技术领域

本发明涉及有机发光材料技术领域， 特别涉及一种热激活延迟荧光材 料、 其合成方法及使用该热激活延迟荧光材料的 OLED器件。 背景技术

有机发光二极管 （OLED ) 等有机发光器件由于其在柔性显示等方面 具有巨大的潜在应用， 近年来受到科技界和产业界高度重视， 是当前研究 与开 ^的热点 .之一。

但是， 目前有机发光器件技术在发展过程中遇到了瓶 颈问题， 就是发 光器件的发光效率和使用寿命还达不到实用化 要求， 这大大限制了 OLED 技术的发展。 影响发光器件的发光效率和使用寿命的原因是 多方面的， 但 是其发光材料的荧光效率和稳定性直接影响到 上述发光器件的性能。 基于 单线态发光的第 1 发光材料即荧光材料其理论上电能转换成光能 只有 25%, 无法进一步提高其效率； 而基于三线态发光的第 2 代发光材料即磷 光材料的理论效率可达 100%, 但是无法解决蓝光磷光发光的效率与寿命 等问题。 2012年， 日本九州大学的 Adachi教授发现了基于三线态-单线态 跃迁的热激活延迟荧光（TADF )新材料， 其效率接近 100%， 同时可解决 蓝光问题。 这类材料被称为第 3代 OLED高效发光材料。 新材料与发光效 率较高的磷光材料相比， 它无需使用高成本的稀有金属即可实现高发光 效 率 因此， 这类新材料的特点是发光效率高、 成本低， 据测算， 器件制作 成本不到原来的十分之- 这一新材料刚被发现， 即引起了相关学界和产 业界的极大关注， 但是其材料还非常稀少， 理论还极不完善， 有待研究人 员进一步开发研究。 另外， 已报道的 TADF材料的玻璃化温度都比较低， 热稳定性相对较差。 发明内容

本发明的目的在于提供一种热激活延迟荧光材 料， 其结合了多咔唑或 / 和吩噻嗪的高热稳定性， 具有较高的玻璃化转变温度、 高的热稳定性和优 异的发光性能。 本发明的另一个目的在于提供上述热激活延迟 荧光材料的合成方法， 其工艺简单， 纯化容易， 产率高， 并可通过连接不同基团调节终产物的发 光性能、 热性能等。

本发明的另一个目的在于提供一种使用上述热 激活延迟荧光材料的

OLED器件， 其发光层的荧光效率高和稳定性好， 进而使得 OLED器件发 光效率和使用寿命都能达到实用化要求。

为实现上述目的， 本发明提供一种热激活延迟荧光材料， 结构如式 ( 1 )所示：

其中 Αη和 Ar ₂ 相同或不同， Αη、 Ar ₂ 为咔唑或, /和吩噻嗪组成的基 团。

所述 Αη 、 Ar ₂ 选自以下结构：

S0S0.0/M0ZN3/X3d OAV

本发明还提供一种热激活延迟荧光材料的合成 方法， 包括以下步骤： 步骤 1， 提供咔唑或 /和吩噻嗪， 把咔唑或 /和吩噻嗪通过偶联反应连接 到别的咔唑或吩噻嗪上， 得到第一中间体；

步驟 2， 提供 4,4，-二氟二苯砜， 取步骤 1 中制备的第一中间体与 4,4' 二氟二苯砜反应得到相应的终产物， 即热激活延迟荧光材料， 其结构如式 ( 1 )所示：

式（ i ) ， 其中 A 和 Ar ₂ 相同或不同， Ar^ Ar ₂ 为咔唑或 /和吩噻嗪.组成的基 团。

所述偶联反应由以下方法实现， 先将咔唑或吩噻嗪与乙酸酐反应， 然 后对该咔唑 ( 3-位或 3,6-位）或吩噻嗪（3-位或 3,7-位 )进行碘代反应， 得 到对乙酰基保护的单捵或双捵代咔唑或吩噻嗪 ， 命名为第二中间体， 利用 所述第二中间体与咔唑或吩噻嗪反应， 再脱去乙酰基， 合成得到相应的第 一中间体。

