La invención se relaciona con el campo de las células solares o fotovoltaicas de segunda generación, i.e. aquéllas basadas en películas delgadas de capas activas. También se relaciona con las láminas de componentes para utilizar en estas células solares, y con los métodos para Ia preparación de estas láminas.

ESTADO DE LA TÉCNICA

Una célula solar es un dispositivo electrónico de gran superficie que convierte Ia energía solar en electricidad mediante el efecto fotovoltaico. Las células solares de película delgada (i.e. de segunda generación) utilizan menos del 1 % de materia prima (silicio u otros absorbedores de luz) comparando con las células solares basadas en oblea (i.e. de primera generación), Io cual conlleva una bajada significativa del precio por kWh. Hay mucho esfuerzo en investigación y desarrollo para mejorar Ia relación eficiencia/coste de las células solares de película delgada, utilizando diferentes enfoques y/o materiales.

Como se ilustra en Ia FIG. 7, Ia pila ("stack") de películas delgadas de una célula solar puede tener diferentes disposiciones con los siguientes componentes: el sustrato (S), Ia capa activa (representada por las capas "p-i- n'7"n-i-p"), una o más capas de óxido conductor transparente (TCO, "transparent conductive oxide"), y una o más capas de metal (M). Dos de las disposiciones más comunes en células solares de película delgada se ilustran esquemáticamente en Ia figura. Así Ia FIG. 7(A) representa un ejemplo particular de disposición en estructura tipo sustrato, donde no se necesita un sustrato transparente (S), ya que Ia luz solar (representada por una flecha) llega desde el lado opuesto al sustrato. La FIG. 7(B) representa un ejemplo particular de disposición en estructura tipo superstrato, donde se necesita un sustrato transparente (S), ya que Ia luz solar llega desde el lado del sustrato.

El sustrato puede ser rígido o flexible. El vidrio es el material más comúnmente utilizado como sustrato rígido. Los sustratos flexibles suelen ser de materiales metálicos, p.ej. acero inoxidable, o de polímeros tales como el poli(etilennaftalato), también llamado naftalato de polietileno y aquí denominado PEN; o el poli(etilentereftalato), también llamado tereftalato de polietileno y aquí denominado PET. La capa activa puede estar hecha de diferentes materiales, siendo los más comunes el telururo de cadmio, el seleniuro de cobre indio y galio, y el silicio. El silicio utilizado en Ia capa activa puede ser amorfo (a-Si:H), microcristalino (μc-Si:H) o micromorfo (amorfo y microcristalino en tándem). Los TCOs son diferentes materiales con baja resistividad eléctrica y alta transparencia.

El incremento de Ia relación eficiencia/coste es el principal objetivo en Ia tecnología de células solares de película delgada. La máxima corriente que se puede conseguir es distinta dependiendo de Ia energía del hueco ("gap") del semiconductor que forma Ia capa activa. Utilizando silicio microcristalino o silicio amorfo en Ia capa activa de una célula solar de unión simple, se ha estimado que Ia máxima corriente que se podría conseguir sería de 44 y 21 mA/cm ² , respectivamente. No obstante, las mejores células solares de silicio microcristalino y las células de silicio amorfo usuales proporcionan actualmente corrientes alrededor de 25 y 14 mA/cm ² , respectivamente. Estos valores de corriente se consiguen utilizando las actuales técnicas de confinamiento óptico ("light trapping"). En el caso de multiuniones, los valores de corriente esperados son menores que en el caso de las uniones simples, pero una mejora de las actuales técnicas de confinamiento óptico conduciría a una mejor eficiencia para estos dispositivos.

Las técnicas de confinamiento óptico comúnmente utilizadas en Ia tecnología de células solares de silicio de película delgada se basan en producir una textura aleatoria nanométrica con el fin de dispersar Ia luz. Así, Ia luz puede quedar confinada dentro de Ia capa activa del dispositivo. Una revisión de las texturas nanométricas aleatorias utilizadas en las células solares de silicio de película delgada se puede encontrar p.ej. en V. Terrazzoni-Daudrix et al., "Characterization of Rough Reflecting Substrates Incorporated Into Thin-Film Silicon Solar CeIIs", Proqress in Photovoltaics: Research and Applications 2006, vol. 14, pp. 485-498. Desafortunadamente, utilizando estos tipos de texturas nanométricas aleatorias, parece que ya se han alcanzado los límites de mejora mencionados más arriba. En acuerdo con el citado documento, por "textura aleatoria nanométrica" se entiende aquí una superficie con un

"período promedio" (más o menos equivalente a Ia distancia entre picos) de entre 450 nm y 1.300 nm aproximadamente, y un valor del cuadrado de Ia media de Ia raíz (RMS, "root mean square") de rugosidad entre 20 y 150 nm aproximadamente.

