Titel

Steuerung einer Versorgungsspannung Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung. Insbesondere betrifft die Erfindung eine elektronische Schaltung zur Bereitstellung einer Versorgungsspannung zum Aufladen eines elektrischen Energiespeichers. Stand der Technik

Zum Aufladen elektrischer Energiespeicher, beispielsweise NiCd- oder NiMH- Akkumulatoren, wird ein Ladegerät verwendet, das an einer Versorgungsspannung betrieben wird und eine Ladespannung an den Energiespeicher bereitstellt, die dessen Aufladung gewährleistet. Zur Absicherung sowohl des Energiespeichers als auch des Ladegeräts gegen außergewöhnliche Betriebszustände wird häufig nur eine sehr einfache Sicherungseinrichtung verwendet, die nach dem so genannten„Crowbar-Prinzip" arbeitet. Hierbei wird bei Auftreten eines außergewöhnlichen Betriebszustands ein Bauelement des Ladegeräts gezielt zerstört, um das Ladegerät abzuschalten und in einen sicheren Betriebszustand zu verbringen. Das zu zerstörende Bauelement kann eine dedizierte Sicherung umfassen. Es kann aber auch ein Bauteil, beispielsweise eine Diode oder ein Transistor, das im Normalbetrieb des Ladegeräts eine weitere Funktion ausfüllt, durch eine überhöhte Spannung oder einen überhöhten Strom gezielt zerstört werden.

Dabei ist nachteilig, dass das Ladegerät nach der Zerstörung des Bauteils nicht ohne Weiteres wieder in Betrieb genommen werden kann. Ferner ist es prinzipbedingt nicht möglich, eine Funktion des Abschaltmechanismus beispielsweise im Rahmen einer Qualitätssicherung zu überprüfen. Es besteht somit stets eine gewisse Unsicherheit, ob der Abschaltmechanismus seiner Aufgabe überhaupt nachkommen kann. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen zerstörungsfreien Abschaltmechanismus für ein Schaltnetzteil anzugeben.

Die Erfindung löst diese Aufgabe durch eine Schaltung mit den Merkmalen von Anspruch 1. Unteransprüche geben bevorzugte Ausführungsformen wieder.

Offenbarung der Erfindung Eine erfindungsgemäße Abschalteinrichtung für ein Schaltnetzteil, wobei das

Schaltnetzteil eine Ansteuereinrichtung für einen ersten Transistor zur Erzeugung einer transformierbarenSpannung umfasst, umfasst einen zweiten Transistor vom PNP-Typ und einen dritten Transistor vom NPN-Typ, wobei die Basis des zweiten Transistors mit dem Kollektor des dritten Transistors und die Basis des dritten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist. Ferner ist der Emitter des dritten Transistors mit Masse und der Emitter des zweiten Transistors mit einem Steuerspannungsanschluss der Ansteuereinrichtung verbunden, wobei der Steuerspannungsanschluss dazu eingerichtet ist, die Erzeugung der Spannung durch den ersten Transistor zu unterbinden, wenn der Steu- erspannungsanschluss an Masse gelegt wird, so dass die Erzeugung der Spannung unterbunden wird, wenn die Basis des dritten Transistors mit einer Spannung beaufschlagt wird, die einen vorbestimmten Schwellenwert übersteigt.

Die beschriebene Abschalteinrichtung aus zwei Transistoren schaltet das Schalt- netzteil über den Steuerspannungsanschluss sicher und effektiv ab, wenn die

Basis des dritten Transistors mit einer ausreichend hohen Abschaltspannung verbunden wird. Dabei bleibt der Steuerspannungsanschluss auch dann an Masse geschaltet, wenn die Abschaltspannung wieder absinkt. Erst wenn die an der Abschalteinrichtung anliegende Spannung weit genug abgeklungen ist, etwa weil das Schaltnetzteil abgeschaltet ist, löst sich die Durchsteuerung des Steuerspannungsanschlusses an Masse, so dass das Schaltnetzteil wieder eingeschaltet werden kann. Dadurch wird eine längere Abschaltung für das Schaltnetzteil erzwungen, die eine Sicherheit des Schaltnetzteil und eines mit ihm verbundenen Verbrauchers erhöhen kann. Beispielsweise kann die Abschaltung durch eine de- tektierte Übertemperatur ausgelöst sein und die Abschaltung kann lange genug dauern, dass das betreffende Element so weit abkühlt, dass ein Betrieb des Schaltnetzteils wieder erfolgen kann.

