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Title:
THIN LAYERED SOLAR MODULE HAVING A COMPOSITE WAFER STRUCTURE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2012/049157
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a thin layered solar module (1) having a plurality of serially connected thin layer solar cells (11) for producing photovoltaic energy. Said module comprises two substrates (2, 10) which are interconnected by an adhesive layer (9). Each solar cell has a layer structure arranged between the two substrates, comprising a first electrode layer (5), a second electrode layer (8) and a semi-conductor layer (6) which is arranged between both electrode layers. Said semi-conductor layer forms an pn-junction and is doped with a doping material. Essentially, the adhesive layer comprises a certain amount of doping material such that the doping material from the semi-conductor layer is prevented from diffusing into the adhesive layer.

Inventors:
DOECH MATTHIAS (DE)
STETTER WALTER (DE)
Application Number:
PCT/EP2011/067700
Publication Date:
April 19, 2012
Filing Date:
October 11, 2011
Export Citation:
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Assignee:
SAINT GOBAIN (FR)
DOECH MATTHIAS (DE)
STETTER WALTER (DE)
International Classes:
B32B17/10; H01L31/048; C08K5/103; C09D123/08; H01L31/0336; H01L31/0749
Domestic Patent References:
WO2009135930A22009-11-12
WO2009149000A22009-12-10
WO2002103809A12002-12-27
Foreign References:
US20100224235A12010-09-09
US20100108126A12010-05-06
US20100108125A12010-05-06
US20080210287A12008-09-04
DE102009013903A12010-09-23
US5476553A1995-12-19
Attorney, Agent or Firm:
GEBAUER, DIETER (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Dünnschichtsolarmodul (1) mit einer Mehrzahl seriell verschalteter Dünnschichtsolarzellen (11) zur photovoltai- sehen Energieerzeugung, welches zwei durch eine Klebeschicht (9) miteinander verbundene Substrate (2, 10) um- fasst, wobei jede Solarzelle (11) einen zwischen den beiden Substraten (2, 10) angeordneten Schichtenaufbau (3) aufweist, der eine erste Elektrodenschicht (8), eine zweite Elektrodenschicht (5) und zumindest eine zwischen den bei¬ den Elektrodenschichten (5, 8) angeordnete Halbleiterschicht (6) umfasst, wobei die Halbleiterschicht (6) einen pn-Übergang bildet und mit einem Dotierstoff dotiert ist, wobei die Klebeschicht (9) den Dotierstoff in einer solchen Menge aufweist, dass eine Diffusion des Dotierstoffs von der Halbleiterschicht (6) in die Klebeschicht (9) unterbun¬ den ist.

2. Dünnschichtsolarmodul (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (6) eine Chalko- pyritverbindung, insbesondere Cu(In,Ga) (S,Se)2, enthält.

3. Dünnschichtsolarmodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, da¬ durch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (6) als Dotierstoff Natriumionen, Kaliumionen oder Lithiumionen enthält .

4. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebeschicht (9) den Dotierstoff in einem Anteil von 0,1 bis 4 Gewichtspro¬ zent und insbesondere 0,5 bis 2 Gewichtsprozent aufweist.

5. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebeschicht (9) aus einer den Dotierstoff ionisch bindenden Verbindung besteht oder eine solche Verbindung umfasst.

6. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebeschicht (9) Ionomere, insbesondere Copolymere der Formel A-B, wobei A unpolare Kohlenwasserstoffgruppen und B Kohlenwasserstoff gruppen mit natriumgebundenen organischen Säuregruppen sind, enthält.

7. Dünnschichtsolarmodul (1) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Copolymere der Formel A-B folgen Gruppen enthalten:

A = -(CH2-CHRi)n und B = - ( (R3- ) C ( -R2 ) (-CH2) )m, mit

R2 = COONa, -CH2-COONa, S03Na, oder -H2CSNa

R3 = H, CH3, CH2-CH3 oder Phenyl,

wobei n, m > 10 gilt.

8. Dünnschichtsolarmodul (1) nach Anspruch 6 oder 7, da durch gekennzeichnet, dass die Copolymere der Formel A-B den Bestandteil B in einer Menge von 5 bis 30 Gewichtspro zent, insbesondere 10 bis 20 Gewichtsprozent, enthalten.

9. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein relativer Anteil der aciden Protonen der Ionomere, welche durch den Dotier stoff substituiert wurden, bezogen auf die Gesamtmenge an aciden Protonen vor der Substitution mit dem Dotierstoff, weniger als 5% beträgt.

10. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotierstoff zumin dest an einer der Halbleiterschicht (6) zugewandeten Ober fläche der Klebeschicht (9) adsorbiert ist.

11. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebeschicht (9) einen Wassergehalt von weniger als 0,1 % aufweist.

12. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein umlaufender Rand¬ spalt zwischen den beiden Substraten (2, 10) mit einem als Barriere für Wasser dienenden Dichtmaterial abgedichtet ist .

13. Dünnschichtsolarmodul (1) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Dichtmaterial so ausgebildet ist, dass es Wasser chemisch und/oder physikalisch binden kann.

14. Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektroden¬ schicht eine transparente Frontelektrodenschicht (8) und die zweite Elektrodenschicht eine opake Rückelektroden- schicht (5) ist, wobei zwischen einem auf einer von der Frontelektrodenschicht abgewandten Seite der Rückelektro¬ denschicht angeordneten Substrat (2) und der Rückelektro¬ denschicht (5) eine für den Dotierstoff undurchlässige Bar¬ rierenschicht angeordnet ist.

15. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 14, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

Bereitstellen von zwei Substraten (2, 10) mit einem zwischen den beiden Substraten (2, 10) angeordneten Schichtenaufbau (3), der eine erste Elektrodenschicht (8), eine zweite Elektrodenschicht (5) und zumindest eine zwischen den beiden Elektrodenschichten (5, 8) angeordnete Halbleiterschicht (6) umfasst, wobei die Halbleiterschicht (6) einen pn-Übergang bildet und mit einem Dotierstoff dotiert ist,

Verbinden der beiden Substrate mit einer Klebeschicht (9) unter Einwirkung von Hitze, Vakuum und/oder Druck, wobei die Klebeschicht (9) den Dotierstoff der Halbleiter- schicht (6) in einer solchen Menge aufweist, dass eine Dif¬ fusion des Dotierstoffs von der Halbleiterschicht (6) in die Klebeschicht (9) unterbunden ist.

