System zur galvanischen Abscheidung einer leitfälligen Schicht auf einem nicht- leitfähigen Trägermaterial

Beschreibung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kontaktiereinheit, eine Vorrichtung sowie ein System zur galvanischen Abscheidung einer leitfähigen Schicht auf einem nicht- leitfähigen Trägermaterial. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung einen galvanisch beschichteten Träger mit aufgebrachter leitfähiger Struktur.

Derartige Galvanisiervorrichtungen bzw. Galvanisiersysteme werden häufig zur Herstellung von Leiterstrukturen oder vollflächigen Leiterschichten verwendet. Beispielsweise werden Antennenspulen, Leiterplatten, Chipkartenmodule oder dergleichen mit solchen Einrichtungen gefertigt.

In einer Anwendung wird hierzu ein kontinuierlich als Kathode geschalteter Metall- zylinder zumindest teilweise in ein Elektrolytbad eingetaucht und in Drehung versetzt. In dem Elektrolytbad befindet sich eine Anodenanordnung. An der sich langsam drehenden Kathode lagert sich eine Metallschicht ab, die außerhalb des Elektrolyten auf eine Folie auflaminiert wird, indem die Metallfolie von der Kathode abge-

schält wird. Nachdem die Metallschicht auflaminiert ist, wird eine Resistlack aufgebracht, der anschließend photolithografisch belichtet wird. Mit einem anschließenden ätzschritt werden diejenigen Bereiche der ganzflächigen Metallschicht weggeätzt, die für eine Leiterzugstrukturierung nicht benötigt werden. Nach dem Entfernen des auf der strukturierten Metallschicht verbleibenden ätzreistlackes ist die gewünschte Leiterstruktur fertig gestellt.

Dieses Verfahren weist zum einen den Nachteil auf, dass nur geringe Durchsatzraten erzielbar sind und hohe Materialkosten und Entsorgungskosten aufgrund des Einsatzes von giftigen und teueren Chemikalien und von nicht genutzten Rohmaterialen aufgrund des subtraktiven Verfahrens erzeugt werden. Zum anderen wird die Dicke der Metallschicht durch die notwendige Weiterverarbeitung aufgrund sonst möglicher Rissbildungen in der Schicht auf eine Mindestdicke von 17 μm beschränkt. Da aber beispielsweise im Hochfrequenzbereich gerade eine Schichtdicke von ungefähr 2 mm wünschenswert ist, kann das oben beschriebene Verfahren für eine derartige Anwendung nicht eingesetzt werden. Weiterhin nachteilig ist, dass in regelmäßigen Abständen eine anodische oder mechanische Abreinigung der zylinderförmigen Kathode erfolgen muss, was die Produktions- und Durchsatzzeiten weiter verringert. Zudem kann lediglich einseitig eine Metallschicht auf dem Trägersubstrat abgeschieden werden.

Ein weiteres Verfahren wird in der Offenlegungsschrift DE 102 347 05 beschrieben, bei dem das zu galvanisierende Gut direkt im aktiven Galvanobad durch eine umlaufende, zur kontinuierlichen Abreinigung abwechselnd kathodisch/anodisch geschaltete Kollektorwalze kontaktiert wird. Die dazu notwendige Kollektorwalze ist jedoch sehr teuer in der Herstellung, da einzelne leitfähige Bereiche von einander durch isolierende Bereiche getrennt werden müssen. Durch die Trennung der einzelnen Bereiche ergibt sich auch eine geringere Kontaktfläche mit dem zu galvanisierenden Trägermaterial pro Umdrehung der Walze. Aufgrund der geringeren Kontaktzeiten dauert der Schichtaufbau auch entsprechend länger. Ferner ist die Oberfläche der aufgewachsenen Schicht entsprechend der Ausbildung der leitfähigen bzw. der isolieren-

den Bereiche strukturiert und weist ungewünscht größere Schwankungen bezüglich der Schichtdickendifferenz auf.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Kontaktiereinheit, eine Galva- nisierungseinrichtung sowie eine Galvanisierungssystem bereitzustellen, welche eine schnellere und einfache sowie kostengünstigere Fertigung einer elektrisch leitenden Schicht auf einem Träger mit einer möglichst glatten und ebenen Oberfläche erlauben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich jeweils aus den Unteransprüchen.

