韩承佑 (中国北京市经济技术开发区西环中路8号, Beijing 6, 100176, CN)
北京京东方光电科技有限公司 (中国北京市经济技术开发区西环中路8号, Beijing 6, 100176, CN)
HAN, Seung Woo (No. 8 Xihuanzhonglu, BDA, Beijing 6, 100176, CN)
| 权利要求书 1、 一种移位寄存器， 包括至少两个移位寄存器单元， 并且其中一个移位 寄存器单元包括： 升高信号薄膜晶体管， 其接收第一时钟信号， 在导通状态下向输出端输 出高电压信号； 升高驱动第一薄膜晶体管， 其接收帧起始信号或者另一个移位寄存器单 元的输出信号导通升高信号薄膜晶体管； 升高驱动第二薄膜晶体管， 其接收复位信号或者另一个移位寄存器的输 出信号导通升高信号薄膜晶体管； 降低信号第一薄膜晶体管， 其接收复位信号或者另一个移位寄存器的输 出信号， 在导通状态下向输出端输出低电压信号； 降低驱动第一薄膜晶体管， 其接收第二时钟信号导通降低信号薄膜晶体 管； 降低驱动第二薄膜晶体管， 其接收第三时钟信号导通降低信号薄膜晶体 管； 降低信号第二薄膜晶体管，其接收降低驱动第一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号； 降低信号第三薄膜晶体管，其接收降低驱动第一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号； 关闭驱动第一薄膜晶体管，其接收升高驱动第一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下截止降低信号第二薄膜晶体管和降低信号第三薄膜晶体管； 降低信号第四薄膜晶体管，其接收降低驱动第二薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号； 降低信号第五薄膜晶体管，其接收降低驱动第二薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号； 关闭驱动第二薄膜晶体管，在接收升高驱动第一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下截止降低信号第四薄膜晶体管和降低信号第五薄膜晶体管， 并且与所述移位寄存器单元相邻的另一个移位寄存器单元的升高信号薄 膜晶体管、 降低驱动第一薄膜晶体管、 降低驱动第二薄膜晶体管分别接收第 四时钟信号、 第五时钟信号、 第六时钟信号。 2、根据权利要求 1所述的移位寄存器， 其中， 所述移位寄存器单元还包 括辅助第一薄膜晶体管和辅助第二薄膜晶体管， 分别接收升高驱动第一薄膜 晶体管的输出信号， 在导通状态下释放降低驱动第一薄膜晶体管和降低驱动 第二薄膜晶体管的电荷。 3、根据权利要求 1所述的移位寄存器， 其中， 所述移位寄存器单元还包 括辅助第三薄膜晶体管、 辅助第四薄膜晶体管和辅助第五薄膜晶体管， 分别 接收第一时钟信号、 第二时钟信号和第三时钟信号， 在导通状态下减少升高 信号薄膜晶体管、 降低驱动第一薄膜晶体管和降低驱动第二薄膜晶体管的偏 执作用。 4、根据权利要求 1所述的移位寄存器， 其中， 所述移位寄存器单元还包 括一电容，其两端分别与所述升高驱动第一薄膜晶体管的漏极和输出端连接。 5、根据权利要求 1所述的移位寄存器， 其中， 所述移位寄存器单元接收 的第二时钟信号、 第三时钟信号是隔一帧轮流输出时钟信号。 6、根据权利要求 1所述的移位寄存器， 其中， 所述移位寄存器单元接收 的第五时钟信号、 第六时钟信号是隔一帧轮流输出时钟信号。 7、 包括根据权利要求 1所述的移位寄存器的液晶显示器栅极驱动装置。 8、 包括根据权利要求 1 所述的移位寄存器的液晶显示器数据线驱动装 置。 |
本发明涉及一种移位寄存器、 液晶显示器栅极驱动装置和数据线驱动装 置。 背景技术
现有技术中的移位寄存器单元， 包括用于输出驱动信号的信号输出端。 驱动信号为高电平时， 移位寄存器单元控制一行薄膜晶体管导通； 驱动信号 为低电平时， 移位寄存器单元控制一行薄膜晶体管截止。