16. Verwendung einer Klebeschicht (9) in einem Dünnschichtsolarmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die Klebeschicht (9) einen Dotierstoff in einer sol¬ chen Menge aufweist, dass die Diffusion des Dotierstoffs aus der dotierten Halbleiterschicht (6) in die Klebeschicht (9) unterbunden ist.

17. Verwendung einer Klebeschicht (9) mit einem Natriumgehalt von 0,1 bis 4 Gewichtsprozent in einem Dünnschichtso- larmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 14 zur Unterbindung der Diffusion von Natrium aus einer Natriumdotierten Halbleiterschicht (6), insbesondere aus einer Natrium-dotierten Cu(In,Ga) (S, Se) 2~Schicht, in die Klebe¬ schicht (9) .

Description:
Dünnschichtsolarmodul mit Verbundscheibenstruktur

Beschreibung Die Erfindung betrifft nach ihrer Gattung ein Dünnschichtsolarmodul mit einer Verbundscheibenstruktur.

Photovoltaische Schichtsysteme zur direkten Umwandlung von Sonnenstrahlung in elektrische Energie sind hinreichend bekannt. Die Materialien und die Anordnung der Schichten sind so abgestimmt, dass einfallende Lichtstrahlung von einer oder mehreren halbleitenden Schichten mit möglichst hoher Strahlungsausbeute direkt in elektrischen Strom umgewandelt wird. Photovoltaische Schichtsysteme werden auch als "Solarzellen" bezeichnet. Mit dem Begriff "Dünnschicht ¬ solarzellen" bezeichnet man photovoltaische Schichtsysteme mit Dicken von nur wenigen Mikrometern, welche Trägersubstrate zur Bereitstellung einer ausreichenden mechanischen Festigkeit benötigen.

Hinsichtlich des Wirkungsgrads haben sich Dünnschicht ¬ solarzellen auf Basis polykristalliner Chalkopyrit- Halbleiter als vorteilhaft erwiesen, wobei sich insbe ¬ sondere Kupfer-Indium-Diselenid (CuInSe 2 bzw. CIS) auf- grund seines an das Spektrum des Sonnenlichts angepass- ten Bandabstands durch einen besonders hohen Absorpti ¬ onskoeffizienten auszeichnet.

Bekannte Trägersubstrate für Dünnschichtsolarzellen enthal- ten anorganisches Glas, Polymere oder Metalllegierungen und können in Abhängigkeit von der Schichtdicke und Materialei ¬ genschaften als starre Platten oder biegsame Folien ausgestaltet sein. Aufgrund der weitreichend verfügbaren Träger ¬ substrate und einer einfachen monolithischen Integration können großflächige Anordnungen von Dünnschichtsolarzellen kostengünstig hergestellt werden. Da mit einzelnen Solarzellen in der Regel nur Spannungspegel von weniger als 1 Volt erreichbar sind, werden in der Regel viele Solarzellen in einem Solarmodul seriell verschaltet, um auf diese Weise eine technisch brauchbare Ausgangsspannung zu erhalten. Dabei bieten Dünnschicht solarmodule den besonderen Vorteil, dass die Dünnschichtsolarzellen schon während der Schichtenherstellung in integrierter Form seriell verschaltet werden können.

Die Solarmodule müssen vor Umwelteinflüssen dauerhaft ge ¬ schützt werden. Üblicherweise sind zu diesem Zweck eisenar ¬ me Kalk-Natron-Gläser und haftvermittelnde Polymerfolien mit den Solarzellen zu einem bewitterungsstabilen Solarmo- dul verbunden. Die haftvermittelnden Polymerfolien enthalten beispielsweise Polyvinylbutyral (PVB) , Ethylenvinylace- tat (EVA) , Polyethylen (PE) , Polyethylenacrylcopolymer oder Polyacrylamid (PA) . Haftvermittelnde Polymerfolien mit io ¬ nischen Polymeren sind beispielsweise aus den Druckschrif- ten US 5,476,553 und WO 2009/149000 bekannt.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, herkömmliche Dünnschicht solarmodule der in Rede stehen ¬ den Art in vorteilhafter Weise weiterzubilden, wobei insbesondere alterungs- und witterungsbedingte Leis ¬ tungseinbußen der Solarmodule bei vergleichsweise nied ¬ rigen Fertigungskosten verringert werden sollen. Diese und weitere Aufgaben werden nach dem Vorschlag der Erfindung durch ein Dünnschicht solarmodul mit den Merkma- len des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhaf ¬ te Ausgestaltungen der Erfindung sind durch die Merkmale der Unteransprüche angegeben.

Erfindungsgemäß ist ein Dünnschichtsolarmodul mit Ver- bundscheibenstruktur gezeigt. Das Dünnschichtsolarmodul weist eine Mehrzahl seriell miteinander verbundener Dünnschichtsolarzellen zur photovoltaischen Energieerzeugung auf, die vorzugsweise in integrierter Form verschaltet sind .

Nach seiner Gattung umfasst das Dünnschichtsolarmodul zwei durch eine Klebeschicht (Verkapselungsmaterial ) fest mit ¬ einander verbundene Substrate. Dabei verfügt jede Solarzel ¬ le über einen zwischen den beiden Substraten angeordneten Schichtenaufbau, der eine erste Elektrodenschicht, eine zweite Elektrodenschicht und zumindest eine zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnete Halbleiterschicht aufweist. Es versteht sich, dass diese Schichtenaufzählung keineswegs vollständig ist, sondern dass der Schichtenauf ¬ bau vielmehr noch weitere Schichten enthalten kann. Darüber hinaus kann jede Schicht eine oder mehrere Einzellagen um- fassen. Durch den Schichtenaufbau der Solarzellen wird jeweils ein Hetero- bzw. pn-Übergang, das heißt eine Abfolge von Schichten mit unterschiedlichem Leitungstyp, gebildet. Wie üblich ist die Halbleiterschicht mit einem Dotierstoff, in der Regel Metallionen, dotiert. Vorzugsweise besteht die Halbleiterschicht aus einer Chalkopyritverbindung, bei der es sich insbesondere um einen I-III-VI-Halbleiter aus der Gruppe Kupfer- Indium/Gallium-Dischwefei/Diselenid

(Cu(In,Ga) (S,Se) 2 ) / beispielsweise Kupfer-Indium-Diselenid (CuInSe 2 bzw. CIS) oder verwandte Verbindungen, handeln kann. Die Dotierung erfolgt vorzugsweise mit Natrium, Kali ¬ um und/oder Lithium, wobei der Dotierstoff in der Halbleiterschicht ionisch vorliegt. Die Natrium-, Kalium- oder Lithium-Dotierung führt zu einer intrinsischen Dotierung des Kupfer- Indium/Gallium-Dischwefei/Diselenids

(Cu(In,Ga) (S,Se) 2 ) durch Eigendefektbildung.

