OU JUNHUI (CN)
LIANG CHUNHUA (CN)
GUANGDONG MIDEA MICROWAVE AND ELECTRICAL APPLIANCES MFG CO LTD (CN)
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北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） (CN)
| 权利要求书 1、一种半导体微波炉的微波馈入结构， 其特征在于， 包括： 腔体（ 26 ), 所述腔体具有炉门 （ 25 ); 用于产生微波的半导体功率源 （ 42 ); 和 微波馈入组件， 所述微波馈入组件连接在所述半导体功率源 （42 )和所述腔体（26 ) 之间， 以将所述半导体功率源 （42)产生的微波馈入到所述腔体（26 ) 内且将所述半导体 功率源 （42 )输出的微波模式转换成适于微波加热的微波模式。 2、根据权利要求 1所述的半导体微波炉的微波馈入结构， 其特征在于， 所述半导体功 率源 （42) 包括： 半导体功率板（30), 所述半导体功率板（30)与所述^:波馈入组件相连； 屏蔽罩（ 31 ), 所述屏蔽罩（ 31 )设在所述半导体功率板（ 30 )上方； 和 散热器（33), 所述散热器（33)贴置于所述半导体功率板（30)的底面上。 3、根据权利要求 1或 2所述的半导体微波炉的微波馈入结构， 其特征在于， 还包括矩 形波导（ 27 ), 所述矩形波导（ 27 )与所述腔体（ 26 )相连， 所述^：波馈入组件连接在所述 半导体功率源 （42)与所述矩形波导（27)之间。 4、根据权利要求 3所述的半导体微波炉的微波馈入结构， 其特征在于， 所述微波馈入 组件包括： 安装管（ 56 ); 陶瓷环（ 57 )， 所述陶瓷环（ )与所述安装管（ 56 )相连； 管壳 所述管壳 (58)与所述陶瓷环（57)相连； 和 天线（51 ), 所述天线（51 )的第一端与所述半导体功率源（42)相连而第二端依次穿 过所述管壳 （58)、 陶瓷环（57)和安装管（56)伸入所述矩形波导管（27) 内。 5、根据权利要求 4所述的半导体微波炉的微波馈入结构，其特征在于，所述安装管（ 6 ) 邻近所述矩形波导（27) 的一端套设有天线帽（55), 所述 ^：波馈入组件还包括： 底板（54), 所述底板安装在所述矩形波导（27)上， 所述陶瓷管安装在所述底板的一 侧且所述管壳安装在所述底壁的另一侧； 第一固定环（52)， 所述第一固定环（52)安装在所述半导体功率源 （42)上； 和 第二固定环（53)， 所述第二固定环（53)套在所述管壳（58)上且与所述底板（54) 和所述第一固定环（52)相连。 6、根据权利要求 3所述的半导体微波炉的微波馈入结构， 其特征在于， 所述微波馈入 组件包括： 底板（ 54 ), 所述底板（ 54 )安装在所述矩形波导（ 27 )上； 第一固定环（52)， 所述第一固定环（52)连接在所述底板（54)与所述半导体功率源 ( 42 )之间； 和 探针 ( 64), 所述探针 (64) 穿过所述底板（54)和所述第一固定环（52)， 所述探针 (64) 的第一端与所述半导体功率源 （42)相连而第二端伸入到所述矩形波导（27) 内。 7、根据权利要求 6所述的半导体 !¾:波炉的 ¾：波馈入结构， 其特征在于，所述探针（ 64 ) 的第一端与所述半导体功率源 （42 )的^:带线直接相连或通过同轴传输线（46)相连。 8、根据权利要求 1或 2所述的半导体微波炉的微波馈入结构， 其特征在于， 所述微波 馈入组件包括天线（ 51 ), 所述天线的第一端与通过同轴传输线（ 46 )与所述半导体功率源 (42)相连且所述天线（51 ) 的第二端伸入所述腔体（26) 内。 9、根据权利要求 8所述的半导体 £波炉的 £波馈入结枸， 其特征在于，所述腔体（ 26 ) 内设有陶瓷板（85), 所述陶瓷板将所述腔体内部分成第一腔和第二腔， 所述天线（51 )的 第二端伸入所述第二腔内。 