei zweite Schichten. Das heißt, die Dicke der ersten und der zweiten Schichten muss nicht gleichmäßig gewählt sein.

Vielmehr ist es möglich, dass der Kantenfilter eine Vielzahl erster Schichten und eine Vielzahl zweiter Schichten umfasst, wobei jede Schicht eine von einer anderen Schicht des

Kantenfilters unterschiedliche optische oder physikalische Dicke aufweisen kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst der erste und/oder zweite Kantenfilter wenigstens zehn erste und wenigstens zehn zweite Schichten. Eine solch relativ große Anzahl von ersten und zweiten Schichten für den ersten

und/oder zweiten Kantenfilter hat sich dabei als besonders vorteilhaft für die Abstimmung des Kantenfilters auf die ersten, zweiten und dritten Wellenlängen erwiesen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weisen die ersten Schichten einen optischen Brechungsindex zwischen 1,4 und 1,5 und die zweiten Schichten einen optischen

Brechungsindex zwischen 2,3 und 2,5 auf. Beispielsweise sind die ersten Schichten des ersten und/oder des zweiten

Kantenfilters mit einem Siliziumoxid, wie zum Beispiel

Siliziumdioxid gebildet und die zweiten Schichten des ersten und/oder zweiten Kantenfilters sind mit einem Titanoxid wie beispielsweise Titandioxid gebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weisen die ersten Schichten des ersten und/oder des zweiten Kantenfilters physikalische Dicken zwischen wenigstens 40 nm und höchstens 400 nm auf und die zweiten Schichten weisen physikalische Dicken zwischen wenigstens 10 nm und höchstens 65 nm auf. Eine Auswahl der physikalischen Dicken für die ersten und die zweiten Schichten von erstem und/oder zweitem Kantenfilter aus den angegebenen Bereichen hat sich wiederum als besonders vorteilhaft für eine besonders genaue Anpassung von erstem und/oder zweitem Kantenfilter an die ersten, zweiten und dritten Wellenlängen erwiesen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste und/oder der zweite Kantenfilter auf einem

strahlungsdurchlässigen Träger angeordnet. Bei dem

strahlungsdurchlässigen Träger kann es sich beispielsweise um eine Glasscheibe handeln, auf welche die ersten und zweiten Schichten des Kantenfilters abgeschieden sind. Erster und/oder zweiter Kantenfilter mit zugehörigem strahlungsdurchlässigen Träger können dann beispielsweise mittels eines

Verbindungsmittels mit den Halbleiterkörpern des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements verbunden werden .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements stehen der erste und/oder der zweite Kantenfilter in direktem Kontakt mit zumindest einem der Halbleiterkörper. Beispielsweise kann der Kantenfilter dabei epitaktisch auf den Halbleiterkörper abgeschieden sein. In diesem Fall kann das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement frei von einem strahlungsdurchlässigen Träger für den Kantenfilter sein.

Vielmehr bildet zumindest einer der Halbleiterkörper des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements selbst den

Träger für die Schichten des Kantenfilters und damit für den Kantenfilter. Der Kantenfilter kann beispielsweise auf einen der Halbleiterkörper epitaktisch abgeschieden sein. Dabei ist es auch möglich, dass auf zwei der Halbleiterkörper zwei unterschiedliche Kantenfilter epitaktisch abgeschieden sind. Der Verzicht auf einen strahlungsdurchlässigen Träger kann zwar die Herstellung des Kantenfilters komplizieren, jedoch ergibt sich auf diese Weise ein besonders kompakter Aufbau für das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement.

