毛剑宏 (中国上海市张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室, Shanghai 3, 201203, CN)
上海丽恒光微电子科技有限公司 (中国上海市张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室, Shanghai 3, 201203, CN)
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| 权 利 要 求 1、 一种单栅非易失性快闪存储单元， 包括： 半导体结构， 所述半导体结 构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱内及其上的控 制栅晶体管和浮栅晶体管， 其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用， 所述浮栅晶体管具有浮栅结构， 所述半导体结构上具有层间介质层； 其特征在于， 还包括： 可动开关，设置于所述浮栅结构上方， 所述可动开关对应位置的层间介质 层中具有暴露浮栅结构的开口； 所述可动开关包括： 支撑部件和导电互连部件， 所述支撑部件位于所述导 电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接， 并将所述导电互连部件悬置在 所述开口上方， 当向所述导电互连部件施加电压时， 则所述导电互连部件与所 述浮栅结构电连接。 2、 根据权利要求 1所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部； 可动开关，设置于所述浮栅延伸部上方， 所述可动开关对应位置的层间介 质层中具有暴露浮栅延伸部的开口， 所述可动开关包括： 支撑部件和导电互连 部件， 所述支撑部件连接在所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连 接， 所述导电互连部件通过所述支撑部件悬置在所述开口上方， 当向所述导电 互连部件施加电压，则所述导电互连部件进入所述开口和所述浮栅延伸部导电 互连。 3、 根据权利要求 2所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述第一掺杂类型为 N型， 第二掺杂类型为 P型。 4、 根据权利要求 2所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述第一掺杂类型为 P型， 第二掺杂类型为 N型。 5、 根据权利要求 2所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述支撑部件为绝缘材料，所述支撑部件为分布在导电互连部件对称的两侧的引 脚， 且所述支撑部件和所述导电互连部件连接的一端位于导电互连部件下方， 与层间介质层连接的一端位于层间介质层上方。 6、 根据权利要求 5所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述浮栅结构包括浮栅极和位于所述浮栅极上的绝缘层，所述开口包括： 所述层 间介质层中的介质层开口，及对应于介质层开口中央区域的浮栅延伸部的绝缘 层中的开口， 即浮栅延伸部开口； 所述浮栅延伸部开口位于所述介质层开口的中央区域。 7、 根据权利要求 6所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述导电互连部件对应于所述浮栅延伸部开口的位置向浮栅延伸部一侧凸出，且 所述凸出位置和所述浮栅延伸部开口位置对应。 8、 根据权利要求 2所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述导电互连部件对应于所述开口的中央区域。 9、 根据权利要求 2所述的单栅非易失性快闪存储单元， 其特征在于， 所 述导电互连部件为金属材料。 10、一种包括阵列排列的权利要求 1所述的上述单栅非易失性快闪存储单 元的单栅非易失性快闪存储器件。 