株式会社村田製作所 (〒55 京都府長岡京市東神足１丁目１０番１号 Kyoto, 61785, JP)
| 外周部に複数の巻線領域が設けられた管状のボビンと、 前記ボビンの管内に挿入される磁性体コアと、 第1の巻線領域に巻回された第1の入力巻線と、 前記第1の巻線領域に隣接する第2の巻線領域に巻回された出力巻線と、 前記第2の巻線領域に隣接する第3の巻線領域に巻回された第2の入力巻線と、 前記第1の入力巻線に近接して巻回された検出巻線と、 を備え、 前記第1の入力巻線を、前記第2の入力巻線と同じ巻回方向で直列接続し、前記第2の入力巻線よりも少ない巻数としたトランス。 |
| 外周部に複数の巻線領域が設けられた管状のボビンと、 前記ボビンの管内に挿入される磁性体コアと、 第1の巻線領域に巻回された第1の検出巻線と、 前記第1の巻線領域に隣接する第2の巻線領域に巻回された出力巻線と、 前記第2の巻線領域に隣接する第3の巻線領域に巻回された第2の検出巻線と、 前記第1の検出巻線に近接して巻回された入力巻線と、 を備え、 前記第1の検出巻線を、前記第2の検出巻線と同じ巻回方向で直列接続し、前記第2の検出巻線よりも少ない巻数としたトランス。 |
| 外周部に複数の巻線領域が設けられた管状のボビンと、 前記ボビンの管内に挿入される磁性体コアと、 第1の巻線領域に巻回された第1の出力巻線と、 前記第1の巻線領域に隣接する第2の巻線領域に巻回された入力巻線と、 前記第2の巻線領域に隣接する第3の巻線領域に巻回された第2の出力巻線と、 前記第1の出力巻線に近接して巻回された検出巻線と、 を備え、 前記第1の出力巻線を、前記第2の出力巻線と同じ巻回方向で直列接続し、前記第2の出力巻線よりも少ない巻数としたトランス。 |
| 外周部に複数の巻線領域が設けられた管状のボビンと、 前記ボビンに挿入される磁性体コアと、 第1の巻線領域に巻回された第1の検出巻線と、 前記第1の巻線領域に隣接する第2の巻線領域に巻回された入力巻線と、 前記第2の巻線領域に隣接する第3の巻線領域に巻回された第2の検出巻線と、 前記第1の検出巻線に近接して巻回された出力巻線と、 を備え、 前記第1の検出巻線を、前記第2の検出巻線と同じ巻回方向で直列接続し、前記第2の検出巻線よりも少ない巻数としたトランス。 |
| 請求項1~4のいずれかに記載のトランスと、前記出力巻線に接続される容量性負荷回路と、前記入力巻線に接続されるAC電圧源と、前記検出巻線に接続される検出計と、を備えるトランス装置。 |
この発明は、出力電圧を検出するための 出巻線を設けたトランス、および、トラン に負荷回路を接続したトランス装置、に関 るものである。
トランスの後段に接続される負荷回路に 定の電圧を印加するため、トランスの出力 圧をモニタリングして出力電圧の制御をす ことがあった。モニタリング方法としては トランスに入力巻線や出力巻線とともに検 巻線を設けて、検出巻線の検出電圧をモニ することがあった(例えば、特許文献1参照 )。
図1は従来のトランスの第1構成例を説明 る図である。同図(A)は部分断面図を、同図(B )は回路図を示す。
このトランスは、巻回体200と図示しない 性体コアとから構成される。巻回体200は、 状のボビン204と巻線201~203とから構成され、 ボビン204の管内には磁性体コアが挿入される 。ボビン204は、その外周面に複数の鍔部が設 けられ、鍔部間の巻線領域(以下、セクショ と称する。)それぞれに巻線201~203が巻回され る。具体的には、第一端の近傍に位置するセ クションには入力巻線201と検出巻線203とが巻 回され、それ以外の複数のセクションには出 力巻線202が巻回される。検出巻線203は、出力 巻線202との絶縁を取るために出力巻線202と異 なるセクションに巻回される。
