(実施の形態1)
 図1は本発明の実施の形態1におけるトラン� �の分解斜視図である。図1において、本実施� ��形態1のトランスは、第1のボビン15と第2の� �ビン19とを備える。第1のボビン15と第2のボ� �ン19は並列に配置されている。

 第1のボビン15は第1の貫通孔14の周りに第1 の一次巻線12と第1の二次巻線13とが巻回され� ��構成される。第2のボビン19は第2の貫通孔18� ��周りに第2の一次巻線16と第2の二次巻線17と� ��巻回されて構成される。

 ここで、第1の一次巻線12と第2の一次巻線 16は同一の巻回数である。また、第1の二次巻 線13と第2の二次巻線17も同一の巻回数である� ��

 さらに、本実施の形態1のトランスは、分 割磁心26を有する。分割磁心26は、背磁板20と 中磁脚23と第1の外磁脚24と第2の外磁脚25とか� ��構成される。中磁脚23は、その断面がT字形� ��であり、縦壁部21と横壁部22とで構成される 。縦壁部21は横壁部22から下方へ伸びた形で� �成されている。また、縦壁部21および横壁部 22は、背磁板20から背磁板20に対して垂直方向 に連結して設けられる。第1の外磁脚24および 第2の外磁脚25は、背磁板20から背磁板20に対� �て垂直に連結して設けられる。これらは、� �壁部21により、互いに隔てられている。

 そして、第1の貫通孔14の両側から第1の外 磁脚24が挿入され、その先端は第1の貫通孔14� ��で突き合わされている。同様に、第2の貫通 孔18の両側から第2の外磁脚25が挿入され、そ� ��先端が第2の貫通孔18内で突き合わされてい� ��。さらに、中磁脚23どうしが突き合わされ� �。中磁脚23は、第1のボビン15と第2のボビン19 とを、第1の貫通孔14、第2の貫通孔18を軸とし た方向で半周にわたり包含する。

 図2は本発明の実施の形態1におけるトラ� �スの有する分割磁心の斜視図である。図2に� ��いて、中磁脚23の縦壁部21の先端に段差部27� ��設けることにより、中磁脚23を突き合わせ� �際に空隙が存在する状態とし磁気ギャップ� �形成することができる。また、少なくとも� �方の分割磁心26に段差部27を設ければ、磁気� ��ャップを形成することができる。なお、中� ��脚23を磁気ギャップ無しで突き合わせても� �まわないが、磁気ギャップを形成すること� �望ましい。

 図3は本発明の実施の形態1におけるトラ� �スの斜視図である。図3において、本実施の� ��態1のトランスは、第1のボビン15と第2のボ� �ン19と分割磁心26とに加え、ケース28を有す� �。ケース28は、第1のボビン15、第2のボビン19 および分割磁心26相互の絶縁性を向上させる� ��めに設けられている。

 すなわち、一次巻線(図示せず)および二� �巻線(図示せず)は電気的に外部からケース28� ��より絶縁性を維持している。また、分割磁� ��26により、本実施の形態1のトランスの上面� ��の面積の1/2以上が覆われるので、一次巻線( 図示せず)および二次巻線(図示せず)は磁気的 に外部から遮蔽されている。このような遮蔽 状態を維持するには、図2に示すように第1の� ��磁脚24、第2の外磁脚25の外側面24W、25Wと、� �磁脚23の外側面23Wとが、同一面上にある状態 となっているか、もしくは、中磁脚23の外側� ��23Wが外側面24W、25Wに対して外側へ庇状に突� ��している位置関係となっていればよい。

 図4は本発明の実施の形態1におけるトラ� �スの第1の平面図である。図4において、A点� �分割磁心26を構成する背磁板20の中心点であ� ��。ここで、第1の一次巻線12から発生する磁� ��φ11と第2の一次巻線16から発生する磁束φ22� �それぞれA点に向かうφ1Aとφ2Aとなるとする� �このとき、A点において磁束が合流したとし� ��も、縦壁部21の先端には磁気ギャップ29が存 在するために磁気抵抗が非常に高く、磁束は 縦壁部21を通らない。すなわち、第1の一次巻 線12から発生する磁束φ11および第2の一次巻� �16から発生する磁束φ22は、φ1Aおよびφ2Aの方 向へは向かわない。なお、ここでは磁気ギャ ップ29により磁気抵抗を上昇させる方法を採� ��ているが、磁気ギャップ29を設けずに、縦� �部21の断面積を小さくすることにより磁気抵 抗を上昇させる方法を採っても構わない。

