以下に、本発明の実施の形態を図、表、� ��、実施例等を使用して説明する。なお、こ� ��らの図、表、式、実施例等および説明は本� ��明を例示するものであり、本発明の範囲を� ��限するものではない。本発明の趣旨に合致� ��る限り他の実施の形態も本発明の範疇に属� ��得ることは言うまでもない。

  〔シリコン系絶縁膜のエッチング後処理� �〕
 本発明に係るシリコン系絶縁膜のエッチン� ��後処理剤は、(1)アンモニア系塩基およびア� ��ン化合物からなる群から選ばれた、少なく� ��も一種の窒素含有物質、(2)酸、(3)少なくと� ��一種のケイ素と炭素と水素とを含んでなる� ��イ素含有化合物、および、(4)任意的に界面� ��性剤、を含有する。

 本発明により、エッチングにおけるシリ� ��ン系絶縁膜の誘電率の増加を抑制すること� ��できる。また、エッチング後の表面に、バ� ��アメタル等を成膜した場合における膜剥が� ��や不均一な成膜を抑制でき、均一で密着性� ��よい膜を形成することができる。

 別の観点からは、本発明により、エッチ� ��グに起因する損傷を回復できる技術やエッ� ��ング残渣を効率よく洗浄できる技術が得ら� ��る。

 本発明に係るシリコン系絶縁膜のエッチ� ��グ後処理剤は、半導体装置の製造における� ��種シリコン系絶縁膜のエッチング後の処理� ��として好ましく使用することができる。こ� ��ようにして得られる半導体装置は、低誘電� ��を実現でき、また、シリコン系絶縁膜とそ� ��上層との密着性も良好な半導体装置となる� ��このため、シリコン系絶縁膜をエッチング� ��る工程を有する半導体装置等の製品の品質� ��向上させ、高速で信頼性の高い半導体装置� ��実現でき、その製造歩留まりを向上させる� ��とができる。

 なお、本発明において、「エッチングに� ��因する損傷」とは、エッチングの結果、エ� ��チングされた表面が親水化することに伴う� ��考えられる誘電率の悪化(上昇)現象を意味� �る。また、この損傷を「回復する」とは、� �旦上昇した誘電率を低下させることを意味� �る。

 上記の窒素含有物質と上記のケイ素含有� ��合物とを含有する水溶液でエッチング後の( 例えば配線層の)シリコン系絶縁膜を処理す� �と、エッチングの損傷を回復でき、更には� �ッチング残渣を洗浄除去できることが見出� �れた。これは、窒素含有物質がエッチング� �渣の洗浄機能を有すると共に、ケイ素含有� �合物から生じるシラノール結合を安定化し� �このシラノール結合が、エッチングにより� �傷を受けたシリコン系絶縁膜表面のシラノ� �ル基の親水性基と脱水縮合する結果、シリ� �ン系絶縁膜表面の親水性基による水の吸着� �抑制できるようになるためではないかと考� �られる。

 エッチングにおけるシリコン系絶縁膜の� ��電率の増加は、エッチングによりシリコン� ��絶縁膜が何らかの損傷を受け、その表面が� ��水化されることおよび、エッチング残渣の� ��在により起こるものと考えられているが、� ��発明に係るエッチング後処理剤はそのいず� ��の解消にも使用できる。エッチング残渣の� ��在は、シリコン系絶縁膜とその上層との間� ��密着性の劣化や、膜剥がれや、シリコン系� ��縁膜の上の層の不均一な膜厚に起因すると� ��われるバリアメタルのバリア機能不足によ� ��配線金属のマイグレーション等の欠点を生� ��得るが、その解消にも使用できる。すなわ� ��、本発明に係るエッチング後処理剤は、エ� ��チングによる損傷を回復するためにも、エ� ��チング残渣を洗浄するためにも使用するこ� ��ができる。

 本発明に係るエッチング後処理剤におけ� ��「処理」とは、エッチング処理されたシリ� ��ン系絶縁膜表面に本発明に係るエッチング� ��処理剤を接触させることを意味する。本発� ��に係るエッチングにはドライエッチングも� ��エットエッチングも含めることができるが� ��そのドライエッチングの場合には、アッシ� ��グ工程や洗浄工程を伴う場合が多い。そこ� ��、本発明に係るエッチング後処理剤におけ� ��「処理」は、ドライエッチングの場合には� ��アッシング工程の後に行ったり、洗浄工程� ��兼ねたりすることができる。なお、ドライ� ��ッチングについてもウエットエッチングに� ��いても、その他の段階で適宜行うことがで� ��る。

 本発明に係る半導体装置には特に制限は� ��く、公知の半導体装置に本発明に係るエッ� ��ング後処理剤を利用することができる。

 本発明に係るシリコン系絶縁膜は、典型� ��には半導体装置の絶縁膜であるが、特にこ� ��に制限されるわけではない。ここで言う半� ��体装置の絶縁膜とは、半導体装置の製造中� ��おける中間品段階における絶縁膜を意味す� ��。このような絶縁膜は、典型的には配線層� ��基体である絶縁膜であるが、半導体装置に� ��用され、エッチング処理を受けるものなら� ��どのようなものであってもよい。この絶縁� ��が配線層の基体である場合、エッチングは� ��配線用溝等の溝や、ビア穴(ビアホール)等� �穴の形成を指すことになる。この絶縁膜に� �、上記以外の要素が含まれていてもよい。� �お、以下、説明の簡略化のため、「溝、穴� �たは溝と穴の両方」を意味する場合に、単� �「溝等」と記載する場合がある。

 本発明に係るシリコン系絶縁膜はどのよ� ��な用途に使用されるものであってもよいが� ��特に、LSI(Large Scale Integration:大規模集積回� ��)における信号送受信の高速化に対応する意 味から、配線やビアを埋設するための絶縁膜 の用途に使用されるものであることが好まし い。

 本発明に係るシリコン系絶縁膜とは、ケ� ��素と酸素とを主成分とする材料(SiO含有材料 ともいう)、ケイ素と酸素と炭素とを主成分� �する材料(SiOC含有材料ともいう)、ケイ素と� �素と炭素と水素とを主成分とする材料(SiOCH� �有材料ともいう)、ケイ素と酸素と炭素と窒� ��とを主成分とする材料(SiOCN含有材料ともい� ��)または、ケイ素と酸素と炭素と窒素と水素 とを主成分とする材料(SiOCHN含有材料ともい� �)からなる絶縁膜を意味する。これらの、本� ��明に係るシリコン系絶縁膜を構成するシリ� ��ン系絶縁材料は、公知の、SiO含有材料、SiOC 含有材料、SiOCH含有材料、SiOCN含有材料また� �SiOCHN含有材料から適宜選択することができ� �。なお、上記において「主成分とする」と� �、絶縁膜としての機能を損なわない程度に� �の成分が共存していてもよいことを意味す� �。これらの材料、たとえばSiOCH含有材料から なる膜はSiOCH膜と呼ぶ場合がある。