Del estado de Ia técnica en el campo de células solares de película delgada resulta evidente que hay un gran interés en aumentar Ia relación eficiencia/coste de estos dispositivos.

EXPLICACIÓN DE LA INVENCIÓN

Según un aspecto de Ia presente invención, se proporcionan células solares de película delgada que comprenden un sustrato, una o más capas de metal, y una o más capas de TCO, donde Ia superficie del sustrato tiene una textura piramidal micrométrica, comprendiendo además una textura aleatoria nanométrica superpuesta sobre Ia textura piramidal micrométrica. La textura aleatoria nanométrica puede estar formada sobre Ia superficie del sustrato, sobre Ia superficie de una o más capas de metal, sobre Ia superficie de una o más capas de TCO, o simultáneamente sobre varias superficies de estos tres componentes. Otro aspecto de Ia invención se relaciona con láminas para utilizar en células solares de película delgada, comprendiendo o bien (i) un sustrato con una superficie con ambas texturas, piramidal micrométrica y aleatoria nanométrica, o bien (ii) un sustrato con una superficie de textura piramidal micrométrica y una capa de metal con una textura aleatoria nanométrica, o bien (iii) un sustrato con una superficie de textura piramidal micrométrica y una capa de TCO con una textura aleatoria nanométrica, o bien (iv) cualquier combinación de los casos (i)-(iii). Otro aspecto de Ia presente invención se refiere al método de preparación de las láminas, comprendiendo el paso de repujado con un máster de silicio que comprende pirámides obtenidas mediante el ataque químico a silicio (100) en medio básico (p.ej. una disolución alcalina o una mezcla heterogénea con una fase acuosa básica), o con un máster metálico comprendiendo sus pirámides replicadas e invertidas.

La presente invención, combinando simultáneamente una textura piramidal micrométrica y una textura aleatoria nanométrica en células solares de película delgada, proporciona un nuevo confinamiento óptico de Ia luz solar en todo el rango espectral, el cual implica una ganancia doble sobre Ia ganancia de corriente obtenida utilizando texturas nanométricas a longitudes de onda largas, y una mejora de Ia corriente a longitudes de onda cortas. Esto representa un incremento sustancial en Ia relación eficiencia/coste, en comparación con Ia de las células solares de película delgada conocidas en Ia técnica.

Aunque otras texturas piramidales micrométricas son posibles, resultan particularmente útiles aquéllas que tienen pirámides -o pirámides invertidas- derivadas de moldes obtenidos de obleas de silicio (100) por ataque químico en medio básico (p.ej. una disolución alcalina o una mezcla heterogénea con una fase acuosa básica). Este método de preparación se utilizó en las células solares de primera generación (cf. p.ej. US 4.137.123; P. K. Singh et al., "Effectiveness of anisotropic etching of silicon in aqueous alkaline solutions", Solar Energy Materials & Solar CeIIs 2001. vol. 70, pp.103-113). El ataque químico anisotrópico de una oblea de silicio (100) lleva a Ia formación de texturas piramidales micrométricas (también llamadas estructuras de micro- pirámides o pirámides de tamaño micrométrico) sobre Ia superficie de Ia oblea. Cada pirámide fuerza al rayo reflectado a incidir sobre una pirámide adyacente y así tener otra oportunidad de entrar dentro de Ia oblea. Las caras de estas pirámides forman un ángulo de 54.7° con Ia horizontal. Este ángulo permite a los fotones incidentes que no son absorbidos rebotar otra vez contra Ia superficie. Este doble rebote disminuye las pérdidas ópticas asociadas con Ia primera reflexión. El uso de este tipo de textura en Ia tecnología de células solares de película delgada tiene dos efectos. El primero es que Ia reflectancia (R) disminuye desde R (caso plano) hasta R ² (textura piramidal). Esta ganancia es más importante a longitudes de onda corta (λ < 500 nm aproximadamente) donde los fotones que entran en Ia célula son todos absorbidos. El segundo efecto se aprecia a longitudes de onda larga (λ > 500 nm aproximadamente) y es el incremento del paso óptico en un factor aproximadamente 2 en comparación con el uso de superficies planas.

