[第1の実施形態]
 以下、本発明の好ましい第1の実施形態につ き図1~図12を参照して説明する。本例は、ス� �ャニング・ステッパよりなる走査露光型の� �光装置(投影露光装置)を含むウエハ処理シス テム(図7参照)に本発明を適用したものである 。先ず、その露光装置について説明する。

 図1は、本例の露光装置EXの概略構成を示す� ��図1において、露光装置EXは、露光光IL(露光� ��ーム)を用いて転写用のパターンが形成され たレチクルR(マスク)を照明する照明系20と、� ��チクルRを駆動するレチクルステージRSTと、 レチクルRのパターンの像をウエハW(基板)上� �投影する投影光学系PLと、ウエハWを駆動す� �ウエハ駆動機構と、装置全体の動作を統括� �に制御するコンピュータよりなる主制御系51 と、その他の種々の制御又は演算等を行う処 理系等とを備えている。露光光ILとして、本� ��ではArFエキシマレーザ光(波長193nm)が使用さ れている。なお、露光光としては、KrFエキシ マレーザ光(波長248nm)、F ₂  レーザ光(波長157nm)などの紫外パルスレーザ� �、YAGレーザの高調波、固体レーザ(半導体レ� ��ザなど)の高調波、又は水銀ランプの輝線(i� ��等)なども使用できる。

 照明系20は、例えば特開2001-313250号公報(� �応する米国特許出願公開第2003/0025890号明細� �)などに開示されるように、露光光源と、照� ��光学系とを含んでいる。照明光学系は、オ� ��ティカル・インテグレータ(フライアイレン ズ、ロッドインテグレータ(内面反射型イン� �グレータ)、回折光学素子など)等を含む照度 均一化光学系、及びレチクルブラインド等(� �ずれも不図示)を有する。照明系20は、レチ� �ルブラインド(マスキングシステム)で規定さ れたレチクルR上のスリット状の照明領域21R� �露光光ILによりほぼ均一な照度分布で照明す る。

 露光光ILのもとで、レチクルRの照明領域2 1R内のパターンは、両側テレセントリックの� ��影光学系PLを介して投影倍率β(βは例えば1/4 ,1/5等)で、ウエハW上の一つのショット領域上 の非走査方向に細長い投影領域21W(図6(A)参照) に投影される。露光対象の基板としてのウエ ハWは、本例ではシリコン又はSOI(silicon on ins ulator)等の半導体からなる円板状の基材の表� �にフォトレジスト(感光材料)を塗布したもの である。また、そのウエハWを構成する円板� �の基材の表面(露光面となる面)は研磨加工さ れて、極めて平面度の高い面とされている。 この結果、ウエハWのフォトレジストが塗布� �れている表面も、極めて平面度の高い面で� �る。一方、ウエハWを構成する円板状の基材� ��裏面、即ちウエハWの裏面の平面度は表面に 比べて劣っている。

 本例の投影光学系PLは例えば屈折系であ� �が、反射屈折系等も使用できる。以下、図1� ��おいて、投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を� ��り、Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチ クルR及びウエハWの走査方向に直交する非走� ��方向に沿ってX軸を取り、その走査方向に沿 ってY軸を取って説明する。また、以下ではX� ��、Y軸、Z軸に平行な方向をそれぞれX方向、Y 方向、Z方向と呼び、X軸、Y軸、Z軸に平行な� �の周りの回転角(傾斜角)をそれぞれθX,θY,θZ� ��呼ぶ。なお、本例では、X軸及びY軸に平行� �面(XY平面)がほぼ水平面であり、-Z方向が鉛� �下方である。

 先ず、レチクルRはレチクルステージRST上 に吸着保持され、レチクルステージRSTはレチ クルベース24上でY方向に一定速度で移動する と共に、例えば同期誤差(又はレチクルRのパ� ��ーン像とウエハW上の露光中のショット領域 との位置ずれ量)を補正するようにX方向、Y方 向、及びZ軸周りの回転方向に微動して、レ� �クルRの走査を行う。レチクルステージRSTのX 方向及びY方向の側面の反射面(又は移動鏡、� ��ーナリフレクタ等)に対向するようにレーザ 干渉計25X及び25Yが配置されている。レーザ干 渉計25X及び25Yは、対応する反射面にレーザビ ーム(少なくとも一方は複数軸のレーザビー� �)を照射することによって、例えば投影光学� ��PLを基準として少なくともレチクルステー� �RSTのX方向、Y方向の位置を分解能0.1nm程度で� ��測するとともに、回転角θZを計測し、計測� ��をステージ制御系53及び主制御系51に供給す る。ステージ制御系53は、その計測値及び主� ��御系51からの制御情報に基づいて、不図示� �駆動機構(リニアモータなど)を介してレチク ルステージRSTの位置及び速度を制御する。

 また、レチクルRのパターン領域22をX方向 に挟むように、アライメントマーク23A及び23B が形成されている。レチクルRの上方には、� �路折り曲げ用のミラーを介してアライメン� �マーク23A,23Bの位置を検出するためのレチク� ��アライメント顕微鏡26A,26Bが配置されている 。レチクルアライメント顕微鏡26A,26Bの検出� �号はアライメント信号処理系54に供給され、 アライメント信号処理系54では画像処理方式� ��で検出したマーク位置の情報を主制御系51� �供給する。

 また、投影光学系PLの鏡筒の下部周縁部� �、ほぼ等角度間隔で3箇所にそれぞれZ方向に 伸縮するZアクチュエータ36A,36B,36Cを介して環 状の静電軸受部材37が設置され、静電軸受部� ��37にコンプレッサ38から可撓性を持つ配管39� ��介して露光光ILが通過する雰囲気中の気体(� ��えばドライエア、窒素、又はヘリウム等)と 同じ種類の清浄で圧縮された気体が供給され ている。そして、静電軸受部材37の底面側に� ��定間隔を隔てて、浅い箱状の容器であるウ� ��ハパック28内に収納されたウエハWが配置さ� ��ている。ウエハパック28の上部は均一な厚� �で矩形の平行平面板状のガラス板29で密閉さ れ、ウエハWの表面(フォトレジストが塗布さ� ��た露光面)の全面がガラス板29の投影光学系P Lに対して反対側の面に密着するように、ウ� �ハWはガラス板29側に付勢及び/又は吸着され� ��いる。

 ガラス板29は、露光光ILを透過する石英又は 蛍石(CaF ₂  )等の硝材から形成され、ガラス板29のウエ� ��Wの表面が密着している面及びこれと反対側 の面の平面度は、ウエハWの表面の平面度と� �等か、又はそれ以上に極めて高く加工され� �ウエハWは露光光ILによってガラス板29を介し て露光される。なお、投影光学系PLの先端部� ��光学部材とウエハWの表面との間の物体の屈 折率が高い程、投影光学系PLの像の解像度を� ��くできるとともに、焦点深度を深くできる� ��め、ガラス板29は露光光ILを透過するととも に、できるだけ露光光ILに対する屈折率の高� ��硝材から形成することが好ましい。

 なお、ガラス板29の厚さは、ガラス板29が存 在しないときの投影光学系PLとウエハWとの作 動距離WD(投影光学系PLの先端部よりもウエハW に近い部材があるときには、この部材とウエ ハWとの距離)に、ほぼガラス板29の屈折率npを 乗じて得られる光路長よりも所定のマージン 分だけ薄いという条件下で、できるだけ厚い ことが好ましい。その所定のマージンとは、 後述のようにガラス板29及びウエハWを一体的 にX方向、Y方向に駆動する際の、Z方向の位置 の最大変動量である。一例として、ウエハW� �厚さが0.75mm程度で、直径が200~300mm程度の円� �状であり、ガラス板29はそのウエハWの全面� �覆うことができる矩形(正方形でもよい)で厚 さが1mm程度の平板である。
 なお、このようなガラス板29と略同様の機� �を有しているのであれば、ガラス板29に代え て他の材料からなる部材を用いることも可能 である。

 図2は、図1の露光装置EXのウエハ駆動機構 を示す一部を切り欠いた図である。図2にお� �て、Zアクチュエータ36Aは、静電軸受部材37� �固定されたL字型の第1部材36A1と、この先端� �を+Z方向に支持するように配置されて、Z方� �に伸縮可能な電歪素子(ピエゾ素子等)又は磁 歪素子等の駆動素子36A2と、この駆動素子36A2� ��底面と投影光学系PLの鏡筒とを連結するL字� ��の第2部材36A3とから構成されている。他のZ� ��クチュエータ36B及び36Cも、それぞれ同様に� ��動素子36B2及び36C2を備え、ステージ制御系53 が駆動素子36A2~36C2の伸縮量を制御して、静電 軸受部材37の3箇所のZ方向の位置を制御する� �とによって、投影光学系PLに対する静電軸受 部材37のZ方向の位置、及び傾斜角θX,θYを微� �整できる。

 なお、図1の露光装置EXにおいて、レチク� ��ベース24及び投影光学系PLは、一例として振 動的に分離された不図示の異なるコラムに支 持されている。そして、図2において、Zアク� ��ュエータ36A~36C中の投影光学系PLの鏡筒に固� ��されている第2部材(36A3等)を、投影光学系PL� ��支持しているコラムとは振動的に分離され� ��別のコラムに固定してもよい。