 SiO含有材料からなるシリコン系絶縁膜は、S iO ₂ 系シリコン系絶縁膜ということもでき、SiO ₂ に近い原子組成割合のものを例示できる。こ のような組成としては、具体的には、たとえ ば、スピンコート法により形成されたナノク ラスタリングシリカ(NCS:Nanoclustering Silica:比� �電率は2.25)、CVD(化学的気相成長法)により形� ��されたCarbon Doped SiO ₂ 膜に熱分解性化合物を添加して多孔を形成し たPorous Carbon Doped SiO ₂ 膜(比誘電率は約2.5~3.0程度)が知られている。

 SiOC含有材料またはSiOCH含有材料としては、� ��とえば、原料としてケイ素と炭素とを主鎖� ��含むポリカルボシランや主鎖に酸素も含む� ��リカルボキシシランを使用して作製される� ��のが知られているが、その他任意の原料か� ��作製されたものでもよい。更に、たとえば� ��記のCVDによるCarbon Doped SiO ₂ (比誘電率は約3.3~3.5程度)、スピンコート法に よる有機SOG、無機SOG(比誘電率は約2.7~3.3程度) 等のSiOC含有材料、たとえばCVDによるSiOCH膜(� �誘電率は約4.2~4.5程度)等のSiOCH含有材料が知� ��れている。

 また、SiOCN含有材料またはSiOCHN含有材料� �しては、たとえばCVDによるSiOCHN含有材料が� �られている。

 低誘電率の観点からは、これらのシリコ� ��系絶縁膜形成用材料から形成されるシリコ� ��系絶縁膜は比誘電率が2.7以下であるものが� ��ましい。なお、これらの材料は低誘電率化� ��観点から数~10nm程度の直径の多孔を有して� �ることが多い。

 水分との相互作用の観点からは、SiOC含有 材料、SiOCH含有材料またはSiOCHN含有材料を使� ��する場合にはSiOH基が生じやすいので、本発 明を適用することがより好ましい。本発明は 、シリコン系絶縁膜がSiOCH含有材料を含んで� ��る場合に適用することがとりわけ好ましい� ��

 本発明に係る窒素含有物質は、アンモニ� ��系塩基およびアミン化合物からなる群から� ��ばれる。本発明に係る窒素含有物質は、単� ��物質であっても、単一種の複数の物質の混� ��物であっても、複数種の複数の物質の混合� ��であってもよい。アンモニア系塩基のみで� ��ってもアミン化合物のみであってもアンモ� ��ア系塩基とアミン化合物との混合物であっ� ��もよい。

 本発明に係るアンモニア系塩基には、アン� ��ニアの他、アンモニウムイオンの形態のも� ��も含まれる。すなわち、NH ⁴⁺ や、NH ⁴⁺ の水素のいくつかまたは全部が、置換基を有 していてもよく、脂環基であってもよい脂肪 族基および、置換基を有していてもよい芳香 族基からなる群から選ばれる任意の基で置換 されたものも含まれる。典型的には第四級ア ンモニウムも含まれる。

 このようなものとしては、例えばアンモ� ��ア、水酸化テトラプロピルアンモニウム、� ��酸化テトラ-n-ブチルアンモニウム、水酸化� ��トラメチルアンモニウム等が挙げられる。

 本発明に係るアミン化合物には、第一級~ 第三級アミンが含まれ、窒素に結合する基は 、水素の他、置換基を有していてもよく、脂 環基であってもよい脂肪族基および置換基を 有していてもよい芳香族基からなる群から適 宜選択できる。具体的には、公知の種類のア ミン化合物の中から適宜選択することができ る。アミノ基は一つの化合物中に複数個存在 していてもよい。このようなアミン化合物と しては、メチルアミン、トリメチルアミン、 アニリン、エチレンジアミン,グアニジン,ト� ��エチルアミン、ジエチルアミン、N,N-ジイソ プロピルエチルアミン、トリメチルアミン、 ヘキサメチレンジアミン、テトラメチルエチ レンジアミンを挙げることができる。

 本発明に係る酸は、本発明に係る窒素含� ��物質と相俟って、本発明に係るエッチング� ��処理剤に緩衝作用を与える。このような酸� ��、公知のものから適宜選択できる。本発明� ��係る酸の例としては、例えば、塩酸、硫酸� ��硝酸、次亜塩素酸、塩素酸、過マンガン酸� ��酢酸、フッ酸、リン酸、クエン酸、スルフ� ��ミン酸、シュウ酸、ギ酸、酒石酸、グリコ� ��ル酸等が挙げられる。これらの酸が本発明� ��係るアンモニア系塩基と反応すれば、塩化� ��ンモニウム、硫酸アンモニウム、硝酸アン� ��ニウム、炭酸アンモニウム、次亜塩素酸ア� ��モニウム、塩素酸アンモニウム、過マンガ� ��酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、フッ� ��アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム� ��クエン酸水素二アンモニウム、クエン酸三� ��ンモニウム、スルファミン酸アンモニウム� ��シュウ酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム� ��酒石酸アンモニウム、酒石酸水素アンモニ� ��ム、グリコール酸アンモニウム等が生じる� ��とになる。

 本発明に係る窒素含有物質の水溶性の観� ��からは、本発明に係る窒素含有物質との反� ��の結果中性または弱塩基になるものである� ��とが好ましく、弱塩基になることがより好� ��しい。弱塩基としてはpH7にほぼ一致する程� ��のものでもよい。7を超え10以下の範囲のpH� �なることが更により好ましい。具体的には� �イオンへの電離の観点からフッ酸、リン酸� �ギ酸等の強酸が好ましい。また、配線金属� �腐食しにくい点で、有機酸または任意的に� �腐剤を添加した酸であってもよい。ただし� �緩衝作用を与えること自体は本発明の要件� �はない。