所述 Ar _{1 ¾} Ar ₂ 选自以下结构：

S0S0.0/M0ZN3/X3d OAV

本发明还提供一种热激活延迟荧光材料的合成 方法， 包括以下步骤： 步骤 11， 提供 [¾代咔唑或 ¾代吩噻嗪、 及 4，4，-二氟二苯砜， 所述卤代 咔唑或卤代吩噻嗪与 4,4，二氟二苯砜反应合成相应的第三中间体;

步驟 12, 提供取代或未取 的咔唑硼酸或吩噻嗪硼酸， 将步骤 1 合 成的第

活延迟荧光木 所述热激活延迟荧 如式 ( 1 )所示：

式（ i ) ， 其中 Ari和 Ar ₂ 相同或不同， Ari、 Ar ₂ 为咔唾或 /和吟？塞 所述 [¾代咔唑或 代吩噻嗪是单 或鼓卤代物， ^咔 ¹ 唑或 卤代吩噻嗪是溴代物„

所述! ¾代咔唑为 3-溴咔唑或 3,6-二溴咔唑， 所述 ¾代吩噻 3-溴-吩 噻嗪或 3,7-二溴吟噻嗪。

所述 Αη、 Αι·,，选自以下结构：

本发明还提供一种使用热激活延迟荧无材料的 OLED器件， 包括： 基 板、 形成于基板上的透明导电层、 形成于透明导电层上的空穴传输层、 形 成于空穴传输层上的发光层、 形成于发光层上的电子传输层及形成于电子 传输层上的金属层， 所述发光层包括热激活延迟荧光材料， 所述热激活延 迟荧光材料的结构如式（I ) 所示:

和 Ar ₂ 相同或不同， A > Ar ₂ 为 '叶 分 p塞"秦组成的基 本发明的有益效杲： 本发明热激活延迟荧光材料结合了多咔唑或 /和吩 噻嗪的高热稳定性， 使其具有较高的玻璃化转变温度、 高的热稳定性和优 异的发光性能； 其合成方法， 工艺简单， 纯化容易， 产率高， 并可通过连 接不同基团调节终产物的发光性能、 热性能等； 本发明使用上述热激活延 迟荧光材料的 OLED器件， 其发光层的荧光效率高和稳定性好， 进而使得 OLED器件发光效率和使用寿命都能达到实用化� �求。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内 容， 请参阅以下有 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非 明加以限制。 附图说明

下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图 1为本发明热激活延迟荧光材料的一种合成方� �的制备流程图； 图 2为本发明热激活延迟荧光材料的另一种合成� �法的制备流程图； 图 3为本发明使用所述热激活延迟荧光材料的 OLED器件的结构示意 图。

更进 1步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。

本发明提供一种热激活延迟荧光（TADF ) 材料， 所述热激活延迟荧 光材料的结构如式 ( 1 ) 所示：

其中 A 和 Ar ₂ 可以相同， 也可以不同， Ar 、 Ar ₂ 选择咔唑或 /和吟 -噻 嗪组成的基团, 所述 Ar〗、 Ar ₂ 优选以下结构:

01

S0S0.0/M0ZN3/X3d OAV

由于多咔唑或 /和喻噻 基团具有高热稳定性， 因此本发明所述热激活 延迟荧光材料与普通的热激活延迟荧光材料相 比， 热稳定性也有一定的提 请参阅图 1， 本发明还提供热激活延迟荧光材料的一种合成 方法。