10、 一种半导体微波炉， 其特征在于， 包括： 腔体（ 26 ), 所述腔体具有炉门 （25 ); 半导体功率源 （42), 所述半导体功率源用于产生^:波； 微波馈入组件， 所述微波馈入组件连接在所述腔体（26) 与所述半导体功率源 （42) 之间以将所述半导体功率源产生的微波馈入到所述腔体内且将半导体功率源 （ 42 )输出的 微波模式转换成适于微波加热的微波模式； 和 电源 （ 20 ), 所述电源 （ 20 )与所述半导体功率源 （ 42 )相连。 11、 根据权利要求 11所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述半导体功率源（42) 包 括： 半导体功率板（30), 所述半导体功率板（30)与所述^:波馈入组件相连； 屏蔽罩（ 31 )， 所述屏蔽罩（ 31 )设在所述半导体功率板（ 30 )上方； 和 散热器（33)， 所述散热器（33)贴置于所述半导体功率板（30)的底面上。 12、根据权利要求 10或 11所述的半导体微波炉， 其特征在于，还包括矩形波导（ 27 ), 所述矩形波导（27)与所述腔体（26)相连且所述微波馈入组件连接在所述半导体功率源 (42)与所述矩形波导（ )之间。 13、 根据权利要求 12所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述微波馈入组件包括： 安装管（ 56 ); 陶瓷环（57)， 所述陶瓷环（57)与所述安装管（56)相连； 管壳 （58)， 所述管壳 （58)与所述陶瓷环（57)相连； 和 天线（51 ), 所述天线（51 )的第一端与所述半导体功率源（42)相连而第二端依次穿 过所述管壳 （ 58 )、 陶瓷环（ )和安装管（ 56 )伸入所述矩形波导管（ 27 ) 内。 14、 根据权利要求 13所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述安装管（56)邻近所述 矩形波导的一端套设有天线帽 (55 ), 所述微波馈入组件还包括： 底板（54), 所述底板安装在所述矩形波导上， 所述陶瓷管安装在所述底板的一侧且所 述管壳安装在所述底壁的另一侧； 第一固定环（52), 所述第一固定环安装在所述半导体功率源 （42)上； 和 第二固定环（53), 所述第二固定环套在所述管壳（58)上且与所述底板和所述第一固 定环相连。 15、 根据权利要求 12所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述微波馈入组件包括： 底板（ 54 ), 所述底板（ 54 )安装在所述矩形波导（ 27 )上； 第一固定环（52), 所述第一固定环（52)连接在所述底板（54)与所述半导体功率源 (42)之间； 和 探针 ( 64), 所述探针 (64) 穿过所述底板（54)和所述第一固定环（52)， 所述探针 (64) 的第一端与所述半导体功率源 （42)相连而第二端伸入到所述矩形波导 7) 内。 16、 根据权利要求 16所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述探针（64)的第一端与 所述半导体功率源 （42) 的微带线直接相连或通过同轴传输线（46)相连。 17、 根据权利要求 10或 11所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述微波馈入组件包 括天线（51 ), 所述天线（51 ) 的第一端通过同轴传输线（46)与所述半导体功率源 （42) 相连且所述天线（ 51 )的第二端伸入所述腔体（ 26 ) 内。 18、 根据权利要求 17所述的半导体微波炉， 其特征在于， 所述腔体（26) 内设有陶瓷 板（85)， 所述陶瓷板将所述腔体（26) 内部分成第一腔和第二腔， 所述天线（51 )的第一 端与所述半导体功率源 （ 42 )相连且所述天线（ 51 ) 的第二端伸入所述第二腔内。 |
本发明的实施例涉及一种半导体微波炉和该半 导体微波炉的微波馈入结构。 背景技术