液晶显示器通常采用逐行扫描的方式， 当扫描到某一行或某一列时， 相 应的移位寄存器单元输出高电平的驱动信号， 其余的移位寄存器输出低电平 的驱动信号， 可见， 对于一个移位寄存器单元来说， 大部分时间驱动信号为 低电平。
在驱动信号为低电平期间， 驱动信号很容易受到输入的时钟信号的千扰 而产生噪声。 为了抑制噪声， 移位寄存器单元通常包括用于在驱动信号为低 电平期间将驱动信号拉低的降低信号薄膜晶体 管。 与降低信号薄膜晶体管的 栅极连接的结点控制降低信号薄膜晶体管导通 ， 从而能够拉低信号输出端的 栅极驱动信号的电平。
现有技术中的移位寄存器单元存在的问题是： 通常与降低信号薄膜晶体 管的栅极连接的节点大部分时间保持高电平， 这样大部分时间降低信号薄膜 晶体管保持导通， 从而使得降低信号薄膜晶体管的阈值电压产生 较大偏移。 如果降低信号薄膜晶体管的阈值电压不断升高 ， 会导致降低信号薄膜晶体管 无法导通， 从而无法起到抑制噪声的作用， 影响整个移位寄存器的性能。 发明内容
本发明的实施例提供一种移位寄存器， 包括： 至少两个移位寄存器单元， 其中一个移位寄存器单元包括：
升高信号薄膜晶体管， 其接收第一时钟信号， 在导通状态下向输出端输 出高电压信号；
升高驱动第一薄膜晶体管， 其接收帧起始信号或者另一个移位寄存器单 元的输出信号导通升高信号薄膜晶体管；
升高驱动第二薄膜晶体管， 其接收复位信号或者另一个移位寄存器的输 出信号导通升高信号薄膜晶体管；
降低信号第一薄膜晶体管， 其接收复位信号或者另一个移位寄存器的输 出信号， 在导通状态下向输出端输出低电压信号；
降低驱动第一薄膜晶体管， 其接收第二时钟信号导通降低信号薄膜晶体 管；
降低驱动第二薄膜晶体管， 其接收第三时钟信号导通降低信号薄膜晶体 管；
降低信号第二薄膜晶体管 ,其接收降低驱动第一薄膜晶体管的输出信号 在导通状态下降低输出端的输出信号；
降低信号第三薄膜晶体管，其接收降低驱动第 一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号；
关闭驱动第一薄膜晶体管，其接收升高驱动第 一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下截止降低信号第二薄膜晶体管和 降低信号第三薄膜晶体管； 降低信号第四薄膜晶体管，其接收降低驱动第 二薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号；
降低信号第五薄膜晶体管，其接收降低驱动第 二薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号；
关闭驱动第二薄膜晶体管，在接收升高驱动第 一薄膜晶体管的输出信号， 在导通状态下截止降低信号第四薄膜晶体管和 降低信号第五薄膜晶体管， 并且与上述移位寄存器单元相邻的另一个移位 寄存器单元的升高信号薄 膜晶体管、 降低驱动第一薄膜晶体管、 降低驱动第二薄膜晶体管分别接收第 四时钟信号、 第五时钟信号、 第六时钟信号。
下面通过具体实施例并结合附图对本发明故进 一步的详细描述。 附图说明
图 la所示为本发明移位寄存器单元结构示意图; 图 lb所示为图 1所示的移位寄存器单元的输入输出时序图；
图 2a所示为本发明另一移位寄存器单元结构示意 ；
图 2b所示为图 3所示的另一移位寄存器单元的输入输出时序 。 具体实施方式
本发明的实施例公开了一种移位寄存器， 该移位寄存器包括至少两个移 位寄存器单元。
如图 la所示，本发明实施例的移位寄存器的至少一 移位寄存器单元包 括： 升高信号薄膜晶体管 T3 , 其接收第一时钟信号 CLK, 在导通状态下向 输出端输出高电压信号； 升高驱动第一薄膜晶体管 T1 , 其接收帧起始信号或 者上一个移位寄存器单元的输出信号导通升高 信号薄膜晶体管 T3;升高驱动 第二薄膜晶体管 T2,其接收下一个移位寄存器的输出信号导通升 高信号薄膜 晶体管 T3; 降低信号第一薄膜晶体管 T4， 其接收下一个移位寄存器的输出 信号，在导通状态下向输出端输出低电压信号 ；降低驱动第一薄膜晶体管 Τ5, 其接收第二时钟信号 CLKB1导通降低信号第二薄膜晶体管 T10和降低信号 第三薄膜晶体管 T11 ; 降低驱动第二薄膜晶体管 T5-1 , 其接收第三时钟信号 CLKB2 导通降低信号第四薄膜晶体管 T10-1 和降低信号第五薄膜晶体管 T11-1 ; 降低信号第二薄膜晶体管 T10, 其接收降低驱动第一薄膜晶体管 Τ5 的输出信号， 在导通状态下降低输出端的输出信号； 降低信号第三薄膜晶体 管 T11 ,其接收降低驱动第一薄膜晶体管 Τ5的输出信号，在导通状态下降低 输出端的输出信号； 降低信号第四薄膜晶体管 T10-1,其接收降低驱动第二薄 膜晶体管 T5-1的输出信号，在导通状态下降低输出端得 出信号； 关闭驱动 第一薄膜晶体管 Τ6， 其接收升高驱动第一薄膜晶体管 T1的输出信号， 在导 通状态下截止降低信号第二薄膜晶体管 T10 和降低信号第三薄膜晶体管 T11 ; 关闭驱动第二薄膜晶体管 T6-l， 在接收升高驱动第一薄膜晶体管 T1 的输出信号， 在导通状态下截止降低信号第四薄膜晶体管 T10-1和降低信号 第五薄膜晶体管 Tl l-1。
如图 2a所示，本发明实施例的移位寄存器的另一移 寄存器单元的升高 信号薄膜晶体管 t 3、 降低驱动第一薄膜晶体管 t5、 降低驱动第二薄膜晶体管 t5-l 分别接收第四时钟信号 CLKB、 第五时钟信号 CLK1、 第六时钟信号 CLK2. 本发明实施例的提供的移位寄存器单元接收的 第二时钟信号、 第三时钟 信号是隔一帧轮流输出时钟信号。
本发明实施例提供的移位寄存器单元接收的第 五时钟信号、 第六时钟信 号是隔一帧轮流输出时钟信号。
需要说明的是， 对于液晶显示领域的所使用的薄膜晶体管来说 ， 漏极和 源极可以互换， 所以本发明实施例中所提到的薄膜晶体管的源 极可以为薄膜 晶体管的漏极， 薄膜晶体管的漏极也可以为薄膜晶体管的源极 。
下面结合图 la和图 lb, 来说明本发明实施例的移位寄存器单元的工作 原理。
选择图 lb所示时序图的第一帧一部分并选择其中前 2个阶段，在第一阶 段， 输入信号 (INPUT)信号为帧起始信号 （STV )是高电平， 升高驱动第一 薄膜晶体管 T1导通， PU节点电压升高； 关闭驱动第一薄膜晶体管 T6、 关 闭驱动第二薄膜晶体管 T6-1导通， 使 PD1、 PD2节点电压为低电平， 因此 降低信号第二薄膜晶体管 T10、 降低信号第三薄膜晶体管 Til截止； 辅助薄 膜晶体管 T8、 T8-1导通， 释放降低驱动第一薄膜晶体管 Τ5、 降低驱动第二 薄膜晶体管 T5-1的电荷； 升高信号薄膜晶体管 Τ3导通， 此时第一时钟信号 CLK为高电平， 因此信号输出端 （OUT )输出信号 （OUTPUT ) 为高电平， 复位信号输入端 （RESETIN )输入信号（RESET )为低电平， 升高驱动第二 薄膜晶体管 T2、 降低信号第一薄膜晶体管 Τ4截止。
在第二阶段， 输入信号 (INPUT)信号为低电平， 升高驱动第一薄膜晶体 管 T1截止； 复位信号 （RESET ) 为高电平， 升高驱动第二薄膜晶体管 T2、 降低信号第一薄膜晶体管 Τ4导通， PU节点释放电荷， 变为低电平， 信号输 出端 （OUT )输出信号 （OUTPUT )在降低信号第一薄膜晶体管 T4 的拉低 作用下变为低电平； 第二时钟信号（CLKB1 )为高电平， 降低驱动第一薄膜 晶体管 T5导通， PD1节点升高， 使降低信号第二薄膜晶体管 T10、 降低信 号第三薄膜晶体管 T11导通， 信号输出端 （OUT )输出信号 （OUTPUT )在 降低信号第二薄膜晶体管 T10、 降低信号第三薄膜晶体管 T11的拉低作用下 变为低电平， 因此降低驱动薄膜晶体管的占空比比现有降低 驱动薄膜晶体管 的占空比降低， 能有效防止降低驱动薄膜晶体管的偏执作用。 即使得降低信 号第一薄膜晶体管 Τ4、 降低信号第二薄膜晶体管 Τ10、 降低信号第三薄膜晶 体管 Ti l能够起到抑制噪声的作用， 保证移位寄存器单元的可靠性。