 緩衝作用の観点からは、窒素含有物質と� ��とを共存させた場合に、塩と酸の反応せず� ��残る窒素含有物質と反応で生じる塩との当� ��比が1:0.001~1000の範囲にあることが好ましい� ��

 本発明に係る窒素含有物質と酸とは、窒� ��含有物質と酸とを加えてなるものである必� ��はなく、エッチング後処理剤の組成が、結� ��として、窒素含有物質と酸とを加えた場合� ��生じる組成と同じ組成になっていれば十分� ��ある。従って、例えば、アンモニア水と塩� ��アンモニウムとを使用してもよい。

 本発明に係るケイ素含有化合物は、少な� ��とも一種のケイ素と炭素と水素とを含んで� ��る。ケイ素、炭素および水素以外には、塩� ��と窒素とを含み得る。本発明に係る誘電率� ��昇抑制効果が得られる場合には、その他の� ��素を含んでいてもよい。

 本発明に係るケイ素含有化合物は、上記� ��件を充足する公知の化合物から適宜選択す� ��ことができるが、式(1)~(3)からなる群から選 ばれた化合物を含むことが好ましい。

 ここで、式(1)~(3)中、R ¹ ,R ² およびR ³ は、互いに独立に、水素、炭素数1~4の脂肪族 炭化水素または、置換基を含んでいてもよい 、炭素数6~8の芳香族炭化水素を表し、X ¹ およびX ² は、互いに独立に、クロロ基、水酸基または 炭素数1~3のアルコキシ基を表し、Yについて� �、その一つが、互いに独立にかつX ¹ およびX ² とも独立に、クロロ基、水酸基または炭素数 1~3のアルコキシ基を表し、2以上ある場合に� �、その他が、互いに独立にかつR ¹ およびR ² とも独立に、水素、炭素数1~4の脂肪族炭化水 素または、置換基を含んでいてもよい、炭素 数6~8の芳香族炭化水素を表し、nは、互いに� �立に、1~3の整数を表す。上記脂肪族炭化水� �には脂環族基も含まれる。