 これに対して、第1の一次巻線12から発生� ��る磁束φ11と第2の一次巻線16から発生する磁 束φ22がそれぞれA点とは反対方向に向かうφ1B とφ2Bとなるとする。このとき、横壁部22には 磁気ギャップが存在せず、非常に磁気抵抗が 低いためφ1Bとφ2Bの磁束方向に矛盾は生じな� ��。

 図5は本発明の実施の形態1におけるトラ� �スの第2の平面図である。図5において、第1� �一次巻線12から発生する磁束φ11と第2の一次� ��線16から発生する磁束φ22は、磁気抵抗の最� ��低い部分に相当する、それぞれ破線矢印30� �示されるループを通る。

 第1の一次巻線12から発生する磁束φ11と、 第2の一次巻線16から発生する磁束φ22とは、� �一の磁路を通らない。よって、第1の二次巻� ��13に接続された負荷(図示せず)と第2の二次� �線17に接続された負荷(図示せず)との平衡が� ��れていない場合においても、一方側の負荷� ��動に伴う磁束の変動は他方側の磁束に影響� ��及ぼしにくい。つまり、縦壁部21や横壁部22 が一体化された磁心であるにもかかわらず、 磁路ごとに磁気抵抗の差を設けていることに より磁束の通過し易い磁路とそうでない磁路 とに区別されうる。その結果、第1の二次巻� �13、第2の二次巻線17の負荷変動による干渉を 受けにくい安定した出力を得ることができる 。分割磁心26は機械的には一体化された状態� ��はあるが、磁気的には第1の一次巻線12、第1 の二次巻線13と、第2の一次巻線16、第2の二次 巻線17とを、分離することを可能としている� ��

 また、第1の一次巻線12と第1の二次巻線13� ��は同軸上に配置され、同様に、第2の一次巻 線16と第2の二次巻線17とは同軸上に配置され� ��いる。よって、第1の一次巻線12および第2の 一次巻線16において発生する磁束φ11と磁束φ2 2は、それぞれ第1の二次巻線13と第2の二次巻� ��17において的確に磁束が鎖交しエネルギー� �変換効率も良好となる。さらに、例えば、� �1の一次巻線12と第1の二次巻線13との間に隙� �をもたせることにより、沿面距離を維持し� �がら一定の結合を維持させることもできる� �

 縦壁部21は、第1の一次巻線12および第1の� ��次巻線13と、第2の一次巻線16および第2の二� ��巻線17とから放出される漏洩磁束を、互い� �磁気的に遮蔽する。また、横壁部22は非常に 磁気抵抗を低くしていることにより、トラン スからトランスの外部へ漏洩する磁束を抑制 することができる。なお、横壁部22が存在す� ��方向のみならず、横壁部22が存在しない側� �においても漏洩する磁束を抑制することが� �きる。

 ここで、第1の一次巻線12から発生する磁� ��φ11と第2の一次巻線16から発生する磁束φ22� �、共に一方の背磁板20へ向かう方向、もしく は共に一方の背磁板20の逆側へ向かう方向に� ��発生方向を揃える。さらに、図2に示す段差 部27を縦壁部21の突き合わせ側全体に横壁部22 に接する部分まで延長して設けることにより 、図4に示す磁気ギャップ29をより大きなもの にすることができる。

 図6は本発明の実施の形態1におけるトラ� �スの接続回路図である。図6において、本実� ��の形態1のトランス31は1つの部品である。ト ランス31の内部において、第1の二次巻線13と� ��2の二次巻線17とは磁気的に分離されている� ��

 図7Aは本発明の実施の形態1におけるトラ� ��スの第1の二次巻線からの出力電圧波形図で ある。図7Bは本発明の実施の形態1におけるト ランスの第2の二次巻線からの出力電圧波形� �である。図7A、7Bにおいて、第1の二次巻線13� ��よび第2の二次巻線17から出力される電圧の� ��ーク値に大きな不平衡は現れにくい。

 ここで、第1の二次巻線13と第2の二次巻線 17とからの出力電圧は逆位相としている。こ� ��は負荷に放電灯を使用した場合においては� ��その放電灯から発せられる電界等が逆位相� ��続により打ち消しあい、周囲への影響を小� ��くするためのものであり、同位相での動作� ��あってもトランスとしての動作の上では問� ��はない。

