SENSOR ZUM DETEKTIEREN EINER KOMPONENTE EINES GASGEMISCHS

Stand der Technik

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sensor zum Detektieren wenigstens eines ersten Mediums in einem Mediengemisch aus wenigstens dem ersten und einem zweiten Medium, ein Verfahren zum Herstellen des Sensors sowie einen Chip mit dem Sensor.

Beispielsweise werden zur Bestimmung von Gaskomponenten in Gasgemischen unter anderem Sensoren in Form von Feldeffekttransistoren eingesetzt. Dabei reagiert beispielsweise eine Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors sensitiv auf die zu bestimmenden Gaskomponenten, wodurch es zu einer Veränderung des Potentials der Gate-Elektrode kommt. Eine sich dadurch ergebende Veränderung des Stromflusses zwischen einer Source- und Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors wird der Konzentration einer Gaskomponente zugeordnet. Derartige Sensoren werden als ChemFETs bezeichnet. Solche ChemFETs werden insbesondere in Abgasleitungen von Verbrennungsmotoren eingesetzt, um beispielsweise den Anteil an Stickoxid (nachfolgend als NO _x bezeichnet) im Abgas zu messen, wie in der DE 10 2007 040 726 A1 beschrieben.

Vorteile der Erfindung

Der in Anspruch 1 definierte, erfindungsgemäße Sensor, das in Anspruch 6 definierte, erfindungsgemäße Verfahren sowie der in Anspruch 10 definierte, erfindungsgemäße Chip bieten gegenüber herkömmlichen Lösungen den Vorteil, dass der Katalysator, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient (nachfolgend als WAK bezeichnet) sich im Allgemeinen von dem der Elektrode unterscheidet, beabstandet von der Elektrode auf und/oder in der durchgängig porösen Trägerkeramik angeordnet ist und es daher zu keiner thermischen Verspannung zwischen dem Katalysator und der Elektrode kommt, wenn diese stark variierenden Temperaturen, wie typischerweise in der Abgasleitung eines Verbrennungsmotors der Fall, ausgesetzt sind. Außerdem haftet der Katalysator vergleichsweise gut auf der porösen Trägerkeramik wegen derer hohen Oberflächenrauigkeit. Weiterhin wird - aufgrund des Abstands - eine katalytische Aktivität der Elektrode nicht durch den Katalysator beeinflusst, wodurch die Messgenauigkeit des Sensors verbessert wird.

Die in den jeweiligen Unteransprüchen aufgeführten Merkmale beziehen sich auf vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des Gegenstands der Erfindung.

Zeichnungen

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.

Es zeigen

Fig. 1 in einer Schnittansicht einen Sensor gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 2 in einer Schnittansicht einen Sensor gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung; und

Fig. 3 in einer Draufsicht einen Chip gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Beschreibung von Ausführungsbeispielen

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Fig. 1 zeigt einen Sensor 2 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Schnittansicht.

Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist der Sensor 2 in oder angrenzend an einen Abgasstrom 3 in einer nicht weiter dargestellten Abgasleitung eines Verbrennungsmotors angeordnet.

Der Abgasstrom 3 weist ein Mediengemisch aus einem ersten Medium 4 und einem zweiten Medium 6 auf. Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist das erste Medium ΝΟχ-Gas, das zweite Medium 6 Kohlenwasserstoffgas. Selbstverständlich kann der Abgasstrom 3 auch noch weitere Medien enthalten.

Mittels des Sensors 2 soll das NO _x -Gas 4 in dem Abgasstrom 3 detektiert werden. Mit "Detektieren" ist vorliegend sowohl das reine Erkennen des Vorliegens von ΝΟχ-Gas 4 in dem Abgasstrom gemeint als auch vorzugsweise die mengenmäßige Erfassung des NO _x Gases 4. Dazu ist der Sensor 2 gemäß diesem Ausführungsbeispiel wie folgt ausgebildet:

Der Sensor 2 ist beispielsweise in Form eines ChemFET ausgeführt und weist eine Gate-Elektrode 8 auf, welche über eine Isolationsschicht 10 mit einem Halbleitersubstrat 12 in Kontakt steht.

