Stabilisierung der kontaktlosen Energieversorgung des Chips einer Chipkarte sowie entsprechende Chipkarte Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einstellen der internen Versorgungsspan- nung des Chips einer Chipkarte basierend auf der Feldstärke eines den Chip mit Energie versorgenden externen elektromagnetischen Felds, ein entsprechendes Com- puterprogrammprodukt, ein Speichermedium mit dem Computerprogrammpro- dukt, ein Verfahren zum Einrichten des Chips der Chipkarte mit dem Speicherme- dium zur Durchführung des Verfahrens zum Einstellen der internen Versorgungs- spannung des Chips sowie eine Chipkarte mit dem Chip, in dem das Verfahren zum Einstellen der internen Versorgungsspannung des Chips implementiert ist. Chipkarten, auch Smartcard oder Integrated Circuit Card (ICC) genannt, sind karten- förmige Datenträger, die in vielen Bereichen, insbesondere in sicherheitskritischen Anwendungen, eingesetzt werden, z.B. in Zahlungsverfahren zur Durchführung von Transaktionen des bargeldlosen Zahlungsverkehrs, zur fälschungssicheren Identi- tätsfeststellung von Personen, z. B. als Ausweisdokumente, oder als Berechtigungs- nachweise, z.B. zum Nachweis von Zugangsberechtigungen, um nur einige nicht ab- schließende Beispiele zu nennen. Beispielsweise definiert die ISO/IEC 7810 als inter- nationale Norm vier Formate für Identitätsdokumente – ID-1, ID-2, ID-3 und ID-000 –, wobei ID-1 das bekannte Bankkarten-, Kreditkarten- und Scheckkartenformat be- trifft. Eine Chipkarte weist einen Kartenkörper und einen in den Kartenkörper eingebette- ten integrierten Schaltkreis (Chip), z.B. in Form eines Chipmoduls, auf. Das Chipmo- dul ist üblicherweise in eine Kavität oder Modulöffnung des Kartenkörpers einge- setzt. Physikalisch ist eine Chipkarte also eine Karte mit einem darin eingebautem Chip, der wenigstens eine Hardware-Logik, aber üblicherweise einen Mikroprozes- sor (oder Mikrocontroller), sowie nichtflüchtige Speicher (Elektrisch-Löschbares-pro- grammierbares ROM, EPROM oder Elektrisch-änderbares-programmierbares ROM, EAPROM) enthält. Chipkarten können mit hierfür eingerichteten Kartenlesegeräten angesteuert werden und mit diesen kommunizieren. Im Folgenden werden Chipkarten oder Chipmodule betrachtet, in die eine Spule in- tegriert ist, die für eine berührungs- oder kontaktlose Kommunikation über ein exter- nes elektromagnetisches Feld eingerichtet sind und von diesem Feld mit der für ih- ren Betrieb benötigten Energie versorgt werden; als Beispiel sei hier ein Chipkarten- controller mit der Funktionalität „Identifizierung mit Hilfe elektromagnetischer Wel- len“(RFID) genannt. Eine hier betrachtete Chipkarte kann auch eine Karte mit Dual Interface (DI) Funktionalität sein, d.h. gleichfalls mechanisch-elektrische Kontakte für eine kontaktbehaftete Kommunikation mit einem zugehörigen Lesegerät aufweisen. Für weiterführende Informationen sei hier z.B. auf die internationale Normenreihe ISO/IEC 14443 für kontaktlose Chipkarten verwiesen. Die ISO/IEC 14443 bezeichnet eine Leseeinheit als PCD (proximity coupling device) und die Chipkarte als PICC (proximity integrated circuit card), wobei der zulässige Leseabstand in größter Nähe für verlässliches Lesen wenige Zentimeter bis zum direkten Auflegen beträgt. Es gibt Chipkarten, bei denen das Powermanagement im kontaktlosen Modus, auch CL-Modus (CL = ContactLess) genannt, selbst per Software durchgeführt werden muss. Dazu weist der Chip Sensorregister, in welche die mittels eines Sensors er- fasste, aktuelle Feldstärke des externen elektromagnetischen Lesefelds als absoluter oder relativer Wert abgelegt ist, Shunt-Register, deren Bits zusätzliche Lastwider- stände im/zum Chip hinzu- oder abschalten, und Versorgungsspannungsregister auf, die es ermöglichen die interne Versorgungsspannung im Chip zu verändern. Da bei ist ein Register im Wesentlichen ein Speicherbereich für Daten, auf den die Hardware-Logik oder der Mikroprozessor (oder Mikrocontroller) des Chips beson- ders schnell zugreifen kann, wobei das Register im Wesentlichen eine Spreicherstelle mit einer physikalischen oder logischen Speicheradresse ist. Damit besteht die Mög- lichkeit, Eingriffe hinsichtlich des Leistungsverbrauchs im CL-Modus per Software durchzuführen. Dies ist notwendig, da der Chip im Kontaktlosmodus alle Energie aufnimmt, die er von einem kontaktlosen Lesegerät PCD bekommt. Ist der Chip „ge- sättigt“, d.h. der Chip kann die zugeführte Energie nicht vollständig in Rechenleis- tung umsetzen, werden zusätzliche ohmsche Widerstände (Shunts) aktiviert, um die überschüssige Energie in Wärme umzusetzen und so den Chip vor Beschädigung zu schützen. Damit umgekehrt der Chip bereits in einem schwachen elektromagnetischen Feld ar- beiten kann, ist es möglich per Software die interne Schwellenspannung im Chip, das ist die Höhe der internen Versorgungsspannung, ab welcher der Chip zu arbeiten be- ginnt, herabzusetzen. Dann arbeitet der Chip intern mit einer verringerten Versor- gungsspannung; beispielsweise nicht mehr mit 1 V, sondern bereits mit 0,85 V, d.h. die Herabsetzung beträgt hier 0,15 V. Die interne Versorgungsspannung des Chips darf jedoch nur im Schwachfeld herun- tergesetzt werden. Bei Feldstärken über einem bestimmten Wert, z.B.1,5 A/m, muss die Versorgungsspannung wieder auf den Normalwert gesetzt werden, d.h. die Her- absetzung muss deaktiviert werden, da es sonst zu Beschädigungen im Chip kom- men kann. Der Umschaltpunkt oder genauer die Schaltschwelle ist kritisch. Falls die Deaktivierung der Herabsetzung der Versorgungsspannung bei zu geringer äußerer Feldstärke erfolgt, kann der Chip durch eine zu hohe interne Leistungsaufnahme „abgewürgt“ werden, d.h. ausfallen; durch das Umschalten auf die normale Versor- gungsspannung