このトランスの回路構成において、入力 線201は入力端子214とアース端子216との間に 続される。入力端子214にはAC電圧源が接続 れる。検出巻線203は検出端子217を介して電 検出計に接続される。出力巻線202は出力端 215を介して負荷回路に接続される。このト ンスでは出力電圧に比例する検出電圧が、 圧検出計で検出されることになる。
このような構成のトランスでは、出力巻 と入力巻線との間の結合を大きくするため 、出力巻線の両側に入力巻線を配置し、入 巻線間を並列接続する構成が利用されるこ があった。
図2は従来のトランスの第2構成例を説明 る図である。同図(A)は部分断面図を、同図(B )は回路図を示す。
このトランスは巻回体300と図示しない磁 体コアとから構成される。巻回体300は、管 のボビン310と巻線311~314とから構成され、ボ ビン310の管内には磁性体コアが挿入される。 ボビン310は、その外周面に複数の鍔部が設け られ、鍔部間のセクションそれぞれに巻線311 ~314が巻回される。中央の複数のセクション は出力巻線313が巻回され、両端近傍のセク ョンには第1の入力巻線311と第2の入力巻線312 とが巻回され、第1の入力巻線311と同一のセ ションに検出巻線314が巻回される。
このトランスの回路構成において、第1の 入力巻線311と第2の入力巻線312は、入力端子32 1とアース端子322との間に並列接続される。 出巻線314は検出端子323を介して電圧検出計 接続される。出力巻線313は、出力端子324を して負荷回路に接続される。このトランス も、出力巻線と検出巻線との巻数比に応じ 出力電圧に比例する電圧が、電圧検出計で 出されることになる。
以上のトランスでは、例えば、出力巻線の
数が1000ターンで、検出巻線の巻数が10ター
で、出力電圧が1000Vp-pの場合、検出巻線に
10Vp-pの検出電圧が出力される。
上述のトランスでは絶縁のために、出力 線と入力巻線とを、鍔部を隔てて配置して る。このため両巻線間のリーケージインダ タンスは大きい。したがって負荷回路とし ランプや感光ドラムなどの容量成分が主と る容量性負荷回路が接続されると、AC入力 圧の周波数がリーケージインダクタンスと 荷容量との共振周波数に近づいた場合など 動条件によってはリーケージインダクタン と容量性負荷回路とが直列共振することが った。直列共振が生じた場合、リーケージ ンダクタンスに起因する漏れ磁束が増大す ことになる。
漏れ磁束は直列共振電流と比例関係にあ 、直列共振電流はリーケージインダクタン に発生する直列共振電圧と比例関係にある そして、トランスの出力電圧はこの直列共 電圧の分だけ増加する。そのため、直列共 によって、漏れ磁束の増加に比例した共振 圧がリーケージインダクタンスに発生し、 ランスの出力電圧が増加することになる。
また、直列共振により、検出巻線は主磁 と漏れ磁束との合成磁束に応じた検出電圧 出力するようになる。図3は、従来のトラン スに生じる漏れ磁束を説明する図である。同 図(A)は第1構成例のトランスを、同図(B)は第2 成例のトランスを示す。
第1構成例のトランスでは、磁性体コア220 内に主磁束221と漏れ磁束222とが生じる。検出 巻線の鎖交磁束面223では、漏れ磁束222が主磁 束221と逆方向に鎖交する。したがって、主磁 束221と漏れ磁束222とは互いに打ち消しあうこ とになる。直列共振時には漏れ磁束222が大幅 に増加するため、漏れ磁束222の増加分だけ主 磁束221が大きく打ち消され、検出電圧が減少 する。第2構成例のトランスも同様に、直列 振時には鎖交磁束面323での漏れ磁束323の増 分だけ主磁束321が打ち消され、検出電圧が 少する。
以上のように、直列共振の影響により出 電圧および検出電圧が変化すると、検出巻 による出力電圧の検出精度が劣化する。
