本发明涉及触控技术， 特别是涉及一种触控电极结构及其制造工艺。 背景技术

传统的触控电极结构制造工艺中， 最主要的歩骤包括电极结构的形成和线 路层的形成， 在这两个歩骤中， 分别需要用到用于定义电极图形的掩膜和用于 定义线路层连接区域的掩膜。 在传统的制造工艺中， 掩膜在完成以上制程歩骤 之后， 一般都需要额外的歩骤去除。

另一方面， 为了使得触控电极结构在应用于触控显示装置 时具有良好的视 觉效果， 在形成触控感测电极结构之后， 触控电极结构上通常需要增加额外的 光学层， 以调节触控装置的显示效果。

因此传统的触控电极结构制造工艺不但流程繁 琐， 而且在显示效果的调整 方面需要付出额外的成本。 发明公开

基于此， 有必要提供一种触控电极结构的制造工艺， 其具有较少的工艺歩 骤且较好的视觉效果。

此外， 还提供一种触控电极结构。

一种触控电极结构的制造工艺， 包括歩骤：

S1 : 形成一电极层于一基板上；

S2: 形成一第一防蚀刻光学层于该电极层上；

S3： 蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层 ， 经蚀刻后的该电极层 分为一蚀刻区与一非蚀刻区， 且位于该非蚀刻区的电极层包含：

至少两个以上的沿第一方向排列的第一电极块 ， 相邻的该些第一电极块通 过一第一导线电性连接；

至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块 ， 该些第二电极块分别设置 于该第一导线两侧；

S4 : 形成一第二防蚀刻光学层于该第一防蚀刻光学 层和该基板上， 且对应 于各第二电极块上的该第二防蚀刻光学层形成 有镂空区域；

S5 : 蚀刻该镂空区域处的该第一防蚀刻光学层， 形成贯穿孔贯穿该第一防 蚀刻光学层；

S6: 形成一线路层， 该线路层位于该第二防蚀刻光学层上， 且通过该镂空 区域与该贯穿孔电性连接相邻的第二电极块。

一种触控电极结构， 包括：

一基板；

一电极层， 设置于该基板上， 且该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区， 其 中该非蚀刻区的电极层包含： 至少两个以上的沿第一方向排列的第一电极块 ， 相邻的该些第一电极块通过第一导线电性连接 ； 至少两个以上的沿第二方向排 列的第二电极块， 所述第二电极块分别设置于该第一导线两侧；

一第一防蚀刻光学层， 设置于该非蚀刻区的电极层上， 且该第一防蚀刻光 学层对应于该些第二电极块的位置形成有贯穿 孔；

一第二防蚀刻光学层， 设置于该第一防蚀刻光学层与该基板上， 且该第二 防蚀刻光学层对应于该贯穿孔的位置形成有镂 空区域；

一线路层， 设置于该第二防蚀刻光学层上， 且该线路层通过该镂空区域及 该贯穿孔电性连接相邻的第二电极块。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细 描述， 但不作为对本发明的 限定。 附图简要说明

图 1为第一实施例的触控电极结构的制造工艺流� �图；

图 2a〜图 2f为图 1所示工艺流程图中各个歩骤所对应的触控电� �结构俯视 图； 图 2a' 〜图 2f 分别为图 2a〜图 2f沿 A-A'方向的剖视图；

图 2g 为第一实施例的触控电极结构蚀刻区与非蚀刻 区的电极层的层级结 构图；

图 3a为第二实施例的触控电极结构的俯视图； 图 3a'为图 3a沿 A-A'方向 的剖视图；

图 4为另一实施例的触控电极结构的制造工艺流� �图；

图 5a〜图 5e为图 4所示工艺流程图中各个歩骤所对应的触控电� �结构俯视 图； 图 5a' 〜图 5e' 分别为图 5a〜图 5e沿 A-A'方向的剖视图。 实现本发明的最佳方式