 以上の構造、および動作の説明において� ��、図1に示す第1の外磁脚24の突き合わせ部(� �示せず)および第2の外磁脚25の突き合わせ部( 図示せず)に関して、磁気ギャップの有無は� �及していない。しかし、第1の外磁脚24、第2� ��外磁脚25の突き合わせ部に磁気ギャップ(図� ��せず)を設けても構わない。

 第1の外磁脚24、第2の外磁脚25の突き合わ� ��部に磁気ギャップを設ける場合は、図2に示 すように、段差部27を形成する際に、第1の外 磁脚24、第2の外磁脚25の先端より段差部27と� �一の段差に相当する部分を切削する。これ� �より、第1の外磁脚24、第2の外磁脚25に設け� �磁気ギャップをほぼ同等の寸法とすること� �できる。

 そして、第1の外磁脚24、第2の外磁脚25と� ��壁部21とに3箇所の磁気ギャップを構成して� ��、縦壁部21の段差部27の非形成部および横壁 部22どうしを互いに突き合わせて閉磁路を構� ��するため、磁気ギャップの寸法は不安定に� ��なりにくい。つまり、これら3箇所の突き合 せ平面が安定することで、磁気ギャップを安 定させるためのフィルムの挟み込みを省略す ることができる。

 また、第1の外磁脚24、第2の外磁脚25の先� ��に形成される磁気ギャップは、図4に示す磁 気ギャップGのように、第1の一次巻線12、第1� ��二次巻線13、および第2の一次巻線16、第2の� ��次巻線17により包含される位置にある。よ� �て、大きな磁束の漏洩は発生しにくい。さ� �に、図1に示すように、中磁脚23の横壁部22は 磁気ギャップが無い状態で突き合わせるため 、磁束の漏洩は外部から遮蔽される。従って 、他のデバイスに磁気的な悪影響を及ぼしに くいのみならず、磁束漏洩によるエネルギー の変換損失も抑制できる。

 出力電圧の平衡をよりよく保つには、図2 に示すように、第1の外磁脚24と第2の外磁脚25 および横壁部22を、縦壁部21を軸として対称� �となるよう位置させることが望ましい。す� �わち、図1に示すように、縦壁部21に対し、� �1の一次巻線12および第1の二次巻線13と第2の� ��次巻線16および第2の二次巻線17とを左右対� �形とする。これにより、左右の磁気回路(第1 のボビン15、第2のボビン19)における磁気抵抗 を均等にできることから、第1の二次巻線13、 第2の二次巻線17による干渉をより発生しにく くすることができる。また、第1の一次巻線12 および第1の二次巻線13と第2の一次巻線16およ び第2の二次巻線17とをほぼ同一の仕様とする ことにより、第1の二次巻線13と第2の二次巻� �17とからのそれぞれの出力電圧を均等に保つ ことができる。

 なお、本実施の形態1において、図2に示� �第1の外磁脚24と第2の外磁脚25および横壁部22 を、縦壁部21を軸として非対称形となるよう� ��しても構わない。つまり、縦壁部21を第1の� ��磁脚24と第2の外磁脚25との中間からどちら� �一方へ偏った位置に配置しても構わない。� �の場合、一方の分割磁心26と他方の分割磁心 26とを突き合せる際に、それぞれの縦壁部21� �偏った位置にある以外は、一方の分割磁心26 と他方の分割磁心26とがほぼ同一の寸法であ� ��。それぞれの横壁部22同士は、ほぼ一致し� �形態で正対して突き合せた状態となる。縦� �部21は偏りがあるために完全には正対せず、 縦壁部21が延伸する方向とは垂直方向にズレ� ��伴った形態で突き合せた状態となる。

 ここで、縦壁部21の偏りの大きさを、分� �磁心26の中心から縦壁部21の厚み寸法の半分� ��下とすれば、縦壁部21どうしは必ず部分的� �突き合せた状態となる。これにより、横壁� �22と上記の部分的に突き合せた部分とにより 、併せて3箇所の突き合せ平面を形成する。� �って、一方の分割磁心26と他方の分割磁心26� ��を安定した位置関係に保つことが可能とな� ��。

