以下、最良の形態に基づき、図面を参照し� ��本発明を説明する。
 図1A,Bは、本発明に係る半導体パッケージの 一例を模式的に示す断面図Aと、平面図Bであ� ��、図1Aは図1Bに示すA-A線に沿った断面を表し ている。なお、後述する他の実施形態におい ては、本実施形態と同様の構成部分について は同じ符合を用い、その説明は省略すること とし、特に説明しない限り同じであるものと する。

 本実施形態における半導体パッケージ10� �、図1A,Bに示すとおり、少なくとも一方の面� ��デバイス12を備えるワーク11と、前記デバイ ス12上方に配されたカバー部材14と、前記ワ� �ク11上に前記カバー部材14を支持する壁部13� �、を少なくとも備えている。

 ワーク11は、少なくとも一方の面にデバ� �ス12を備える基材であり、たとえばシリコン (Si)などの半導体ウエハや、ガラス等からな� �基板を挙げることができる。また、デバイ� �12としては、たとえばCCD等のイメージセンサ が挙げられる。

 壁部13は、たとえば、エポキシ樹脂、アク� �ル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ・アク� �レート樹脂などの樹脂からなり、保護した� �デバイス12の外周に沿って離間して設けられ ている。この壁部13は、完全なリング状では� ��く、該壁部13によって囲まれた内側領域と� �の外側領域とを連通する第二空間16を少なく とも1以上備えている。
 壁部13は、樹脂により構成することで、第� �空間16の形成がし易くなる。しかも、壁部13� ��接着材等の樹脂により構成することにより� ��その場で高さの調整が簡単に行え、設計上� ��自由度が高い、パッケージの薄型化が実現� ��きる。
 また、壁部13の形成方法は、たとえばUV硬化 樹脂等の感光性樹脂を用いてパターニングを 行なっても良いし、印刷等で形成しても良い 。さらに、均一な膜厚の樹脂シートとし、こ れをワーク11に貼り付けた後、周知のフォト� ��ソグラフィ技術を用いてパターン形成(パタ ーニング)を行うことにより、第二空間16を形 成するものであっても良い。

 第二空間16は、結露を生じさせる原因とな� �ガス等が、パッケージ内(すなわち、後述す� ��第一空間15を構成することとなる、該壁部13 によって囲まれた内側領域)に滞留すること� �無いように、ガス等の出入りに自由度を持� �せる流路であり、図示例では形成が容易で� �ス等の流れが生じ易いストレート状に構成� �れている。
 この第二空間16は、少なくとも1以上備えて� ��れば良く、たとえば1つの第二空間16内に仕� ��りを設け、入口と出口とを隣接して備える� ��成としたり、入口用及び出口用の第二空間1 6をそれぞれ備える構成としたりしても良い� �なお、第二空間16を2つ以上配置する場合、� �ッケージ内に満遍なく効率良く流れが生じ� �ように、たとえばパッケージ内の対角線上� �それぞれ第二空間16を備えるように構成する と望ましい。

 カバー部材14は、ワーク11に備えられたデバ イス12を保護するための部材であり、前記壁� ��13を介して前記ワーク11に支持され、前記デ バイス12上方に第一空間15をなすように配さ� �ている。すなわち、第一空間15は、ワーク11� ��壁部13とカバー部材14によって囲まれた領域 である。したがって、第一空間15は、上述し� ��ように、外部空間と連通する第二空間16を� �えている。なお、カバー部材14は、ワーク11� ��備えられたデバイス12がイメージセンサで� �れば、ガラス等光を透過させるものが望ま� �いし、逆に光を遮断する必要があるデバイ� �12であれば、光を透過させない材質を用いる ことが望ましい。
 半導体パッケージ10は、ウエハレベルによ� �作製することができ、チップ寸法に切断す� �ことで複数の半導体パッケージ10を得てもよ い。

 次に、本発明における第一の構造の半導体� ��ッケージの製造方法の一例について説明す� ��。
 図2乃至図5は、その製造工程の一例を順次� �す図である。
 まず、図2に示すように、少なくとも一方の 面にデバイス12を備える、縦5mm×横5mm×厚さ0.2 mmの大きさをしたワーク11を用意する。

 次いで、図3に示すように、前記ワーク11� ��に備えられたデバイス12の外周に沿って離� �して、高さ0.05mmをした壁部13を設ける。壁部 13は、感光性エポキシ樹脂を用い、スピンコ� ��ト法によって形成する。

 さらに、図4に示すように、前記壁部13に� ��該壁部13によって囲まれた内側領域とその� �側領域とを連通する、幅0.05mmをした第二空� �16を形成する。第二空間16は、フォトリソグ� ��フィ法によって形成し、図示例のように、� ��ッケージ内の対角線上(左上と右下それぞれ 1つずつ計二つ)に設ける。

 そして、図5に示すように、前記ワーク11上� ��、前記壁部13を介して支持されるカバー部� �14を配すことで、第二空間16によって外部空� ��と連通する第一空間15をなす、図1A,Bに示す� ��導体パッケージ10とすることができる。
 なお、本説明では、ワーク11側に壁部13を形 成するものとしているが、本発明はこれに限 らず、カバー部材14に壁部13を形成するもの� �し、壁部13が形成された後、ワーク11側に接� ��するものとしても良い。

