本発明の実施例1の半導体歪みセンサーの 構造について、図1と図2を用いて以下説明す� ��。図1は測定対象物に取付けた実施例1の半� �体歪みセンサーの平面図で、図2は図1のII-II� ��断面図である。ピエゾ抵抗素子(図示せず)� �形成された歪みセンサーとして機能するシ� �コン半導体基板からなる歪みセンサーチッ� �2が金属ベース板3の中央に金属接合材4の金� �はんだで接合されている。金属ベース板3は� ��1のX方向に延びた長方形で、歪みセンサー� �ップ2を接合している接合領域15を挟んだ両� �に張り出しメンバー11,12を持ち、各張り出し メンバー11,12が測定対象物6に接続している接 続領域11″,12″を接合領域15に対向した金属� �ース板3の下面に持つ。歪みセンサーチップ2 は通常接合領域15の面積と同じかそれよりも� ��さく、接合領域15の中央に接着されている� �金属ベース板3は、シリコンに熱膨張係数の� ��い鉄58-ニッケル42合金で作られていること� �でき、14mm長×6mm幅×0.3mm厚とすることができ� ��。歪みセンサーチップ2の大きさを2.5mm長×2. 5mm幅×0.16mm厚とすることができる。

 歪みセンサーチップ2が金属ベース板3に� �属はんだ4で接合されている。歪みセンサー� ��ップ2の金属ベース板3に対向する面にCr、Ni� ��よびAuの3層からなるメタライジング層がス� ��ッターで形成され、その上にSn系の金属は� �だ材料が蒸着されている。金属ベース板3の� ��みセンサーチップ2と対向する面にも、Cr、N iおよびAuの3層からなるメタライジング層が� �成されている。金属ベース板3の中央に歪み� ��ンサーチップ2を位置させて、金属はんだ4� �加熱溶融して金属ベース板3に歪みセンサー� ��ップ2が接合されている。3層のメタライジ� �グ層を金属ベース板全面に形成することが� �きる。

 歪みセンサーチップ2が持つピエゾ抵抗素 子の電極16から配線を引き出すのに、フレキ� ��ブル配線板5が用いられている。フレキシブ ル配線板5の先端の配線が露出している側と� �対の面を、金属ベース板上で歪みセンサー� �ップの接合した位置に隣接してエポキシ系� �脂接着剤を用いて接着している。フレキシ� �ル配線板5の配線と歪みセンサーチップ2の電 極16の間に20μm径の裸の金ワイヤ17を超音波溶 接で接続している。歪みセンサーチップ2の� �極16、金ワイヤ17およびフレキシブル配線板5 の配線を覆うようにカバー樹脂18を塗布して� ��る。カバー樹脂18として弾性率の小さい熱� �化樹脂を用いた。歪みセンサーチップ全体� �覆う様に樹脂を塗布することができる。歪� �センサーチップのピエゾ抵抗素子は光の影� �を受けるので、歪みセンサーチップ全体を� �色の樹脂で覆って光の影響を抑制するのが� �ましい。

 金属ベース板3上に金属はんだ4で歪みセ� �サーチップ2を接合し配線を行った半導体歪� ��センサー1を測定対象物6に取付けている。� �導体歪みセンサー1を測定対象物6の所望の位 置に設けて、金属ベース板3の張り出しメン� �ー11,12にある2つの接続領域11″,12″を測定対 象物6に各10点のスポット溶接を行い固定して いる。10点のスポット溶接は2列5行で、5点の� ��接点19がY方向で等間隔に配置されて3点目の 溶接点が金属ベース板3の幅中心線上に設け� �いる。

 歪みセンサーチップ2には、X方向とY方向� ��歪みを検出できるように複数のピエゾ抵抗� ��子が形成されている。X方向とY方向の歪み� �比例した出力が得られるように各方向複数� �ピエゾ抵抗素子でブリッジ回路を構成した� �本実施例では、X方向の歪みを測定するピエ� ��抵抗素子のみを使用している。測定対象物6 がX方向に引っ張られて歪みを発生すると、� �の歪みが接続領域11″,12″にあるスポット溶 接点19を介して半導体歪みセンサー1の金属ベ ース板3に伝えられ、金属ベース板3と歪みセ� ��サーチップ2に歪みが発生し、ピエゾ抵抗素 子の抵抗変化により、測定対象物6の歪みに� �じた電気信号の出力が得られる。金属ベー� �板3および歪みセンサーチップ2の剛性により 、歪みセンサーチップ2に生じる歪みは測定� �象物6の歪みと一致しないが、予め変換係数� ��求めておくことで、実用的な歪みセンサー� ��して用いることができる。