 横壁部22を経由する磁路の断面積は縦壁� �21の偏りによっては変化しない。しかし、縦 壁部21を経由する磁路の断面積は縦壁部の偏� ��により大幅に減少することとなる。これに� ��り、図4に示すように、φ1Aとφ2Aとによる干� ��に関係する磁束が通る経路の磁気抵抗は一� ��上昇する。つまり、φ1Aとφ2Aとによる干渉� �関係する磁束はより一層減少し、φ1Aとφ2Aと による干渉が発生しにくくなる。

 このときは、図1に示す縦壁部21は分割磁� ��26中心に存在しない。そこで、第1の一次巻� ��12および第1の二次巻線13と第2の一次巻線16� �よび第2の二次巻線17とは巻き数を変化させ� �ことにより、第1の二次巻線13と第2の二次巻� ��17との出力電圧のバランスを保つようにす� �。すなわち、磁心形状を非対称とすること� �対応させて巻線仕様をも非対称とすること� �より、出力電圧特性を対称な状態に維持す� �。

 また、双方の分割磁心26は、それぞれ異� �る形状としても構わないが、基本的には同� �形状のものを突き合せることでよい。つま� �、同一形状で縦壁部21もまた同じ偏りを有し た分割磁心26を突き合せることにより、縦壁� ��21が延伸する方向とは垂直方向にズレを伴� �た形態で突き合せる。よって、分割磁心の� �形に関するコストアップの要因とはならな� �。また、磁気ギャップを形成する図2に示す� ��差部27については、双方の分割磁心26に設け ることも、あるいは一方の分割磁心26に設け� ��ことも可能である。

 さらに第1の二次巻線13、第2の二次巻線17� ��よる相互の干渉を抑制する手段として、図2 に示す第1の外磁脚24および第2の外磁脚25と横 壁部22とを隔てる距離を、第1の外磁脚24およ� ��第2の外磁脚25と縦壁部21とを隔てる距離よ� �も小さくするのがよい。

 図4において、第1の外磁脚24の上面部24aお よび第2の外磁脚25の上面部25aと横壁部22との� ��離をDaとする。また、第1の外磁脚24の側面� �24bおよび第2の外磁脚25の側面部25bと縦壁部21 との距離をDbとする。このとき、Da<Dbとす� �のがよい。すると、図5に示す磁束ループ30� �磁気抵抗は、磁気ギャップ29側の磁気抵抗に 比較してより低くすることができる。また、 磁路の分離がより明確となるため、第1の二� �巻線13、第2の二次巻線17による相互の干渉を 抑制することができる。さらに、第1の一次� �線12、第2の一次巻線16や第1の二次巻線13、第 2の二次巻線17から漏洩する磁束を横壁部22に� ��って製品の外側に放出させにくくすること� ��できる。

 磁束ループ30の磁気抵抗を磁気ギャップ29 側の磁気抵抗に比較してより低くする方法と しては、図1に示す横壁部22の断面積を縦壁部 21の断面積の2倍以上とするのが望ましい。す なわち、第1の一次巻線12および第1の二次巻� �13に対向する部分の横壁部22の断面積が、縦� ��部21の断面積よりも大きい状態である。そ� �て、第2の一次巻線16および第2の二次巻線17� �対向する部分の横壁部22の断面積が、縦壁部 21の断面積よりも大きい状態でもある。つま� ��、横壁部22全体の断面積の1/2が、縦壁部21の 断面積よりも大きい状態である。これにより 、図5に示す磁束ループ30の磁気抵抗は、磁気 ギャップ29側の磁気抵抗に比較して、たとえ� ��気ギャップ29が存在しないものであっても� �さくすることができる。よって、磁路の分� �がより明確となるため、第1の二次巻線13、� �2の二次巻線17による相互の干渉を抑制する� �とができるものである。

 さらに、図1に示す背磁板20の断面積につ� ��て説明する。縦壁部21と第1の外磁脚24との� �および縦壁部21と第2の外磁脚25との間に位置 する背磁板20の断面積は、横壁部22と第1の外� ��脚24との間および横壁部22と第2の外磁脚25と の間に位置する背磁板20の断面積より小さく� ��ている。これにより、たとえ磁気ギャップ2 9が存在しなくても図5に示す磁束ループ30の� �気抵抗を、磁気ギャップ29側の磁気抵抗に比 較して、小さくすることができる。よって、 上記の場合と同様に磁路の分離がより明確と なるため、第1の二次巻線13、第2の二次巻線17 による相互の干渉を抑制することができる。