benötigt der Chip nämlich sofort mehr Energie, da beispielsweise die Transistoren bei der höheren Versorgungsspannung mehr Energie aufnehmen. Andererseits kann es bei einem nicht rechtzeitigen Umschalten auf die normale Ver- sorgungsspannung zu einer zu hohen Leistungsaufnahme aufgrund der hohen Feld- stärke des externen elektromagnetischen Felds und zu einer Beschädigung des Chips kommen. Die Regelung der internen Versorgungsspannung wird zusätzlich erschwert, dadurch, dass die Änderungen in der Feldstärke des externen Felds nicht gut vorher- sehbar sind. So wird die Chipkarte von einem Menschen in das Leserfeld gehalten, was alleine bereits Schwankungen im CL-Feld bedingt, besonders weil eine Transak- tion bis zu 1 Sekunde dauern kann. Zusätzlichen Einfluss hat das Verfahren, wenn beispielsweise eine Transaktion an einem Point of Sale (POS)-Terminal als PCD durchgeführt wird. In einem ersten Schritt wird zuerst das POS-Terminal aktiviert. In einem zweiten Schritt führt der Kunde die Chipkarte mit der Hand zum POS-Termi- nal. In dem Zeitraum, bis die Karte an ihrer Endposition am POS-Terminal angekom- men ist, verändert sich das CL-Feld, dass am Ort der Chipkarte wirkt, ständig. Zu- sätzlich kann auch das POS-Terminal selbst seitens des Verkäufers mit der Hand auf die Chipkarte zubewegt werden. Alle vorstehend genannten relevanten Umstände für die Einstellung der internen Versorgungsspannung des Chips zusammen mit den Schwankungen der Feldstärke des externen elektromagnetischen Felds während des oben genannten typischen Ab- laufs eines Bezahlvorgangs scheinen ursächlich für Transaktionsabbrüche an POS- Terminals. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren vorzuschlagen, eine möglichst stabile Energieversorgung des Chips einer Chipkarte mit einstellbarer in- terner Versorgungsspannung in Abhängigkeit der Feldstärke des den Chip mit Ener- gie versorgenden externen elektromagnetischen Feldes sicherzustellen. Diese Aufgabe wird durch die unabhängigen Patentansprüche gelöst. Ausgestaltun- gen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen ange- geben. Dabei gelten Merkmale und Details, die im Zusammenhang mit dem erfin- dungsgemäßen Verfahren beschrieben sind, auch im Zusammenhang mit der erfin- dungsgemäßen Chipkarte, dem Computerprogramm und dem Speichermedium und jeweils umgekehrt, sodass bezüglich der Offenbarung zu den einzelnen Erfindungs- aspekten stets wechselseitig Bezug genommen werden kann. Ein Grundgedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, vermittels eines Soft- ware-gesteuerten Regelkreises die interne Versorgungsspannung des Chips der Chipkarte so zu steuern, dass die Energieversorgung des Chips bei Schwankungen der von der Chipkarte „gesehenen“ externen Feldstärke möglichst stabil bleibt. Für die Auslegung der hier vorgeschlagenen Software-gesteuerten Regelung der in- ternen Versorgungsspannung im Wege der Aktivierung oder Deaktivierung einer Herabsetzung der internen Versorgungsspannung, mit welcher der Chip arbeitet, waren mehrere technische Überlegungen und Erkenntnis notwendig, die nachste- hend erläutert werden. Wie eingangs beschrieben, kann bei den hier betrachteten Chipkarten per Software die Spannungsschwelle, ab welcher der Chip zu arbeiten beginnt, heruntergesetzt werden, sodass der Chip bereits in einem schwachen elektromagnetischen Feld ein- gesetzt werden kann. Im Effekt arbeitet der Chip dabei intern mit einer verringerten Versorgungspannung. Die Aktivierung der Herabsetzung der internen Versorgungs- spannung, d.h. die Herabsetzung der Schwellenspannung, sollte nur im Schwachfeld erfolgen, damit es nicht zu einer Beschädigung des Chips bei höheren externen Feld- stärken kommt. D.h., bei einer externen Feldstärke über einem bestimmten Wert sollte die Herabsetzung der Schwellenspannung wieder deaktiviert werden und so- mit die interne Versorgungsspannung wieder auf den Normalwert gesetzt werden. Die Erfinder haben jedoch festgestellt, dass das Herabsetzen der internen Versor- gungsspannung ebenfalls alle Sensoren des Chips beeinflusst, somit auch das Sensor- register, das die aktuelle externe elektromagnetische Feldstärke anzeigt. Dies sei kurz mit einem Beispiel verdeutlicht. Angenommen, die interne Versorgungsspannung des Chips ist nicht herunterge- setzt, d.h. die Herabsetzung der Schwellenspannung ist nicht aktiv, und es liegt eine externe Feldstärke von 1 A/m vor. Das Sensorregister zeigt dann z.B. einen Wert von „0x03“ an. Wenn nun die Herabsetzung der Schwellenspannung aktiviert wird, also die interne Versorgungsspannung verringert wird, wird bei derselben externen Feld- stärke von 1 A/m, vom Sensorregister der Wert „0x07“ angezeigt. Die Herunterset- zung der Schwellenspannung führte also dazu, dass das Sensorregister dem Chip eine höhere äußere Feldstärke anzeigt als diejenige, die tatsächlich vorliegt. Wie oben angemerkt, darf die Schwellenspannung nur in einem schwachen elektromagneti- schen Feld heruntergesetzt werden. Bei Feldstärken über einem bestimmten Wert, angenommen z.B. 1,5 A/m, muss die Schwellenspannung wieder hochgesetzt wer- den, d.h. die Herabsetzung deaktiviert und die interne Versorgungsspannung wie- der auf den Normalwert gesetzt werden, da es sonst zu Beschädigungen im/am Chip kommen kann. Die Schaltschwelle hierfür ist kritisch, da, sollte die Deaktivie- rung der Herabsetzung der Schwellenspannung bei einer zu geringen äußeren Feld- stärke – also zu früh – erfolgen, wird der Chip durch seine dann zu hohe interne Leistungsaufnahme „abgewürgt“, da der Chip bei der normalen internen Versor- gungsspannung mehr Energie umsetzt. Erfolgt die Deaktivierung der Herabsetzung der Schwellenspannung zu spät, kann der Chip aufgrund einer zu hohen Leistungs- aufnahme beschädigt