<第1の実施の形態>
  <弾性表面波装置の構成>
 図1は、本発明の第1の実施の形態に係る弾� �表面波装置S1を概略的に示す模式図である。 図1(b)のA-A断面が、概ね図1(a)で示す断面に相� ��する。ただし、各部の具体的な寸法や配置� ��隔等は必ずしも図1に示すものには限られな い。また、図1(b)は配置関係の理解を助ける� �めの図であって、弾性表面波装置S1を上面視 した場合に、必ずしも図1(b)のように視認さ� �るわけではない。

 本実施の形態に係る弾性表面波装置S1は� �図1に示すように、圧電基板1と、IDT2と、接� �線3と、保護カバー6と、接合膜8とを主とし� �備える。

 圧電基板1は、例えばタンタル酸リチウム 単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性� �有する単結晶基板である。

 IDT2は、圧電基板1の第1主面(図1(a)に示す� �面の場合であれば上側の面、以下、単に上� �と称する)の上に形成されてなり、長手方向� ��圧電基板1の弾性表面波伝搬方向と直交する ように複数の電極指が設けられた、1対また� �複数対の櫛歯状電極からなる。該櫛歯状電� �は、それぞれの電極指が互いに噛み合うよ� �に形成されてなる。なお、図示の都合上、� �1(a)と図1(b)とにおける櫛歯状電極の本数は異 なる。IDT2は、例えばAl-Cu合金等のAl合金によ� ��て形成される。所望の特性を得るため、複� ��のIDT2を直列接続や並列接続等の方式で接続 することによってラダー型弾性表面波フィル タ等を構成する態様であってもよい。なお、 IDT2の両端には、IDT2と同じく、長手方向が圧� ��基板1の弾性表面波伝搬方向と直交するよう に複数の電極指が設けられた櫛歯状電極を有 する反射器が設けられる。ただし、係る詳細 構成そのものは本実施の形態の特徴部分に直 接には関係しないことから、本実施の形態に おいては、説明の簡単のため、この反射器も 含めてIDT2と称することとする。

 接続線3は、圧電基板1の上に形成されて� �る、IDT2を外部回路と接続するための信号線� ��ある。接続線3は、例えば、Al-Cu合金等のAl� �金によって形成される。なお、図1(a)に示す� ��面図においては、IDT2の長手方向に垂直な断 面が示されるように(図面に垂直な方向が電� �指の長手方向に一致するように)IDT2を図示す るとともに、接続線3についてもその断面が� �されるように図示しているが、弾性表面波� �置S1におけるIDT2と接続線3との配置関係は、� ��る状態をみたす態様に限られるものではな� ��。また、図1においては接続線3が圧電基板1� ��側端部にまで達する態様にて設けられてい� ��場合を示しているが、必ずしも係る配置態� ��に限定されるわけではない。なお、接続線3 のIDT2に接続されていない側の端部を幅広に� �れば、外部回路との接続が容易となり好ま� �い。

 IDT2と接続線3とはいずれも、スパッタリ� �グ法、蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition) 法等の薄膜形成法により形成されたAl合金膜� ��、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive  Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフ� �法等により所望の形状にパターニングする� �とによって形成することができる。

 保護カバー6は、IDTを囲繞する枠部と該枠 部の上に備わる平板状の蓋部とから構成され 、IDT2の形成領域を覆うことによって、圧電� �板1とともにIDT2を収容する中空の収容空間7� �形成されるように、圧電基板1の上に設けら� ��てなる部材である。なお、図1(b)においては 、保護カバー6の(枠部の)下端に対応する部分 に斜線を付している。ここで、収容空間7は� �IDT2の電極指の振動空間として確保される空� ��である。当然ながら、保護カバー6の形成に は、圧電基板1との間で十分な接合が実現さ� �る材料が用いられる。例えば、エポキシ系� �脂やポリイミド樹脂、BCB(ベンゾシクロブテ� ��)、あるいはアクリル系樹脂などのネガ型の 光硬化性レジストを主たる材料として用いる ことができる。

 ただし、図1に示すように、本実施の形態に 係る弾性表面波装置S1においては接続線3の端 部が保護カバー6の外側まで延在するように� �ている。換言すれば、保護カバー6の一部分� ��接続線3の上をまたぐように形成している。 それゆえ、接続線3が形成されている箇所に� �いては、接続線3の上に、酸化珪素、窒化珪� ��、あるいはシリコンなどの絶縁材料からな� ��樹脂膜である接合膜8を形成し、さらにその 上に保護カバー6を形成するようにしている� �しかも、保護カバー6の(枠部の)下端のうち� �少なくとも接合膜8と接する部分(配設面14と� ��する)は、酸発生部となっている。酸発生部 とは、保護カバー6のうち、上述の感光性レ� �ストに酸発生材を混合させることによって� �成された部分である。ここで、酸発生材と� �、光照射または加熱に感応してプロトン(H ⁺ )を発生させる物質である。例えば、トリア� �ールスルホニウムヘキサフルオロアンチモ� �ートを用いるのが好適な一例である。その� �、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシ� �ート、ピロガロールトリトシレート、ピロ� �ロールトリメシレート、トリ(ニトロベンジ� ��)フォスフェート、トリアニソインフォスフ ェート、ジアリールヨードニウム塩、または トリアリールスルホニウム塩なども適用可能 である。なお、上述のような酸発生材は、保 護カバー6の配設面14のみではなく、保護カバ ー6の構成材料である感光性レジスト全体に� �与してもよい。