 また、静電軸受部材37の底面側に環状の� �極部材75が合成樹脂等の絶縁部材に埋め込ま れて設置されている。電極部材75は、実際に� ��、投影光学系PLの光軸AXの周りに等角度間隔 で3分割され、分割された3個の電極部材75A,75B ,75Cの電荷(又は相対的な電位)をステージ制御 系53が独立に制御できるように構成されてい� ��。さらに、電極部材75を通して静電軸受部� �37の底面(ウエハパック28のガラス板29に対向� ��る面)にかけて、多数の吹き出し孔37aが形成 され、これらの吹き出し孔37aは、静電軸受部 材37の内部の通気孔37bに連通し、通気孔37bに� ��管39を介してコンプレッサ38が連結されてい る。この場合、ステージ制御系53が静電軸受� ��材37の電極部材75に電荷(例えば正電荷)を与� ��ることによって、ガラス板29の上面に符号� �逆の分極電荷(例えば負電荷)が生じて、ガラ ス板29は静電場によって静電軸受部材37側(+Z� �向)に吸引される。また、ステージ制御系53� �コンプレッサ38から静電軸受部材37の多数の� ��き出し孔37aを介してガラス板29側に(-Z方向� �)吹き出される気体の流量を制御することで� ��ガラス板29が静電軸受部材37に当接すること が防止される。従って、ガラス板29を含むウ� ��ハパック28は、静電軸受部材37に対してエア 予圧式の静電軸受方式によってZ方向に所定� �隔を隔てて非接触状態で浮上するように保� �される。

 さらに、電極部材75は、実際には3つの電� ��部材75A~75Cに分割されているため、ステージ 制御系53はそれらの3つの電極部材75A~75Cによ� �ガラス板29に対する静電気による吸引力を個 別に制御することによって、投影光学系PLに� ��するウエハパック28のZ方向の位置(フォーカ ス位置)、及び傾斜角θX,θY(レベリング)より� �る相対位置関係を調整する。個々の電極部� �75A~75Cによるウエハパック28のZ方向の駆動量� ��、例えば数nm~数10nm程度である。このために 、静電軸受部材37の内側のウエハW上の投影領 域21W及び/又はこの近傍の領域の複数の計測� �に所定パターンの像を投影する投光部61Aと� �ウエハWで反射した検出光を受光する受光部6 1Bとを含み、その複数の計測点のZ方向の位置 を検出するオートフォーカスセンサ(以下、AF センサという。)61が設けられている。

 なお、投光部61A及び受光部61Bは、それぞ� ��例えば検出光を折り曲げるミラー等の一部� ��光学系が静電軸受部材37の内側に配置され� �いるのみで、その他の構成部材は、投影光� �系PLの側面に配置されている。このAFセンサ6 1の計測値を処理することによって、ウエハW� ��表面の投影領域21Wの平均的な面のフォーカ� ��位置及び傾斜角を求めることができ、これ� ��の計測結果はステージ制御系53に供給され� �。なお、AFセンサ61としては、例えば特開平8 -37149号公報に開示されているものを用いるこ とができる。また、AFセンサ61は、ウエハWの� ��面の計測点の代わりに、ガラス板29の上面� �計測点のZ方向の位置を計測し、この計測結� ��から既知のガラス板29の厚さを差し引くこ� �で、間接的にウエハWの表面でのZ方向の位置 を求めるようにしてもよい。

 この場合、一例として、予めテストプリ� ��ト等によって、AFセンサ61によって計測され る被検面のフォーカス位置及び傾斜角がそれ ぞれ0のときに、その被検面が投影光学系PLの 像面に合致するようにAFセンサ61の初期のオ� �セット調整が行われている。そこで、ウエ� �Wに対する露光時にステージ制御系53では、AF センサ61によって計測されるウエハWの投影領 域21Wのフォーカス位置及び傾斜角がそれぞれ 0になるように、静電軸受部材37内の3個の電� �部材75A~75Cによるガラス板29に対する吸引力� �制御する。これによって、ウエハWの表面が� ��に投影光学系PLの像面に合焦した状態で露� �が行われる。

 さらに、例えばAFセンサ61の計測値に新た なオフセットが生じた場合には、そのオフセ ットを補正するように図1のZアクチュエータ3 6A~36Cを駆動して、静電軸受部材37のフォーカ� ��位置及び傾斜角を微調整してもよい。これ� ��よって、静電軸受部材37内の3個の電極部材7 5A~75Cに対する制御が容易になる。なお、静電 軸受部材37の吹き出し孔37aを等角度間隔で3組 の吹き出し孔群に分割し、これらの3組の吹� �出し孔群からウエハパック28に吹き出される 気体の流量を独立に制御することによって、 ウエハパック28のフォーカス位置及びレベリ� ��グ角を制御してもよい。

 また、図2に示すように、ウエハパック28� ��、矩形の枠状の線膨張率が極めて小さい金� ��又はセラミックス等からなるフレーム30と� �この上面に載置されるとともに、底面29aに� �エハWの表面が密着しているガラス板29と、� �レーム30の底面に溶接等によって固定されて 、或る程度の可撓性を持つ非磁性体の金属製 の薄い平板状のダイヤフラム33と、このダイ� ��フラム33の上面(ウエハWに対向する面)に固� �されて、所定の磁化パターンが周期的に形� �された矩形の平板状の磁性板34と、ウエハW� �裏面と磁性板34の上面との間に介装された矩 形(又はウエハWと同様の円形等でもよい)の平 板状で少なくともZ方向に可撓性を持つ緩衝� �材35とを備えている。緩衝部材35は、例えば� ��成ゴム又は合成樹脂(例えばフッ素系樹脂等 )等から形成されて、磁性板34上に接着等によ って固定されている。そして、ダイヤフラム 33及び磁性板34側から緩衝部材35を介して、ウ エハWがガラス板29側に付勢されている。

 さらに、図3は、図2のウエハパック28を示 す分解斜視図である。図3に示すように、フ� �ーム30の上面の周縁部にほぼ矩形の閉じた溝 30aが形成され、この溝30a内に合成ゴム又は合 成樹脂等の可撓性を持つオーリング32が装着� ��れている。フレーム30の上面にガラス板29を 載置すると、ガラス板29とフレーム30及びダ� �ヤフラム33とで囲まれた空間(ウエハWが収納� ��れた空間)が、オーリング32によって気密化� ��れる。また、フレーム30の上面のオーリン� �32の内側からフレーム30の内面にかけて多数� ��吸着孔30cが形成されている。図2に示すよう に、フレーム30の-Y方向の側面には排気孔30d� �形成され、排気孔30dに開閉用のバルブ31aを� �えた排気管31が連結されている。この場合、 予めバルブ31aを開いた状態で、排気管31を介� ��てウエハパック28の内部が排気されて負圧� �され、ウエハWの表面は実質的に真空吸着に� ��ってもガラス板29の裏面29aに密着して保持� �れる。この際に、フレーム30の多数の吸着孔 30cを介してガラス板29はフレーム30に真空吸� �されており、この状態でバルブ31aが閉じら� �ている。なお、本例では、ウエハWは緩衝部� ��35によってもガラス板29側に付勢されている ため、ウエハパック28内の真空度は、ガラス� ��29をフレーム30に安定に吸着できる程度であ ればよい。

 また、図3において、フレーム30の+X方向� �び+Y方向の外側面は、互いに直交するととも に、レーザビームを反射できる高平面度の反 射面に仕上げられている。なお、フレーム30� ��+X方向及び+Y方向の外側面に、レーザビーム を反射するための薄い移動鏡を固定してもよ い。さらに、フレーム30の±X方向の外側面に� ��、複数箇所に小さい平板状の凸部30bが形成� ��れ、ウエハパック搬送用のアーム43によっ� �それらの凸部30bを介してフレーム30(ウエハ� �ック28)を容易に搬送できるように構成され� �いる。後述のようにウエハWをウエハパック2 8内に収納する工程では、一例としてフレー� �30を反転する(ガラス板29が載置される面を鉛 直下方にする)場合があるため、そのウエハ� �ック搬送用のアーム43は、実際には凸部30bを 上下に挟み込むように安定に保持する。その アーム43によって、一例として、ウエハパッ� ��28は図1の露光装置EXの投影光学系PLの下方ま で搬送される。

 さらに、図3において、ウエハパック28の� ��性板34には、一例としてX軸及びY軸に45°で� �差するように放射状に磁化した4つのマグネ� ��ト部MB1,MB2,MB3,MB4よりなる磁化ユニットMUBをX 方向及びY方向にそれぞれ周期BX及びBYで2次元 的に配置した磁化パターンが形成されている 。実際には、その磁化パターンは、磁性板34� ��底面(ダイヤフラム33に接する面)側に所定の 厚さで形成されている。なお、磁化ユニット MUBは、実際には垂直磁化(±Z方向に交互に磁� �されていること)が好ましい。また、磁性板3 4を、マグネット部MB1~MB4を単位とする独立の� ��数の永久磁石の集合体として構成してもよ� ��。

 磁性板34の材料は、例えばコバルト系、� �ッケル系、又はネオジウム鉄ボロン系等の� �磁性体である。さらに、磁性板34は、本例の 露光装置EXが設置される室温(例えば23°C)下で 線膨張率が極めて小さい磁性材料、好ましく は線膨張率がほぼ0の磁性材料から形成され� �。線膨張率がほぼ0の材料としては、例えば� ��ーパーインバーマグネットが挙げられる。� ��れによって、後述のように磁力によって磁� ��板34(ウエハパック28)を駆動する際に、磁性� ��34の温度が或る程度上昇しても、ウエハパ� �ク28及びその内部のウエハWに歪が生じるこ� �がない。

