Haufig werden Halbleiterschaltkreise nach deren Herstellung auf einem Wafer, noch vor Umhüllen mit einem Gehäuse, einem sogenannten Burn-In unterzogen. Dabei werden die Halbleiter- schaltkreise für eine gegebene Zeit einer Temperatur ausge- setzt, die in der Regel höher ist als die vom Hersteller vor- gegebene maximale Lagertemperatur. Sinn dieser Prozedur ist es, daß der Halbleiterschaltkreis vorzeitig altert, und daß dadurch alterungsbedingte Ausfälle nicht erst beim Kunden auftreten, sondern bereits beim Hersteller und daB gegebenen- falls vorhandene Zulässigkeitsprobleme möglichst frühzeitig erkannt werden. Deshalb werden die Halbleiterschaltkreise während der Burn-In-Phase auch ständig auf Funktionsfähigkeit getestet. Während früher dazu notwendige Testschaltungen schaltkreisextern angeordnet waren (z. B. auf sogenannten Burn-In-Boards, auf denen die Halbleiterschaltkreise während der Burn-In-Prozedur aufgebracht sind), werden diese Test- schaltungen heutzutage als sogenannte Selbsttestschaltungen in den Halbleiterschaltkreis mit integriert, weshalb die Flä- che eines solchen Halbleiterschaltkreises naturgemäß größer ist als die Fläche eines funktionidentischen Halbleiter- schaltkreises ohne Selbsttestschaltung.

Ziel aller Halbleiterschaltkreishersteller ist es seit jeher, mit einer möglichst geringen Fläche für einen Halbleiter- schaltkreis auszukommen, denn je geringer die benötigte Flä- che ist, desto billiger ist der Schaltkreis herstellbar (die absoluten Herstellungskosten sind lediglich abhängig von der Größe eines Wafers, auf dem die Schaltkreise herzustellen sind, nicht jedoch von der Anzahl der herzustellenden Schalt- kreise pro Wafer, so daß die Herstellungskosten je Halblei-

terschaltkreis umso niedriger ausfallen, je mehr Halbleiter- schaltkreise auf einem Wafer gegebener Größe Platz finden, oder, anders ausgedrückt : je geringer die Fläche des Halblei- terschaltkreises ist).

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen gattungsge- mäßen Halbleiterschaltkreis mit einer möglichst geringen Flä- che zu schaffen.

Erfindungsgemäß ist dazu vorgesehen, eine Selbsttestschaltung so anzuordnen, daß sie unterhalb eines Anschlußpads des Halb- leiterschaltkreises liegt, welches zum Betrieb der Selbttest- schaltung vorgesehen ist (das Anschlußpad wird während des Burn-In-Vorganges mittels einer Prüfspitze elektrisch kontak- tiert).

Ein erfindungsgemäßer Halbleiterschaltkreis ist in der Zeich- nung, stark schematisiert und ausschnittsweise, dargestellt : Ein Halbleiterkörper S enthält die für die Funktion des Halb- leiterschaltkreises typischen elektrischen Schaltungen (nicht dargestellt) sowie eine Selbsttestschaltung BIST. Diese ist unterhalb eines der Selbsttestschaltung BIST zugeordneten An- schlußpads P angeordnet (es können gegebenenfalls auch mehre- re Anschlußpads P sein) und mit diesem elektrisch verbunden, beispielsweise mittels eines sogenannten Kontaktloches (nicht dargestellt). Die Selbsttestschaltung BIST ist weiterhin, wie allgemein üblich, mit wenigstens einem Teil der für die Funk- tion des Halbleiterschaltkreises typischen elektronischen Schaltungen elektrisch verbunden (ebenfalls nicht darge- stellt). Dadurch, daß die Selbsttestschaltung BIST unterhalb des Anschlußpads P angeordnet ist, wird dieser (bislang nicht genutzte) Platz des Chips des Halbleiterschaltkreises sinn- voll ausgenutzt und die notwendige Gesamtfläche des Chips läßt sich entsprechend verringern.

Sollte Gefahr bestehen, daß beim nachfolgenden Bonden von weiteren Anschlußflächen des Halbleiterschaltkreises die Selbsttestschaltung BIST (die dann ja nicht mehr benötigt wird, da das Bonden erst nach dem Burn-IN-Vorgang erfolgt) beschädigt wird (was als solches ohne Belang ist, denn die Selbsttestschaltung wird nach dem Burn-IN-Vorgang ja nicht mehr benötigt) mit der Folge, daß durch diese Beschädigung die weiteren elektronischen Schaltungen des Halbleiterschalt- kreises, die dessen elektronische Funktion bestimmen, ungün- stig beeinflußt werden könnten, so können an der Schnittstel- le Selbsttestschaltung BIST-weitere elektronische Schaltun- gen als Schalter fungierende Elemente vorgesehen werden, die während der Burn-In-Prozedur die Selbsttestschaltung BIST mit den weiteren elektronischen Schaltungen verbinden und die an- sonsten die Selbsttestschaltung BIST von den weiteren elek- tronischen Schaltungen abkoppeln.