Schirmplatte für einen CVD-Reaktor

Gebiet der Technik

[0001] Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem einen kreisförmi- gen Grundriss aufweisenden Gaseinlassorgan, welches eine zu einer Prozess- kammer weisende, gekühlte Deckenplatte und einen von einer Heizeinrichtung beheizbaren Suszeptor aufweist, wobei die Deckenplatte Austrittsöffnungen aufweist, und mit einer an die Deckenplatte angrenzenden, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Schirmplatte, die eine Zentralzone, eine die Zentral- zone umgebende Ringzone, eine zur Deckenplatte weisenden Rückseite und eine erste, ebene, zur Prozesskammer weisende Gasaustrittsfläche, in die Gasaustrittsöffnungen münden, aufweist, wobei die Rückseite in der Zentral- zone eine parallel zur Gasaustrittsfläche verlaufende Rückseitenebene definiert und wobei die Rückseite Strukturen aufweist zur Beeinflussung der thermi- schen Ankopplung der Schirmplatte an die Deckenplatte und/ oder zur Beein- flussung des Wärmeflusses durch die Schirmplatte, welche Strukturen zumin- dest eine Erhebung und/ oder eine Vertiefung gegenüber der Rückseitenebene ausbilden

[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Schirmplatte zur Verwen- dung in einem CVD-Reaktor.

[0003] Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Beeinflussung der Tem- peratur einer zu einer Prozesskammer weisenden ersten Gasaustrittsfläche ei- ner zwischen einer gekühlten Deckenplatte eines CVD-Reaktors angeordneten, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Schirmplatte, die eine Zentralzo- ne, eine die Zentralzone umgebende Ringzone, eine zur Deckenplatte weisen- den Rückseite und eine erste, ebene, zur Prozesskammer weisende Gasaustritts- fläche, in die Gasaustrittsöffnungen münden, aufweist, wobei die Rückseite in ihrer Zentralzone eine parallel zur Gasaustrittsfläche verlaufende Rückseiten- ebene definiert und wobei ein von einer Heizeinrichtung beheizter Suszeptor zumindest ein Substrat trägt, das wärmebehandelt wird, wobei ein Wärmefluss vom Suszeptor zur Deckenplatte erzeugt wird, wobei die thermische Ankopp- lung der Schirmplatte an die Deckenplatte und/ oder der Wärmefluss durch die Schirmplatte mittels auf der Rückseite der Schirmplatte angeordneten Struktu- ren beeinflusst wird, wobei die Strukturen zumindest eine Erhebung und/ oder eine Vertiefung gegenüber der Rückseitenebene der ausbilden.

Stand der Technik

[0004] Eine gattungsgemäße Vorrichtung wird in der DE 10 2012 110 125 Al beschrieben. Der dort beschriebene CVD-Reaktor beziehungsweise das dort beschriebene Verfahren zum Abscheiden von dünnen Halbleiterschichten auf Halbleitersubstraten weist ein Gaseinlassorgan auf, durch welches ein Prozess- gas in eine Prozesskammer eingespeist wird. Unterhalb einer Gasaustrittsfläche einer Bodenplatte des Gaseinlassorganes erstreckt sich eine Schirmplatte mit zu den Gasaustrittsöffnungen der Bodenplatte fluchtenden Gasdurchtrittskanälen. Auf einem beheizten Substrat liegen die zu beschichtenden Substrate auf.

[0005] Vorrichtungen dieser Art sind darüber hinaus bekannt aus den

KR 101373746, US 6,793,733 B2 und US 9,587,312 B2.

[0006] Aus der US 2010/0003824 Al ist darüber hinaus eine unterhalb einer Gasaustrittsplatte eines Gaseinlassorganes angeordnete Platte vorgesehen, die im Randbereich eine Verjüngung aufweist.