In einer ersten Ausführungsform umfasst der Steuerspannungsanschluss einen Steueranschluss des ersten Transistors. Dadurch kann die Abschaltung bei jeder Art primär getaktetem Schaltnetzteil erfolgen, insbesondere solchen, die als Selbstschwinger aufgebaut sind.

In einer zweiten Ausführungsform umfasst der Steuerspannungsanschluss einen Steueranschluss einer Spannungsquelle zur Bereitstellung einer Betriebsspannung für die Ansteuereinrichtung für den ersten Transistor. Dadurch kann eine Funktion der Ansteuereinrichtung ausgenutzt werden, die bei einer Unterspannung die Ansteuerung des ersten Transistors einstellt. Dadurch kann die Abschalteinrichtung auch an einem Schaltnetzteil eingesetzt werden, das einen integrierten Schaltkreis als Ansteuereinrichtung verwendet, der keinen dedizierten Eingang zur Abschaltung aufweist und der in einer Ausführungsform auch den ersten Transistor umfasst.

Zwischen dem Emitter und der Basis des PNP-Transistors kann ein erster Kon- densator verbunden sein und/oder zwischen der Basis und dem Emitter des

NPN-Transistors kann ein zweiter Kondensator verbunden sein. Dadurch kann die Abschalteinrichtung jeweils resistenter gegen Störimpulse sein.

Zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem Emitter des dritten Tran- sistors kann ein Speicherkondensator vorgesehen sein. Dadurch kann eine Abschaltzeit verlängert sein, so dass eine Abschaltung des Schaltnetzteils wenigstens eine vorbestimmte Zeit dauert.

In einer Ausführungsform ist ein Optokoppler vorgesehen, um ein Potential des Abschaltimpulses von der Abschalteinrichtung zu trennen. Dadurch kann eine Betriebssicherheit, beispielsweise in einem netzbetriebenen Ladegerät, sichergestellt sein.

Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die beigefügten Figuren genauer beschrieben, in denen: Figur 1 ein Blockschaltbild eines Geräts mit einem Schaltnetzteil; Figur 2 eine Schaltung im Gerät aus Figur 1 ; Figur 3 eine Variation der Schaltung von Figur 2;

Figur 4 eine weitere Ausführungsform einer Schaltung im Gerät aus Figur 1 ; und

Figur 5 eine Variation der Schaltung von Figur 4 darstellt.

Genaue Beschreibung von Ausführungsformen

Figur 1 zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines Geräts 100 und eines mit dem Gerät 100 verbindbaren Energiespeichers 105. Der Energiespeicher 105 ist ein Akkumulator, beispielsweise auf Lithium-Ionen- oder Nickel-Metallhydrid- Basis. Das Gerät 100 ist ein Ladegerät für den Energiespeicher 105.

Das Gerät 100 umfasst einen Netzanschluss 110, einen Gleichrichter 150, eine Schalteinrichtung 155, einen Transformator 160, einen weiteren Gleichrichter 165, einen Regelverstärker 170, einen Optokoppler 175 und eine Steuerung 180 mit einer Abschalteinrichtung 130.

Der Netzanschluss 110 dient zur Verbindung mit einer Netzspannung U _N eines Energieversorgungsnetzes, insbesondere eines Wechselspannungsnetzes mit 1 10V/60Hz oder 230V/50Hz. Der Netzanschluss 1 10 ist mit dem Gleichrichter 150 verbunden. Der Gleichrichter 150 filtert und richtet die Netzspannung U _N gleich und stellt auf deren Basis die Zwischenkreisspannung U _Z K bereit, die eine Gleichspannung ist.