 これらの例としては、クロロシラン、ジク� ��ロシラン、トリクロロシラン、トリメチル� ��ロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジメ� ��ルジクロロシラン、メチルクロロシラン、� ��チルトリクロロシラン、トリエチルクロロ� ��ラン、ジエチルクロロシラン、ジエチルジ� ��ロロシラン、エチルクロロシラン、エチル� ��リクロロシラン、エチルメチルクロロシラ� ��、エチルメチルジクロロシラン、エチルジ� ��チルクロロシラン、メチルジエチルクロロ� ��ラン、フェニルクロロシラン、ジフェニル� ��ロロシラン、トリフェニルクロロシラン、� ��ェニルジクロロシラン、フェニルトリクロ� ��シラン、ジフェニルジクロロシラン、フェ� ��ルメチルクロロシラン、フェニルメチルジ� ��ロロシラン、フェニルジメチルクロロシラ� ��、フェニルジエチルクロロシラン、ジフェ� ��ルメチルクロロシラン、ジフェニルエチル� ��ロロシラン、フェニルエチルメチルクロロ� ��ラン、ビニルクロロシラン、ビニルジクロ� ��シラン、ビニルトリクロロシラン、ジビニ� ��クロロシラン、ジビニルジクロロシラン、� ��リビニルクロロシラン、ビニルメチルクロ� ��シラン、ビニルエチルクロロシラン、ビニ� ��メチルジクロロシラン、ビニルエチルジク� ��ロシラン、プロピルクロロシラン、プロピ� ��ジクロロシラン、プロピルトリクロロシラ� ��、ジプロピルクロロシラン、ジプロピルク� ��ロシラン、ジプロピルジクロロシラン、ト� ��プロピルクロロシラン、プロピルメチルク� ��ロシラン、プロピルエチルクロロシラン、� ��ロピルフェニルクロロシラン、プロピルビ� ��ルクロロシラン、プロピルメチルジクロロ� ��ラン、プロピルエチルジクロロシラン、プ� ��ピルフェニルジクロロシラン、プロピルビ� ��ルジクロロシラン、プロピルジメチルクロ� ��シラン、プロピルジエチルクロロシラン、� ��ロピルジフェニルクロロシラン、プロピル� ��ビニルクロロシラン、ジプロピルメチルク� ��ロシラン、ジプロピルエチルクロロシラン� ��ジプロピルフェニルクロロシラン、ジプロ� ��ルビニルクロロシラン、プロピルメチルエ� ��ルクロロシラン、プロピルエチルフェニル� ��ロロシラン、プロピルメチルフェニルクロ� ��シラン、プロピルメチルビニルクロロシラ� ��、プロピルエチルビニルクロロシラン、プ� ��ピルフェニルビニルクロロシラン、ブチル� ��ロロシラン、ジブチルクロロシラン、ジブ� ��ルジクロロシラン、トリブチルクロロシラ� ��、ブチルトリクロロシラン、ブチルメチル� ��ロロシラン、ブチルエチルクロロシラン、� ��チルフェニルクロロシラン、ブチルビニル� ��ロロシラン、ブチルプロピルクロロシラン� ��ブチルメチルジクロロシラン、ブチルエチ� ��ジクロロシラン、ブチルフェニルジクロロ� ��ラン、ブチルビニルジクロロシラン、ブチ� ��プロピルジクロロシラン、ブチルジメチル� ��ロロシラン、ブチルジエチルクロロシラン� ��ブチルジフェニルクロロシラン、ブチルジ� ��ニルクロロシラン、ブチルジプロピルクロ� ��シラン、ジブチルメチルクロロシラン、ジ� ��チルエチルクロロシラン、ジブチルフェニ� ��クロロシラン、ジブチルビニルクロロシラ� ��、ジブチルプロピルクロロシラン、ブチル� ��チルエチルクロロシラン、ブチルメチルフ� ��ニルクロロシラン、ブチルエチルフェニル� ��ロロシラン、ブチルメチルビニルクロロシ� ��ン、ブチルエチルビニルクロロシラン、ブ� ��ルフェニルビニルクロロシラン、ブチルメ� ��ルプロピルクロロシラン、ブチルエチルプ� ��ピルクロロシラン、プチルフェニルプロピ� ��クロロシラン、ブチルビニルプロピルクロ� ��シラン、p-トリルクロロシラン、p-トリルジ クロロシラン、p-トリルトリクロロシラン、p -トリルジメチルクロロシラン、p-トリルメチ ルジクロロシラン、p-トリルフェニルクロロ� ��ラン、p-トリルジフェニルクロロシラン、p- トリルフェニルジクロロシラン、1-エチル-4-� ��ロロシリルベンゼン、1-エチル-4-ジメチル� �ロロシリルベンゼン、1-エチル-4-メチルジク ロロシリルベンゼン、1-エチル-4-トリクロロ� ��リルベンゼン、1-エチル-4-フェニルクロロ� �リルベンゼン、1-エチル-4-ジフェニルクロロ シリルベンゼン、1-エチル-4-フェニルジクロ� ��シリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-クロロシリ ルベンゼン、2,6-ジメチル-4-ジクロロシリル� �ンゼン、2,6-ジメチル-4-トリクロロシリルベ� ��ゼン、2,6-ジメチル-4-メチルクロロシリルベ ンゼン、2,6-ジメチル-4-メチルジクロロシリ� �ベンゼン、2,6-ジメチル-4-ジメチルクロロシ� ��ルベンゼン、2,6-ジメチル-4-フェニルクロロ シリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-フェニルジ� �ロロシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-ジフェ� ��ルクロロシリルベンゼン、トリベンジルク� ��ロシラン、ジベンジルクロロシラン、ジベ� ��ジルジクロロシラン、ベンジルトリクロロ� ��ラン、ペンタフルオロフェニルジメチルク� ��ロシラン、ペンタフルオロフェニルメチル� ��クロロシラン、3-モルフォリノプロピルト� �クロロシラン、3-モルフォノプロピルジメチ ルクロロシラン、p-メトキリフェニルトリク� ��ロシラン、p-メトキシフェニルジメチルク� �ロシラン、イソプロピルジメチルクロロシ� �ン、イソプロピルメチルジクロロシラン、� �ソブチルトリクロロシラン、イソブチルジ� �チルクロロシラン、イソブチルメチルジク� �ロシラン、トリクロロシリルアナニド、4-[2- (トリクロロシリル)エチル]ピリジン、2-[2-(ト リクロロシリル)エチル]ピリジン、N-(3-トリ� �ロロシリルプロピル)-4,5-ジヒドロイミダゾ� �ル、3-(トリクロロシリル)シクロペンテン、� ��ラノール、ジシラノール、トリシラノール� ��トリメチルシラノール、ジメチルシラノー� ��、ジメチルジシラノール、メチルシラノー� ��、メチルトリシラノール、トリエチルシラ� ��ール、ジエチルシラノール、ジエチルジシ� ��ノール、エチルシラノール、エチルトリシ� ��ノール、エチルメチルシラノール、エチル� ��チルジシラノール、エチルジメチルシラノ� ��ル、メチルジエチルシラノール、フェニル� ��ラノール、ジフェニルシラノール、トリフ� ��ニルシラノール、フェニルジシラノール、� ��ェニルトリシラノール、ジフェニルジシラ� ��ール、フェニルメチルシラノール、フェニ� ��メチルジシラノール、フェニルジメチルシ� ��ノール、フェニルジエチルシラノール、ジ� ��ェニルメチルシラノール、ジフェニルエチ� ��シラノール、フェニルエチルメチルシラノ� ��ル、ビニルシラノール、ビニルジシラノー� ��、ビニルトリシラノール、ジビニルシラノ� ��ル、ジビニルジシラノール、トリビニルシ� ��ノール、ビニルメチルシラノール、ビニル� ��チルシラノール、ビニルメチルジシラノー� ��、ビニルエチルジシラノール、プロピルシ� ��ノール、プロピルジシラノール、プロピル� ��リシラノール、ジプロピルシラノール、ジ� ��ロピルシラノール、ジプロピルジシラノー� ��、トリプロピルシラノール、プロピルメチ� ��シラノール、プロピルエチルシラノール、� ��ロピルフェニルシラノール、プロピルビニ� ��シラノール、プロピルメチルジシラノール� ��プロピルエチルジシラノール、プロピルフ� ��ニルジシラノール、プロピルビニルジシラ� ��ール、プロピルジメチルシラノール、プロ� ��ルジエチルシラノール、プロピルジフェニ� ��シラノール、プロピルジビニルシラノール� ��ジプロピルメチルシラノール、ジプロピル� ��チルシラノール、ジプロピルフェニルシラ� ��ール、ジプロピルビニルシラノール、プロ� ��ルメチルエチルシラノール、プロピルエチ� ��フェニルシラノール、プロピルメチルフェ� ��ルシラノール、プロピルメチルビニルシラ� ��ール、プロピルエチルビニルシラノール、� ��ロピルフェニルビニルシラノール、ブチル� ��ラノール、ジブチルシラノール、ジブチル� ��シラノール、トリブチルシラノール、ブチ� ��トリシラノール、ブチルメチルシラノール� ��ブチルエチルシラノール、ブチルフェニル� ��ラノール、ブチルビニルシラノール、ブチ� ��プロピルシラノール、ブチルメチルジシラ� ��ール、ブチルエチルジシラノール、ブチル� ��ェニルジシラノール、ブチルビニルジシラ� ��ール、ブチルプロピルジシラノール、ブチ� ��ジメチルシラノール、ブチルジエチルシラ� ��ール、ブチルジフェニルシラノール、ブチ� ��ジビニルシラノール、ブチルジプロピルシ� ��ノール、ジブチルメチルシラノール、ジブ� ��ルエチルシラノール、ジブチルフェニルシ� ��ノール、ジブチルビニルシラノール、ジブ� ��ルプロピルシラノール、ブチルメチルエチ� ��シラノール、ブチルメチルフェニルシラノ� ��ル、ブチルエチルフェニルシラノール、ブ� ��ルメチルビニルシラノール、ブチルエチル� ��ニルシラノール、ブチルフェニルビニルシ� ��ノール、ブチルメチルプロピルシラノール� ��ブチルエチルプロピルシラノール、プチル� ��ェニルプロピルシラノール、ブチルビニル� ��ロピルシラノール、p-トリルシラノール、p- トリルジシラノール、p-トリルトリシラノー� ��、p-トリルジメチルシラノール、p-トリルメ チルジシラノール、p-トリルフェニルシラノ� ��ル、p-トリルジフェニルシラノール、p-トリ ルフェニルジシラノール、1-エチル-4-ヒドロ� ��シシリルベンゼン、1-エチル-4-ジメチルヒ� �ロキシシリルベンゼン、1-エチル-4-メチルジ ヒドロキシシリルベンゼン、1-エチル-4-トリ� ��ドロキシシリルベンゼン、1-エチル-4-フェ� �ルヒドロキシシリルベンゼン、1-エチル-4-ジ フェニルヒドロキシシリルベンゼン、1-エチ� ��-4-フェニルジヒドロキシシリルベンゼン、2 ,6-ジメチル-4-ヒドロキシシリルベンゼン、2,6 -ジメチル-4-ジヒドロキシシリルベンゼン、2, 6-ジメチル-4-トリヒドロキシシリルベンゼン� ��2,6-ジメチル-4-メチルヒドロキシシリルベン ゼン、2,6-ジメチル-4-メチルジヒドロキシシ� �ルベンゼン、2,6-ジメチル-4-ジメチルヒドロ� ��シシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-フェニル ヒドロキシシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-� �ェニルジヒドロキシシリルベンゼン、2,6-ジ� ��チル-4-ジフェニルヒドロキシシリルベンゼ� ��、トリベンジルシラノール、ジベンジルシ� ��ノール、ジベンジルジシラノール、ベンジ� ��トリシラノール、ペンタフルオロフェニル� ��メチルシラノール、ペンタフルオロフェニ� ��メチルジシラノール、3-モルフォリノプロ� �ルトリシラノール、3-モルフォノプロピルジ メチルシラノール、p-メトキリフェニルトリ� ��ラノール、p-メトキシフェニルジメチルシ� �ノール、イソプロピルジメチルシラノール� �イソプロピルメチルジシラノール、イソブ� 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、ジエチルエトキシシラン、ジエチルジエト キシシラン、エチルエトキシシラン、エチル トリエトキシシラン、エチルメチルエトキシ シラン、エチルメチルジエトキシシラン、エ チルジメチルエトキシシラン、メチルジエチ ルエトキシシラン、フェニルエトキシシラン 、ジフェニルエトキシシラン、トリフェニル エトキシシラン、フェニルジエトキシシラン 