Hierbei ist wesentlich, dass die die beiden Substrate miteinander verbindende Klebeschicht den für die Dotie ¬ rung der Halbleiterschicht eingesetzten Dotierstoff (in der Regel Metallionen) in einer solchen Menge aufweist, dass eine Diffusion des Dotierstoffs von der Halbleiterschicht in die Klebeschicht unterbunden ist. Wie Versuche der Anmelderin überraschend gezeigt haben, kann eine Diffusion des geladenen Dotierstoffs aus der Halbleiterschicht in die Klebeschicht zumindest vermin ¬ dert werden, wenn der Dotierstoff in der Klebeschicht wenigstens in einer bestimmten Mindest konzentrat ion enthalten ist. Somit kann in vorteilhafter Weise die Langzeitstabilität des Solarmoduls verbessert und einer Leistungseinbuße aufgrund einer durch Alterung auftre ¬ tenden verringerten Dotierstoffkonzentrat ion in der Halbleiterschicht entgegengewirkt werden.

Die Ausdiffusion des geladenen Dotierstoffs aus der Halbleiterschicht geht stets mit einer Eindiffusion ei ¬ nes geladenen Teilchens vom gleichen Ladungstyp einher, so dass beim Di f fus ionsVorgang letztlich ein Austausch zwischen Ionen gleicher Ladung erfolgt. Enthält die Klebeschicht den zur Dotierung der Halbleiterschicht dienenden Dotierstoff in einer für die gewünschte Funk ¬ tion ausreichenden Menge verändert sich somit die Do- tierstof fkonzentrat ion der Halbleiterschicht nicht oder zumindest nicht in einer solchen Weise, dass eine we ¬ sentliche alterungsbedingte Leistungseinbuße auftritt.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsge- mäßen Dünnschichtsolarmoduls besteht die die beiden

Substrate miteinander verbindende Klebeschicht aus ei ¬ nem Material, das aus einer Verbindung besteht oder diese zumindest umfasst, die den zur Dotierung der Halbleiterschicht eingesetzten Dotierstoff ionisch ge- bunden enthält. Die Ionen des Dotierstoffs der Klebeschicht stehen somit in geeigneter Weise als Diffusionspartner für die gleichartigen Ionen der Halbleiterschicht zur Verfü ¬ gung. Vorzugsweise ist oder umfasst das Material der Klebe ¬ schicht zu diesem Zweck eine haftvermittelnde Polymer- schicht, insbesondere ein ionisches Polymer (Ionomer), wel ¬ ches einfach zu handhaben und in der industriellen Serienfertigung kostengünstig einsetzbar ist. Der teilweise oder vollständige Austausch von Ionen des Ionomers durch die zur Dotierung der Halbleiterschicht ein ¬ gesetzten Ionen kann chemisch in einfacher Weise durchgeführt werden, so dass die Konzentration des Dotierstoffs in der Klebeschicht einfach und zuverlässig einstellbar ist. Bei der Verwendung von Ionomeren ist es bevorzugt, wenn das Ionomer über relativ lange, nicht-ionische Alkylenketten verfügt. Durch diese Alkylenketten weist die Klebeschicht in vorteilhafter Weise trotz der ionischen Abschnitte des Polymers eine relativ geringe elektrische Leitfähigkeit auf, so dass die elektrisch isolierende Eigenschaft der Klebeschicht durch die ionische Eigenschaft des Ionomers nicht oder nur geringfügig beeinträchtigt wird. Die die beiden Substrate miteinander verbindende Klebe ¬ schicht enthält bevorzugt Ionomere, d.h. organische Polyme ¬ re mit ionischen funktionellen Gruppen. Dabei enthält die Klebeschicht vorzugsweise Copolymere und/oder Block- Copolymere der Formel A-B, wobei A lineare oder verzweigte unpolare Kohlenwasserstoffgruppen und B Kohlenwasserstoff ¬ gruppen mit natriumgebundenen Säuregruppen sind. Der Ausdruck "unpolare Kohlenwasserstoffgruppen" umfasst im Sinne der Erfindung gesättigte und ungesättigte Kohlenwasser ¬ stoffgruppen ohne polare funktionelle Gruppen. Der Ausdruck "natriumgebundene Säuregruppen" umfasst im Sinne der Erfin ¬ dung organische Säuregruppen, deren acide Protonen teilweise oder ganz durch Natriumionen ersetzt sind. Die Ersetzung der aciden Protonen kann beispielsweise durch Umsetzung mit Natronlauge erfolgen.

In einer möglichen Ausgestaltung sind 20 % bis 90 % der aciden Protonen durch die Dotierstoffionen, insbesondere Natriumionen, ersetzt, wodurch in vorteilhafter Weise eine besonders hohe Stabilität der Halbleiterschicht erreicht werden kann. In einer anderen möglichen Ausgestaltung sind weniger als 5 % der aciden Protonen (jedoch mehr als 0 %) durch Dotierstoffionen, insbesondere Natriumionen, ersetzt, wodurch in vorteilhafter Weise eine besonders hohe Haftung der Klebschicht an den beiden Substraten erreicht werden kann. Dies gilt insbesondere für gläserne Substrate, bei denen sich Wasserstoffbrückenbindungen zwischen den aciden Protonen der Klebeschicht und Si-Atomen der Substrate aus- bilden können. Von Vorteil kann es insbesondere sein, wenn ein relativer Anteil der aciden Protonen, welche durch die Dotierstoffionen, insbesondere Natriumionen, ersetzt sind, in einem Bereich von 0,1 % bis weniger als 5%, insbesondere 1 % bis 4 %, insbesondere 2 % bis 4%, insbesondere 3 % bis 4 % liegt. Obige Prozentangaben geben den relativen Anteil der substituierten aciden Protonen, bezogen auf die Gesamtmenge der aciden Protonen vor der Substitution, an. Die Prozentangaben entsprechen somit einem Substitutionsgrad des Materials der Klebeschicht.