11、一种单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于， 包括步骤： 提供半导体结构， 所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型 的掺杂阱，位于掺杂阱及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管， 其中控制栅晶体 管源极和浮栅晶体管的漏极共用， 所述浮栅晶体管具有浮栅结构， 所述控制栅 晶体管和浮栅晶体管上具有层间介质层； 对所述半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构上的层间介质层中形成第一 开口； 在所述第一开口中填充牺牲介质； 在所述层间介质层上形成阻挡层， 所述阻挡层覆盖部分所述牺牲介质； 刻蚀所述阻挡层， 在所述阻挡层中形成暴露所述牺牲介质的第二开口； 在所述牺牲介质表面的阻挡层上形成导电层，所述导电层覆盖所述第二开 口； 去除所述第一开口中的牺牲介质。 12、 根据权利要求 11所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法， 其 特征在于， 所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部； 所述在浮栅结构上的层间介质层中形成第一开口为：在所述浮栅延伸部上 的层间介质层中形成第一开口。 13、 根据权利要求 12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法， 其 特征在于， 所述浮栅结构包括浮栅极和位于所述浮栅极上的绝缘层，对所述半 导体结构进行刻蚀形成第一开口的步骤包括： 对所述层间介质层进行刻蚀， 形成介质层开口； 对所述介质层开口内的所述绝缘层进行刻蚀，在介质层开口内的绝缘层中 形成开口， 即浮栅延伸部开口。 14、 根据权利要求 12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法， 其 特征在于， 所述阻挡层位于第一开口的中央区域， 所述第二开口位于第一开口 的中央区域。 15、 根据权利要求 12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法， 其 特征在于， 所述绝缘层的材料为氮化硅。 16、 根据权利要求 12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法， 其 特征在于， 所述导电层的材料为金属。 |
本发明涉及半导体存储器，特别涉及一种单栅 非易失性快闪存储单元、存 储器件及其制造方法。
背景技术
通常， 用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储 器和非易失性存储 器， 易失性存储器易于在电中断时丢失其数据， 而非易失性存储器即使在供电 中断后仍能保持片内信息。 目前可得到的非易失存储器有几种形式， 包括电可 编程只读存储器 （EPROM)、 电可擦除编程只读存储器 (EEPROM)和快闪存储 器 (flash memory) 0 与其它的非易失性存储器相比， 快闪存储器具有存储数据 的非易失性、 低功耗、 电重写能力以及低成本等特性， 因此， 非易失性存储器 已广泛地应用于各个领域， 包括嵌入式系统， 如 PC及外设、 电信交换机、 蜂 窝电话、 网络互联设备、仪器仪表和汽车器件， 同时还包括新兴的语音、 图像、 数据存储类产品， 如数字相机、 数字录音机和个人数字助理。
例如现有的一种单栅存储单元， 参见图 1 , 给出了现有技术的单栅存储单 元的截面图。 该单栅存储单元由 N型衬底 12或 N阱制成。 均为 P+型的第一 区域 14, 第二区域 16和第三区域 18位于该 N阱或 N型衬底 12中。 该第一 区域 14, 第二区域 16和第三区域 18彼此间隔开， 限定了第一区域 14与第二 区域 16之间的第一沟道区域 24, 以及在第二区域 16与第三区域 18之间的第 二沟道 26。 在第一沟道区域 24之上的是与第一沟道区 24间隔开并且绝缘的 控制栅极 20。 该控制栅极 20覆盖该第一沟道区域 24, 但是与第一区域 14和 第二区域 16少量重叠或不重叠。 