、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニル ジエトキシシラン、フェニルメチルエトキシ シラン、フェニルメチルジエトキシシラン、 フェニルジメチルエトキシシラン、フェニル ジエチルエトキシシラン、ジフェニルメチル エトキシシラン、ジフェニルエチルエトキシ シラン、フェニルエチルメチルエトキシシラ ン、ビニルエトキシシラン、ビニルジエトキ シシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジビ ニルエトキシシラン、ジビニルジエトキシシ ラン、トリビニルエトキシシラン、ビニルメ チルエトキシシラン、ビニルエチルエトキシ シラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビ ニルエチルジエトキシシラン、プロピルエト キシシラン、プロピルジエトキシシラン、プ ロピルトリエトキシシラン、ジプロピルエト キシシラン、ジプロピルエトキシシラン、ジ プロピルジエトキシシラン、トリプロピルエ トキシシラン、プロピルメチルエトキシシラ ン、プロピルエチルエトキシシラン、プロピ ルフェニルエトキシシラン、プロピルビニル エトキシシラン、プロピルメチルジエトキシ シラン、プロピルエチルジエトキシシラン、 プロピルフェニルジエトキシシラン、プロピ ルビニルジエトキシシラン、プロピルジメチ ルエトキシシラン、プロピルジエチルエトキ シシラン、プロピルジフェニルエトキシシラ ン、プロピルジビニルエトキシシラン、ジプ ロピルメチルエトキシシラン、ジプロピルエ チルエトキシシラン、ジプロピルフェニルエ トキシシラン、ジプロピルビニルエトキシシ ラン、プロピルメチルエチルエトキシシラン 、プロピルエチルフェニルエトキシシラン、 プロピルメチルフェニルエトキシシラン、プ ロピルメチルビニルエトキシシラン、プロピ ルエチルビニルエトキシシラン、プロピルフ ェニルビニルエトキシシラン、ブチルエトキ シシラン、ジブチルエトキシシラン、ジブチ ルジエトキシシラン、トリブチルエトキシシ ラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルメ チルエトキシシラン、ブチルエチルエトキシ シラン、ブチルフェニルエトキシシラン、ブ チルビニルエトキシシラン、ブチルプロピル エトキシシラン、ブチルメチルジエトキシシ ラン、ブチルエチルジエトキシシラン、ブチ ルフェニルジエトキシシラン、ブチルビニル ジエトキシシラン、ブチルプロピルジエトキ シシラン、ブチルジメチルエトキシシラン、 ブチルジエチルエトキシシラン、ブチルジフ ェニルエトキシシラン、ブチルジビニルエト キシシラン、ブチルジプロピルエトキシシラ ン、ジブチルメチルエトキシシラン、ジブチ ルエチルエトキシシラン、ジブチルフェニル エトキシシラン、ジブチルビニルエトキシシ ラン、ジブチルプロピルエトキシシラン、ブ チルメチルエチルエトキシシラン、ブチルメ チルフェニルエトキシシラン、ブチルエチル フェニルエトキシシラン、ブチルメチルビニ ルエトキシシラン、ブチルエチルビニルエト キシシラン、ブチルフェニルビニルエトキシ シラン、ブチルメチルプロピルエトキシシラ ン、ブチルエチルプロピルエトキシシラン、 プチルフェニルプロピルエトキシシラン、ブ チルビニルプロピルエトキシシラン、p-トリ� ��エトキシシラン、p-トリルジエトキシシラ� �、p-トリルトリエトキシシラン、p-トリルジ� ��チルエトキシシラン、p-トリルメチルジエ� �キシシラン、p-トリルフェニルエトキシシラ ン、p-トリルジフェニルエトキシシラン、p-� �リルフェニルジエトキシシラン、1-エチル-4- エトキシシリルベンゼン、1-エチル-4-ジメチ� ��エトキシシリルベンゼン、1-エチル-4-メチ� �ジエトキシシリルベンゼン、1-エチル-4-トリ エトキシシリルベンゼン、1-エチル-4-フェニ� ��エトキシシリルベンゼン、1-エチル-4-ジフ� �ニルエトキシシリルベンゼン、1-エチル-4-フ ェニルジエトキシシリルベンゼン、2,6-ジメ� �ル-4-エトキシシリルベンゼン、2,6-ジメチル- 4-ジエトキシシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4- トリエトキシシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4 -メチルエトキシシリルベンゼン、2,6-ジメチ� ��-4-メチルジエトキシシリルベンゼン、2,6-ジ メチル-4-ジメチルエトキシシリルベンゼン、 2,6-ジメチル-4-フェニルエトキシシリルベン� �ン、2,6-ジメチル-4-フェニルジエトキシシリ� ��ベンゼン、2,6-ジメチル-4-ジフェニルエトキ シシリルベンゼン、トリベンジルエトキシシ ラン、ジベンジルエトキシシラン、ジベンジ ルジエトキシシラン、ベンジルトリエトキシ シラン、ペンタフルオロフェニルジメチルエ トキシシラン、ペンタフルオロフェニルメチ ルジエトキシシラン、3-モルフォリノプロピ� ��トリエトキシシラン、3-モルフォノプロピ� �ジメチルエトキシ、p-メトキリフェニルトリ エトキシシラン、p-メトキシフェニルジメチ� ��エトキシシラン、イソプロピルジメチルエ� ��キシシラン、イソプロピルメチルジエトキ� ��シラン、イソブチルトリエトキシシラン、� ��ソブチルジメチルエトキシシラン、イソブ� ��ルメチルジエトキシシラン、トリクロロシ� ��トキシナニド、4-[2-(トリクロロシリル)エチ ル]ピリジン、2-[2-(トリエトキシシリル)エチ� ��]ピリジン、N-(3-トリエトキシシリルプロピ� ��)-4,5-ジヒドロイミダゾール、3-(トリクロロ� ��リル)シエトキシペンテン、プロポキシシラ ン、ジプロポキシシラン、トリプロポキシシ ラン、トリメチルプロポキシシラン、ジメチ ルプロポキシシラン、ジメチルジプロポキシ シラン、メチルプロポキシシラン、メチルト リプロポキシシラン、トリエチルプロポキシ シラン、ジエチルプロポキシシラン、ジエチ ルジプロポキシシラン、エチルプロポキシシ ラン、エチルトリプロポキシシラン、エチル メチルプロポキシシラン、エチルメチルジプ ロポキシシラン、エチルジメチルプロポキシ シラン、メチルジエチルプロポキシシラン、 フェニルプロポキシシラン、ジフェニルプロ ポキシシラン、トリフェニルプロポキシシラ ン、フェニルジプロポキシシラン、フェニル トリプロポキシシラン、ジフェニルジプロポ キシシラン、フェニルメチルプロポキシシラ ン、フェニルメチルジプロポキシシラン、フ ェニルジメチルプロポキシシラン、フェニル ジエチルプロポキシシラン、ジフェニルメチ ルプロポキシシラン、ジフェニルエチルプロ ポキシシラン、フェニルエチルメチルプロポ キシシラン、ビニルプロポキシシラン、ビニ ルジプロポキシシラン、ビニルトリプロポキ シシラン、ジビニルプロポキシシラン、ジビ ニルジプロポキシシラン、トリビニルプロポ キシシラン、ビニルメチルプロポキシシラン 、ビニルエチルプロポキシシラン、ビニルメ チルジプロポキシシラン、ビニルエチルジプ ロポキシシラン、プロピルプロポキシシラン 、プロピルジプロポキシシラン、プロピルト リプロポキシシラン、ジプロピルプロポキシ シラン、ジプロピルプロポキシシラン、ジプ ロピルジプロポキシシラン、トリプロピルプ ロポキシシラン、プロピルメチルプロポキシ シラン、プロピルエチルプロポキシシラン、 プロピルフェニルプロポキシシラン、プロピ ルビニルプロポキシシラン、プロピルメチル ジプロポキシシラン、プロピルエチルジプロ ポキシシラン、プロピルフェニルジプロポキ シシラン、プロピルビニルジプロポキシシラ ン、プロピルジメチルプロポキシシラン、プ ロピルジエチルプロポキシシラン、プロピル ジフェニルプロポキシシラン、プロピルジビ ニルプロポキシシラン、ジプロピルメチルプ ロポキシシラン、ジプロピルエチルプロポキ シシラン、ジプロピルフェニルプロポキシシ ラン、ジプロピルビニルプロポキシシラン、 プロピルメチルエチルプロポキシシラン、プ ロピルエチルフェニルプロポキシシラン、プ ロピルメチルフェニルプロポキシシラン、プ ロピルメチルビニルプロポキシシラン、プロ ピルエチルビニルプロポキシシラン、プロピ ルフェニルビニルプロポキシシラン、ブチル プロ
ポキシシラン、ジブチルプロポキシシラン、 ジブチルジプロポキシシラン、トリブチルプ ロポキシシラン、ブチルトリプロポキシシラ ン、ブチルメチルプロポキシシラン、ブチル エチルプロポキシシラン、ブチルフェニルプ ロポキシシラン、ブチルビニルプロポキシシ ラン、ブチルプロピルプロポキシシラン、ブ チルメチルジプロポキシシラン、ブチルエチ ルジプロポキシシラン、ブチルフェニルジプ ロポキシシラン、ブチルビニルジプロポキシ シラン、ブチルプロピルジプロポキシシラン 、ブチルジメチルプロポキシシラン、ブチル ジエチルプロポキシシラン、ブチルジフェニ ルプロポキシシラン、ブチルジビニルプロポ キシシラン、ブチルジプロピルプロポキシシ ラン、ジブチルメチルプロポキシシラン、ジ ブチルエチルプロポキシシラン、ジブチルフ ェニルプロポキシシラン、ジブチルビニルプ ロポキシシラン、ジブチルプロピルプロポキ シシラン、ブチルメチルエチルプロポキシシ ラン、ブチルメチルフェニルプロポキシシラ ン、ブチルエチルフェニルプロポキシシラン 、ブチルメチルビニルプロポキシシラン、ブ チルエチルビニルプロポキシシラン、ブチル フェニルビニルプロポキシシラン、ブチルメ チルプロピルプロポキシシラン、ブチルエチ ルプロピルプロポキシシラン、プチルフェニ ルプロピルプロポキシシラン、ブチルビニル プロピルプロポキシシラン、p-トリルプロポ� ��シシラン、p-トリルジプロポキシシラン、p- トリルトリプロポキシシラン、p-トリルジメ� ��ルプロポキシシラン、p-トリルメチルジプ� �ポキシシラン、p-トリルフェニルプロポキシ シラン、p-トリルジフェニルプロポキシシラ� ��、p-トリルフェニルジプロポキシシラン、1- エチル-4-プロポキシシリルベンゼン、1-エチ� ��-4-ジメチルプロポキシシリルベンゼン、1-� �チル-4-メチルジプロポキシシリルベンゼン� �1-エチル-4-トリプロポキシシリルベンゼン、 1-エチル-4-フェニルプロポキシシリルベンゼ� ��、1-エチル-4-ジフェニルプロポキシシリル� �ンゼン、1-エチル-4-フェニルジプロポキシシ リルベンゼン、2,6-ジメチル-4-プロポキシシ� �ルベンゼン、2,6-ジメチル-4-ジプロポキシシ� ��ルベンゼン、2,6-ジメチル-4-トリプロポキシ シリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-メチルプロ� �キシシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4-メチル� ��プロポキシシリルベンゼン、2,6-ジメチル-4- ジメチルプロポキシシリルベンゼン、2,6-ジ� �チル-4-フェニルプロポキシシリルベンゼン� �2,6-ジメチル-4-フェニルジプロポキシシリル� ��ンゼン、2,6-ジメチル-4-ジフェニルプロポキ シシリルベンゼン、トリベンジルプロポキシ シラン、ジベンジルプロポキシシラン、ジベ ンジルジプロポキシシラン、ベンジルトリプ ロポキシシラン、ペンタフルオロフェニルジ メチルプロポキシシラン、ペンタフルオロフ ェニルメチルジプロポキシシラン、3-モルフ� ��リノプロピルトリプロポキシシラン、3-モ� �フォノプロピルジメチルプロポキシシラン� �p-メトキリフェニルトリプロポキシシラン、 p-メトキシフェニルジメチルプロポキシシラ� ��、イソプロピルジメチルプロポキシシラン� ��イソプロピルメチルジプロポキシシラン、� ��ソブチルトリプロポキシシラン、イソブチ� ��ジメチルプロポキシシラン、イソブチルメ� ��ルジプロポキシシラン、トリプロポキシシ� ��ルアナニド、4-[2-(トリプロポキシシリル)エ チル]ピリジン、2-[2-(トリプロポキシシリル)� ��チル]ピリジン、N-(3-トリプロポキシシリル� ��ロピル)-4,5-ジヒドロイミダゾール、3-(トリ� ��ロポキシシリル)シクロペンテンを挙げるこ とができる。