 この実施例の半導体歪みセンサー1は、歪 みセンサーチップ2が金属ベース板3に金属材� ��を用いて接合されているので、歪みセンサ� ��チップ2で発生した熱は金属ベース板3に伝� �して放熱される。ピエゾ抵抗素子は電気抵� �が高いため発熱し易く、また歪みセンサー� �ップ内にCMOSのアンプ回路を形成した場合に� ��アンプ回路からも発熱する。半導体歪みセ� ��サー1では金属ベース板3に熱を伝導して放� �し易いので、歪みセンサーチップ2の温度上� ��を最小限に抑えることができるとともに、� ��属ベース板3と歪みセンサーチップ2の温度� �均一に保つことができる。これにより、温� �変化によるピエゾ抵抗係数の変化、歪みセ� �サーチップ2と金属ベース板3との温度不均一 による熱変形でピエゾ抵抗素子の応力変化な どのために起こる特性変化を避けることがで きる。歪みセンサーチップと金属ベース板の 間あるいは金属ベース板と測定対象物の間に 樹脂接着剤など有機材料が介在する場合、長 時間歪みがかかっていると有機材料がクリー プを起こし、歪み検出のゼロ点が変化する問 題があった。また、有機材料の劣化および変 質により歪みの伝達が阻害され、歪み検出感 度が変化することがあった。本発明の半導体 歪みセンサー1では、歪みセンサーチップ2と� ��属ベース板3の接合に金属はんだ4を用い、� �属ベース板3と測定対象物6の取付けに溶接を 用いているので、有機材料に起因する前述の ような特性変化を避けることができ、センサ ー特性の長期安定性の優れた歪みセンサーで ある。接合に用いた金属材料にも微小なクリ ープが発生する可能性があるが、樹脂接着剤 を用いた場合に比較してきわめて小さいので 、長期安定性に対して充分な効果がある。

 本発明の半導体歪みセンサーは、歪みセ� ��サーチップが導電材料で測定対象物に接続� ��れているためノイズに強い。歪みセンサー� ��ップと測定対象物が導電材料で接続してい� ��場合の等価回路を図3Aに、両者の間に絶縁� �料が介在する場合の等価回路を図3Bに示す。 図3Aに示すように、本発明の半導体歪みセン� ��ーは歪みセンサーチップのグランドを測定� ��象物6と電気的に接続できるので、歪みセン サーチップのグランドが測定対象物6の電位� �ともに変動するため、センサーチップ回路21 にノイズが発生し難い。従来の半導体歪みセ ンサーの様に、歪みセンサーチップと測定対 象物6の間に絶縁材料が介在すると、測定対� �物6に電流が流れるなどして電位が変動した� ��合に、図3Bに示す様にセンサーチップ回路21 内の各所が測定対象物6との間に寄生容量22を 持つため、センサーチップ回路21内の電位も� ��々に変動するために、ノイズが発生し易い� ��

 本発明の半導体歪みセンサーは、歪みセ� ��サーチップが予め金属ベース板に金属接合� ��れており、フレキシブル回路板配線が接続� ��れた、モジュールとすることができる。本� ��明の半導体歪みセンサーでは張り出しメン� ��ーの接続領域を測定対象物に溶接すること� ��、歪みの測定が可能となる。動かせない測� ��対象物に対しても、現場にスポット抵抗溶� ��機を持ち込んで取付けが可能である。また� ��スポット抵抗溶接に限らず、レーザー溶接� ��シーム溶接なども用いることができる。金� ��ベース板を介して測定対象物に歪みセンサ� ��チップを取付けるため、取付け作業時に歪� ��センサーチップを破損し、あるいは不必要� ��歪みを与えて特性を変化させるような危険� ��を低くできた。

 本発明の実施例2の半導体歪みセンサーに ついて説明する。図4は測定対象物に取付け� �実施例2の半導体歪みセンサー1を示す平面図 で、図5は図4のV-V線断面図である。金属ベー� ��板3の2つの張り出しメンバー11,12それぞれに ボルト孔23を形成し、半導体歪みセンサー1を 測定対象物6にボルト24で固定している。ねじ 接合はねじ穴が形成できれば溶接ができない セラミック等にも適用できる。