所述热激活延迟荧光材料的合成方法包括以下 步骤：

步骤 1 , 提供咔唑或 /和吩噻嗪, 把咔唑或 /和吩噻嗪通过偶联反应连接 到别的咔唑或吩噻嗪上， 得到第一中间体。

所述第一中间体为多咔唑或 /和吩噻嗪结构的中间体。 其还可以根据需 要进行多次偶联反应， 以得到不同结构的第一中间体。

具体的， 偶联反应可以通过下述方法实现， 先将咔唑或吩噻嗪与乙酸 酐反应 , 然后对该咔唑（ 3-位或 3,6位 )或吩噻嗪 ( 3位或 3，7位 )进行碘 代反应， 得到乙酰基保护的单碘或双碘代咔唑或吩噻嗪 ， 命名为第二中闾 体， 利用所述第二中间体与咔唑或吩噻嗪反.应， 再脱去乙酰基， 合成得到 相应的第一中间体。

步骤 2， 提供 4,4'-二氟二苯砜， 取步骤 1中制备的 一中间体与 4,4'- 二氟二苯砜反应得到相应的终产物， 即热激活延迟荧 所述热激活 延迟荧光材料结构如式（ 1 )所示：

式（ 1 ) ， 其中 Αι 和 同， 也可以不同， Ar、 Ar ₂ 选择咔唑或 /和吩噻 ..组成的基团。 显然， 第一中间体包含的多咔唑或 /和吩噻嗪结构， 即对应式 （1 ) 中 的 Ari和 Ar ₂ ， 通过上述反应， 可以得到分子结构对称的或不对称的终产 物、 如果 Ar^Ar ₂ ， 则产物分子是对称的； 如果 Ατ^Ατ^ 則得到的分子是 不对称的

其中 Αη 、 Ar ₂ 优选以下结构：

在实际制备过.程中， 可根据需要选取 Αη或 Αι· ₂ 的结构， 通过连接不 团调节终产物的发光性能、 热性能等， 以适应使用要求。

以下通过实施例 1、 2 对该方法作进一步的阐述， 但本发明并不限于 实施例 1 :

1、 合成中 所示:

式（2 ) 取咔唑 (5,0 g, 0.030 mol) , 碘酸钾 (5,0 g, 0.023 mol) , 碘化钾 (6,6 g, 0.040 mol)和 50 mL冰醋酸置于 100 mL圆底烧瓶中; 将反应物于 80。C水 浴中， 搅拌反应， 直到生成的碘的颜色消失为止 (约 5 h); 然后将混合物冷 却， 用布氏漏斗抽滤， 得固体粗产物用 200 mL含 5 %(wt%) NaHS0 ₃ 的水 溶液洗涤以除去未反应的 1 ₂ 和过量的 κιο ₃ ; 粗产物经千燥后， 用乙醇 /THF 重结晶， 以少量活性炭脱色， 最终得到白色的晶体 9.4 g; 产率： 75 %: Mp 210- 2i l。C。

制备时需注意： 反应前， 碘酸钾和碘化钾要在研钵中研磨成粉末。

2、 合成中间体 3,6二碘 9 乙酰基咔唑， 合成路线如下式（3 )所示：

取 3,6-二碘咔唑 (5.0 g， 0.012 mol)置于 100 mL圓底烧瓶中, 加入 50 mL乙酸酐, 同时加入乙醚三氟化硼 0.1 mL, 回流 20 inin, 可以看见析出 大量白色固体， 抽滤， 千燥后即可得到外观白色， 似面粉的产品 5„4 g; 产

3、 合成中间体 3 ,6二咔峻基- 9-乙酰基咔唑， 合成路线如下式 （ 4 )所 式（ 4 ) ，

取化合物 3,6-二碘- 9-乙酰基咔唑 (2,4 g, 5 3mmol), 咔唑 (2,2 g， 13.2 mmol), 氧化亚铜 (3,0 g， 0.021 mol)和 15 mL DMAc (二甲基乙酰胺）都放 于高压反应釜中， 抽真空充氮气三个循环， 然后在 190 °C硅油浴中反应 24 h; 反应结束后抽滤， 将滤液倒入水中析出, 加入适量 NaCl搅拌半小 时， 抽滤并千燥， 得到的粗产物用 EtOH (乙醇） ： THF (四氢呋喃） （5: 1 混合溶剂重结晶， 以少量活性炭脱色， 最终得到白色的晶体 1.8 g; 64 %。