 上述のように、接続線3の上に接合膜8を� �成し、さらにこれと接する保護カバー6の配� ��面14に酸発生材を含むようにすることによ� �て、弾性表面波装置S1においては、保護カバ ー6と接続線3との間においても、収容空間7の 気密性が確保されるだけの十分に良好な接合 が実現されてなる。従って、保護カバー6の� �部への水分や、腐食性の薬液等の侵入を少� �くすることができる。また、保護カバー6の� ��面側においても硬化が進んでいるため、収� ��空間7は安定して維持されてなる。

 係る良好な接合の実現は、接合膜8の表面の 原子と酸発生材から発生したプロトンとの間 で共有結合が生じることによって実現される ものと推察される。例えば、接合膜8としてSi O ₂ を用いる場合であれば、保護カバー6の配設� �14の酸発生材から発生するプロトンが、保護 カバー6を構成する樹脂材料のO原子の結合手� ��切断して開環させ、SiO ₂ 表面のSi-OH基とのO原子との間で共有結合が形 成されることで、実現されているものと考え られる。また、プロトンがSiO ₂ 表面においてOH基の形成を促進する可能性も� ��えられる。

 別の見方をすれば、接合膜8は、配設面14� ��直接に接続線3と接触するのを防ぐ役割も有 するものでもある。

 また図1(b)に点線で示したように、接合膜 8の外周縁8aは、保護カバー6の(枠部の)外周縁 よりも外側に位置していることが好ましい。 このように接合膜8の外周縁8aが保護カバー6� �外周縁より外側に位置するようにして接合� �8を形成することによって、保護カバー6の配 設面14が接続線3と接触するのをより有効に防 ぐことができる。また接合膜8と封止樹脂層11 との接触面積が増加することによって、接合 膜8と封止樹脂層11との接着力が向上し、収容 空間7の気密性をより向上させることができ� �という利点もある。

 保護カバー6には、後述する弾性表面波装 置S1の製造工程上の必要から、貫通孔6aが設� �られるが、これは封止樹脂層11によって封止 されているので、収容空間7における気密性� �確保されている。

 なお、図1においては、接合膜8を接続線3� ��保護カバー6との間にのみ存在する態様で設 けるのではなく、IDT2が形成された領域にま� �延在させてIDT2を覆うように(IDT2を埋入させ� �ように)接合膜8を設ける態様を示している。 これは、IDT2を保護する保護膜として接合膜8� ��作用させる態様である。

 接合膜8を接続線3と保護カバー6との間に� ��み存在する態様で設けた構成であっても、� ��続線3の部分でも保護カバー6の気密性を確� �する効果がある。加えて、図1のような態様� ��採る場合、収容空間7における気密性はより 向上する。また、弾性表面波装置S1の周波数� ��度特性の変化を抑制する効果も得られる。� ��お、接合膜8の厚みを適宜に調整することで 、弾性表面波装置S1の周波数特性を適宜に調� ��することが可能である。

 また、弾性表面波装置S1には、保護カバ� �6を覆うように、かつ、貫通孔6aを密閉する� �うに、封止樹脂層11が形成される。封止樹脂 層11は、フィラーを混入させることにより熱� ��張係数を圧電基板1とほぼ等しくなるように 調整でき、耐薬品性にも優れたエポキシ系樹 脂や、あるいはその他の弾性率が低い材料を 用いて形成するのが好適である。これは、圧 電基板1に加わる応力をできるだけ抑制する� �めである。

 ただし、封止樹脂層11は、後述するよう� �、接続線3の上に外部接続用電極を形成した� ��に形成される態様であってよい。

 さらに、弾性表面波装置S1には、圧電基� �1のIDT2が形成されている主面と反対側の主面 (図1に示す断面の場合であれば下側の面、以� ��、単に下面と称する)の全面に、裏面電極12� ��設けられる。裏面電極12は、例えばAl-Cu合金 等のAl合金からなる。裏面電極12を備えるこ� �により、温度変化に起因して圧電基板1の表� ��にチャージした電荷を接地することできる� ��で、スパーク等によって圧電基板1に割れが 生じることや、IDT2の電極指間においてスパ� �クが生じることなどを防ぐことができる。� �面電極12は、スパッタリング法、蒸着法また はCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法� ��より形成される。

 以上、説明したように、本実施の形態に� ��る弾性表面波装置においては、保護カバー� ��内部のIDTの収容空間に水分が浸入すること� ��起因する電気特性の劣化を抑制することが� ��きる。すなわち、本実施の形態においては� ��長期信頼性に優れた弾性表面波装置が実現� ��れてなる。

  <弾性表面波装置の製造方法>
 次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置S 1の製造工程について図2を用いて説明する。� ��お、ここでは、図1に示すように、接合膜8� �IDT2が形成された領域にまで延在させてIDT2を 覆うように設ける場合について説明する。