werden. Zusätzlich erschwert wird die Software-gestützte Regelung der internen Versor- gungsspannung über die Aktivierung/Deaktivierung der Herabsetzung der Schwel- lenspannung, da die Schwankungen der Feldstärke des den Chip mit Energie versor- genden externen elektromagnetischen Felds von verschiedenen Faktoren abhängt und somit kaum vorhersagbar ist. Bereits die Tatsache, dass die Chipkarte von einem Menschen durch das Leserfeld in Richtung des POS-Terminals geführt wird und eine Transaktion bis zu 1 Sekunde dauern kann, ist bereits ursächlich für Schwankungen der Feldstärk des externen CL-Felds. Auch ist es nicht unüblich, dass an einem POS der Verkäufer das POS-Terminal ebenfalls als in der Hand gehaltenes Gerät auf die Chipkarte des Kunden zubewegt und sich damit sowohl die Chipkarte als auch das POS-Terminal während der Transaktion in Bewegung befinden. Schließlich führt der Ablauf der kontaktlosen Zahltransaktion an einem POS-Terminal zwangsläufig zu einer Schwankung der Feldstärke des CL-Felds. Üblicherweise wird in einem ersten Schritt zuerst das POS-Terminal aktiviert und dann führt der Kunde in einem zwei- ten Schritt die Chipkarte zum POS-Terminal und der Verkäufer gegebenenfalls das POS-Terminal auf die Chipkarte zu. In dem Zeitraum, bis die Karte an ihrer Endposi- tion am POS-Terminal angekommen ist, verändert sich mit dem sich ändernden Ab- stand zwischen der Chipkarte und dem POS-Terminal das CL-Feld, dass die Chip- karte selbst sieht. Alle die genannten technischen Zusammenhänge und Abläufe müssen berücksich- tigt werden, damit es aufgrund von zu starken Schwankungen der internen Versor- gungsspannung des Chips möglichst nicht zu Transaktionsabbrüchen während einer Transaktion am POS-Terminal kommt. Ein erster Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einstellen der internen Versorgungsspannung des Chips einer Chipkarte basierend auf der Feldstärke eines den Chip mit Energie versorgenden externen elektromagnetischen Felds, wobei das Verfahren von dem Chip implementiert wird. Die interne Versorgungsspannung des Chips ist durch Aktivieren und Deaktivieren einer Herabsetzung einer Schwellen- spannung verringerbar. Der Chip weist ein Sensorregister auf, das einen Feldstärke- wert anzeigt, der abhängig von der Feldstärke des externen elektromagnetischen Felds und der eingestellten internen Versorgungsspannung ist. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: ^ einen Schritt A, mit erstmaligem Aktivieren der Herabsetzung Schwellenspan- nung, wenn der Feldstärkewert im Sensorregister kleiner als eine vorbe- stimmte erste Schaltschwelle ist; ^ einen Schritt B, mit erstmaligem Deaktivieren der Herabsetzung der Schwel- lenspannung, sobald der Feldstärkewert im Sensorregister größer oder gleich der ersten Schaltschwelle ist; und ^ einen Schritt C, mit Setzen einer vorbestimmten zweiten Schaltschwelle für je- des erneute Aktivieren der Herabsetzung der Schwellenspannung unter Bei- behaltung der ersten Schaltschwelle für jedes erneute Deaktivieren der Herab- setzung der Schwellenspannung, wobei die zweite Schaltschwelle niedriger als die erste Schaltschwelle ist. Zum Aktivieren und Deaktivieren der Herabsetzung der Schwellenspannung für die Veränderung der internen Versorgungsspannung des Chips kann ein Schwellwertre- gister vorgesehen sein, das zum Aktivieren und Deaktivieren der Herabsetzung der Schwellenspannung beschreibbar ist. Beispielsweise kann die Aktivierung oder De- aktivierung einem bestimmten Bit in einer Speicherstelle in einem Arbeitsspeicher des Mikroprozessors oder Mikrocontrollers des Chips zugeordnet sein, wobei über das Bit eine interne Versorgungsspannungseinheit des Chips entsprechend angesteu- ert wird. Es versteht sich, dass der in dem Sensorregister des Chips angezeigte Feldstärkewert, von der externen Feldstärke des externen elektromagnetischen Felds sich auf den Feldstärkewert am Ort der Chipkarte bezieht; üblicherweise besitzt die Chipkarte zum Koppeln mit dem externen elektromagnetischen Feld entsprechende als eine oder mehrere Antennen fungierende Bauteile, wie beispielsweise eine in den Karten- körper der Chipkarte und/oder in ein Chipmodul des Chips integrierte Spule. Typische elektromagnetische Feldstärken für eine Kommunikation zwischen dem Chip der Chipkarte und einem kontaktlosen Lesegerät (PCD oder CL-Reader) liegen zum Beispiel in einem Bereich zwischen 1,5 A/m und 7,5 A/m. Der Chip kann als integrierte Schaltung zum Beispiel einen Mikrocontroller oder Mikroprozessor aufweisen; grundsätzlich könnte die integrierte Schaltung auch als reine Hardware-Logik alle notwendigen Funktionen implementieren und beispiels- weise eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC) oder auch als Field Programmable Gate Array (FPGA) realisiert sein. Um eine möglichst gute Regelung der internen Versorgungsspannung des Chips si- cherzustellen, sollten die Sensorregisterwerte in hinreichend kurzen zeitlichen Ab- ständen ausgewertet werden. Darauf basierend ist die Schwellenspannung einzustel- len und gegebenenfalls Shunt-Widerstände zum Verbrauch gegebenenfalls über- schüssiger Leistung im Chip zu oder wegzuschalten. Die Erfinder schlagen aufgrund folgender technischen Überlegungen vor, die Taktung der Auswertung der Sensorre- gisterwerte wie folgt auszulegen. Ab etwa 5 cm Abstand der Chipkarte von der Centerposition des PCD oder POS-Ter- minals, beginnt eine Chipkarte üblicherweise zu arbeiten. Bei 3 cm Abstand von der Centerposition überschreitet bei den meisten POS-Terminals die am Ort der Chipkarte herrschende Feldstärke 2 A/m. Die maximale Bewegungsgeschwindigkeit für die Annäherung der Chipkarte an das POS-Terminal liegt bei etwa 0,59 m/s für einen Arm des Verwenders der Karte; diese