[0007] Bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art beziehungsweise bei einem Verfahren der eingangs genannten Art wird beobachtet, dass sich an der Unterseite der Schirmplatte, also der zur Prozesskammer weisenden und die Prozesskammer begrenzenden Gasaustrittsfläche, aus der das Prozessgas in die Prozesskammer strömt, ein nicht homogenes laterales Temper aturprofil ausbil- det. Bei einem gattungs gemäßen Verfahren wird der die Substrate tragende Suszeptor, der die Prozesskammer nach unten hin begrenzt, von unten her auf eine Suszeptortemperatur von beispielsweise mehr als 1.000°C aufgeheizt. Die Deckenplatte wird aktiv gekühlt. Als Folge dessen bildet sich ein Wärmefluss vom Suszeptor durch die Prozesskammer und durch die Schirmplatte zur ge- kühlten Deckenplatte aus. Die Temperatur der zur Prozesskammer weisenden Gasaustrittsfläche der Schirmplatte wird im Wesentlichen durch die lokale

Wärmestrahlungsleistung der Suszeptoroberfläche beziehungsweise Substrat- oberfläche beeinflusst. Diese kann lokal variieren, so dass auch die Oberflächen- temperatur der Schirmplatte lokal variieren kann.

[0008] Für eine gleichmäßige und prozessstabile Beschichtung der Substrate mit dünnen insbesondere Halbleiterschichten ist es aber erforderlich, dass die zur Prozesskammer weisende Fläche der Schirmplatte möglichst geringe lokale Temperaturunterschiede aufweist.

[0009] Die JP 2010-232402 A beschreibt einen CVD-Reaktor, bei dem unterhalb einer Gasaustrittsplatte eines Gaseinlassorganes eine weitere Platte angeordnet ist, die fest mit dem Gaseinlassorgan verbunden ist. Die Randbereiche der Plat- te stehen radial über und besitzen ein keilförmiges Profil.

[0010] Ein Gaseinlassorgan mit einer Schirmplatte, die durch einen Spalt von einer Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorganes beabstandet ist, zeigt die

DE 10 2012110125 Al. Zusammenfassung der Erfindung

[0011] Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, Mittel anzugeben, mit denen sich das Temperaturprofil einer Prozesskammerdecke lokal beeinflussen lässt.

[0012] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Er- findung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den nebengeordneten Ansprüchen angegebenen Erfindung, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.

[0013] Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass die Schirm- platte auf ihrer zur Deckenplatte weisenden Rückseite Strukturen aufweist, die derart ausgebildet sind, dass sie eine thermische Ankopplung und/ oder den Wärmefluss durch die Schirmplatte lokal unterschiedlich beeinflussen. Die Rückseite der Deckenplatte kann Zonen aufweisen, die aneinander angrenzen und unterschiedlich thermisch aneinander angekoppelt sind. Die Zonen können aber auch derart ausgebildet sein, dass der Wärmefluss von der Gasaustrittsflä- che zur Rückseite der Schirmplatte in voneinander verschiedenen Zonen unter- schiedlich ist. Mit den Strukturen lässt sich die thermische Ankopplung zwi- schen den einzelnen Zonen oder die thermische Ankopplung der Schirmplatte an die Deckenplatte beeinflussen. Mit einer derartigen Gestaltung einer