La patente US 7,179,527 describe un sustrato con una película de TCO que tiene una pluralidad de crestas y porciones planas, donde Ia superficie de las crestas y Ia superficie de las zonas planas tienen una textura con protusiones de tamaño micrométrico, similar a Ia textura aleatoria nanométrica de Ia presente invención. No obstante, los sustratos con crestas y porciones planas no se benefician de las propiedades de confinamiento óptico (doble rebote de Ia luz) de Ia textura piramidal micrométrica, ni de su concomitante ganancia en Ia relación eficiencia/coste.

En una realización particular, un máster (que también podría llamarse "molde") para transferir una textura piramidal micrométrica se puede preparar por ataque químico de silicio (100) en medio básico (p.ej. una disolución alcalina o una mezcla heterogénea con una fase acuosa básica), o replicando este máster original de silicio sobre un máster metálico para obtener las correspondientes pirámides invertidas. La transferencia de Ia textura piramidal micrométrica a Ia deseada componente de Ia lámina se puede hacer por las técnicas de repujado ya conocidas en Ia técnica, siendo Ia litografía de repujado en caliente (HEL, "hot embossing lithography") Ia preferida. En una realización particular, un máster para transferir Ia textura piramidal micrométrica puede proveerse de una textura aleatoria nanométrica mediante pulverización ("sputtering"), preferiblemente mediante pulverización de plata, o mediante ataque químico, preferiblemente mediante ataque iónico reactivo (RIE, "reactive ion etching"). En este caso, Ia transferencia de ambas texturas, Ia piramidal micrométrica y Ia nanométrica aleatoria, se puede hacer simultáneamente, en un único paso de repujado, Io cual representa una simplificación. Alternativamente, Ia textura aleatoria nanométrica de una componente se puede obtener en un paso separado de ataque químico, preferiblemente mediante RIE.

En una realización particular, el sustrato está hecho de un polímero, preferiblemente de PEN o PET. En este caso, La textura piramidal micrométrica se puede obtener por repujado, preferiblemente mediante HEL, de un máster de silicio con una textura de pirámides (p.ej. como se ilustra en el Ejemplo 2), o con una textura de pirámides invertidas. El sustrato polimérico puede proveerse de una textura aleatoria nanométrica en el paso de repujado, utilizando un máster con ambos tipos de textura, piramidal micrométrica y nanométrica aleatoria, o en un paso aparte de ataque químico (como se ilustra en el Ejemplo 4, donde se usa RIE). Las películas delgadas que utilizan un polímero como sustrato, son flexibles, Io cual constituye una ventaja en diversas circunstancias, p.ej. se pueden bobinar para facilitar su transporte, facilitan el almacenamiento y permiten el depósito de bobina-a- bobina ("roll-to-roH") reduciendo los costes de producción. En otra realización particular el sustrato está hecho de vidrio. En este caso, Ia textura piramidal micrométrica se puede obtener por repujado con un máster de silicio con una textura de pirámides, o con una textura de pirámides invertidas, utilizando métodos ya conocidos en Ia técnica (cf. p.ej. P. Campbell et al., "Light Trapping and Reflection Control for Silicon Thin Films Deposited on Glass Substrates Textured by Embossing", Proceedinqs of the 28th IEEE Photovoltaics Specialists Conference (Alaska) 2000, pp. 355-358). El sustrato de vidrio puede proveerse de una textura aleatoria nanométrica en el paso de repujado, utilizando un máster con ambos tipos de textura, piramidal micrométrica y nanométrica aleatoria, o en un paso aparte (p.ej. mediante pulverización de plata). A pesar del hecho que las células solares de película delgada sobre sustratos de vidrio son rígidas, las propiedades del vidrio hacen que su demanda sea alta.

Opcionalmente el sustrato de vidrio se puede recubrir con un material repujable y transparente, y las pirámides micrométricas y Ia estructura nanométrica se pueden estampar utilizando un máster con ambos tipos de textura, una piramidal micrométrica y una nanométrica aleatoria. Entonces se pueden depositar una o varias capas de TCO sobre esta disposición, y utilizarse en células solares de película delgada en una estructura tipo superstrato como se ilustra en Ia FIG. 7(B).

