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Title:
SENSOR ARRANGEMENT, METHOD FOR OPERATING A SENSOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A SENSOR ARRANGEMENT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2010/028879
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a sensor arrangement, particularly a pressure sensor arrangement, comprising a substrate, wherein the substrate has at least one groove on a first side, and wherein the groove is provided for forming a first membrane region on a second side opposite of the first side, and wherein furthermore a second membrane region and a cavity are integrated into the material of the first membrane region.

Inventors:
AHLES MARCUS (DE)
BENZEL HUBERT (DE)
WEBER HERIBERT (DE)
Application Number:
PCT/EP2009/058802
Publication Date:
March 18, 2010
Filing Date:
July 10, 2009
Export Citation:
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Assignee:
BOSCH GMBH ROBERT (DE)
AHLES MARCUS (DE)
BENZEL HUBERT (DE)
WEBER HERIBERT (DE)
International Classes:
G01L7/08; G01L9/00; G01L13/02
Foreign References:
DE102004021041A12005-11-24
DE10226034A12003-12-24
DE102004006201A12005-08-25
DE9105851U11991-07-04
DE10032579A12002-01-24
Attorney, Agent or Firm:
ROBERT BOSCH GMBH (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Sensoranordnung (1 ), insbesondere Drucksensoranordnung, mit einem Substrat (2), wobei das Substrat (2) wenigstens einen Graben (21 ) auf einer ersten Seite (3) aufweist und wobei der Graben (21 ) zur Bildung eines ersten Membranbereichs (20) auf einer der ersten Seite (3) gegenüberliegenden zweiten Seite (4) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass in das

Material des ersten Membranbereichs (20) ein zweiter Membranbereich (40) und eine Kaverne (41 ) integriert sind.

2. Sensoranordung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Membranbereich (40) zusammen mit der Kaverne (41 ) einen

Absolutdrucksensor und der erste Membranbereich (20) zusammen mit dem Graben (21 ) einen Differenzdrucksensor umfasst.

3. Sensoranordnung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Graben (21 ) sich im Wesentlichen senkrecht zur

Haupterstreckungsebene (100) von der ersten Seite (3) bis zum ersten Membranbereich (40) erstreckend vorgesehen ist.

4. Sensoranordnung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an der ersten Seite (3) ein Glassockel (8) angeordnet ist, wobei der Glassockel (8) vorzugsweise einen Kanal (9) aufweist, welcher mit dem wenigstens einen Graben (21 ) verbunden ist.

5. Sensoranordnung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Membranbereich (20) ein Versteifungselement

(7) aufweist, welches sich bevorzugt von dem ersten Membranbereich (20) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (100) in Richtung der ersten Seite (3) erstreckt und welches besonders bevorzugt parallel zur Haupterstreckungsebene (100) im Wesentlichen mittig im ersten Kavernenbereich (20) und mittig im Graben (21 ) angeordnet ist.

6. Sensoranordnung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich der zweiten Seite (4) Messelemente (5) und/oder eine Auswerteschaltung (6) angeordnet sind, wobei insbesondere im Bereich der ersten und/oder der zweiten Membranbereiche (20, 40) Messelemente (5, 5') in Form von piezoresistiven Elementen (5') angeordnet sind.

7. Verfahren zum Betrieb einer Sensoranordnung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Abhängigkeit einer ersten Verformung des ersten Membranbereichs (20) ein erster Druck (50) im Graben (21 ) relativ zu einem zweiten Druck (51 ) auf der zweiten Seite (4) gemessen wird, wobei in Abhängigkeit einer zweiten Verformung des zweiten Membranbereichs (40) der zweite Druck (51 ) relativ zu einem dritten Druck (52) in der Kaverne (41 ) gemessen wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Verformung mittels ersten piezoresistiven Elementen und die zweite

Verformung mittels zweiten piezoresisitven Elementen gemessen werden.

9. Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Herstellungsschritt das Substrat (1 ) bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten

Herstellungsschritt die Kaverne (41 ) hergestellt wird und wobei in einem dritten Herstellungsschritt der Graben (21 ) hergestellt wird.