Schirmplatte lässt sich somit die Oberflächentemperatur der von der Gasaus- trittsfläche gebildeten Prozesskammerdecke lokal beeinflussen, um laterale Temper aturgradienten in der Gasaustrittsfläche zu minimieren, die durch lokal verschiedene Wärmestrahlungsleistungen vom Suszeptor her verursacht wer- den. In Ausführungsbeispielen der Erfindungen kann vorgesehen sein, dass die Deckenplatte von einem Gaseinlassorgan gebildet wird. Das Gaseinlassorgan kann ein oder mehrere Gasverteilkammern aufweisen, die von außen her durch eine Gaszuleitung gespeist werden. Die zumindest eine innerhalb des Gasein- lassorganes angeordnete Gasverteilkammer ist mit Gasdurchtrittskanälen mit einer zweiten Gasaustrittsfläche verbunden. Die zweite Gasaustrittsfläche wird von der Bodenplatte ausgebildet. Es kann darüber hinaus vorgesehen sein, dass an die Deckenplatte unmittelbar eine Kühlmittel- Aufnahmekammer angrenzt. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass die Deckenplatte Kühlkanäle aufweist oder Bestandteil eines Kühlkörpers ist. Die Gasdurchtrittskanäle des Gasein- lassorganes münden in der Deckenplatte. Es ist eine Vielzahl von siebartig an- geordneten Gasauslassöffnungen in der Deckenplatte vorgesehen, die jeweils von einem Gasdurchtrittskanal gespeist werden. Es kann ferner vorgesehen sein, dass die Schirmplatte von der Deckenplatte beabstandet ist. Es ist somit insbesondere ein Spalt zwischen der Rückseite der zweiten Gasaustrittsfläche vorgesehen, die von der Deckenplatte ausgebildet ist. Dieser Spalt kann eine Spalthöhe von maximal 20 mm aufweisen. Es ist bevorzugt vorgesehen, dass die Spalthöhe maximal 2 mm beträgt und insbesondere in einem Bereich zwi- schen 0,3 und 1 mm liegt. Es kann ferner vorgesehen sein, dass eine von der Schirmplatte ausgebildete erste Gasaustrittsfläche, welche die Prozesskammer begrenzt, in einer Ebene verläuft. Ferner kann vorgesehen sein, dass die

Schirmplatte eine Materialstärke von 3 bis 10 mm aufweist. Es kann vorgesehen sein, dass die den Wärmefluss durch die Schirmplatte lokal beeinflussenden Strukturen durch Zonen verschiedener Materialstärken der Schirmplatte aus- gebildet sind, wobei die mittlere Materialstärke der Schirmplatte im Bereich zwischen 5 mm und 7,5 mm liegen kann. Es kann vorgesehen sein, dass die Strukturen Vertiefungen oder Erhebungen gegenüber einer mittleren, maxima- len oder minimalen Materialstärke sind, wobei vorgesehen sein kann, dass die Erhebungen bevorzugt von Zonen mit einer Materialstärke gebildet sind, die maximal um 1 mm von der minimalen oder maximalen Materialstärke ab- weicht oder dass die Vertiefungen von Zonen gebildet sind, bei denen die Ma terialstärke um maximal 1 mm von einer maximalen oder mittleren Material- stärke abweicht. Es kann ferner vorgesehen, dass die den Wärmefluss durch die Schirmplatte lokal beeinflussenden Zonen voneinander verschiedene Oberflä- cheneigenschaften aufweisen, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Oberflächen verschiedene Wärmeemissivitäten aufweisen. Es ist auch vorgese- hen, dass diese Zonen verschiedene Wärmeleitfähigkeiten aufweisen, bei- spielsweise dass sich die Materialeigenschaft der Schirmplatte lokal ändert. Die Zonen voneinander verschiedenen Wärmeflusses durch die Schirmplatte kön- nen lokal den Zonen zugeordnet sein, auf denen sich auf dem Suszeptor zu be- schichtende Substrate befinden. Bei einem drehbaren Suszeptor können die Zo- nen ringförmig um das Drehzentrum angeordnet sein. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist jedoch vorgesehen, dass die Schirmplatte zur Beeinflussung des lateralen Temper aturprofils lediglich im Randbereich eine zum Rand hin abfallende Materialstärke besitzt. Die Schirmplatte besitzt somit erfindungsgemäß eine randseitige Verjüngung. Die randseitige Verjüngung wird bevorzugt durch einen keilförmigen Abschnitt im Randbereich ausgebil- det, wobei die bevorzugt im Wesentlichen einen kreisrunden Querschnitt auf- weisende Schirmplatte eine ebene Gasaustrittsfläche aufweist. Die ersten Gas- durchtrittsöffnungen der Schirmplatte können mit den zweiten Gasdurchtritts- öffnungen der Deckenplatte fluchten. Es ist aber auch vorgesehen, dass die ers- ten Gasdurchtrittsöffnungen zu den zweiten Gasdurchtrittsöffnungen zumin- dest teilweise versetzt angeordnet sind.

