以下、本発明の実施の形態を、図面を参照� ��て詳細に説明する。
 まず、第1の実施の形態について説明する。
 図1は第1の実施の形態のウエハのチップレ� �アウトの一例を示す平面模式図である。

 この図1に示す第1の実施の形態のウエハ1� ��は、3種類の平面サイズのチップ(半導体装� �)A,B,Cがそれぞれ複数形成されている。チッ� �A,B,Cの平面サイズは、チップAが平面正方形� �でその縦横比を1:1としたときに、チップBが� ��面長方形状でその縦横比が2:1、チップCが平 面正方形状でその縦横比が2:2となるような関 係になっている。

 チップA,B,Cのうち、その平面サイズが最� �のチップCは、ウエハ1の中央部に、ウエハ1� �直径方向(図面上下方向)に直線的に整列配置 されて形成されている。中間平面サイズのチ ップBは、その最大平面サイズのチップCの外� ��(チップCの列群の両側)に、チップCの整列方 向と同方向(図面上下方向)に直線的に整列配� ��されて形成されている。最小平面サイズの� ��ップAは、その中間平面サイズのチップBの� �らに外側(チップBの列群の両側)に、チップB� ��整列方向と同方向(図面上下方向)に直線的� �整列配置されて形成されている。

 この図1には、チップA,B,Cをそれぞれ2列ず つ形成した場合を例示している。また、長方 形状のチップBは、すべて同じ向きで配置し� �いる。各チップA,B,Cの平面サイズの関係より 、2列分のチップBの幅は、2列分のチップAの� �、1列分のチップCの幅に相当する。また、2� �分のチップAの幅は、1行分のチップBの幅、1� ��分のチップCの幅に相当する。

 このように異なる平面サイズのチップA,B, Cを配置するにあたっては、平面サイズの大� �いものほど中央側に整列配置する。そのよ� �な配置とすることにより、小さなチップA,B� �取得数を確保しつつ、一定数の大きなチッ� �Cを取得することが可能になる。

 続いて、このような構成を有するウエハ1の 形成方法について説明する。
 チップ内部の回路パターン形成には、通常� ��フォトリソグラフィ技術が用いられ、所定� ��ターン形成用のレチクルを用いてレジスト� ��露光し、露光後の現像によりレジストパタ� ��ンを形成し、そのレジストパターンをマス� ��にエッチング等の処理が行われる。上記の� ��うな3種類のチップA,B,Cを有するウエハ1を形 成するため、ここでは、次の図2に例示する� �うなレチクルを用いる。

 図2はレチクルの構成例を示す図である。
 この図2に示すレチクル2は、最小平面サイ� �のチップAの形成に用いるレチクルパターン� ��形成されている領域2a、中間平面サイズの� �ップBの形成に用いるレチクルパターンが形� ��されている領域2b、および最大平面サイズ� �チップCの形成に用いるレチクルパターンが� ��成されている領域2cを有している。

 ここでは、各チップA,B,Cの平面サイズの� �係より、領域2aに4個分のチップAのレチクル� ��ターンが2行2列グループ化されて配置され� �領域2bに2個分のチップBのレチクルパターン� ��1行2列グループ化されて配置され、領域2cに 1個分のチップCのレチクルパターンが配置さ� ��ている。

 このようなレチクル2を用いた露光は、次の ようにして行うことができる。
 図3は第1の実施の形態の露光方法の説明図� �ある。
 チップCを形成する領域1cに対しては、レチ� ��ル2のチップA,B形成用の領域2a,2bをマスク(遮 光)し、レチクル2のチップC形成用の領域2cの� ��を用い、そこに形成されているレチクルパ� ��ーンを露光する。ここでは、このチップCを 形成する領域1cに、1回のショットにつき1個� �のチップCのレチクルパターンが露光される� ��

 また、チップCを形成する領域の外側のチ ップBを形成する領域1bに対しては、レチクル 2のチップA,C形成用の領域2a,2cをマスクし、レ チクル2のチップB形成用の領域2bのみを用い� �そこに形成されているレチクルパターンを� �光する。ここでは、このチップBを形成する� ��域1bに、1回のショットにつき1行2列の2個分� ��チップBのレチクルパターンが露光される。

 また、チップBを形成する領域の外側のチ ップAを形成する領域1aに対しては、レチクル 2のチップB,C形成用の領域2b,2cをマスクし、レ チクル2のチップA形成用の領域2aのみを用い� �そこに形成されているレチクルパターンを� �光する。ここでは、このチップAを形成する� ��域1aに、1回のショットにつき2行2列の4個分� ��チップAのレチクルパターンが露光される。