10.Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass in einem vierten Herstellungsschritt, welcher insbesondere zeitlich zwischen dem zweiten und dritten Herstellungsschritt durchgeführt wird, die Messelemente (5) und/oder die Auswerteschaltung (6) im Bereich der zweiten Seite (4) angeordnet werden.

11.Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Herstellungsschritt einen ersten und einen zweiten Teilschritt umfasst, wobei im ersten Teilschritt eine poröse Schicht in dem Substrat (1 ) gebildet wird und wobei im zweiten Teilschritt mittels eines Ätzvorgangs die Kaverne (41 ) unterhalb und/oder in der porösen Schicht hergestellt wird, wobei bevorzugt der zweite Herstellungsschritt von der zweiten Seite (4) aus durchgeführt wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, dass im dritten Herstellungsschritt der Graben (21 ) in einem Ätzvorgang, insbesondere in einem Trenchprozess, von der zweiten Seite aus hergestellt wird.

Description:
Beschreibung

Sensoranordnung, Verfahren zum Betrieb einer Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einer Sensoranordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Solche Sensoranordnungen sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift DE 102 26 034 A1 ein Sensor und ein Verfahren zur Herstellung eines Sensors bekannt, wobei der Sensor ein Halbleitermaterial umfasst, welches eine erste Dicke und in einem Membranbereich eine zweite Dicke aufweist, wobei die zweite Dicke kleiner als die erste Dicke ist. Im Membranbereich umfasst der Sensor aufgrund der zweiten Dicke eine offene Kaverne. Der Membranbereich ist in

Abhängigkeit des Drucks in der offenen Kaverne senkrecht zum Substrat verformbar, wobei Mittel zur Messung der Verformung des Membranbereichs im Übergangsbereich zwischen der ersten und der zweiten Dicke angeordnet sind. Nachteilig an diesem Sensor ist, dass der Membranbereich lediglich zur Bestimmung eines Relativdrucks zwischen dem Druck in der offenen Kaverne und dem Druck auf der anderen Seite des Membranbereichs, d.h. die der offenen Kaverne abgewandten Seite, nutzbar ist, während zur Bestimmung eines Absolutdrucks in der offenen Kaverne eine hermetisch dichte Verkappung auf der anderen Seite des Membranbereichs angeordnet werden muss. Aufgrund der Dichtheitsanforderungen an die Verkappung ist die Herstellung und Montage der Verkappung vergleichsweise aufwändig und kostenintensiv.

Offenbarung der Erfindung Die erfindungsgemäße Sensoranordnung, das erfindungsgemäße Verfahren zum Betrieb einer Sensoranordnung und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass in einer vergleichsweise einfachen und kostengünstigen Art und Weise die Messung eines Absolutdrucks ermöglicht wird, wobei der zu messende Absolutdruck insbesondere einen vergleichsweise hohen Druck umfasst. Ferner wird durch die Integration des zweiten Membranbereichs und der Kaverne in den ersten Membranbereich eine vergleichsweise bauraumkompakte Sensoranordnung ermöglicht und eine Verkappung des Sensors ist vollständig einsparbar, wodurch die Herstellungskosten reduzierbar sind und die Systemintegration erheblich vereinfacht wird, wobei insbesondere bei der Integration der Sensoranordnung in ein Fahrzeug aufgrund des begrenzten verfügbaren Bauraums im Fahrzeug Kompaktheit und einfache Integrierbarkeit von großem technischem und wirtschaftlichem Interesse sind. Dies wird dadurch erreicht, dass der zweite Membranbereich und die Kaverne in das Material des ersten Membranbereich integriert sind, so dass der erste Membranbereich durch eine Verformung senkrecht zur Haupterstreckungsebene einen Relativdruckmessung vorzugsweise zwischen einem ersten Druck auf der ersten Seite und einem zweiten Druck auf der zweiten Seite des Substrats bzw. in einem Graben auf der zweiten Seite durchführt, während durch die Integration des zweiten Membranbereichs und der Kaverne in den ersten Membranbereich eine Absolutdruckmessung zwischen dem zweiten Druck und einem dritten Druck bzw. einem Referenzdruck in der Kaverne ermöglicht wird. Vorzugsweise erstreckt sich die Kaverne im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene. Die Kaverne ist ferner insbesondere vollständig, d.h. in alle Raumrichtungen, von dem ersten