[0014] Bei dem in der zuvor beschriebenen Vorrichtung durchgeführten Ver- fahren handelt es sich bevorzugt um ein Verfahren zum Abscheiden von Halb- leiterschichten auf Halbleitersubstraten. Als Substrate können Saphirsubstrate, Siliziumsubstrate, aber auch III-V-Substrate verwendet werden. Die durch das Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingeleiteten Prozessgase enthalten be- vorzugt Hydride von Elementen der V-Hauptgruppe und metallorganische Verbindungen von Elementen der III-Hauptgruppe. Bevorzugt wird in der Vor- richtung zumindest eine GaN-Schicht abgeschieden. [0015] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine mit lokalen Strukturen ver- sehene Schirmplatte zur Verwendung in einer derartigen Vorrichtung oder in einem derartigen Verfahren.

[0016] Die maximale Tiefe der Vertiefung oder die maximale Höhe der Erhö- hung bemisst sich an einer Rückseitenebene und kann 0,3 bis 1,2 mm betragen. Die Rückseitenebene wird von der Rückseite der Schirmplatte definiert. Bevor- zugt definiert die Zentralzone der Rückseite die Rückseitenebene. Besitzt die Zentralzone keine Erhebungen oder Vertiefungen, sondern verläuft eben, so wird die Rückseitenebene von der Rückseitenfläche der Zentralzone definiert. Besitzt die Zentralzone der Rückseite hingegen Vertiefungen oder Erhöhungen, so definiert der die Vertiefungen oder Erhöhungen umgebende ebene Bereich der Rückseite die Rückseitenebene. Die Rückseitenebene kann somit durch den flächenmäßig größten in einer einzigen Ebene verlaufenden Bereich der Rück- seite definiert sein. Die Materialstärke, also die Dicke der Schirmplatte wird von einem Abstand zwischen der sich in einer Ebene erstreckenden Gasaustrittsflä- che und der Rückseitenebene definiert. Bevorzugt verläuft die Gasaustrittsflä- che parallel zur Rückseitenebene, so dass die Vertiefungen oder Erhöhungen lokale Abweichungen von der ansonsten konstanten Materialstärke der

Schirmplatte sind. Der radial äußere Rand der Schirmplatte bildet eine Über- stromkante aus, über welche in den Spalt eingespeistes Prozessgas strömen kann die Überstromkante grenzt an einen Ringspalt zu einem Begrenzungsele- ment, das von einer Seitenwand ausgebildet ist, die den durch den Ringspalt tretenden Gasstrom in einen Gasauslassring leiten kann.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

[0017] Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand bei- gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen: Fig. 1 schematisch einen CVD-Reaktor 1 mit einem darin angeordne- ten Gaseinlassorgan 2 und einem Suszeptor 3, wobei sich zwi- schen Gaseinlassorgan 2 und Suszeptor 3 eine Schirmplatte 10 befindet, die eine Prozesskammer 11 nach oben hin begrenzt, Fig. 2 vergrößert den Ausschnitt II in Figur 1,

Fig. 3 vergrößert den Ausschnitt III in Figur 2,

Fig. 4 eine Darstellung des Eingerichtes eines CVD-Reaktors 1 gemäß

Figur 1, jedoch mit einer Schirmplatte 10 eines zweiten Ausfüh- rungsbeispiels und

Fig. 5 eine Darstellung gemäß Figur 4 mit einer Schirmplatte 10 eines dritten Ausführungsbeispiels.