传统磁控管微波炉包括磁控管、 变压器、 高压电容、 高压二极管、 炉腔、 炉门和控制 部件。 如图 1所示， 磁控管 11' 发出的微波经矩形波导 12' 馈入微波炉的炉腔 13'， 加热 炉腔 1 3' 内的食物。
近年来， 半导体微波技术得到了广泛的应用， 应用于通信的半导体微波技术的频段与 应用于微波加热的频段有区别， 半导体功率源的输出的微波的模式是 TE11 , 阻抗 50 Ω , 而 适于微波炉加热的微波的模式是 TE10模式， 为了在微波炉上应用半导体微波技术， 因此需 要提出一种将半导体功率源的微波输出馈入到 微波炉腔体内的微波馈入结构。 发明内容
本发明 在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或 至少提供一种有用的商业选 择。
本发明的一个目的在于提出一种结构简单、 操作灵活、 适用范围广的半导体微波炉的 微波馈入结构。
本发明的另一目的在于提出一种具有上述微波 馈入结构的半导体微波炉。
根据本发明第一方面的实施例的半导体微波炉 的微波馈入结构， 包括： 腔体， 所述腔 体具有炉门； 用于产生微波的半导体功率源； 和微波馈入组件， 所述微波馈入组件连接在 所述半导体功率源和所述腔体之间， 以将所述半导体功率源产生的微波馈入到所述 腔体内 且将半导体功率源输出的微波模式转换成适于 微波加热的微波模式。
根据本发明实施例的半导体微波炉的微波馈入 结构， 可以将半导体功率源产生的微波 馈入微波炉的腔体内，将半导体功率源输出的 模式为 TE11的微波转换成适于微波加热的模 式为 TE10的微波， 且结构简单合理、 操作灵活、 适用范围广。
在本发明的一些实施例中， 所述半导体功率源包括： 半导体功率板， 所述半导体功率 板与所述微波馈入组件相连； 屏蔽罩， 所述屏蔽罩设在所述半导体功率板上方； 和散热器， 所述散热器贴置于所述半导体功率板的底面上 。
根据本发明实施例的半导体微波炉的微波馈入 结构还包括矩形波导， 所述矩形波导与 所述腔体相连且所述 t波馈入组件连接在所述半导体功率源与所述 形波导之间。
在本发明的一些实施例中， 所述微波馈入组件包括： 安装管； 陶瓷环， 所述陶瓷环与 所述安装管相连； 管壳， 所述管壳与所述陶瓷环相连； 和天线， 所述天线的第一端与所述 半导体功率源相连而第二端依次穿过所述管壳 、 陶瓷环和安装管伸入到所述矩形波导内。
在本发明的一些实施例中， 所述安装管邻近所述矩形波导的一端套设有天 线帽， 所述 微波馈入组件还包括： 底板， 所述底板安装在所述矩形波导上， 所述陶瓷管安装在所述底 板的一侧且所述管壳安装在所述底壁的另一側 ； 第一固定环， 所述第一固定环安装在所述 半导体功率源上； 和第二固定环， 所述第二固定环套在所述管壳上且与所述底板 和所述第 一固定环相连。 在本发明的一些实施例中， 所述微波馈入组件包括： 底板， 所述底板安装在所述矩形 波导上； 第一固定环， 所述第一固定环连接在所述底板与所述半导体 功率源之间； 和探针， 所述探针穿过所述底板和所述第一固定环， 所述探针的第一端与所述半导体功率源相连而 第二端伸入到所述矩形波导内。
在本发明的一些实施例中， 所述探针的第一端与所述半导体功率源的 t带线直接相连 或通过同轴传输线相连。
在本发明的一些实施例中， 所述敫波馈入组件包括天线， 所述天线的第一端通过同轴 传输线与所述半导体功率源相连且所述天线的 第二端伸入所述腔体内。
在本发明的一些实施例中， 所述腔体内设有陶瓷板， 所述陶瓷板将所述腔体内部分成 第一腔和第二腔， 所述天线的第二端伸入所述第二腔内。
根据本发明第二方面的实施例的半导体^波炉 括： 腔体， 所述腔体具有炉门； 半导 体功率源， 所述半导体功率源用于产生微波； 微波馈入组件， 所述微波馈入组件连接在所 述腔体与所述半导体功率源之间以将所述半导 体功率源产生的微波馈入到所述腔体内且将 半导体功率源输出的微波模式转换成适于微波 加热的微波模式； 和电源， 所述电源与所述 半导体功率源相连。
根据本发明实施例的半导体微波炉， 通过半导体功率源产生微波， 且通过微波馈入组 件将半导体功率源 42输出的模式为 TE11的微波转换成适于微波加热的模式为 TE10的微 波， 该半导体微波炉的效率高、 结构简单、 成本低、 重量轻、 单位体积功率密度大。