 まず、図2(a)に示すように、圧電基板1の� �面にIDT2と接続線3とを形成する。具体的には 、タンタル酸リチウム単結晶,ニオブ酸リチ� �ム単結晶等の圧電性を有する単結晶基板を� �電基板1とし、その一主面上に、例えばAl-Cu� �金等のAl合金によって、IDT2と接続線3とを形� ��する。IDT2,接続線3の形成は、スパッタリン� ��法、蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)� �等の薄膜形成法により形成されたAl合金薄膜 を、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive� �Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフ� ��法等により所望の形状にパターニングする� ��パターン形成工程を実行することによって� ��う。なお、圧電基板1上のIDT2が形成された� �域を弾性表面波素子領域とすることとする� �

 続いて、スパッタリング法、蒸着法また� ��CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法� �より、圧電基板1の裏面にAl-Cu合金等のAl合金 からなる裏面電極12を形成する。

 次に、図2(b)に示すように、酸化珪素,窒� �珪素,あるいはシリコンからなる接合膜8を形 成する接合膜形成工程を行う。具体的には、 少なくともIDT2および接続線3の上を覆うよう� ��酸化珪素,窒化珪素,あるいはシリコンから� �る薄膜をCVD法または蒸着法等の薄膜形成法� �より形成した上で、接続線3のうち外部回路� ��接続部となる部分が露出するようにフォト� ��ソグラフィ法によってその一部を除去する� ��とで、接合膜8を形成する。

 次に図2(c)に示すように、接合膜8の上面� �あって、弾性表面波素子領域の上方の部分� �、犠牲層7aを形成する、犠牲層形成工程を行 う。犠牲層7aは、いったんは形成するものの� ��段の工程においてエッチングあるいは溶解� ��の処理によって除去される層である。犠牲� ��7aは、例えば二酸化珪素等の酸化珪素,アモ� ��ファスシリコン,フォトレジスト,あるいは� �の他ポリマー材料等によって形成すること� �できる。ここでは、二酸化珪素にて犠牲層7a を形成する場合について説明する。

 係る場合、犠牲層7aは、TEOS(テトラエチル オルトシリケート),TEB(テトラエチルボートレ ート),TMOP(テトラメチルオキシフォスレート)� ��の原料ガスを用いてプラズマCVD法により形� ��する方法や、スパッタリング法等の真空プ� ��セスを用いる等の方法で形成することがで� ��る。

 あるいは、ポリシランの感光性を利用し� ��犠牲層7aを形成することも可能である。ポ� �シランは珪素(Si)原子が鎖状につながった珪� ��系高分子であり、これに紫外光を照射する� ��とにより-Si-Si-結合が光分解し、珪素結合間 に酸素原子が配置されたシロキサン結合部位 や、酸サイトとして作用するシラノール基が 生成される。これをアルカリ性現像液に浸漬 すると、シラノール基が生成された部位は現 像液に溶解する。すなわち紫外線露光部分を 選択的に形成することにより該露光部分のみ を溶解除去することができ、任意の平面形状 が加工可能である。現像後、再び十分な強度 の紫外線を照射して全面を露光した後に、再 び酸素雰囲気中で加熱することで、紫外線に 反応して珪素間の結合が切れた部位に酸素原 子が入り込むことによって酸化珪素膜が形成 される。なお、ポリシランの側鎖に修飾され る修飾基としては、プロピル基,ヘキシル基,� ��ェニルメチル基,トリフルオロプロピル基,� �ナフルオロヘキシル基,トリル基,ビフェニル 基,フェニル基,シクロヘキシル基等の種々の� ��のが適宜選択可能である。

 また、アモルファスシリコンにて犠牲層7a� �形成する場合であれば、H ₂ やSiH ₄ 等の原料ガスを用いてプラズマCVD法により形 成する方法や、スパッタリング法等の真空プ ロセスを用いる等の方法で形成することがで きる。

 犠牲層7aを形成した後、エポキシ系樹脂� �ポリイミド樹脂、BCB(ベンゾシクロブテン)、 あるいはアクリル系樹脂等のネガ型の感光性 レジストによってスピンコート法などの手法 で図2(d)に示すように該犠牲層7aを覆い、露光 および現像を行うことによって、保護カバー 6を形成する、保護カバー形成工程を行う。� �の際、少なくとも接合膜8と接する配設面14� �部分に酸発生材が含まれるようにする。保� �カバー6全体を酸発生材を含む感光性レジス� ��で形成する態様であってもよい。接合膜8を 酸化珪素によって形成する場合であれば、感 光性レジストが露光によって光硬化する際に 架橋反応が生じることによって、酸発生材か ら発生するプロトンが、保護カバー6を構成� �る樹脂材料のO原子の結合手を切断して開環� ��せ、接合膜8のSi-OH基との間に共有結合が形� ��される。これによって、圧電基板1と保護カ バー6の配設面14との間でのみならず、接合膜 8と該配設面14との間においても、良好な接合 が実現される。