 ここで、例えば露光装置EXに近接して配置� �れる作業領域で、未露光のウエハWをウエハ� ��ック28内に収納する工程の一例につき、図4� ��参照して説明する。
 先ず、図4(A)に示すように、ガラス板29は反� ��されてその底面29a(ウエハWが当接する面)が� ��直上方(+Z方向)を向くように、支持部材44上� ��真空吸着又は静電吸着によって保持されて� ��る。次に、ウエハ搬送アーム45の先端部に� �エハWの裏面が真空吸着等によって保持され� ��状態で、ウエハWの表面Waがガラス板29の底� �29aに対向した後、ウエハ搬送アーム45を降下 させる。そして、図4(B)に示すように、ウエ� �Wの表面がガラス板29の底面29aに当接した後� �ウエハ搬送アーム45の真空吸着を解除して、 ウエハ搬送アーム45を待避させる。

 その後、図4(C)に示すように、ダイヤフラ ム33、磁性板34、緩衝部材35、及びオーリング 32が装着されたフレーム30を、ウエハパック� �送用のアーム(不図示)によって反転させた状 態でウエハWの裏面上に搬送した後、そのア� �ムを降下させて、図4(D)に示すように、フレ� ��ム30をガラス板29の底面に載置する。この状 態で、主にフレーム30及び磁性板34の荷重に� �って、緩衝部材35を介してウエハWはガラス� �29側に付勢されており、ウエハWの表面はほ� �ガラス板29の底面に密着している。そして、 フレーム30の排気管31のバルブ31aを開いて、� �気管31に可撓性を持つ配管46aを介して真空ポ ンプ46を連結し、真空ポンプ46によって排気� �30dを通してフレーム30、ダイヤフラム33、及� ��ガラス板29で囲まれた空間内の気体を排気� �る。この結果、吸着孔30cを介してガラス板29 がフレーム30に吸着されるとともに、ウエハW の表面のガラス板29の底面に対する密着度が� ��められる。この状態で、バルブ31aを閉じて� ��配管46aを排気管31から取り外すことによっ� �、ウエハパック28内へのウエハWの収納が完� �する。その後、ウエハパック搬送用のアー� �によってウエハパック28は反転されて、図1� �露光装置EX側に搬送される。

 なお、ガラス板29とウエハWの表面との間� ��気泡等が残されるのを防止するために、ガ� ��ス板29にウエハWの表面を密着させる工程は� ��例えば高真空に設定されたチャンバ内で行� ��てもよい。さらに、図4(A)~図4(D)までの作業� ��所定の負圧に設定されたチャンバ内で行う� ��うにしてもよい。この場合には、排気管31� �バルブ31aを閉じたままにしておくことで、� �レーム30、ダイヤフラム33、及びガラス板29� �囲まれた空間は、作業完了時には自動的に� �の負圧に設定される。

 次に、露光装置EXによって露光が行われ� �ウエハWをウエハパック28から取り出す場合� �は、図4(D)の状態で(ただし、排気管31に真空� ��ンプ46を連結する必要はない)、バルブ31aを� ��いてウエハパック28の内部を大気に開放し� �後、図4(C)に示すように、フレーム30を上昇� �せる。次に、図4(B)に示すように、ガラス板2 9を支持部材44側に吸着保持した状態で、ウエ ハ搬送アーム45によってウエハWの裏面を吸着 して、ウエハ搬送アーム45を上昇させること� ��、露光済みのウエハWを取り出すことができ る。取り出されたウエハWは、例えばコータ� �デベロッパに搬送されてフォトレジストの� �像が行われる。

 なお、ガラス板29とウエハW(フォトレジスト 層)とが密着していて、簡単には離れないよ� �な場合に、ガラス板29とウエハWとを分離す� �手法については後述する。
 なお、図3のウエハパック28では、フレーム3 0にダイヤフラム33が固定されており、ガラス 板29はフレーム30に着脱自在であるが、逆に� �フレーム30にガラス板29を固定して、ダイヤ� ��ラム33をフレーム30に着脱自在としてもよい 。

 図1に戻り、ウエハパック28の下方に矩形� ��平板状で駆動用の種々のコイル等が設けら� ��たXYコイルキャリア40が配置され、XYコイル� ��ャリア40は、気体軸受方式によって非接触� �態で、平板状のウエハベース41上にX方向、Y� ��向、及びZ軸の周りの回転方向に移動可能に 載置されている。XYコイルキャリア40の底面� �には、ウエハベース41に対してXYコイルキャ� ��ア40をX方向、Y方向に駆動するとともに回転 角θZを制御する第1平面モータ64用の駆動コイ ルが設置され、XYコイルキャリア40の上面側� �は、XYコイルキャリア40に対してウエハパッ� ��28(図3の磁性板34)をX方向、Y方向に駆動する� ��ともに回転角θZを制御する第2平面モータ72� ��の駆動コイルが設置されている。

 また、ウエハパック28(フレーム30)の+X方� �及び+Y方向の側面の反射面(又は移動鏡)に対� ��するようにレーザ干渉計42X及び42Yが配置さ� ��ている。レーザ干渉計42A及び42Yは、対応す� ��反射面にレーザビーム(少なくとも一方は複 数軸のレーザビーム)を照射することによっ� �、例えば投影光学系PLを基準として、少なく ともウエハパック28のX方向、Y方向の位置を� �解能0.1nm程度で計測するとともに、回転角θZ を計測し、計測値をステージ制御系53及び主� ��御系51に供給する。さらに、本例では、後� �のように、XYコイルキャリア40に対するウエ� ��パック28のX方向、Y方向の相対位置を分解能 10μm程度で計測するとともに、回転角θZを計� ��するためのリニアエンコーダと、ウエハベ� ��ス41に対するXYコイルキャリア40のX方向、Y� �向の相対位置を分解能10μm程度で計測すると ともに、回転角θZを計測するためのリニアエ ンコーダとが備えられている。これらのリニ アエンコーダの計測値もステージ制御系53に� ��給されている。ステージ制御系53は、レー� �干渉計42X,42Y及びそれらのリニアエンコーダ� ��計測値、並びに主制御系51からの制御情報� �基づいて、上記の平面モータ64及び72を介し� ��ウエハパック28及びXYコイルキャリア40の位� ��及び速度を制御する。

 また、投影光学系PLの+Y方向の側面には、 ウエハW上のアライメントマーク(ウエハマー� ��)の位置を検出するためのオフ・アクシス方 式で撮像方式のアライメントセンサALGが配置 されており、アライメントセンサALGの検出信 号はアライメント信号処理系54に供給されて� ��る。アライメント信号処理系54は、その検� �信号に基づいて例えばエンハンスド・グロ� �バル・アライメント方式(EGA方式)でウエハW� �の全部のショット領域の配列情報を求めて� �制御系51に供給する。この場合、予めレチク ルRのパターンの投影光学系PLを介した像の基 準位置(アライメントマーク23A,23Bの像の中心� ��)と、アライメントセンサALGの検出位置との 位置関係(ベースライン量等)の情報が計測さ� ��て、記憶されている。そのために、図3に示 すように、ウエハパック28のガラス板29の底� �のウエハWの近傍には、基準マークFM1等が形� ��されている。

 また、本例の露光装置EXは、投影光学系PL の先端の光学部材とウエハW上のガラス板29と の間の局所的な領域(液浸領域)に純水等の液� ��を供給し、露光光ILで投影光学系PL、液体、 及びガラス板29を介してウエハWを露光する液 浸方式であることが好ましい。この場合、そ の液浸領域の広がりを抑制するために、ガラ ス板29の上面にその液体に対して撥液性のコ� ��ティングを施すことが好ましい。このよう� ��液浸方式とすることによって、その液体及� ��ガラス板29の屈折率に応じて投影光学系PLの 解像度及び焦点深度を向上できる。従って、 その液体としては、露光光ILを透過するとと� ��に、できるだけ屈折率の大きい液体(例えば デカリン(decalin)等)が好ましい。液浸法で露� �するためには、例えば国際公開第99/49504号パ ンフレット又は国際公開第2005/122221号パンフ� ��ット等に開示されているように、かつ図2に 示すように、その液浸領域に配管48a及びノズ ルを介して液体LQを供給する液体供給装置48� �、その液浸領域の液体LQをノズル及び配管49a を介して回収する液体回収装置49とを設けれ� ��よい。

 図1の露光装置EXを用いた露光時には、不� ��示のウエハローダ系によって、未露光のウ� ��ハWを収納したウエハパック28がXYコイルキ� �リア40上に載置された後、レチクルR及びウ� �ハWのアライメントが行われる。その後、静� ��軸受部材37を介してウエハパック28を非接触 に浮上させて保持した状態で、照明光学系20� ��ら露光光ILをレチクルR上の照明領域21Rに照� ��する。そして、照明領域21R内のパターンを� ��影光学系PLを介してウエハW上の一つのショ� ��ト領域上の投影領域に投影した状態で、レ� ��クルステージRST及びXYコイルキャリア40の平 面モータを駆動して、レチクルRとウエハW(ウ エハパック28)とをY方向に同期移動する動作� �、露光光ILの照射を停止して、XYコイルキャ� ��ア40の平面モータを駆動してウエハW(ウエハ パック28)をX方向及び/又はY方向にステップ移 動する動作とが繰り返される。この動作の繰 り返しによって、ステップ・アンド・スキャ ン方式でウエハW上の各ショット領域にレチ� �ルRのパターン像が露光される。その後、不� ��示のウエハローダ系によって、露光済みの� ��エハWを収納したウエハパック28は、コータ� ��デベロッパ(不図示)側に搬送される。