在第二沟道区域 26之上的是与第二沟道区 26间隔开并且绝缘的浮置栅极 22, 该浮置栅极 22覆盖该第二沟道区域 26, 但是与第二区域 16和第三区域 18少量重叠或不重叠。在写操作中，将例如 +5 伏的正电压施加到第一区域 14, 将接地的较低电压施加到第三区域 18, 将接 地的低电压施加到控制栅极 24, 因为第一区域 14, 第二区域 16和第一沟道区 域 24形成了 P型晶体管， 因此施加 0伏到控制栅极 20将导通第一沟道区域 24, 于是来自第一区域 14的 +5伏电压将通过第一沟道区域 24传送到第二区 域 16。 在第二区域 16处， 根据热载流子机理， 空穴将通过沟道被注入到浮置 栅极 22 , 完成写操作。
现有技术中，擦写操作一般是利用热电子或者 电子隧穿的原理来完成。 因 此擦写操作需要较高的操作电压， 例如一般擦写的操作电压为 7V~20V。 因此 在制造工艺中， 必须包含高压器件， 制造工艺复杂， 成本较高。 同时擦写过程 中的热电子及电子隧穿的反复擦写容易造成晶 体管的失效。
发明内容
本发明解决的技术问题是，提供一种单栅非易 失性快闪存储单元及其制造 方法， 提高了存储单元的可靠性。
为了解决上述问题，本发明提供了一种单栅非 易失性快闪存储单元，包括： 半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于 衬底中的第一导电类型的掺杂阱， 位于掺杂阱内及其上的控制栅晶体管和浮栅晶 体管，其中控制栅晶体管源极和 浮栅晶体管的漏极共用， 所述浮栅晶体管具有浮栅结构， 所述半导体结构上具 有层间介质层；
还包括： 可动开关， 设置于所述浮栅结构上方， 所述可动开关对应位置的 层间介质层中具有暴露浮栅结构的开口， 所述可动开关包括： 支撑部件和导电 互连部件， 所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围， 且与所述层间介质层 连接， 并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方， 当向所述导电互连部件施 加电压时， 则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。
优选的， 所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部；
可动开关，设置于所述浮栅延伸部上方， 所述可动开关对应位置的层间介 质层中具有暴露浮栅延伸部的开口， 所述可动开关包括： 支撑部件和导电互连 部件， 所述支撑部件连接在所述导电互连部件的外围 ，且与所述层间介质层连 接， 所述导电互连部件通过所述支撑部件悬置在所 述开口上方， 当向所述导电 互连部件施加电压，则所述导电互连部件进入 所述开口和所述浮栅延伸部导电 互连。
优选的， 所述第一掺杂类型为 N型， 第二掺杂类型为 P型。
优选的， 所述第一掺杂类型为 P型， 第二掺杂类型为 N型。 优选的， 所述支撑部件为绝缘材料， 所述支撑部件为分布在导电互连部件 对称的两侧的引脚，且所述支撑部件和所述导 电互连部件连接的一端位于导电 互连部件下方， 与层间介质层连接的一端位于层间介质层上方 。
优选的， 所述浮栅结构包括浮栅极和位于所述浮栅极上 的绝缘层， 所述开 口包括： 所述层间介质层中的介质层开口，及对应于介 质层开口中央区域的浮 栅延伸部的绝缘层中的开口， 即浮栅延伸部开口； 所述浮栅延伸部开口位于所 述介质层开口的中央区域。
优选的，所述导电互连部件对应于所述浮栅延 伸部开口的位置向浮栅延伸 部一侧凸出， 且所述凸出位置和所述浮栅延伸部开口位置对 应。
优选的， 所述导电互连部件对应于所述开口的中央区域 。
优选的， 所述导电互连部件为金属材料。
一种包括阵列排列的上述单栅非易失性快闪存 储单元的单栅非易失性快 闪存储器件。
一种单栅非易失性快闪存储单元的制造方法， 包括步骤：
提供半导体结构， 所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一 导电类型 的掺杂阱，位于掺杂阱及其上的控制栅晶体管 和浮栅晶体管， 其中控制栅晶体 管源极和浮栅晶体管的漏极共用， 所述浮栅晶体管具有浮栅结构， 所述控制栅 晶体管和浮栅晶体管上具有层间介质层；