Die Zwischenkreisspannung U _Z K speist die Steuerung 180 mit der Abschalteinrichtung 130 sowie die Schalteinrichtung 155. Die Schalteinrichtung 155 wandelt die Zwischenkreisspannung U _Z K in eine durch den Transformator 160 transfor- mierbare Spannung um und stellt die umgewandelte Spannung dem Transformator 160 bereit. Die bereitgestellte Spannung kann eine Rechteck-, Stufen-, Trapez-, Sinus- oder andere durch den Transformator 160 verarbeitbare Form aufweisen. Dabei wird üblicherweise eine Frequenz verwendet, die über der Fre- quenz der Netzspannung U _N liegt, beispielsweise 50 kHz bis 200 kHz, insbesondere 100 kHz. Der Transformator 160 transformiert die umgewandelte Spannung, die der Gleichrichter 165 in die Ausgangsspannung U _au s umwandelt, die dem Laderegler 135 bereitgestellt wird. Ein Ausgang des Ladereglers 135 ist an einem ersten Ladeanschluss 140 des

Ladegeräts 100 herausgeführt; ein zweiter Ladeanschluss 145 ist direkt mit dem Gleichrichter 165 verbunden. Der Energiespeicher 105 ist mittels korrespondierender Ladeanschlüsse 140, 145 mit dem Ladegerät 100 verbindbar, um am Ladegerät 100 aufgeladen zu werden. In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Laderegler 135 eine Abschaltfunktion bei Unterspannung auf. Sinkt die Ausgangsspannung Uaus unter einen vorbestimmten Wert, so stellt der Laderegler 135 das Laden des Energiespeichers 105 ein. In einer Ausführungsform wird der Energiespeicher 105 an einer konstanten Spannung geladen. Dabei kann der Laderegler 135 entfallen und die Ladespannung U _L wird durch die Ausgangs- Spannung U _aus bereitgestellt. In weiteren Ausführungsformen können mehrere der Elemente 120 bis 135 miteinander in einem Bauteil integriert sein.

Die Ausgangsspannung U _aus wird durch den Regelverstärker 170 überwacht, der in Abhängigkeit der Ausgangsspannung U _aus ein Signal bereitstellt, das mittels des Optokopplers 175 der Steuerung 180 bereitgestellt wird. Die Steuerung 180 generiert auf der Basis des bereitgestellten Signals ein Steuersignal für die Schalteinrichtung 155, um die durch den Gleichrichter 165 generierte

Gleichspannungauf eine vorbestimmte Spannung bzw. den durch den Gleichrichter 165 bereitgestellten Strom auf einen vorbestimmten Strom zu regeln.

Die Abschalteinrichtung 130 ist dazu eingerichtet, mittels einer Abschaltspannung Utrig ausgelöst zu werden. Ist die Abschalteinrichtung 130 ausgelöst, so greift sie derart in die Funktion der Steuerung 180 ein, dass die Schalteinrichtung 155 nicht mehr durchschalten kann, so dass die Energieübertragung über den Transformator 160 zum erliegen kommt und die Ausgangsspannung U _aus abgeschaltet ist. Die Abschaltspannung U _{t g} kann auf der Basis beispielsweise einer Überspannung, einer Unterspannung, einem Überstrom, einem Unterstrom, einer Übertemperatur und/oder einer Untertemperatur eines beliebigen Elements am Ladegerät 100 bereitgestellt sein.

In einer Ausführungsform kann die Steuerung 180 unmittelbar eine Steuerspannung, die der Schalteinrichtung 155 durch die Steuerung 180 bereitgestellt wird, nach Masse ableiten. In einer anderen Ausführungsform umfasst die Steuerung 180 eine Spannungsquelle 120 zur Bereitstellung einer Betriebsspannung für die Steuerung 180 und die Abschalteinrichtung 130 beeinflusst die Spannungsquelle 120 derart, dass die bereitgestellte Betriebsspannung so weit absinkt, dass ein Unterspannungsschutz der Steuerung 180 aktiviert wird, der die Steuerspannung, die der Schalteinrichtung 155 bereitgestellt wird, abschaltet. Dabei kann ein Teil der Steuerung 180 in Form eines Integrierten Schaltkreises (IC) vorliegen, der mit der Schalteinrichtung 155 integriert ausgeführt sein kann. In diesem Fall ist die Spannungsquelle 120 für die Betriebsspannung der integrierten Steuerung 180 nicht mit integriert und kann durch die Abschalteinrichtung 130 beeinflusst werden.