 次に、本例の図1の露光装置EXのXYコイルキ� �リア40及びウエハパック28を駆動するための� ��面モータ64及び72の構成等、並びにウエハパ ック28及びウエハベース41とXYコイルキャリア 40との2次元的な相対位置を計測するためのリ ニアエンコーダの構成等につき説明する。
 図2に示すように、露光装置EXのウエハベー� ��41は床FL上に設置され、ウエハベース41の上� ��には、所定の磁化パターンが周期的に形成� ��れた磁性板62が固定されている。磁性板62の 上面は高い平面度に仕上げられており、磁性 板62上に、気体を吹き出す複数(例えば4隅)の� ��アガイド68を介して非接触状態で、XYコイル キャリア40が載置されている。XYコイルキャ� �ア40の底面に第1平面モータ64を構成するX軸� �駆動コイル63X及びY軸の駆動コイル63Yが固定� ��れている。

 図5(A)は、図1のウエハベース41を示す平面 図である。図5(A)において、磁性板62の表面に は所定の厚さで、X軸及びY軸に45°で交差する ように放射状に磁化した4つのマグネット部MA 1,MA2,MA3,MA4よりなる磁化ユニットMUAをX方向及� ��Y方向にそれぞれ周期AX及びAYで2次元的に配� ��した磁化パターンが形成されている。この� ��うに、表面に磁化パターンが形成された磁� ��板62を用いることによって、その上の2点鎖� ��で示すXYコイルキャリア40を第1平面モータ64 で駆動する際に、より重心に近い位置での駆 動が可能になり、XYコイルキャリア40をより� �定に駆動できる。

 なお、磁化ユニットMUAを用いる代わりに� ��図5(B)に示すように、+Z方向に磁化したマグ� ��ット部MC1,MC3と、-Z方向に磁化したマグネッ� ��部MC2,MC4とからなる垂直磁化した磁化ユニッ トMUCをX軸及びY軸に45°で交差する方向に所定 ピッチで配列した磁化パターンを用いること が好ましい。また、磁性板62を、マグネット� ��MA1~MA4を単位とする個別の多数の永久磁石の 集合体として構成してもよい。磁性板62は、� ��エハパック28内の磁性板34と同様に、本例の 露光装置EXが設置される室温下で線膨張率が� ��めて小さい磁性材料、好ましくはスーパー� ��ンバーマグネット等のように線膨張率がほ� ��0の磁性材料から形成される。これによって 、磁性板62に対して磁力によってXYコイルキ� �リア40を駆動する際に、磁性板62の温度が或� ��程度上昇しても、ウエハベース41に歪が生� �ることがなく、XYコイルキャリア40を高精度� ��駆動できる。

 また、図5(A)において、XYコイルキャリア4 0の底面には、磁性板62の磁化パターンの周期 に応じて、XYコイルキャリア40をX方向(非走査 方向)に駆動するための例えば3相のX軸の駆動 コイル63Xと、XYコイルキャリア40をY方向(走査 方向SD)に駆動するための例えば3相のY軸の駆� ��コイル63Yとが、それぞれ複数組設置されて� ��る。この場合、駆動コイル63X及び63Yと、磁� ��板62の磁化パターン(より正確にはX方向及び Y方向に周期AX及びAYで変化する磁場分布)とか ら、それぞれX軸のリニアモータ64X及びY軸の� ��ニアモータ64Yが構成され、2軸のリニアモー タ64X及び64Yから第1平面モータ64が構成されて いる(図2参照)。ステージ制御系53の制御のも� ��で、リニアモータ64X及び64Yはそれぞれウエ� ��ベース41に対してXYコイルキャリア40をX方向 及びY方向に非接触状態で駆動する。また、� �5(A)から分かるように、リニアモータ64X及び6 4Yはそれぞれ複数軸であるため、一方のリニ� ��モータ64X(又は64Y)を2軸で異なる駆動量だけ� ��動することによって、XYコイルキャリア40の 回転角θZを制御することも可能である。なお 、平面モータ64を使用する代わりに、駆動方� ��が直交する2つの1次元のリニアモータ等を� �み合わせた駆動機構を用いてもよい。

 また、XYコイルキャリア40の底面に、ウエ ハベース41上の磁性板62の磁化パターンの磁� �(X方向、Y方向に周期AX,AYで変化する磁場)を� �出するホール素子等を含む検出器67A及び67B� �固定されている。検出器67A及び67Bはそれぞ� �ウエハベース41(磁性板62)に対するXYコイルキ ャリア40のX方向、Y方向の相対位置を分解能10 μm程度で検出する。これらの検出結果からXY� ��イルキャリア40の回転角θZも求められる。� �出器67A及び67Bの検出結果は、X軸及びY軸の駆 動コイル63X及び63Yの相切り換え(コミュテー� �ョン)にも使用される。

 なお、検出器67A及び67Bはインクリメンタ� ��方式であるため、原点を設定するために、� ��性板62の+Y方向の端部に、X方向に所定間隔� �原点検出用のパターン65A及び65Bが埋め込ま� �ている。これに対応して、XYコイルキャリア 40の底面の+Y方向の端部には、パターン65A及� �65Bと同じX方向の間隔で、パターン65A及び65B� ��X方向、Y方向の絶対位置を磁性板62の磁化パ ターンの周期AX,AYよりも狭い範囲内で検出す� ��ための、光学式又は静電容量式等の原点セ� ��サ66A及び66Bが固定されている。本例では、� ��例として、原点センサ66A及び66Bで同時にパ� ��ーン65A及び65BのX方向、Y方向の位置を検出� �てから、検出器67A,67Bで検出される磁場が所� ��位相になるときに、検出器67A及び67BのX軸、 Y軸の計測値をそれぞれリセットする。この� �に検出器67A及び67Bによって検出されるXYコイ ルキャリア40の位置は、ウエハベース41上の� �ターン65A及び65Bを基準とする絶対位置とみ� �すことが可能である。このように、パター� �65A,65B、原点センサ66A,66B、磁性板62の磁化パ� ��ーン、及び検出器67A,67Bを含んで、ウエハベ ース41に対するXYコイルキャリア40の2次元的� �相対位置を計測するための第1リニアエンコ� ��ダが構成されている。この第1リニアエンコ ーダの計測値はステージ制御系53に供給され� ��いる。

 また、図6(A)は、図2のウエハパック28、XY� ��イルキャリア40、及びウエハベース41を示す 平面図である。図6(A)に示すように、XYコイル キャリア40の上面のほぼ全面に、図3のウエハ パック28内の磁性板34の磁化パターンの周期� �応じて、XYコイルキャリア40に対してウエハ� ��ック28をX方向(非走査方向)及びY方向(走査方 向SD)に駆動するための例えば3相のX軸の駆動� ��イル71X及びY軸の駆動コイル71Yが、それぞれ 複数組設置されている。この場合も、駆動コ イル71X及び71Yと、図3の磁性板34の磁化パター ンとから、それぞれX軸のリニアモータ72X及� �Y軸のリニアモータ72Yが構成され、2軸のリニ アモータ72X及び72Yから第2平面モータ72が構成 されている(図2参照)。図2のステージ制御系53 の制御のもとで、リニアモータ72X及び72Yはそ れぞれXYコイルキャリア40に対してウエハパ� �ク28をX方向及びY方向に非接触状態で駆動す� ��。この際に、ウエハパック28のZ方向の位置� ��び傾斜角θX,θYは、図2の静電軸受部材37によ る静電的な吸引及び気体の吹き出しによって 非接触状態で制御されている。

 また、図6(A)から分かるように、リニアモ ータ72X及び72Yはそれぞれ複数軸であるため、 一方のリニアモータ72X(又は72Y)を2軸で異なる 駆動量だけ駆動することによって、ウエハパ ック28の回転角θZを制御することも可能であ� ��。なお、平面モータ64及び/又は72としては� �例えば米国特許第6,437,463号明細書に開示さ� �ている平面モータを使用してもよい。

 また、図2に示すように、XYコイルキャリ� ��40の上面に、ウエハパック28内の磁性板34の� ��化パターンの磁場を検出するホール素子等� ��含む検出器74A及び74Bが固定されている。検� ��器74A及び74BはそれぞれXYコイルキャリア40に 対するウエハパック28(磁性板34)のX方向、Y方� ��の相対位置を分解能10μm程度で検出する。� �れらの検出結果からウエハパック28のXYコイ� ��キャリア40に対する回転角θZも求められる� �検出器74A及び74Bの検出結果は、駆動コイル71 X及び71Yの相切り換え(コミュテーション)にも 使用される。

 検出器74A及び74Bについても、原点を設定� ��るために、ダイヤフラム33の底面中央部に� �点検出用のパターン73Bが固定されている。XY コイルキャリア40の上面中央部には、パター� ��73BのX方向、Y方向の位置を図3の磁性板34の� �化パターンの周期BX,BYよりも狭い範囲内で検 出するための、光学式又は静電容量式等の原 点センサ73Aが固定されている。なお、原点セ ンサ73A及びパターン73Bも実際には2組設けら� �ている。一例として、原点センサ73Aでパタ� �ン73BのX方向、Y方向の位置を検出してから、 検出器74A,74Bで検出される磁場が所定位相に� �るときに、検出器74A,74BのX軸、Y軸の計測値� �それぞれリセットする。この後に検出器74A,7 4Bによって検出されるウエハパック28の位置� �、パターン73Bが検出器74Bによって検出され� �位置を基準とする絶対位置とみなすことが� �能である。このように、原点センサ73A、パ� �ーン73B、磁性板34の磁化パターン、及び検出 器74A,74Bを含んで、XYコイルキャリア40に対す� ��ウエハパック28の2次元的な相対位置を計測� ��るための第2リニアエンコーダが構成されて いる。この第2リニアエンコーダの計測値も� �テージ制御系53に供給されている。