如图 1所绘示， 为一实施例的触控电极结构的制造工艺流程图 。 该制造工 艺流程包括以下歩骤。

S101 : 形成一电极层于一基板上。 参考图 2a， 和图 2a， 电极层 130a形成 于基板 110上。 其中基板 110可以是玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料

( Polyethylene terephthalate, PET)基板。基板 110可为平面或者曲面形状， 以适应不同的触控产品。 基板 110还可为硬质基板或可扰式基板。 电极层 130a 可以采用纳米银丝（Si lver Nano-Wire, S而）层、 碳纳米管（Carbon nanotube , CNT)层、 石墨烯 ( Graphene ) 层、 高分子导电 ( Conduct ive Polymer ) 层以及 氧化金属（IT0、 AZ0…… Gel)层等可透视的材料。 形成电极层 130的方式可以采 用沉积、 溅射等工艺。

S102 : 形成一保护层于该电极层上。 对于纳米银丝等易被氧化的材料， 保 护层 140将电极层 130a与空气隔离， 进而有助于提高电极层 130a的抗氧化能 力。 同时， 由于纳米银丝材料自身具有一定的疏密度， 保护层 140可通过纳米 银丝的间隙与基板接触， 通过选用与基板 110有较佳附着力的材料， 有助于提 高纳米银丝在基板 110的附着力。 保护层的材料采用可透视的绝缘材料， 如二 氧化硅。 保护层的厚度为 50nm至 500nm。

S103 : 形成一第一防蚀刻光学层于该保护层上。 参考图 2b ' 和图 2b ， 将 第一防蚀刻光学层 150形成于保护层 140上。 第一防蚀刻光学层 150具有图案 化的形状， 其用于在电极层 130a上定义出导电电极图形。 该第一防蚀刻光学层 150可以采用压克力聚合物 （Acrylate Polymer ) 和环氧树脂 （Epoxide Resin) 等可透视的绝缘材料制成。 形成第一防蚀刻光学层 150的方式可以采用印刷 ( printing) 工艺。 第一防蚀刻光学层的厚度为 0. 05 um至 5蘭。

S104: 蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层 ， 经蚀刻后的该电极 层分为一蚀刻区与一非蚀刻区。 参考图 2c ' 和图 2c ， 对图 2b ' 和图 2b中的 电极层 130a进行蚀刻，形成图 2c和图 2c ' 所示的电极层 130 在蚀刻过程中， 由于保护层 140的厚度较薄， 蚀刻液可渗透保护层 140对电极层 130a进行蚀 亥 lj。 图 2c ' 和图 2c所示的电极层 130b分为蚀刻区 M和非蚀刻区 N。 在本实施 例中，蚀刻电极层 130采用不完全蚀刻的工艺 即在确保蚀刻区 M的电极层 130b 与非蚀刻区 N的电极层 130b电性绝缘的前提下， 仅蚀刻掉部分蚀刻区 M的电 极。采用不完全蚀刻的工艺， 可避免蚀刻区 M与非蚀刻区 N的电极层色差过大。 在另一实施例中， 可采用完全蚀刻的工艺。 非蚀刻区 N的电极层 130b包含： 至 少两个以上的沿第一方向排列的第一电极块 132， 相邻的第一电极块 132通过 第一导线 134电性连接； 至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块 136， 第二电极块 136分别设置于第一导线 134两侧。 图中仅示出非蚀刻区 N的电极 层 130b的部分电极块， 实际的电极层 130b应包含更多电极块。 由于第一防蚀 刻光学层 150的遮挡， 经过蚀刻后， 电极层 130最终形成与第一防蚀刻光学层 150所定义的图形相同的电极结构。 图 2c ' 和图 2c中， 第一电极块 132、 第一 导线 134以及第二电极块 136均位于第一防蚀刻光学层 150下。