Membranbereich umschlossen, so dass keinerlei zusätzliche Substratfläche neben dem ersten Membranbereich für die Realisierung der Absolutdruckmessung benötigt wird.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den

Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen zu entnehmen. Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass der zweite Membranbereich zusammen mit der Kaverne einen Absolutdrucksensor und der erste Membranbereich zusammen mit dem Graben Einen Differenzdrucksensor umfassen, so dass besonders vorteilhaft eine Absolutdruckmessung eines vergleichsweise hohen ersten Drucks mittels des Differenzdrucksensors ermöglicht wird, ohne dass eine wesentliche Vergrößerung der benötigten Substratfläche notwendig ist, da der zweite Druck durch die Messung des Absolutdrucksensors bestimmt wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass sich der Graben im Wesentlichen senkrecht zur Haupterstreckungsebene von der ersten Seite bis zum ersten Membranbereich erstreckend vorgesehen ist. Besonders vorteilhaft wird somit ein zu messender erster Druck durch den Graben von der ersten Seite des Substrats aus an den ersten Membranbereich geführt. Vorzugsweise ist somit ein vergleichsweise hohes Aspektverhältnis beim Übergang vom Graben zum ersten Membranbereich realisierbar. Ein weiterer Vorteil ist, dass das den zu messenden ersten Druck aufweisende Medium nicht mit Messelektronik und/oder Messmitteln auf der zweiten Seite des Substrats in Berührung kommt, so dass auch der Druck von aggressiven bzw. ätzenden Medien vermessbar ist.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass an der ersten Seite ein Glassockel angeordnet ist, wobei der Glassockel vorzugsweise einen Kanal aufweist, welcher mit dem wenigstens einen Graben verbunden ist, so dass besonders vorteilhaft zum Anschluss des Grabens an einen Druckraum der Glassockel als Verbindungs-, Befestigungs-, Dichtungs- und/oder Stabilisierungselement fungiert.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass der erste Membranbereich ein Versteifungselement aufweist, welches sich bevorzugt von dem ersten Membranbereich senkrecht zur Haupterstreckungsebene in Richtung der ersten Seite erstreckt und welches besonders bevorzugt parallel zur Haupterstreckungsebene im Wesentlichen mittig im ersten Membranbereich bzw. im Graben angeordnet ist. Besonders vorteilhaft wird durch das Versteifungselement ein mittlerer Bereich des ersten Membranbereichs derart versteift, dass eine Auslenkung des ersten Membranbereichs vorzugsweise außerhalb des Versteifungselements erfolgt und somit eine Auslenkung des ersten Membranbereichs keine Deformation des zweiten Membranbereichs bewirkt. Dies hat den Vorteil, dass die Absolutdruckmessung nicht durch die Relativdruckmessung beeinflusst wird und somit eine vergleichsweise hohe Messgenauigkeit gewährleistet wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im Bereich der zweiten Seite Messelemente und/oder eine Auswerteschaltung angeordnet sind, wobei insbesondere im Bereich der ersten und/oder der zweiten Membranbereiche Messelemente in Form von piezoresistiven Elementen angeordnet sind, so dass besonders vorteilhaft mit vergleichsweise einfachen Mitteln eine Messung und Auswertung der Auslenkungen des ersten und des zweiten Membranbereichs unmittelbar auf dem Substrat durchführbar ist.