 本発明の実施例3の半導体歪みセンサーに ついて説明する。図6は測定対象物に取付け� �実施例3の半導体歪みセンサー1を示す平面図 で、図7は図6のVII-VII線断面図である。図6に� �すように、X方向にセンサーチップ接合領域1 5を挟む2つの張り出しメンバー11,12に加えて� �Y方向にセンサーチップ接合領域15を挟む2つ� ��張り出しメンバー13,14が設けられている。X� ��向の2つの張り出しメンバー11,12の接続領域1 1″,12″をスポット抵抗溶接で測定対象物6に� ��続するとともに、Y方向に設けられた2つの� �り出しメンバー13,14の接続領域13″,14″をス� ��ット抵抗溶接で測定対象物6に接続している 。図6、図7で19は溶接点である。測定対象物6� ��X方向に加わる歪みでは2つの接続領域11″,12 ″を介して歪みセンサーチップ2に歪みが伝� �し、Y方向に加わる歪みでは2つの接続領域13� ��,14″を介して歪みセンサーチップ2に歪みが 伝達し、測定対象物6に加わった歪みを検出� �ることができる。

 歪みセンサーチップ2の接合領域15を取り� ��むように接続領域11″,12″,13″,14″が設け� �れているので、フレキシブル配線板5を歪み� ��ンサーチップ2上に設けている。歪みセンサ ーチップ2の電極上に金属バンプ26を形成し、 フレキシブル配線板5を接続している。フレ� �シブル配線板5の応力の方向性を避けるため� ��歪みセンサーチップ2を覆うようにフレキシ ブル配線板5を設けている。フレキシブル配� �板5と歪みセンサーチップ2間の隙間にはカバ ー樹脂18を塗布している。カバー樹脂18には� �ポキシ樹脂を用いた。カバー樹脂18は配線メ ンバーの電気的絶縁と外気を遮断するととも に、フレキシブル配線板と歪みセンサーチッ プ間の接合力を増す働きもある。フレキシブ ル配線板を歪みセンサーチップ上に配置した ので、接続領域と測定対象物を溶接する際に 、フレキシブル配線板が溶接作業の邪魔にな ることがない。

 本実施例の半導体歪みセンサーは、トル� ��検出にも適している。トルク検出の一例を� ��図8に示す。トルクが加わる円柱メンバー27� ��測定対象物とし、円柱メンバーの円柱側面� ��切欠き溝28を形成し、平坦な溝底に半導体� �みセンサー1を取付けている。本実施例の半� ��体歪みセンサーは、歪みセンサーチップの� ��囲4ヶ所の接続領域で測定対象物の円柱メン バー27に溶接で固定している。測定対象物か� ��歪みがX方向とY方向に伝達するので、測定� �象物のねじりによるせん断歪みが歪みセン� �ーチップ2に伝達し、トルクに比例したせん� ��歪みを計算で求めることができる。本実施� ��では、X方向に配置したピエゾ抵抗素子とY� �向に配置したピエゾ抵抗素子を有している� �しかし、X方向とY方向に関して45度の方向に� ��エゾ抵抗素子設けた歪みセンサーチップを� ��いることができ、その歪みセンサーチップ� ��よってせん断方向の歪みを直接測定するこ� ��ができる。

 本発明の実施例4の半導体歪みセンサー1� �ついて説明する。図9は、実施例4の半導体歪 みセンサーの平面図である。金属ベース板3� �に絶縁膜31を介してベース板電極32が形成さ� ��ている。ベース板電極32と歪みセンサーチ� �プ2の電極16間を金ワイヤ17で接続し、またベ ース板電極32に被覆配線33の被覆を剥がした� �端部をはんだ付けしている。配線メンバー� �含め歪みセンサーチップ2を覆うようにカバ� ��樹脂18が塗布されている。樹脂による応力� �大きい場合は、カバー樹脂の塗布を配線メ� �バーのみ、あるいは配線メンバーと配線メ� �バーに対称な位置に樹脂を塗布することが� �きる。本実施例によれば、予めベース板電� �32を形成した金属ベース板3を用いることで� �フレキシブル配線板が不要になり、フレキ� �ブル配線板の金属ベース板への接着など組� �の工程が省くことができる。引出し配線数� �少ない場合に適した配線引き出し構造であ� �。