4、 合成中间体 3,6二咔唑基咔唑， 合成路线如下式（5 )所示： 式（ 5 ) ,

取化合物 3,6二咔唑基- 9-乙 ί先基咔唑 (2,0 g, 3.7mmo1), KOH (2.0 g， 35.7 mmol), 10 m—L THF, 5 mL DMSO (二甲基亚.砜 )和 2 m—L水置于 100 mL 圆底烧瓶中； 加热搅拌回流反应 4 h， TLC ( Thin Layer Chromatography: 薄层色谱）法检测反应进程; 反应完毕, 蒸出把 THF后 倒入水中析出，抽滤， 千燥即得到的粗产物用 EtOH重结 以少量活性炭 脱色,最终得到白色的晶体】.45 g; 产率为 95%。

5、 目标化合物 4，4，-双 (3，6-二咔唑基)咔唑二苯砜的合成, 合成路线如 下式（ 6 )所示：

式（6 ) ，

取中间体 3,6-二咔唑基咔唑（ 1.4g， 0.0028mol )溶于 20mL DMF (二 甲基曱酰胺） 中， 搅拌下加入叔丁醇钾 ( 0。32g, 0.003mol )并升温到 60 V 恒温 30min， 然后加入 4，4'-二氟二苯砜 ( 0.33g, 0.0013mo1 ) ， 再升温到 ηθΌ反应 12h; 停止反应， 冷却后倒入 200mL 水中产生沉淀， 抽滤， 用 水洗多次； 把固体溶于〗 00mL二氯曱烷中成溶液， 加入适量无水硫酸钠千 燥， 过滤； 滤液中加入 200mL丙酮， 利用旋转蒸发仪蒸出二氯甲烷和大部 分的丙酮得到沉淀， 抽滤， 用少量丙嗣洗 3 次， 真空烘千得白 ,粉末 i。25g， 产率 80%。

实施例 2: 4,4'双 (3-咔唑 咔唑二苯砜

1、 合成中间体 3碘咔唑， ^路线如下式（7 ) 所示:

式

取咔。坐(5,0 g, 0.030 mol)， 碘酸钾 (2.5 g, 0.0115 mol)， 碘化钾 (3.3 g, 0.020 mol)和 50 mL冰醋酸置于 100 mL圆底烧瓶中; 将反应物于 80。C水 浴中， 搅拌反应， 直到生成的碘的颜色消失为止 (约 5 h); 然后将混合物冷 却， 用布氏漏斗抽滤， 得固体粗产物用 200 mL含 5 %(wt%) NaHS。 ₃ 的水 溶液洗涤以除去未反应的 1 ₂ 和过量的 KI0 ₃ ; 粗产物经千燥后， 用乙醇 /THF 重结晶， 以少量活性炭脱色， 最终得到白色的晶体 6.4 g; 产率： 72

0/

/ ；：

2 , 合成中间体 3碘- 9-乙酰基咔唑， 合成路线如下式（8 )所示:

式（ 8 ) ，

取 3碘咔唑 (3.5 g, 0.012 mol)置于 100 mL圓底烧瓶中， 加入 50 mL乙 酸酐， 同时加入乙醚三氟化硼 0.1 mL， 回流 20 min， 可以看见析出大量白 色固体， 抽滤， 千燥后即可得到外观白色， 似面粉的产品 3,8 g; 产率 98

0/

3、 合成中闾体 3咔唑基 -9-乙酰 咔唑， 合成路线如下式（9 ) 所示: 式（ 9 ) ， 取化合物 3-碘- 9-乙酰基咔唑（1.75 g, 5.23 mmol) , 咔唑（(195 g, 5.23mmol), 氧化亚铜（1。5 g， 0.011 moi)和 15 mL DMAc都放于高压反应釜 中， 抽真空充氮气三个循环， 然后在 190'Ό硅油浴中反应 24 h; 反应结束 后抽滤， 将滤液倒入水中析出， 加入适量 NaC】 搅拌半小时， 抽滤并千 燥， 得到的粗产物用 EtOH:THF (5:1 v/v)的混合溶剂重结晶， 以少量活性 炭脱色， 最终得到白色的晶体 1.26 g; 产率 65 %。