 あるいは、本発明に係るケイ素含有化合物� ��、式(1)~(3)からなる群から選ばれた化合物の X ¹ ,X ² および、Yの内のクロロ基、水酸基または炭� �数1~3のアルコキシ基の少なくともいずれか� �つを取り去り、窒素を介して互いに結合さ� �て得られる化合物を含むことが好ましい。� �のような窒素を介する結合はシラザン結合� �呼ばれる。

 このようなシラザン結合を有する化合物は� ��式(1)~(3)からなる群から選ばれた化合物のX ¹ ,X ² および、Yの内のクロロ基、水酸基または炭� �数1~3のアルコキシ基のいずれか一つを取り� �り、窒素を介して互いに結合させて得られ� �、1~3個のSiの群を二つ有する化合物の他、(A) 式(1)~(3)からなる群から選ばれた化合物のX ¹ ,X ² および、Yの内のクロロ基、水酸基または炭� �数1~3のアルコキシ基のいずれか一つ以上を� �り去り、(B)式(1)~(3)からなる群から選ばれた� ��合物のX ¹ ,X ² および、Yの内のクロロ基、水酸基または炭� �数1~3のアルコキシ基のいずれか一つまたは� �つ以上を取り去り、(A)と(B)とを、窒素を介� �て互いに結合させて得られる、1~3個のSiの群 を三つ以上有する化合物等も含まれる。その 例を図6に示す。