Die erfindungsgemäße Kontaktiereinheit zum Einsatz bei der galvanischen Abscheidung einer leitfähigen Schicht auf einem Träger, die als Kathode und/oder als Anode schaltbar ist, ist von einem isolierenden Gehäuse umgeben, welches mindestens eine öffnung aufweist, um einen Kontakt/Kontaktbereicht zwischen der Kontaktiereinheit und dem zu kontaktierenden Träger zu schaffen. Die Kontaktierung des Trägermaterials erfolgt dabei innerhalb eines Galvanobades im Bereich der öffnung. Der übrige Teil der Kontaktiereinheit ist mittels des isolierenden Gehäuses vom Elektrolyten in dem Galvanobad im Wesentlichen abgeschirmt, so dass eine Ablagerung des Anodenmaterials in diesem Bereich verhindert wird. Da die Ablagerung des Anodenmaterials bereits vor dem Kontaktpunkt zwischen Kontaktierwalze und Träger stattfindet, liegt im Bereich des tatsächlichen Kontaktpunktes ein so genannter abgemagerter Elektrolyt vor, so dass vorteilhaft nahezu keine Ablagerung des Anodenmaterials an der Kontaktiereinheit selbst stattfindet.

Die öffnung in dem Gehäuse kann spaltförmig bzw. in Form eines Langloches ausgeführt sein, wobei sie eine Breite zwischen 1 mm und 5 mm, vorzugsweise zwischen 2 mm und 3 mm aufweist.

Das Gehäuse kann auch zwei insbesondere sich einander gegenüberliegende öffnungen aufweisen, an denen der Träger jeweils vorbeigeführt werden kann, so dass durch die mehrfache, kurz nacheinander erfolgende Kontaktierung die Verweilzeit des Trägermaterials im Galvanobad weiter verkürzt bzw. die Anzahl der benötigten Vorrichtungen/Module zur Erreichung einer bestimmten Schichtdicke bei einer bestimmten Durchlaufgeschwindigkeit des Trägermaterials durch die einzelnen Galvanisiermodule verringert werden kann.

Um die Möglichkeit der Ablagerung von Annodenmaterial an der Kontaktiereinheit noch weiter zu verringern und eventuelle Fehlströme zu vermeiden, können an den Randbereichen der öffnung Dichtungen, insbesondere Dichtungslippen vorgesehen sein.

Eine weitere Möglichkeit, den Elektrolyt an einem Eindringen in den Raum zwischen Kontaktiereinheit und Gehäuse zu hindern, wird erreicht, indem ein überdruck innerhalb des Gehäuses einstellbar ist.

Für den Fall, dass trotzt dieser Maßnahmen Elektrolyt in den Bereich zwischen Kontaktiereinheit und Gehäuse gelangt, kann die Kontaktiereinheit sowohl kathodisch als auch anodisch schaltbar sein. Durch eine derartige Ausführung kann die Kontaktiereinheit beispielsweise zu Reinigungszwecken nach einer bestimmten Betriebszeit zur Abreinigung von kathodisch auf anodisch geschaltet werden. Ein Betrieb im Pulsverfahren ist ebenfalls denkbar. Die Abreinigung kann auch im Falle, dass keine entgegengesetzte Schaltung der Kontaktiereinheit vorgesehen ist, mechanisch oder chemisch erfolgen.

Eine chemische Abreinigung kann auch kontinuierlich erfolgen, wenn in dem Gehäuse um die Kontaktiereinheit herum eine Kammer vorgesehen ist, die gegenüber dem Galvanobad abgedichtet ist. Diese separate Kammer kann dann von einer Flüssigkeit, beispielsweise verdünnte Schwefelsäure durchströmt werden, wodurch eine kontinuierliche Abreinigung der Kontaktiereinheit erfolgt.