En otra realización particular el sustrato está hecho de un material metálico, opcionalmente recubierto con un material repujable. En una realización preferida el material metálico es acero inoxidable, el cual es flexible y mecánicamente resistente, Io que constituye una ventaja en ciertas circunstancias. Es este caso las pirámides micrométricas se pueden obtener a partir del repujado con un máster de silicio con una textura de pirámides, o con una textura de pirámides invertidas, utilizando métodos conocidos en Ia técnica (cf. p.ej. M. Heijna et al., "Nanoimprint Lithography of Light Trapping Structures in Sol-gel Coatings for Thin Film Silicon Solar CeIIs", Mater. Res. Soc. Svmp. Proc. 2008. vol. 1101 , pp. KK13-05, donde se utiliza un recubrimiento polimérico aislante de SiOx sobre el acero inoxidable). El sustrato metálico opcionalmente recubierto puede proveerse de una textura aleatoria nanométrica en el paso de repujado, utilizando un máster con ambos tipos de textura, piramidal micrométrica y nanométrica aleatoria, o en un paso aparte (p.ej. mediante pulverización de plata). A Io largo de Ia descripción y las reivindicaciones Ia palabra "comprende" y sus variantes no pretenden excluir otras características técnicas, aditivos, componentes o pasos. Para los expertos en Ia materia, otros objetos, ventajas y características de Ia invención se desprenderán en parte de Ia descripción y en parte de Ia práctica de Ia invención. Los siguientes ejemplos y dibujos se proporcionan a modo de ilustración, y no se pretende que sean limitativos de Ia presente invención. Además, Ia presente invención cubre todas las posibles combinaciones de realizaciones particulares y preferidas aquí indicadas.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS

La FIG. 1 (A) muestra una imagen tomada con microscopia electrónica de barrido (SEM, "scanning electrón microscopy") de Ia textura piramidal obtenida mediante ataque químico de una oblea de silicio (100) en una mezcla alcalina de KOH (5% w/w). La FIG. 1(B) compara las reflectancias (R) de una oblea plana (círculos llenos) y de una oblea con textura piramidal (triángulos). La línea continua de Ia gráfica representa (Rfi _at ) ² que son los valores esperados por una oblea con textura piramidal teniendo en cuenta el doble rebote con Ia superficie.

La FIG. 2(A) muestra una imagen SEM de Ia superficie de Ia oblea de silicio texturada, obtenida en el Ejemplo 1 y utilizada como máster en el procedimiento HEL del Ejemplo 2. La FIG. 2(B) muestra una imagen de SEM de Ia superficie de Ia réplica (pirámides invertidas) obtenida sobre PEN en el Ejemplo 2.

La FIG. 3(A) ilustra el doble rebote producido en Ia superficie de una oblea con textura piramidal cuando Ia luz llega perpendicularmente a Ia muestra. La FIG. 3(B), representa Ia función de distribución angular (ADF, "angular distribution function") de Ia luz dispersada por el máster de silicio con textura piramidal (círculos llenos) y su réplica sobre PEN (círculos vacíos). La práctica coincidencia de los valores de Ia ADF ilustra que el máster de silicio y Ia réplica en PEN presentan un comportamiento óptico equivalente. La FIG. 4(A) muestra una imagen de microscopía de fuerzas atómicas (AFM, "atomic forcé microscopy") de Ia textura aleatoria nanométrica de una capa de plata depositada por pulverización a 450 ⁰ C sobre silicio plano. La FIG. 4(B) es Ia imagen AFM de Ia textura aleatoria nanométrica obtenida sobre PEN plano, después de ser atacado en un plasma de oxígeno y argón, Ia cual es una textura similar a Ia que se obtiene sobre PEN con pirámides en el Ejemplo 4.

La FIG. 5 muestra imágenes SEM de superficies con Ia combinación de una textura piramidal micrométrica y una textura aleatoria nanométrica, como las obtenidas en el máster de silicio (A) y sobre PEN (B), según los Ejemplos 3 y 4, respectivamente.