 したがって、第一の構造の半導体パッケ� ��ジ10では、第二空間によって第一空間内に� �ス等が滞留することが無く、たとえば、CCD� �マイクロレンズに結露が発生し、撮像が出� �なくなってしまう不具合を解消することが� �きると共に、デバイスが結露によって劣化� �てしまう虞も解消することができる。しか� �、結露を生じ難くするための工程が簡略で� �パッケージの生産効率を向上させることが� �きる。

 また、本発明は、第二空間がストレート状� ��形成された半導体パッケージに限らず、図6 及び図7に示すように、第二空間が非ストレ� �ト部を備える半導体パッケージとすること� �できる。
 図6は、本発明に係る半導体パッケージの第 二の構造を模式的に示す平面図である。
 本実施形態における半導体パッケージ20は� �図6に示すとおり、少なくとも一方の面にデ� ��イス12を備えるワーク11と、前記デバイス12� ��外周に沿って離間して設けられた壁部13と� �前記デバイス12上方に第一空間15をなすよう� ��配され、前記壁部13を介して前記ワーク11に 支持されたカバー部材14と、を少なくとも備� ��、前記第一空間15が、外部空間と連通する� �ランク状の第二空間26を少なくとも1以上備� �た構成をしている。
 なお、図示例では、第二空間26が平面的に� �ランク状となっているが、本発明はこれに� �らず、立体的(高さ方向に)クランク状となっ ていても良い。

 このように、第二空間が非ストレート部� ��備えたクランク状に構成されているので、� ��ミ等の異物が壁部13の内側の第一空間15内に 侵入するには蛇行して移動しなければならず 、工程中の異物等が該第一空間15内に侵入す� ��防止効果をより高めることができる。

 また、図7は、本発明に係る半導体パッケー ジの第三の構造を模式的に示す平面図である 。
 本実施形態における半導体パッケージ30は� �図7に示すとおり、少なくとも一方の面にデ� ��イス12を備えるワーク11と、前記デバイス12� ��外周に沿って離間して設けられた壁部13と� �前記デバイス12上方に第一空間15をなすよう� ��配され、前記壁部13を介して前記ワーク11に 支持されたカバー部材14と、を少なくとも備� ��、前記第一空間15が、外部空間と連通する� �線状の第二空間36を少なくとも1以上備えた� �成をしている。
 なお、図示例では、第二空間36が平面的に� �線状となっているが、本発明はこれに限ら� �、立体的(高さ方向に)曲線状となっていても 良い。

 このように、第二空間が非ストレート部� ��備えた曲線状に構成されているので、やは� ��ゴミ等の異物が壁部13の内側の第一空間15内 に侵入するには蛇行して移動しなければなら ず、工程中の異物等が該第一空間15内に侵入� ��る防止効果をより高めることができると共� ��、非ストレート部によってガス等の流れが� ��げられる虞の少ないものとすることができ� ��。

 また、本発明は、1つの第二空間に対し、外 部空間と連通する開口部と、第一空間と連通 する開口部とを複数設けた半導体パッケージ とすることもできる。
 図8は、本発明に係る半導体パッケージの第 四構造を模式的に示す平面図である。
 本実施形態における半導体パッケージ40は� �図8に示すとおり、少なくとも一方の面にデ� ��イス12を備えるワーク11と、前記デバイス12� ��外周に沿って離間して設けられた壁部13と� �前記デバイス12上方に第一空間15をなすよう� ��配され、前記壁部13を介して前記ワーク11に 支持されたカバー部材14と、を少なくとも備� ��、第二空間46は、前記第一空間15及び/また� �外部空間と連通する開口部を複数備えた構� �をしている。
 なお、図示例では、第二空間46が平面的に� �線状となっているが、本発明はこれに限ら� �、曲線状でもよく、立体的(高さ方向に)に直 線状、あるいは曲線状となっていてもよい。

 このように、第一空間15と連通する第二空� �46の開口部を1箇所とし、パーティクル等の� �響を受けやすい外部空間と連通する第二空� �46の開口部を2箇所以上とすることにより、� �二空間46の一部に作製不良、あるいは、パー ティクル等による影響があったとしても、残 りの第二空間46の経路がバックアップとなっ� ��働くため、結露などに対して安定した半導� ��パッケージ40を得ることが可能である。ま� �、複数のクランク部分を持つため、パーテ� �クル等の侵入をより効果的に抑制すること� �できる。
 また、逆に第一空間15と連通する第二空間46 の開口部を多くすることもできる。この場合 においては、より循環効率の高い通気路とし て第二空間46を得ることができる。特に、第� ��空間46を平面的でなく、カバー部材14とワー ク11との近傍にそれぞれ立体的に設けること� ��、カバー部材14の結露を防ぐのと同時にデ� �イス12の冷却作用としての働きを加えること も出来る。