Bewegungsgeschwindigkeit gilt nur für lineare Bewegungen, also ohne Stopp. D.h., die Regelung ist in einem Bereich von 2 cm für einen Feldstärkebereich von 0 A/m nach 2 A/m auszulegen. Damit ergibt sich ein Zeitfenster von kleiner 200 ms, in dem eine ausreichend genaue Regelung durchgeführt werden muss. Um diese Regelung sicher zu stellen, sollte die Auswer- tung des Sensorregisters spätestens alle 35 ms durchgeführt werden. Der Feldstärkewert in dem Sensorregister des Chips der Chipkarte kann intermittie- rend, bevorzugt in einem zeitlichen Abstand von 30 bis 40 ms, besonders bevorzugt etwa alle 35 ms, ausgewertet werden. Darauf basierend werden die oben genannten Schritte A bis C ausgeführt, d.h. die Schwellenspannung bestimmungsgemäß oder bedarfsgerecht aktiviert oder deaktiviert. Eine besonders effiziente Umsetzung besteht darin, den S(WTX)- oder SWTX-Befehl (Frame Wait Time Extension Request) des T=CL Protokolls gemäß ISO/IEC 7816-4 als Trigger für eine kontinuierliche Auswertung des Sensorregisters zu verwenden. Der SWTX-Befehl ist eine Anforderung von mehr Zeit für die Verarbeitung eines Be- fehls, also eine Verlängerung einer vorbestimmten Wartezeit, um einen Abbruch der Kommunikation zu verhindern. Dadurch können weitere Interrupts bzw. kontinuier- liche Überprüfungen des Sensorregisters entfallen. Vorzugsweise erfolgt die Überprüfung des Sensorregisters vor dem Aussenden des S(WTX)-Request. Dies hat den Vorteil, dass das Verhalten der Lastmodulation in Ab- hängigkeit der Feldstärke angepasst werden kann. D.h., in einer bevorzugten Weiter- bildung erfolgt die Auswertung des Sensorregisters vor dem Aussenden des S(WTX)-Request. Der Chip besitzt bevorzugt zuschaltbare interne oder externe Shunt-Widerstände, die abhängig von der aktuellen Leistungsaufnahme des Chips und der externen Feldstärke zur Abfuhr überschüssiger Energie zum Chip zugeschaltet oder vom Chip getrennt werden können. Das Zuschalten oder Wegschalten der Shunt-Widerstände zu dem Chip kann über ein entsprechendes Shunt-Register gesteuert werden, dessen Bits jeweils einem bestimmten Shunt-Widerstand zugeordnet sind und beispiels- weise ein gesetztes Bit („1“) den zugehörigen Shunt-Widerstand mit dem Chip so verschaltet, dass ein Teil der aktuell überschüssigen Energie im Shunt-Widerstand in Wärme umgesetzt wird. Erfindungsgemäß ist das vorstehende Verfahren als Software-Regelung in der Hard- ware-Logik, beispielsweise einem Mikrocontroller oder Mikroprozessor oder einem ASIC oder FPGA, im Chip der Chipkarte implementiert. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Computerprogramm(produkt), umfas- send Befehle, die bei der Ausführung des Programms durch einen Computer, insbe- sondere einen Mikrocontroller oder Mikroprozessor in einem Chip einer Chipkarte, diesen veranlassen, die Schritte des Verfahrens gemäß dem ersten Aspekt der Erfin- dung auszuführen. Ein dritter Aspekt der Erfindung betrifft ein (computerlesbares) Speichermedium, insbesondere in Form eines Programmspeicherbereichs eines Chips einer Chipkarte, in dem Befehle gespeichert sind, die bei der Ausführung durch einen Computer, ins- besondere einen Mikrocontroller oder Mikroprozessor in einem Chip einer Chip- karte, diesen veranlassen, die Schritte des Verfahrens gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung auszuführen. Ein vierter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einrichten des Chips ei- ner Chipkarte mit einem computerlesbaren Speichermedium gemäß dem dritten As- pekt der Erfindung. Die interne Versorgungsspannung des Chips ist basierend auf der Feldstärke eines den Chip mit Energie versorgenden externen elektromagneti- schen Felds durch Aktivieren und Deaktivieren einer Herabsetzung der Schwellen- spannung einer internen Versorgungsspannung des Chips, insbesondere in einem Schwellwertregister, verringerbar und wieder erhöhbar. Der Chip weist ein Sensorre- gister auf, das einen Feldstärkewert anzeigt, der abhängig ist von der externen Feld- stärke des externen elektromagnetischen Felds und davon, ob die Herabsetzung der Schwellenspannung aktiviert oder deaktiviert ist. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: ^ einen Schritt a, mit Bestimmen der Feldstärkewerte in dem Sensorregister in Abhängigkeit von der externen Feldstärke, wenn die Herabsetzung der Schwellenspannung deaktiviert ist, somit die interne Versorgungsspannung nicht verringert ist, über einen Feldstärkenbereich; ^ einen Schritt b, mit Bestimmen der Feldstärkewerte in dem Sensorregister in Abhängigkeit von der externen Feldstärke, wenn die Herabsetzung der Schwellenspannung aktiviert ist, somit die interne Versorgungsspannung ver- ringert ist, über den Feldstärkenbereich; ^ einen Schritt c, mit Vorbestimmen einer ersten Schaltschwelle, bei deren Un- terschreitung die Herabsetzung der Schwellenspannung erstmalig aktiviert wird und bei deren nachfolgenden Überschreitung die Herabsetzung der Schwellenspannung erstmalig wieder deaktiviert wird; ^ einen Schritt d, mit Vorbestimmen einer zweiten Schaltschwelle, bei deren Un- terschreitung die Herabsetzung der Schwellenspannung erneut aktiviert wer- den soll, wobei die zweite Schaltschwelle niedriger als die erste Schaltschwelle ist; und ^ einen Schritt e, mit Abspeichern der ersten Schaltschwelle und der zweiten Schaltschwelle in dem Speichermedium des Chips. Der Feldstärkenbereich kann von 0 A/m bis 10 A/m und bevorzugt von 0,5 A/m bis 7,5 A/m definiert sein. In dem Schritt d können Schwankungen aufgrund des Produktionsprozesses der Chipkarte und/oder einer Spule, die mit dem Chip verschaltet ist, und/oder auf- grund der Verbindungstechnologie, mit der die Spule mit dem Chip verbunden ist, berücksichtigt werden. Beispielsweise kann die erste Schaltschwelle 2 A/m