 このようにして露光を行い、各チップA,B, Cの形成に必要な処理を行っていくことによ� �、最終的に、所定の位置に所定の構成のチ� �プA,B,Cが形成された、図1に示したようなウ� �ハ1が形成される。

 各チップA,B,Cを形成した後は、そのウエハ1� ��ダイシングを行い、個片化した各チップA,B, Cを取得する。
 図4は第1の実施の形態のダイシング前の状� �を示す要部断面模式図である。なお、図4は� ��1のL-L断面の模式図である。

 チップA,B,Cを形成したウエハ1のダイシン� ��を行う際には、まず、図4に示すように、そ のウエハ1をウエハキャリア上の粘着フィル� �3に貼り付け、動かないように固定する。こ� ��ような状態から、チップA,B,Cのダイシング� �よび取得を、大きく3段階に分けて、順に行� ��ていく。

 図5は第1の実施の形態の第1のダイシング工� ��の要部平面模式図、図6は図5のX-X断面模式� �である。
 まず、第1のダイシング工程では、ダイヤモ ンドカッタを用い、図5に点線で示すように� �ウエハ1を最大のチップCの平面サイズで縦(� �)方向および横(行)方向にダイシングし、チ� �プCを個片化する。図5には、切断されたウエ ハ1のスクライブラインを太線で示している� �

 この第1のダイシング工程においては、チ ップCは完全にウエハ1から切り離されて個片� ��されるが、チップA,B,Cの平面サイズおよび� �置の関係から、個々のチップA,Bは完全には� �片化されない。

 すなわち、図5および図6に示したように� �チップAの場合には、この第1のダイシング工 程後にも、列方向に隣接するものの間の一部 のスクライブラインはダイシングされずに残 り、行方向に隣接するものの間のスクライブ ラインはダイシングされずに残るようになる 。また、チップBの場合には、この第1のダイ� ��ング工程後にも、行方向に隣接するものの� ��のスクライブラインはダイシングされずに� ��るようになる。

 ダイシングの際にはダイヤモンドカッタ� ��切る深さをチップA,B,Cの厚みに応じて制御� �るため、粘着フィルム3には軽微なダメージ� ��入るが、完全に切断されてしまうことはな� ��。また、粘着フィルム3と切断後のチップA,B ,Cのエッジ部分には、若干の剥離が生じるこ� ��もあるが、チップA,B,Cが粘着フィルム3から� ��全に剥離してしまうことはない。

 この図5および図6に示したようにしてダイ� �ングを行った後に、個片化したチップCのみ� ��ウエハ1からピックアップして取得する。
 図7は第1の実施の形態のチップ取得工程の� �部断面模式図である。

 個片化したチップCを取得する際には、ま ず、特定のチップCを粘着フィルム3の背面か� ��ピン4で押し上げると共に、その押し上げら れたチップCをエアピンセット5でピックアッ� ��して取得する。これを、個片化されている� ��べてのチップCを取得するまで、順次繰り返 す。

 このようにしてチップCを取得した後、第 2のダイシング工程に進む。なお、第1のダイ� ��ング工程後、各チップA,B,Cは粘着フィルム3� ��貼り付いたままであり、その状態からチッ� ��Cのみを取得したときにも、残るチップA,Bは 粘着フィルム3に貼り付いたままで、その位� �がずれてしまうことはない。

 図8は第1の実施の形態の第2のダイシング工� ��の要部平面模式図、図9は図8のY-Y断面模式� �である。
 第2のダイシング工程では、先の第1のダイ� �ング工程でチップCのみが取得されたウエハ1 を、図8に点線で示すように、さらに縦(列)方 向にダイシングする。これにより、横(行)方� ��に隣接するチップAの間のスクライブライン をダイシングし、同じく行方向に隣接するチ ップBの間のスクライブラインをダイシング� �る。図8には、切断されたウエハ1のスクライ ブラインを太線で示している。

 図8および図9に示したように、すべての� �ップBが、この第2のダイシング工程のダイシ ングと、先の第1のダイシング工程とにより� �個片化される。チップAについては、この第2 のダイシング工程後にも、列方向に隣接する ものの間の一部のスクライブラインが、依然 ダイシングされずに残る。

 このような第2のダイシング工程後、個片 化されたすべてのチップBをそれぞれ、ピン4� ��押し上げ、エアピンセット5でピックアップ する。このようにしてチップBを取得した後� �第3のダイシング工程に進む。なお、チップB を取得したときにも、残るチップAは粘着フ� �ルム3に貼り付いたままで、その位置がずれ� ��しまうことはない。