 ただし、本例では、ウエハパック28のX方� ��、Y方向の位置、及び回転角θZは、図1のレ� �ザ干渉計42X,42Yによっても計測されている。� ��こで、予めウエハベース41とウエハパック28 とが所定の位置関係の状態でレーザ干渉計42X ,42Yの計測値をリセット又はプリセットして� �くことで、その後は、レーザ干渉計42X,42Yの� ��測値(ウエハベース41に対するウエハパック2 8の相対位置)から図5(A)の検出器67A,67Bを含む� �1リニアエンコーダの計測値(ウエハベース41� ��対するXYコイルキャリア40の相対位置)を差� �引くことで、XYコイルキャリア40に対するウ� ��ハパック28の相対位置を求めるようにして� �よい。この場合には、図2のXYコイルキャリ� �40の上面側の原点センサ73A及びパターン74B等 を省略することが可能である。

 図1のステージ制御系53では、レーザ干渉� ��42X,42Y、図5(A)の検出器67A,67Bを含む第1リニア エンコーダ、及び図2の検出器74A,74Bを含む第2 リニアエンコーダの計測値、並びに主制御系 51からの制御情報に基づいて、図2の第1平面� �ータ64及び第2平面モータ72を駆動する。この 場合、図1のレチクルRの位置と対応するウエ� ��パック28(ウエハW)の位置関係は、レーザ干� �計42X,42Yの計測値に基づいて制御され、XYコ� �ルキャリア40の位置は、一例として、できる だけウエハパック28がXYコイルキャリア40の中 央部に位置するように制御される。

 次に、走査露光時及びステップ移動時の第1 平面モータ64及び第2平面モータ72の駆動方法� ��一例につき説明する。
 先ず、図6(A)に示すように、ウエハパック28� ��のウエハWの一つのショット領域SA1を投影光 学系PLの投影領域21Wに対して+Y方向に移動し� �ショット領域SA1を露光する走査露光時には� �図2の第2平面モータ72を駆動して、XYコイル� �ャリア40に対してウエハパック28を矢印A1で� �す+Y方向に移動する。ステージ制御系53は、� ��の動作と並行して、図2の第1平面モータ64を 駆動して、ウエハパック28の+Y方向への移動� �よるXYコイルキャリア40に対する逆方向への� ��力を相殺するように、ウエハベース41に対� �てXYコイルキャリア40を矢印A2で示す-Y方向に 移動する。このカウンターバランス方式の駆 動によって、ウエハパック28を走査する際に� ��生する振動量を極めて小さくでき、その結� ��として重ね合わせ精度等を向上できる。

 なお、ウエハW上の一連のショット領域に露 光する際には、通常はウエハWの走査方向は± Y方向に交互に反転する。そのため、そのカ� �ンターバランス方式の駆動を行っても、ウ� �ハパック28とXYコイルキャリア40との位置関� �が次第に大きくずれていくことはない。
 次に、図6(B)に示すように、ウエハW上のシ� �ット領域SA1の露光後にそれに-X方向に隣接す るショット領域SA2に露光する場合、露光光IL� ��照射を停止して、ウエハWを1つのショット� �域の幅分だけ+X方向にステップ移動する必要 がある。このために、図2の第2平面モータ72� �駆動して、XYコイルキャリア40に対してウエ� ��パック28を矢印B1で示す+X方向に移動する。� ��テージ制御系53では、その動作に僅かに先� �して、図2の第1平面モータ64を駆動して、ウ� ��ハパック28の+X方向への移動によるXYコイル� ��ャリア40に対する逆方向への反力を上回る� �動力を発生して、ウエハベース41に対してXY� ��イルキャリア40を矢印B2で示す+X方向に移動� ��る。このときの投影光学系PLに対するウエ� �パック28の+X方向への移動量と、投影光学系P Lに対するXYコイルキャリア40の+X方向への移� �量とはほぼ同じとする。

 同様に、ウエハWをY方向にステップ移動� �る場合にも、ウエハパック28を駆動する際に 、ステージ制御系53はXYコイルキャリア40を同 じ方向に駆動する。ステップ移動中には、こ のようなXYコイルキャリア40の駆動によって� �少の振動が発生しても、露光精度には影響� �ない。さらに、このようにウエハパック28と XYコイルキャリア40とを同じ方向に駆動する� �とによって、ステップ移動前後でウエハパ� �ク28とXYコイルキャリア40との相対位置が変� �しないため、その後のウエハWのショット領� ��SA2の走査露光動作に円滑に移行することが� ��き、露光工程のスループットを高めること� ��できる。

 次に、本例の図1の露光装置EXに対してウエ� ��パック28の搬入及び搬出を行うためのウエ� �処理システムにつき説明する。
 図7は本例のウエハ処理システムWTの概略構� ��を示す図である。図7において、ウエハ処理 システムWTは、ウエハの処理を行うカセット� ��テーション80と、図3のウエハパック28の処� �を行う部分とに分かれている。

 カセットステーション80は、ウエハ用の� �セット82と、カセット載置台81と、ウエハの� ��度調整を行う温調ユニット83と、ウエハに� �射防止膜のコーティングを行うボトムコー� �ィングユニット84と、ウエハの加熱を行う加 熱ユニット85と、ウエハの高温処理を行う高� ��度熱処理ユニット86と、ウエハの高精度の� �度調整を行う高精度温調ユニット89と、レジ スト塗布ユニット90と、プリベーキングユニ� ��ト91と、レジスト膜厚の検査を行う膜厚検� �ユニット94と、ウエハの周辺露光を行う周辺 露光ユニット95と、ウエハの高精度の温度調� ��を行う高精度温調ユニット96と、例えば図4( A)~図4(D)の順序でウエハWのウエハパック28へ� �収納を行うウエハ収納装置500(高真空の真空� ��ャンバ及び所定の負圧のチャンバを備えて� ��る)と、ウエハW又はウエハWが収納されたウ� ��ハパック28を一時保管するためのバッファ� �セット97とを備えている。高温度熱処理ユニ ット86は、高温度熱処理装置87と温調装置88と を備え、プリベーキングユニット91は、温調� ��搬送プレート92と、ホットプレート93とを備 えている。

 カセットステーション80は、さらに、露� �装置EXから搬出されたウエハパック28又はウ� ��ハWを一時保管するためのバッファカセット 98と、例えば図4(D)~図4(A)の順序で、ウエハパ� ��ク28からウエハWの取り出しを行うウエハ取� ��出し装置520と、ポストエクスポージャーベ� ��キングユニット99と、高精度温調ユニット10 2と、現像ユニット103と、温調・搬送ユニッ� �104と、熱処理装置105とを備えている。ポス� �エクスポージャーベーキングユニット99は、 温調・搬送装置100と、熱処理装置101とを備え ている。

 また、ウエハパックの処理を行う部分は� ��ウエハパック28(ここではウエハが収納され� ��いない)を保管するウエハパック保管用カセ ット530と、ウエハパック28の気密性、ウエハ� ��ック28の構成部材の平面度、異物の有無等� �検査する第1ウエハパック検査ステーション5 40と、ウエハパック28の温度をウエハの温度� �合わせるためのウエハパック温調装置550と� �ウエハ取り出し装置520からウエハパック28の 構成部材を搬出する搬送アームを含む搬送系 600と、ウエハパック28の構成部材を洗浄する� ��エハパック洗浄機560と、ウエハパック28の� �成部材の平面度、異物の有無等を検査する� �2ウエハパック検査ステーション570とを備え� ��いる。

 なお、図3のウエハパック28中で特に高い� ��浄度が要求されるのはガラス板29(平板ガラ� ��)であるため、ガラス板29とそれ以外の部材( フレーム30及びダイヤフラム33等)とを分けて� ��理してもよい。この場合、ウエハパック洗� ��機560からウエハパック保管用カセット530及� ��ウエハパック温調装置550までの処理系でガ� ��ス板29の処理を行い、それ以外の部材は、� �送アームを含む搬送系610と、それ以外の部� �のドライ環境下でのクリーニングを行うク� �ーニング装置580と、保管用カセット590とを� �む別の処理系で処理してもよい。

 次に、図8~図10のフローチャートを参照して 本例のウエハ及びウエハパック28の全体の処� ��の流れにつき説明する。この処理は、例え� ��不図示のホストコンピュータによって制御� ��れる。
 先ず、図8のステップ202において、図7のカ� �ットステーション80において、ウエハ搬送系 (図示せず)がカセット載置台81にあるカセッ� �82にアクセスし、カセット82から1枚の処理前 の半導体ウエハ(以下、ウエハWという。)を取 り出す。カセット82は処理前及び処理後の半� ��体ウエハを収容している。次のステップ204� ��おいて、温調ユニット83のシャッタ部が開� �、ウエハWは、前記ウエハ搬送系によって温� ��ユニット83の筐体内に収容され、筐体内部� �ある温調プレート(図示せず)上に載置される 。この後、ウエハWに対して例えば冷却処理� �の所定の第1温調処理が行われる。