S105 : 形成一第二防蚀刻光学层于该保护层与该第一 防蚀刻光学层上。 参 考图 2d' 和图 2d， 在蚀刻形成电极层 130b之后， 在整个基板 210之上再覆盖 形成第二防蚀刻光学层 160， 第二防蚀刻光学层 160形成于第一防蚀刻光学层 150和保护层 140之上， 且对应于各第二电极块 136上的第二防蚀刻光学层 160 形成有镂空区域 162。第二防蚀刻光学层 160可以采用压克力聚合物（Acrylate Polymer ) 和环氧树脂 （Epoxide Resin ) 等可透视的绝缘材料制成。 第二防蚀 刻光学层 160的厚度为 0. 05 um至 5蘭。

S106蚀刻该些镂空区域处的该第一防蚀刻光学� �和该保护层。参考图 2e ' 和图 2e， 通过蚀刻镂空区域 162处的第一防蚀刻光学层 150和保护层 140， 可 在第一防蚀刻光学层 150和保护层 140上形成贯穿孔 152。 贯穿孔 152形成并 贯穿于第一防蚀刻光学层 150和保护层 140， 使得第二电极块 136部分外露。 需说明的是， 对于单一第二电极块 136而言， 镂空区域 162和贯穿孔 152的数 目可根据第二电极块 136的大小作调整， 并不限定于图示中的数量。 另镂空区 域 162和贯穿孔 152的亦可为圆形等形状， 不限于图示中的方形。

S107: 形成一线路层。 参考图 2f ' 和图 2f ， 线路层 170形成于第二防蚀 刻光学层 160上， 并通过镂空区域 162以及贯穿孔 152与位于非蚀刻区的第二 电极块 136电性连接。线路层 170可采用氧化铟锡等可透视的导电材料、 或银、 铝等金属材料、 或钼铝钼等合金材料。

同时参考图 2c、 图 2f ' 和图 2f 所示， 经过上述工艺所得到的触控电极结 构， 包括：基板 110; 电极层 130b， 设置于该基板 110上， 且电极层 130b分为 蚀刻区 M与非蚀刻区 N, 其中非蚀刻区 N的电极层包含： 至少两个以上的沿第 一方向排列的第一电极块 132， 相邻的该些第一电极块 132通过第一导线 134 电性连接； 至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块 136， 所述第二电极 块 136分别设置于该第一导线 134两侧； 保护层 140， 设置于该电极层 130b上； 第一防蚀刻光学层 150， 设置于非蚀刻区 N的保护层上， 且第一防蚀刻光学层 150与保护层 140对应于第二电极块 136的位置形成有贯穿孔 152; 第二防蚀刻 光学层 160， 设置于保护层 140与第一防蚀刻光学层 150上， 且第二防蚀刻光 学层 160对应于贯穿孔 152的位置形成有镂空区域 162; 线路层 170， 设置于第 二防蚀刻光学层 160上， 且线路层 170通过镂空区域 162及贯穿孔 152电性连 接相邻的第二电极块 136。 本实施例触控电极结构各部件的其它特性， 在形成 工艺中已详述， 故此处不再赘述。

请同时参考图 2f ' 、 图 2f和图 2g， 采用本发明的工艺形成的触控电极结 构， 电极层 130b蚀刻区 M上形成有保护层 140、 第二防蚀刻光学层 160 ; 非蚀 刻区 N上形成有保护层 140、 第一防蚀刻光学层 150、 第二防蚀刻光学层 160。 通过调节保护层 14(X第一防蚀刻光学层 15(X第二防蚀刻光学层 160的折射率， 可减轻蚀刻后蚀刻区 Μ和非蚀刻区 Ν存在的外观差异。 在一实施例中， 第一防 蚀刻光学层 150的折射率至少比保护层 140的折射率大 0. 1， 第二防蚀刻光学 层 160的折射率至少比第一防蚀刻光学层 150的折射率大 0. 1。 保护层 140、 第 一防蚀刻光学层 150、 第二防蚀刻光学层 160的折射率可根据不同电极层材料 的折射率作调整。 另， 保护层 140的厚度可为至 50nm至 500nm， 该厚度范围可 确保在蚀刻电极层 130a时， 蚀刻液较易渗透； 第一防蚀刻光学层 150和第二防 蚀刻光学层 160的厚度可为为 0. 05um至 5um， 该厚度范围有利于确保整体触控 电极结构的光穿透率。 此外， 相比于传统的制造工艺， 本实施例的工艺流程中 没有涉及去除用于定义电极层的电极图形的掩 膜的歩骤以及去除用于定义贯穿 孔位置掩膜的歩骤， 因此工艺歩骤会更少， 制程的时间也会更短， 可以提高该 工艺的效率。