La FIG. 6 representa el cambio en Ia absorción (1 - R) de Ia estructura PEN/Ag/a-Si:H (~250 nm) depositada sobre sustrato plano (círculos llenos), sobre una textura piramidal (triángulos), sobre una textura aleatoria nanométrica (signos más) y sobre Ia combinación de los dos últimos tipos de texturas (triángulos con signos más). Ilustra que las células solares de película delgada de Ia presente invención llevan a eficiencias cuánticas mejores que las correspondientes a texturas separadas, en todo el rango espectral.

La FIG. 7 es una representación esquemática de dos disposiciones de componentes conocidas y típicas en células solares de película delgada. La disposición (A) corresponde a Ia estructura tipo sustrato, y Ia de (B) corresponde a Ia estructura tipo superstrato.

EJEMPLOS

Ejemplo 1 : Preparación de un máster de silicio con textura piramidal micrométrica

La textura piramidal sobre silicio se obtuvo introduciendo obleas de silicio (100) durante una hora en una solución al 5% w/w de KOH y al 10% en volumen de alcohol isopropílico a 85 ⁰ C. Este procedimiento de ataque químico dio pirámides con un valor RMS de rugosidad alrededor de 5 μm. En Ia FIG. 1 (A) se muestra una imagen SEM de las pirámides obtenidas. Con el fin de analizar si estas pirámides tenían el comportamiento óptico esperado, en Ia FIG. 1(B) se comparó Ia reflectancia de una oblea con textura piramidal y Ia de una plana. La reflectancia teórica que se tendría que haber obtenido para Ia muestra con pirámides se muestra en Ia línea continua de Ia figura. Esta reflectancia teórica se estimó a partir del índice de refracción del silicio (n _s ¡), calculando Ia reflectancia en Ia interfaz aire/silicio (R = [(n _s ¡-1 )/(n _s ¡+1 )] ² ) y elevando al cuadrado R para tener en cuenta el doble rebote. La disminución de Ia reflectancia de Ia superficie con textura piramidal comparada con Ia plana está en buen acuerdo con los valores teóricos esperados.

Ejemplo 2: Preparación de textura piramidal micrométrica sobre PEN a partir de un máster de silicio

La textura piramidal del máster de silicio obtenida en el Ejemplo 1 se transfirió sobre una lámina de PEN mediante HEL (cf. S. Chou et al., "Imprint of sub-25 nm vias and trenches in polymers", Applied Physics Letters 1995, vol. 67. pp. 3114-3116). El repujado se llevó a cabo mediante un sistema HEL HEX 01 de Jenoptik Mikrotechnik utilizando un máster de silicio de 4*4 cm ² ; el PEN se calentó hasta 200 ⁰ C y se aplicó una fuerza de 18 kN sobre el conjunto máster-polímero durante 1.200 s.

Las imágenes SEM de las superficies del máster y del PEN repujado se muestran en Ia FIG. 2(A) y 2(B) respectivamente. El PEN tenía Ia superficie con las pirámides que correspondían a las del máster, pero invertidas. Si Ia textura se había transferido correctamente, las pirámides invertidas tendrían que presentar un comportamiento óptico similar al de las pirámides del máster. En este caso, Ia textura transferida sobre el PEN parecía ser correcta ya que prácticamente no se observan zonas planas entre pirámides en Ia FIG. 2(B). Además, se comprobó ópticamente el hecho de que las dos texturas tenían el efecto deseado, como se explica a continuación.

La trayectoria de un fotón incidiendo perpendicularmente sobre las pirámides de una oblea de silicio (100) con textura piramidal micrométrica se ilustra esquemáticamente en Ia FIG. 3(A). La luz debería salir de Ia muestra formando un ángulo teórico de 22.9° medido desde Ia dirección de incidencia. La FIG. 3(B) representa Ia función de distribución angular (ADF) de Ia luz dispersada medida por el máster de silicio y por Ia muestra de PEN estampada, utilizando luz de 635 nm. Se observa que las dos medidas tenían Ia misma forma con un pico a 25° medidos desde Ia dirección especular. Este resultado confirmó Ia equivalencia óptica entre Ia superficie de pirámides del máster de silicio y Ia superficie de pirámides invertidas de Ia muestra de PEN estampada.