 次のステップ206において、ウエハWは温調 ユニット83から搬出されてボトムコーティン� ��ユニット84内に収容される。ここで、ウエ� �Wに対する反射防止膜の形成(成膜処理)が行� �れる。次のステップ208において、ウエハWは� ��トムコーティングユニット84から搬出され� �加熱ユニット85内に収容される。そして、ウ エハWに対し、第1の加熱処理の前段階として� ��加熱処理が行われる。その後、ステップ210� ��おいて、ウエハWは加熱ユニット85から搬出� ��れて高温度熱処理ユニット86内に収容され� �。そして、高温度熱処理ユニット86内に設け られた高温度熱処理装置87によって、ウエハW に対する第1の加熱処理の後段階としての加� �処理が所定時間だけ行われる。この第1の加� ��処理の後段階での加熱処理の温度は、第1の 加熱処理の前段階での温度よりも高く設定さ れている。

 次のステップ212において、ウエハWは高温 度熱処理装置87から温調装置88に移動する。� �して、この温調装置88によって、ウエハWに� �して所定の温度への温度調整が行われる。� �のステップ214において、ウエハWは高温度熱� ��理ユニット86から搬出されて、高精度温調� �ニット89に収容される。そして、ウエハWに� �し、所定の温度(例えば、23°C)での第2の温調 処理が行われる。次のステップ216において、 ウエハWは、高精度温調ユニット89から搬出さ れてレジスト塗布ユニット90に収容される。� ��して、ウエハWに対する所望のレジスト液の 塗布処理が行われる。これにより、ウエハW� �面にレジスト膜が形成される。

 次のステップ218において、ウエハWは、レ ジスト塗布ユニット90から搬出されてプリベ� ��キングユニット91に収容される。そして、� �エハWはプリベーキングユニット91内に設け� �れた温調・搬送プレート92内に載置される。 そして、ウエハWは温調・搬送プレート92で温 調されつつ搬送され、プリベーキングユニッ ト80内に設けられたホットプレート93に移さ� �る。そして、ステップ220において、ウエハW� ��対し、所定の温度、時間により第2の加熱処 理が行われる。この加熱処理により、レジス ト液の塗布処理で残っていた残存溶剤がウエ ハW塗布膜から蒸発除去される。

 次のステップ222において、ウエハWはホッ トプレート93から温調・搬送プレート92に移� �れる。そして、温調・搬送プレート92は、ウ エハWに対して温度調整を行いながら、これ� �搬送する。温度調整における設定温度、時� �は適宜設定される。例えば、このステップ22 2での設定温度は、ステップ220の第2の加熱処� ��における設定温度よりも低く設定される。

 この温度調整が終わると、ステップ224に� ��いて、ウエハWはプリベーキングユニット91� ��ら搬出されて膜厚検査ユニット94に移動さ� �る。そして、ウエハWに形成されたレジスト� ��膜厚が検査される。また、例えば、パーテ� ��クル等の異物の有無やウエハ表面の状態を� ��査するようにしてもよい。次のステップ226� ��おいて、ウエハWは膜厚検査ユニット94から� ��辺露光ユニット95に移動される。そして、� �エハWに対して周辺部の露光処理が行われる� ��次のステップ228において、ウエハWは高精度 温調ユニット96に移され、ここでウエハWの温 度を露光時の温度に高精度に制御するための 第3の温調処理が行われる。

 次のステップ230において、ウエハWは図7� �ウエハ収納装置500に搬送される。この際に� �後述の図10のステップ306でウエハWと同じ温� �に制御されたウエハパック28の構成部材もウ エハ収納装置500に搬送される。そして、ウエ ハWは図4(A)~図4(D)の順序でウエハパック28内に 収納される。この際に、ウエハパック28内の� ��間は、上述のように所定の負圧に設定され� ��。なお、ウエハパック28内にウエハWを収納� ��た後、ウエハWとウエハパック28(特にガラス 板29)とを温度的に馴染ませるために、次の露 光処理まで所定時間放置しておいてもよい。

 次の図8のステップ232において、ウエハW� �収納したウエハパック28は、図1の露光装置EX に搬送されて露光処理が行われる。なお、ウ エハパック28を露光装置EXに受け渡す前に、� �エハW(ウエハパック28)を一時的にバッファカ セット97に格納する場合もある。ウエハパッ� ��28内のウエハWへの露光処理が終わると、ス� ��ップ234に移行して、ウエハパック28は露光� �置EXからウエハ取り出し装置520に搬出される 。そして、図4(D)から図4(A)の順序でウエハパ� ��ク28からのウエハWの取り出しが行われる。� ��お、ガラス板29とウエハWとの分離が容易で� ��ない場合には、さらにステップ236において� ��ガラス板29(平板ガラス)とウエハWとの分離� �行われる。ステップ234又は236でウエハWから� ��離されたウエハパック28の構成部材は、後� �の図10のステップ308に移行して洗浄処理が行 われる。

 そして、ステップ234又は236でウエハパッ� ��28から取り出された(ガラス板29から分離さ� �た)ウエハWは、図9のステップ238に移行して� �ウエハ取り出し装置520からポストエクスポ� �ジャーベーキングユニット99に搬送される。 なお、露光処理が終了した後、ウエハW又は� �エハWを収納したウエハパック28を一時的に� �ッファカセット97に格納しておいてもよい。

 そして、ウエハWは、ポストエクスポージ ャーベーキングユニット99内に設けられた温� ��・搬送装置100に載置される。次のステップ2 40において、ウエハWは、温調・搬送装置100で 温調されつつ搬送され、ポストエクスポージ ャーベーキングユニット99内の熱処理処置101� ��移される。そして、この熱処理装置101によ� ��て、ウエハWに対する第3の加熱処理が行わ� �る。

 次のステップ242において、ウエハWは熱処理 装置101から温調・搬送装置100に戻され、所定 の温度に調整されながら高精度温調ユニット 102に搬送される。そして、ステップ244におい て、高精度温調ユニット102においては、ウエ ハWに対し、所定の温度(例えば、23°C)での温� ��処理である第4温調処理が行われる。
 次のステップ246において、ウエハWは、高精 度温調ユニット102から現像ユニット103に搬送 され、現像ユニット102において、ウエハWに� �現像液の塗布が行われ、所定時間放置する� �とにより現像処理が進行する。この後、ウ� �ハW上にリンス液を供給して前記現像液を洗� ��流し、ウエハWを乾燥させておく。次のステ ップ248において、ウエハWは現像ユニット103� �ら温調・搬送装置104に渡される。そして、� �エハWに対する温調処理が行われる。

 次のステップ250において、ウエハWは温調 ・搬送装置102から熱処理装置105に移され、こ の熱処理装置105によって、ウエハWに対する� �4の加熱処理が行われる。その後、ステップ2 52において、ウエハWは熱処理装置105から温調 ・搬送装置104に戻され、所定の温度に調整さ れながら搬送される。前述の第4の加熱処理� �含めて、これらの処理により現像で膨張し� �レジストが硬化するので薬品に対する耐性� �向上する。その後、ステップ254において、� �エハWは温調・搬送装置104からカセットステ� ��ション80のカセット82に戻されて、次の工程 に進む。なお、ウエハWがカセット82に戻され る前に、マクロ検査器等でウエハW上の処理� �ラ等を検査するようにしてもよい。また、� �査の他に、現像後のパターン欠陥、線幅、� �ね合わせ、オーバーレイ精度等の検査を行� �ようにしてもよい。さらに、所定の条件で� �ッチング装置によりエッチング処理まで行� �ようにしてもよい。

 次に、図10を参照して、ウエハパック28の 構成部材の処理の流れにつき説明する。先ず 、図10のステップ302において、図7のウエハパ ック保管用カセット530から1個のウエハパッ� �28(ただし、ウエハWは収容されていない)を取 り出す。ウエハパック保管用カセット530は複 数のウエハパック28を収容している。次のス� ��ップ304において、取り出されたウエハパッ� ��28は、第1ウエハパック検査ステーション540� ��搬送される。第1ウエハパック検査ステーシ ョン540では、ウエハパック28の密閉度(気密性 )、ウエハWの露光面と接触することになるガ� ��ス板29(平板ガラス)の平面度が検査される。 また、ガラス板29にレジスト残滓、塵等の異� ��が付着していないか否かも検査される。こ� ��は、ガラス板29にレーザビームを走査して� �反射光が散乱光になる部分を検出する等の� �査装置によって検査可能である。

 許容範囲を超える異物が検出された場合に� ��、ウエハパック28(又はガラス板29単体)は、� ��例として搬送系600を介して後述のウエハパ� ��ク洗浄機560に移送されて洗浄される。さら� ��、ウエハパック28の気密性又はガラス板29の 平面度等が許容範囲を超えた場合には、別の ウエハパック又はガラス板との交換等が行わ れる。
 次のステップ306において、ウエハパック28� �、ウエハパック温調装置550に搬送され、ウ� �ハパック温調装置550において、ウエハパッ� �28の温度、特にガラス板29の温度は、収納す� ��ウエハWの温度(図8のステップ228で設定され� ��温度)と略等しくなるように設定される。つ まり、ウエハパック28の温度は、図7の高精度 温調ユニット96で所定の第3温調処理が行われ たウエハWと同じ温度になるように温調処理� �れる。