进一歩参考图 3a' 和图 3a， 在本发明的另一实施例中， 在形成如图 2f和 图 2f ' 的触控电极结构之后， 可更进一歩形成一光学调整层 180覆盖于线路层 170上。 光学调整层 180可为单层结构或多层复合的结构。 一方面， 光学调整 层 180可用于保护整体的触控结构； 另一方面， 光学调整层 180亦可起到调节 线路层 170以及整体触控结构光学外观的作用。 光学调整层 180的厚度为 0. 05 um至 5薦。 光学调整层 280采用可以采用压克力聚合物 （Acrylate Polymer ) 和环氧树脂 （Epoxide Resin) 等可透视的绝缘材料制成。

如图 4所绘示， 为另一实施例的触控电极结构的制造工艺流程 图。 该制造 工艺流程包括以下歩骤。

S201 : 形成一电极层于一基板上。 参考图 5a， 和图 5a， 电极层 230a形成 于基板 210上。 其中基板 210可以是玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料

( Polyethylene terephthalate, PET)基板。基板 110可为平面或者曲面形状， 以适应不同的触控产品。 基板 110还可为硬质基板或可扰式基板。 电极层 230a 可以采用纳米银丝（Si lver Nano-Wire, SNW)层、 碳纳米管（Carbon nanotube , CNT)层、 石墨烯 ( Graphene ) 层、 高分子导电 ( Conduct ive Polymer ) 层以及 氧化金属（IT0、 AZ0…… Gel)层等可透视的材料。 形成电极层 130的方式可以采 用沉积、 溅射等工艺。

S202 : 形成一第一防蚀刻光学层于该电极上。 参考图 5a' 和图 5a ， 与图

1所绘示的工艺流程不同之处在于， 当电极层采用氧化金属（IT0、 AZ0…… Gel) 层等抗氧化能力和附着力较好的材料时， 可省略形成保护层的歩骤， 即直接形 成第一防蚀光学层于电极层。 第一防蚀刻光学层 250具有图案化的形状， 其用 于在电极层 230a上定义出导电电极图形。第一防蚀刻光学� � 250的其它特性与 前述实施例相同， 此处不再赘述。

S203 : 蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层 ， 经蚀刻后的该电极 层分为一蚀刻区与一非蚀刻区。 参考图 5b ' 和图 5b ， 对图 5a' 和图 5a中的 电极层 230a进行蚀刻， 形成图 5b， 和图 5b所示的电极层 230b。 5b ' 和图 5b 所示的电极层 230b分为蚀刻区 M和非蚀刻区 N。 蚀刻电极层 230a可采用完全 蚀刻或不完全蚀刻的工艺。 非蚀刻区 N的电极层 230b包含： 至少两个以上的沿 第一方向排列的第一电极块 232， 相邻的第一电极块 232通过第一导线 234电 性连接； 至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块 236， 第二电极块 236 分别设置于第一导线 234两侧。 图中仅示出非蚀刻区 N的电极层 230b的部分电 极块， 实际的电极层 230b应包含更多电极块。 由于第一防蚀刻光学层 250的遮 挡， 经过蚀刻后， 电极层 230b最终形成与第一防蚀刻光学层 250所定义的图形 相同的电极结构。 图 5b ' 和图 5b中， 第一电极块 232、 第一导线 234以及第二 电极块 236均位于第一防蚀刻光学层 250下。

