[第1の実施の形態]
 図1及び図2を参照しながら、この発明の第1� ��実施の形態に従った半導体パッケージSP1の� ��成を説明する。

 第1の実施の形態に従った半導体パッケー ジSP1は、第1表面10aと第1表面10aとは反対側の� ��2表面10bとを有し複数枚の薄板12,14を相互に� ��着させて一体的に接合(例えば、拡散接合)� �ることにより構成されているベース部10と、 第1表面10aに設けられ半導体素子16が収容され る半導体素子収容部18と、を含んでいるパッ� ��ージ本体20を備えている。

 そして、半導体素子収容部18には、半導� �素子収容部18に収容された半導体素子16と電� ��接続されるとともに半導体素子収容部18の� �表面に露出した電気端子22が設けられている 。

 この実施の形態では、半導体素子収容部1 8には半導体素子16の為の周辺回路を実装した 周辺回路実装基板23も収容されていて、半導� ��素子16は周辺回路実装基板23上の配線を介し て電気端子22と接続されている。

 詳細には、複数枚の薄板12,14は、熱伝導� �の高い金属材料(例えば、銅やアルミニウム� ��銅合金やアルミニウム合金やこれらと同程� ��の熱伝導率を有する金属材料が含まれ、銅� ��熱伝導率は400W/mK程度である)により形成さ� �ている。図1では2枚の薄板12,14のみが図示さ� ��ているが、この発明の趣旨に従えば相互に� ��着されて一体的に接合されることによりベ� ��ス部10を構成する薄板の枚数は2枚以上であ� ��ことが出来る。

 半導体素子収容部18は、半導体素子16や半 導体素子16に関連する周辺回路を実装した周� ��回路実装基板23を収納した内部空間を提供� �る筒形状を有していて、ベース部10の第1表� �10aの所定の領域を取り囲んでいる。第1表面1 0aにおいて上記所定の領域に半導体素子16や� �辺回路実装基板23が載置されている。半導体 素子収容部18は、ベース部10の第1表面10aの所� ��の領域とは反対側の開口を覆う蓋24を含む� �蓋24は、第1表面10aの所定の領域に半導体素� �16や周辺回路実装基板23が載置され、半導体� ��子16、周辺回路実装基板23、そして電気端子 22の相互間の接続が終了した後に閉じられ上� ��内部空間を外部空間から密封する。

 ベース部10中には、ベース部10の熱伝導率 よりも高い熱伝導率を有しており、ベース部 10中において半導体素子収容部18中に収容さ� �た半導体素子16の発熱部位に対応した発熱部 位対応位置(ベース部10の第1の表面10aにおい� �半導体素子16の発熱部位に隣接した領域)か� �ベース部10において発熱部位対応位置の外側 、この実施の形態では半導体素子収容部18の� ��側、の位置まで配置された熱高伝達要素26� �設けられている。熱高伝達要素26は、半導体 素子16の発熱部位から発生した熱をベース部2 0において発熱部位対応位置から外側の位置� �で速やかに伝達する。

 この実施の形態において、熱高伝達要素2 6は、ベース部20中において前記発熱部位対応 位置から前記外側の位置まで延出した流路28� ��、この流路28中に密封され相変化により熱� �移送する熱移送流体と、の組み合わせを少� �くとも1つ含む。

 熱移送流体は、ベース部20中の前記発熱� �位対応位置にて液体から半導体素子16からの 熱を吸収して気体へと相変化し、その後に流 路28中を前記外側の位置まで対流する。気体� ��し対流した熱移送流体は、前記発熱部位対� ��位置から遠く前記発熱部位対応位置よりも� ��度が低い前記外側の位置において放熱して� ��体へと相変化し、その後に流路28中を前記� �熱部位対応位置まで流れる。このような熱� �送流体は、既に種々の種類が広く知られて� �る。

 ベース部10の複数枚の薄板12、14は、流路2 8に対応した形状の開口を有しており、夫々� �開口の少なくとも一部を重複させた状態で� �互に密着させて一体的に接合されている。� �のようにしてベース部10中に構成された流路 28は、ベース部10中において種々の任意の個� �と配列にすることが容易である。即ち、ベ� �ス部10の所望の外側の位置に発熱部位対応位 置から熱を効果的に移動させることが可能で ある。

 半導体素子16の発熱量が大きくなると、� �導体素子16の基板(通常は、シリコン製)や周� ��回路実装基板23(通常はセラミック製)の熱膨 張率とベース部10の熱膨張率との差異により� ��導体素子16の基板又は周辺回路実装基板23又 はその両者にひびや割れが生じる可能性も大 きくなる。このような半導体素子16の基板又� ��周辺回路実装基板23又はその両者のひびや� �れの発生を防止する為に、ベース部10を構成 する複数枚の薄板の中に半導体素子16の基板� ��は周辺回路実装基板23の熱膨張係数と等し� �か又はそれ以下の熱膨張係数を有した少な� �とも1枚の薄板30を含ませることが出来る。� �のような薄板30の材料としては、例えばモリ ブデンが知られている。このような薄板30の� ��さや形状やベース部10中における配置は、� �膨張率の差異による半導体素子16の基板又は 周辺回路実装基板23又はその両者のひびや割� ��の発生を防止することが出来るばかりでな� ��、ベース部10における所望の伝熱機能を損� �わないよう設定される。

 [第1の実施の形態の変形例]
 次に、図1及び図2を参照しながら前述した� �1の実施の形態の変形例に従った半導体パッ� ��ージSP1´を、図3を参照しながら説明する。

 この変形例において図1及び図2を参照し� �がら前述した第1の実施の形態の半導体パッ� ��ージSP1の構成部材と同じ構成部材には、第1 の実施の形態の半導体パッケージSP1の対応す る構成部材に付されていた参照符号と同じ参 照符号を付し、詳細な説明は省略する。