 次に、処理は図8のステップ230に移行して 、ウエハパック28は図7のウエハ収納装置500に 搬送されて、ウエハパック28内へのウエハWの 収納が行われる。そして、上述のようにウエ ハWの露光(ステップ232)、ウエハパック28から� ��ウエハWの取り出し(ステップ234,236)が行われ た後、ウエハWと分離されたウエハパック28の 構成部材は、図10のステップ308に移行して、� ��エハパック洗浄機560に搬送される。そして� ��ウエハパック洗浄機560は、ウエハパック28� �所定の液体で洗浄し、乾燥させる。液体を� �わないようにして乾燥処理を省くようにし� �もよい。また、ウエハパック28のガラス板29( 平板ガラス)は、ウエハWのレジスト塗布面と� ��触していたので、レジスト残滓等の異物が� ��着している可能性がある。

 そこで、ガラス板29だけは有機溶剤等を� �いて高度の洗浄を行い、それ以外の図3のウ� ��ハパック28のフレーム30等はエアーシャワー 等による洗浄のみを行うようにしてもよい。 この洗浄処理によって、ガラス板29も必要な� ��浄度に維持することができる。次のステッ� ��310において、ウエハパック28の構成部材は� �第2ウエハパック検査ステーション570に搬送� ��れ、第2ウエハパック検査ステーション570で は、ウエハパック28の密閉度(気密性)、ウエ� �Wの露光面と接触することになるガラス板29� �平面度が検査される。また、ガラス板29にレ ジスト残滓、塵等の異物が付着していないか 否かも検査される。許容範囲を超える異物が 検出された場合には、ウエハパック28(又はガ ラス板29単体)はウエハパック洗浄機560に戻さ れて再び洗浄される。さらに、ウエハパック 28の気密性又はガラス板29の平面度等が許容� �囲を超えた場合には、別のウエハパック28等 との交換等が行われる。

 なお、第2ウエハパック検査ステーション570 における処理は、第1ウエハパック検査ステ� �ション540での検査処理と同様であるため、� �1ウエハパック検査ステーション540と第2ウエ ハパック検査ステーション570とを同一の検査 ステーションとしてもよい。
 次のステップ312において、第2ウエハパック 検査ステーション570での検査処理が終わり、 異常の無かったウエハパック28は、ウエハパ� ��ク保管用カセット530に戻され、ステップ314� ��おいて、次の露光処理で使われるよう保管� ��れる。すなわち、本例のウエハパック28の� �成部材は、複数のウエハに対して繰り返し� �使用される。

 次に、図8のステップ236におけるウエハパッ ク28のガラス板29(平板ガラス)とウエハWとの� �々の分離方法につき説明する。
 先ず、第1の分離方法は、図11(A)に示すよう� ��、ガラス板29及びウエハWを真空吸着を行う� ��めの真空パッド110及び111で吸着して、真空� ��ッド110及び111に離れる方向の力を加えた状� ��で、加熱装置130から温風を吹き出してガラ� ��板29及びウエハWを全体として温めるもので� ��る。本例ではガラス板29の線膨張率はウエ� �Wよりも小さいため、同じ温度に加熱される� ��、ウエハWの方が長く伸びて、ガラス板29と� ��エハWとの界面が剥がれ易くなる。そのため 、真空パッド110及び111によってガラス板29と� ��エハWとを分離できる。

 次に、図11(A)は全体を温めるのに対して� �図11(B)に示す第2の分離方法は、ウエハW側の� ��空パッド111に加温プレート112A,112Bを装着し� ��、ウエハW側のみを温めている。これによっ て、ウエハWが伸びて界面が剥がれ易くなる� �め、ガラス板29とウエハWとを容易に分離で� �る。この方式は、ガラス板29とウエハWとの� �膨張率が同じ(ただし、ある程度は熱膨張す� ��必要がある)であっても適用できる。さらに 、図11(B)の場合には、ウエハWのみの温度が上 昇するが、ウエハWの場合には分離後に図7の� ��ストエクスポージャーベーキングユニット9 9において熱処理が行われるため、ある程度� �温度上昇は差し支えがないという利点があ� �。

 次に、第3の分離方法は、図11(C)に示すよ� ��に、ウエハWの裏面に可撓性を持つ真空パッ ド113を吸着させた状態で、その真空パッド113 の裏面の複数箇所を独立に上下方向に駆動さ れる真空パッド111A,111Bで吸着し、真空パッド 111A,111Bを上下方向に異なる量だけ僅かに変位 又は振動させるものである。これによって、 ウエハWが微妙に折れ曲がり、界面が伸びて� �ラス板29からウエハWが剥がれ易くなる。

 次に、第4の分離方法は、図12(A)に示すよ� ��に、ガラス板29及びウエハWを真空吸着を行� ��ための真空パッド110及び111で吸着して、ガ� ��ス板29とウエハWとの界面にコンプレッサ114� ��らノズル115を介して清浄なエアー116を吹き� ��むものである。ウエハWには、通常、切り欠 き部であるノッチ部Waがあるため、そのノッ� ��部Waにエアー116を吹き込むことによって、� �面が剥がれ易くなり、ガラス板29からウエハ Wを容易に分離できるようになる。

 なお、その界面にエアーを吹き込む代わり� ��、例えばレジストの特性に影響を与えない� ��体(純水等)を噴き付けてもよく、液体と気� �との混合物を噴き付けてもよい。さらに、� �ジストの現像液を噴き付けることも可能で� �る。
 次に、第5の分離方法は、図12(B)に示すよう� ��、ガラス板29及びウエハWを真空吸着を行う� ��めの真空パッド110及び111で吸着して、真空� ��ッド110及び111にそれぞれ例えば超音波振動� ��120A,120B及び120C,120Dを装着して、超音波振動� ��120A~120Dからガラス板29及びウエハWに振動を� ��える方法である。この際に、ガラス板29及� �ウエハWの固有振動数(モード共振点)で加振� �ることによって、両者は剥がれ易くなる。

 次に、第6の分離方法は、図12(C)に示すよ� ��に、ガラス板29及びウエハWに静電吸着を行� ��ための電極部材121及び122を密着させて、電� ��部材121及び122に互いに反発する静電位(例え ば両方とも+又は-)を印加する方法である。こ れによって、ガラス板29とウエハWとの間には 反発力が作用するため、容易に引き剥すこと が可能である。

 なお、上記の第1~第6の分離方法のうちの複� ��の方法を組み合わせて使用してもよく、こ� ��によってさらに容易にガラス板29とウエハW� ��を分離できる。
 本実施形態の作用効果は以下の通りである� ��
 (1)図7のウエハ処理システムWTは、露光光を� ��過するガラス板29(平板状部材)が表面に密着 した状態で露光が行われるウエハの処理シス テムであって、ガラス板29をウエハWの表面に 密着させて組立を行うウエハ収納装置500と、 露光光でガラス板29を介してウエハWを露光す る露光装置EXと、ウエハWとガラス板29とを分� ��するウエハ取り出し装置520とを備えている� ��

 また、ウエハ処理システムWTによる処理方� �は、ガラス板29が表面に密着した状態で露光 が行われるウエハの処理方法であって、ガラ ス板29をウエハの表面に密着させるステップ2 30(組立工程)と、露光光でガラス板29を介して ウエハを露光するステップ232(露光工程)と、� ��エハとガラス板29とを分離するステップ236(� ��離工程)と、を有する。
 従って、露光対象のウエハWの露光中におけ る平面度を高く維持できるため、ウエハW上� �各ショット領域にレチクルRのパターンの像� ��高精度に露光できる。また、露光装置EXに� �するウエハWの搬入の直前にガラス板29とウ� �ハWとを組み合わせ、露光装置EXからガラス� �29及びウエハWが搬出された直後にガラス板29 とウエハWとを分離することによって、露光� �置EXと他のレジスト塗布装置90及び現像ユニ� ��ト103等との間のウエハWの受け渡しを円滑に 行うことができる。

 (2)また、ガラス板29を搬送する搬送系600等� �備え、例えばステップ304の一部(搬送工程)に おいてガラス板29がウエハパック洗浄機560に� ��送される。これにより、露光対象の別のウ� ��ハに対してガラス板29を繰り返して使用す� �ことができる。従って、基板処理システム� �運用コストを低減できる。
 (3)また、ガラス板29とウエハWとの温度を合� ��せるために、ウエハWの温度を制御する高精 度温調ユニット96及びガラス板29(ウエハパッ� ��28)の温度を制御するウエハパック温調装置5 50を備えている。従って、ウエハWの温度を目 標とする温度に維持できる。なお、ウエハW� �様々な熱処理を受けるために温度が変動す� �のに対して、ガラス板29は熱処理は殆ど受け ない。従って、ガラス板29を例えば露光装置E Xにおける露光時の温度に制御された環境下� �設置しておく場合には、特にガラス板29用の 温度調整装置を設ける必要はない。

 (4)また、ガラス板29及びウエハパック28の他 の構成部材を洗浄するウエハパック洗浄機560 を備えている。従って、ガラス板29にレジス� ��残滓等が付着しても、それを洗浄すること� ��よって、ガラス板29を繰り返して使用でき� �。
 (5)また、ガラス板29に付着している異物の� �無を検査する検査装置(第1ウエハパック検査 ステーション540の一部)を備えている。従っ� �、異物が検出された場合に、その洗浄等を� �うことによって、ウエハWに不要なパターン� ��転写することを防止できる。