Ejemplo 3: Preparación de un máster de silicio con Ia combinación de una textura aleatoria nanométrica y una piramidal micrométrica

La textura nanométrica se obtuvo sobre las pirámides preparadas en el Ejemplo 1 , depositando una capa de plata de 700 nm de espesor a 450 ⁰ C mediante pulverización ("sputtering"). El valor RMS de rugosidad de esta textura era de unos 47 nm y los granos que formaban esta rugosidad presentaban un periodo promedio entre picos de 1.232 nm. Texturas nanométricas aleatorias similares están descritas en el documento citado de V. Terrazzoni-Daudrix et al., y su uso confiere a las células solares de silicio amorfo ganancias ópticas del 20% en Ia región de largas longitudes de onda comparándolas con dispositivos análogos depositados sobre sustratos planos. La FIG. 5(A) ilustra el resultado alcanzado.

Con el fin de ilustrar Ia textura nanométrica obtenida, se depositó una capa de plata sobre silicio plano utilizando el mismo procedimiento de preparación. La rugosidad obtenida se muestra en Ia imagen AFM de Ia FIG. 4(A). El valor de rugosidad RMS y Ia longitud de correlación fueron de 47 y 270 nm, respectivamente. La caracterización morfológica se completó calculando Ia altura característica promedio (AFH, "average feature height") (173.9 nm), Ia distancia media entre picos (d _p-p ) (1.232 nm) y su cociente (AFH/d _p-p ) (0.14), siguiendo los métodos de cálculo descritos en el articulo citado de V. Terrazzoni-Daudrix et al. En este documento se encontró experimentalmente que valores del cociente AFH/d _p-p próximos a 0.2 combinados con valores de rugosidad RMS alrededor de 50 nm son buenos para confinar Ia luz dentro de las células solares de silicio amorfo. Por Io tanto, Ia textura que se obtuvo en este ejemplo era Io suficiente buena para ser usada en este tipo de células solares de película delgada. Ejemplo 4: Preparación de Ia textura aleatoria nanométrica mediante ataque químico sobre PEN previamente provisto de una textura piramidal micrométrica

La estructura nanométrica se consiguió sobre las pirámides obtenidas en el Ejemplo 2 mediante ataque químico ("etching") de Ia muestra de PEN estampada en un plasma reactivo realizado con un flujo de 15 centímetros cúbicos en condiciones estándar por minuto (sccm, "standard cubic centimerter per minute") de oxígeno y con argón (15 sccm). El ataque químico se realizó durante 8 minutos utilizando un sistema RIE Plasmalab 80 de Oxford Instruments, trabajando a una presión y a una potencia RF de 150 mTorr y 200 W, respectivamente. La textura nanométrica que se obtuvo presentaba un valor de rugosidad RMS alrededor de 47 nm y un período promedio entre picos de 498 nm. La FIG. 5(B) ¡lustra el resultado conseguido.

Con el fin de ilustrar Ia textura nanométrica obtenida, el mismo procedimiento de preparación se realizó sobre PEN plano. La imagen AFM de Ia superficie que se obtuvo se muestra a Ia FIG. 4(B). Su rugosidad de caracterizó morfológicamente calculando Ia RMS de rugosidad (47 nm), Ia longitud de correlación (117 nm), Ia AFH (205.5 nm), Ia d _p-p (498 nm) y el cociente

AFH/dp-p (0.41 ). En este caso, el valor RMS de rugosidad era similar al de Ia muestra de plata, mostrada en Ia FIG. 4(A).

Ejemplo 5. Incremento de absorción debido a Ia combinación de una textura aleatoria nanométrica v una textura piramidal micrométrica sobre PEN

El efecto de Ia doble textura se estudió ópticamente midiendo Ia absorbancia de una capa de plata y una de silicio amorfo (espesor ~ 250 nm) depositadas sobre distintos sustratos de PEN texturado (plano, textura piramidal micrométrica, textura nanométrica, textura piramidal + nanométrica). Los resultados se muestran en Ia FIG. 6, donde se observa que el efecto antirreflectante producido por Ia textura piramidal micrométrica es más eficiente a longitudes de onda cortas que el producido por Ia textura nanométrica. Es señalable que a longitudes de onda larga Ia textura nanométrica es más eficiente que Ia textura piramidal. En cualquier caso, el resultado más importante es que Ia absorción más alta en todo el rango espectral Ia consiguió Ia muestra con ambas texturas combinadas. Esto indica que las células solares de película delgada de Ia presente invención proporcionan mejores eficiencias cuánticas que las correspondientes con texturas separadas, en todo el rango espectral.