 さらに、この保護カバー6に貫通孔6aを形� ��し、貫通孔6aを介して犠牲層7aを除去する犠 牲層除去工程を行うことによって、図2(e)に� �すように、保護カバー6と圧電基板1との間に IDTの振動空間としての収容空間7を形成する� �本実施の形態においては、犠牲層7aの形成を 行う犠牲層形成工程と、保護カバー6の形成� �行う保護カバー形成工程と、犠牲層7aの除去 を行う犠牲層除去工程とが、収容空間形成工 程に相当する。

 貫通孔6aを介して犠牲層7aを除去する方法と しては、犠牲層7aをアモルファスシリコンで� ��成した場合であれば、ドライエッチングあ� ��いはウェットエッチングによる選択的エッ� ��ングの手法を適用することが出来る。例え� ��、XeF ₂ (フッ化キセノンガス)を用いたドライエッチ� ��グやフッ硝酸を用いたウェットエッチング� ��によって犠牲層を除去することが出来る。� ��た、犠牲層7aを二酸化珪素で形成した場合� �あれば、フッ酸蒸気によるドライエッチン� �やバッファフッ酸内に浸漬することによる� �ェットエッチングなどの手法が利用できる� �

 犠牲層7aを除去することによって収容空� �7を形成した後、エポキシ系樹脂などによっ� ��封止樹脂層11を形成する。

 以上の工程を経ることにより、図1に示す ような、長期信頼性に優れた弾性表面波装置 S1を作製することが出来る。

  <第2の実施の形態>
  <弾性表面波装置の構成>
 図3は、本発明の第2の実施の形態に係る弾� �表面波装置S2を概略的に示す断面模式図であ る。なお、本実施の形態に係る弾性表面波装 置S2が備える構成要素のうち、第1の実施の形 態に係る弾性表面波装置S1と同一の作用効果� ��奏する構成要素については、同一の符号を� ��してその説明を省略する。

 本実施の形態に係る弾性表面波装置S2に� �いても、保護カバー6によって収容空間7が確 保されるとともに、接続線3が保護カバー6の� ��側まで延在するようにされてなる。換言す� ��ば、保護カバー6の一部分が接続線3の上を� �たぐように形成されてなる。しかしながら� �弾性表面波装置S2は、保護カバー6が枠体4と� ��体5とが個別に形成されてなる点で第1の実� �の形態に係る弾性表面波装置S1と相違する。 すなわち、本実施の形態においては、保護カ バー6は、圧電基板1上に、IDT2が形成された領 域を囲む枠体4を形成したうえで、枠体4の上� ��に蓋体5を設け、これらを加熱接合すること によって形成されたものである。係る態様は 、収容空間7において高い気密性が実現する� �えで好適なものであり、長期信頼性に優れ� �弾性表面波装置の実現に資するものである� �

 枠体4は、第1の実施の形態に係る弾性表� �波装置S1の保護カバー6と同様に、エポキシ� �樹脂やポリイミド樹脂、BCB(ベンゾシクロブ� ��ン)、あるいはアクリル系樹脂などのネガ型 の感光性レジストに酸発生材を混合させたも のによって形成される。本実施の形態におい ては、枠体4の下端部分が配設面14となる。本 実施の形態においても、保護カバー6と接続� �3との間において収容空間7の気密性が確保さ れるだけの十分に良好な接合が実現されるよ うに、配設面14のうち少なくとも接合膜8と接 する箇所は、上述の感光性レジストに酸発生 材を混合させたものによって形成するように している。

 蓋体5は、例えばエポキシ系樹脂やポリイ ミド樹脂、BCB(ベンゾシクロブテン)、あるい� ��アクリル系樹脂等のレジストによって形成� ��れる。好ましくは、蓋体5は、これらのレジ ストをフィルム状にした部材(フィルム部材)� ��よって形成される。係る場合、フィルムを� ��り付けるだけで、均一な厚みの蓋体5を形成 することができる。

 あるいは、枠体4もフィルム部材によって 形成される態様であってもよい。係る場合、 枠体4の厚みが均一になるので、蓋体5を枠体4 上に隙間なく形成することができる。なお、 枠体4としてフィルム部材によって形成する� �合には、自重を確保しつつ小型低背化する� �いう観点からは、約30μm程度の厚みとするの が好ましい。

 より好ましくは、枠体4と蓋体5は同一材� �で形成されてなる。係る場合、保護カバー6� ��おいて加熱接合後に両者の接合界面は存在� ��ず、実質的には両者が一体化した構造の保� ��カバー6が形成されてなる。この場合、枠体 4と蓋体5の密着強度が十分に確保されること� ��ら、気密性の優れた保護カバー6が実現され る。

 なお、図3においては図示を省略している が、弾性表面波装置S2においても保護カバー6 を覆うように封止樹脂層11を設けても良い。

 図4は、弾性表面波装置S2に封止樹脂層11� �形成するとともに、併せて外部電極を設け� �構成を模式的に示す図である。

 図4に示すように、弾性表面波装置S2には� ��図3では外部に露出する態様で示されていた 接続線3の部分の上に、電極形成下地層9を設� ��た上で柱状部10と電極端子部13とからなる外 部接続用電極が設けられる。また、保護カバ ー6および柱状部10を埋め込むように封止樹脂 層11が形成される。