Eine besonders schonende Bearbeitung der Strukturen wird erreicht, indem die Kontaktiereinheit in Form einer Walze ausgeführt wird, da die Kontaktierung dann abrollend erfolgt und keine Relativbewegung oder Reibungen zwischen der Walze und dem Trägermaterial auftritt. Ferner gibt es durch diese Art der Kontaktierung keine toten Zonen, die nicht oder nur langsam galvanisiert werden können.

Die Kontaktiereinheit oder Walze kann eine durchgehend leitende Oberfläche aufweisen. In einer Ausfuhrungsform umfasst die Kontaktiereinheit eine Mehrzahl an elektrisch leitenden Bereichen, die sich über die gesamte Breite der Kontaktiereinheit erstrecken, und von denen jeweils zumindest einer kathodisch bzw. anodisch geschalten ist. Die dadurch definierte Kontaktiereinheit ist selbstregenerierend. Die Kontaktiereinheit weist keinerlei Stillstandszeiten auf, die bei herkömmlichen Einrichtungen mit einem ausschließlich kathodisch geschaltetem Element, z.B. einem Metallzylinder oder einer Metallwalze, für die anodische Abreinigung der kathodisch geschalteten Kontaktiereinheit notwendig sind. Dadurch bedingt lassen sich höhere Durchsatzraten erzielen, infolgedessen die Stückkosten des zu fertigenden Trägers sinken.

Insbesondere ist vorgesehen, dass jeder elektrisch leitende Bereich der Kontaktiereinheit als Kathode oder Anode schaltbar ist. Ein separates anodisches Abreinigen der Kontaktiereinheit ist somit entbehrlich, da jeder elektrisch leitende Bereich der Kontaktiereinheit sowohl als Kathode oder Anode schaltbar ist. Die leitenden Bereiche können dabei unabhängig von ihrer Stellung kathodisch oder anodisch geschaltet sein. Es ist insbesondere möglich, verschiedene der elektrisch leitenden Bereiche gleichzeitig kathodisch bzw. anodisch zu schalten. Da es dann immer zumindest einen elektrisch leitenden Bereich gibt, der jeweils kathodisch bzw. anodisch geschalten ist, kann die Kontaktiereinheit kontinuierlich laufen.

Eine besonders vorteilhafte Ausgestattung der Erfindung sieht vor, dass an dem Trägermaterial eine zum Galvanisieren geeignete Starterschicht aufgebracht ist, auf der

das elektrisch leitfähige Material galvanisch abgeschieden wird. Die Starterschicht kann beispielsweise auf allgemein bekannte Weise aufgedruckt werden.

Diese Starterschicht umfasst vorzugsweise leitfähige Materialien, wie Metall, Graphit, leitfähige organische Verbindungen, leitfähige Metallkomplexverbindungen und/oder leitfähige Polymere. Das Metall kann ausgewählt sein aus der Gruppe umfassend Kupfer, Eisen, Nickel, Gold, Silber, Aluminium, Messing und/oder einer Legierung daraus. Die Starterschicht kann auch nicht-leitfähige Materialien umfassen.

Die Starterschicht kann insbesondere in Form von Partikeln auf den Träger, wobei der Träger bevorzugt eine Trägerfolie ist, aufgebracht werden. Die Partikel werden so auf den Träger, bevorzugt die Folie aufgebracht, dass die Partikel aufgrund der Korngrenzen zunächst nicht leitfähig sind. Erst wenn im Bad ein Strom durch die Kontaktiereinheit auf die Partikel aufgebracht wird, werden die Partikel durch das Aufwachsen des Anodenmaterials leitfähig. Eine Leitfähigkeit der Partikel kann sowohl durch anodische Stromzufuhrung bzw. chemische Reaktion aufgrund der unterschiedlichen Ladungspotentiale der eingesetzten Partikel erfolgen.

Die Wahl der Partikelgröße spielt eine große Rolle, da der Stromfluss im Randbereich der kontaktierten Partikel größer ist, so dass die Korngrenzen übersprungen werden und so durch eine Art "Dominoeffekt" die einzelnen Partikel nacheinander leitfähig gemacht werden. Bei geringeren Partikelgrößen besteht beim Einsatz von Kupferpartikeln die Gefahr, dass nach überschreitung einer entsprechenden Kontaktzeit Kupfer zu Kupfersulphat reagiert und dementsprechend eine Ablagerang einer leitfähigen Struktur auf der Starterschicht nicht mehr möglich ist. Bei dem Einsatz von Eisenpartikeln kann es jedoch vorteilhaft sein, kleinere Partikelgrößen und Dicken zu wählen, um eine homogene Starterschicht zu erreichen.