図4は、出力電圧と検出電圧の変化を説明 する図である。
ここでは、巻線比を入力巻線:出力巻線: 出巻線=1:180:1とした従来のトランスに、大き さ一定で周波数を変化させたAC入力電圧を印 し、容量性負荷回路を100pF、200pF、300pFと切 替えて駆動させた実験結果を示している。
同図(A)は、第1構成例のトランスについて 示している。このトランスの出力電圧は、周 波数の増加につれて増大する傾向があった。 一方、このトランスの検出電圧は周波数が増 加すると減少する、またはほとんど変化しな い傾向があった。このため、検出電圧と出力 電圧の比を算出すると、この比は周波数の変 化に対して非線形に変化した。
同図(B)は、第2構成例のトランスについて 示している。このトランスでは第1構成例の ランスに比べて出力電圧、検出電圧それぞ の変化の程度は小さい。しかしながら、第1 成例のトランスと同様に検出電圧と出力電 の比は周波数の変化に対して非線形に変化 た。
以上のように従来のトランスでは、周波 が変動すれば検出巻線による出力電圧の検 精度が著しく悪化していた。このことは、 力巻線に接続される容量性負荷回路の容量 が大きいほど顕著であった。
そこで、本発明は、出力電圧を精度よく 出できるトランスおよびトランス装置を提 することを目的とする。
請求項1に係る発明のトランスは、ボビン と磁性体コアと第1の入力巻線と出力巻線と 2の入力巻線と検出巻線とを備える。ボビン 、外周部に複数の巻線領域が設けられた管 のものである。磁性体コアは、ボビンに挿 される。第1の入力巻線は、第1の巻線領域 巻回される。出力巻線は、第1の巻線領域に 接する第2の巻線領域に巻回される。第2の 力巻線は、第2の巻線領域に隣接する第3の巻 線領域に巻回される。検出巻線は、第1の入 巻線に近接して巻回される。ここで、第1の 力巻線は、第2の入力巻線に同じ巻回方向で 直列接続し、第2の入力巻線よりも少ない巻 のものである。
この構成では、主磁束と、第1の入力巻線 と出力巻線との間のリーケージインダクタン スによる第1の漏れ磁束と、第2の入力巻線と 力巻線との間のリーケージインダクタンス よる第2の漏れ磁束とが生じる。
第1の入力巻線と第2の入力巻線とは直列 続しているので両巻線を流れる電流は等量 あるが、第1の入力巻線は第2の入力巻線より も少ない巻数であり、第1の入力巻線のAT(ア ペアターン:巻数×電流)は第2の入力巻線のAT り小さく、第1の漏れ磁束は第2の漏れ磁束 りも小さなものになる。
また、第1の漏れ磁束のうち検出巻線に鎖 交する磁力線は主磁束とは逆方向になり、一 方、第2の漏れ磁束のうち検出巻線に鎖交す 磁力線は主磁束と同一方向になるので、検 巻線に鎖交する磁束のうち、第1の漏れ磁束 よるものが第2の漏れ磁束によるものに打ち 消され、検出巻線に鎖交する磁束の向きは主 磁束と同一方向になる。したがって、漏れ磁 束の大きさに応じて検出電圧が増加すること になり、周波数が変動して出力電圧が変化し ても、周波数に比例して変動する漏れ磁束に 追従して検出電圧が変化し、出力電圧と検出 電圧との比を安定させることができる。
請求項2に係る発明のトランスは、ボビン と磁性体コアと第1の検出巻線と出力巻線と 2の検出巻線と入力巻線とを備える。ボビン 、外周部に複数の巻線領域が設けられた管 のものである。磁性体コアは、ボビンに挿 される。第1の検出巻線は、第1巻線領域に 回される。出力巻線は、第1巻線領域に隣接 る第2巻線領域に巻回される。第2の検出巻 は、第2巻線領域に隣接する第3巻線領域に巻 回される。入力巻線は、第1の検出巻線に近 して巻回される。ここで、第1の検出巻線を 第2の検出巻線と同じ巻回方向で直列接続し 、第2の検出巻線よりも少ない巻数とする。