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Betrieb einer Sensoranordnung, wobei in Abhängigkeit einer ersten Verformung des ersten Membranbereichs ein erster Druck im Graben relativ zu einem zweiten Druck auf der zweiten Seite gemessen wird, wobei in Abhängigkeit einer zweiten Verformung des zweiten Membranbereichs der zweite Druck relativ zu einem dritten Druck in der Kaverne gemessen wird, so dass der absolute Druck des ersten Drucks mit einer vergleichsweise bauraumkompakten und kostengünstig herzustellenden Sensoranordnung messbar ist.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die erste Verformung mittels ersten piezoresistiven Elementen und die zweite Verformung mittels zweiten piezoresisitven Elementen gemessen werden, so dass die erste Verformung vorzugsweise ein erstes Spannungssignal und die zweite Verformung vorzugsweise ein zweites Spannungssignal erzeugt. Somit ist durch eine Differenzbildung des ersten Spannungssignals mit dem zweiten Spannungssignal der absolute erste Druck in besonders einfacher Weise und mit einem vergleichsweise geringen Schaltungs- und Verdrahtungsaufwand bestimmbar.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung, wobei in einem ersten Herstellungsschritt das Substrat bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt die Kaverne hergestellt wird und wobei in einem dritten Herstellungsschritt der Graben hergestellt wird, so dass besonders vorteilhaft eine vergleichsweise kostengünstige Herstellung der Sensoranordnung durch die Verwendung von Standardherstellungverfahren im Halbleiterbereich ermöglicht wird.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem vierten Herstellungsschritt, welcher insbesondere zeitlich zwischen dem zweiten und dritten Herstellungsschritt durchgeführt wird, die Messelemente und/oder die Auswerteschaltung im Bereich der zweiten Seite angeordnet werden, so dass eine unmittelbare Integration des elektrischen und elektronischen Komponenten in den Herstellungsprozess der Sensoranordnung erfolgt, so dass zusätzliche Kontaktierungs- und/oder Implementierungsschritte einsparbar sind.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass der zweite Herstellungsschritt einen ersten und einen zweiten Teilschritt umfasst, wobei im ersten Teilschritt eine poröse Schicht in dem Substrat gebildet wird und wobei im zweiten Teilschritt mittels eines Ätzvorgangs die Kaverne unterhalb und/oder in der porösen Schicht hergestellt wird, wobei bevorzugt der zweite Herstellungsschritt von der zweiten Seite aus durchgeführt wird. Besonders vorteilhaft ist somit eine vergleichsweise kostengünstige Herstellung der Kaverne möglich, wobei insbesondere die bekannte APSM-Technologie (Advanced Porous Silicon Membrane) Verwendung findet, welche beispielsweise aus den Druckschriften WO 02/02458, DE 10 2004 036 032 A1 und DE 10 2004 036 035 A1 bekannt sind.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im dritten Herstellungsschritt der Graben in einem Ätzvorgang, insbesondere in einem Trenchprozess, von der zweiten Seite aus hergestellt wird, so dass besonders vorteilhaft Gräben mit einem vergleichsweise hohen Aspektverhältnis herstellbar sind.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Es zeigen