Die Partikel können vorzugsweise eine Partikelgröße zwischen 5 nm und 500 μm, vorzugsweise zwischen 20 nm und 250 μm, weiter bevorzugt zwischen 50 nm und

100 μm, weiter bevorzugt zwischen 50 nm und 50 μm und besonders bevorzugt zwischen 50 nm und 10 μm aufweisen.

Erfindungsgemäß am meisten geeignet sind Partikel mit einem Partikeldurchmesser D50 von 6 μm, 4 μm, 2 μm oder sogar vorzugsweise 10 nm. D50 bedeutet im Sinne dieser Erfindung, dass mindestens 50 % der Partikel der Starterschicht kleiner oder gleich dem vorstehenden Partikeldurclimesser sind.

Erfindungsgemäß besonders geeignet sind ferner Partikel mit einem Partikeldurchmesser D90 von 6 μm, 4 μm oder sogar 2,4 μm.

Vorzugsweise sind die Partikel in Form von Flakes mit einer Dicke zwischen 10 nm und 500 nm und einer Kantenlänge zwischen 100 nm und 200 μm, vorzugsweise mit einer Dicke zwischen 20 μm und 100 μm ausgebildet und weisen eine Kantenlänge zwischen 5 μm und 100 μm, vorzugsweise eine Kantenlänge zwischen 10 μm und 50 μm auf.

Die aufgebrachten Partikel können auch eine Mischung aus Kupfer und Eisen sein. Die Mischung aus Kupfer und Eisen kann in einem Volumenverhältnis von 100 : 1 bis 1 : 100, bevorzugt 95 : 5 besonders bevorzugt 90 : 10 vorliegen.

In einem alternativen Ausführungsbeispiel ist die Kontaktierangseinheit im Bereich ihrer öffnung an die Form des zu galvanisierenden Träger bzw. Starterschicht ange- passt. Dies ermöglicht eine möglichst gleichmäßige und sichere Ablagerung auf den zu galvanisierenden Träger bzw. Starterschicht.

Die erfindungsgemäße Kontaktiereinheit bietet die Möglichkeit eines zwei- bzw. mehrseitigen Galvanisierens in einem Arbeitsgang, beispielsweise durch einfaches Durchkontaktieren des Trägers. So kann der zu galvanisierende Träger frei im Galvanobad kontaktiert werden und auf sonst notwendige Hilfsversorgungsbahnen verzichtet werden. Es lassen sich sowohl Kupferfolien oder andere Metallfolien in jeder

gewünschten Stärke als freie Kupfer- oder Metallfolien oder auf dem Trägermaterial angeordnete und ggf. strukturierte Metallfolien als auch Metallstränge, beispielsweise in Form von Flachkabeln, oder andere freie Strukturen herstellen.

Um die Sicherheit weiter zu erhöhen und gegebenenfalls mit höheren Geschwindigkeiten galvanisieren zu können, kann eine Einrichtung, insbesondere mindestens eine Gegendruckwalze aus Polyethylen, Säureresistentem oder Elektrolytresistentem Material vorgesehen sein, um das Trägermaterial und damit das zu galvanisierende Trägermaterial an die jeweilige öffnung des Gehäuses zu drücken. Dadurch werden ein Ablösen des Trägermaterials gerade bei höheren Geschwindigkeiten und ein damit verbundenes Eindringen von Elektrolyt zwischen dem isolierenden Gehäuse und der Kontaktiereinheit verhindert, was sonst eine ungewünschte Abscheidung von Kupfer an der Kontaktiereinheit zur Folge haben könnte.

Die Vorrichtung zum galvanischen Abscheiden der elektrisch leitfähigen Schicht auf dem Trägermaterial weist neben der erfindungsgemäßen Kontaktiereinheit ein Elektrolytbad und mindestens eine Anodenanordnung auf.