Die Gruppen A und B können im Copolymer sowohl alternierend -A-B-A-B-A- als auch nicht-alternierend, beispielsweise in der Folge -A-A-B-A-B-B-B- oder -A-A-A-A-A-B-B-B-B- , vorkommen. Die Klebeschicht enthält bevorzugt noch weitere ther- moplastische Polymere wie Polyolefine, Polyethylen, Po ¬ lypropylen, Polyacrylate, Ethylacrylat , Methylacrylat , Po- lyvinylalkohol , Polyvinylacetat , Polyvinylacetale und/oder Polyamid. Die Klebeschicht enthält bevorzugt 5 bis 30 Gew.- % (Gewichtsprozent) an Copolymeren der Formel A-B.

Die Klebeschicht enthält bevorzugt Copolymere der allgemei ¬ nen Formel A-B = - [ (CH 2 -CHRi) n - ( (R 3 -) C (-R 2 ) (-CH 2 ) ) m ] wobei Ri = H, CH 3 , oder CH 2 -CH 3 ,

R 2 = -COONa, -CH 2 -COONa, S0 3 Na, oder -H 2 CSNa, und

- R 3 = H, CH 3 , CH 2 -CH 3 oder Phenyl

sein können. Die Buchstaben n und m entsprechen Zahlen > 5, bevorzugt > 10, besonders bevorzugt > 25 und können gleiche oder verschiedene Werte annehmen. Im Rahmen der Polymermo- lekülgewichtsverteilung sind auch gemittelte, nicht ganze Werte von n und m möglich. Die Herstellung der erfindungsgemäßen Copolymere kann beispielsweise durch Copolymerisa- tion von Ethylen und Methacrylsäure erfolgen. Von Vorteil kann es sein, wenn die Klebeschicht Copolymere enthält, in denen als Reste R 2 ausschließlich -H 2 CSNa enthalten sind.

Die Copolymere der Formel A-B enthalten den Bestandteil B bevorzugt in einer Menge von 5 bis 30 Gew.-% der Komponente B, besonders bevorzugt in einer Menge von 10 bis 20 Gew.-%.

Zusätzlich oder alternativ kann der geladene Dotierstoff beispielsweise zumindest an einer der Halbleiterschicht zugewandten Oberfläche (alternativ an beiden Oberflächen) der Klebeschicht adsorbiert sein. Durch diese Maßnahme kön ¬ nen die adsorbierten Ionen einer Verringerung der Konzentration des Dotierstoffs in der Halbleiterschicht besonders wirksam entgegen wirken. Eine Klebefolie zum Verkleben der beiden Substrate durch Aufschmelzen bei Temperaturerhöhung kann in der industriellen Serienfertigung besonders einfach und kostengünstig mit adsorbierten Dotierstoffionen versehen werden. Es genügt hierzu beispielsweise, die Klebefolie in ein entsprechendes Tauchbad mit einer den Dotierstoff enthaltenden Lösung einzutauchen. Alternativ wäre auch denkbar, die Klebefolie mit dieser Lösung zu besprühen. Im Sinne vorliegender Erfindung wird unter dem Begriff "Adsorption" das Anhaften des Dotierstoffs an den Oberflächen der Klebefolie verstanden, ungeachtet der Natur der Bindung des Dotierstoffs an die Oberflächen. Insbesondere sollen Bindungsmechanismen umfasst sein, welche im Rahmen der "chemischen Adsorption" oder "physikalischen Adsorption" in Fachkreisen bekannt sind. Allgemein hängt die Konzentrati ¬ on des Dotierstoffs, welche in der Klebeschicht für eine Hemmung der Ausdiffusion des Dotierstoffs aus der Halbleiterschicht enthalten sein muss, von der Konzentration des Dotierstoffs in der Halbleiterschicht ab. Typischer Weise liegt eine Massenbelegung bei einem mit Natriumionen dotierten Chalkopyrit-Halbleiter der Gruppe Kupfer- Indium/Gallium-Dischwefel/Diselenid (Cu(In,Ga) (S,Se) 2 ) im Bereich von 200 - 1000 ng/cm 2 . Insbesondere für diesen Fall ist es bevorzugt, wenn der relative Anteil der in der Kle ¬ beschicht enthaltenen Metallionen in Bezug auf das gesamte Material der Klebeschicht in einem Bereich von 0,1 bis 4 Gew.-%, stärker bevorzugt in einem Bereich von 0,5 bis 2 Gew.-% und noch stärker bevorzugt in einem Bereich von 1 bis 2 Gew.-% liegt. Die Metallionen können beispielsweise in einem Bereich von mehr als 1,5 Gew.-% bis 2 Gew.-%, insbesondere 1,6 Gew.-% bis 2 Gew.-% in der Klebeschicht enthalten sein. Die Prozentangaben beziehen sich hier auf das Gesamtgewicht des in der Klebeschicht enthaltenen

Materials. Wie Versuche der Anmelderin gezeigt haben, kann bei einem solchen Gehalt an Metallionen in der Klebeschicht einer Ausdiffusion der zur Dotierung eingesetzten Metallionen aus der Halbleiterschicht in zufrieden stellender Weise entgegen gewirkt werden. Wie weiter oben bereits angegeben wurde, kann es insbesondere im Hinblick auf die Haftung der Klebeschicht an den beiden Substraten von Vorteil sein, wenn der relative Anteil der Dotierstoffionen, insbesondere Metallionen, bezogen auf die Gesamtmenge an aciden Protonen vor der Substitution, weniger als 5 % (jedoch mehr als 0%) beträgt .