Das Halbleitersubstrat 12 kann aus Galliumnitrid, Aluminiumnitrid, Gallium- Aluminiumnitrid oder Siliziumcarbid ausgeführt sein. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist sie als Siliziumcarbid ausgeführt.

Die Gate-Elektrode 8 ist vorzugsweise aus einem oxidationsstabilen Edelmetall, wie Platin, Palladium, Gold, Iridium, Rhenium, Rhodium oder Mischungen derselben und/oder aus Zumischung von Elementverbindungen unedler Metalle, wie Hafnium, Tantal und/oder Aluminium ausgebildet.

Die Gate-Elektrode 8 kann ferner eine poröse Beschichtung 14 aus einem Edelmetall oder aus einem Edelmetall-Metalloxid-Mischmaterial aufweisen. Das Material für die poröse Beschichtung 14 ist vorzugsweise ausgewählt aus den Nebengruppenelementen wie Hafnium, Tantal, Niobium, Tantal, Molybdän, Rhodium, Platin, Palladium, Silber, Gold oder Mischungen derselben. Ferner kommen elektrisch leitfähige Verbindungen wie Nitride, Karbide oder Silizide der Nebengruppenelemente wie beispielsweise Wolfram- oder Tantalsilizid in Frage. Als Edelmetall-Metalloxid-Mischmaterial eignen sich insbesondere Cermets, welche neben den genannten Nebengruppenelementen bzw. deren Karbiden oder Silizi- den eine keramische Komponente wie beispielsweise Aluminiumoxid, Siliziumdioxid, Zirkoniumdioxid, selten Erdmetalle, wie insbesondere Magnesiumoxid, aufweisen.

Die die poröse Beschichtung 14 vorzugsweise umfassende Elektrode 8 ist dazu eingerichtet, ihr elektrisches Potential zu ändern, wenn diese mit dem NO _x -Gas 4 oder dem Kohlenwasserstoffgas 6 in dem Abgasstrom 3 oder beiden Gasen in Berührung kommt. Neben der Gate-Elektrode 8 weist der Sensor 2 nicht dargestellte Source- und Drain-Elektroden auf, wobei eine Änderung des elektrischen Potentials der Gate-Elektrode 8 zu einer Veränderung eines Stroms in einem Kanalbereich 15 in dem Halbleitersubstrat 12 zwischen der Source- und der

Drainelektrode führt. Die Veränderung des Stroms wird in einer nicht dargestellten Auswerteeinheit ausgewertet, um festzustellen, welches Medium und in welcher Menge dieses an der Elektrode 8 vorliegt. Da aber gemäß dem Ausführungsbeispiel nur das NO _x -Gas detektiert werden soll, ist ein Katalysator 16 zwischen der Elektrode 8 und dem Abgasstrom 3 angeordnet. Der Katalysator 16 dient der Eliminierung einzelner Gaskomponenten in dem Abgasstrom 3, zu denen die Elektrode 8 eine unerwünschte Querempfindlichkeit aufweist. Dabei werden diese unerwünschten Gaskomponenten von dem Katalysator 16 zu Gaskomponenten umgesetzt, die eine Messung der zu bestimmenden Gaskomponente nicht behindern. Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Katalysator 16 daher als Oxidationskatalysator ausgebildet, welcher das Kohlenwasserstoffgas 6 zu Kohlendioxid und Wasser oxidiert. Der katalytische Oxidationsprozess läuft vorzugsweise vorwiegend bei einer Temperatur des Abgasstroms 3 im Bereich zwischen 100 bis 650°, bevorzugt zwischen 250 und 550° ab. Die Reaktionsprodukte Kohlendioxid und Wasser haben keinen wesentlichen Einfluss auf das elektrische Potential der Elektrode 8. Das ΝΟχ-Gas 4 dagegen kann ungehindert durch den Oxidationskatalysator 16 hindurch zu der Elektrode 8 gelangen, wo es zu einer Änderung deren elektri- sehen Potentials beiträgt. Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist der Katalysator 16 als eine Vielzahl von Partikeln ausgebildet sein, welche jeweils einen keramischen Kern, beispielsweise aus Aluminiumoxid oder Zirkonoxid, aufweisen, der eine katalytische Umman- telung insbesondere aus Edelmetall, wie Platin, Rhodium, Palladium, Iridium oder Mischungen derselben, trägt. Alternativ kann der Katalysator 16 selbst als poröse