sein. Es wurde festgestellt, dass bei Schwankungen im Produktionsprozess der Chipkarten sich der zugehörige Wert im Sensorregister in einem Bereich von +/- 0, 1 A/m verschieben kann. Zu diesem Bereich kommen noch Schwankungen hinzu, die durch die Spule als auch durch die verwendete Verbindungstechnologie, mit der die Spule mit dem Chip elektrisch ver- schaltet ist, resultieren. Bei Löten als Verbindungstechnologie sind diese Werte sehr klein, bei einer Flexbump-Technologie können diese Werte größer sein, z.B. +/- 0,4 A/m. Ein fünfter Aspekt der Erfindung betrifft eine Chipkarte mit einem Chip dessen Ver- sorgungsspannung durch Aktivieren und Deaktivieren einer Herabsetzung einer Schwellenspannung der internen Versorgungsspannung des Chips verringerbar ist. Dazu weist der Chip auf: ^ ein Sensorregister, das einen Feldstärkewert anzeigt, der abhängig von einer externen Feldstärke eines externen elektromagnetischen Felds und der einge- stellten internen Versorgungsspannung ist; ^ ein Speichermedium, indem eine erste Schaltschwelle und eine zweite Schalt- schwelle abgespeichert sind, wobei die zweite Schaltschwelle niedriger als die erste Schaltschwelle ist; und ^ den Chip, der eingerichtet ist, ein Verfahren gemäß dem ersten Aspekt der Er- findung auszuführen. Die Chipkarte kann einen Speicherbereich aufweisen, in dem Wertepaare aufwei- send einen Feldstärkewert in dem Sensorregister und die zugehörige externe Feld- stärke, wenn die Herabsetzung der Schwellenspannung deaktiviert ist, somit die in- terne Versorgungsspannung nicht verringert ist, und Wertepaare aufweisend den Feldstärkewert in dem Sensorregister und die zugehörige externe Feldstärke, wenn die Herabsetzung der Schwellenspannung aktiviert ist, somit die interne Versor- gungsspannung verringert ist, abgelegt sind. Bevorzugt sind die jeweiligen Wertepaare bei aktivierter Herabsetzung der Schwel- lenspannung und bei deaktivierter Herabsetzung der Schwellenspannung aufwei- send den Feldstärkewert in dem Sensorregister und die zugehörige externe Feld- stärke über den o.g. Feldstärkenbereich von 0 A/m bis 10 A/m und bevorzugt von 0,5 A/m bis 7,5 A/m in dem Speicherbereich abgelegt. Mit den vorstehend vorgeschlagenen Verfahren kann eine gattungsgemäße Chip- karte bereitgestellt werden, bei der eine verbesserte Stabilität der Energieversorgung des Chips auf der Chipkarte erreicht wird. Diese zeigt sich daran, dass der Chip we- niger, bis gar nicht mehr intern „abgewürgt“ wird, d.h. aufgrund von Unterspan- nung zu wenig Energie hat, oder, indem der Chip nicht durch Überhitzung zerstört oder beschädigt wird. Somit wird die Wahrscheinlichkeit deutlich erhöht, dass trotz oder bei schwankender externer Feldstärke eine komplette Transaktion mit einer Chipkarte mit dem erfindungsgemäßen Chip durchgeführt werden kann. Die Erfindung wird nachfolgend mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen bei- spielhaft beschrieben. Darin zeigen Fig. 1 eine vereinfachte schematische Explosionsdarstellung einer Dual Inter- face (DI) Chipkarte; Fig. 2 ein vereinfachtes funktionales Blockschaltbild eines Chipmoduls der Chipkarte der Fig. 1; Fig. 3 eine vereinfachte Darstellung einer Chipkarte im Kontaktlosmodus, die beispielsweise für einen Bezahlvorgang an ein POS-Terminal herange- führt wird, wobei das POS-Terminal ein elektromagnetisches Feld zur Versorgung der Chipkarte mit Energie sowie zur Kommunikation mit der Chipkarte erzeugt; Fig. 4 ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Einrich- ten des Chips einer Chipkarte für die Anwendung des erfindungsgemä- ßen Software-implementierten Regelungsverfahrens gemäß Fig. 6; Fig. 5 eine beispielhafte Darstellung des mit dem Verfahren der Fig. 4 ermit- telten Zusammenhangs zwischen den externen Feldstärken im Sensor- register des Chips einer Chipkarte für den Fall mit aktivierter Herabset- zung und den Fall mit deaktivierter Herabsetzung der Schwellenspan- nung; Fig. 6 ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Einstel- len der internen Versorgungsspannung des Chips einer Chipkarte ba- sierend auf der Feldstärke eines den Chip mit Energie versorgenden ex- ternen elektromagnetischen Felds zur Umsetzung des erfindungsgemä- ßen Software-implementierten Regelungsverfahrens; und Fig. 7 eine Veranschaulichung des Regelungsverfahrens für die Aktivierung und Deaktivierung der Herabsetzung der Schwellenspannung anhand der Zusammenhänge zwischen der im Sensorregister angezeigten Feld- stärke jeweils bei aktivierter Herabsetzung und deaktivierter Herabset- zung der Schwellenspannung. Fig. 1 zeigt beispielshaft den prinzipiellen Aufbau einer Dual-Interface Chipkarte 10. Die Beispielfigur stammtaus: M. Roland and M. Hölzl: “Evaluation of Contactless Smartcard Antennas”, Technical Report, Computing Research Repository (CoRR), ar- Xiv:1507.06427 [cs.CR], Seite 17, University of Applied Sciences Upper Austria, JR- Center u’smile, Juli 2015. Fig. 1 zeigt die Chipkarte 10 mit einem Kartenkörper 12. Der Kartenkörper 12 kann eine metallische Schicht 13 umfassen, deren Hauptflächen jeweils mit einer Kunst- stoffschicht 14 bedeckt sein können. Die metallische Schicht 13 kann zum Beispiel in Form des Kerns oder einer Schicht aus einer Edelstahllegierung beispielsweise mit einer Dicke von 400 μm vorliegen. Die Dicke des Kartenkörpers 12 kann zum Beispiel zwischen 50 μm und 920 μm betragen. Die Chipkarte 10 umfasst des Weiteren ein Chipmodul 20, das in eine Ausnehmung 16 in der Hauptfläche des Kartenkörpers 12 oder der Chipkarte 10 eingesetzt ist. Die Ausnehmung 16 kann eine Modulöffnung oder Kavität sein und ein mittiges Sack- loch und einen umlaufenden Randbereich umfassen. Das Chipmodul 20 kann in der Kavität mittels einer Klebeschicht oder einem Klebepad 18 verklebt