 柱状部10は、所定の金属材料を電気メッ� �あるいは化学メッキすることによって形成� �れる。電極形成下地層9は、係るメッキ形成� ��に、柱状部10の構成材料となる金属をその� �に析出・堆積させるための下地層として設� �られる。そのため、電極形成下地層9は柱状� ��10と同一の材料を使用して形成することが� �ましい。柱状部10と電極形成下地層9は、Cuで 形成されるのが好適な一例である。なお、接 続線3を形成するAl-Cu合金との密着性を考慮す ると、CrやTiなどからなる図示しない密着層� �接続線3と電極形成下地層9との間にさらに介 在させることがより好ましい。なお、柱状部 10を電気メッキ法で形成する場合は、電極形� ��下地層9は100nm以上の厚みに形成することが� ��ましい。係る厚みを有する場合、柱状部10� �形成時に安定して電流を流すことができる� �らである。ただし、その上に柱状部10を形成 することから、電極形成下地層9自体は必要� �上に厚く形成せずともよく、せいぜい数百nm 程度の厚みでよい。

 なお、外部接続用電極をIDT2における発熱 箇所の近傍に配置することで、弾性表面波装 置の放熱性を向上させることができる。例え ば、本実施の形態に係る弾性表面波装置S2と� ��て分波器を作製した場合、外部接続用電極� ��柱状部10は放熱用電極としても好適に機能� �る。なお、IDT2における発熱箇所は、使用周� ��数や、IDT2が複数個ある場合にはその接続方 法によっても異なるが、共振子の場合にはIDT 2の中心部分付近となる。柱状部10の配置、本 数、径を、弾性表面波装置S2の構成に合わせ� ��工夫することで、放熱性を向上させること� ��できる。

 電極端子部13は、弾性表面波装置S2を表面 実装する際の、外部回路との接続端子となる 。電極端子部13は、柱状部10の端部(図4の場合 は上端部)に設けられる。すなわち、IDT2と電� ��端子部13は、接続線3、および柱状部10によ� �て互いに接続されていることになる。電極� �子部13は、PbSnはんだ,鉛フリーはんだ,AuSnは� �だ,AuGeはんだ等による、はんだバンプの形成 によって実現されてもよいし、導電性材料の 薄膜によるフラットなパッドの形成によって 実現されてもよい。なお、本実施の形態にお いては、電極端子部13を形成する材料を、弾� ��表面波装置を実装する実装基板に応じて選� ��することが可能である。これにより、実装� ��板との接合信頼性が高い弾性表面波装置を� ��現することが出来る。

 封止樹脂層11は、第1の実施の形態と同様� ��、エポキシ系樹脂や、あるいはその他の弾� ��率が低い材料を用いて形成される。封止樹� ��層11を備えることで、収容空間7が確実に封� ��されてなる。またこの封止樹脂層11は、柱� �部10を保護し柱状部10が破損するのを防止す� ��役割も果たしている。なお、本実施の形態� ��おいては、後述するように、柱状部10を形� �した後に封止樹脂層11が形成され、その後、 電極端子部13が形成される。

 なお、第1の実施の形態に係る弾性表面波 装置S1においても、このように、柱状部10を� �けた上で封止樹脂層11を形成し、その後、電 極端子部13を形成するようにしてもよい。

 以上、説明したように、本実施の形態に� ��る弾性表面波装置においても、上述のよう� ��構成を有することにより、保護カバーの内� ��のIDTの収容空間に水分等が浸入することに� ��因する電気特性の劣化を抑制することがで� ��る。すなわち、本実施の形態においては、� ��期信頼性に優れた弾性表面波装置が実現さ� ��てなる。

  <弾性表面波装置の製造方法>
 次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置S 2の製造工程について図5および図6を用いて説 明する。なお、ここでは、図3に示すように� �接合膜8をIDT2が形成された領域にまで延在さ せてIDT2を覆うように設ける場合について説� �する。

 まず、図5(a)に示すように、第1の実施形� �と同様に、圧電基板1の上面にIDT2と接続線3� �を形成する。具体的には、例えばタンタル� �リチウム単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等� ��圧電性を有する単結晶基板を圧電基板1とし 、その一主面上に、例えばAl-Cu合金等のAl合� �によって、IDT2と接続線3とを形成する。IDT2,� ��続線3の形成は、スパッタリング法、蒸着法 またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形� ��法により形成されたAl合金薄膜を、縮小投� �露光機(ステッパー)とRIE(Reactive Ion Etching)装 置とを用いたフォトリソグラフィ法等により 所望の形状にパターニングするパターン形成 工程を実行することによって行う。なお、圧 電基板1上のIDT2が形成された領域を弾性表面� ��素子領域とすることとする。

 続いて、スパッタリング法、蒸着法また� ��CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法� �より、圧電基板1の裏面にAl-Cu合金等のAl合金 からなる裏面電極12を形成する。