Beschreibung der Ausführungsformen

[0018] Der CVD-Reaktor 1 besteht aus einem gasdichten und druckdichten Edelstahlgehäuse. Durch einen Gaseinlass 6 kann ein in einem Inertgas trans- portiertes Prozessgas in eine Gasverteilkammer 2' eines Gaseinlassorganes 2 eingespeist werden. Das Gaseinlassorgan 2 kann auch mehrere Gasverteilkam- mern 2' aufweisen, so dass voneinander verschiedene Prozessgase in vonei- nander verschiedene Gasverteilkammern 2' eingespeist werden können. Beim Ausführungsbeispiel ist der Einfachheit halber lediglich eine Gasverteilkammer 2' dargestellt. Aus der Gasverteilkammer 2' kann das Prozessgas durch eine Vielzahl von duschkopfartig angeordneten Gasdurchtrittskanälen 12 austreten. Die Gasdurchtrittskanäle 12 besitzen zwei voneinander wegweisende Öffnun- gen. Eine Gaseintrittsöffnung 12" grenzt an das Gasverteilvolumen 2' und eine Gasaustrittsöffnung 12' grenzt an eine Gasaustrittsfläche 8' einer Deckenplatte 8 des Gaseinlassorganes 2 an.

[0019] Die Deckenplatte 8 bildet eine Gasaustrittsfläche 8' aus, in der die Gasaustrittsöffnungen 12' münden. Auf der der Gasaustrittsfläche 8' abge- wandten Seite befindet sich eine Kühlmittel- Aufnahmekammer 13, durch die ein Kühlmittel, beispielsweise Kühlwasser, hindurchströmen kann, um die von der Deckenplatte 8 ausgebildete Gasaustrittsplatte auf Temperaturen unter 300°C, unter 200°C und insbesondere auf ca. 100°C oder weniger zu kühlen.

[0020] In dem Reaktorgehäuse 1 befindet sich eine Heizeinrichtung 4, die eine RF-Heizung oder IR-Heizung oder dergleichen sein kann. In dieser Heizeinrich- tung 4 wird ein insbesondere aus beschichtetem Graphit bestehender Suszeptor 3 auf eine Suszeptortemperatur von beispielsweise über 1000°C auf geheizt. Auf einer zur Prozesskammer 11 weisenden Oberseite des Suszeptors 3 befinden sich ein oder mehrere mit einer dünnen Schicht zu beschichtende Substrate 9.

[0021] Die Prozesskammer 11 wird nach oben hin durch eine Schirmplatte 10 aus beispielsweise Graphit und insbesondere beschichtetem Graphit begrenzt. Die Schirmplatte 10 kann aber auch aus einem keramischen Material oder aus Quarz bestehen. Die Schirmplatte 10 weist einen kreisrunden Grundriss auf.

Der Suszeptor 3 kann etwa dieselbe Größe wie die Deckenplatte 10 aufweisen und besitzt ebenfalls bevorzugt einen kreisförmigen Grundriss.

[0022] Die Schirmplatte 10 besitzt eine Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen 15. Eine nach oben weisende Öffnung 15' des Gasdurchtrittskanals 15 weist zu einem Spalt 17 zwischen der Gasaustrittsfläche 8' der Deckenplatte 8. Eine da- von wegweisende Öffnung 15' bildet eine Gasaustrittsöffnung zum Austritt des von dem Inertgas transportierten Prozessgases in die an eine Gasaustrittsfläche 14 angrenzende Prozesskammer 11. Eine Rückseite 16 der Schirmplatte 10 liegt somit um eine Spalthöhe S von der Gasaustrittsfläche 8' der Deckenplatte 8 be- abstandet.

[0023] Es bilden sich somit eine erste, in einer Ebene verlaufende Gasaustritts- fläche 14 und eine zweite ebenfalls in einer Ebene verlaufende Gasaustrittsflä- che 8' aus. Mit der Bezugsziffer 7 ist ein ringförmiges Begrenzungselement be- zeichnet, welches auch als Strömungsleitmittel wirken kann, um das in die Pro- zesskammer eingespeiste Prozessgas über den Rand des Suszeptors 3 hin zu einem Gasauslass 5 zu leiten, an dem eine nicht dargestellte Vakuumpumpe und eine Gasreinigungseinrichtung angeschlossen ist.

[0024] Das Begrenzungselement 7 kann am Gaseinlassorgan 2 befestigt sein.