この構成では、入力巻線と出力巻線との のリーケージインダクタンスから漏れ磁束 生じる。この漏れ磁束のうち第1の検出巻線 に鎖交する磁力線は主磁束とは逆方向になり 、一方、第2の検出巻線に鎖交する磁力線は 磁束と同一方向になるので、漏れ磁束の大 さに応じて第1の検出巻線に鎖交する磁束は さくなり、第2の検出巻線に鎖交する磁束は 大きくなる。
また、第1の検出巻線の巻数は第2の検出 線の巻数よりも小さいので、第1の検出巻線 りも第2の検出巻線にて大きな巻線電圧が発 生する。そのため、直列に接続した第1およ 第2の検出巻線それぞれの巻線電圧の合成電 である検出電圧は、第2の検出巻線での巻線 電圧に大きな影響を受け、漏れ磁束の大きさ に応じて増加しやすくなる。したがって、周 波数が変動して出力電圧が変化しても、周波 数に比例して変動する漏れ磁束に追従して検 出電圧が変化し、出力電圧と検出電圧との比 を安定させることができる。
請求項3および請求項4に係る発明のトラ スは、請求項1および請求項2に係る発明のト ランスの回路構成で、入力巻線と出力巻線と を入れ替えたものである。本発明のトランス の回路構成は可逆性があるため、このように 入れ替えても同様な効果を奏する。
本発明のトランス装置は、上述のトラン と、出力巻線に接続される容量性負荷回路 、入力巻線に接続されるAC電圧源と、検出 線に接続される検出計と、を備えると好適 ある。
本発明のトランスおよびトランス装置に れば、漏れ磁束の変化に追従する検出電圧 得るので、出力電圧と検出電圧との比を安 させることができ、出力電圧を精度よく検 できる。
100,150…巻回体
101,102,151…入力巻線
103,153…出力巻線
104,152,154…検出巻線
105,155…ボビン
110,160…磁性体コア
111,161…主磁束
112,162,163…漏れ磁束
114,164…検出端子
115,165…入力端子
116,166…出力端子
117,167…容量性負荷回路
118,168…アース端子
119,169…電圧検出計
以下、第1の実施形態に係るトランスにつ いて説明する。図5は同トランスを説明する である。同図(A)は同トランスの部分断面図 、同図(B)は同トランスに負荷回路を接続し トランス装置の回路図を示す。
このトランスは、巻回体100と図示しない 性体コアとから構成される。巻回体100は、 状のボビン105と巻線101~104とから構成され、 ボビン105の管内に磁性体コアが挿入される。 ボビン105は、その外周面に複数の鍔部が設け られ、鍔部間の各セクションは鍔部を隔てて 隣り合うことで隣接配置され、それぞれに巻 線101~104が巻回される。具体的には、第一端 セクションには入力巻線101と検出巻線104と 巻回され、第二端のセクションには入力巻 102が巻回され、中央の複数のセクションに 出力巻線103が巻回される。検出巻線104は、 力巻線101と同じセクションに近接配置して て、入力巻線101の外周側に検出巻線104を巻 している。なお、検出巻線を内側に入力巻 を外側に巻回する構成であってもよい。ま 、検出巻線104は、出力巻線103との絶縁を取 ために出力巻線103と異なるセクションに巻 されている。
入力巻線101と入力巻線102との巻数比は、 要とする検出巻線の周波数特性に応じて設 すればよい。ここでは、検出巻線104の検出 圧と、出力巻線103の出力電圧とが、AC入力 圧の周波数によらず一定になるように、例 ば、入力巻線101と入力巻線102との巻数比を3 7に設定している。
次に、このトランスに負荷回路を接続し トランス装置の回路構成を説明する。入力 線101は、入力端子115に一端が接続され、他 が入力巻線102に接続されている。入力巻線1 02は、入力巻線101に接続された端部の逆側の 部がアース端子118を介してアースに接続さ ている。入力巻線101と出力巻線102は巻回方 が同一となるように接続される。入力端子1 15には図示しないAC電圧源が接続される。検 巻線104は検出端子114を介して、電圧検出計11 9に接続されている。出力巻線103は、出力端 116を介して容量性負荷回路117に接続されて る。