Um einen optimalen Fluss des Anodenmaterials in Richtung des zu galvanisierenden Trägermaterials zu erreichen, können die öffnungen in dem Gehäuse der Anodeneinrichtung genau gegenüberliegend angeordnet sein.

Die Anode kann als lösliche Anode beispielsweise in Form eines mit Kupferkugeln gefüllten Korbes ausgeführt sein. Der Einsatz unlöslicher Anoden ist ebenfalls denkbar.

Durch Variation der Stromstärke bzw. der Kontaktzeit des Trägermaterials mit der Kontaktiereinrichtung ist die Schichtdicke einstellbar, so dass auch unterschiedliche Schichtdicken in einem einzigen Arbeitsgang herstellbar sind. So lassen sich mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung Schichtdicken von 1 μm bis 2 mm, vorzugsweise zwischen 2 μm und 17 μm beispielsweise für den Hochfrequenzbereich erzeugen.

Das Galvanisierungssystem weist mindestens eine erfindungsgemäße Galvanisie- rungsvorrichtung auf und ist femer mit einer Zuführvorrichtung versehen, die mindestens einer erfindungsgemäßen Galvanisierungsvorrichtung das zu galvanisierende Trägermaterial zufuhrt, und eine Aufhahmevorrichtung, die das bereits galvanisierte Trägermaterial aufnimmt.

Die in der Vorrichtung angeordnete Kontaktiereinheit kann zur Vereinfachung von Wartungs- und Montagearbeiten verfahrbar in dem Galvanisierungssystem ausgeführt sein, d.h. sie kann in das Galvanobad hinein und aus ihm heraus sowie nach rechts oder links verschiebbar eingebaut sein.

Die Stromversorgung kann innerhalb der Kontaktiereinheit vorgesehen sein. Es ist aber auch möglich, die Stromversorgung als separates Modul außerhalb des Galvanobades vorzusehen.

Es ist auch möglich, mehrere erfindungsgemäße Galvanisierungsvorrichtungen einzusetzen, wobei die Vorrichtungen mit dem gleichen oder einem anderen Elektrolyt und/oder Anodenmaterial betreib bar ist, dadurch lassen sich verschiedene Schichtdicken und auch mehrere Schichtdicken aus unterschiedlichen Materialien übereinander angeordnet erzeugen.

Eine typische Anlage zur Herstellung eines galvanisch beschichteten Trägers kann mehrere oder auch eine einzelne Kontaktiereinheit umfassen. Die Zahl der Systeme bzw. Vorrichtungen kann jedoch je nach Anwendung variieren. Aufgrund der modu- laren Bauweise des erfindungsgemäßen Systems bzw. der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist eine entsprechende Anpassung an den Anwendungsfall sehr einfach zu realisieren.

Eine Verkürzung der Wartungszeit des Galvanisierungssystems lässt sich dadurch erreichen, dass das Galvanisierungssystem bzw. die Vorrichtungen in einem Auf-

fangbehälter angeordnet sind, in den ein in dem Elektrolytbad durch gefilterten und angereicherten Elektrolyt verdrängter Elektrolyt überlaufen kann, so dass sich in dem Elektrolytbad ein ständig reaktiver Elektrolyt befindet.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung betrifft einen mittels des erfindungsgemäßen Galvanisierungssystems galvanisch beschichteten Träger, wobei der Träger am meisten bevorzugt flexibel ist. Solche galvanisch beschichteten Träger können Träger, insbesondere Folien, mit Leiterstrukturen oder vollflächigen Leiterschichten sein. Erfindungsgemäße galvanisch beschichtete Träger mit aufgebrachter Leiterstruktur können Antennen, insbesondere Antennenspulen, z.B. für den Hochfrequenzbereich (HF) und Ultrahochfrequenzbereich (UHF), Leiterplatten, Starterfolien für Flextapes, Batteriefolien, dekorative Anwendungen oder Chipkartenmodule, etc. sein.