 (6)また、ガラス板29の平面度を検査する検� �装置(第1ウエハパック検査ステーション540の 一部)を備えている。従って、露光中のウエ� �Wの露光面が許用範囲を超えて撓むことが防� ��できる。
 (7)また、図7のウエハ収納装置500は、例えば 図4(A)~図4(D)に示すように、ガラス板29をウエ� ��Wの表面に密着させるウエハ搬送アーム45と� ��フレーム30及びダイヤフラム33(箱状部材)を� ��いてウエハWをガラス板29に付勢する搬送ア� ��ム43(図3参照)と、フレーム30、ガラス板29、� ��びウエハWが収納された空間を負圧に設定す るチャンバ(気密室)とを含み、図7のウエハ取 り出し装置520は、ガラス板29を吸着保持する� ��持部材44と、その箱状部材の内部に気体を� �入するための排気管31のバルブ31aと、気体を 供給するための配管(排気管31)と、ガラス板29 からその箱状部材を離すために、その箱状部 材を保持する搬送アーム43(図3参照)と、ガラ� ��板29からウエハWを分離するために、ウエハW を吸着保持するウエハ搬送アーム45とを含ん� ��いる。

 従って、図3に示すフレーム30及びダイヤフ� ��ム33を備えて、ガラス板29、フレーム30、及� ��ダイヤフラム33で囲まれた密閉空間内にウ� �ハWを収納できるウエハパック28の組立及び� �解を容易に行うことができる。
 (8)また、図7において、ウエハパック28の搬� ��系は、ガラス板29を搬送する搬送系600と、� �ラス板29以外のウエハパック28の構成部材を� ��ガラス板29とは異なる経路で搬送する搬送� �610とを備えることができる。ガラス板29とそ れ以外の構成部材とは形状が異なるとともに 、異物の付着量が異なるため、両者を別の経 路で処理することによって、処理のスループ ットを向上できる。

 (9)また、図3のウエハパック28は、ダイヤフ� ��ム33に磁性板34を儲け、露光装置EXにおいて� ��、その磁性板34を介してウエハWを駆動する� ��面モータ72を備えている。従って、ウエハ� �ック28を駆動することができる。
 [第2の実施形態]
 次に、本発明の第2の実施形態につき図13を� ��照して説明する。図13は、ウエハWが密着す� ��ガラス板29をステージに直接固定した露光� �置の要部を示す。図13において、投影光学系 PLの下方の平板状の定盤8上に気体軸受を介し てX方向、Y方向に移動可能にXYステージ9が載� ��され、XYステージ9上に、例えばボイスコイ� ��モータ方式等でZ方向に駆動される3箇所のZ� ��動部11A,11B,11Cを介してZステージ10が支持さ� �ている。XYステージ9は、例えば不図示のガ� �ド機構に沿って2組のリニアモータによって� ��交するX方向、Y方向に駆動される。Zステー� ��10のX方向、Y方向の側面の反射面(又は移動� �)に不図示のレーザ干渉計からレーザビーム� ��照射され、そのレーザ干渉計によって少な� ��ともZステージ10のX方向、Y方向の位置、及� �回転角θZ等が計測されている。

 そして、Zステージ10の上面にY方向に離れ た2箇所の支持部材12A及び12Bを介してガラス� �29が着脱可能に保持され、ガラス板29の底面2 9aにウエハWの表面(フォトレジストが塗布さ� �た露光面)の全面が密着している。この場合� ��支持部材12A,12Bに不図示の真空ポンプに連結 される吸着孔12Aa,12Ba等が形成され、これらの 吸着孔12Aa,12Ba等によって支持部材12A,12B上に� �ラス板29が真空吸着方式で保持されている。

 また、支持部材12A,12Bの上部に、連結部材 13A,13Bを介して、ガラス板29の上面に所定間隔 を開けて、平板状の電極板14A,14Bが待避可能� �配置され、電極板14A,14Bに不図示の制御装置� ��ら所定の電荷(又は電位)を与えることによ� �て、ガラス板29の底面にウエハWを静電吸着� �よって保持できるように構成されている。� �らに、不図示のAFセンサを介して計測される ウエハWの表面のフォーカス位置等に基づい� �、Z駆動部11A,11B,11Cを介してZステージ10のフ� �ーカス位置等を制御することによって、ウ� �ハWの表面を投影光学系PLの像面に合焦させ� �ことができる。

 この例では、未露光のウエハW及びガラス 板29は、図7のウエハ収納装置500で密着させら れる。その後、ガラス板29及びウエハWは、一 例としてウエハ搬送アーム15に載置された状� ��で、図13の支持部材12A,12Bの間まで搬送され� ��。電極板14A,14Bは待避している。次に、ウエ ハ搬送アーム15を次第に下降させて、ガラス� ��29の底面を支持部材12A,12Bの上面に載置して� ��電極板14A,14Bを戻して正又は負の電荷を帯電 させることによって、ウエハWがガラス板29に 安定に吸着保持される。その後、Zステージ10 (ウエハW)の位置を不図示のレーザ干渉計によ って計測し、この計測値に基づいてXYステー� ��9を駆動することによって、投影光学系PLか� ��の露光光ILでガラス板29を介してウエハWを� �光する。その後、ウエハWの裏面にウエハ搬� ��アーム15を配置して、例えば電極板14A,14Bの� ��電を解除して、待避させてから、支持部材1 2A,12Bの真空吸着を解除して、ウエハ搬送アー ム15を上昇させることによって、ガラス板29� �びウエハWを搬出できる。搬出されたガラス� ��29及びウエハWは、例えば図7のウエハ取り出 し装置520で分離される。

 この図13の露光装置においても、ウエハW� ��表面がガラス板29の底面に密着するように� �エハWが保持されるため、Zステージ10の構造� ��簡素化できるとともに、ウエハWの裏面の平 面度に影響されることなく、ウエハWの表面� �高い平面度に維持した状態でウエハWを露光� ��ることができる。従って、不図示のレチク� ��のパターンが投影光学系PLを介してウエハW� ��各ショット領域に高精度に露光される。ま� ��、図7のウエハ処理システムWTを使用するこ� ��によって、ウエハWとガラス板29との処理を� ��率的に行うことができる。

 なお、上記の実施の形態の露光装置は、複� ��のレンズから構成される照明光学系、投影� ��学系を露光装置本体に組み込み光学調整を� ��て、多数の機械部品からなるレチクルステ� ��ジやウエハ駆動装置を露光装置本体に取り� ��けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電 気調整、動作確認等)をすることにより製造� �ることができる。なお、その露光装置の製� �は温度及びクリーン度等が管理されたクリ� �ンルームで行うことが望ましい。
 また、その露光装置、及びその他の本願請� ��の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種� ��ブシステムを用いて、上記の実施の形態の� ��エハ処理システムを組み立てることができ� ��。

 なお、本発明は、走査露光型の投影露光装� ��のみならず、一括露光型の投影露光装置で� ��光する場合にも同様に適用することができ� ��。
 また、上述の実施形態においては、光透過� ��の基材上に所定の遮光パターン(又は位相パ ターン・減光パターン)を形成した光透過型� �チクルを用いているが、このレチクルに替� �て、例えば米国特許第6,778,257 号公報に開示 されているように、露光すべきパターンの電 子データに基づいて透過パターン又は反射パ ターン、あるいは発光パターンを形成する電 子マスクを用いてもよい。

 また、上述の実施形態においては、投影� ��学系PLを使ってパターン像をウエハW上に投� ��することによって基板を露光しているが、� ��際公開第2001/035168号パンフレットに開示さ� �ているように、干渉縞をウエハW上に形成す� ��ことによって、ウエハW上にライン・アンド ・スペースを露光する露光装置(リソグラフ� �システム)にも本発明を適用することができ� ��。この場合、投影光学系PLを使わなくても� �く、干渉縞を形成するための回折格子を光� �部材とみなすことができる。

 また、上記の実施形態の露光装置を用い� ��半導体デバイスを製造する場合、この半導� ��デバイスは、デバイスの機能・性能設計を� ��うステップ、このステップに基づいてレチ� ��ルを製造するステップ、シリコン材料から� ��エハを形成するステップ、上記の実施形態� ��露光装置によりレチクルのパターンを基板( ウエハ)に露光する工程、露光した基板を現� �する工程、現像した基板の加熱(キュア)及び エッチング工程などを含む基板処理ステップ 、デバイス組み立てステップ(ダイシング工� �、ボンディング工程、パッケージ工程を含� �)、並びに検査ステップ等を経て製造される� ��

 また、本発明は、半導体デバイスの製造� ��ロセスへの適用に限定されることなく、例� ��ば、角型のガラスプレート等に形成される� ��晶表示素子、若しくはプラズマディスプレ� ��等のディスプレイ装置の製造プロセスや、� ��像素子(CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microe lectromechanical Systems:微小電気機械システム)、 セラミックスウエハ等を基板として用いる薄 膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイ スの製造プロセスにも広く適用できる。更に 、本発明は、各種デバイスのマスクパターン が形成されたマスク(フォトマスク、レチク� �等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造� ��る際の、製造工程にも適用することができ� ��。

 本願明細書に掲げた種々の米国特許及び米� ��特許出願公開については、特に援用表示を� ��たもの以外についても、指定国または選択� ��の法令が許す範囲においてそれらの開示を� ��用して本文の一部とする。 
 なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ� ��ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々� ��構成を取り得ることは勿論である。また、� ��細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を� ��む2007年4月19日付け提出の日本国特願2007-1101 80の全ての開示内容は、そっくりそのまま引� ��して本願に組み込まれている。