对所述半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构 上的层间介质层中形成第一 开口；
在所述第一开口中填充牺牲介质；
在所述层间介质层上形成阻挡层， 所述阻挡层覆盖部分所述牺牲介质； 刻蚀所述阻挡层， 在所述阻挡层中形成暴露所述牺牲介质的第二 开口； 在所述牺牲介质表面的所述阻挡层上形成导电 层，所述导电层覆盖所述第 二开口；
去除所述第一开口中的牺牲介质。
优选的， 所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部；
所述在浮栅结构上的层间介质层中形成第一开 口为：在所述浮栅延伸部上 的层间介质层中形成第一开口。
优选的， 所述浮栅结构包括浮栅极和位于所述浮栅极上 的绝缘层，对所述 半导体结构进行刻蚀形成第一开口的步骤包括 ：
对所述层间介质层进行刻蚀， 形成介质层开口；
对所述介质层开口内的所述绝缘层进行刻蚀， 在介质层开口内的绝缘层中 形成开口， 即浮栅延伸部开口。
优选的， 所述阻挡层位于第一开口的中央区域， 所述第二开口位于第一开 口的中央区域。
优选的， 所述绝缘层的材料为氮化硅。
优选的， 所述导电层的材料为金属。
与现有技术相比， 本发明主要具有以下优点：
本发明通过在浮栅结构上方设置可动开关，所 述可动开关对应位置的层间 介质层中具有暴露浮栅结构的开口， 所述可动开关包括： 支撑部件和导电互连 部件， 所述支撑部件连接在所述导电互连部件的外围 ，且与所述层间介质层连 接， 所述导电互连部件通过所述支撑部件悬置在所 述开口上方， 当向所述导电 互连部件施加电压， 则所述导电互连部件和所述浮栅结构导电互连 。从而在进 行擦写操作时， 只要给可动开关加电压， 则所述导电互连部件和所述浮栅结构 导电互连，从而就可以给浮栅结构中存储或者 消除电荷， 实现存储单元的存储 和擦除。这样就不需要通过控制栅晶体管来给 浮栅晶体管中的浮栅充放电， 而 是通过可动开关还给浮栅充放电， 可动开关是由低压控制 （3V~6V ), 因此由 于不需要高压， 就不需要在控制电路中制作高压器件，所以筒 化了控制电路的 结构； 并且由于不需要高压实现擦写， 因此增加了器件的可靠性； 并且还避免 了现有技术中利用热电子对浮栅进行写操作过 程中电流产生的功耗；进一步的 由于直接对浮栅进行擦写操作，从而大大缩短 了写操作和擦除操作的时间，提 高了工作效率。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具 体说明，本发明的上述及其 它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图 中相同的附图标记指示相同的部 分。 并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图， 重点在于示出本发明的主旨。
图 1是一种现有的单栅存储单元的截面图；
图 2是本发明一实施例的单栅非易失性快闪存储 元的结构图； 图 3为图 2沿 A-A'方向的剖面图； 图 4为图 2沿 B-B'方向的剖面图；
图 5为图 2沿 C-C'方向的剖面图；
图 6为本发明的单栅非易失性快闪存储单元制造 法的流程图；
图 7至图 11为单栅非易失性快闪存储单元制造方法的示 图。
具体实施方式
由背景技术可知，现有的单栅存储单元，擦写 操作利用热电子或者电子隧 穿的原理， 需要较高电压才能实现， 一般擦写的操作电压为 7V~20V。 因此在 制造工艺中， 必须包含高压器件， 制造工艺复杂。 本发明的存储单元的擦写， 由可动开关对其进行充放电而实现， 可动开关是有低压控制 （3V~6V ), 因此 可以省去控制电路中的高压器件， 从而筒化了控制电路， 降低制造成本。 同时 擦写过程中的热电子及电子隧穿的反复擦写容 易造成晶体管的失效，在本发明 中避免了高压擦除， 因此提供了产品在使用过程中的可靠性。 另外， 现有的单 栅存储单元进行擦写操作的时候需要开启器件 沟道，并且沟道中流过大电流才 能形成热电子， 因此增加了功耗， 而本发明避免了现有技术中利用热电子对浮 栅进行写操作过程中电流产生的功耗。