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Dünnschichtsolarmoduls ist die Klebe ¬ schicht mit den benachbarten bzw. den die Klebeschicht kontaktierenden Schichten ionisch und/oder kovalent verbunden. Durch diese Maßnahme, insbesondere durch die kovalente Bin ¬ dung zwischen der Klebeschicht und den benachbarten Schichten, kann eine weitere Verbesserung der Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls durch eine Hemmung des Zutritts von Wasser zu der Halbleiterschicht erreicht werden. Da durch die Wassermoleküle Wasserstoffionen als Austauschpartner zur Verfügung gestellt werden, wird durch die vorgeschlagene Maßnahme einer Ausdiffusion von Metallionen, welche durch im Dünnschichtsolarmodul vorhandenes Wasser verursacht wird, entgegen gewirkt. Die Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls kann dadurch noch weiter verbes ¬ sert werden. Eine kovalente Bindung zwischen der Klebeschicht und den diese kontaktierenden Schichten kann vorzugsweise so erreicht werden, dass die Klebeschicht eine Verbindung auf ¬ weist, welche anorganische Hydridverbindungen mit den Mate- rialien der benachbarten bzw. den die Klebeschicht kontaktierenden Schichten ausbilden kann. Die Klebeschicht kann zu diesem Zweck beispielsweise Alkylsilane oder Alkylalane in einer geeigneten Menge enthalten. Diese Verbindung kann beispielsweise dem Material der Klebeschicht zugemischt werden. Alternativ kann eine aus dieser Verbindung bestehende Schicht jeweils zwischen der Klebeschicht und den benachbarten bzw. den die Klebeschicht kontaktierenden Schichten angeordnet sein. Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Dünnschichtsolarmoduls weist die Klebe ¬ schicht einen Wassergehalt von weniger als 0,1 % auf oder ist gänzlich frei von Wasser. Auch durch diese Maßnahme kann die Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls durch eine Hemmung der Ausdiffusion von Metallionen aus der Halbleiterschicht durch eine Verminderung der Menge mögli ¬ cher Austauschpartner (Wasserstoffionen) noch weiter verbessert werden. Als Klebeschicht verwendete Ionomer-Folien nach dem Stand der Technik weisen zur Erniedrigung des Feuchtigkeitsgehalts einen gewissen Anteil an Zink auf, wie beispielsweise aus WO 02/103809 AI bekannt ist. Wie Versuche der Anmelde ¬ rin mit einem so genannten Dry-Heat-Alterungstest in über- raschender Weise ergeben haben, wird der Wirkungsgrad von Cu(In,Ga) ( S , Se ) 2 _ Dünnschichtsolarzellen mit Klebeschichten mit einem Zink-Gehalt von 0,7 Gew.-% bei einer Temperatur von 85°C deutlich erniedrigt. Dies lässt sich durch Ionenaustausch von Zink aus der Klebeschicht und Natrium, Kalium und/oder Lithium in der Cu(In,Ga) ( S , Se ) 2 ~Schicht erklären. Durch die erhöhte Temperatur wird der Austausch der Ionen beschleunigt und die Eigendefektstruktur des Absorbers emp ¬ findlich gestört. Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des er- findungsgemäßen Dünnschichtsolarmoduls ist ein umlau ¬ fender Randspalt zwischen den beiden Substraten mit einem als Barriere für Wasser dienenden Dichtmaterial abgedichtet. Auch durch diese Maßnahme kann die Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls durch eine Hemmung der Ausdiffu ¬ sion von Metallionen aus der Halbleiterschicht durch eine Verminderung der Menge an Wassermolekülen, durch die ein möglicher Austauschpartner (Wasserstoffionen) für die Metallionen in der Halbleiterschicht bereit gestellt wird, noch weiter verbessert werden. Vorteilhaft ist das Dichtma ¬ terial so ausgebildet, dass es Wasser chemisch (z.B. durch Kalziumcarbonat CaO) und/oder physikalisch (z.B. durch Zeo- lithe) binden kann. Ein wesentlicher Vorteil eines solchen Dichtmaterials ergibt sich aus der Tatsache, dass es als Senke für Wassermoleküle dient und somit Wasser auch im Randbereich zwischen den beiden Substraten anziehen und binden kann, um so den Wassergehalt im Dünnschichtsolar- modul zu senken.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Dünnschichtsolarmoduls ist die erste Elektrodenschicht in Form einer transparenten Frontelektro- denschicht und die zweite Elektrodenschicht als eine opake Rückelektrodenschicht ausgebildet. Vorzugsweise ist zwi ¬ schen einem auf einer von der Frontelektrodenschicht abge ¬ wandten Seite der Rückelektrodenschicht angeordneten Sub ¬ strat und der Rückelektrodenschicht eine für den Dotier- stoff, insbesondere Metallionen, undurchlässige Barrieren ¬ schicht angeordnet. Auch durch diese Maßnahme kann die Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls noch weiter verbessert werden. Die Erfindung erstreckt sich weiterhin auf ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls. Das Verfahren umfasst einen Schritt, bei dem zwei Substrate mit einem zwischen den beiden Substraten angeordneten Schichtenaufbau bereitgestellt werden. Dabei umfasst der Schichtenaufbau eine erste Elektrodenschicht, eine zweite Elektrodenschicht und zumindest eine zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnete Halbleiterschicht, wobei die Halbleiterschicht einen pn-Übergang bildet und mit einem Dotierstoff dotiert ist. Das Verfahren umfasst einen weiteren Schritt, bei dem die beiden Substrate mit einer Klebeschicht unter Einwir ¬ kung von Hitze, Vakuum und/oder Druck verbunden werden. Die verwendete Klebeschicht weist den Dotierstoff der Halblei- terschicht in einer solchen Menge auf, dass eine Diffusion des Dotierstoffs von der Halbleiterschicht in die Klebe ¬ schicht unterbunden ist.

Die Verbindung des Dünnschichtsolarmoduls erfolgt bei- spielsweise mit an sich bekannten Laminationsverfahren, beispielsweise mit Autoklavprozessen oder Vakuumverfahr so dass hier nicht näher darauf eingegangen werden muss

Ferner erstreckt sich die Erfindung auf die Verwendung ei- ner Klebeschicht in einem wie oben beschriebenen Dünnschichtsolarmodul, wobei die Klebeschicht den in der Halb ¬ leiterschicht des Dünnschichtsolarmoduls enthaltenen Do ¬ tierstoff in einer solchen Menge aufweist, dass die Diffu ¬ sion des Dotierstoffs aus der dotierten Halbleiterschicht in die Klebeschicht unterbunden ist.