 本発明の実施例5の半導体歪みセンサーに ついて、図10と図11を用いて以下説明する。� �10は測定対象物に取付けた実施例5の半導体� �みセンサー1の平面図で、図11は図10のXI-XI線� ��面図である。ピエゾ抵抗素子(図示せず)が� �成された半導体歪みセンサーとして機能す� �シリコン半導体基板からなる歪みセンサー� �ップ2が金属ベース板3の中央に金属接合材の 金属はんだ4で接合されている。歪みセンサ� �チップ2のピエゾ抵抗素子の電極から、実施� ��1で説明したのと同様に、フレキシブル配線 板を用いて配線を引き出している。金属ベー ス板3は図10のX方向に延びた長方形で、歪み� �ンサーチップ2を接合している接合領域15を� �んだ両側に張り出しメンバー11,12を持ち、各 張り出しメンバー11,12が測定対象物6に接続さ れている接続領域11″,12″を接合領域15に対� �した金属ベース板3の下面に持つ。歪みセン� ��ーチップ2が金属ベース板3に接合されてい� �接合領域15の側辺に対応する金属ベース板下 面における線に沿って、金属ベース板下面に それぞれ溝30が形成されている。ここで溝30� �側壁のうち接合領域により近い側壁が接合� �域15の側辺に対応する金属ベース板下面にお ける線と一致して設けられている。溝30は半� ��体センサーチップ2の幅(Y方向の長さ)よりも 長く、金属ベース板3の幅と同じ長さをして� �る。金属ベース板3の下面には、張り出しメ� ��バー11の接続領域11″、溝30、2つの溝で挟ま れた突出部35、溝30そして張り出しメンバー12 の接続領域12″の順で並んでいる。

 溝30の歪みセンサーチップ2に近い側壁を� ��みセンサーチップの側辺の位置を略一致さ� ��ているので、突出部35のX方向の長さと歪み� ��ンサーチップ2の接合領域15のX方向の長さが 略同じである。金属ベース板3は、鉄58-ニッ� �ル42合金で作られており、14mm長×6mm幅×0.3mm� �の寸法とすることができる。歪みセンサー� �ップ2の大きさを2.5mm長×2.5mm幅×0.16mm厚とす� �ことができる。溝30の幅lbが0.3mm、深さtsが0.1 8mmである。2つの接合領域11″、12″が5.45mm長� �6mm幅で、突出部35が2.5mm長×6mm幅である。

 歪みセンサーチップ2が金属ベース板3に� �属はんだ4で接合されている。歪みセンサー� ��ップ2の金属ベース板対向面にTi、PtおよびAu の3層からなるメタライジング層がスパッタ� �で形成されて、その上にSn系の金属はんだ材 料が蒸着されている。金属ベース板3の歪み� �ンサーチップ対向面にも、Ti、PtおよびAuの3� ��からなるメタライジング層が形成されてい� ��。歪みセンサーチップ2の接合領域15の中央� ��歪みセンサーチップ2を位置させて、金属は んだ4を加熱溶融して金属ベース板3に歪みセ� ��サーチップ2が接合されている。3層のメタ� �イジング層が金属ベース板全面に形成され� �いることができる。

 実施例5の半導体歪みセンサー1では、金� �ベース板3に溝30を形成しているために、半� �体歪みセンサーの表と裏の剛性の対称性が� �い。また、測定対象物6がXY平面で変形した� �きに、金属ベース板3の歪みセンサーチップ2 が接合されている領域15が変形するのを溝で� ��ぐことができる。そのため、測定対象物の� ��みに応じて歪みセンサーチップに生じる歪� ��の変換係数が、歪み測定範囲で安定してい� ��。

 金属ベース板3に形成した溝30によって金� ��ベース板3が薄くなった部分をリンク部37と� ��る。歪みセンサーチップ2が金属ベース板3� �接合されている接合領域15の下側に突出部35� ��配置されているので、半導体歪みセンサー1 の表と裏で剛性の対称性が向上している。例 えば、測定対象物6に引っ張り歪みが発生し� �とき、溶接点19を介して金属ベース板3に力� �伝わり、さらにリンク部37を介して歪みセン サーチップ2の接合領域15に伝わる。金属ベー ス板3の上には半導体歪みセンサーチップ2が� ��また下には突出部35があって、これらが対� �になっているので、リンク部37を通して伝わ った力によって接合領域15および接続領域11� �,12″が上あるいは下に曲がることが抑制さ� �る。そのために、金属ベース板3と測定対象� ��6の接触、金属ベース板3と歪みセンサーチ� �プ2の接触が変化せず、測定範囲内で測定対� ��物6の歪みと歪みセンサーチップ2の歪みの� �係が維持され、それらの間の変換係数が一� �になる。