现有的 擦除操作是利用栅极氧化层在高 压偏置下电子隧穿的原理， 因此速度较慢， 本发明利用可动开关直接对浮栅进 行擦写， 因此提高了擦写速度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加 明显易懂， 下面结合附图对 本发明的具体实现方式做详细的说明。在下面 的描述中阐述了很多具体细节以 便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多 不同于在此描述的其它方式来实 施， 本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情 况下做类似推广， 因此本发 明不受下面公开的具体实施的限制。
其次， 本发明利用示意图进行详细描述， 在详述本发明实施例时， 为便于 说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例 作局部放大， 而且所述示意图只 是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。 此外，在实际制作中应包含长度、 宽度及深度的三维空间尺寸。
图 2为本发明一实施例的单栅非易失性快闪存储 元的结构图。如图 2所 示， 单栅非易失性快闪存储单元包括： 半导体结构， 所述半导体结构包括衬底 100、 位于衬底 100中的第一导电类型的掺杂阱 105 , 位于掺杂阱 105内及其 上的控制栅晶体管 110和浮栅晶体管 120, 其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体 管的漏极共用， 所述浮栅晶体管 120具有浮栅结构，浮栅结构可以包括浮栅部 120G和浮栅延伸部 140。 所述半导体结构上具有层间介质层（未图示） 。 所述 存储单元还包括可动开关 200。
具体的， 所述衬底 100可以是单晶硅、 多晶硅或非晶硅； 所述衬底 100也 可以是硅、 锗、砷化镓或硅锗化合物； 该衬底 100还可以具有外延层或绝缘层 上硅结构； 所述衬底 100还可以是其它半导体材料， 这里不再——列举。
所述第一导电类型可以为 N型或者 P型， 下面以第一导电类型为 N型， 第二导电类型为 P型为例进行说明。在所述衬底 100中具有 N阱 105 , 所述 N 阱可以用本领域技术人员所习知的方法形成， 例如，在半导体衬底 100上先通 过光刻工艺定义出形成 N阱的区域， 然后进行离子注入， 形成 N阱， 注入的 离子为 N型离子， 例如磷离子。
在 N阱中及其上具有控制栅晶体管 110和浮栅晶体管 120,控制栅晶体管 110和浮栅晶体管 120均为 PMOS晶体管， 当然如果是在 P阱中就为 NMOS 晶体管。 控制栅晶体管 110, 用于对存储单元进行读写操作， 浮栅晶体管 120, 用于进行数据存储。所述控制栅晶体管 110和浮栅晶体管 120上具有层间介质 层 130, 在所述层间介质层上还可以具有其它的互连层 ， 所述层间介质层用于 不同互连层之间的绝缘。
所述层间介质层 130的材料通常选自 Si02或者掺杂的 Si02, 例如 USG ( Undoped silicon glass,没有掺杂的石圭玻璃）、 BPSG( Borophosphosilicate glass, 掺杂硼磷的硅玻璃）、 BSG ( borosilicate glass , 掺杂硼的硅玻璃）、 PSG ( Phosphosilitcate Glass, 掺杂磷的硅玻璃 )等。
上述半导体结构可以为本领域技术人员熟知的 单栅存储单元中的控制栅 晶体管和浮栅晶体管结构， 因此不再赘述。