Figur 1 einen schematische Seitenansicht eines Absolutdrucksensors gemäß dem Stand der Technik,

Figur 2 eine schematische Seitenansicht eines weiteren Absolutdrucksensors gemäß de Stand der Technik,

Figur 3 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, Figur 4 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Figur 5 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und

Figur 6 eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung

In Figur 1 ist eine schematische Seitenansicht eines Absolutdrucksensors gemäß dem Stand der Technik dargestellt, wobei ein Sensorsubstrat 105, eine Sensorkaverne 104 und eine Sensormembran 109 aufweist, wobei das Sensorsubstrat 105 mit einem Glassockel 106 verbunden ist, wobei der Glassockel 106 mit einem Kleber auf eine Leiterplatte 107 geklebt ist. Die Leiterplatte 107 und der Glassockel 106 weisen jeweils eine Öffnung auf, so dass von einer Unterseite der Leiterplatte 107 ein Druck 108 in die Sensorkaverne 104 gelangt und die Sensormembran 109 in Abhängigkeit des Drucks 108 und in Abhängigkeit eines Referenzdrucks 102 verformt wird. Diese Verformung wird mittels Piezo- Widerständen 103 auf der Oberseite der Sensormembran 109 gemessen. Die Oberseite der Sensormembran 109 weist eine hermetisch dichte Verkappung 101 auf, welche zur Einstellung des bekannten Referenzdrucks 102 fungiert. Durch die Einstellung des bekannten Referenzdrucks 102 auf der Rückseite der Membran 109 ist mittels der Relativmessung zwischen dem Referenzdruck 102 und dem Druck 108 der absolute Wert des Drucks 108 bestimmbar. In Figur 2 ist eine schematische Seitenansicht eines weiteren Absolutdrucksensors gemäß dem Stand der Technik dargestellt, wobei der weitere Absolutdrucksensor ein Substrat 202 und eine Kaverne 201 in dem Substrat 202 aufweist. Die Kaverne 202 ist dabei näher an der Oberseite des Substrats 202 angeordnet und insbesondere in APSM-Technologie hergestellt. Zwischen der Kaverne 202 und der Oberseite des Substrats 202 ist somit eine Membran 205 ausgebildet, welche sich in Abhängigkeit des Relativdrucks zwischen einem Druck auf der Oberseite der Membran 205 und einem Referenzdruck in der Kaverne 201 deformiert, wobei diese Deformation mittels Piezo-Widerständen 203 auf der Oberseite des Substrats 202 gemessen wird. Die Kaverne 202 weist insbesondere ein Vakuum auf.

In Figur 3 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die Sensoranordnung ein Substrat 2 mit einer Haupterstreckungsebene 100, einen ersten Membranbereich 20 und eine Kaverne 41 aufweist, wobei die der erste

Membranbereich 20 die Kaverne 41 insbesondere sowohl in einer Ebene parallel zur Haupterstreckungsebene 100, als auch in einer Ebene senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 vollständig umschließt. Die Kaverne 41 ist hermetisch dicht verschlossen und weist einen dritten Druck 52 bzw. einen bekannten Referenzdruck auf. Der dritte Druck 52 kann beispielsweise auch ein Vakuum umfassen. Das Substrat 2 weist ferner eine im Wesentlichen zur Haupterstreckungsebene 100 parallele erste Seite 3 und eine senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 der ersten Seite 3 gegenüberliegenden zweiten Seite 4 auf, wobei der erste Membranbereich 20 im Wesentlichen näher zur zweiten Seite 4 angeordnet ist und wobei auf der ersten Seite 3 das Substrat 2 einen Graben 21 aufweist, welcher sich in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 von der ersten Seite 3 bis zum ersten Membranbereich 20 erstreckt und senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 vorzugsweise deckungleich oder zumindest teilweise deckungsgleich mit dem ersten Membranbereich 20 ist. Der erste Membranbereich 20 weist einen zweiten Membranbereich 40 auf, welcher zwischen der zweiten Seite 4 und der Kaverne 41 angeordnet und senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 im Wesentlichen zur Kaverne 41 deckungsgleich ausgebildet ist. Auf der ersten Seite 3 ist das Substrat 2 mit einem Glassockel 8 verbunden, welcher einen mit dem Graben 21 verbundenen Kanal 9 aufweist. Ein zu messender erster Druck 50 gelangt durch den Kanal 9 in den Graben 21 und im Graben 21 in Kontakt mit dem ersten Membranbereich 20. Auf der zweiten Seite 4 des Substrats 2 wirkt ein zweiter Druck 51 auf den ersten Membranbereich 20, so dass eine Deformierung bzw. Verformung bzw. Auslenkung des ersten Membranbereichs 20 zumindest teilweise senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 in Abhängigkeit des Relativdrucks zwischen dem ersten und dem zweiten Druck erfolgt. Diese Auslenkung des ersten Membranbereichs 20 ist mittels Messelementen 5 auf der zweiten Seite 4 des Substrats 2 messbar. Insbesondere wird eine durch die Auslenkung des ersten Membranbereichs 20 gegenüber dem übrigen Substrat 2 auf der zweiten Seite 4 mittels Piezo-Widerständen im