 歪みセンサーチップ2と突出部35が剛性の� ��称性を持つために、突出部35が歪みセンサ� �チップ2と同じ長さであることが望ましい。� ��こで、この実施例の半導体歪みセンサー1で は、歪みセンサーチップ2の両側辺に対応す� �金属ベース板の下面の線に沿って溝が設け� �れて、溝の側壁のうち接合領域15に近い側壁 がその線に沿って設けられている。

 また、歪みセンサーチップ2と金属ベース板 3の突出部35の剛性が等しいことが望ましいの で、それぞれのヤング率と厚さの積を概略一 致させている。歪みセンサーチップ2のヤン� �率をEd、厚さをtd、金属ベース板3のヤング率 をEs、突出部35の高さ(溝30の深さ)をtsとした� �きに、式Ed×td=Es×tsを満足する。シリコンで� ��られた歪みセンサーチップ2のヤング率がEd: 169GPaで、鉄-ニッケル合金で作られた金属ベ� �ス板3のヤング率がEs:150GPaで、歪みセンサー� ��ップ2が厚さtd:0.16mm、突出部35が厚さts:0.18mm� ��ので、上記の関係を満たしている。この半� ��体歪みセンサー1を用いて歪みの変換係数を 測定したところ、歪みの変換係数は約0.63で� �歪み測定範囲±500×10 ^-4 %で歪みの変換係数は略一定であった。

 この実施例においても、実施例1と同様に 、金属ベース板3が測定対象物6にスポット抵� ��溶接されている。接続領域における溶接点� ��歪みセンサーチップ2に近いことが望ましい 。図11に示す様に、接続領域11″の最も歪み� �ンサーチップ2に近い溶接点19を第一溶接点19 a、接続領域12″の最も歪みセンサーチップ2� �近い溶接点19を第二溶接点19bとする。測定対 象物6に発生した歪みによって、金属ベース� �3の第一溶接点19aと第二溶接点19bの間にある� ��域が力を受け、歪みを発生する。第一溶接� ��19aと第二溶接点19bを歪みセンサーチップ2に 近づける程、力を受ける金属ベース板3の領� �を短くできるので、金属ベース板が曲げ変� �を起こし難くすることができる。

 また、第一溶接点19aと第二溶接点19bの間� ��おいて、接続領域11″,12″、溝30、歪みセン サーチップの接合領域15それぞれの部位の断� ��の剛性が異なるので発生する歪みも異なる� ��複数の半導体歪みセンサーを製作したとき� ��、それら複数の半導体歪みセンサー間で第� ��と第二溶接点19a,19bの位置が異なると接続領 域11″,12″の面積が変化するため歪みの配分� ��変化し、歪みセンサーチップに発生する歪� ��も変化する。第一と第二溶接点19a,19bの位置 が変わるとそれら複数の半導体歪みセンサー 間で歪みの変換係数が変わる恐れがある。歪 みセンサーチップ2、2本の溝30で挟まれた金� �ベース板部分、および金属ベース板の2つの� ��ンク部37の合計剛性を、各張り出しメンバ� �11,12の剛性と等しくしておくと、力を受ける 接続領域の長さの変化に対して歪みの配分を 一定とすることができる。それにより、溶接 点の位置によらず歪みの変換係数を一定にす ることができる。

 図11に示すように、金属ベース板3の接合領� ��15における半導体歪みセンサー1の厚さをta� �リンク部37の厚さをtb、張り出しメンバー11,1 2の厚さをtc、歪みセンサーチップ2の長さをla ×2としたときに、好ましい溝30の幅lbは次の� �で示される。
lb=la×[tb×(ta-tc)]/[ta×(tc-tb)]
ここで、歪みセンサーチップ2と金属ベース� �3のヤング率が異なるので、歪みセンサーチ� ��プ2の厚さを予め修正しておく必要がある。 ここでは、歪みセンサーチップ2を金属ベー� �板に換算した厚さtdが0.18mmである。半導体歪 みセンサー1の厚さta:0.48mm、リンク部37の厚さ tb:0.12mm、張り出しメンバー11,12の厚さtc:0.3mm� �歪みセンサーチップ2の長さ(la×2):2.5mmを用い て、前式から好ましい溝30の幅lbは0.3mmとなる 。