Des Weiteren erstreckt sich die Erfindung auf die Verwendung einer Klebeschicht mit einem Natriumgehalt von 0,1 bis 4 Gew.-% in einem wie oben beschriebenen Dünnschichtsolar- modul mit Natrium-dotierter Halbleiterschicht, insbesondere einer Natrium-dotierten Cu(In,Ga) ( S , Se ) 2 ~Schicht . Durch den Natriumgehalt der Klebeschicht wird die Diffusion von Nat ¬ rium aus der Natrium-dotierten Halbleiterschicht in die Klebeschicht unterbunden.

Die Erfindung erstreckt sich auch auf die Verwendung einer Klebeschicht in einem wie oben beschriebenen Dünnschichtso ¬ larmodul, welche Ionomere, insbesondere Copolymere der For- mel A-B, wobei A unpolare Kohlenwasserstoffgruppen und B Kohlenwasserstoffgruppen mit natriumgebundenen organischen Säuregruppen sind, enthält. Hierbei können die Copolymere der Formel A-B insbesondere folgende Gruppen enthalten: A = -(CH 2 -CHRi) n und B = - ( (R 3 - ) C ( -R 2 ) (-CH 2 ) ) m , mit

Ri = H, CH 3 oder CH 2 -CH 3 , R 2 = COONa, -CH 2 -COONa, S0 3 Na, oder -H 2 CSNa,R 3 = H, CH 3 , CH 2 -CH 3 oder Phenyl, wobei n, m > 10 gilt. Zudem können die Copolymere der Formel A-B den Be ¬ standteil B insbesondere in einer Menge von 5 bis 30 Ge- wichtsprozent, insbesondere 10 bis 20 Gewichtsprozent, ent ¬ halten. Ferner kann ein relativer Anteil der aciden Protonen der Ionomere, welche durch den Dotierstoff substituiert wurden, bezogen auf die Gesamtmenge an aciden Protonen vor der Substitution mit dem Dotierstoff, insbesondere weniger als 5% (jedoch mehr als 0%) betragen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, wobei Bezug auf die beigefügten Figuren genommen wird. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausfüh ¬ rungsbeispiels der erfindungsgemäßen Dünnschichtso- larzelle, und

Fig.2 eine schematische Querschnittsansicht eines Ausfüh ¬ rungsbeispiels des erfindungsgemäßen Dünnschichtso ¬ larmoduls mit zwei seriell verbundenen Dünnschicht- Solarzellen.

Ausführliche Beschreibung der Zeichnungen

In Figur 1 ist ein insgesamt mit der Bezugszahl 1 bezeichnetes Dünnschichtsolarmodul veranschaulicht. Das Dünn ¬ schichtsolarmodul 1 umfasst eine Mehrzahl in integrierter Form seriell verschalteter Solarzellen 11, wobei in Figur zum Zwecke einer einfacheren Darstellung nur eine einzige Dünnschichtsolarzelle 11 dargestellt ist.

Demnach hat das Dünnschichtsolarmodul 1 einen der so ge- nannten Substratkonfiguration entsprechenden Aufbau, d.h. es verfügt über ein elektrisch isolierendes erstes Substrat 2 mit einem darauf aufgebrachten Schichtenaufbau 3 aus dün ¬ nen Schichten, wobei der Schichtenaufbau 3 auf einer licht- eintrittseitigen Oberfläche 4 des ersten Substrats 2 ange- ordnet ist. Das erste Substrat 2 besteht hier beispielswei ¬ se aus Glas mit einer relativ geringen Lichtdurchlässig ¬ keit, wobei gleichermaßen andere elektrisch isolierende Materialien mit gewünschter Festigkeit und inertem Verhalten gegenüber den durchgeführten Prozessschritten einge- setzt werden können.

Der Schichtenaufbau 3 umfasst eine auf der Oberfläche 4 des ersten Substrats 2 angeordnete Rückelektrodenschicht 5, die beispielsweise aus einem lichtundurchlässigen Metall wie Molybdän (Mo) besteht und beispielsweise durch Aufdampfen oder durch magnetfeldunterstützte Kathodenzerstäubung auf das erste Substrat 2 aufgebracht werden kann. Die Rück ¬ elektrodenschicht 5 hat eine Schichtdicke von 300 nm bis 600 nm, welche beispielsweise 500 nm beträgt. Auf der Rück- elektrodenschicht 5 ist eine photovoltaisch aktive Halblei ¬ ter- bzw. Absorberschicht 6 abgeschieden, die aus einem mit Metallionen dotierten Halbleiter besteht, dessen Bandabstand vorzugsweise in der Lage ist, einen möglichst großen Anteil des Sonnenlichts zu absorbieren. Die Absorberschicht 6 besteht beispielsweise aus einem p-leitenden Chalkopyrit- halbleiter, beispielsweise einer Verbindung der Gruppe Cu(In,Ga) (S,Se) 2 , insbesondere Natrium (Na) -dotiertes

Cu(In,Ga) (S,Se) 2 - Die Absorberschicht 6 hat beispielsweise eine Schichtdicke, die im Bereich von 1-5 μπι liegt und bei- spielsweise ca. 2μπι beträgt. Zwischen der Rückelektrodenschicht 5 und der Absorberschicht 6 kann eine Barrieren ¬ schicht, die als Diffusionsbarriere für die als Dotierstoff dienenden Metallionen der Absorberschicht wirkt, vorgesehen sein, was in Figur 1 nicht näher dargestellt ist. Die Bar ¬ riereschicht enthält beispielsweise Siliziumnitrid.