 次に、図5(b)に示すように、酸化珪素,窒� �珪素,あるいはシリコンからなる接合膜8を形 成する、接合膜形成工程を行う。具体的には 、少なくともIDT2および接続線3の上を覆うよ� ��に酸化珪素,窒化珪素,あるいはシリコンか� �なる薄膜をCVD法または蒸着法等の薄膜形成� �により形成した上で、接続線3のうち外部回� ��と接続部となる部分が露出するようにフォ� ��リソグラフィ法によってその一部を除去す� ��ことで、接合膜8を形成する。

 次に、図5(c)に示すように、圧電基板1上� �、印刷法などの手法によって、IDT2が形成さ� ��た領域を囲むようにネガ型感光性レジスト� ��塗布し、露光・現像を行うことによって、� ��体4を形成する、枠部形成工程を行う。また 、フィルム部材を押圧しながら貼り付け機を 用いて圧電基板1上に貼り付けたうえで、露� �・現像を行って枠体4を形成してもよい。そ� ��際、少なくとも接合膜8と接する配設面14の� ��分に酸発生材が含まれるようにする。枠体4 全体を酸発生材を含む感光性レジストで形成 する態様であってもよい。ネガ型感光性レジ ストとしては、第1の実施の形態において保� �カバー6の形成に用いたものと同様のものを� ��いることが出来る。

 次に、図5(d)に示すように、蓋体5を形成� �るためのフィルム部材5aを貼り付け機を用い て枠体4の上面に貼り付ける蓋部形成工程を� �ったうえで、加熱することによって両者を� �合させる接合工程を行う。加熱の条件は、� �者の材料などに応じて適宜に定められる。� �お、枠体4と蓋体5の材料としてエポキシ系樹 脂を用いる場合であれば、100℃から200℃の範 囲で加熱接合を行うのが、エポキシ樹脂の重 合が促進され、密着強度、気密性がより向上 するので好ましい。

 その後、フィルム部材5aの不要部分(枠体4 の外側にはみ出た部分)を除去することによ� �て、図5(e)に示すように、蓋体5と枠体4とが� �合された構造の保護カバー6が形成されたこ� ��になる。本実施の形態においては、枠体4の 形成を行う枠部形成工程と、蓋体5の形成を� �う蓋体形成工程と、両者の接合を行う接合� �程とが、収容空間形成工程に相当する。

 また、係る保護カバー6の形成によって、 保護カバー6と圧電基板1との間には、IDT2の振 動空間としての収容空間7が形成される。す� �わち、本実施の形態においては、枠体4と蓋� ��5とを順次に形成することで、保護カバー6� �形成するという態様にて弾性表面波装置を� �成することから、第1の実施の形態に係る製� ��方法のように、収容空間7を得るためにいっ たん犠牲層7aを形成し、後に貫通孔6aを設け� �これを除去する、というプロセスは必要で� �ない。本実施の形態に係る製造方法におい� �は、収容空間7に残留物が生じることが少な� ��ので、弾性表面波装置の電気特性が係る残� ��物の存在によって劣化するのを抑制するこ� ��ができる。従って、上述のようなプロセス� ��保護カバー6および収容空間7を形成する本� �施の形態の製造方法の方は、より信頼性の� �い弾性表面波装置を製造できるという点で� �れている。

 保護カバー6の形成によって収容空間7が� �成されると、引き続き、外部接続用電極を� �成する電極形成工程と、樹脂封止を行う封� �工程とが行われる。

 まず、図6(a)に示すように、圧電基板1の� �面全体を覆うメッキ用下地層9aを形成する。 メッキ用下地層9aは、その一部が後段の工程� ��電極形成下地層9として用いられる金属層で ある。メッキ用下地層9aは、例えばフラッシ� ��メッキ法により、Ti-Cu合金等で形成するの� �好適な一例である。フラッシュメッキ法に� �りメッキ用下地層9aを形成する場合、メッキ 形成部位に電流を流すための配線パターンを 形成する必要がない。このことは、弾性表面 波装置の小型化に資するものである。

 なお、保護カバー6を含む圧電基板1の上� �全体にメッキ用下地層9aを形成する場合、少 なくとも電極形成下地層9となる部分におい� �、その上に外部接続用電極の柱状部10を確実 に形成することができる程度にメッキ用下地 層9aが形成されていればよい。従って、例え� ��保護カバー6の側面部などに大きな段差があ り、当該部分にメッキ用下地層9aの非形成部� ��生じ、保護カバー6の(蓋体5の)上面と電極形 成下地層9となる部分との導通がとれていな� �ても、実用上はあまり問題はないが、全て� �導通の取れた状態とするには、具体的には� �そのような段差の高さが形成しようとする� �ッキ用下地層9aの厚みに対して半分以下であ れば問題はない。例えば段差が0.35μm以下の� �合、メッキ用下地層9aの厚みを0.7μmとすれば よい。

 メッキ用下地層9aが得られると、メッキ� �下地層9aの上に、メッキ用レジスト層15を形� ��する。ただし、メッキ用レジスト層15は図6( b)に示すように、保護カバー6よりも外側に位 置する接続線3の上方の部分(電極形成下地層9 となる部分)に、メッキ用下地層9aが露出した 開口部16を有するように形成する。係る露出� ��分が後段の工程において電極形成下地層9と して用いられることになる。