Im Folgenden wird das hier beschrieben Halbleiterbauelement gemäß von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren 1 bis 4 zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelements . Anhand der graphischen Auftragung der Figur 5 ist ein

Kantenfilter für ein hier beschriebenes

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement näher erläutert.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur IA zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelements gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Halbleiterkörper 10, einen zweiten Halbleiterkörper 20 und einen dritten Halbleiterkörper 30. Bei dem ersten

Halbleiterkörper 10 handelt es sich beispielsweise um einen rotes Licht emittierenden Dünnfilmhalbleiterchip, der auf einen Träger 60 aufgebracht ist. Zwischen dem Träger 60 und dem ersten Halbleiterkörper 10 ist ein Spiegel 50 angeordnet. Bei dem Spiegel 50 handelt es sich beispielsweise um einen dielektrischen Spiegel, der Schichten aus Siliziumdioxid und Silber umfasst. Der erste Halbleiterkörper 10 emittiert im Betrieb erste elektromagnetische Strahlung 11 aus dem

Spektralbereich von rotem Licht. Der zweite Halbleiterköper 20 ist ein epitaktisch

hergestellter substratloser Halbleiterchip. Der zweite

Halbleiterkörper 20 ist dabei frei von einem Träger oder einem Aufwachssubstrat und umfasst lediglich epitaktisch

abgeschiedene Schichten. Der zweite Halbleiterkörper 20 erzeugt im Betrieb zweite elektromagnetische Strahlung 21, beispielsweise aus dem Spektralbereich von grünem Licht.

Der dritte Halbleiterkörper 30 ist ebenfalls ein substratloser Halbleiterchip, der frei von einem Träger oder einem

Aufwachssubstrat ist und lediglich epitaktisch abgeschiedene Schichten umfasst. Im Betrieb erzeugt der dritte

Halbleiterkörper 30 dritte elektromagnetische Strahlung 31 aus dem Spektralbereich von blauem Licht.

Der zweite Halbleiterkörper 20 ist für die erste

elektromagnetische Strahlung 11 durchlässig. Der dritte

Halbleiterkörper 30 ist für die erste elektromagnetische

Strahlung 11 und die zweite elektromagnetische Strahlung 21 durchlässig.

Zwischen dem ersten Halbleiterkörper 10 und dem zweiten

Halbleiterkörper 20 ist der erste Kantenfilter 41 angeordnet. Der erste Kantenfilter 41 umfasst einen

strahlungsdurchlässigen Träger 45, der beispielsweise aus Glas gebildet ist. Auf den strahlungsdurchlässigen Träger 45 sind eine Vielzahl erster Schichten 43 und zweiter Schichten 44 aufgebracht, die sich in ihrem Brechungsindex jeweils

voneinander unterscheiden. Der erste Kantenfilter 41 ist für die erste elektromagnetische Strahlung 11 durchlässig und für die zweite elektromagnetische Strahlung 21 und die dritte elektromagnetische Strahlung 31 jeweils reflektierend

ausgebildet . Die Figur IB zeigt eine idealisierte Übertragungskennlinie des ersten Kantenfilters 41. Die Transmittivität steigt ab zirka 580 nm Wellenlänge plötzlich an und wechselt von 0 % auf 100 %. Das heißt, der Kantenfilter 41 ist für langwelliges Licht durchlässig, für kurzwelliges Licht hingegen undurchlässig und reflektierend. Im Ausführungsbeispiel der Figur IA ist der erste Kantenfilter 41 ein separates Element, das auf einen eigenen, strahlungsdurchlässigen Träger 45 aufgebracht ist.

Im Unterschied dazu zeigt die Figur 2A anhand einer

schematischen Schnittdarstellung ein weiteres

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, bei dem der erste Kantenfilter 41 direkt auf den ersten Halbleiterkörper

10 abgeschieden ist. Beispielsweise ist der erste Kantenfilter 41 epitaktisch auf die dem Träger 60 abgewandte Oberseite des ersten Halbleiterkörpers 10 abgeschieden. Die Figur 2B zeigt wiederum eine idealisierte Übertragungskennlinie des ersten Kantenfilters 41.

Im Ausführungsbeispiel der Figur 3A umfasst das

Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement den ersten

Kantenfilter 41, der direkt auf die dem ersten

Halbleiterkörper 10 zugewandte Außenfläche des zweiten

Halbleiterkörpers 20 abgeschieden ist.

Die Figur 3C zeigt die idealisierte Übertragungskennlinie des ersten Kantenfilters 41, der rotes Licht durchlässt und grünes Licht reflektiert.