 本発明に係るケイ素含有化合物の機能は� ��エッチングに起因する損傷を回復して、誘� ��率の悪化を抑制することであり、本発明に� ��る窒素含有物質の機能は、エッチング残渣� ��効率よく洗浄すると共に、本発明に係るケ� ��素含有化合物の損傷回復機能(または誘電率 悪化抑制機能)を最適にするpHの緩衝機能にあ ると考えられる。pHの緩衝機能の観点からは� ��本発明に係るエッチング後処理剤のpHが7を� ��え10以下の範囲にあることが好ましい。た� �し、本発明が、これらの機能によって制限� �れる訳ではなく、本発明の本質は、本発明� �係るケイ素含有化合物と本発明に係る窒素� �有物質との組合せにより、上記効果を実現� �きる点にある。なお、本発明に係る窒素含� �物質がエッチング残渣を効率よく洗浄でき� �のは、エッチングの際に生じた残渣(例えば� ��ッ素含有炭化水素化合物)を窒素含有物質が 化学的に分解するためであろうと考えられて いる。ただし、この機構は本発明の本質とは 関係しない。

 本発明に係るシリコン系絶縁膜のエッチ� ��グ後処理剤には、本発明の趣旨に反しない� ��りその他の物質を含めることができる。こ� ��ようなものとしては、界面活性剤を挙げる� ��とができる。

 本発明に係る界面活性剤は、溶液の塗布� ��、すなわち均一にスムーズに塗布できる性� ��、を向上させるために使用でき、公知のも� ��から適宜選択できる。このような界面活性� ��には、例えばアニオン界面活性剤、ノニオ� ��界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界� ��活性剤等が挙げられる。この中でも、ノニ� ��ン界面活性剤が好ましい。ノニオン界面活� ��剤には例えば、アルキルフェノール-エチレ ンオキシド型、アルコール-エチレンオキシ� �型、プロピレン--エチレンオキシドブロック コポリマー型、脂肪酸エステル型、アマイド 型、ポリエチレングリコール等が挙げられる 。ノニオン界面活性剤の中でも、アルコール -エチレンオキシド型、アルキルフェノール-� ��チレンオキシド型もしくはプロピレン--エ� �レンオキシドブロックコポリマー型がより� �ましい。これは、半導体装置作製の上で実� �があり、高い信頼性を与えるためである。

 本発明に係るエッチング後処理剤は、上� ��の剤を溶媒に加えて使用する。この溶媒は� ��上記の剤が可溶であれば特に限定されず、� ��えば、水、メタノール、エタノール、プロ� ��ノール、シクロヘキサノン、アセトン、メ� ��ルイソブチルケトン、メチルエチルケトン� ��メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、オ� ��タン、デカン、ヘキサン、プロピレングリ� ��ール、プロピレングリコールモノメチルエ� ��テルアセテート、ジオキサン、ジエチルエ� ��テル、ジエチレングリコール、硫酸ジメチ� ��、プロピレングリコールモノメチルエーテ� ��、プロピレングリコールモノエチルエーテ� ��、プロピレングリコールモノプロピルエー� ��ル、テトラヒドロフランおよびこれらの混� ��物等を例示することができる。特に水また� ��水とアルコール類との混合物が、取扱いが� ��易なため、好ましい。