选择图 lb所示时序图的第二帧一部分并选择其中前 2个阶段，在第一阶 段， 输入信号 (INPUT)信号为帧起始信号 （STV )是高电平， 升高驱动第一 薄膜晶体管 T1导通， PU节点电压升高； 关闭驱动第一薄膜晶体管 T6、 关 闭驱动第二薄膜晶体管 T6-1导通， 使 PD1、 PD2节点电压为低电平， 因此 降低信号第二薄膜晶体管 T10、 降低信号第三薄膜晶体管 Til截止； 辅助薄 膜晶体管 T8、 T8-1导通， 释放降低驱动第一薄膜晶体管 T5、 低驱动第二 薄膜晶体管 T5-1的电荷； 升高信号薄膜晶体管 T3导通， 此时第一时钟信号 CLK为高电平， 因此信号输出端 （OUT )输出信号 （OUTPUT ) 为高电平， 复位信号输入端 （RESETIN )输入信号（RESET )为低电平， 升高驱动第二 薄膜晶体管 T2、 降低信号第一薄膜晶体管 Τ4截止。
在第二阶段， 输入信号 (INPUT)信号为低电平， 升高驱动第一薄膜晶体 管 T1截止； 复位信号 （RESET ) 为高电平， 升高驱动第二薄膜晶体管 T2、 降低信号第一薄膜晶体管 Τ4导通， PU节点释放电荷， 变为低电平， 信号输 出端 （OUT )输出信号 （OUTPUT )在降低信号第一薄膜晶体管 T4 的拉低 作用下变为低电平； 第三时钟信号（CLKB1 )为高电平， 降低驱动第二薄膜 晶体管 T5-1导通， PD2节点升高， 使降低信号第四薄膜晶体管 T10-l、 降低 信号第五薄膜晶体管 T11-1导通， 信号输出端（OUT )输出信号（OUTPUT ) 在降低信号第四薄膜晶体管 T10-l、 降低信号第五薄膜晶体管 T11-1 的拉低 作用下变为低电平， 因此降低驱动薄膜晶体管的占空比比现有降低 驱动薄膜 晶体管的占空比降低， 能有效防止降低驱动薄膜晶体管的偏执作用。 即使得 降低信号第一薄膜晶体管 Τ4、 降低信号第四薄膜晶体管 T10-l、 降低信号第 五薄膜晶体管 T11-1能够起到抑制噪声的作用， 保证移位寄存器单元的可靠 性。
在上述移位寄存器的工作过程中辅助第一薄膜 晶体管 Τ8和辅助第二薄 膜晶体管 T8-1 , 分别接收升高驱动第一薄膜晶体管 T1的输出信号， 在导通 状态下释放降低驱动第一薄膜晶体管 Τ5和降低驱动第二薄膜晶体管 T5-1的 电荷;辅助第三薄膜晶体管 Τ7、辅助第四薄膜晶体管 Τ9和辅助第五薄膜晶体 管 T9-1 , 分别接收第一时钟信号 CLK、 第二时钟信号 CLKB1和第三时钟信 号 CLKB2, 在导通状态下减少升高信号薄膜晶体管 T3、 降低驱动第一薄膜 晶体管 T5和降低驱动第二薄膜晶体管 T5-1的偏执作用。
在上述移位寄存器单元中的电容 C1 的两端分别与升高信号薄膜晶体管
Τ3的栅极和信号输出端 （OUT )连接， 在移位寄存器单元工作时， PU结点 处的信号的电平， 由于第一电容 C1的耦合作用， 可以升到较高的高电平。
图 2a所示为本发明实施例的另一移位寄存器单元 构示意图； 图 2b所示为图 3所示的另一移位寄存器单元的输入输出时序 。
如图 2a、2b所示的另一移位寄存器的工作原理与上 移位寄存器的工作 原理类似， 此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种包括上述移位寄存 器的液晶显示器的栅驱动 装置及数据线驱动装置 （此部分未画出） ， 该栅驱动装置及数据线驱动装置 可设置在液晶显示器的显示面板上。
本发明实施例提供的移位寄存器是降低驱动薄 膜晶体管的占空比， 有效 防止降低驱动薄膜晶体管的偏执作用， 从而保证移位寄存器单元的可考性。
最后应说明的是： 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对其 限制； 尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说 明， 本领域的普通技术 人员应当理解： 其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案 进行修改， 或 者对其中部分技术特征进行等同替换； 而这些修改或者替换， 并不使相应技 术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的 精神和范围。
Next Patent: STARTING DEVICE FOR ENRICHING-VALVE TYPE CARBURETOR