在本发明的一些实施例中， 所述半导体功率源包括： 半导体功率板， 所述半导体功率 板与所述微波馈入组件相连； 屏蔽罩， 所述屏蔽罩设在所述半导体功率板上方； 和散热器， 所述散热器贴置于所述半导体功率板的底面上 。
根据本发明实施例的半导体^波炉还包括矩形 导， 所述矩形波导与所述腔体相连且 所述微波馈入组件连接在所述半导体功率源与 所述矩形波导之间。
在本发明的一些实施例中， 所述鼓波馈入组件包括： 安装管； 陶瓷环， 所述陶瓷环与 所述安装管相连； 管壳， 所述管壳与所述陶瓷环相连； 和天线， 所述天线的第一端与所述 半导体功率源相连而第二端依次穿过所述管壳 、 陶瓷环和安装管伸入到所述矩形波导内。
在本发明的一些实施例中， 所述安装管邻近所述矩形波导的一端套设有天 线帽， 所述 微波馈入组件还包括： 底板， 所述底板安装在所述矩形波导上， 所述陶瓷管安装在所述底 板的一侧且所述管壳安装在所述底壁的另一侧 ； 第一固定环， 所述第一固定环安装在所述 半导体功率源上； 和第二固定环， 所述第二固定环套在所述管壳上且与所述底板 和所述第 一固定环相连。
在本发明的一些实施例中， 所述微波馈入组件包括： 底板， 所述底板安装在所述矩形 波导上； 第一固定环， 所述第一固定环连接在所述底板与所述半导体 功率源之间； 和探针， 所述探针穿过所述底板和所述第一固定环， 所述探针的第一端与所述半导体功率源相连而 第二端伸入到所述矩形波导内。
在本发明的一些实施例中， 所述探针的第一端与所述半导体功率源的 t带线直接相连 或通过同轴传输线相连。
在本发明的一些实施例中， 所述^波馈入组件包括天线， 所述天线的第一端通过同轴 传输线与所述半导体功率源相连且所述天线的 第二端伸入所述腔体内。
在本发明的一些实施例中， 所述腔体内设有陶瓷板， 所述陶瓷板将所述腔体内部分成 第一腔和第二腔， 所述天线的第一端与所述半导体功率源相连且 所述天线的第二端伸入所 述第二腔内。 附图说明
图 1是具有磁控管的传统微波炉的示意图；
图 2为根据本发明第一实施例的半导体微波炉的 分示意图；
图 3为根据本发明第一实施例的半导体微波炉的 视示意图；
图 4为根据本发明第一实施例的半导体微波炉的 波馈入组件的局部示意图， 其中该 微波馈入组件为与传统微波炉的磁控管输出组 件类似；
图 5为根据本发明第二实施例的半导体微波炉的 视示意图；
图 6为根据本发明第二实施例的半导体微波炉的 波馈入组件的局部示意图； 图 7为根据本发明第三实施例的半导体微波炉的 意图；
其中： 20为直流电源； 24为散热风扇； 25为炉门； 26为腔体； 27为矩形波导； 30为 半导体功率板； 31为屏蔽罩； 33为散热器； 42为半导体功率源； 45为磁控管输出组件； 46为同轴传输线； 51为天线； 52为第一固定环； 53为第二固定环； 54为底板； 55为天线 帽； 56为安装管； 57为陶瓷环； 58为管壳； 59为挡盖； 64为探针； 85为陶瓷板。 具体实施方式
在本发明的描述中，需要理解的是，术语"中 "、 "纵向"、 "横向"、 "长度"、 "宽度"、 "厚度"、 "上"、 "下"、 "前"、 "后"、 "左"、 "右"、 "竖直"、 "水平"、 "顶"、 "底" "内"、 "外"、 "顺时针"、 "逆时针"等指示的方位或位置关系为基于附图 示的方位或位置关系， 仅是为了便于描述本发明和简化描述， 而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有 特定 的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此不能理解为对本发明的限制。
此外， 术语 "第一"、 "第二" 仅用于描述 U的， 而不能理解为指示或暗示相对重要性 或者隐含指明所指示的技术特征的数量。 由此， 限定有 "第一"、 "第二" 的特征可以明示 或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本 发明的描述中， "多个"的含义是两个或两个 以上， 除非另有明确具体的限定。