Der zweite Kantenfilter 42 ist direkt auf die dem zweiten Halbleiterkörper 20 zugewandte Außenfläche des dritten Halbleiterkörpers 30 abgeschieden. Der zweite Kantenfilter 42 ist für grünes und rotes Licht durchlässig und für blaues Licht reflektierend ausgebildet, siehe dazu auch die

idealisierte Übertragungskennlinie der Figur 3B für den zweiten Kantenfilter 42. Beim Ausführungsbeispiel der Figur 3A ist es alternativ zum direkten Abscheiden von erstem

Kantenfilter 41 und zweitem Kantenfilter 42 auf

unterschiedliche Halbleiterkörper auch möglich, dass beide Kantenfilter auf gegenüberliegende Oberflächen des zweiten Halbleiterköpers 20 direkt abgeschieden werden. Darüber hinaus ist es auch möglich, dass zumindest einer der Kantenfilter, wie in Verbindung mit der Figur IA gezeigt, auf einen

separaten, strahlungsdurchlässigen Träger 45 aufgebracht ist. Das direkte Abscheiden des Kantenfilters auf zumindest einen der Halbleiterköper kann die Herstellung des Kantenfilters komplizierter machen, ermöglicht jedoch einen besonders kompakten Aufbau des Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelements . In Verbindung mit der Figur 4A ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements dargestellt. In diesem Ausführungsbeispiel ist ein Kantenfilter 41, wie er in Verbindung mit der Figur IA beschrieben ist, zwischen dem ersten Halbleiterkörper 10 und dem zweiten Halbleiterkörper 20 angeordnet. Die Halbleiterkörper 10, 20, 30 sind jeweils durch ein Verbindungsmittel 80 mechanisch miteinander verbunden. Bei dem Verbindungsmittel 80 kann es sich beispielsweise um ein Silikon und/oder ein Epoxidharz handeln.

Jeder der Halbleiterkörper weist eine aufgeraute Oberfläche auf, durch die Auskoppelstrukturen 12, 22, 32 gebildet sind, welche die Wahrscheinlichkeit für Totalreflexion an der Außenfläche des jeweiligen Halbleiterkörpers reduzieren.

Zwischen den Halbleiterkörpern sind jeweils Kontaktschichten 71, 72, 73 angeordnet, die ein unabhängiges elektrisches Kontaktieren der Halbleiterköper erlauben. Das heißt, jeder Halbleiterkörper 10, 20, 30 kann unabhängig vom anderen

Halbleiterkörper betrieben werden. Der Stapel aus

Halbleiterkörpern kann auf diese Weise rotes, grünes und blaues Licht erzeugen. Bei einem gleichzeitigen Betrieb aller Halbleiterkörper wird weißes Mischlicht erzeugt.

Erste Kontaktschicht 71, zweite Kontaktschicht 72 und dritte Kontaktschicht 73 sind beispielsweise mit einem transparenten Material, wie einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO - Transparent Conductive Oxide) -Material gebildet. Die

Kontaktschichten können dabei zum Beispiel ITO (Indium Tin Oxide) oder IZO (Indium Zinc Oxide) umfassen.

Die Figur 4B zeigt die Extraktionswahrscheinlichkeit E relativ zu der des jeweiligen einzelnen Halbleiterkörpers, der nicht in einem Stapel angeordnet ist. Die Messpunkte bei A beziehen sich dabei auf einen Luftspalt jeweils zwischen erstem

Halbleiterkörper 10 und zweitem Halbleiterkörper 20 und zwischen zweitem Halbleiterköper 20 und drittem

Halbleiterkörper 30. Die Messpunkte bei B sind für ein

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, wie es in der Figur 4A gezeigt ist, berechnet. Das heißt, zwischen erstem Halbleiterkörper 10 und zweitem Halbleiterkörper 20 befindet sich der erste Kantenfilter 41, die Halbleiterkörper sind jeweils mittels eines Verbindungsmittels 80 mechanisch

miteinander verbunden. Bei den Verbindungsmitteln 80 handelt es sich um ein Epoxidharz. Die Messpunkte bei C zeigen die Situation ohne einen ersten Kantenfilter 41. Die Kurve a zeigt die Extraktion für blaues Licht, die Kurve b für grünes Licht und die Kurve c für rotes Licht. Die Kurve d zeigt die

Gesamtextraktion .