S204: 形成一第二防蚀刻光学层于该第一防蚀刻光学 层和该基板上。 参考 图 5c ' 和图 5c， 在蚀刻形成电极层 230b之后， 在整个基板 210之上再覆盖形 成第二防蚀刻光学层 260， 第二防蚀刻光学层 260形成于第一防蚀刻光学层 250 和基板 210上， 且对应于各第二电极块 236上的第二防蚀刻光学层 260形成有 镂空区域 262。 第二防蚀刻光学层 260的其它特性与前述实施例相同， 此处不 再赘述。

S205 : 蚀刻该镂空区域处的该第一防蚀刻光学层。 参考图 5d ' 和图 5d ， 通过蚀刻镂空区域 262处的第一防蚀刻光学层 250， 可在第一防蚀刻光学层 250 上形成贯穿孔 252。 贯穿孔 252形成并贯穿于第一防蚀刻光学层 250， 使得第二 电极块 236部分外露。 镂空区域 262和贯穿孔 252的其它特性与前述实施例相 同， 此处不再赘述。

S206: 形成一线路层。 参考图 5e ' 和图 5e ， 线路层 270形成于第二防蚀 刻光学层 260上， 并通过镂空区域 262及贯穿孔 252电性连接相邻的第二电极 块 136。 线路层 270的其它特性与前述实施例相同， 此处不再赘述。

同时参考图 5b、 图 5e ' 和图 5e所示， 经过上述工艺所得到的触控电极结 构， 包括：基板 210; 电极层 230b， 设置于该基板 210上， 且电极层 230b分为 蚀刻区 M与非蚀刻区 N, 其中非蚀刻区 N的电极层包含： 至少两个以上的沿第 一方向排列的第一电极块 232， 相邻的该些第一电极块 232通过第一导线 234 电性连接； 至少两个以上的沿第二方向排列的第二电极块 236， 所述第二电极 块 236分别设置于该第一导线 234两侧； 第一防蚀刻光学层 250， 设置于非蚀 刻区 N的电极层 230b上， 且第一防蚀刻光学层 250对应于第二电极块 236的位 置形成有贯穿孔 252; 第二防蚀刻光学层 260， 设置于第一防蚀刻光学层 250与 基板 210上， 且第二防蚀刻光学层 260对应于贯穿孔 252的位置形成有镂空区 域 262; 线路层 270， 设置于第二防蚀刻光学层 260上， 且线路层 270通过镂空 区域 262及贯穿孔 252电性连接相邻的第二电极块 236。 另， 在另一实施例中， 亦可进一歩在线路层 270形成一光学调整层。 本实施例触控电极结构各部件的 其它特性， 在形成工艺中已详述， 故此处不再赘述。

上述各实施例中， 电极层的电极采用方形的电极块电连接而成， 在其他实 施例中， 电极块还是是棱形、 五边形或者六边形等。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方 式， 其描述较为具体和详 细， 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限 制。 应当指出的是， 对于本 领域的普通技术人员来说， 在不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干变 形和改进， 这些都属于本发明的保护范围。 因此， 本发明专利的保护范围应以 所附权利要求为准。

工业应用性

本发明通过调节第一防蚀刻光学层和第二防蚀 刻层的折射率， 可减轻蚀刻 后蚀刻区和非蚀刻区存在的外观差异。 此外， 相比于传统的制造工艺， 本实施 例的工艺流程中没有涉及去除用于定义电极层 的电极图形的掩膜以及去除用于 定义线路层连接区域的掩摸的歩骤， 因此工艺歩骤会更少， 制程的时间也会更 短， 可以提高该工艺的效率。