 図10は第1の実施の形態の第3のダイシング工 程の要部平面模式図、図11は図10のZ-Z断面模� �図である。
 第3のダイシング工程では、先の第1,第2のダ イシング工程でチップC,Bが取得されたウエハ 1を、図10に点線で示すように、さらに横(行)� ��向にダイシングする。これにより、縦(列)� �向に隣接するチップAの間のスクライブライ� ��をダイシングする。図10には、切断された� �エハ1のスクライブラインを太線で示してい� ��。

 図10および図11に示したように、すべてのチ ップAが、この第3のダイシング工程のダイシ� ��グと、先の第1,第2のダイシング工程とによ� ��、個片化される。
 このような第3のダイシング工程後、個片化 されたすべてのチップAをそれぞれ、ピン4で� ��し上げ、エアピンセット5でピックアップす る。これにより、異なる平面サイズのチップ A,B,Cがすべて取得されるようになる。

 このように、異なる平面サイズのチップA ,B,Cを、ダイシングを考慮して適切にレイア� �トして形成し、適切な順序でダイシングす� �ことにより、1枚のウエハ1から複数平面サイ ズのチップA,B,Cを、それぞれ一定数、効率的� ��取得することができる。

 また、上記のようなウエハ1であっても、 単一平面サイズのチップのみを形成したウエ ハの場合に比べ、ダイシングの方法自体が大 きく変更されることはない。すなわち、チッ プCを個片化する第1のダイシング工程では、� ��一平面サイズのチップのみを形成したウエ� ��の場合と同様、縦横にダイシングするが、� ��りのチップB,Cを個片化する第2,第3のダイシ� ��グ工程ではそれぞれ、縦方向のみ、横方向� ��みに、ウエハ1の端から端までダイシングす る。そのため、ダイシング工程を複雑化せず 、工程負荷の増加を抑えて、各チップA,B,Cを� ��片化し、取得することができる。

 なお、ここでは、ウエハ1に3種類のチッ� �A,B,Cを2列ずつ配置する場合を例示したが、� �エハ1に形成可能なトータルのチップ数や各� ��ップA,B,Cの取得すべきチップ数等に応じ、� �れぞれ3列以上の配置としてもよい。

 また、ここでは、各チップA,B,Cの平面サ� �ズが整数倍の関係となっている場合につい� �説明したが、異なる平面サイズのチップの� �イシングラインを適切に一致させるように� �れば、必ずしもそれらの平面サイズが整数� �の関係となっていることを要しない。

 次に、第2の実施の形態について説明する。
 図12は第2の実施の形態のウエハのチップレ� ��アウトの一例を示す平面模式図である。

 この図12に示す第2の実施の形態のウエハ1 0には、3種類の平面サイズのチップA,B,Cが同� �円状に配置されている点で、上記第1の実施� ��形態のウエハ1と相違する。すなわち、この ウエハ10には、その中央部に最大平面サイズ� ��チップCが形成され、その周囲に中間平面サ イズのチップBが周状に形成され、さらにそ� �周囲に最小平面サイズのチップAが周状に形� ��されている。

 このように異なる平面サイズのチップA,B,C� �配置するにあたっては、各チップA,B,Cの取得 数を考慮し、平面サイズの大きいものほど中 央側に配置する。
 このようなウエハ10の形成には、上記図2に� ��したような構成を有するレチクル2を用いる ことができる。

 図13は第2の実施の形態の露光方法の説明図� ��ある。
 図13に示すように、チップCを形成する領域1 0cに対しては、レチクル2のチップC形成用の� �域2cのみを用いて露光し、チップBを形成す� �領域10bに対しては、レチクル2のチップB形成 用の領域2bのみを用いて露光し、チップAを形 成する領域10aに対しては、レチクル2のチッ� �A形成用の領域2aのみを用いて露光する。

 このようにして露光を行い、各チップA,B, Cの形成に必要な処理を行っていくことによ� �、最終的に、所定の位置に所定の構成のチ� �プA,B,Cが形成されたウエハ10が形成される。

 このようなウエハ10のダイシングおよび各� �ップA,B,Cの取得は、次のようにして行うこと ができる。
 図14は第2の実施の形態の第1のダイシング工 程の要部平面模式図である。

 まず、第1のダイシング工程では、粘着フ ィルムに貼り付け固定したウエハ10を、ダイ� ��モンドカッタを用い、図14に点線で示すよ� �に、最大のチップCの平面サイズで縦(列)方� �および横(行)方向にダイシングし、チップC� �個片化する。図14には、切断されたウエハ10� ��スクライブラインを太線で示している。こ� ��とき、チップA,B,Cの平面サイズおよび配置� �関係から、個々のチップA,Bは個片化されな� �。