图 3为图 2沿 A-A，方向的剖面图， 在本实施例中， 参考图 3 , 所述浮栅结 构包括： 浮栅部 120G和浮栅延伸部 140。浮栅结构还包括浮栅极 1202和位于 浮栅极 1202上的绝缘层 1203 ,换言之，在浮栅延伸部 140中包括浮栅极 1202, 例如浮栅极为多晶硅层， 浮栅延伸部 140还包括位于浮栅极 1202上的绝缘层 1203 , 例如绝缘层 1203为氮化硅或者但氧化硅材料。 所述绝缘层的作用是对 半导体结构上不需要形成金属接触的位置进行 保护，使得仅在半导体结构上需 要的位置形成金属接触。 绝缘层 1203上覆盖有层间介质层 130。 图 4为图 2沿 B-B，方向的剖面图， 参考图 4, 所述存储单元还包括可动开 关 200, 可动开关 200设置于所述浮栅结构上方， 在本实施例中， 所述可动开 关 200设置于浮栅延伸部 140上方，所述可动开关 200对应位置的浮栅延伸部 140中具有暴露浮栅极 1202的开口 1204, 所述可动开关 200包括： 支撑部件 210和导电互连部件 220, 所述支撑部件 210连接在所述导电互连部件 220的 外围，且与所述层间介质层 130连接， 所述导电互连部件 220通过所述支撑部 件 210悬置在所述开口 1204上方， 当向所述导电互连部件 220施加电压， 则 所述导电互连部件 220 在静电作用下可以进入所述开口 1204 和所述浮栅极 1202导电互连。为了使得所述导电互连部件 220在较低的电压下（例如 3 V~6V ) 就能进入所述开口 1204和所述浮栅极 1202导电互连， 所述层间介质层 130 的厚度优选的为 0.2 μ m~l μ m。
在其它实施例中， 所述浮栅结构可以仅包括浮栅部 120G, 不包括浮栅延 伸部 140, 所述可动开关可以设置于所述浮栅部 120G上， 设置方法与本实施 例中类似。
图 5为图 2沿 C-C，方向的剖面图。 在一具体实现中， 所述支撑部件 210 为绝缘材料， 所述导电互连部件 220为金属材料。 如图 5所示， 所述支撑部件 210为分布在导电互连部件 220对称的两侧的引脚， 也可以为分布在导电互连 部件 220四周的绝缘材料层， 例如氮化硅层。所述支撑部件 210和所述导电互 连部件 220连接的一端位于导电互连部件 220下方，与层间介质层 130连接的 一端位于层间介质层 130上方，这样可以起到将所述导电互连部件 220支撑在 所述开口上方， 使其悬置的作用。 当向所述导电互连部件 220施加电压， 则所 述导电互连部件 220在静电作用下，所述导电互连部件 220和所述浮栅极 1202 导电互相吸引， 因此所述支撑部件 210弯曲， 所述导电互连部件 220进入所述 开口 1204和所述浮栅极 1202导电互连。在所述导电互连部件 220和所述浮栅 极 1202导电互连时， 所述支撑部件 210起到刚性支撑作用， 同时增加机械疲 劳度， 支撑部件可以为除氮化硅之外还可以为其他材 料， 例如 Si02、 SiON、 Poly或者 Silicon等材料。
为了使得所述导电互连部件 220和所述浮栅极 1202导电互连时， 所述支 撑部件 210弯曲并不断裂， 需要将所述支撑部件 120的形状、 厚度、 宽度以及 导电互连部件 220的厚度结合起来。优选的， 所述支撑部件 210的形状可以为 一条或者多条横跨所述导电互连部件 220 两侧的条带状结构， 所述支撑部件 210从所述导电互连部件 220两侧伸出的部分和层间介质层连接。 所述支撑部 件 210从所述导电互连部件 220两侧伸出的部分可以为直线型引脚，也可以 为 折线形引脚，也可以为布满导电互连部件 220侧边的块状引脚等等。对于上述 结构使得所述支撑部件 210弯曲并不断裂， 所需的支撑部件 120的厚度为 500 埃〜 3000埃（具体的取值还和支撑部件的宽度有关 但是该厚度保证了任何宽 度都不会断裂）、 导电互连部件 220的厚度为 500埃〜 5000埃（具体的取值还 和支撑部件的宽度有关， 但是该厚度保证了任何宽度都不会断裂）。
在一优选实施方式中，所述开口包括所述层间 介质层中的介质层开口及对 应介质层开口中央区域的绝缘层中的开口， 即浮栅延伸部开口，且介质层开口 和所述浮栅延伸部贯通， 构成所述开口。
在一优选实施方式中，所述导电互连部件对应 于所述浮栅延伸部开口的位 置向浮栅结构一侧凸出。 并且所述导电互连部件对应于所述开口的中央 区域， 换言之， 所述导电互连部件的尺寸小于所述开口尺寸， 从而所述导电互连部件 220可以与开口 1204的侧壁不接触的情况下进入所述开口 1204, 使得导电互 连部件的向浮栅结构一侧凸出的位置和所述浮 栅延伸部 140 开口内的浮栅极 1202接触。 例如还可以所述浮栅延伸部开口位于所述介质 层开口中央区域， 且所述导电互连部件凸出位置和所述浮栅延伸 部开口位置对应。