 メッキ用レジスト層15は、例えば、スピ� �コート等の手法でメッキ用下地層9a上に形成 する。なお、使用するレジスト材料の粘度や スピンコートによる塗布回数を調整すること によって、メッキ用レジスト層15の厚さは、� ��μmから数百μmの範囲で適宜に定めることが� ��きる。メッキ用レジスト層15の厚さは、後� �の工程で形成しようとする柱状部10の高さに 応じて定めればよい。

 なお、メッキ用レジスト層15の形成にあ� �っては、保護カバー6の上面とほぼ同じ高さ� ��までいったんレジスト材料を塗布しこれを� ��化させることによって保護カバー6による大 きな段差を埋めて平坦面を得た後に、さらに レジスト材料の塗布・硬化を繰り返すように することが好ましい。そのようにした場合、 上面が平坦なメッキ用レジスト層15をえるこ� ��ができるからである。

 開口部16は、一般的なフォトリソグラフィ� �により好適に形成することができる。
開口部16が形成されると、図6(c)に示すように 、開口部16内において、電極形成下地層9の上 に柱状部10を形成する。

 柱状部10は、電気メッキ法,無電解メッキ� ��,スタッドバンプ法等により形成することが できるが、なかでも電気メッキ法で形成する のが好適である。電気メッキ法は、成長速度 が速く厚膜形成が容易な手法であることから 、柱状部10の高さの自由度を高めることがで� ��る。また、形成した柱状部10とメッキ用下� �層9aとの密着性も良好なものとなる。特に、 メッキの厚さはメッキ処理時間に依存するこ とから、30μmを超える厚みを形成する場合に� ��、成長速度が速い電気メッキ法が好ましい� ��柱状部10の形成材料としては、例えば、は� �だ,Cu,Au,Niなどを用いることができる。特に� �Cuやはんだを用いる場合、材料コストを抑制 できるため好ましい。

 柱状部10は、その上面が保護カバー6の上� ��よりも高い位置にくるように形成する。こ� ��は、後段の工程で樹脂層11aの上部を除去す� ��際に、保護カバー6が封止樹脂層11に覆われ� ��状態で柱状部10の上面を露出させるためで� �る。ここで、柱状部10と保護カバー6の高さ� �は、圧電基板1の上面からの高さをいうもの� ��する。係る関係をみたす場合、後述のよう� ��樹脂層11aを研削しても保護カバー6の上面(� �体5)が露出したり、研削されたりすることが ないので、保護カバー6の気密性が確実に確� �される。

 柱状部10が形成されると、図6(d)に示すよ� ��に、メッキ用レジスト層15と、メッキ用下� �層9aのうち、メッキ用レジスト層15の下方に� ��成されている部分(電極形成下地層9以外の� �分)とを除去することによって、柱状部10を� �出させる。

 メッキ用レジスト層15は、アセトンやIPA等� �有機溶剤や、ジメチルスルフォキシド等の� �ルカリ性有機溶剤により除去する。メッキ� �下地層9aは、Cuにてこれを形成した場合には� ��塩化第2鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液に より除去する。メッキ用下地層9aをTiにて形� �した場合には、希フッ酸やアンモニアと過� �化水素水の混合液で除去する。ただし、メ� �キ用下地層9aの下に形成されている、SiO ₂ などで形成されている接合膜8やAl-Cu合金など で形成されている接続線3へのダメージを少� �くするという観点からは、アンモニアと過� �化水素水の混合液の使用が好ましい。

 なお、上述のようにメッキ用レジスト層1 5を除去して柱状部10を露出させた後に、メッ キ用下地層9aを除去する際、柱状部10の下面� �位置する電極形成下地層9は外縁部が一部除� ��されるものの、それ以外は残存する。すな� ��ち、メッキ用下地層9aの除去に際して柱状� �10が除去されることはない。

 柱状部10を露出させた後、図6(e)に示すよ� ��に、保護カバー6および柱状部10を含めた圧� ��基板1の上面全体を覆う、樹脂層11aを形成す る。樹脂層11aは、その一部が封止樹脂層11と� ��て用いられることになる層である。従って� ��樹脂層11aは、封止樹脂層11を構成する材料� �形成される。すなわち、エポキシ系樹脂や� �の他の弾性率が低い材料を使用して形成さ� �る。なお、封止樹脂層11内に気泡が混入する と安定して保護カバー6を含む構造体を封止� �ることができないので、樹脂層11aは、真空� �刷法により印刷することも好適である。

 樹脂層11aが得られると、その上面部分を� ��削し、図6(f)に示すように、柱状部10を露出� ��せる。係る工程で研削されずに残った部分� ��、封止樹脂層11となる。

 具体的には、グラインダーを用い、柱状� ��10が露出するまで樹脂層11aの上面を研磨刃� �研磨する。さらにその後、後述する電極端� �部13と柱状部10との接続を良好なものとする� ��めに、バフ研磨等による仕上げ加工を行っ� ��もよい。