Figur 2 zeigt eine Schaltung 200 im Ladegerät 100 aus Figur 1 . Die Schaltung 200 repräsentiert die Spannungsquelle 120 und die Abschalteinrichtung 130 in der Steuerung 180 in Figur 1 . Die in Figur 2 dargestellte Ausführungsform der Abschalteinrichtung 130 eignet sich besonders dann, wenn die Ansteuerung der Schalteinrichtung 155 mittels einer als integrierter Schaltkreis ausgeführten Steuerung 180 durchgeführt wird. Um das Schaltnetzteil 100 abzuschalten, wird die Spannungsquelle 120 abgeschaltet, so dass die restliche Steuerung 180 eine Unterspannung detektiert und die Ansteuerung der Schalteinrichtung 155 einstellt.

Die Spannungsquelle 120 in Figur 2 ist im Wesentlichen durch einen NPN- Transistor T1 , eine Zenerdiode D2 und einen Widerstand R2 gebildet. Die Abschalteinrichtung 130 ist aufgebaut aus Transistoren T2 und T3, Kondensatoren C2 und C3 sowie einem Widerstand R3.

Die Zwischenkreisspannung U _Z K ist über einen Wderstand R1 als Hilfsspannung Uhiif mit dem Kollektor des NPN-Transistors T1 verbunden. Vom Kollektor des NPN-Transistors T1 aus führt ein Kondensator C1 , vorzugsweise ein Elektrolytkondensator mit hoher Speicherfähigkeit, an Masse.

Der Emitter des NPN-Transistors T1 stellt die Versorgungsspannung Ucc bereit. Das Bereitstellen erfolgt in Abhängigkeit einer Steuerspannung U _S t, die an der

Basis des NPN-Transistors T1 , hier als Steuerspannungsanschluss 205 bezeichnet, anliegt. Um eine geeignete Steuerspannung U _S t zu erzeugen, ist der Widerstand R2 in Serie mit einer Zenerdiode D2 vom Kollektor des NPN-Transistors T1 an Masse geschaltet. Über der Zenerdiode D2 fällt eine vorbestimmte Spannung ab, so lange die Hilfsspannung U _h n _f über der Serienschaltung aus dem Widerstand R2 und der Zenerdiode D2 die vorbestimmte Spannung übersteigt. Die Basis des NPN-Transistors T1 bzw. der Steuerspannungsanschluss 205 ist zwischen dem Wderstand R2 und der Zenerdiode D2 verbunden. Der NPN-Transistor T1 wird üblicherweise mittels der Steuerspannung U _s t in Sättigung betrieben, d. h., dass keine Begrenzung bzw. Regelung der Versorgungsspannung Ucc stattfindet. Verlässt der NPN-Transistor T1 diesen Arbeitspunkt, so wird eine Verlustleistung innerhalb des NPN-Transistors T1 in Wärme umgesetzt. Mittels der Diode D1 wird eine Zusatzspannung U _aux an den Kollektor des Transistors T1 eingekoppelt. Der Betrag der Zusatzspannung U _aU x Wird üblicherweise empirisch ermittelt und sicherheitshalber um einen vorbestimmten Betrag von einigen Volt oberhalb der empirisch ermittelten Spannung gewählt. Durch geeignete Wahl der Zenerdiode D2 kann ein Arbeitspunkt des NPN-Transistors T1 bezüglich eines Begrenzungsverhaltens beeinflusst werden. Dieser Arbeits- punkt kann durch die Schaltung um die Transistoren T2 und T3 verschoben werden, so dass der NPN-Transistor T1 verstärkt begrenzt, nachdem die Auslösespannung Utrig über den vorbestimmten Schwellenwert angestiegen ist.

Die Bauteile der Abschalteinrichtung 130 sind zwischen der Basis des NPN- Transistors T1 und Masse geschaltet. Transistor T2 ist ein PNP-Transistor, während Transistor T3 ein NPN-Transistor ist. Die Basis des Transistors T2 ist mit dem Kollektor des Transistors T3 und die Basis des Transistors T3 mit dem Kollektor des Transistors T2 verbunden. Der Emitter des Transistors T2 führt zur Basis des NPN-Transistors T1 , der Emitter des Transistors T3 ist mit Masse ver- bunden. Die Kondensatoren C2 und C3 sind zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T2 bzw. des Transistors T3 angeordnet. Die Abschaltspan- nung U _t ng wird mittels des Widerstands R3 an die Basis des Transistors T3 bzw. den Kollektor des Transistors T2 eingekoppelt, wobei der Widerstand R3 dazu dient, den Strom durch die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T3 zu begrenzen.