この回路構成では、直列共振が生じるこ により、入力巻線101と出力巻線103との間の 1のリーケージインダクタンスからの第1の れ磁束と、入力巻線102と出力巻線103との間 第2のリーケージインダクタンスからの第2の 漏れ磁束とが増大することになる。
入力巻線101と入力巻線102とは、直列に接 しているため、両者を流れる電流は等量と り、入力巻線101のAT(アンペアターン:巻数× 流)と入力巻線102のATの比は巻線比と同じ3:7 なる。このため、入力巻線101-出力巻線103間 から発生する第1の漏れ磁束と、入力巻線102- 力巻線103間から発生する第2の漏れ磁束の比 も、ほぼ3:7に分離されることになる。
図6は、このトランスの漏れ磁束を説明す る図である。同図(A)はこのトランスのシミュ レーション画像を、同図(B)は同シミュレーシ ョン画像における磁束の方向を示す。同トラ ンスでは、磁性体コア110内に主磁束111と漏れ 磁束112とが生じる。ここで示す漏れ磁束112は 、第1の漏れ磁束と第2の漏れ磁束との合成磁 であり、検出巻線104に鎖交する合成磁束の きは主磁束と同一方向であった。
図7は、本実施形態のトランスにおける、 出力電圧と検出電圧の変化を説明する図であ る。
ここでは、巻線比を入力巻線:出力巻線: 出巻線=1:180:1としたトランスに、大きさ一定 で周波数を変化させたAC入力電圧を印加し、 量性負荷回路を100pF、200pF、300pFと切り替え 駆動させた実験結果を示している。
このトランスの出力電圧は、周波数の増 につれて増大する傾向があった。また、検 電圧も周波数の増加につれて増大する傾向 あった。そのため、周波数や容量性負荷回 の違いに因らずに、検出電圧と出力電圧の は安定していて、高い検出精度を維持でき ことがわかる。
なお、ここでは、検出電圧の変化量が、 力電圧の変化量と同程度になるように第1お よび第2の入力巻線の巻線比を設定した例を した。しかし、検出電圧の周波数変化に対 る変化量は、入力巻線の巻数比に応じて任 に設定できるため、検出電圧の変化量が、 力電圧の変化量よりも大きくなるように設 することや、小さくなるように設定するこ もできる。
次に、第2の実施形態に係るトランスにつ いて説明する。図8は同トランスを説明する である。同図(A)は同トランスの部分断面図 、同図(B)は同トランスに負荷回路を接続し トランス装置の回路図を示す。
このトランスは巻回体150と図示しない磁 体コアとから構成される。巻回体150は、管 のボビン155と巻線151~154とから構成され、ボ ビン155の管内に磁性体コアが挿入される。ボ ビン155は、その外周面に複数の鍔部が設けら れ、鍔部間の各セクションは鍔部を隔てて隣 り合うことで隣接配置され、それぞれに巻線 151~154が巻回される。具体的には、第一端の クションには検出巻線152が巻回され、第二 のセクションには入力巻線151と検出巻線154 が巻回され、中央の複数のセクションには 力巻線153が巻回される。入力巻線151は、検 巻線154と同じセクションに近接配置してい 、入力巻線151の外周側に検出巻線154を巻回 ている。なお、検出巻線を内側に入力巻線 外側に巻回する構成であってもよい。また 検出巻線154,152は、出力巻線153との絶縁を取 ために出力巻線153と異なるセクションに巻 されている。