Auf die Absorberschicht 6 ist eine Pufferschicht 7 abge- schieden, die hier beispielsweise aus einer Einzellage Cad- miumsulfid (CdS) und einer Einzellage aus intrinsischem Zinkoxid (i-ZnO) besteht, was in Figur 1 nicht näher darge ¬ stellt ist. Auf die Pufferschicht 7 ist eine Frontelektrodenschicht 8 beispielsweise durch Aufdampfen aufgebracht. Die Front ¬ elektrodenschicht 8 ist für Strahlung im sichtbaren Spekt ¬ ralbereich transparent ("Fensterelektrode")/ so dass das einstrahlende Sonnenlicht nur gering geschwächt wird. Die transparente Frontelektrodenschicht 8 basiert beispielswei ¬ se auf einem dotierten Metalloxid, beispielsweise n- leitendes, Aluminium (AI ) -dotiertes Zinkoxid (ZnO) . Eine solche Frontelektrodenschicht 8 wird allgemein als TCO- Schicht (TCO = Transparent Conductive Oxide) bezeichnet. Durch die Frontelektrodenschicht 8 wird gemeinsam mit der Pufferschicht 7 und der Absorberschicht 6 ein HeteroÜber ¬ gang (d.h. Abfolge von Schichten vom entgegen gesetzten Leitungstyp) gebildet. Dabei kann die Pufferschicht 7 eine elektronische Anpassung zwischen dem halbleitenden Material der Absorberschicht 6 und dem Material der Frontelektrodenschicht 8 bewirken. Die Schichtdicke der Frontelektrodenschicht 8 beträgt beispielsweise ca. 500 nm.

Zum Schutz vor Umwelteinflüssen ist auf der Frontelektro- denschicht 8 eine beispielsweise aus einem Ionomer beste ¬ hende Klebeschicht 9 aufgebracht, die zur Verkapselung des Schichtenaufbaus 3 dient.

Zudem ist der Schichtenaufbau 3 mit einem für Sonnenlicht transparenten zweiten Substrat 10 versehen, das beispielsweise aus extraweißem Glas mit geringem Eisengehalt be ¬ steht, wobei gleichermaßen andere elektrisch isolierende Materialien mit gewünschter Festigkeit und inertem Verhal- ten gegenüber den durchgeführten Prozessschritten eingesetzt werden können. Das zweite Substrat 10 dient zur Ver ¬ siegelung des Schichtenaufbaus 3. Das erste Substrat 2 und das zweite Substrat 10 sind durch die Klebeschicht 9 fest miteinander verbunden. Die Klebe ¬ schicht 9 ist hier beispielsweise eine thermoplastische Klebeschicht, die durch Erwärmen plastisch verformbar wird und beim Abkühlen die beiden Substrate 2 und 10 fest mit- einander verbindet.

In dem Dünnschichtsolarmodul 1 weist die Klebeschicht 9 die gleichen Metallionen wie die Absorberschicht 6 auf, die dort als Dotierstoff verwendet werden. Zu diesem Zweck ent- hält die Klebeschicht 9 beispielsweise einen gewissen An ¬ teil an einem ionischen Polymer, hier beispielsweise Polyethylen-co-methacrylsäure, in dem die Wasserstoffionen zu ¬ mindest teilweise durch die als Dotierstoff dienenden Me ¬ tallionen der Absorberschicht 6, hier beispielsweise Natri- umionen, ausgetauscht wurden. Für eine Massenbelegung mit Natriumionen als Dotierstoff im Bereich von 200 - 1000 ng/cm 2 bei einer, einen Halbleiter der Gruppe Kupfer- Indium/Gallium-Dischwefel/Diselenid (Cu(In,Ga) (S,Se) 2 ) um ¬ fassenden Absorberschicht 6 liegt der relative Anteil der in der Klebeschicht 9 enthaltenen Natriumionen in Bezug auf das gesamte Material der Klebeschicht 9 in einem Bereich von 1 Gew.-% bis 2 Gew.-%. Insbesondere kann der relative Anteil der in der Klebeschicht 9 enthaltenen Natriumionen, bezogen auf die Gesamtmenge der aciden Protonen vor dem Austausch durch Natriumionen, weniger als 5 % betragen (jedoch mehr als 0 %), um einerseits eine besonders hohe Haf ¬ tung an den beiden Substraten 2, 10 und andererseits eine für die Praxis ausreichende Hemmung der Ausdiffusion von Natriumionen aus der Absorberschicht 6 zu erreichen.

Die Verwendung von Polyethylen-co-methacrylsäure hat den Vorteil, dass die Säure über lange nicht-ionische Ethylen- ketten verfügt, so dass die elektrisch isolierende Eigen- schaft der Klebeschicht 9 durch das Ionomer nur geringfüg beeinträchtigt wird.

Alternativ könnte die Klebeschicht 9 beispielsweise durch eine Klebefolie gebildet werden, welche vor dem Aufbringen im Schichtenaufbau 3 und Aufschmelzen zum Bilden der Klebe Schicht 9 durch ein Kochsalzbad gezogen wird, um Natriumio nen an deren Oberflächen zu adsorbieren. Beispielsweise sind nur an der der Absorberschicht 6 zugewandten Oberflä ¬ che Natriumionen adsorbiert. Durch den Gehalt an Natriumio nen in bzw. an der Klebeschicht 9 kann einer Ausdiffusion der Natriumionen von der Absorberschicht 6 in die Klebe ¬ schicht 9 wirkungsvoll entgegengewirkt werden. Die Adsorp ¬ tion der Natriumionen an der Klebefolie hat prozesstechnische Vorteile, da sie sehr einfach und kostengünstig in di Herstellung von Dünnschichtsolarmodulen integrierbar ist.

Zudem enthält die Klebeschicht 9 eine gewisse Menge ei ¬ ner Verbindung, die dazu führt, dass das Material der Klebeschicht 9 mit den Materialien der benachbarten Schichten, hier das zweite Substrat 10 und die Front ¬ elektrodenschicht 8, kovalente Bindungen eingehen kann. Beispielsweise wird dem Material der Klebeschicht 9 ei ¬ ne Verbindung zugemischt, die anorganische Hydrid- Verbindungen mit den Materialien der benachbarten Schichten ausbilden kann, beispielsweise Alkylsilane oder Alklyalane. Alternativ wäre auch denkbar, dass eine aus dieser Verbindung bestehende Schicht jeweils zwischen der Klebeschicht 9 und der Frontelektrodenschicht 8 bzw. dem zweiten Substrat 10 angeordnet ist. Hierdurch kann eine weitere Verbesserung der Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls 1 durch eine Hemmung des Zutritts von Wassermolekülen zu der Absorberschicht 6 erreicht werden. Obgleich in Fig. 1 nicht näher dargestellt, ist ein umlaufender Randspalt zwischen den beiden Substraten 2 und 10 mit einem als Barriere für Wasser dienenden Dichtmaterial, hier beispielsweise Polyisobutylen (PIB) , abgedichtet, um die Langzeitstabilität des Dünnschichtsolarmoduls 1 durch eine Hemmung des Eintritts von Wasser weiter zu verbessern. Das Dichtmaterial ist zusätzlich mit zumindest einer Ver ¬ bindung versehen, um Wassermoleküle chemisch und/oder phy- sikalisch zu binden.