Schicht insbesondere aus einem der vorgenannten Edelmetalle ausgebildet sein.

Der Katalysator 16 ist gemäß dem Ausführungsbeispiel teilweise auf, d. h. ab- gasstromseitig, und teilweise innerhalb einer als Schicht ausgebildeten, durch- gängig porösen Trägerkeramik 18 angeordnet, welche selbst zwischen der Elektrode 8 und dem Abgasstrom 13 angeordnet ist. Die Trägerkeramik 18 besteht vorzugsweise aus Silizium oder Siliziumkarbid. Die Trägerkeramik 18 weist in einem abgasstromseitigen Bereich 20 Poren mit einem ersten Durchmesser von vorzugsweise zwischen 2 und 20 μηη auf, in welchen der Katalysator 16 in Parti- kelform aufgenommen ist. Die Trägerkeramik 18 weist ferner einen elektroden- seitigen Bereich 22 auf, welcher mit Poren ausgebildet ist, die einen zweiten Durchmesser von etwa 0,2-2 μηη oder kleiner aufweisen. In diese Poren bzw. durch diese Poren mit dem zweiten Durchmesser kann der Katalysator 16 nicht gelangen, so dass die Katalysatorpartikel 16 nicht ungewollt mit der Elektrode 8 in Kontakt kommen können bzw. durch die Trägerkeramik 18 hindurch fallen können.

Alternativ kann der Katalysator 16 auch als poröse Schicht ausgebildet sein, welche auf der Trägerkeramik 18 angeordnet ist.

Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist die Trägerkeramik 18 durch einen Spalt 24 von der Elektrode 8 beabstandet angeordnet. Dadurch wird vermieden, dass sich die Trägerkeramik 18 und die Elektrode 8 direkt berühren, so dass ein Verspannen dieser zueinander, beispielsweise aufgrund unterschiedlicher WAKs, ver- mieden wird.

Ferner weist der Sensor 2 eine Passivierung 26 auf, welche zusammen mit dem Katalysator 16, der Trägerkeramik 18 und dem Halbleitersubstrat 12 die Elektrode 8 umgibt. Die Passivierung 26 ist gasdicht ausgebildet und vorzugsweise aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid ausgeführt. Vorteilhaft sind das Halbleitersubstrat 12 und die Trägerkeramik 18 aus demselben Material oder unterschiedlichen Materialien mit im Wesentlich denselben WAKs ausgebildet. Vorzugsweise sind beispielsweise das Halbleitersubstrat 12 und die Trägerkeramik 18 beide aus Siliziumkarbid ausgebildet. Dadurch kann vermieden werden, dass es zu Verspannungen zwischen der Trägerkeramik 18 und dem Halbleitersubstrat 12 kommt; es wird also ein großer Kraftfluss durch die Bauteilpassivierung 26 vermieden. Die Bauteilpassivierung 26 und die Isolationsschicht 10 sind derart dünn ausgeführt (Fig. 1 stellt die Größenverhältnisse nicht realitätsgetreu dar), dass diese für eine Verspannung der Komponenten des Sensors 2 zueinander nicht relevant sind.

Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen des Sensors 2 gemäß dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 näher erläutert. Zunächst wird das Halbleitersubstrat 12 bereitgestellt und auf diesem die Isolationsschicht 10 aufgebracht. Anschließend wird auf die Isolationsschicht 10 die Elektrode 8 aufgebracht. Vor oder nach dem Aufbringen der Isolationsschicht 10 oder der Elektrode 8 wird eine Passivierung 26 auf das Halbleitersubstrat 12 aufgebracht.

In einem weiteren Schritt wird auf die Elektrode 8 eine Schutzschicht, beispielsweise ein Fotoschutzlack, aufgebracht. Hiernach wird die Trägerkeramik 18 auf der Schutzschicht erzeugt, insbesondere abgeschieden. Die Trägerkeramik 18 wird beispielsweise derart abgeschieden, dass sie die bereits oberhalb beschrie- benen durchgängigen Poren aufweist. Andererseits ist es auch möglich, die Trägerkeramik 18 zunächst auf der Schutzschicht zu erzeugen und hiernach die Poren in der Trägerkeramik 18 zu erzeugen.

In einem weiteren Schritt wird der Katalysator 16 auf die Trägerkeramik 18 auf- gebracht und wenigstens teilweise in diese eingebracht.

Gemäß einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann der Katalysator 16 als separate Schicht auf die Trägerkeramik 18 abgasstromseitig aufgebracht werden. Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aber wird der Katalysa- tor 16 in der bereits oberhalb beschriebenen Partikelform auf die Trägerkeramik

18 aufgebracht und in den abgasstromseitigen Bereich 20 der Trägerkeramik 18 eingebracht. Dies kann mittels Tauchens der Trägerkeramik 18 in eine Suspension des Katalysators 16 oder Aufsprühen einer solchen Suspension auf die Trägerkeramik 18 oder auch mittels Verdruckens einer Katalysatorpaste im Siebdruckverfahren auf die Trägerkeramik 18 geschehen. All diesen Verfahren ist gemeinsam, dass ein gewisser Anteil der Katalysatorpartikel 16 in die Poren des abgasstromseitigen Bereichs 20 der Trägerkeramik 18 eingelagert werden. Dadurch, dass die Poren in dem Bereich 22 einen kleineren Durchmesser aufweisen als die Katalysatorpartikel 16, wird verhindert, dass die Katalysatorpartikel 16 zu der Schutzschicht oder später zu der Elektrode 8 gelangen können.

In einem weiteren Schritt wird die Anordnung bestehend wenigstens aus dem Katalysator 16 und der Trägerkeramik 18 wärmebehandelt oder gesintert, um die Haftung zwischen dem Katalysator 16 und der Trägerkeramik 18 zu erhöhen. Eine derartige Wärmebehandlung kann beispielsweise bei einer Temperatur zwischen in etwa 200 und 600° erfolgen.

Es ist auch denkbar, die Trägerkeramik 18 zunächst zu erzeugen und mit dem Katalysator 16 zu beschichten und die so geschaffene Anordnung gegebenenfalls Wärme zu behandeln oder zu sintern. In einem weiteren Schritt könnte diese Anordnung auf eine weitere Anordnung bestehend wenigstens aus dem Halbleitersubstrat 12, der Isolationsschicht 10 und der Elektrode 8 auf letztere aufgebracht werden.

Nach dem Aufbringen des Katalysators 16 oder vorzugsweise nach der Wärmebehandlung, Sinterung oder Porofizierung der Trägerkeramik 18 wird die Schutzschicht entfernt, so dass der freie Spalt 24 zwischen der Trägerkeramik 18 und der Elektrode 8 entsteht.

Um die Schutzschicht zu entfernen, stehen verschiedene Möglichkeiten offen. Gemeinsam soll diesen Möglichkeiten sein, dass die Schutzschicht durch die Poren in der Trägerkeramik 18 aus dem Spalt 24 entfernt wird.