Auf den erfindungsgemäßen Träger wird galvanisch eine leitfähige Schicht ausgebildet, indem man auf das Trägermaterial entsprechend der gewünschten Leiterstruktur eine zunächst nicht leitende Starterschicht aufbringt und diese dann in einem weiteren Schritt galvanisch behandelt. Auf die Starterschicht werden mittels galvanischer Abscheidung leitfähige Materialien mit einer gewünschten Schichtdicke zu einer Schicht aufgewachsen. Die mittels des erfindungsgemäßen Galvanisierungssystems hergestellte leitfähige Schicht weist in der Regel eine gleichmäßig kristalline Oberfläche auf.

Ein besonderer Vorteil ist, dass die erfindungsgemäßen Träger mit aufgebrachter Leiterstruktur eine hohe Oberflächengüte der leitfähigen Schicht aufweisen. Durch Verwendung der erfindungsgemäßen Galvanisiervorrichtung und/oder des erfindungsgemäßen Galvanisierungssystems lassen sich Leiterstrukturen, vorzugsweise mit einer Schichtdicke von > 10 nm bis unendlich, auf einem Träger ausbilden, die eine nicht strukturierte, glatte, gleichmäßig kristalline Oberfläche aufweisen.

Demgegenüber weisen die nach der Offenlegungsschrift DE 102 347 05 hergestellten Träger mit aufgebrachter Leiterstruktur eine wellenförmig strukturierte oder streifenförmig strukturierte äußere Oberfläche der Leiterschicht auf. Derartig strukturierte Oberflächen sind nachteilig, da sich der Oberflächenwiderstand in Abhängigkeit der Strukturierung der Oberfläche jeweils ändert, was beispielsweise bei HF- Antennenspulen zu Verlusten fuhren kann.

Die erfindungsgemäßen Träger mit aufgebrachter Leiterstruktur weisen eine Schwankung der Schichtdicke der Leiterstruktur von maximal 20 %, vorzugsweise maximal 15 %, weiter bevorzugt von maximal 10 %, noch weiter bevorzugt von maximal 5 % und am meisten bevorzugt von maximal 1 % auf.

Die Träger können beispielsweise aus einem nicht leitfähigen flexiblen Material sein. Vorzugsweise kann der Träger aus einem flexiblen polymeren Material oder polyme- ren Material mit Keramikpartikeln sein. Am meisten bevorzugt ist der Träger eine Folie aus nicht leitfähigem Material.

Noch ein weiterer Vorteil der erfmdungsgemäßen Träger mit aufgebrachter Leiterstruktur ist, dass die Leiterstrukturen scharfe, glatte Kanten aufweisen. Beim galvanischen Aufwachsen der Leiterstruktur mittels der erfindungsgemäßen Galvanisiervorrichtung und/oder des erfindungsgemäßen Galvanisierungssystems wachsen die Leiterstrukturen praktisch nicht in die Breite, sondern lediglich in die Höhe, so dass sich eine hohe Konturenschärfe und ein großes Aspektverhältnis realisieren lassen.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausfuhrungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Figur 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Galvanisier- vorrichtung im Schnitt;

Figur 2 eine schematische Darstellung eines Galvanisierungssystems;

Figur 3 einen erfindungsgemäßen Träger mit einer aufgedruckten Starterschicht in Form einer Antennenstruktur.

Die Figur 1 zeigt eine erfindungsgemäße Galvanisiervorrichtung 1, mit einer erfm- dungsgemäßen Kontaktiereinheit in Form einer Kontaktierwalze 2, die in einem mit einem Elektrolyt 3 gefüllten Galvanobad 4 angeordnet ist. Die Kontaktierwalze 2 ist von einem isolierenden Gehäuse 5 umgeben, sodass sie nahezu vollständig von dem Elektrolyt 3 in dem Galvanobad 4 abgeschirmt ist. Das Gehäuse 5 weist eine spalt- förmige öffnung 6 auf, die den Kontakt/Kontaktbereich zwischen der Kontaktierwalze 2 und einem zu kontaktierenden Träger 7 bildet. Der Träger 7 ist in der Form einer Endlosfolie ausgebildet und ist durch die öffnung 6 mit der Kontaktierwalze 2 in Berührung. Der Träger 7 ist bereichsweise mit einer so genannten Starterschicht 8 bedruckt (siehe auch Figur 3).