[0025] Bei dem in den Figuren 1 bis 3 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel ist die Rückseite 16 der Schirmplatte 10 bis auf einen Randbereich 18 eben aus- gebildet. Im Zentralbereich radial innerhalb des Randbereichs 18 besitzt die Schirmplatte 10 somit eine gleichbleibende Materialstärke im Bereich zwischen 5 mm und 7,5 mm. Sie ist in diesem Bereich um die Spalthöhe S von etwa 0,5 mm von der Deckenplatte 8 beabstandet.

[0026] Im Randbereich 18 verjüngt sich die Materialstärke der Schirmplatte 10 unter Ausbildung einer keilförmigen Ringschräge zum radial äußersten Rand hin. Hierdurch formt der Randbereich 18 eine Vertiefung und eine Zone mit einer unterschiedlichen Wärmetransporteigenschaft durch die Schirmplatte 10. Die Temperatur des Randes der Schirmplatte 10 kann dadurch beeinflusst und insbesondere erhöht werden. [0027] Bei dem in der Figur 4 dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich die Gasaustrittsfläche 14 der Schirmplatte 10 ebenfalls in einer Ebene. Die Rück- seite 16 erstreckt sich im Wesentlichen ebenfalls in einer Parallelebene dazu. Die Rückseite 16 besitzt jedoch Zonen 19, die von lokalen Erhebungen ausgebildet sind. Im Bereich der lokalen Erhebungen 19 besitzt die Schirmplatte 10 eine größere Materialstärke als in dem die Erhebungen 19 umgebenden Bereich.

[0028] Bei dem in der Figur 5 dargestellten Ausführungsbeispiel sind anstelle der in der Figur 4 dargestellten Erhebungen 19 Vertiefungen 20 vorgesehen. Die Vertiefungen 20 in Figur 5 beziehungsweise die Erhebungen 19 in Figur 4 kön- nen kreisförmig sein.

[0029] Die Vertiefungen 20 beziehungsweise Erhebungen 19 in den in den Fi- guren 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispielen befinden sich an den Orten, wo unterhalb der Schirmplatte 10 Substrate 9 auf dem Suszeptor 3 angeordnet sind. [0030] Bei allen Ausführungsbeispielen besitzt die Schirmplatte 10 bevorzugt siebartig beziehungsweise duschkopfartig angeordnete Gasdurchtrittsöffnun- gen 15, durch die das Prozessgas, welches aus den Gasdurchtrittsöffnungen 12 in den Spalt 17 eingetreten ist, in die Prozesskammer 11 eintreten kann.

[0031] Bei dem in den Figuren 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Gasdurchtrittskanäle 15 der Schirmplatte 10 versetzt zu den Gasdurchtritts- kanälen 12 des Gaseinlassorganes 2 angeordnet. Bei den in den Figuren 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispielen fluchten die Gasdurchtrittskanäle 15 mit den Gasdurchtrittskanälen 12. [0032] Die Materialstärke d der Schirmplatte 10 kann im Bereich von 3 bis 12 mm liegen. Bevorzugt kann die Materialstärke d zwischen 5 und 7,5 mm lie- gen. Die Spalthöhe S kann im Bereich von 0,3 bis 1 mm, bevorzugt bei 0,5 mm liegen. Die Tiefe a der Vertiefung kann im Bereich zwischen 0,46 mm und 0,9 mm liegen. Entsprechend kann auch das Maß der Erhöhung im Bereich zwi- schen 0,46 und 0,9 mm liegen.

[0033] Das Maß der Erhöhung oder der Vertiefung kann gemäß einer Alterna- tiven aber auch zwischen 0,5 und 1,2 mm liegen.