在本发明中， 除非另有明确的规定和限定， 术语 "安装"、 "相连"、 "连接 "、 "固定'' 等术语应做广义理解， 例如， 可以是固定连接， 也可以是可拆卸连接， 或一体地连接； 可 以是机械连接， 也可以是电连接； 可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连， 可以 是两个元件内部的连通。 对于本领域的普通技术人员而言， 可以才艮据具体情况理解上述术 语在本发明中的具体含义。
在本发明中， 除非另有明确的规定和限定， 第一特征在第二特征之 "上" 或之 "下" 可以包括第一和第二特征直接接触， 也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是 通过它 们之间的另外的特征接触。 而且， 第一特征在第二特征 "之上"、 "上方" 和 "上面" 包括 第一特征在第二特征正上方和斜上方， 或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。 第一 特征在第二特征 "之下"、 "下方" 和 "下面" 包括第一特征在第二特征正下方和斜下方， 或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下面结合附图描述根据本发明实施例的半导体 微波炉的微波馈入结构。
如图 2-7所示， 根据本发明实施例的半导体微波炉的微波馈入 结构包括腔体 26， 半导 体功率源 42和 t波馈入组件。 腔体 26具有用于打开或关闭腔体 26的开口的炉门 25。 半 导体功率源 42用于产生^:波， 所述 t波馈入组件与半导体功率源 42和腔体 26相连， 以将 半导体功率源 42产生的微波馈入到腔体 26内且将半导体功率源 42输出的微波模式转换成 适于微波加热的微波模式，从而加热腔体 26内的食物。 直流电源 20与半导体功率源 42相 连， 用于给半导体功率源 42供电。
根据本发明实施例的半导体微波炉的微波馈入 结构，可以将半导体功率源 42产生的微 波馈入到腔体 26内，即通过微波馈入组件将半导体功率源 42输出的模式为 TE11的微波转 换成适于微波加热的模式为 TE10的微波， 而且， 由于通过半导体功率源 42产生微波， 微 波炉加热的效率高、 结构简单、 成本低、 重量轻、 单位体积功率密度大， 结构简单合理、 操作灵活、 适用范围广。
在本发明的一些具体实施例中， 半导体功率源 42包括半导体功率板 30; 屏蔽罩 31和 散热器 33 , 屏蔽罩 31设在半导体功率板 30上方， 用于屏蔽半导体功率板 30, 半导体功率 板 30与微波馈入组件相连，散热器 33贴置于半导体功率板 30的底面上， 用于对半导体功 率板 30产生的热量进行散热。 散热风扇 24设在腔体 26上， 用于散热。
如上所述， 半导体功率源 42通过微波馈入组件将半导体功率板 30产生的微波馈入到 腔体 26内，并且将半导体功率源 42输出的模式为 TE11的微波转换成适于微波加热的模式 为 TE10的 ¾波， 从而实现了半导体微波加热。
本领域的技术人员可以理解的是，半导体功率 板 30内设有 UM0S管、偏压及控制电路、 功率合成器、功率检测及控制电路。半导体功 率源 42和外界交流电源之间设置有开关电源、 蓄电池或者充电器，进行电压转化。偏压及控 制电路包括半导体功率源输出功率检测电路、 半导体功率源反射功率检测电路、 半导体功率源关断信号电路、 半导体功率源的直流 +输 入电路以及半导体功率源的直流 -输入电路。 半导体功率源所需电压为直流 0-32V, 通过 调节输入电压的高低， 能够调节激励源的微波输出功率大小， 实现半导体微波炉功率的无 级调节。 这对于本领域的技术人员都是可以理解的， 这里不再详细描述。
半导体功率板 30的工作原理为：一定功率大小和数量的 L腿 OS管通过自振荡电路产生 频率 2450MHz ± 50MHz的微波。通过调节 L丽 OS管自振荡电路的可变电容值，也可改变频率 根据实际情况（如食物的厚度、 加热状态）下的腔体驻波比大小， 在 2400MHz-2500MHz范 围内选择驻波最小的频率进行加热。