4、 合成中闾体 3咔唑基咔唑， 合成路线如下式（10 ) 所示：

式（10 ) ，

取化合物 3-咔唑基 9 乙酰基咔唑（l,38g, 3.7mmol), KOH (2.0 g,35.7 mmol), 10 mL THF, 5 mL DMSO和 2. mL水置于 100 mL圓底烧瓶中； 加 热搅拌回流反应 4 h, TLC法检测反应进程； 反应完毕， 蒸出把 THF后倒 入水中析出， 抽滤， 千燥即得到的粗产物用 EtOH 重结晶， 以少量活性炭 脱色， 最终得到白色的晶体 0.97 g; 产率为 95%。

5、 目标化合物 4，4，-双 (3-咔唑基)咔唑二苯砜的合成， 合成路线如下式 ( 11 )所示：

式（11 ) ,

取中间体 3咔唑基咔唑 ( 0.92g, 0.0028mol )溶于 20mL DMF中， 搅 拌下加入叔丁醇钾（0.32g， 0.003mol ) 并升温到 60°C恒温 30min， 然后加 入 4,4，二氟二苯砜（0,33g， O.OOOmol ) ， 再升温到 i i(TC反应 12h; 停止 反应， 冷却后倒入 200mL水中产生沉淀， 抽滤， 用水洗多次； 把固体溶于 l OOmL二氯曱烷中成溶液， 加入适量无水硫酸钠千燥， 过滤； 滤液中加入 200mL 丙酮， 利用旋转蒸发仪蒸出二氯甲烷和大部分的丙^� �到沉淀， 抽 滤， 用少量丙酮洗 3次， 真空烘千得白色粉末 0,90g， 产率 80%。 请参阅图 2， 除了上述方法外， 本发明还提供了所述热激活延迟荧光 材料的另外一种合成方法， 包括如下步骤：

步骤 11， 提供 [¾代咔唑或 代吩噻嗪、 及 4，4'-二氟二苯砜， 所述卤代 咔唑或卤 吩噻嗪与 4,4，-二氟二苯砜反应合成相应的第三中间体� �

其中所述卤代咔唑或卤代吩噻嗪可以是单卤代 物也可以是双卤代物， 优选为溴代物， 具体所述溴代咔唑可以为 3溴咔唑或 3,6-二溴咔唑， 所述 溴代吩噻嗪可以为 3溴吩噻嗪或 3,7-二溴吩噻嗪等； 其与 4,4，-二氟二苯砜 反应得到对应的二卤代咔峻二苯石风或二卤代 哈塞秦二苯躐 , 即第三中间 体。

步骤 12， 提供取代或未取代的咔唑硼酸或喻噻嗪硼酸， 将步骤 11 合 成的第三中间体与取代或未取代的咔唑硼酸或 吩噻嗪硼酸反应， 制得所述 热激活延迟荧光材料„

其中取代或未取代的咔唑硼酸或吩噻嗪硼酸， 可根据需要选择不同结 构的咔唑硼酸或吩噻嗪硼酸， 优选 9-苯基- 3-咔唑硼酸、 对咔唑苯硼酸等。

以下通过实施例 3、 4对所述方法作进一步的阐述， 但本发明并不限 实施例 3: 4,4，双 (3-咔唑苯基)咔唑二苯砜的合成。

1、 合成中间体二溴咔唑二苯砜， 合成路线如下式 （12 ) 所示:

取化合物 3-溴咔唑（6 5g, 0 028moi )溶于 lOOmLDMF中， 搅拌下加 入叔丁醇钾（3 2g, 0 03moi ) 并升温到 60Ό恒温 30min, 然后加入 4，4，-二 氟二苯砜（3,3g， 0.013mol ) ， 再升温到 Η0Ό反应 12h。 停止反应， 冷却 后倒入 600mL水中产生沉淀 抽滤， 用水洗多次； 把固体溶于 1 OOmL二 氯甲烷中成溶液， 加入适量无水 酸钠干燥， 过滤； 滤液中加入 200mL丙 酮， 利用旋转蒸发仪蒸出二氯甲烷和大部分的丙酮 得到沉淀， 抽滤， 用少 量丙酮洗 3次， 真空烘千得白色粉末 7,3g， 产率 80%

2、 化合物 4，4，-双 (3-咔唑苯基)咔唑二苯砜的合成， 合成路线如下式 ( 13 )所示：

式（ 13 ) ，

取中间体二溴咔唑二苯砜 (1.196g， 0.0017mo!), 对咔唑苯硼酸 (l ,09g， 0,0038mol)加入到三口瓶中， 加入 40mL THF、 2M K ₂ C0 ₃ 水溶液 8mL， 搅 拌并通氩气 30min后， 加入 O.Olg Pd(PPh ₃ ) ₄ , 油浴加热到 90°C反应 24h; 结束反应， 用水进行萃取， 有机相用无水硫酸钠千燥后， 旋转蒸发仪中真 空旋千， 得粗产物； 利用硅胶柱层析的方法进行提纯， 淋洗液为体积比

1 :1 的正己烷和二氯甲烷混合溶液; 纯产物为白色粉末， 1.3 lg, 产率 75

%。

实施例 4: 4,4，欢(3-苯咔唑基)咔唑二苯砜的合成， 合成路线如下式 ( 14 ) 所示：

14 ) ，

取化合物二溴咔唑二苯砜（U96g， 0.0017mol) , 9-苯基- 3 咔唑硼酸

(1.09g, 0.0038mo】)加入到三口瓶中， 加入 40mL THF、 2M K ₂ C( 水溶液 8mL, 搅拌并通氩气 30min后， 加入 O.Ol g Pd(PPh ₃ ) ₄ , 油浴加热到 90°C反 应 24h; 结東反应， 用水进行萃取， 有机相用无水硫酸钠千燥后， 旋转蒸 发仪中真空旋干， 得粗产物； 利用硅胶柱层析的方法进行提纯， 淋洗液为 体积比 1 : 1 的正己烷和二氯甲烷混合溶液; 纯产物为白色粉末， L35g, 产 率 77 %。

实施例 5: 按照实施例 I 的方法， 在步骤（3) 中， 以吩噻嗪代替咔唑， 合成中 间体 3,6-二吩噻 基- 9-乙醜基咔唑， 产率为 61%, 合成路线如下式（15) 所示：

式（】5) ，

再按照实施例 i的方法的后续步骤（4)和（5)得到目标化合物 4,4， 双 (3,6-二吩噻唪基)咔唑二苯砜的合成， 步骤（4)和（5) 的产率为 93%和 79%, 合成路线如下式（16) 所示:

式（】6) ，

实施例 6: 4,4'-双 (3-吩噻嚓基)咔唑二苯砜的合成 ₍

按照实施例 2 的方法 i. (3 ) 中以吩噻^ 得到相应 的中间体， 然后经过步骤（4)和 （5)得到目标产物 4,4，双 (3-吩噻 咔唑二苯砜， 步骤（5) 的合成路线如下式（17) 所示：

式（ 17) ,

实施例 7: 4,4'双 (3,7二咔唑基)喻噻嗪二苯砜的合成。

按照实施例 i 的方法， 在步骤（1 ) 中， 以吩噻唪代替咔唑， 合成中 间体 3,7-二碘吩噻嗪， 再以中间体 3 ,7-二碘吩噻嗪进行步骤 ( 2 ) (3) 、 （4)和 （5) 的反应， 合成目标产物 4,4'-双 (3，7-二咔唑基)吩噻 二苯砜， 合成路线如下式（18) 所示: 对比实施例 I