Im Normalbetrieb der Schaltung 200 sperren beide Transistoren T2 und T3. Übersteigt die Abschaltspannung U _t ng einen vorbestimmten Wert, so schaltet der Transistor T3 durch und seine Kollektor-Emitter-Strecke wird leitend. Dadurch wird die Basis des Transistors T2 gegen Masse gezogen, so dass der Transistor T2 ebenfalls durchschaltet und seine Emitter-Kollektor-Strecke leitend wird. Dadurch wird die Steuerspannung U _s t, die am Emitter des Transistors T2 anliegt, an den Kollektor des Transistors T2 und damit an die Basis des Transistors T3 durchgeleitet, so dass der Transistor T3 im leitenden Zustand verbleibt, unabhängig davon, ob die Abschaltspannung U _t ng wieder unter den vorbestimmten Wert absinkt oder nicht.

Während die Transistoren T2 und T3 leiten, fließt ein Strom parallel zur Zenerdi- ode D2, so dass die Spannungsquelle 120 derart verstimmt ist, dass die Steuerspannung Ust absinkt. Dadurch sperrt der NPN-Transistors T1 und die Versor- gungsspannung Ucc bricht auf nahezu 0 zusammen.

Die Kondensatoren C2 und C3 der Abschalteinrichtung 130 stellen sicher, dass beim Einschalten der Schaltung 200, wenn also die Zwischenkreisspannung U _Z K und die Zusatzspannung U _aux von 0 ansteigen, die beiden Transistoren T2 und T3 zunächst im nicht leitenden Zustand bleiben, falls die Abschaltspannung U _tr i _g zu diesem Zeitpunkt unterhalb des vorbestimmten Werts liegt.

Um die Transistoren T2 und T3 der ausgelösten Abschalteinrichtung 130 wieder in einen nicht leitenden Zustand zu bringen, ist es erforderlich, die Steuerspan- nung U _s t, aus der die beiden Transistoren T2 und T3 gespeist werden, bis auf 0 abzusenken. Zu diesem Zweck wird üblicherweise die Zwischenkreisspannung U _Z K unterbrochen, beispielsweise, indem das Ladegerät 100 am Netzanschluss 1 10 vom Versorgungsnetzwerk getrennt wird, oder indem ein Hauptschalter des Geräts 100 die Bereitstellung der Zwischenkreisspannung U _Z K verhindert. Die Transistoren T2 und T3 bleiben noch so lange im leitenden Zustand, bis der Kondensator C1 , der parallel zur Hilfsspannung U _h n _f geschaltet ist, und der Konden- sator C4, der parallel zur Zwischenkreisspannung U _Z K geschaltet ist, entladen sind. Der Entladevorgang des Kondensators C4 kann einige Sekunden bis hin zu mehreren Minuten dauern. Wird während der Entladezeit die Zwischenkreisspannung UZK wieder bereitgestellt, bleiben die Transistoren T2 und T3 im leitenden Zustand und die Versorgungsspannung Ucc bleibt abgeschaltet.

Figur 3 zeigt eine Variation der Schaltung 200 aus Figur 1. Hier ist die Abschaltspannung U _tr i _g mittels eines Optokopplers IM von den Transistoren T2 und T3 entkoppelt. Der Optokoppler IM umfasst eine Leuchtdiode, die mittels der Abschaltspannung U _tr i _g angesteuert werden kann. Die Leuchtdiode wirkt auf einen Phototransistor des Optokopplers IM , bis der Phototransistor durchsteuert und eine leitende Verbindung auf seiner Kollektor-Emitter-Strecke besteht. Der Emitter und der Kollektor des Phototransistors sind am Optokoppler LH herausgeführt, wobei der Emitter mit der Basis des Transistors T3 und der Kollektor über den Widerstand R3 mit der Hilfsspannung Umif am Kollektor des NPN-Transistors T1 verbunden ist. Leuchtet die Leuchtdiode im Optokoppler LH , so wird die Basis des NPN-Transistors T3 auf ein Potential gelegt, das aus Umif abgeleitet ist und den Transistor T3 durchsteuert. Die restliche Funktion der Transistoren T2 und T3 ist oben mit Bezug auf Figur 2 beschrieben. Durch Einsatz des Optokopplers LH ist die Abschaltspannung Ut _r ig galvanisch vom Rest der Schaltung 200 getrennt.