In dem Fall, dass die Schutzschicht als Schutzlack ausgebildet ist, kann dieser durch ein organisches Lösungsmittel, in dem der Schutzlack gut lösbar ist, entfernt werden. Dazu wird das organische Lösungsmittel durch die Poren in der Trägerkeramik 18 hindurch der Schutzschicht zugeführt, welche sich dadurch auflöst und durch die Poren ausgeschwemmt wird. Gemäß einer anderen Variante kann die Entfernung der Schutzschicht durch thermisches Erhitzen entfernt werden, wobei die Schutzschicht zunächst thermisch zersetzt wird und hiernach durch die Poren in der Trägerkeramik 18 ausdampft. Für dieses Verfahren ist es günstig, wenn die Schutzschicht aus einem thermisch zersetzbaren Photopolymer ausgebildet wird. Gemäß einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel wird mit derselben Wärmebehandlung die Schutzschicht aus dem Spalt 24 entfernt und gleichzeitig die Haftung zwischen dem Katalysator 16 und der Trägerkeramik 18 erhöht. Die vorstehend beschriebene separate Wärmebehandlung des Katalysa- tors 16 samt der Trägerkeramik 18 entfällt damit, weshalb das Herstellungsverfahren zum Herstellen des Sensors 2 insgesamt vereinfacht wird.

Der Sensor 2 gemäß dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 unterscheidet sich von dem gemäß Fig. 1 lediglich dadurch, dass bei dem Ausführungsbeispiel ge- mäß Fig. 2 die Trägerkeramik 18 direkt auf der Elektrode 8, welche gegebenenfalls die Beschichtung 14 umfasst, aufgebracht wird. Demnach entfällt bei dem

Verfahren zum Herstellen des Sensors 2 gemäß dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 der oberhalb im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebene Verfahrensschritt, wonach die Schutzschicht auf die Elektrode 8 aufgebracht wird und diese später wieder entfernt wird. Im Übrigen sind die beschriebenen Verfahren zum

Herstellen des Sensors nach Fig. 1 und des Sensors 2 nach Fig. 2 identisch.

Fig. 3 zeigt in einer Draufsicht einen Chip 28, welcher den Sensor 2 gemäß dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 oder 2 aufweist. Der Chip 28 weist ferner einen weiteren Sensor 30 auf. Der weitere Sensor 30 ist ein herkömmlicher ChemFET und weist eine nicht dargestellte Elektrode auf, welche dazu eingerichtet ist, ihr Potential zu ändern, wenn sie mit dem ersten Medium 4, beispielsweise Stickoxidgas, und/oder dem zweiten Medium 6, beispielsweise Kohlenwasserstoffgas, in Kontakt kommt. Der weitere Sensor 30 gemäß dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 weist keinen Katalysator oder dergleichen auf, welcher geeignet wäre, das zweite Medium 6 derart zu verändern, dass dieses im Wesentlichen zu keiner Änderung des Potentials der Elektrode des weiteren Sensors 30 beiträgt. Der weitere Sensor 30 weist insbesondere keinen Katalysator auf, welcher geeignet wäre, Kohlenwasserstoffgas in Kohlendioxid und Wasser zu wandeln. Der weitere Sensor 30 ist also dazu eingerichtet, das erste und das zweite Medium 4; 6 zu detektieren. Der Sensor 2 wird demnach einen Messwert für das erste Medium 4 erzeugen, während der weitere Sensor 30 einen Messwert für das erste und zweite Medium 4 und 6 erzeugen wird.

Der Chip 28 kann nun eine Auswerteeinheit 32 aufweisen, welche mit den Sensoren 2 und 30 signaltechnisch gekoppelt ist, angedeutet durch die Linien mit den Pfeilspitzen in Fig. 3, wobei die Auswerteeinheit 32 dazu eingerichtet ist, aus den vorgenannten Messwerten des Sensors 2 und des weiteren Sensors 30 auch den Anteil des zweiten Mediums, also beispielsweise des Kohlenwasserstoffgases, in dem Abgasstrom 3 zu bestimmen.

Obwohl die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen konkret beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.