sein. In der metallischen Schicht 13 kann ein (in der Fig. 1 nicht gezeigter) Schlitz vorgese- hen sein, der sich von einer Umfangsfläche oder einer Außenkante des Kartenkör- pers 12 zu der Kavität zur Vermeidung von Wirbelströmen in der metallischen Schicht 13 erstreckt. Das Chipmodul 20 ist auf einem sogenannten Modultape 23 angeordnet und kann mit einer Spule 30, die ebenfalls in den Kartenkörper 12 integriert ist, verbunden sein, und/oder selbst eine Spule 22 aufweisen, wobei zwischen einem Chip 26 und der Spule 22 eine Metallschicht oder Ferritschicht 24 angeordnet ist. Die Spule 30 verläuft mit etwa 3 bis 6 Windungen in der Kartenebene um das Chipmodul 20. Die Spule 22 verläuft mit etwa 12 bis 16 Windungen in der Ebene des Chipmoduls 20 konzentrisch um den Chip 26 des Chipmoduls 20. Der Chip 26 des Chipmoduls 20 kann zum Beispiel in Form eines elektronischen inte- grierten Schaltkreises oder Schaltung realisiert und zum Beispiel vergossen in einer Vergussmasse an einer Unterseite des Chipmoduls 20 befestigt sein. Über die Spule 30 oder die Spule 22 kann das Chipmodul 20 und somit der Chip 26 von extern kon- taktlos mit Energie versorgt werden und/oder Kommunikationssignale empfangen oder aussenden. Zu diesen Zwecken kann, wie in der Fig. 3 veranschaulicht ein ex- ternes elektromagnetisches Feld H in die Spule 30 und/oder 22 eingekoppelt wer- den. Beispielsweise kann der Chip 26 ein Chipkartencontroller in Form eines Mikro- controllers oder Mikroprozessors mit RFID-Funktionalität sein oder u.a. diesen ent- halten. Zur Meidung von Unklarheiten sei angemerkt, dass in der Fig. 1 das Chipmodul 20 zweimal dargestellt ist: einmal rechts in Einbaulage über der Ausnehmung 16 und links oben davon zur Darstellung der Rückseite um 180 Grad gewendet. Auf der in der Fig. 1 in Einbaulage dargestellten Oberseite des Chipmoduls 20 befindet sich ein Kontaktfeld 21 mit Metallkontakten für eine kontaktbehaftete Kommunikation und Energieversorgung des Chipmoduls 20; daher ist die in der Fig. 1 gezeigte Chipkarte 10 als Dual Interface (DI) Chipkarte neben dem hier interessierenden Kontaktlosmo- dus auch für einen kontaktbehafteten Betrieb eingerichtet. Es versteht sich, dass die hier vorgeschlagenen Verbesserungen im Wesentlichen gattungsgemäße Chipkarten im Kontaktlosmodus betreffen und die Erfindung auch mit reinen Kontaktloschip- karten funktioniert. Fig. 2 zeigt ein vereinfachtes funktionales Blockschaltbild der Chipkarte 10 der Fig. 1. Die integrierte Schaltung des Chips 26 des Chipmoduls 20 umfasst üblicherweise ei- nen Mikroprozessor 40 zum Ausführen von Steuerungsfunktionen für die Chipkarte 10 und für die Kommunikation und ggf. einen (nicht explizit dargestellten) Crypto- prozessor zum Ausführen von Rechenoperationen für Sicherheitsfunktionen. Zudem umfasst die integrierte Schaltung verschiedene Speicherschaltungen zum Ablegen und/oder Verfügbarmachen von Daten. So gibt es einen RAM-Speicher 44 als Kurz- zeitarbeitsspeicher für den Mikroprozessor 40, einen ROM-Speicher 46 für das Be- triebssystem des Mikroprozessors 40 sowie einen EEPROM oder EAPROM-Speicher 48 als Anwendungsspeicher für Applikationen der Chipkarte 10. Eine Drahtlosschnittstelleneinheit 50 ist in der Fig. 3 mit der Spule 30 der Fig. 1 ver- bunden und umfasst ferner einen Kondensator 52. Die Spule 30 ist mit dem Konden- sator 52 der Drahtlosschnittstelleneinheit 50 verschaltet. Die Induktivität der Spule 30 und die Kapazität des Kondensators 52 bilden einen Schwingkreis der für eine be- stimmte Trägerfrequenz zur drahtlosen Kommunikation mit dem Chip 26 der Chip- karte 10 als auch der drahtlosen Energieversorgung ausgelegt ist; beispielsweise kann die Trägerfrequenz 13,56 MHz betragen. Die Drahtlosschnittstelleneinheit 50 umfasst weiter einen Sensor 54, der für die Erfas- sung einer physikalischen Größe eingerichtet ist, die mit der Feldstärke eines exter- nen elektromagnetischen Felds H, das mit dem Schwingkreis aus Spule 30 und Kon- densator 52 koppelt, korreliert. Der von dem Sensor 54 erfasste Feldstärkenwert wird fortlaufend von der Drahtlosschnittstelleneinheit 50 in ein Sensorregister SR des Chips 26 geschrieben; wie an anderer Stelle angemerkt, kann ein Register grundsätz- lich eine beschreibbare Speicherstelle sein und damit auch im RAM-Speicher 44 des Chips 26 liegen. Es kann aber auch ein dediziertes Hardware-Register des Mikroprozessors 40 sein. In der Fig.2 ist das Sensorregister SR lediglich aus Gründen der Übersicht explizit als eine selbstständige Einheit dargestellt. Die Drahtlosschnittstelleneinheit 50 umfasst weiter eine Spannungseinstelleinheit 56, die für die Einstellung der internen Versorgungsspannung VCC des Chips 26 einge- richtet ist. Im gezeigten Beispiel umfasst die Drahtlosschnittstelleneinheit 50 auch alle Funktionen, um die interne Versorgungsspannung VCC aus dem externen elekt- romagnetischen Feld H gespeist an den Chip 26 bereitzustellen. Die Spannungseinstelleinheit 56 ist eingerichtet bei Aktivierung des Chips 26 bei aus- reichender Energieversorgung von außen eine vorbestimmte „normale“ Versor- gungsspannung VCC bereit zu stellen. Die Spannungseinstelleinheit 56 kann über ein Versorgungsspannungsregister VCCR gesteuert werden, indem über das Versor- gungsspannungsregister VCCR eine Herabsetzung einer Spannungsschwelle für die interne Versorgungsspannung VCC aktiviert oder deaktiviert wird. Im Ergebnis kann der Chip 26 durch die Herabsetzung der internen Versorgungsspannung VCC bereits in einem schwächeren externen elektromagnetischen Feld H starten und so- mit schneller eine Betriebsbereitschaft herstellen. Schließlich verfügt der Chip 26 noch über interne oder externe Shunt-Widerstände, die abhängig von der aktuellen Differenz zwischen der aus dem