下面参考附图描述根据本发明的半导体微波炉 的微波馈入结构的具体实施例。
第一实施例
参考图 2-图 4， 根据本发明第一实施例的半导体微波炉的微波 馈入结构包括带有炉门 25的腔体 26、 半导体功率源 42、 矩形波导 27和 t波馈入组件 45。 矩形波导 27安装在炉 体 26上， 半导体功率源 42的半导体功率板 30与微波馈入组件 45相连， 可以直接相连， 也可以通过同轴传输线 46相连，在通过同轴传输线 46相连的情况下， 半导体功率板 30上 安装 N型连接器， 用于将微带输出转换成同轴输出， 同轴传输线 46通过 N型连接器与半导 体功率板 30相连。
散热器 33与半导体功率板 30的底面紧贴， 屏蔽罩 31位于半导体功率板 30与半导体 微波炉的外壳之间，微波馈入组件 45与矩形波导 27相连， 以便半导体功率源 42产生的微 波通过^:波馈入组件 45和矩形波导 27馈入到腔体 26内。
在本实施例中， 微波馈入组件 45与具有磁控管的传统微波炉的磁控管输出组 类似， 从而可以方便地具有磁控管的传统微波炉进行 修改，用于半导体功率源 42替换传统微波炉 的磁控管， 并且对磁控管输出组件进行适当的变化， 就可以得到半导体微波炉， 无需对传 统微波炉进行其他变化， 降低了成本。
如图 4所示， 在本实施例中， 微波馈入组件 45包括安装管 56、 陶瓷环 57、 管壳 58和 天线 51。 陶瓷环 57的一端与安装管 56相连， 管壳 58与陶瓷环 57的另一端相连， 天线 51 的第一端（图 4中的右端）与半导体功率源 42相连而第二端（图 4中的左端）依次穿过管 壳 58、 陶瓷环 57和安装管 56伸入到矩形波导 27内。 天线 51将 TE11模式的半导体功率 板 30的微波输出转换成适于微波加热的 TE10模式， 并且馈入到腔体 26内。
在本发明的一个优选示例中， 如图 4所示， 安装管 56邻近矩形波导 27的一端（图 4 中的左端）套设有天线帽 55 , 微波馈入组件 45还包括底板 54 , 第一固定环 52和第二固定 环 53。 底板 54安装在矩形波导 27上， 陶瓷环 57安装在底板 54的一侧（图 4中的左侧） 且管壳 58安装在底板 54的另一侧 （图 4中的右侧 第一固定环 52安装在半导体功率源 42上， 第二固定环 53套在管壳 58上且与底板 54和第一固定环 52相连。
具体地， 第一固定环 52与第二固定环 53可以通过螺钉固定在一起， 螺钉穿过第二固 定环 53上的通孔， 拧入第一固定环 52上的螺纹孔， 从而实现第一固定环（52 )与第二固 定环（53 )连接。 底板 54通过螺钉固定在第二固定环 53上。 第一固定环 52和第二固定环 53将微波馈入组件 45与半导体功率源 42相连。
如图 4所示， 在天线 51穿过的空间内， 可以填充填充物， 例如聚四氟乙烯， 在第一固 定环 52的右侧设有挡盖 59 , 用于止挡第一固定环 52和所述填充物。
根据本发明第一实施例的微波馈入结构，天线 51将半导体功率板 30输出的模式为 TE11 的微波转换成适于微波加热的模式为 TE10的微波， 并通过矩形波导 27馈入到腔体 26内， 结构简单， 降低了成本， 从而可以对具有磁控管的传统微波炉进行修改 得到半导体微波炉， 微波炉的其他结构无需变化， 进一步降低了成本。
第二实施例
参考图 5-图 6 ,在本发明的第二实施例中，微波馈入组件包 底板 54 ,探针 64和第一 固定环 52。 底板 54安装在矩形波导 27上， 第一固定环 52连接在底板 54与半导体功率源 42之间。 探针 64依次穿过底板 54和第一固定环 52， 且探针 64的第一端（图 6中的右端） 与半导体功率源 42相连而第二端 （图 6中的左端）与矩形波导 27相连。 探针 64将 TE11 模式的半导体功率板 30的微波输出转换成适于微波加热的 TE10模式， 并且馈入到腔体 26 内。