 この第1のダイシング工程後、個片化され たすべてのチップCをそれぞれ、図7に示した� ��と同様にして、ピン4で押し上げ、エアピン セット5でピックアップする。このようにし� �チップCを取得した後、第2のダイシング工程 に進む。なお、チップCを取得したときにも� �残るチップA,Bは粘着フィルム3に貼り付いた� ��まで、その位置がずれてしまうことはない� ��

 図15は第2の実施の形態の第2のダイシング工 程の要部平面模式図である。
 第2のダイシング工程では、先の第1のダイ� �ング工程でチップCのみが取得されたウエハ1 0を、図15に点線で示すように、さらに縦(列)� ��向にダイシングする。これにより、横(行)� �向に隣接するチップAの間のスクライブライ� ��をダイシングし、同じく行方向に隣接する� ��ップBの間のスクライブラインをダイシング する。図15には、切断されたウエハ10のスク� �イブラインを太線で示している。図15に示し たように、すべてのチップBが、この第2のダ� ��シング工程のダイシングと、先の第1のダイ シング工程とにより、個片化される。

 この第2のダイシング工程後、個片化され たすべてのチップBをそれぞれ、図9に示した� ��と同様にして、ピン4で押し上げ、エアピン セット5でピックアップする。このようにし� �チップBを取得した後、第3のダイシング工程 に進む。なお、チップBを取得したときにも� �残るチップAは粘着フィルム3に貼り付いたま まで、その位置がずれてしまうことはない。

 図16は第2の実施の形態の第3のダイシング工 程の要部平面模式図である。
 第3のダイシング工程では、先の第1,第2のダ イシング工程でチップC,Bが取得されたウエハ 10を、図16に点線で示すように、さらに横(行) 方向にダイシングし、すべてのチップAを個� �化する。図16には、切断されたウエハ10のス� ��ライブラインを太線で示している。

 この第3のダイシング工程後、個片化され たすべてのチップAをそれぞれ、図11に示した のと同様にして、ピン4で押し上げ、エアピ� �セット5でピックアップする。これにより、� ��なる平面サイズのチップA,B,Cがすべて取得� �れる。

 以上説明したように、例えば平面サイズ� ��整数倍異なるチップA,B,Cについて、最大平� �サイズのチップCをウエハ1の中央部にその直 径方向に整列配置し、その外側に中間平面サ イズのチップBを整列配置し、さらにその外� �に最小平面サイズのチップAを整列配置する� ��また、最大平面サイズのチップCをウエハ10� ��中央部に配置し、その周囲に中間平面サイ� ��のチップBを配置し、さらにその周囲に最小 平面サイズのチップAを配置する。そして、� �のように各チップA,B,Cを配置したウエハ1,10� �ついて、まず最大平面サイズのチップCを完� ��に個片化するダイシングを行ってチップCを 取得し、続いて中間平面サイズのチップBを� �全に個片化するダイシングを行ってチップB� ��取得し、最後に最小平面サイズのチップAを 完全に個片化するダイシングを行ってチップ Aを取得する。これにより、各ウエハ1,10から� ��れぞれ、複数平面サイズのチップA,B,Cを、� �イシングの方法自体を大きく変更すること� �く、一定の取得数を確保しつつ、ダイシン� �時にスクライブラインのT字交差位置での破� ��を回避して、取得することができる。

 なお、以上の説明では、1枚のウエハ1,10� �3種類の平面サイズのチップA,B,Cを形成する� �うにしたが、勿論、平面サイズは3種類に限� ��されるものではなく、2種類や4種類以上の� �合にも、各チップを上記同様に配置し、上� �同様にダイシングして取得するようにすれ� �よい。

 また、以上の説明では、図2に示したよう なレチクル2を用いた場合を例に説明したが� �チップA,B,Cを形成するために用いるレチクル の構成は、任意に変更可能である。例えば、 ウエハ1に形成する各平面サイズのチップA,B,C の数やその形成領域等に応じ、各領域2a,2b,2c� ��1ショットの露光で賄うチップ数を変更して も構わない。形成するチップが2種類や4種類� ��上の場合も同様である。

 上記については単に本発明の原理を示す� ��のである。さらに、多数の変形、変更が当� ��者にとって可能であり、本発明は上記に示� ��、説明した正確な構成および応用例に限定� ��れるものではなく、対応するすべての変形� ��および均等物は、添付の請求項およびその� ��等物による本発明の範囲とみなされる。