externen Feld H auf- genommenen Leistung und der vom Chip 26 aktuell umgesetzten Leistung dem Chip 26 zugeschaltet oder von diesem getrennt werden können, um überschüssige Leistung als Wärme abzuführen und so eine Überhitzung und Beschädigung des Chips 26 zu vermeiden. Die Shunt-Widerstände können ebenfalls über ein dedizier- tes Shunt-Widerstandsregister SR-R gesteuert werden, indem einzelne Bits des Regis- ters das Zu- oder Wegschalten eines zugeordneten Shunt-Widerstands steuern; wie oben im Zusammenhang mit dem Sensorregister SR angemerkt, kann ein Register grundsätzlich eine beschreibbare Speicherstelle sein und damit auch im RAM-Spei- cher 44 des Chips 26 liegen. Es kann aber auch ein dediziertes Hardware-Register des Mikroprozessors 40 sein. In der Fig. 2 ist das Shunt-Widerstandsregister SR-R ledig- lich aus Gründen der Übersicht explizit als eine selbstständige Einheit dargestellt. Fig. 3 veranschaulicht, wie mittels des Schwingkreises als Antenne der Chip 26 mit einem zur Chipkarte 10 externen Lesegerät 60 eines POS-Terminal kommunizieren kann. Eine Steuerschaltung 61 des Lesegeräts 60 ist eingerichtet ebenfalls mittels ei- ner Spule 64 ein elektromagnetisches Feld H aufzubauen und damit Energie in die Spule 30 der Chipkarte 10 einzukoppeln, durch welche die integrierte Schaltung des Chips 26 aktiviert und betrieben wird. Vermittels des externen elektromagnetischen Felds H des Lesegeräts 60 erzeugt die Drahtlosschnittstelleneinheit 50 der Chipkarte 10 die interne Versorgungsspannung VCC für den Chip 26. Ab einer minimalen elektromagnetischen Feldstärke startet der Mikroprozessor 40 des Chips 26. Mit zunehmender Feldstärke kann die Betriebsfrequenz des Mikropro- zessors 40 und somit seine Verarbeitungsgeschwindigkeit steigen. Ab einer bestimm- ten elektromagnetischen Feldstärke findet keine weitere Steigerung der Betriebsfre- quenz mehr statt. Der Mikroprozessor 40 befindet sich dann in Sättigung und arbei- tet mit maximaler Frequenz. Wird über die Feldstärke des externen elektromagneti- schen Felds H mehr Energie als vom Mikroprozessor 40 umsetzbar eingekoppelt muss diese über zuschaltbare Shunt-Widerstände Rn verbraucht werden, um eine Beschädigung des Chips 26 zu vermeiden. Fig. 4 zeigt ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Einrichten des Chips einer Chipkarte für die Anwendung des erfindungsgemäßen Software-im- plementierten Regelungsverfahrens gemäß Fig. 6. Mit dem im Folgenden erläuterten Verfahren kann beispielsweise der Chip 26 der Chipkarte 10 in den Figuren 1-3 für die Anwendung des erfindungsgemäßen Soft- ware-implementierten Regelungsverfahrens zur Stabilisierung der internen Versor- gungsspannung des Chips 26 eingesetzt werden, bei dem die interne Versorgungs- spannung des Chips 26 basierend auf der Feldstärke eines den Chip 26 mit Energie versorgenden externen elektromagnetischen Felds H durch Aktivieren und Deakti- vieren einer Herabsetzung der Schwellenspannung der internen Versorgungsspan- nung durch entsprechende Beschreibung eines Schwellenwertregisters des Chips 26 reduziert und wieder erhöht werden kann. Der Chip 26 weist dazu das Sensorregis- ter SR auf, das den Feldstärkewert anzeigt, der von der externen Feldstärke des ex- ternen elektromagnetischen Felds H und davon, ob die Schwellenspannung gerade aktiviert oder deaktiviert ist, abhängig ist. Das Einrichtungsverfahren für den Chip 26 weist dazu die folgenden Schritte auf: In einem ersten Schritt a wird ermittelt, wie sich das Sensorregister SR in Abhängig- keit von der am Ort der Chipkarte 10 vorliegenden Feldstärke verhält. In diesem Schritt ist die Schwellenspannung nicht herabgesetzt. D.h., in dem Schritt a werden Wertepaare zwischen dem Feldstärkewert, der in dem Sensorregister SR angezeigt wird und der tatsächlichen externen Feldstärke ermittelt, wenn die Schwellenspan- nung deaktiviert ist, somit die interne Versorgungsspannung VCC nicht verringert ist. Die ermittelten Wertepaare können für eine weitere Verwendung in einem Spei- cherbereich des Chips 26 der Chipkarte 10 abgespeichert werden. In einem zweiten Schritt b wird der Vorgang wiederholt, allerdings ist nun die Her- absetzung der Schwellenspannung aktiviert. Vorzugsweise werden diese Messungen in den Schritten a und b in einem Feldbe- reich von 0,5 A/m bis 7,5 A/m durchgeführt. In einem Schritt c, wird eine erste Schaltschwelle vorbestimmt, bei deren Unter- schreitung die Herabsetzung der Schwellenspannung erstmalig aktiviert werden soll und bei deren nachfolgenden Überschreitung die Herabsetzung der Schwellenspan- nung erstmalig wieder deaktiviert wird. In einem Schritt d wird eine zweite Schaltschwelle vorbestimmt, bei deren Unter- schreitung die Herabsetzung der Schwellenspannung erneut aktiviert werden soll, wobei die zweite Schaltschwelle niedriger als die erste Schaltschwelle (0x0F) ist. In einem Schritt e werden die erste Schaltschwelle und die zweite Schaltschwelle in dem Speichermedium des Chips abgespeichert, damit diese Werte für eine zukünf- tige Verwendung im Betrieb der Chipkarte 10 vorhanden sind. Fig. 5 zeigt eine beispielhafte Darstellung des mit dem vorstehend erläuterten Ver- fahren der Fig. 4 ermittelten Zusammenhangs zwischen der externen Feldstärke des externen elektromagnetischen Felds H und der im Sensorregister SR des Chips 26 der Chipkarte 10 angezeigten Werte jeweils für den Fall mit aktivierter Herabsetzung 'S _ON und den Fall mit deaktivierter Herabsetzung 'S _OFF der Schwellenspannung. Fig. 5 zeigt, dass die Werte des Sensorregisters SR zum einen von der Feldstärke des externen elektromagnetischen Felds H als auch von der eingestellten internen Ver- sorgungsspannung abhängen. Der Chip 26 startet bei aktiver Herabsetzung 'S _ON der Schwellenspannung bereits