Übergangsbereich zwischen dem ersten Membranbereich 20 und dem übrigen Substrat 2 gemessen, wobei eine Deformierung der Piezo-Widerstände eine Änderung des elektrisch Widerstands der Piezo-Widerstände bewirkt und somit bei der Relativdruckmessung zwischen dem ersten und dem zweiten Druck 50, 51 durch den erstes Membranbereich 20 ein erstes Spannungssignal in Abhängigkeit des Relativdrucks zwischen dem ersten und zweiten Druck 50, 51 erzeugt wird. Der zweite Druck 51 wirkt auch auf den zweiten Membranbereich 40, wobei der zweite Membranbereich 40 eine Auslenkung in Abhängigkeit des Relativdrucks zwischen dem zweiten Druck 51 und dem Referenzdruck bzw. dritten Druck 52 in der Kaverne 41 senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 durchführt. Diese Auslenkung wird ebenfalls mittels Messelementen 5' in Form von Piezo-Widerständen gemessen, wobei diese Messelemente 5' im Wesentlichen im Randbereich des zweiten Membranbereichs 40 auf der zweiten Seite 4 angeordnet sind und wobei diese Piezo-Widerstände in Abhängigkeit des zweiten Drucks 51 ein zweites Spannugnssignal erzeugen. Da der dritte Druck 52 bekannt ist und aufgrund der hermetischen Dichtheit der Kaverne 41 im Wesentlichen konstant ist, handelt es sich bei dieser Messung um eine Absolutdruckmessung. Diese Absolutdruckmessung erlaubt die Bestimmung des zweiten Drucks, so dass bei der Relativmessung des ersten Membranbereichs 20 ebenfalls der erste Druck 50 zu bestimmen ist. Besonders bevorzugt wird dazu insbesondere durch eine integrierte

Auswerteschaltung 6 auf der zweiten Seite 4 die Differenz aus erstem und zweitem Spannungssignal gebildet. Der Graben 21 wird durch einen Trenchprozess hergestellt. Der Graben 21 , die Kaverne 41 , der erste Membranbereich 20 und/oder der zweite Membranbereich 40 sind parallel zur Haupterstreckungsebene 100 vorzugsweise rund, kreisrund, oval, mehreckig, quadratisch und/oder ringförmig ausgebildet.

In Figur 4 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die zweite Ausführungsform im Wesentlichen identisch der ersten Ausführungsform dargestellt in Figur 3 ist, wobei der Graben 21 eine geringfügig andere Form als in Figur 3 aufweist. Der Graben 21 gemäß der Sensoranordnung 1 der zweiten Ausführungsform wird durch anisotropes Ätzen beispielsweise mittels KOH oder TMAH von der ersten Seite 3 aus hergestellt.

In Figur 5 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die dritte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der ersten Ausführungsform illustriert in Figur 3 ist, wobei der erste Membranbereich 20 ein Versteifungselement 7 aufweist, welches sich von dem ersten Membranbereich 20 senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 bis zur ersten Seite 3 erstreckt und parallel zur Haupterstreckungsebene 100 im Wesentlichen mittig im ersten Kavernenbereich 20 angeordnet ist. Der Graben 21 wird somit in Figur 5 in zwei Teilgräben 21' zerteilt und ist parallel zur Haupterstreckungsebene 100 als das Verstärkungselement 7 kreisrund umlaufender und ringförmiger Graben 21 ausgebildet. Der erste Membranbereich umfasst somit insbesondere eine Bossmembran.

In Figur 6 ist eine schematische Seitenansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die vierte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der dritten Ausführungsform dargestellt in Figur 5 ist, wobei das Verstärkungselement 7 sich von dem ersten Membranbereich 20 nicht vollständig bis zur ersten Seite 3 erstreckt, sondern nur teilweise in den Graben 21 in Richtung zur ersten Seite 3 hin hineinragt.