ここで、検出巻線154と検出巻線152との巻 比は、必要とする検出巻線の周波数特性に じて設定すればよい。ここでは、検出巻線1 52,154の直列回路の検出電圧と、出力巻線153の 出力電圧とが、AC入力電圧の周波数によらず 定になるように、例えば、検出巻線154と検 巻線152との巻数比を3対7に設定している。
この第2の実施形態のトランスは、入力巻 線と出力巻線との間のリーケージインダクタ ンスが第1の実施形態のトランスよりも大き 、容量性負荷回路との直列共振を利用しや い構成である。そのため、例えば液晶用イ バータなどの高電圧を利用する負荷回路に 用すると好適である。
次に、このトランスに負荷回路を接続し トランス装置の回路構成を説明する。入力 線151は、入力端子165に一端が接続され、他 がアース端子168を介してアースに接続され いる。入力端子165には図示しないAC電圧源 接続される。検出巻線152,154は直列接続され 両端が検出端子164を介して、電圧検出計169 接続されている。検出巻線152,154は巻回方向 が同一となるように接続される。出力巻線153 は、出力端子166を介して容量性負荷回路167に 接続されている。
この回路構成では、直列共振が生じるこ により、入力巻線151と出力巻線153との間の ーケージインダクタンスからの漏れ磁束が 大することになる。
図9は、このトランスの漏れ磁束を説明す る図である。同図(A)はこのトランスのシミュ レーション画像を、同図(B)は同シミュレーシ ョン画像における磁束の方向を示す。同トラ ンスでは、磁性体コア160内には、主磁束161と 漏れ磁束162,163とが生じる。
漏れ磁束162,163のうち検出巻線154に鎖交す る分は主磁束と逆方向であり、検出巻線152に 鎖交する分は主磁束と同方向であった。よっ て、漏れ磁束により、検出巻線152の検出電圧 は大きく、逆に検出巻線154の検出電圧は小さ くなる。検出巻線154に対して検出巻線152の巻 線比を高めれば、検出巻線154と検出巻線152と の直列回路の検出電圧は大きくなり、逆に検 出巻線152の巻線比を低くすれば検出電圧は小 さくなる。したがって直列共振の影響により 、漏れ磁束が増大するのにともない、検出電 圧も増減させることができる。
図10は、本実施形態のトランスにおける 出力電圧と検出電圧の変化を説明する図で る。
ここでは、巻線比を入力巻線:出力巻線: 出巻線=1:180:1としたトランスに、大きさ一定 で周波数を変化させたAC入力電圧を印加し、 量性負荷回路を100pF、200pF、300pFと切り替え 駆動させた実験結果を示している。
このトランスの出力電圧は、周波数の増 につれて増大する傾向があった。また、検 電圧も周波数の増加につれて増大する傾向 あった。そのため、周波数や容量性負荷回 の違いに因らずに、検出電圧と出力電圧の は安定していて、高い検出精度を維持でき ことがわかる。
なお、ここでは、検出電圧の変化量が、 力電圧の変化量と同程度になるように第1お よび第2の検出巻線の巻線比を設定した例を した。しかし、検出電圧の周波数変化に対 る変化量は、入力巻線の巻数比に応じて任 に設定できるため、検出電圧の変化量が、 力電圧の変化量よりも大きくなるように設 することや、小さくなるように設定するこ もできる。
以上のように、本発明は、入力AC電圧の 波数に変動があって出力電圧が変化しても その出力電圧の値を高精度に検出できる。
なお、以上の説明で示した入力巻線を出 巻線として利用するような回路構成や、出 巻線を入力巻線として利用するような回路 成であっても、本発明は好適に実施できる
次に、上述の実施形態のトランスで入出 接続を入れ替えて、入力巻線を出力巻線と 出力巻線を入力巻線として利用する回路構 例を説明する。
図11は、第1の実施形態のトランスの入力 線と出力巻線とを入れ替えて利用する構成 を説明する図である。同図(A)は同トランス 部分断面図を、同図(B)は同トランスに負荷 路を接続したトランス装置の回路図を示す