 本発明に係るエッチング後処理剤中には� ��本発明に係る、窒素含有物質、酸、ケイ素� ��有化合物、および、任意的に共存する界面� ��性剤が、それぞれ二種以上含まれていても� ��い。

 本発明に係るエッチング後処理剤中にお� ��る、これらの材料の個々の濃度については� ��に制限はなく、実情に応じて適宜定めるこ� ��ができるが、一般的には、窒素含有物質が0 .01~10重量%、酸が0.01~10重量%の範囲、ケイ素含 有化合物が20~60重量%の範囲、界面活性剤が1~1 0000重量ppmの範囲で含まれることが好ましい� �ただし、窒素含有物質と酸とについては、� �の相互作用の点からは、本発明に係るエッ� �ング後処理剤のpHを最優先に考えるのが好ま しい場合が多い。

 なお、上記の濃度範囲にある場合、本発� ��に係るエッチング後処理剤中における窒素� ��有物質の合計量対酸の合計量の当量比は、� ��発明の効果を最適化する意味から、1:0.001~10 00の範囲にあることが好ましい。ここにおけ� ��当量とは、酸、塩基および塩における化学� ��量を意味する。例えば、アンモニア(本発明 に係る窒素含有物質)が1モルで、塩酸が1モル の場合、上記当量比は1:1になるが、アンモニ アが1モルで、クエン酸が1モルの場合には、� ��記当量比は1:3になる。

 なお、エッチングの結果、配線等の金属� ��分が露出している場合に、本発明に係るエ� ��チング後処理剤は、それらの金属部分を腐� ��しにくいという利点も有する。その観点か� ��は、上述のごとくpHを7を超え10以下の範囲� �保つことが特に好ましい。

  〔半導体装置の製造方法〕
 半導体装置のシリコン系絶縁膜上にエッチ� ��グを施し、その後、本発明に係るエッチン� ��後処理剤でエッチング面を処理すること、� ��るいは、その後、50°C~400°Cの範囲の温度で� ��処理を施すことを含む製造方法を採用して� ��導体装置を製造することにより、エッチン� ��に起因するシリコン系絶縁膜の誘電率の増� ��を抑制することができ、また、エッチング� ��の表面に成膜した場合における膜剥がれや� ��均一な成膜を抑制できるようになる。この� ��め、半導体装置の品質を向上させ、高速で� ��頼性の高い半導体装置を実現でき、その製� ��歩留まりを向上させることができる。この� ��め、使用されるシリコン系絶縁膜としては� ��その比誘電率が2.7以下のときに特に効果が� ��きく好ましい。

 本製造方法におけるシリコン系絶縁膜は� ��半導体装置の配線層とビアとの少なくとも� ��ずれか一方を絶縁するための絶縁膜である� ��とが好ましい。このような絶縁膜は層間絶� ��膜と呼ばれることが多く、配線層の場合に� ��、エッチングで造られた溝にバリアメタル� ��層を形成し、その上に銅等の電気伝導性の� ��質を埋め込むことが多いが、その際に、誘� ��率の増加を抑制でき、バリアメタルの層を� ��縁膜に均一に密着させることができ、膜剥� ��れやバリアメタルの機能不全により配線金� ��のマイグレーションを防止することができ� ��。

 本発明に係るエッチング後処理剤は、予� ��最終組成のものを作製しておき、これを使� ��してもよいが、使用の直前に原料や中間組� ��物を組合せ、最終の組成にしてもよい。本� ��明に係るケイ素含有化合物が重合する等の� ��質が起こらない限り、本発明に係るエッチ� ��グ後処理剤は長期間の保存が可能である場� ��が多い。

 本発明に係るエッチング後処理剤でエッ� ��ング面を処理する方法については特に制限� ��なく、公知の方法から適宜選択することが� ��きる。たとえば、エッチング後処理剤への� ��漬(ディップコート)、スピンコート、スプ� �ー(噴霧)等を例示することができる。超音波 振動を組み合わせてもよい。

 機能的に言えば、この処理は、エッチン� ��による損傷を回復するためにでも、エッチ� ��グ残渣を洗浄するためでも、また、その両� ��の効果を得るためにでも使用できる。半導� ��装置の製造において、本発明に係るエッチ� ��グ後処理剤でエッチング面を処理する工程� ��、本発明の効果が得られる限り、製造中に� ��の段階に組み入れてもよいが、エッチング� ��よる損傷を回復する工程や、エッチング残� ��を洗浄する工程が既存の工程として存在す� ��場合は、その工程に組み入れ、あるいは、� ��工程でその工程を置き換えることが合理的� ��ある。

 エッチング後処理剤でエッチング面を処� ��した後、50°C~400°Cの範囲の温度で熱処理を� ��すことにより、短時間で損傷を回復させる� ��とができる。具体的には、溶媒等を蒸発除� ��すると共に、エッチングにより損傷を受け� ��シリコン系絶縁膜表面のシラノール基の親� ��性基の脱水縮合を促進しているものと考え� ��れる。

 熱処理はどのような方法によってもよい� ��具体的には、ホットプレート、炉、赤外ラ� ��プなどを例示することができる。

 50°C未満では効果が少なく、400°Cを超え� �とシリコン系絶縁膜が変質してしまう可能� �が生じる。熱処理は、エッチング後処理剤� �エッチング面を処理した後に行うが、エッ� �ング後処理剤による腐食等の可能性を防止� �るため、エッチング後処理剤によるエッチ� �グ面処理後に洗浄を行う場合には、その前� �行う方がよい。エッチング後処理剤が残余� �ており、より効果的に脱水縮合を行える可� �性が大きいからである。

 なお、エッチング後処理剤によるエッチ� ��グ面処理中に加熱を行ってもよい場合もあ� ��。その場合には、損傷の回復と共にエッチ� ��グ残渣の洗浄も促進し得る。この場合の温� ��は、50~150℃の範囲が好ましい。この加熱と� ��エッチング後処理剤によるエッチング面処� ��後の加熱とは、両者を組み合わせても、ど� ��らか一方のみを採用してもよい。