Figur 4 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Schaltung 200 im Gerät aus Figur 1. Die Schaltung 200 repräsentiert die Abschalteinrichtung 130 in der Steue- rung 180 in Figur 1 ; ferner sind ein Anschluss zu einem nicht dargestellten Teil der Steuerung 180 und ein FET-Transistor T1 1 dargestellt, der die Schalteinrichtung 155 in Fig. 1 repräsentiert. Ein Gate-Anschluss des FET-Transistors T1 1 bildet hier den Steuerspannungsanschluss 205. Der FET-Transistor T1 1 kann ein Leistungstransistor sein, durch den ein großer Anteil einer durch das Schaltnetz- teil 100 bereitgestellten elektrischen Leistung fließt. Insbesondere kann der FET-

Transistor T1 1 ein MOSFET sein. In einer anderen Ausführungsform kann auch an Stelle des FET-Transistors T1 1 ein Thyristor oder ein anderes elektronisches Schaltelement verwendet werden.

Die in Figur 4 dargestellte Ausführungsform der Abschalteinrichtung 130 kann zur Abschaltung des FET-Transistors T1 1 verwendet werden und ist dann zu I Vorzügen, wenn eine andere Einflussmöglichkeit auf die Steuerung 180 nicht gegeben ist. Um das Schaltnetzteil 100 abzuschalten, wird die der Steueranschluss des FET-Transistors T1 1 an Masse gelegt, so dass dem Transformator 160 keine Spannung mehr bereitgestellt wird und die Energieübertragung durch den Transformator 160 zum erliegen kommt.

Die restlichen dargestellten Bauteile entsprechen im Wesentlichen den in der Ausführungsform von Figur 2 verwendeten Bauteilen, wurden der Klarheit halber jedoch mit einer vorangestellten 1 gekennzeichnet. Insbesondere entspricht die dargestellte Abschalteinrichtung 130, bestehend aus den Transistoren T12 und

T13 sowie den Kondensatoren C12 und C13 und dem Widerstand R13, der Abschalteinrichtung 130 in Figur 2 aus den Transistoren T2, T3 sowie den Kondensatoren C2, C3 und dem Wderstand R3. Die Steuerspannung am Steuerspannungsanschluss 205 wird durch einen

Spannungsteiler mittels der Wderstände R11 und R12 aus der Zwischenkreis- spannung U _Z K bereitgestellt. Der Emitter des PNP-Transistors T12 ist mittels der Diode D11 mit dem Steuerspannungsanschluss 205 des FET-Transistors T1 1 verbunden. Ein Kondensator analog zu C1 aus Figur 2 ist in der dargestellten Ausführungsform nicht vorgesehen.

In entsprechender Weise wie oben bezüglich der Ausführungsform von Figur 2 beschrieben ist, wird die Steuerspannung am Steuerspannungseingang 205 des FET-Transistors T11 durch die Abschalteinrichtung 130 abgesenkt, falls die Ab- schaltspannung U _tr i _g einen vorbestimmten Wert übersteigt. Dadurch wird der

FET-Transistor T11 im Wesentlichen abgeschaltet, so dass dem Transformator 160 keine Spannung mehr bereitgestellt wird und die Energieübertragung durch den Transformator 160 zum erliegen kommt. Die Absenkung bleibt aufrecht erhalten, auch wenn die Abschaltspannung U _{t g} unter den vorbestimmten Wert ab- sinkt. Um die Absenkung aufzuheben, muss zunächst die Zwischenkreisspan- nung U _Z K unterbrochen werden.

Figur 5 zeigt eine Variation der Schaltung 200 von Figur 4. In entsprechender Weise wie oben mit Bezug auf Figur 3 erläutert wurde, ist ein Optokoppler U1 1 vorgesehen, der dem Optokoppler U1 entspricht, um die Abschaltspannung U _tr i _g von den restlichen Elementen der Schaltung 200 galvanisch zu trennen.