このトランスの巻回体100は、第1の実施形 態の巻回体と同一のものである。第一端のセ クションに検出巻線104とともに巻回された巻 線101は入力巻線ではなく出力巻線として利用 する。また、第二端のセクションに巻回され た巻線102も入力巻線ではなく出力巻線として 利用する。中央の複数のセクションに巻回さ れた巻線103は出力巻線として利用する。なお 、検出巻線104を巻線101の内側に巻回する構成 であってもよい。
それぞれが出力巻線である巻線101と巻線1 02との巻数比は、必要とする検出巻線の周波 特性に応じて設定すればよい。ここでは、 出巻線104の検出電圧と、巻線101、102からの 力電圧とが、AC入力電圧の周波数によらず 定になるように、例えば、巻線101と巻線102 の巻数比を3対7に設定している。
次に、このトランスに負荷回路を接続し トランス装置の回路構成を説明する。巻線1 03は、端子116を介して一端が図示しないAC電 源が接続され、他端がアースに接続される 巻線101と巻線102とは互いに直列に接続され いて、端子115,118を介して容量性負荷回路117 接続されている。巻線101と巻線102は巻回方 が同一となるように接続される。検出巻線1 04は検出端子114を介して、電圧検出計119に接 されている。
この回路構成では、直列共振が生じるこ により、巻線101と巻線103との間の第1のリー ケージインダクタンスからの第1の漏れ磁束 、巻線102と巻線103との間の第2のリーケージ ンダクタンスからの第2の漏れ磁束とが増大 することになる。
巻線101と巻線102とは、直列に接続してい ため、両者を流れる電流は等量となり、巻 101のAT(アンペアターン:巻数×電流)と巻線102 のATの比は巻線比と同じ3:7となる。このため 巻線101-巻線103間から発生する第1の漏れ磁 と、巻線102-巻線103間から発生する第2の漏れ 磁束の比も、ほぼ3:7に分離されることになる 。
このトランスでも、周波数や容量性負荷 路の違いに因らずに、検出電圧と出力電圧 比は安定し、高い検出精度を維持できる。
図12は、第2の実施形態のトランスの入力 線と出力巻線とを入れ替えて利用する構成 を説明する図である。同図(A)は同トランス 部分断面図を、同図(B)は同トランスに負荷 路を接続したトランス装置の回路図を示す
このトランスの巻回体150は、第2の実施形 態の巻回体と同一のものである。第一端のセ クションに検出巻線154とともに巻回された巻 線151は入力巻線ではなく出力巻線として利用 する。また、中央の複数のセクションに巻回 された巻線153は入力巻線ではなく出力巻線と して利用する。なお、検出巻線154を巻線151の 内側に巻回する構成であってもよい。
次に、このトランスに負荷回路を接続し トランス装置の回路構成を説明する。巻線1 53は、端子166を介して一端が図示しないAC電 源が接続され、他端がアースに接続される 巻線151は端子165,168を介して容量性負荷回路1 67に接続されている。
この回路構成では、直列共振が生じるこ により、巻線151と巻線153との間のリーケー インダクタンスからの漏れ磁束が増大する とになる。これにより、検出巻線152の検出 圧は大きく、逆に検出巻線154の検出電圧は さくなる。検出巻線154に対して検出巻線152 巻線比を高めれば、検出巻線154と検出巻線1 52との直列回路の検出電圧は大きくなり、逆 検出巻線152の巻線比を低くすれば検出電圧 小さくなる。したがって直列共振の影響に り漏れ磁束が増大するのにともない、検出 圧も増減させることができ、周波数や容量 負荷回路の違いに因らずに、検出電圧と出 電圧の比を安定させて、高い検出精度を維 できる。