Erste, zweite und dritte Kontaktschichten sind jeweils aus einer 100 nm dicken Lage aus IZO gebildet.

Wie der graphischen Auftragung der Figur 4B zu entnehmen ist, wäre die Effizienz im Falle eines Lufteinschlusses zwischen den Halbleiterkörpern (Messpunkt A) am besten. Sind die

Halbleiterkörper mittels eines Verbindungsmittels 80

mechanisch miteinander verbunden, erweist sich der erste

Kantenfilter 41 als besonders vorteilhaft.

Die Figur 4C zeigt die mittlere Extraktion relativ zu einem einzelnen Chip für vier unterschiedliche Situationen. Die

Balken bei a zeigen die mittlere Extraktion für die oben beschriebenen Situationen A, B, C für ein

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, bei dem erste, zweite und dritte Kontaktschichten jeweils aus IZO mit einer Dicke von jeweils 250 nm bestehen, wobei auf die dem dritten

Halbleiterkörper 30 abgewandte Oberseite der dritten

Kontaktschicht 73 eine Linse aufgebracht ist, die aus Silikon besteht . Die Balken bei b zeigen die mittlere Extraktion für das gleiche Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement ohne

Linse, also an Luft.

Die Balken bei c zeigen die mittlere Extraktion für erste, zweite und dritte Kontaktschichten aus IZO mit einer Dicke von jeweils 100 nm und einer Silikonlinse. Die Balken bei d zeigen die Situation für das Strahlungsemittierende

Halbleiterbauelement wie in c, jedoch ohne Silikonlinse. Insgesamt ist aus der Figur 4C ersichtlich, dass mit einer Linse, die beispielsweise aus Silikon besteht, die mittlere Extraktion stark verbessert werden kann.

Anhand der graphischen Auftragung der Figur 5 ist ein hier beschriebener Kantenfilter, beispielsweise ein erster

Kantenfilter 41, näher erläutert. Dabei ist die

Durchlässigkeit T in Prozent gegen die Wellenlänge λ in

Nanometer aufgetragen. Die Kurve a zeigt die Durchlässigkeit für einen Einfallwinkel von 0°, die Kurve b für einen

Einfallwinkel von 30° für p-polarisiertes Licht, die Kurve c für einen Einfallwinkel von 30° für s-polarisiertes Licht, die Kurve d für einen Einfallwinkel von 60° für p-polarisiertes Licht und die Kurve e für einen Einfallwinkel von 60° für s- polarisiertes Licht.

Erste und zweite Schichten des Kantenfilters sind dabei auf einen transparenten Träger 45 aufgebracht, der beispielsweise aus Saphir, Dünnglas, Diamant oder einem anderen

strahlungsdurchlässigen Material bestehen kann. Die ersten Schichten sind dabei aus einem Siliziumdioxid gebildet, die zweiten Schichten aus einem Titandioxid. Das heißt, die ersten und die zweiten Schichten sind frei von einem

Halbleitermaterial. Diese Schichten sind also weder mit einem Verbindungshalbleitermaterial gebildet oder bestehen aus einem solchen, noch weisen sie halbleitende Eigenschaften auf. Die Abfolge der Schichten kann beispielsweise wie folgt sein:

Dabei handelt es sich um einen Kantenfilter 41, der zur Reflexion von grünem und blauem Licht besonders gut geeignet ist. Ein solcher Kantenfilter kann beispielsweise in den in Verbindung mit den Figuren IA und 4A beschriebenen

Ausführungsbeispielen Verwendung finden. Die in der Tabelle angegebenen Werte für die physikalische Dicke sind dabei bevorzugt, können aber um 10 % größer oder kleiner als der jeweils angegebene Wert sein. Entsprechendes gilt für die optischen Dicken. Die Schichten sind bevorzugt direkt übereinander angeordnet. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 031 147.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.