可选地， 在探针 64的第一端与半导体功率源 42的^:带线可以直接相连或通过同轴传 输线 46相连， 在通过同轴传输线 46相连的情况下， 半导体功率板 30上安装 N型连接器， 用于将微带输出转换成同轴输出，同轴传输线 46通过 N型连接器与半导体功率板 30相连。
如图 6所述,探针 64穿过的底板 54和第一固定环 52的空间内也可以填充聚四氟乙烯， 并且用挡盖 59封闭。
根据本发明第二实施例的微波馈入结构的其他 结构和操作可以与第一实施例相同， 这 里不再重复描述。
根据本发明第二实施例的微波馈入结构， 结构更加简单， 进一步降低了成本， 并且可 以有效地将半导体功率源产生的微波馈入到腔 体内。
第三实施例 参考图 7， 在本发明的第三实施例中， 微波馈入结构的微波馈入组件包括天线 51 , 天 线 51的第一端（图 7中的右端 )与半导体功率源 42相连且天线 51的第二端（图 7中的上 端）伸入腔体 26内。 由此， 通过天线 51可以方便地将半导体功率板 30的模式为 TE11的 微波转换成适于微波加热的模式为 TE10的微波， 并且馈入到腔体 26内。
优选地， 在腔体 26内设有陶瓷板 85 , 腔体 26将腔体 26内部分成第一腔 C1和第二腔
C2 , 天线 51的第二伸入所述第二腔 C2内， 第一腔 C1用于放置食物， 从而避免食物的烹饪 污染天线 51。
可选地， 天线 51可以通过同轴传输线 46与半导体功率板 30相连。
根据本发明第三实施例的微波馈入结构的其他 结构和操作可以与第一和第二实施例相 同， 这里不再详细描述。
根据本发明第三实施例的微波馈入结构的结构 更加简单， 成本更低。
下面描述根据本发明实施例的半导体敫波炉。 根据本发明实施例的半导体^:波炉包括 腔体 26 , 半导体功率源 42、微波馈入组件和电源。 腔体 26具有用于打开或关闭腔体 26的 开口的炉门 25。 半导体功率源 42用于产生微波， 所述微波馈入组件连接在半导体功率源 42与腔体 26之间， 以将半导体功率源 42输出的模式为 TE11的微波转换成适于微波加热 的模式为 TE10的微波， 并馈入到腔体 26内， 从而加热腔体 26内的食物。 电源， 例如直流 电源 20与半导体功率源 42相连， 用于给半导体功率源 42供电。
根据本发明实施例的半导体微波炉的微波馈入 组件可以为参考上述任一实施例描述的 微波馈入组件，并且该半导体微波炉的其他结 构和操作对于本领域的技术人员都是已知的， 这里不再详细描述。
根据本发明实施例的半导体微波炉， 通过微波馈入组件， 可以将半导体功率源 42馈入 到腔体 26内， 结构简单， 成本低， 而且该半导体微波炉的效率高、 结构简单、 成本低、 重 量轻、 单位体积功率密度大。
在本说明书的描述中， 参考术语 "一个实施例"、 "一些实施例"、 "示例"、 "具体示 例"、 或 "一些示例" 等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体 特征、 结构、 材料或者 特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中 。 在本说明书中， 对上述术语的示意性表述 不一定指的是相同的实施例或示例。 而且， 描述的具体特征、 结构、 材料或者特点可以在 任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方 式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例， 可以理解的是， 上述实施例是示例性的， 不能理解为对本发明的限制， 本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理 和宗 的情况 下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变 化、 修改、 替换和变型。
Next Patent: REMOTE CONTROL METHOD, DEVICE AND SYSTEM BASED ON BRAIN WAVES