为了保证所述导电互连部件 220进入所述开口 1204和所述浮栅极 1202导 电互连时， 所述导电互连部件 220和所述浮栅极 1202之间可以形成良好的电 性接触，优选的，所述导电互连部件 220凸出位置相对浮栅结构的表面正方形， 且所述正方形的面积为 0.01 μ ηι2~25 μ ηι2。
所述开口 1204的尺寸可以根据所述导电互连部件的尺寸 设置， 保证所 述开口侧边和所述导电互连部件之间的距离大 于 0。 例如所述开口的长和宽分 别为所述导电互连部件的长和宽的 1.5倍至 3倍。
另外在其它实施例中，所述浮栅结构还可以仅 包括浮栅极，不包括绝缘层， 这样所述开口仅包括介质层开口。
所述导电互连部件悬置在所述开口 1204上方， 从而在写操作的时候对导 电互连部件 220施加 5V的正电压， 则在静电作用下导电互连部件 220与开口 内的浮栅导电层 1202互相吸引接触， 从而导电互连， 这样浮栅内就被存储正 电荷。 在擦除的时候， 对导电互连部件 220施加 -5V的正电压， 则在静电作用 下导电互连部件 220与开口内的浮栅导电层 1202互相吸引接触， 从而导电互 连， 这样浮栅内的正电荷就被擦除。
本发明通过设置可动开关， 实现了直接对浮栅进行写操作和擦出操作， 现 有技术中擦除操作， 一般利用热电子或者电子隧穿的原理， 需要较高电压才能 实现， 一般擦写的操作电压为 7V~20V。 因此在制造工艺中， 必须包含高压器 件， 制造工艺复杂。 本发明的存储单元的擦写， 由可动开关对其进行充放电而 实现， 可动开关是由低压控制 （3V~6V ), 因此可以省去控制电路中的高压器 件， 从而筒化了控制电路， 降低制造成本。 同时现有技术中擦写过程中的热电 子及电子隧穿的反复擦写容易造成晶体管的失 效， 在本发明中避免了高压擦 除， 因此提供了产品在使用过程中的可靠性。 并且避免了现有技术中利用热电 子对浮栅进行写操作过程中电流产生的功耗。 另外本发明由于直接对浮栅进行 擦写操作， 从而大大缩短了写操作和擦除操作的时间， 提高了工作效率。
图 6为本发明的单栅非易失性快闪存储单元制造 法的流程图，下面参考 图 6 对本发明的单栅非易失性快闪存储单元制造方 法及上述实施例中的单栅 非易失性快闪存储单元结构进行进一步说明。
本实施例中单栅非易失性快闪存储单元包括：
步骤 S10, 提供半导体结构。
具体的参考， 图 7, 所述半导体结构包括衬底 100、 位于衬底 100中的 N 型的掺杂阱 105 , 位于掺杂阱 105及其上的控制栅晶体管（未图示）和浮栅晶 体管 （未图示）， 其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共 用， 所述浮栅 晶体管具有浮栅结构， 所述控制栅晶体管和浮栅晶体管上具有层间介 质层 130。
步骤 S20, 对所述半导体结构进行刻蚀， 在所述浮栅结构上的层间介质层 130中形成第一开口。
具体的， 参考图 8, 可以利用本领域技术人员熟知的光刻和刻蚀的 方法形 成第一开口 1206。 例如在一具体实现中， 可以在半导体结构上利用旋涂（spin on )工艺涂布光刻胶，接着通过曝光将掩膜版上 与第一开口相对应的图形转 移到光刻胶上，然后利用显影液将相应部位的 光刻胶去除，以形成光刻胶图形。
接着， 所述刻蚀层间介质层可以是任何常规刻蚀技术 ， 比如化学刻蚀技术 或者等离子体刻蚀技术， 在本实施例中， 采用等离子体刻蚀技术， 采用 CF4、 CHF3、 CH2F2、 CH3F、 C4F8或者 C5F8中的一种或者几种作为反应气体刻蚀 层间介质层 130直至形成暴露浮栅结构的第一开口。
一般的， 所述浮栅结构还可以包括浮栅部 （未图示）和浮栅延伸部 140。 所述浮栅结构可以包括浮栅极 1202和位于浮栅极上的绝缘层 1203 , 换言之， 在浮栅延伸部 140中包括浮栅极 1202 , 例如浮栅极为多晶硅层， 浮栅延伸部 140还包括位于浮栅极 1202上的绝缘层 1203 ,例如绝缘层 1203为氮化硅或者 但氧化硅材料。所述绝缘层的作用是对半导体 结构上不需要形成金属接触的位 置进行保护， 使得仅在半导体结构上需要的位置形成金属接 触。