咔唑. (3.34 g, 0.02 mol), 4,4，二氟二苯现 (2,55 g, 0.01 mol)加入到三 口瓶中， 加入 100 mL N， N-二甲基甲酰胺 (DMF)、 叔丁醇钾 (2.24 g， 0.02 mol), 搅拌并通氩气后， 加热到 90°C 反应 24h。 用水和二氯甲烷进行萃 取， 有机相用无水硫酸钠千燥后， 旋转蒸发仪中真空旋千， 得粗产物。 利 用硅胶柱层析的方法进行'提纯 -, 利用一定体积比的正己烷和二氯甲烷混合 溶剂作为淋洗液。 产率 85%。 制备流程如下 （19) 所示：

对比实施例 2

参照对比实施例 1 的合成方法； 产率为 82%; 制备流程如下式（20) 所示： 式（2.0 ) ,

为了更好的说明本发明热激活延迟荧光材料的 性能， 对实施例 1 4 制 备的终产物进行了性能测试， 主要检测了其热性能和最大荧光发射波长， 检测结果如表 1所示。

表 1

7¾ ■j

7'd

化合物

(°C) (nm) 实施例 1 230 422 438 25% 实施例 2 211 405 429 30% 实施例 3 201 320 454 32% 实施例 4 207 350 41 1 40% 实施例 5 234 420 470 29% 实施例 6 215 410 445 31% 实施例 7 237 438 465 27% 对比实施例 1 125 321 419 32% 对比实施例 2 130 333 408 25% 其中， 热失重温度 ia是在氮气气氛中失重 ι%的温度， 在日本岛津公 司的 TGA-50H热重分析仪上进行测定， 氮气流量为 20mL/min; 玻璃化温 度 7¾ 由示差扫描量热法（DSC， 德国耐驰公司 DSC204F1 示差扫描量热 仪） 测定， 升温速率 10°C/min; ：是样品固体粉末最大荧光发射波长， 利用日本岛津公司的 RF- 5301pc荧光分光光度计进行测定； 是固体粉末 荧光量子效率 (利用美国海洋光学的 Maya 2000Pro光纤光借仪， 美国蓝菲 公司的 C- 701 积分球和海洋光学 LLS- LED 光源组成的测试固体荧光量子 效率测试系统， 参照文献 rf Mater. 1997, 9, 230-232的方法进行测定）。 由上表数据可知， 本发明热激活延迟荧光材料的热稳定性较好， 玻璃 化转变温度较高， 发光强度强。

故 所述热激活延迟荧光材料非常适用于制备有机 电致发光材料

( OLED )器件中的发光层材料。

因此， 本发明还提供一种使用上述热激活延迟荧光材 料的 OLED 器 件， 请参阅图 3， 其包括： 基板 i( 形成于基板 10上的透明导电层 20、 形成于透明导电层 20上的空穴传输层 30、 形成于空穴传输层 30上的发光 层 40、 形成于发.光层 40上的电子传输层 50及形成于电子传输层 50上的 金属层 60， 所述发光层 40 包括所述热激活延迟荧光材料， 其作为发光层 40的发光层材料。

由于该发光层 40 中热激活延迟荧光材料的荧光效率高和稳定性 好， 进而使得 OLED器件发光效率和使用寿命都能达到实用化� �求。

综上所述， 本发明热激活延迟荧光材料结合了多咔唑或 /和吩噻嗪的高 热稳定性， 其具有较高的玻璃化转变温度、 高的热稳定性和优异的发光性 能； 其合成方法， 工艺简单， 纯化容易， 产率高， 并可通过连接不同基团 调节终产物的发光性能、 热性能等； 本发明使用上述热激活延迟荧光材料 的 OLED器件， 其发光层的荧光效率高和稳定性好， 进而使得 OLED器件 发光效率和使用寿命都能达到实用化要求。

以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变 形， ^所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。