Bei kathodischer Schaltung der Kontaktierwalze 2 kann sich ein von einer unterhalb der Kontaktierwalze 2 angeordneten Anode 9 abgegebenes positiv geladenes Anodenmaterial 10 an den mit der Starterschicht 8 versehenen Bereichen des Trägers 7 anlagern. Die öffnung 6 ist der Anode 9 genau gegenüberliegend angeordnet, um einen möglichst homogenen Materialfluss und damit eine homogene Ablagerung des Anodenmaterials 10 an den zu galvanisierenden Bereichen des Trägers 7 zu erreichen. Zwischen dem Träger 7 und der Anode 9 ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Gegendruckwalze 11 aus Säure- oder Elektrolyt-resistentem Material vorgesehen, die den Träger 7 an die öffnung 6 presst.

Wird die Kontaktierwalze 2 von einer hier nicht dargestellten Stromversorgung kathodisch beaufschlagt, wird die Oberfläche des Trägers 7 derart gepolt, dass sich in dem Elektrolyt 3 befindliches Anodenmaterial 10 an der Starterschicht 8 des Trägers 7 anlagert, so dass eine leitfähige homogene Kupferschicht auf dem Träger 7 entsteht. Von den Anoden 9 gehen gleichzeitig Metallionen in den Elektrolyt 3 über. Die an dem Träger 7 angeordnete Starterschicht 8 ist zunächst nicht leitfähig. Erst

bei Beaufschlagung der Starterschicht 8 mit einem Strom von der Kontaktierwalze 2 innerhalb des Galvanobades 4 werden die Partikel der Starterschicht 8 leitfähig. Da im Randbereich der Korngrenzen der einzelnen Partikel der Stromfluss größer ist, erfolgt bei Strombeaufschlagung einzelner Partikel ein so genannter "Dominoeffekt", so dass auch von der Kontaktierwalze 2 nicht direkt berührte Partikel bereits vor Erreichen der Kontaktierwalze 2 mit Strom beaufschlagt sind, so dass sich bereits vor dem Berührungspunkt von Starterschicht 8 und Kontaktierwalze 2 Metallionen aus dem Elektrolyt 3 an der Starterschicht 8 ablagern können. Eine Folge davon ist, dass der Bereich unmittelbar vor dem Kontaktpunkt von der Kontaktierwalze 2 und dem Träger 7 ein so genannter abgemagerter Elektrolyt 3 entsteht, wodurch die Gefahr möglicher unerwünschter Ablagerungen von Metallionen an der Kontaktierwalze 2 verringert wird.

Die Figur 2 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Galvanisiervorrichtung 12, in der beispielhaft 20 Kontaktierwalzen 2 zwischen den einzelnen Anoden 9 angeordnet sind. Der zu galvanisierende Träger 7 wird über eine nicht dargestellte Zuführeinrichtung dem Galvanobad 4 zugeführt und parallel zu den Anodenanordnungen 9 an den jeweiligen Vorrichtungen 12 vorbeigeführt, wobei der Träger 7 gleichzeitig mittels der Gegendruckwalzen 11 an die Kontaktbereiche der Kontaktierwalzen 2 gedrückt werden. Im unteren Bereich des Galvanobades 4 sind in diesem Ausführungsbeispiel Umlenkrollen 13 vorgesehen, um eine möglichst schnelle, gleichmäßige und störungsfreie Durchführung des Trägers 7 durch das Galvanobad 4 zu gewährleisten.

Die Figur 3 zeigt einen erfindungsgemäßen Träger 7, der mit einer Starterschicht 8 in Form einer Antenne versehen ist. Der Träger 7 ist zur Generierung von Kupferschichten 14 sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite des Trägers 7 mit Schlitzen 15 versehen, die bei dem Bedrucken des Trägers mit einer Starterschicht 8 eine so genannte Durchkontaktierung bilden. Oberhalb der Starterschicht 8 ist jeweils eine galvanisch abgeschiedene Kupferschicht 14 ausgebildet.