 (実施の形態2)
 図8は本発明の実施の形態2におけるトラン� �の分解斜視図である。図8において、本実施� ��形態2のトランスは、第1のボビン40と第2の� �ビン44とを備える。第1のボビン40と第2のボ� �ン44は並列に配置されている。

 第1のボビン40は第1の貫通孔39の周りに第1 の一次巻線37と第1の二次巻線38とが巻回され� ��構成される。第2のボビン44は第2の貫通孔43� ��周りに第2の一次巻線41と第2の二次巻線42と� ��巻回されて構成される。

 ここで、第1の一次巻線37と第2の一次巻線 41は同一の巻回数である。また、第1の二次巻 線38と第2の二次巻線42も同一の巻回数である� ��

 さらに、本実施の形態2のトランスは、分 割磁心49を有する。分割磁心49は、背磁板45と 横壁磁脚46と第1の外磁脚47と第2の外磁脚48と� ��ら構成される。横壁磁脚46は背磁板45から垂 直に連結して設けられる。第1の外磁脚47、第 2の外磁脚48は、横壁磁脚46の一方側に並列さ� ��る。そして、背磁板45から垂直に連結して� �けられる。

 そして、第1の貫通孔39の両側から第1の外 磁脚47が挿入され、その先端は第1の貫通孔39� ��で突き合わされている。同様に、第2の貫通 孔43の両側から第2の外磁脚48が挿入され、そ� ��先端が第2の貫通孔43内で突き合わされてい� ��。さらに、横壁磁脚46どうしが突き合わさ� �る。第1のボビン40と第2のボビン44とは、分� �磁心49により覆われた状態となる。ここで、 棒状磁心50が第1のボビン40と第2のボビン44と� ��間に等距離を隔てて配置されている。

 図9は本発明の実施の形態2におけるトラ� �スの平面図である。図9において、B点は分割 磁心49を構成する背磁板45の中心点である。� �こで、第1の一次巻線37、第2の一次巻線41で� �生した磁束φ111、φ222はB点の方向へは向かい にくい構造となっている。これはB点の位置� �互いの磁束φ111、φ222が衝突する方向に存在� ��るためである。そして磁束φ111、φ222が流れ ることが可能な方向の棒状磁心50には磁気ギ� ��ップ51が存在し、磁気抵抗が高くなるため� �ある。つまり、図4に示した磁気構造と基本� ��に同様であり、図9に示した磁束φ111、φ222� �磁束ループ52の磁路を通過する。以上より、 磁束φ111、φ222は異なる磁路を通過する。よ� �て、第1の一次巻線37および第1の二次巻線38� �、第2の一次巻線41および第2の二次巻線42と� �干渉を起こしにくくすることができる。

 また、棒状磁心50により、第1の一次巻線3 7および第1の二次巻線38と、第2の一次巻線41� �よび第2の二次巻線42とから放出される漏洩� �束を、互いに磁気的に遮蔽する。

 実施の形態2では、棒状磁心50は磁気ギャ� ��プ51を伴うことで磁気抵抗を上昇されるも� �とした。しかし、磁気ギャップ51を無くした うえで棒状磁心50の断面積を小さくすること� ��よって磁気抵抗を上昇させても構わない。

 また、磁束ループ52の磁気抵抗をより小� �くし、より干渉の発生を低減させる手段と� �ては、背磁板45のうち第1の外磁脚47と横壁磁 脚46との間に位置する部分の背磁板45の断面� �を、背磁板45のその他の部分の断面積より大 きくすることが挙げられる。なお、この手段 は図4においても同様に適用が可能である。

 図10は本発明の実施の形態2におけるトラ� ��スを用いた電源装置のブロック図である。� ��10において、本実施の形態2のトランスは、� ��源装置53内のインバータ電源回路55として用 いられている。インバータ電源回路53はバッ� ��ライトユニット54に電力供給する。この場� �、インバータ電源回路55内において、トラン ス(図示せず)はインバータ電源回路55の一次� �と二次側との絶縁を得るための機能を有す� �。

 このとき、PFC回路(POWER FACTOR CORRECTION、  高調波対策回路)56からインバータ電源回路55� ��直接電力を供給することになるため、その� ��力変換の回数は1度のみとなる。その結果、 電力損失を抑制した高効率化が図れ、低消費 電力化を可能とする。なお、図10においてはP FC回路56を備えた電源装置53を示している。し かし、PFC回路を用いずに入力回路57から直接� ��インバータ電源回路55へ電力を供給しても� �わない。