所述对半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构 上的层间介质层中形成第一 开口具体可以包括步骤：
对所述层间介质层进行刻蚀， 形成介质层开口。
接着， 对介质层开口内的浮栅延伸部 140上形成暴露部分浮栅延伸部 140 的光掩膜图形， 然后对所述介质层开口内暴露的所述绝缘层进 行刻蚀， 形成浮 栅延伸部开口。 所述介质层开口和所述浮栅延伸部开口构成第 一开口 1206, 所述第一开口 1206就暴露浮栅延伸部 140中的浮栅极 1202。
在一优选实施方式中， 所述浮栅延伸部开口位于介质层开口的中央区 域。 步骤 S30, 在所述第一开口中填充牺牲介质。
具体的， 参考图 9, 所述填充牺牲介质 1208的工艺可以利用： 化学气相 沉积或者旋涂工艺， 例如涂覆光刻胶层。 填充第一开口直到和层间介质层 130 齐平。
步骤 S40, 在所述层间介质层 130上形成阻挡层， 所述阻挡层覆盖部分所 述牺牲介质 1208。
具体的， 参考图 10, 在层间介质层 130上可以利用化学气相沉积方法形 成阻挡层 1209, 所述阻挡层 1209的材料可以具体为氮化硅。
在一具体实现中， 所述阻挡层可以覆盖第一开口的中央区域的牺 牲介质 1208。 从而使得阻挡层 1209暴露第一开口边缘区域的所述牺牲介质 1208。
步骤 S50, 刻蚀所述阻挡层， 在所述阻挡层中形成暴露部分所述牺牲介质 的第二开口。
具体的， 参考图 10, 在所述阻挡层表面形成光掩膜图形， 在光掩膜图形 掩蔽下进行刻蚀， 形成第二开口 1210, 第二开口 1210暴露所述牺牲介质。 所 述刻蚀方法可以利用本领域技术人员熟知的方 法， 例如等离子体刻蚀。
优选的， 所述第二开口对应于所述浮栅延伸结构开口的 位置。
步骤 S60, 在所述牺牲介质表面的阻挡层上形成导电层， 所述导电层覆盖 所述第二开口。
具体的， 参考图 11 , 所述形成具体工艺条件包括： 物理气相沉积靶材材 料为金属， 例如铝， 反应温度为 250摄氏度至 500摄氏度， 腔室压力为 10毫 托至 18毫托， 直流功率为 10000瓦至 40000瓦， 氩气流量为每分钟 2标准立 方厘米至每分钟 20标准立方厘米， 填充所述第二开口 1210, 直至形成覆盖所 述第二开口 1210的金属层。
例如可以进行刻蚀， 去除所述阻挡层 1209上多余的导电层， 仅保留第二 开口 1210 边缘处（即所述牺牲介质对应的所述阻挡层上 ）及第二开口 1210 内的阻挡层 1209上的导电层。 在形成导电层 1212的时候， 由于导电层 1212 首先要填充第二开口 1210, 因此在第二开口 1210的位置导电层 1212会向浮 栅延伸部 140方向凸出，也就是对应于所述浮栅延伸部 140开口的位置的导电 层会凸出。 从而使得在形成存储单元后， 在静电的作用下， 导电层会和所述浮 栅延伸部开口内的浮栅极 1202接触， 导电互连。
步骤 S70, 去除所述第一开口中的牺牲介质。
具体的， 继续参考图 11 , 可以利用清洗或者灰化的方法去除牺牲介质。 化的方法去除的材料。 从而形成了如图 4所示的结构。
优选的， 所述阻挡层位于第一开口的中央区域， 所述第二开口位于第一开 口的中央区域。所述浮栅延伸部开口位于所述 介质层开口的中央区域，且所述 导电层的向浮栅延伸部方向凸出位置和所述浮 栅延伸部开口位置对应。
另外在上述实施例中还可以第一掺杂类型为 P型， 第二掺杂类型为 N型。 另夕卜， 在其它实施例中也可以不设置浮栅延伸部。 所述可动开关直接在浮 栅部上形成。
除此之外，本发明还提供了一种包括阵列排列 的上述单栅非易失性快闪存 储单元的单栅非易失性快闪存储器件。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已， 并非对本发明作任何形式上的 限制。 任何熟悉本领域的技术人员， 在不脱离本发明技术方案范围情况下， 都 可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技 术方案作出许多可能的变动和 修饰， 或修改为等同变化的等效实施例。 因此， 凡是未脱离本发明技术方案的 修饰， 均仍属于本发明技术方案保护的范围内。