 図12に、金属ベース板3を歪みセンサーチ� ��プが接合される面と反対から見た斜視図で� ��す。2本の溝30が金属ベース板3の幅方向に横 断するように形成されている。溝30の形成は� ��学エッチングで行った。金属の機械切削加� ��あるいはプレス加工を用いて形成すること� ��できる。

 図13に、本発明の半導体歪みセンサー1に� ��いることのできる、上で説明した金属ベー� ��板の変形例を下からの斜視図で示している� ��この金属ベース板3には、幅方向に延びた2� �の溝30と、それらの溝30に直交した2本の溝30a が形成されている。溝30aの歪みセンサーチッ プに近い側の側壁が、歪みセンサーチップの Y方向の側辺と一致するように設けられてい� �。図13の金属ベース板3は、実施例3で説明し� ��半導体歪みセンサーにも用いることができ� ��。

 図14を参照しながら本発明の実施例6の半� ��体歪みセンサー1を説明する。図14の平面図� ��示すように、X方向に歪みセンサーチップ2� �接合領域15を挟む2つの張り出しメンバー11,12 に加えて、Y方向に歪みセンサーチップ2の接� ��領域15を挟む2つの張り出しメンバー13,14が� �置されている。各張り出しメンバー11,12,13,14 は金属ベース板3の下面に接続領域11″,12″,13 ″,14″を持つ。接合領域15が対応する金属ベ� ��ス板3の下面にある領域と各接続領域11″,12� ��,13″,14″の間に溝30,30aが形成されている。4 本の溝30,30aの歪みセンサーチップ2に近い側� �で囲まれた突出部35の外形を、歪みセンサー チップ2の外形と同じとし、突出部35に対応し た金属ベース板上の位置に歪みセンサーチッ プ2を接合している。各接続領域11″,12″,13″ ,14″が測定対象物6にスポット抵抗溶接して� �定されている。測定対象物6のX方向に加わる 歪みが張り出しメンバー11と張り出しメンバ� ��12を介して歪みセンサーチップ2に伝達し、Y 方向に加わる歪みが張り出しメンバー13と張� ��出しメンバー14を介して歪みセンサーチッ� �2に伝達し、測定対象物に加わった歪み量を� ��出することができる。

 図15Aから図15Dを参照しながら、本発明の� ��施例7の半導体歪みセンサー1を説明する。� �裏の剛性バランスをさらに向上させた金属� �ース板の構造が第一実施例と異なる。図15A� �測定対象物6に取付けた本実施例の半導体歪� ��センサー1の平面図で、図15Bが図15AのXVB-XVB� �断面図で、図15Cがこの実施例の半導体歪み� �ンサー1に用いている金属ベース板3を裏側か ら見た斜視図で、図15Dがその金属ベース板3� �表から見た斜視図である。金属ベース板3の� ��央に接続領域15があり、その上に歪みセン� �ーチップ2が金属はんだ4で取り付けられてお り、金属ベース板3が歪みセンサーチップ2の� ��右から突出している張り出しメンバー11,12� �有して、張り出しメンバー11,12の下面に測定 対象物6に接続するための接続領域11″,12″を 持っている。金属ベース板3の下面には、接� �領域15に対応した下面上の領域と張り出しメ ンバー11,12の接続領域11″,12″を分けている2� ��の溝30が、金属ベース板3のY方向側面間に、 形成されている。また、接合領域15のY方向の 側辺に対応した下面上の線に沿って2本の溝30 a(図15C参照)が金属ベース板3の下面に設けら� �ており、溝30aが溝30と直角となって一方の溝 30からもう一方の溝30まで延びている。金属� �ース板3の下面に2本の溝30と2本の溝30aで囲ま れた突出部35が形成されている。

 金属ベース板3の上面に、金属ベース板の 厚さ中央の平面に関して、金属ベース板3の� �面に設けられた2本の溝30と2本の溝30aに対称� ��、2本の溝30″と2本の溝30a″が形成されてい る。金属ベース板3の下面にある溝30,30aの深� �と上面にある溝30″,30a″の深さが同じとな� �ている。上面にある4本の溝30″,30a″で囲ま� ��た部分が、溝の深さと同じ深さをしたリセ� ��39となっており、リセス39の底が歪みセンサ ーチップ2を接合する接合領域15となっている 。接合領域15に金属はんだ4で歪みセンサーチ ップ2が接合されている。

 歪みセンサーチップ2がリセス39のなかに� ��れられているので、歪みセンサーチップ2と 下面にある突出部35が対称となり、剛性の対� ��性が改善されたものとなる。