Das Dünnschichtsolarmodul 1 kann in der industriellen Se ¬ rienfertigung einfach und kostengünstig hergestellt werden, wobei die verschiedenen Schichten des Schichtenaufbaus 3 auf dem ersten Substrat 2 abgeschieden und unter Einsatz einer geeigneten Strukturierungstechnologie wie Laser ¬ schreiben und mechanische Bearbeitung, beispielsweise durch Abheben oder Ritzen, strukturiert werden. Eine solche

Strukturierung umfasst für jede Solarzelle typischer Weise drei Strukturierungsschritte, auf die hier nicht näher ein ¬ gegangen werden muss.

Figur 2 zeigt zwei Dünnschichtsolarzellen 11.1 und 11.2 eines Dünnschichtsolarmoduls 1, die seriell miteinander verbunden sind. Die Unterteilung in die einzelnen Dünnschichtsolarzellen 11.1 und 11.2 erfolgt durch Einschnitte 12 unter Einsatz einer geeigneten Strukturierungstechnologie, wie Laserschreiben und mechanische Bearbeitung, beispielsweise durch Abheben oder Ritzen. Die einzelnen Solar- zellen 11.1 und 11.2 sind über einen Schichtbereich 13 der Rückelektrodenschicht 5 seriell miteinander verschaltet.

Ein erfindungsgemäßes Dünnschichtsolarmodul 1 weist bei ¬ spielsweise 100 seriell verschaltete Dünnschichtsolarzellen und eine LeerlaufSpannung von 56 Volt auf. Im hier dargestellten Beispiel sind sowohl der resultierende positive (+) als auch der resultierende negative Spannungsanschluss (-) des Dünnschichtsolarmoduls 1 über die Rückelektroden ¬ schicht 5 geführt und dort elektrisch kontaktiert.

Die vorliegende Erfindung stellt ein Dünnschichtsolarmodul zur Verfügung, dessen Langzeitstabilität verbessert ist, wobei alterungsbedingten, irreversiblen Leistungsverlusten aufgrund einer Degradation der Absorberschicht 6 entgegen gewirkt werden kann. Dies kann zum einen dadurch erreicht werden, dass eine Migration mobiler Ionen aus der Absorberschicht 6 zumindest weitgehend unterbunden wird, indem die Klebeschicht 9 mit den mobilen Ionen gesättigt wird, so dass sie nicht als Senke für die mobilen Ionen wirkt. Ande ¬ rerseits kann einer durch im Dünnschichtsolarmodul 1 vor ¬ handenes Wasser ausgelösten Hydrolyse der Absorberschicht 6 entgegen gewirkt werden. Hierbei wird vermieden, dass Hyd- rolyseprodukte in den Strukturierungsgräben zu unvorteilhaften elektrischen Widerständen führen. Zudem kann verhindert werden, dass Feuchte den elektrischen Parallelwiderstand der Solarzellen heraufsetzt. Wie Alterungstests der Anmelderin gezeigt haben, werden durch die aufgezeigten Maßnahmen die üblichen Einbußen im Wirkungsgrad bei Natrium-dotierten Cu(In,Ga) ( S , Se ) 2 _ Dünn- schichtsolarmodulen deutlich erniedrigt. Wie in Tabelle 1 dargestellt, wurden Natrium-dotierte

Cu(In,Ga) ( S , Se ) 2 _ Dünnschichtsolarmodule mit drei verschie ¬ denen Klebeschichten (Folie 1-3) untersucht. Bei den Versu ¬ chen wurde der Verlust relativ zum Wirkungsgrad des Dünn ¬ schichtsolarmoduls bei einem dem Fachmann bekannten Dry- Heat-Alterungstests gemessen. Der Dry-Heat-Alterungstest wurde bei einer Temperatur von 85°C und einer relativen Luftfeuchte von < 25 % über eine Zeitdauer von 5000 h

(Stunden) durchgeführt. Der Natrium- und Zinkgehalt der Klebeschichten wurde mittels Röntgenfluoreszenz-Analyse bestimmt. Ein Natriumgehalt oder Zinkgehalt von 0 Gew.-% in Tabelle 1 bedeutet einen Gehalt unter der bei der Röntgen- fluoreszenzanalyse nachweisbaren Menge von < 100 ppm, bezo ¬ gen auf das Gewicht der Klebeschicht. Tabelle 1

Demnach zeigte Folie 2 mit einem Natrium-Gehalt von 0 Gew.- % und einem Zink-Gehalt von 0 Gew.-% nach dem Dry-Heat- Alterungstest einen Verlust relativ zum Wirkungsgrad des Dünnschichtsolarmoduls von 10%. Folie 3 mit einem Zink- Gehalt von 0,7 Gew.-% zeigte einen Verlust von 40 %. Eine erfindungsgemäß verwendete Folie 1 mit einem Natriumgehalt von 1,5 Gew.-% und einem Zink-gehalt von 0 Gew.-% zeigte überraschenderweise einen Verlust von nur 4 %. Dieses Er ¬ gebnis war für den Fachmann unerwartet und überraschend. Bezugs zeichenliste

1 Dünnschicht solarmodul

2 erstes Substrat

3 Schichtenaufbau

4 Oberfläche

5 Rückelektrodenschicht

6 Absorberschicht

7 Pufferschicht

8 Frontelektrodenschicht

9 Klebeschicht

10 zweites Substrat

11, 11.1, 11.2 Dünnschichtsolarzelle 12 Unterteilung

13 Schichtbereich