 好ましくは、このように封止樹脂層11が� �られた時点で、引き続き、図6(g)に示すよう� ��保護層17を形成する。

 保護層17は、製造時および製造後におけ� �弾性表面波装置S1の耐衝撃性を向上させる目 的で設けられる。すなわち、保護層17を備え� ��ことで、弾性表面波装置における割れ、カ� ��等の不良の発生が抑制され、製造歩留まり� ��向上や、信頼性の向上が実現される。

 この保護層17を圧電基板1の下面から側面� ��かけて形成した場合には、圧電基板1の下面 のみならず側面もが保護された構造となる。 係る場合、圧電基板1と封止樹脂層11との界面 から水分が浸入することが抑制されるので、 気密性,耐湿性がさらに向上した弾性表面波� �置が実現される。

 保護層17は、封止樹脂層11と熱膨張係数が略 同一の材料で形成することが好ましい。係る 場合、封止樹脂層11のみが設けられた場合に� ��じる封止樹脂層11による応力が緩和される� �とから、該応力に起因する圧電基板1の反り� ��発生を抑えることができる。すなわち、よ� ��信頼性の高い弾性表面波装置を実現するこ� ��ができる。特に、エポキシ系樹脂材料を用� ��れば、SiO ₂ 等のフィラーを添加させることにより熱膨張 係数をコントロールできるとともに、透湿性 が低く、且つ吸水性が高いため、圧電基板1� �かかる応力を上下面で相殺することができ� �とともに、弾性表面波装置への水分の浸入� �抑制することができるので好適である。

 また、係る保護層17の形成は、裏面電極12 の形成後であればどのタイミングにおいて行 うことも可能であるが、上述のように、圧電 基板1の上面に封止樹脂層11を形成した後に行 えば、圧電基板1と封止樹脂層11との間の熱膨 張係数の違いにより圧電基板1に加わる応力� �打ち消すことができ、より信頼性の高い弾� �表面波装置を実現することができるので好� �しい。

 次に、露出した柱状部10の上面に、電極� �子部13を形成する。電極端子部13は、図6(h)に 示すようなはんだバンプとして設ける態様で あってもよいし、導電性材料の薄膜を形成す ることによりフラットなパッドとして設ける 態様であってもよい。前者の場合であれば、 例えば、PbSnはんだ,鉛フリーはんだ,AuSnはん� �,あるいはAuGeはんだ等からなるクリームはん だを柱状部10の上部にスクリーン印刷しリフ� ��ーすることにより、電極端子部13を形成す� �ことができる。

 以上のような工程で、本実施の形態に係� ��弾性表面波装置を製造することが出来る。� ��かも、これらの工程は、いわゆるウェハプ� ��セスにおいて実現できるものであり、分割� ��よって圧電基板1となる母基板を対象に、上 述の工程を、多数個分の弾性表面波装置につ いて同時に行うことが出来るものである。す なわち、後工程における複雑な処理を経るこ となく弾性表面波装置を提供することができ る。

 また、犠牲層を用いることなく、IDTの振� ��空間となる収容空間を形成することができ� ��ので、犠牲層の形成・除去のために必要だ� ��た工程が不要となり、振動空間を形成する� ��めの工数を少なくすることができ、生産性� ��高いものとすることができる。また、保護� ��バーを圧電基板1上に設けることより、弾性 表面波装置を収容するセラミックパッケージ 等が不要となり、小型な弾性表面波装置を提 供することができる。

  <第1、第2の実施形態の変形例>
 次に上述した第1、第2の実施形態の変形例� �ついて図7を用いて説明する。図7(b)のB-B断面 が、概ね図8(a)に示す断面に相当する。なお� �7では、弾性表面波装置S3を第1の実施形態に� ��る弾性表面波装置S1の変形例として示して� �るが、この変形例は第2の実施形態に係る弾� ��表面波装置S2にも適用可能である。

 上述した第1、第2の実施形態では、接続� �3の端部が保護カバー6の外側に位置する場合 (具体的には、その一例として、接続線3が圧� ��基板1の側端部にまで達する場合)について� �明したが、この変形例では、図7に示すよう� ��、接続線3の端部が平面視矩形状であり、か つ保護カバー6の枠部の下方に位置するよう� �している。また、接合膜8は、接続線3の近傍 においては、該接続線3の端部の上面および� �周部のみを被覆する態様にて形成されてな� �。すなわち、接合膜8は、接続線3の中央領域 に開口部8bを有するように形成されてなる。� ��た、保護カバー6の枠部には、前記開口部と 連通する貫通孔6aが設けられてなる。これら� ��口部8bおよび貫通孔6aに金属材料が充填され ることで、接続線3の端部と接続される外部� �続用電極の柱状部10が形成されてなる。なお 、柱状部10の上端部には電極端子部13が設け� �れている。また保護カバー6を覆い且つ貫通� ��6aを密閉するように封止樹脂層11が設けられ ている。

 図4に示した弾性表面波装置S2では、封止� ��脂層11が柱状部10を支える役割を果たしてい たが、図7に示す変形例の場合、柱状部10は保 護カバー6の枠部で支えられた状態となるた� �、封止樹脂層11を貫通孔6aを塞ぐ部分にのみ� ��けるようにしてもよい。