 この変形例が前述した第1の実施の形態と 異なっているのは、パッケージ本体20のベー� ��部10´の放熱機能を増大させる為に、第1の� �施の形態のパッケージ本体20における導電体 素子収容部18に対するベース部10の第1表面10a� ��び第2表面10bの表面積の割合に比べ、ベース 部10´の第1表面10´a及び第2表面10´bの表面積� �大きく拡大させていることである。そして� �ベース部10´の第1表面10´a及び第2表面10´bの� ��面積の拡大に対応させるよう、ベース部10´ 内における第1の実施の形態のパッケージ本� �20のベース部10における熱高伝達要素26の流� �28´とこの流路28´中に密封されている熱移送 流体との組み合わせの個数や配列密度や、夫 々の組み合わせの発熱部位対応位置から外側 の位置までの延出長さが、増大されている。

 ここにおいては、ベース部10´の第1表面10 ´a及び第2表面10´bの表面積が拡大されている ことに加えて、ベース部10´内における熱高� �達要素26の流路28´とこの流路28´中に密封さ� ��ている熱移送流体との組み合わせの個数や� ��列密度や、夫々の組み合わせの延出長さの� ��大が、ベース部10´の放熱機能を大きく増大 させている。

 この変形例においても、図1及び図2を参� �しながら前述した第1の実施の形態に従った� ��導体パッケージSP1の場合と同様に、半導体� ��子16の基板(通常は、シリコン製)や周辺回路 実装基板23(通常は、セラミック製)の夫々の� �膨張率とベース部10の熱膨張率との差異によ る半導体素子16の基板又は周辺回路実装基板2 3又はその両者のひびや割れの発生を防止す� �為に、ベース部10´を構成する複数枚の薄板� ��中に半導体素子16の基板又は周辺回路実装� �板23の熱膨張係数と等しいか又はそれ以下の 熱膨張係数を有した少なくとも1枚の薄板30を 含ませることが出来る。

 パッケージ本体20のベース部10´の放熱機� ��をさらに増大させる為に、図3の変形例に従 った半導体パッケージSP1´を図4中に図示され ている如く従来の放熱効果増大機構32と組み� ��わせることが出来る。

 図4中に図示されている放熱効果増大機構 32は、半導体パッケージSP1´のパッケージ本� �20のベース部10´の第2表面10´bが密着した状� �で載置され公知の固定手段、例えば固定ね� �、好ましくは高い熱伝導率を有する金属(例� ��ば銅,アルミニウム,銅合金,アルミニウム合� ��,そしてこれらと同程度の熱伝導率を有する 金属材料)により形成されている固定ねじ、� �いは半田付け、により固定される半導体パ� �ケージ支持体32aと、半導体パッケージ支持� �32aに向かい送風する冷却ファン32bと、を含� �。この半導体パッケージ支持体32aは冷却フ� �ン32bによる冷却をより効果的にするために� �冷却ファン32bからの送風を受ける多数の放� �フィンRFを含んでいる。

 図3の変形例に従った半導体パッケージSP1 ´は、ベース部10´の第1表面10´a及び第2表面10 ´bの表面積が拡大されている。このことによ り、半導体パッケージ収容部18の電気端子22� �露出部に対する図示されていない配線の接� �が困難になる場合がある。このような場合� �為に、図3の変形例に従った半導体パッケー� ��SP1´のベース部10´の複数の薄板12´,14´にお� ��て半導体素子収納部18の外側で電気端子22の 露出部の延長線に沿って、図5中に図示され� �いる如く切り欠き34を形成することが出来る 。当然のことながら、ベース部10´において� �り欠き34が形成されている領域には、熱高伝 達要素26の為の流路28´は配置されていない。

 [第2の実施の形態]
 次に、図6を参照しながら、この発明の第2� �実施の形態に従った半導体パッケージSP2を� �明する。

 この実施の形態において図1及び図2を参� �しながら前述した第1の実施の形態の半導体� ��ッケージSP1の構成部材と同じ構成部材には� ��第1の実施の形態の半導体パッケージSPの対� ��する構成部材に付されていた参照符号と同� ��参照符号を付し、詳細な説明は省略する。

 この実施の形態が前述した第1の実施の形 態と異なっているのは、熱高伝達要素26が、� ��ース部10から独立して構成されているとと� �にベース部10中に前述した発熱部位対応位置 から前述した外側の位置まで延出して配置さ れているヒートパイプ36を少なくとも1つ含む ことである。

 そして、ベース部10の複数枚の薄板12,14は 、ヒートパイプ36に対応した形状の開口OPを� �しており、夫々の開口OPを重複させた状態で 相互に密着させて一体的に接合されている。

 ヒートパイプ36もまた、そのパイプ本体36 aの内部に熱移送流体を格納している。そし� �パイプ本体36a中において熱移送流体は、ベ� �ス部20中の前記発熱部位対応位置にて液体か ら半導体素子16からの熱を吸収して気体へと� ��変化し、その後にパイプ本体36a中を前記外� ��の位置まで対流する。気体化し対流した熱� ��送流体は、パイプ本体36a中において前記発� ��部位対応位置から遠く前記発熱部位対応位� ��よりも温度が低い前記外側の位置において� ��熱して液体へと相変化し、その後にパイプ� ��体36a中を前記発熱部位対応位置まで流れる� ��このような熱移送流体は、既に種々の種類� ��広く知られている。

 ヒートパイプ36は、ベース部10中において 種々の任意の個数と配列にすることが容易で ある。即ち、ベース部10の所望の外側の位置� ��発熱部位対応位置から熱を効果的に移動さ� ��ることが可能である。