[0034] Die Figuren 2 und 3 zeigen mit der Bezugsziffer L eine gedachte Zylin- dermantelfläche, die sich um den kreisförmigen Suszeptor 3 erstreckt. Der

Durchmesser der Zylindermantelfläche L entspricht dem Durchmesser des Sus- zeptors 3, so dass die Prozesskammer 11 von der Mantelfläche L umgeben ist. Die Schirmplatte 10 bildet eine Ringzone 18 aus, in der die Rückseite 16 geneigt verläuft. Die Ringzone 18 besitzt eine zur Deckenplatte 8 weisende Konusflä- che, die sich sowohl über einen radial inneren Bereich F als auch über einen ra- dial äußeren Bereich G erstreckt. Zwischen den beiden Bereichen F und G er- streckt sich die Zylindermantelfläche L, so dass der im Querschnitt keilförmig verlaufende Randbereich der Schirmplatte sich sowohl innerhalb der Prozess- kammer 11 als auch außerhalb der Prozesskammer 11 befindet. Der radial inne- re Bereich F erstreckt sich vertikal oberhalb des Randes 3 des Suszeptors. Der radial außen liegende Bereich G erstreckt sich vertikal oberhalb eines den Sus- zeptor 3 umgebenden Gasaustrittskanals. An der Randkante der Schirmplatte ist deren Dicke gegenüber ihrer Dicke im Zentralbereich um 0,3 bis 1,2 mm oder um 0,46 bis 0,9 mm vermindert. [0035] Die Rückseite 16 verläuft in einem von der Ringzone 18 umgebenen Zentralbereich in einer Ebene, die parallel zur Gasaustrittsfläche 14 und parallel zur Gasaustrittsfläche 8' verläuft. Der Spalt 17 erstreckt sich somit sowohl über den Zentralbereich als auch über die Ringzone 18 der Schirmplatte 10, so dass aus den Austritts Öffnungen 12' austretendes Prozessgas auch in den Abschnitt des Spaltes 17 strömen kann, der sich über der Ringzone 18 erstreckt.

[0036] Im im Querschnitt keilförmigen Bereich der Ringzone 18 befinden sich Gasdurchtrittskanäle 15, so dass in den oberhalb der Ringzone 28 angeordneten Spalt 17 eingetretenes Prozessgas durch eine Austrittsöffnung 15' in die Pro- zesskammer 11 eintreten kann, die der Ringzone 18 zugeordnet ist.

[0037] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu- mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän- dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinatio- nen auch kombiniert sein können, nämlich:

[0038] Einen CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirm- platte 10 eine von einem Abstand zwischen Gasaustrittsfläche 14 und Rücksei- tenebene definierte Materialstärke d im Bereich von 3 bis 12 mm aufweist und dass die Schirmplatte 10 von einer von der Deckenplatte ) ausgebildeten zwei- ten Gasaustrittsfläche 8' durch einen von einem Abstand zwischen der zweiten Gasaustrittsfläche 8' und der Rückseitenebene definierten Spalt 17 mit einer Spalthöhe s in einem Bereich von 0,3 bis 1 mm beabstandet ist.

[0039] Eine Schirmplatte, dir dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmplat- te 10 eine von einem Abstand zwischen Gasaustrittsfläche 14 und Rückseiten- ebene definierte Materialstärke d im Bereich von 3 bis 12 mm aufweist und dass die maximale Tiefe der Vertiefung oder die maximale Höhe der Erhöhung ge- genüber der Rückseitenebene im Bereich zwischen 0,46 und 0,9 mm liegt oder zwischen 0,5 und 1,2 mm liegt.

[0040] Ein Verfahren, dass dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmplatte 10 eine von einem Abstand zwischen Gasaustrittsfläche 14 und Rückseitenebe- ne definierte Materialstärke d im Bereich von 3 bis 12 mm aufweist und die Rückseite 16 der Schirmplatte 10 von der Deckenplatte 8 durch einen Spalt 17 mit einer Spalthöhe s in einem Bereich von 0,3 bis 1 mm beabstandet ist.

[0041] Einen CVD-Reaktor oder eine Schirmplatte oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Vertiefung von der Ringzone 18 ausgebil- det ist, deren Rückseitenfläche eine Konusfläche ist, sodass die Schirmplatte 10 in der Ringzone eine zum Rand hin keilförmig abfallende Materialstärke be- sitzt.