früher. Das Sensorregister SR des Chips 26 zeigt bereits bei 0,6 A/m einen externen Feldstärke Wert 0x01 und bei einer externen Feldstärke von 1,0 A/m bereits den Wert 0x03 an. Im Gegensatz dazu, zeigt bei normaler interner Versorgungsspannung, d.h. bei deaktivierter Herabsetzung 'SOFF der Schwellenspannung, das Sensorregis- ter erst bei 1,3 A/m den Wert 0x03 an. Anhand der Fig. 5 ist zu erkennen, dass bei einem Deaktivieren der Herabsetzung der Schwellenspannung 'S _OFF das Sensorregister SR einen niedrigeren Wert anzeigt. Um den Chip 26 nicht intern durch die heruntergesetzte Schwellenspannung der in- ternen Versorgungsspannung VCC zu überhitzen, muss die Deaktivierung der Her- absetzung der Schwellenspannung z.B. spätestens bei 2 A/m erfolgen. Fig. 6 zeigt ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Einstellen der internen Versorgungsspannung des Chips einer Chipkarte basierend auf der Feldstärke eines den Chip mit Energie versorgenden externen elektromagnetischen Felds zur Umsetzung des erfindungsgemäßen Software-implementierten Regelungs- verfahrens. Das Verfahren der Fig. 6 wird von dem Chip 26 der Chipkarte 10 implementiert und dient dem Einstellen der internen Versorgungsspannung VCC des Chips 26 basie- rend auf der Feldstärke des den Chip 26 mit Energie versorgenden externen elektro- magnetischen Felds H. Die interne Versorgungsspannung VCC kann durch Aktivie- ren und Deaktivieren einer Herabsetzung einer Schwellenspannung verringert wer- den. Wie beispielsweise in der Fig. 2 gezeigt, weist der Chip 26 das Sensorregister SR auf, das einen Feldstärkewert anzeigt, der von der aktuellen externen Feldstärke und der aktuell eingestellten internen Versorgungsspannung VCC abhängt. Das Verfahren selbst weist die folgenden Schritte auf: In einem Schritt A wird die Herabsetzung der Schwellenspannung erstmalig akti- viert, sobald der Feldstärkewert, der im Sensorregister SR angezeigt wird, kleiner als die vorbestimmte erste Schaltschwelle – im Bespiel: 0x1F – ist. In einem Schritt B wird die Herabsetzung der Schwellenspannung erstmalig deakti- viert, sobald der Feldstärkewert, der im Sensorregister SR angezeigt wird, größer gleich der ersten Schaltschwelle – im Beispiel: 0x1F – ist. In einem Schritt C wird eine vorbestimmte zweite Schaltschwelle – im Beispiel: 0x07 – für jedes erneute Aktivieren der Herabsetzung der Schwellenspannung eingestellt, wobei die erste Schaltschwelle – im Beispiel: 0x1F – für jedes erneute Deaktivieren der Herabsetzung der Schwellenspannung beibehalten wird. Die zweite Schalt- schwelle – im Beispiel: 0x07 – ist niedriger als die erste Schaltschwelle – im Beispiel: 0x1F. Fig. 7 veranschaulicht die Überlegungen, die hinter dem erfindungsgemäßen Soft- ware-implementierten Regelungsverfahren für die Aktivierung und Deaktivierung der Herabsetzung der Schwellenspannung anhand der Zusammenhänge zwischen der im Sensorregister angezeigten Feldstärke jeweils bei aktivierter Herabsetzung und deaktivierter Herabsetzung der Schwellenspannung stehen. In der Fig. 7 ist ein Schaltbereich SB bei 2 A/m markiert. Es wurde festgestellt, dass Schwankungen 'C im Produktionsprozess des Chips 26 eine Verschiebung des Werts im Sensorregister SR in einem Bereich von +/- 0, 1 A/m verursachen. Zu die- sen Bereich kommen noch die Schwankungen 'L, die durch die Spule 30 oder 22 als auch durch die verwendete Verbindungstechnologie kommen. Bei einer gelöteten Verbindungstechnologie sind die Schwankungswerte sehr klein, bei z.B. der Flexbump- oder Flexible Bump-Technologie wurden höhere Werte von +/- 0,4 A/m festgestellt. Fig. 7 zeigt, dass das Sensorregister SR bei der Beispiel-Chipkarte 10 in einem Feld- stärkenbereich von 1,8 A/m bis 2,2 A/m den Wert 0x1F annehmen kann, bei deakti- vierter Herabsetzung der Schwellenspannung 'S _OFF . Dieses Verhalten gibt es im sel- ben Maße, wenn die Herabsetzung der Schwellenspannung aktiviert 'S _ON ist. Dieser Bereich kann nicht als "Varianz" angesehen werden. Die erste Schaltschwelle wurde hier beim Sensorregisterwert 0x1F vorbestimmt. Zeigt das Sensorregister SR einen Wert kleiner als 0x1F an, wird die Herabsetzung der Schwellenspannung aktiviert, bei >= 0x1F sollte die Herabsetzung der Schwel- lenspannung wieder deaktiviert werden. Fig. 7 zeigt nun aber, dass der Sensorregisterwert auf 0x0F fällt, wenn die Herabset- zung der Schwellenspannung deaktiviert 'S _OFF ist, was sofort wieder zu einer Akti- vierung 'S _ON der Herabsetzung der Schwellenspannung führen könnte. Daher schla- gen die Erfinder vor, für eine erneute Deaktivierung 'S _OFF der Herabsetzung der Schwellenspannung die Schaltschwelle für die Aktivierung der Herabsetzung der Schwellenspannung zu erniedrigen, um eine instabile Regelung durch Hin- und Her- springen (Togglen) zu vermeiden. Beispielsweise kann in dem dargestellten Bei- spielsszenario der Fig. 7 die zweite Schaltschwelle für das erneute Aktivieren 'S _ON der Herabsetzung der Schwellenspannung auf 0x07gesetzt werden. Im Ergebnis kann mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren eine gattungsge- mäße Chipkarte verbessert werden, da mit der Software-implementierten Regelung der Herabsetzung der Schwellenspannung der internen Versorgungsspannung VCC eine verbesserte Stabilität der Energieversorgung des Chips 26 der Chipkarte 10 si- chergestellt werden kann. Der Chip 26 wird dadurch im Einsatz z.B. an einem POS- Terminal weniger bis gar nicht mehr intern „abgewürgt“ und die Gefahr einer Be- schädigung durch Überhitzung des Chips 26 verringert. Insgesamt ist die Wahr- scheinlichkeit dafür verbessert, dass bei schwankender externer Feldstärke eine kom- plette Transaktion mit der Chipkarte 10 mit dem erfindungsgemäßen Chip 26 an ei- nem POS-Terminal 60 durchgeführt werden kann.