[0042] Einen CVD-Reaktor oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Rückseite 16 der Schirmplatte 10 in der Zentralzone eben ist und einen Abstand mit einer konstanten Spalthöhe s zur zweiten Gasaustrittsfläche 8' der Deckenplatte 8 aufweist.

[0043] Einen CVD-Reaktor, eine Schirmplatte oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mindestens eine Vertiefung 18, 20 oder Erhebung 19 in der Zentralzone und vom Rand der Schirmplatte 10 beabstandet angeordnet ist oder dass die Vertiefungen 18,20 oder Erhebungen 19 der Zentralzone zuge- ordnet und vom Rand der Schirmplatte 10 beabstandet sind. [0044] Einen CVD-Reaktor oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Vertiefungen 18, 20 oder Erhöhungen 19 lokale Strukturen sind, die sich vertikal oberhalb jeweils eines Substrates 9 erstrecken.

[0045] Einen CVD-Reaktor oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Austrittsöffnungen 12' der Deckenplatte 8 mit Gasdurchtrittskanä- len 15 der Schirmplatte 10 fluchten oder versetzt zu den Gasdurchtrittskanälen 15 angeordnet sind.

[0046] Einen CVD-Reaktor oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein radial äußerster Rand des Suszeptors 3 eine Begrenzungslinie L definiert und ein radial innerer Bereich F der im Querschnitt keilförmig verlau- f enden Ringzone 18 radial einwärts der Begrenzungslinie L und ein radial äu- ßerer Bereich G der Ringzone 18 radial auswärts der Begrenzungslinie L ver- läuft.

[0047] Einen CVD-Reaktor oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet, dass der radial innere Bereich F und der radial äußere Bereich G radiale Erstre- ckungen besitzen, die maximal 50 Prozent, 30 Prozent, 20 Prozent oder

10 Prozent voneinander verschieden sind.

[0048] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass durch die Gasaus- trittsöffnungen 12' austretendes Prozessgas im Spalt 17 zwischen der zweiten Gasaustrittsfläche 8' und der Rückseite 16 verteilt wird und in einen sich ober- halb der Ringzone 18 erstreckenden Bereich des Spaltes eintritt und durch zu- mindest einen in der Ringzone 18 angeordneten Gasdurchtrittskanal 15 in die Prozesskammer 11 eintritt. [0049] Einen CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass sich der Spalt 17 zwischen der zweiten Gasaustrittsfläche 8' und der Rückseite 16 bis über die Ringzone 18 erstreckt, sodass durch die Gasaustrittsöffnungen 12' aus- tretendes Prozessgas im Spalt verteilt wird und durch zumindest einen in der Ringzone 18 angeordneten Gasdurchtrittskanal 15 in die Prozesskammer 11 eintreten kann.

[0050] Einen CVD-Reaktor oder ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Deckenplatte 8 unmittelbar an eine Kühlmittel- Aufnahmekammer 13 angrenzt, durch welche in Austritts Öffnungen 12' mündende Gasdurchtritts- kanäle 12 hindurchtreten.

[0051] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritäts- Unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An- meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe- sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Er- findung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorste- henden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson- dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön nen. Liste der Bezugszeichen

1 CVD-Reaktor 19 Erhebung

2 Gaseinlassorgan 20 Vertiefung

2' Gasverteilvolumen

3 Suszeptor

4 Heizeinrichtung

5 Gasauslass

6 Gaseinlass

7 Begrenzungselement

8 Deckenplatte S Spalthöhe

8' Gasaustrittsfläche

9 Substrat a Tiefe

10 Schirmplatte d Materialstärke

11 Prozesskammer

12 Gasdurchtrittskanal

12' Austrittsöffnung

12" Eintrittsöffnung

13 Kühlmittel- Aufnahmekammer

14 Gasaustrittsfläche

15 Gasdurchtrittskanal

15' Austrittsöffnung

15" Eintrittsöffnung

16 Rückseite

17 Spalt

18 Randbereich/ Vertiefung/

Ringzone